JP5436353B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に搭載した発光素子（ＬＥＤ）から横方向に光を出射するＬＥＤパッケージおよびＬＥＤパッケージを実装した発光装置に関する。

基板に搭載した発光素子から横方向（基板に平行な方向）に光を出射する、いわゆるサイドビュー型のＬＥＤパッケージは、例えば特許文献１に記載されているように、基板上にＬＥＤチップを搭載し、ＬＥＤチップを透明樹脂で被覆し、透明樹脂の一側面を除いた側面と上面を反射層で包囲した構成である。ＬＥＤチップの発した光は、透明樹脂を通って反射層で反射され、反射層で包囲されていない一側面から出射される。特許文献１では、三色の発光色のＬＥＤチップを、基板主平面上に三角形または直線状に配置することにより、簡単な構成で、高さの低い多色式サイドビュー型ＬＥＤパッケージを実現できると開示している。

特開２００２−３４４０２５号公報

サイドビュー型ＬＥＤパッケージは、導光板と組み合わせ、液晶表示装置等の光源とするのが一般的な用途として知られている。この場合、サイドビュー型ＬＥＤパッケージの光を効率よく導光板の端面に入射させる必要があるが、サイドビュー型ＬＥＤパッケージは指向特性が上側に傾く傾向があり、導光板への入射効率向上の妨げになる。指向特性が上側に傾くのは、ＬＥＤチップは上方への出射光強度が大きいためである。

また、従来のサイドビュー型ＬＥＤパッケージは、高さの低減に限界がある。具体的には、ＬＥＤチップを搭載する基板の基材の厚みは、実用レベルで薄型化に適したガラスエポキシやエポキシ製の基材で数十μｍ程度、例えば５０μｍ程度である。基板の基材の両面には、電極としてそれぞれ銅箔（５〜２０μｍ程度）を貼り付ける。基材にスルーホールをあけ、銅メッキによりスルーホール内に銅を充填すると、銅箔の表面にも銅めっき層が２０μｍ程度形成される。さらに、銅めっき層の上にニッケルめっきや金（銀）めっきを行い、ワイヤボンディング性を高める。このため、片面の電極（銅箔とめっき層）厚みは、４０〜５０μｍ程度になる。基材の厚みを５０μｍとした場合、両面の電極を含めると、基板の厚みは、１３０μｍ以上になる。図６は、この基板４０１を用いて製造した従来のサイドビュー型ＬＥＤパッケージの図面である。上記の基板４０１上にＬＥＤチップ４０２を搭載し、ＬＥＤチップを挟むようにスペーサ４０３を配置する。スペーサ４０３を配置した領域以外の基板４０１上面を透明樹脂４０４で被覆し、ＬＥＤチップ４０２を埋め込んでいる。スペーサ４０３と透明樹脂４０４の上面は、光反射層４０５が配置されている。このような構成の場合、ＬＥＤチップの厚みを５０μｍとして、製品厚みの薄型化の限界は２００μｍ程度となる。

本発明の目的は、薄型で、指向特性が上側に偏らないサイドビュー型発光装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明のサイドビュー型発光装置は、基板と、基板の下面に搭載された発光素子と、発光素子に電気的に接続された内部電極と、基板の下面の少なくとも両脇領域に配置されたスペーサと、基板の下面のスペーサが配置されていない領域を封止する封止材とを有する。基板の下面、および、スペーサの発光素子と対向する面は、発光素子の光を反射する性質であり、封止材は、発光素子の光に対して透明である。封止材の下面、および、封止材の下面とスペーサの下面との境界は、発光素子の光を反射する光反射層で覆われている。スペーサの下面の光反射層が配置されていない領域には、外部電極層が配置されている。

