JP2012099737A - サイドビュー型半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】小型で、配向制御が可能で、信頼性が高く、実装時に傾きを生じにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】光出射基板３とストッパ基板４が、電極基板１を挟んで配置される。光出射基板３の開口３ａの内部には、発光素子２が配置される。ストッパ基板４は、外部電極７の実装時の半田付け領域を露出する形状であって、電極基板１を実装基板に対して外部電極側から支持するための突起部４１と、突起部４１と交差する梁部４２とを有する。これにより、実装時に突起部４１が電極基板１の傾きを防止してマンハッタン現象を防止する。梁部４２は、ボンディング時の基板１の撓みを防止し、ボンディングの信頼性を確保することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、側面から光を出射するサイドビュー型半導体発光装置に関する。

側面から横方向（実装基板に平行な方向）に光を出射する、いわゆるサイドビュー型ＬＥＤが知られている。サイドビュー型ＬＥＤは、一般に半田付けにより実装基板上に実装される。

一般にサイズの小さな電子部品等を実装基板上に半田付けした場合、溶融半田の表面張力により、部品の側面が実装基板上面に引き寄せられ、部品が実装基板上で傾斜したり、側面を下に向けて立ち上がったりする現象（いわゆるマンハッタン現象）が生じることが知られている。サイドビュー型ＬＥＤを半田付けにより実装基板上に実装した場合にも、マンハッタン現象によりＬＥＤが傾いたり、側面を下に向けて立ち上がり、所定の方向に向けて光を出射することができなくなる現象が生じる。

この現象を解消するために、特許文献１では、立てて配置したチップ搭載用基板の両面に同形状のモールド樹脂を搭載し、片面のモールド樹脂内に発光ダイオードを埋め込んだ構造のサイドビュー型ＬＥＤを提案している。立てて配置したチップ搭載用基板の両面に同形状のモールド樹脂が搭載されているため、半田付け時に溶融半田にＬＥＤが浮かんだ状態となった場合であっても、基板が傾かずほぼ垂直な状態を保ったまま半田を硬化させることができる。

また、特許文献２には、斜め上方に向けて光を出射するために、リードを折り曲げて、ＬＥＤチップ搭載面が約４５度に傾斜するようにし、折り曲げられたリードをプラスチック材料で包み込んで成形した構造の発光装置が開示されている。プラスチック材料の形状は、リードのＬＥＤチップ搭載面よりも、背面側に突起が生じるように成形されており、この突起により実装時の安定性を得ている。

特開平１０−１０７３２６号公報 特開平２００６−９３３５９号公報

特許文献１のように、立てて配置したチップ搭載用基板の両面にモールド樹脂を搭載する構成は、チップが埋め込まれたモールド樹脂の表面全体から周囲に光が出射され、光が拡散してしまい、配向を制御することができない。

特許文献２のようにリードを折り曲げて所定の向きにＬＥＤチップを向ける構成は、折り曲げ後のリードが立体的で複雑な形状になる。このため、予めリードを折り曲げて立体的な形状にしてからＬＥＤチップをボンディングしようとすると、リードのチップ搭載面が水平になるようにボンディング装置に冶具等で支持しなければならない。さらに、ボンディング時には、チップをリードに押し付け固定する力（ダイボンディングフォース）や、ボンディングワイヤをリードに押しつけ変形させて固定する力（ワイヤボンディングフォース）を加える必要があり、チップ搭載面がこれらの力を受けた際に撓みを生じると、力が分散されてしまい、ダイボンディングやワイヤボンディングを信頼性高く実行することができない。リード折り曲げ後に、リードのチップ搭載面が撓みを生じないように支持するためには、リード裏面に冶具等を差し込む必要があり、複雑な冶具が必要になる。このため、リード折り曲げ後にボンディングを行うのは困難である。

一方、リード折り曲げ前に、ＬＥＤチップをボンディングし、その後リードを折り曲げる工程であれば、ボンディング時の撓みの問題は発生しないが、ＬＥＤチップを搭載後にリードを折り曲げる工程で、ＬＥＤチップおよびＬＥＤチップのボンディング部に力が加わり、ＬＥＤチップおよびボンディング部位の電気的ショートや耐久性に問題が生じる恐れがある。特に、リードをＬＥＤチップに近い位置で複雑な形状に折り曲げ、発光装置を小型化する場合には、折り曲げによりＬＥＤチップおよびボンディング部に与える影響が大きくなりやすい。