例えば、封止材の下面は、スペーサの下面と同一面上に位置し、光反射層と外部電極層は、同一面上に並べて配置されている構成とする。

また例えば、封止材の下面は、スペーサの下面よりも下側に突出し、光反射層は、外部電極層よりに下に突出した位置にある構成とする。

本発明の別の態様の発光装置は、実装基板と、実装基板上に配置された一対の実装用電極と、実装用電極に実装されたサイドビュー型発光装置とを有し、サイドビュー型発光装置は、基板と、基板の下面に搭載された発光素子と、発光素子に電気的に接続された内部電極と、基板の下面の少なくとも両脇に配置されたスペーサと、基板の下面のスペーサが配置されていない領域を封止する封止材とを有する構成とする。基板の下面、および、スペーサの発光素子と対向する面は、発光素子の光を反射する性質であり、封止材は、発光素子の光に対して透明である。封止材の下面、および、封止材の下面とスペーサの下面との境界は、発光素子の光を反射する光反射層で覆われている。スペーサの下面の光反射層が配置されていない領域には、外部電極層が配置されている。

例えば、封止材の下面は、スペーサの下面よりも下側に突出し、光反射層は、外部電極層よりに下に突出した位置にあり、一対の実装用電極の間の空間に挿入されている構成とする。

本発明の発光装置は、基板を上側に配置し、基板の下面の少なくも両脇領域にスペーサを、中央領域には発光素子を搭載し、封止材で封止する。封止材の下面および、封止材の下面とスペーサの下面との境界は、光反射層で覆われ、外部電極層は光反射層で覆われていないスペーサ下面に配置する。このため、少なくとも従来の発光装置の基板下面に存在した外部電極層の厚さ分だけ薄型のサイドビュー型発光装置が得られる。また、封止材の下面を、スペーサの下面よりも下側に突出させた場合には、光反射層は、外部電極層より下に突出し、実装基板の実装用電極の間の空間に挿入することができるため、さらに薄型化することができる。また、基板の下面に発光素子を搭載することにより、出射光の指向性が上向きになるのを防止できる。

第１の実施形態のサイドビュー型ＬＥＤパッケージ１００の（ａ）上面図、（ｂ）正面図、（ｃ）側面図、（ｄ）下面図、（ｅ）斜視図。 図１（ａ）〜（ｅ）のサイドビュー型ＬＥＤパッケージ１００を実装基板上に実装した発光装置の正面図。 第２の実施形態のサイドビュー型ＬＥＤパッケージ２００の（ａ）上面図、（ｂ）正面図、（ｃ）側面図、（ｄ）下面図、（ｅ）斜視図。 図３（ａ）〜（ｅ）のサイドビュー型ＬＥＤパッケージ２００を実装基板上に実装した発光装置の正面図。 第３の実施形態のサイドビュー型ＬＥＤパッケージ３００の（ａ）上面図、（ｂ）正面図、（ｃ）側面図、（ｄ）下面図、（ｅ）斜視図。 従来のサイドビュー型ＬＥＤパッケージの断面図。

本発明の一実施の形態のＬＥＤパッケージおよび発光装置について図面を用いて説明する。なお、ＬＥＤパッケージは実装基板に実装される側を下側として説明する。

（第１の実施形態）
本発明では、ＬＥＤチップを搭載する基板がＬＥＤパッケージの上側に位置する構成とし、ＬＥＤパッケージの下面に位置する外部電極層と反射樹脂層を、同一平面上に並べて配置する。これにより、ＬＥＤパッケージ全体の厚さを低減するとともに、基板の反射特性を利用して半導体パッケージの指向特性を下向きにする。

以下、具体的に第１の実施形態のＬＥＤパッケージおよびそれを用いた発光装置の構成について説明する。図１（ａ）〜（ｅ）に、第１の実施形態のＬＥＤパッケージ１００の上面図、正面図、側面図、下面図および斜視図を示す。図２には、ＬＥＤパッケージ１００を実装基板に搭載した発光装置の正面図を示す。図１（ａ）〜（ｅ）のように、ＬＥＤパッケージ１００は、下面側に一対の内部電極２，３が形成された基板１と、内部電極３にダイボンディングされたＬＥＤチップ１０とを備えている。ＬＥＤチップ１０内の上面側電極は、ダイボンディングにより内部電極３に電気的に接続され、ＬＥＤチップ１０内の下面側電極は、ボンディングワイヤ９により内部電極２に電気的に接続されている。基板１の下面は、光反射性が高いことが好ましく、例えば、白色のガラスエポキシ基板を用いる。ＬＥＤチップ１０は、所望の発光波長のものを用いる。また、基板１にはＬＥＤチップ１０を複数搭載することも可能である。内部電極２、３は、ダイボンディングおよびワイヤボンディングに適した構造であるとともに、光反射性が高いことが好ましい。例えば内部電極２、３は、表面がAgメッキ層を備える構造とする。

基板１の下面の両脇領域には、スペーサ４，５が固定されている。スペーサ４，５は、ＬＥＤチップ１０に対向する面が反射面となるため、その材質は光反射性が高いことが好ましく、例えば白色のガラスエポキシ基板（エポキシ樹脂に白色のガラス不織布を織り込んだ基板）を用いる。スペーサ４、５には、それぞれ円柱を半分にした形状のスルーホール４ａ，５ａが形成されている。

スペーサ４，５で挟まれた空間は、ＬＥＤチップ１０の発する光に対して透明な樹脂１１によって充填され、ＬＥＤチップ１０を封止している。透明樹脂１１の下面は、スペーサ４，５の下面と一致している。すなわち、透明樹脂１１の下面とスペーサ４，５の下面は、同じ高さの平面を形成している。透明樹脂１１としては、例えばエポキシ樹脂、ハイブリッド樹脂、フェニル系シリコーン樹脂を用いる。

スペーサ４，５の下面、スルーホール４ａ，５ａの内壁、ならびにスルーホール４ａ，５ａから露出される基板１の下面は、外部電極層６、７によって覆われている。スルーホール４ａ，５ａから露出される基板１の下面を覆う外部電極層６、７は、内部電極２，３と接することにより電気的に接続されている。

透明樹脂１１の下面は、光反射層８で覆われている。光反射層８は、光漏れが無いように、透明樹脂１１の下面とスペーサ４，５下面との境界、ならびに、スペーサ４，５下面のうち透明樹脂１１に隣接する一部領域まで覆っている。外部電極層６，７は、スペーサ４，５の下面の光反射層８が配置されていない領域を覆っている。よって、光反射層８の端部は、外部電極層６，７の端部と突き合わされている。光反射層８の材質は、光反射性の高い材料、例えば、光反射性の粒子（酸化チタン粒子等）を分散させた樹脂を用いる。

光反射層８は、図示していないが、ＬＥＤパッケージ１００の背面側の透明樹脂１１の側面も覆っている。これにより、ＬＥＤパッケージ１００の透明樹脂１１は、上面、両側面がそれぞれ、基板１、スペーサ４により覆われ、下面および背面が光反射層８により覆われた構成となるため、ＬＥＤパッケージ１００の正面側の透明樹脂１１の側面が光を出射する開口となる。

また、図１では、一対のスペーサ４，５が基板の両脇領域に配置された構造であるが、本実施形態のスペーサの形状はこの構造に限られるものではなく、スペーサ４，５が基板１の少なくとも両脇領域に固定され、少なくとも一つの側面から光を出射する構造であればよい。例えば、スペーサが、ＬＥＤパッケージ１００の両脇のみならず背面にも配置されている形状であってもよい。具体的には、例えばスペーサ４、５を、上面から見て半円状の凹部を持つような一つの部材としてもかまわない。この場合、凹部の内部空間がスペーサ４，５に挟まれた空間に該当し、この内部空間にＬＥＤチップ１０が配置され、透明樹脂１１により充填される。半円状の凹部の直線部が開口となり、円弧状部が開口に対向する反射面（背面）となる。このような形状のスペーサを用いる場合、背面には光反射層８を設ける必要はない。透明樹脂１１の下面、および、スペーサの下面の凹部周辺部（透明樹脂１１とスペーサとの境界）も光反射層８で覆されていることが望ましい。スペーサ下面の光反射層８の端部は、スペーサの下面において、外部電極層６，７の端部と突き合わされている。