本発明の目的は、小型で、配向制御が可能で、信頼性が高く、実装時に傾きを生じにくい半導体発光装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明のサイドビュー型半導体発光装置は、少なくとも外部電極を備えた電極基板と、光を出射する開口を有する光出射基板と、電極基板を支持するためのストッパ基板とを備える。光出射基板とストッパ基板は、電極基板を挟んで配置される。ストッパ基板は、電極基板の外部電極が備えられた面側に配置される。光出射基板の開口の内部には、発光素子が配置され、ストッパ基板は、外部電極の実装時の半田付け領域を露出する形状であって、電極基板を実装基板に対して外部電極側から支持するための突起部と、突起部と交差する梁部とを有する。

上述の電極基板は、外部電極が備えられた面とは逆側の面に内部電極を備える構成とすることが可能である。この場合、発光素子は、内部電極上に搭載され、ストッパ基板の梁部は、電極基板の発光素子が搭載される領域の少なくとも一部の裏面に配置することが望ましい。

開口を横向きに配置した場合に、光出射基板の底面と、ストッパ基板の突起部の底面とは同一面上に位置することが好ましい。

ストッパ基板の突起部は、複数備えることが可能である。その場合、開口を横向きに配置した状態で、突起部が左右対称に配置されていることが望ましい。例えば、ストッパ基板は、電極基板の左右両端に配置された一対の突起部と、一対の突起部を連結する梁部とにより構成されたＨ字形状にすることが可能である。

また、本発明によれば、以下のような製造方法が提供される。すなわち、少なくとも外部電極を備えた電極基板の、外部電極側の面に電極基板を支持するためのストッパ基板を、電極基板の逆側の面に、光を出射する開口を有する光出射基板をそれぞれ貼り付ける第１工程と、開口の内部に発光素子を配置する第２工程と、電極基板、ストッパ基板および光出射基板を所定の位置で切断する第３工程とを有する製造方法であって、ストッパ基板として、外部電極の実装時の半田付け領域を露出する形状であって、電極基板を実装基板に対して外部電極側から支持するための突起部と、突起部と交差する梁部とを有するものを用いる。

第２工程としては、例えば、電極基板の外部電極が備えられた面の裏面に、発光素子をボンディングする工程を用いることが可能である。該工程では、電極基板のストッパ基板の梁部が配置されている領域と少なくとも一部が重なるように発光素子をボンディングする。

第３工程で切断前のストッパ基板と光出射基板は、いずれも同じ大きさの開口が同じピッチで形成された基板を用い、第１工程では、開口の位置がずれるようにストッパ基板と光出射基板とを電極基板にそれぞれ貼り付けることが可能である。これらを第３工程で切断することにより、ストッパ基板の突起部と梁部とを形成することができる。

本発明では、電極基板の外部電極の外側にストッパ基板を配置するため、電極基板がストッパ基板と光出射基板で挟まれる形状になり、実装時に電極基板がマンハッタン現象により傾斜するのを防止することができる。ストッパ基板と光出射基板としては、いずれも、大判基板に同形状の開口が同じピッチで並ぶものを用いることか可能である。これらを、開口位置をずらして電極基板に貼り付け、その後切断することによりストッパ基板と光出射基板の形状とすることができる。

実施形態のサイドビュー型半導体発光装置の、（ａ）発光面を上に向けた状態の斜視図、（ｂ）発光面を下に向けた状態の斜視図、（ｃ）発光面の上面図、（ｄ）および（ｅ）側面図、（ｆ）発光面を横に向けた（実装時の）状態を背面側から見た斜視図。 サイドビュー型半導体発光装置を実装基板に半田付けした状態を示す断面図。 図１の基板１の（ａ）上面図、（ｂ）断面図、（ｃ）下面図。 （ａ）図１のリフレクタ基板の斜視図、（ｂ）図１のストッパ基板の斜視図。 （ａ）〜（ｃ）図１のサイドビュー型半導体発光装置の製造工程を示す上面図。

本発明の一実施の形態の半導体発光装置について図面を用いて説明する。

本実施形態のサイドビュー型半導体発光装置の形状を図１（ａ）〜（ｆ）に示す。図１（ａ）は、半導体発光装置の発光面を上に向けた状態の斜視図、図１（ｂ）は、発光面を下に向けた状態の斜視図、図１（ｃ）は、発光面の上面図、図１（ｄ）および（ｅ）は側面図、図１（ｆ）は、発光面を横に向けた（実装時の）状態を背面側から見た斜視図である。

図１（ａ）〜（ｅ）のように、この半導体発光装置は、基板１と、基板１上に搭載された複数のＬＥＤ素子２と、基板１のＬＥＤ素子２搭載面に固定されたリフレクタ基板３と、基板１のＬＥＤ素子２搭載面とは逆側の面に固定されたストッパ基板４とを備えている。

基板１のＬＥＤ素子２搭載面には、所定の形状の内部電極パターン５が配置されている。ＬＥＤ素子２は、この内部電極パターン５に、ダイボンディングやボンディングワイヤ６により電気的に接続されている。

基板１のＬＥＤ素子２搭載面とは逆側の面には、所定の形状の外部電極パターン７が配置されている。外部電極パターン７は、内部電極パターン５と基板１を貫通するビア（図１では不図示）により電気的に接続されている。

リフレクタ基板３は、厚さ方向に貫通した開口３ａを有する。ＬＥＤ素子２は、この開口３ａの内部から露出される内部電極パターン５に搭載されている。開口３ａ内には、封止樹脂８が充填されている。リフレクタ基板３の開口３ａ内壁には、反射率を高めるために、高反射率層を配置することも可能である。

ＬＥＤ素子２から出射された光は、封止樹脂８を通過して開口３ａ（発光面）から外部に向かって出射される。このとき、リフレクタ基板３の開口３ａの内壁で光が反射されることにより、ＬＥＤ素子２の発した光を効率よく開口３ａから外部に出射することができる。封止樹脂８には、蛍光体や拡散材を分散させることも可能である。

半導体発光装置は、図２のように、リフレクタ基板３の発光面を横向きにした実装時の状態（サイドビュー）で、外部電極パターン７が配置されている面を実装基板１０の実装電極１１と半田１２により接続される。

ストッパ基板４は、少なくとも外部電極パターン４の下部を半田付けできるように露出する形状であって、かつ、リフレクタ基板３の下面と同じ位置で、リフレクタ基板３とは逆側に突出する面を形成する突起部４１を備えている。これにより、半田付け時に溶融半田１２の表面張力により、基板１が実装基板１０の表面に引き寄せられても、突起部４１の底面が実装基板１０の表面に接触し、基板１が実装基板１０に対して傾斜（転倒）するのを防止する。リフレクタ基板３の材質は、半田をはじく性質のものが望ましい。

突起部４１は、１または２以上配置され、実装時の状態で、背面側（ストッパ基板４側）から基板１を見たときに左右対称に配置されていることが望ましい。本実施形態のストッパ基板４は、図１（ｆ）のように２つの突起部４１を基板１の左右両端に備えている。なお、外部電極パターン７のうち、両端に位置する電極の一部が突起部４１にかかっていても構わない。

また、ストッパ基板４には、突起部４１の他に、突起部４１と交差する形状の梁部４２が形成されている。梁部は、ＬＥＤ素子２のボンディング時の基板１の撓みを防止する。梁部４２は、基板１のＬＥＤ素子２のダイボンディングエリアおよびワイヤボンディングエリアと重なる位置に配置されていることが望ましい。これにより、ストッパ基板４を基板１に固定した後で、ＬＥＤ素子２をダイボンディングおよびワイヤボンディングした場合であっても、梁部４２により基板１のボンディングエリアを裏面側から支持することができる。よって、基板１を撓ませることなくダイボンディングフォースおよびワイヤボンディングフォースを基板１で受け止めて、強固にボンディングを行うことができる。

本実施形態では、２つの突起部４１を水平の梁部４２で連結した形状の、Ｈ字状のストッパ基板４を用いている。

次に、本実施形態のサイドビュー型半導体発光装置の製造方法について説明する。

まず、基板１に内部電極パターン５および外部電極パターン７を作製する。複数の基板１が縦横に連結された形状の、大判のガラスエポキシ基板やセラミック基板を用意し、公知の手法により図３（ａ）〜（ｃ）のように内部電極パターン５、ビア１３、外部電極パターン７を形成する。図３（ａ）は、大判基板のＬＥＤ素子２搭載側の面の上面図、図３（ｂ）は側面図、図３（ｃ）は、裏面図である。ここでは、４個の基板１が縦横に連結された形状となるように、電極パターン５，７を形成している。なお、図３（ａ）、（ｃ）では、図示の都合上内部電極パターン５と外部電極パターン７のパターン形状が図１（ｂ）、（ｃ）と異なっているが、実際には同じパターンのものを形成する。