ＬＥＤパッケージ１００を実装基板２０に搭載した発光装置は、図２のような構造になる。実装基板２０上に予め設けられた一対の半田ランド３０、３１上に、ＬＥＤパッケージ１００の下面の電極６，７が位置合わせして搭載され、半田ランド３０、３１と電極６、７が半田層４０、４１によって接合されている。

このような構造の発光装置において、実装基板２０から電流を供給すると、電流は、半田ランド３０、３１および半田層４０、４１を介して、外部電極層６に供給され、外部電極層６、７から内部電極２、３およびボンディングワイヤ１０を介してＬＥＤチップ１０に供給される。これにより、ＬＥＤチップ１０が所定の波長の光を発する。ＬＥＤチップ１０から発せられた光は、透明樹脂１１を通過し、透明樹脂の上面、側面、下面および背面を覆っている基板１、スペーサ４、光反射層８で反射され、透明樹脂１１の正面の側面から出射される。このように、側面を出射開口とするサイドビュー型のＬＥＤパッケージ１００が提供される。

本実施形態のＬＥＤパッケージ１００は、基板１が上面側に、光反射層８が下面側に位置するようにしたことにより、光反射層８と外部電極層６，７を同一面（底面）上に並べて配置することができる。このため、従来例の図６のように基板の下面に外部電極層を配置し、上面全体を光反射層で覆う構造と比較し、外部電極層の厚さ分だけ、ＬＥＤパッケージ１００の厚さを低減することができ、薄型のＬＥＤパッケージ１００を提供することができる。

また、基板１を上面側に配置し、その下面にＬＥＤチップ１０を下向きに搭載したことにより、ＬＥＤチップ１０から下向きに出射される光量が多くなり、かつ、反射層８として白樹脂を使用した場合では反射されず透過してしまう一部の光も、実装基板２０により反射し利用することができる。実装基板２０の反射層８の直下に半田ランド３０と導通しないように金属層を設けるなど、反射層をさらに設けることも可能である。このように本実施形態では、ＬＥＤパッケージ１００の出射光の指向性が下向きになり、かつ、従来利用されなかった反射層８の透過光も利用可能になるため、導光板の端面から光を入射させる光源として用いた場合、入射効率を向上させることができる。

次に、ＬＥＤパッケージ１００の製造方法について説明する。なお、以下の製造工程ではＬＥＤパッケージは上下逆の状態で製造される。以下では、製造工程中での上下を用いて説明を行う。まず、基板１が縦横に複数連結された大きさの大判の基板を用意する。大判の基板は、最終工程で基板１の連結位置で切り出すことにより、複数のＬＥＤパッケージ１００に分割される。

大判基板を内部電極２，３となる銅メッキパターンが形成された面を上向きに配置し、スルーホール４ａ，５ａがあけられたスペーサ４，５となる基板をその上に重ね合わせる。このとき、スルーホール４ａ，５ａが大判基板上の複数の基板１の境界を跨ぐように重ね合わせる。スルーホール４ａ，５ａ内とスペーサ４，５上の一部に銅めっきを行う。

大判基板上のパターンまでドリル等でＬＥＤチップ１０搭載用の空間を設け、パターンを露出させる。ＬＥＤチップ搭載用の空間をドリル等によりほぼ円形の穴形状に形成する場合、最終工程で基板を切り出す際に、円形の穴の中央を分割の境界位置とする。これにより、半円状の空間を持つＬＥＤパッケージ１００を向かい合わせに並べて一度に製造可能な配置となる。大判基板のＬＥＤチップ搭載用の空間の周囲に残っている基板部分が、スペーサ４，５となる。ＬＥＤチップ搭載用の空間は、大判基板と重ねる前に予め設けてあってもよい。

スペーサ４，５の上面、スルーホール４ａ，５ａの内壁、スルーホール４ａ，５ａの底に露出された基板１、および、大判基板上のパターンの銅めっきに、さらにニッケル、銀メッキを成膜することにより、外部電極６，７および内部電極２，３を設ける。その後、内部電極２，３の上にＬＥＤチップ１０をダイボンディングし、ＬＥＤチップ１０の上部電極を内部電極２にワイヤボンディング９により接続する。

スペーサ４，５で挟まれた空間に未硬化の透明樹脂１１を充填し、硬化させ、スペーサ４と同じ高さの透明樹脂１１を形成する。透明樹脂の上に、さらに、光反射層８の樹脂材料を流し込んで硬化させ、所定の厚さの光反射層８を形成する。光反射層８の樹脂材料は、スペーサ４，５上の外部電極層６，７を覆ってしまわないように、金型を用いて透明樹脂１１の上面およびスペーサ４，５の上面の電極で覆われていない領域のみに流し込む。このとき金型は、複数のＬＥＤパッケージ１００の光反射層８を一度に設けることができるように大判基板の分割時の境界位置を越え、一列に樹脂が流れるような形状にすることが望ましい。

金型から大判基板を取り出し、大判基板を所定の境界位置で切り出し、個々の基板１に分割する。これにより、スペーサ４，５は、円柱状のスルーホール４ａ，５ａを半分にする位置で分割される。以上により、図１（ａ）〜（ｅ）のＬＥＤパッケージ１００が製造される。

以上のように、第１の実施形態では、基板１を上面側に配置したことにより、下面に電極６，７と光反射層８が並んで配置されて発光装置を簡単な構成で製造することができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態では、半田ランド３０，３１の間に生じる半田ランドの高さ分の空間を利用し、透明樹脂１１を下向きに凸の形状にすることにより、明るさ維持に必要な開口径を確保しながら、スペーサ４，５を薄くする。

図３（ａ）〜（ｅ）に、第２の実施形態のＬＥＤパッケージ２００の上面図、正面図、側面図、下面図および斜視図を示す。図４には、ＬＥＤパッケージ２００を実装基板に搭載した発光装置の正面図を示す。図１（ａ）〜（ｅ）のように、ＬＥＤパッケージ２００は、透明樹脂１１の底面がスペーサ４，５の底面よりも下側に突出している。これにより、スペーサ４，５の高さを、第１の実施形態のＬＥＤパッケージ１００よりも低減しても、ＬＥＤパッケージ２００の出射開口径、すなわち透明樹脂１１の側面積を維持することができる。

光反射層８は、突出した透明樹脂１１の底面を覆うように配置されているため、光反射層８の底面は、外部電極層６、７の底面よりも下側に突出している。実装基板２０に実装した際には、突出した光反射層８および透明樹脂１１は、図４のように一対の半田ランド３０，３１および一対の半田層４０，４１の間に生じるこれらの高さ分の空間内に挿入される。これにより、半田ランド３０，３１間の空間を有効に活用して、ＬＥＤパッケージ２００およびこれを搭載した発光装置の厚みを低減することができる。他の構成は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。

一般に、半田ランド３０，３１の厚みと半田層４０，４１の厚みは、合わせて１００μｍ以上であるため、透明樹脂１１および光反射層８を外部電極層６、７の上面よりも１００μｍ以上突出させることができる。すなわち、スペーサ４，５の厚さを１００μｍ程度低減した薄型のＬＥＤパッケージ２００およびこれを搭載した発光装置を提供することができる。なお、実装基板２０の半田ランド間の領域に凹部を形成することも可能であり、この場合、ＬＥＤパッケージの突出量は、半田ランドおよび半田層の厚みに制限されることなく設定することができるため、より薄型の発光装置を提供できる。

また、本実施形態では、基板１を上側に配置したことにより、下向きに凸形状のＬＥＤパッケージ２００でありながら、基板１の形状は平面のままである。このため、基板１を下向きに凸形状に加工する場合と比較して、基板１上に形成される内部電極２，３の信頼性を高めることができる。

また、第２の実施形態のＬＥＤパッケージ２００は、第１の実施形態と同様に基板１を上面側に配置し、その下面にＬＥＤチップ１０を下向きに搭載したことにより、ＬＥＤチップ１０から下向きに出射される光量が多くなり、かつ、反射層８として白樹脂を使用した場合では反射されず透過してしまう一部の光も実装基板２０により反射し利用することができる。実装基板２０の反射層８の直下に半田ランド３０と導通しないように金属層を設けるなど、反射層をさらに設けることも可能である。このように本実施形態では、ＬＥＤパッケージ１００の出射光の指向性が下向きになり、かつ、従来利用されなかった反射層８の透過光も利用可能になるため、導光板の端面から光を入射させる光源として用いた場合、入射効率を向上させることができる。