次に、リフレクタ基板３を作製する。大判のガラスエポキシ基板やセラミック基板を用意し、公知の手法により厚み方向に貫通した複数の開口３ａをあける。開口３ａの間隔は、完成時に開口３ａの間の分割線３ｂ、３ｃに沿って大判基板を縦横に分割することにより、４枚のリフレクタ基板３が得られるように設計する。開口３ａの内壁には、高反射率膜として、白色レジスト膜やＡｇメッキ膜を必要に応じて成膜する。

ストッパ基板４を作製する。大判のガラスエポキシ基板やセラミック基板を用意し、公知の手法により厚み方向に貫通した複数の開口を設け、分割した際に、所定の形状の突起部４１と梁部４２が得られるようにする。ここでは、Ｈ字状に突起部４１と梁部４２が連結されたストッパ基板４を形成するため、図４のように、角を落とした長方形の形状の開口４ａを形成する。開口４ａの縦方向に２分割するように分割線４ｂに沿って分割し、横方向には開口４ａの間で分割線４ｃにそって分割することにより、４枚のストッパ基板４が得られる。このとき、横方向に分割線４ｂの間隔は、リフレクタ基板３の縦方向の分割線３ｂの間隔と同じであるため、開口４ａの形状を開口３ａの形状と同じにすることにより、リフレクタ基板３とストッパ基板４とを同じ形状に形成することができる。よって、製造設備を共用することができ、製造コストを低減できる。ストッパ基板４の開口４ａの内壁には高反射率膜は不要であるが、非導電性の高反射率膜であれば、ストッパ基板４の内壁に備えられていても構わない。

つぎに、図５（ａ）のように、基板１の内部電極パターン５側の面にリフレクタ基板３を接着剤等により貼り付ける。リフレクタ基板３の開口３ａからは、内部電極パターン５のＬＥＤ素子２の搭載領域およびボンディングエリアが露出される。

図５（ｂ）のように、基板１の外部電極パターン７側の面にストッパ基板４を接着剤等により貼り付ける。このとき、ストッパ基板４の分割線４ｂ，４ｃが、リフレクタ基板の分割線３ｂ、３ｃと一致するように位置合わせして貼り付ける。これにより、開口４ａは、開口３ａと、縦方向に開口径の半分だけずれた位置に貼り付けられる。開口４ａからは、外部電極パターン７が露出される。

この後、貼り合わせ後の基板１を、リフレクタ基板３の開口３ａが上を向くように、ボンディング装置に搭載し、内部電極パターン５のダイボンディングエリアにＬＥＤ素子２をダイボンディングし、さらに、ワイヤボンディングエリアにワイヤ６をボンディングする。このとき、基板１には、ボンディング装置から上から基板を押しつける方向に、ダイボンディングフォースおよびワイヤボンディングフォースが加えられるが、ダイボンディングエリアおよびワイヤボンディングエリアの裏面側には、ストッパ基板４の梁部４２が位置するため、基板１の撓みを防止する。これにより、大きな強度で確実にボンディングを実行することができる。

図５の場合では、ダイボンディングエリアおよびワイヤボンディングエリアは外部電極側に投影させると完全に梁部４２と重なるように配置されている。これに限らず、ダイボンディングエリアおよびワイヤボンディングエリアを外部電極側に投影させた領域と梁部４２とが少なくとも一部重なっていれば効果は得られる。ただし、図５のように完全に重なることでより確実な効果が得られるため好ましい。

つぎに、リフレクタ基板３の開口３ａ内に封止樹脂８を注入し、ＬＥＤ素子２とワイヤ６を封止した後、所定の硬化条件で封止樹脂を硬化させる。

最後に、分割ライン３ｂ、４ｂおよび分割ライン３ａ，４ｃで、大判基板１、リフレクタ基板３、ストッパ基板４を分割し、個片化する。これにより、複数のサイドビュー型半導体発光装置が製造できる。

得られたサイドビュー型半導体発光装置の実装工程を図２を用いて説明する。実装基板１０には、サイドビュー型半導体発光装置の外部電極パターン７の各電極に接続される複数の実装電極１１が形成されている。半田リフロー工程により半田付けを行う場合には、半田層が実装電極１１上に予め配置されている。実装基板１０には、サイドビュー型半導体発光装置が複数の実装電極１１と外部電極パターン７が一致するように位置合わせして搭載される。半田リフロー等の半田付け工程により、実装電極１１と外部電極パターン７とを半田１２により半田付けする。

このとき、サイドビュー型半導体発光装置の外部電極パターン７が形成されている基板１の面には、溶融した半田１２の表面張力により、実装基板１０の上面に引き寄せる力が働く（マンハッタン現象）が、ストッパ基板の突起部４１は、基板１が傾くのを防止する。すなわち、ストッパ基板の突起部４１の底面は、基板１およびリフレクタ基板３の底面と同一面上に位置するため、ストッパ基板とリフレクタ基板３に挟まれた基板１を傾斜させる表面張力が働いた場合でも、ストッパ基板の突起部４１の底面が、実装基板１０の表面に接触することにより、基板１の傾斜を防止する。よって、基板１の傾斜を防止し、リフレクタ基板３の開口３ａ（出射面）を実装基板１０の上面に垂直に保って半田付けすることができる。これにより、サイドビュー型半導体発光装置の光出射方向を精度よく基板面に平行に向けて、実装することができる。

なお、上述の製造工程では、分割による個片化工程を最終工程で行ったが、ＬＥＤ素子２のボンディング工程の前に行うことも可能である。

また、上記製造工程の説明では、４個のサイドビュー型半導体発光装置を製造する大きさの大判の基板１、大判のリフレクタ基板３、および、大判のストッパ基板４を図３、図４（ａ），（ｂ）にそれぞれ示したが、本発明の製造工程の大判基板等の大きさは、この大きさに限定されるものではなく、多数のサイドビュー型半導体発光装置を一度に製造することのできる大判基板を用いることももちろん可能である。

本実施形態のサイドビュー型半導体発光装置によれば以下のような効果が得られる。本実施形態では、半田付けされる外部電極パターン７が形成される基板１を挟むように、リフレクタ基板３とストッパ基板４が配置されているため、半導体発光装置の重心と半田付け位置（外部電極パターン７）が近く、基板１が半田付け時に傾斜しにくい。

さらに、ストッパ基板４の突起部４１の底面を、リフレクタ基板３の底面と同一平面上に配置しているため、半田付け時のマンハッタン現象により基板１が傾斜するのを、突起部４１が実装基板１０の上面に接触することにより防止することができる。

特に、リフレクタ基板３とストッパ基板４が、同じ厚さおよび同じ材質の大判の基板に同じ大きさ及びピッチの開口３ａ，４ａを備える構成とすることにより、両者を同一形状に製造することができる。よって、リフレクタ基板３とストッパ基板４の製造コストを低減することができる。

また、本実施形態の製造工程では、分割線３ｂ，４ｂにおける切断面が、サイドビュー型半導体発光装置の底面（実装基板１０との接触面）となるが、リフレクタ基板３、基板１、ストッパ基板４を貼り合わせて集合体としてから切断するため、装置の底面が同一の平坦面となり、実装基板１０に搭載した際に安定であるという効果が得られる。また、集合体としてから切断するため、電極パターン５，７のバリが発生しにくいというメリットもある。

また、ストッパ基板４とリフレクタ基板３に挟まれた位置に外部電極パターン７が位置するため、実装基板１０の実装電極１０が、サイドビュー型半導体発光装置の底面よりも外側に張り出す領域を低減することができ、実装面積を低減できる。特に、実装電極１０の全体を、半導体発光装置の底面領域の内側に配置することも可能であり、これにより実装面積を半導体発光装置の大きさまで低減できる。

ストッパ基板４の梁部４２を基板１のボンディングエリアの裏面に配置したことにより、製造時のボンディング工程のダイボンディングフォースおよびワイヤボンディングを梁部４２が支持し、基板１の撓みを防止する。これにより、ボンディング不良の発生を防止することができ、製造歩留まりおよび製品の耐久性を向上させることができる。

なお、梁部４２は、カソードマークやロット番号を記載する領域として利用することも可能である。

保護素子やＩＣを内部電極パターン５上ではなく、外部電極パターン７上に配置することも可能である。

実施形態においてはリフレクタ基板を用いたが、光出射光となる開口部を有している光出射基板であればリフレクタ機能はなくても構わない。

本発明のＬＥＤパッケージおよび発光装置は、サイドビュー型ＬＥＤパッケージが使用される用途全般、例えば、導光板と組み合わせて、液晶表示装置等の光源や、一般照明光源として好適に用いることができる。

１…基板、２…ＬＥＤ素子，３…リフレクタ基板、３ａ…リフレクタ基板の開口、３ｂ…大判のリフレクタ基板の縦方向の分割線、３ｃ…大判のリフレクタ基板の横方向の分割線、４…ストッパ基板、４ａ…ストッパ基板の開口、４ｂ…大判のストッパ基板の縦方向の分割線、４ｃ…大判のストッパ基板の横方向の分割線、５…内部電極パターン、６…ボンディングワイヤ、７…外部電極パターン、８…封止樹脂、１０…実装基板、１１…実装電極、１２…半田、１３…ビア、４１…突起部、４２…梁部。

Claims (6)

1. 一方の面に外部電極を他方の面に内部電極を備えた電極基板と、光を出射する開口を備えた光出射基板と、前記電極基板を支持するためのストッパ基板とを有し、
   前記光出射基板と前記ストッパ基板は、前記電極基板を挟んで配置され、前記ストッパ基板は、前記電極基板の前記外部電極が備えられた面側に配置され、
   前記光出射基板の開口の内部には、前記内部電極上に発光素子が配置され、
   前記ストッパ基板は、前記外部電極の実装時の半田付け領域を露出する形状であって、前記電極基板を実装基板に対して前記外部電極側から支持するための突起部と、前記突起部と交差する梁部とを備え、
   前記ストッパ基板の前記梁部は、前記電極基板の前記発光素子が搭載される領域と少なくとも一部が重なるように、前記外部電極側の面に配置されていることを特徴とするサイドビュー型半導体発光装置。
2. 請求項１に記載のサイドビュー型半導体発光装置において、前記開口を横向きに配置した場合に、前記光出射基板の底面と、前記ストッパ基板の前記突起部の底面とは同一面上に位置することを特徴とするサイドビュー型半導体発光装置。
3. 請求項１または２のいずれか１項に記載のサイドビュー型半導体発光装置において、前記ストッパ基板の前記突起部は、複数であり、前記開口を横向きに配置した場合に、左右対称に配置されていることを特徴とするサイドビュー型半導体発光装置。
4. 請求項３に記載のサイドビュー型半導体発光装置において、前記ストッパ基板は、前記電極基板の左右両端に配置された一対の突起部と、前記一対の突起部を連結する梁部とにより構成されたＨ字形状であることを特徴とするサイドビュー型半導体発光装置。
5. 少なくとも外部電極を備えた電極基板の、前記外部電極側の面に前記電極基板を支持するためのストッパ基板を、前記電極基板の逆側の面に、光を出射する開口を有する光出射基板をそれぞれ貼り付ける第１工程と、
   前記開口の内部の、前記電極基板の前記外部電極が備えられた面の裏側に発光素子を配置する第２工程と、
   前記電極基板、前記ストッパ基板および前記光出射基板を所定の位置で切断する第３工程とを有し、
   前記ストッパ基板として、前記外部電極の実装時の半田付け領域を露出する形状であって、前記電極基板を実装基板に対して前記外部電極側から支持するための突起部と、前記突起部と交差する梁部とを有するものを用い、
   前記第２工程は、前記電極基板の前記ストッパ基板の前記梁部が配置されている領域と前記発光素子の少なくとも一部が重なるようにボンディングする工程であることを特徴とするサイドビュー型半導体発光装置の製造方法。
6. 請求項５に記載のサイドビュー型半導体発光装置の製造方法であって、前記第３工程で切断前の前記ストッパ基板と前記光出射基板は、いずれも同じ大きさの開口が同じピッチで形成された基板であり、前記第１工程では、前記開口の位置がずれるように前記ストッパ基板と前記光出射基板とを前記電極基板にそれぞれ貼り付け、前記第３工程で切断することにより、前記ストッパ基板の前記突起部と前記梁部とを形成することを特徴とするサイドビュー型半導体発光装置の製造方法。

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