本発明のＬＥＤパッケージ２００は、基板１を上面側に配置した構造であるので、下向きに凸型の形状を容易に製造することができるという利点もある。以下、第２の実施形態のＬＥＤパッケージ２００の製造方法を説明する。なお、以下の製造工程ではＬＥＤパッケージは上下逆の状態で製造される。以下では、製造工程中での上下を用いて説明を行う。

基板１が縦横に複数連結された大判の基板を用意する。大判基板を内部電極２，３となる銅メッキパターンが形成された面を上向きに配置し、スルーホール４ａ，５ａがあけられたスペーサ４，５となる基板をその上に重ね合わせる。このとき、スルーホール４ａ，５ａが大判基板上の複数の基板１の境界を跨ぐように重ね合わせる。スルーホール４ａ，５ａ内とスペーサ４，５上の一部に銅めっきを行う。

大判基板上のパターンまでドリル等でＬＥＤチップ１０搭載用の空間を設け、パターンを露出させる。ＬＥＤチップ搭載用の空間をドリル等によりほぼ円形の穴形状に形成する場合、最終工程で基板を切り出す際に、円形の穴の中央を分割の境界位置とすることで、半円状の空間を持つＬＥＤパッケージ１００を向かい合わせに並べて一度に製造可能な配置となる。大判基板のＬＥＤチップ搭載用の空間の周囲に残っている基板部分が、スペーサ４，５となる。ＬＥＤチップ搭載用の空間は、大判基板と重ねる前に予め設けてあってもよい。

スペーサ４，５の上面、スルーホール４ａ，５ａの内壁、スルーホール４ａ，５ａの底に露出された基板１、および、大判基板上のパターンの銅めっきに、さらにニッケル、銀メッキを成膜することにより、外部電極６，７および内部電極２，３を設ける。その後、内部電極２，３の上にＬＥＤチップ１０をダイボンディングし、ＬＥＤチップ１０の上部電極を内部電極２にワイヤボンディング９により接続する。

スペーサ４，５で挟まれた空間に未硬化の透明樹脂１１を、スペーサ４，５の上面よりも所定の高さだけ盛り上がるように充填する。その後硬化させ、スペーサ４、５よりも突出した透明樹脂１１を形成する。その後、スルーホール４ａ，５ａと外部電極層６，７を覆い、透明樹脂１１を囲むような開口があけられたメタルマスクを配置し、光反射層８の樹脂材料を流し込んで硬化させ光反射層８を形成する。その後、大判基板を切り出し、個々の基板１に分割される。これにより、スペーサ４，５は円柱状のスルーホール４ａ，５ａを半分にする位置で分割される。以上により、第２の実施形態のＬＥＤパッケージ２００が製造される。

第１の実施形態のように金型を用いる製造方法では、分割前の大判基板上に複数の発光装置に渡って光反射層８がひと繋ぎとなるように形成される。このため、分割前の光反射層８は、樹脂の収縮により大判基板の反りの原因になる可能性がある。しかし、第２の実施形態のようにメタルマスクを用いた場合には、分割後のＬＥＤパッケージ毎に光反射層８を分離した状態で初めから形成することが可能となり、樹脂の収縮による反りを防ぐことができる。

なお、図３および図４では、透明樹脂１１の下面が滑らかな曲面形状に突出している例を示したが、本発明は、透明樹脂１１の下面形状は曲面形状に限定されるものではなく、矩形に突出した形状にすることも可能である。

（第３の実施形態）
第３の実施形態として、複数の光出射開口を備えたサイドビュー型ＬＥＤパッケージ３００を図５（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。

第３の実施形態のＬＥＤパッケージ３００は、図５（ａ）〜（ｅ）のように基板１がほぼ正方形であり、正面、左右の側面、および背面の四方向から光を出射する。すなわち、透明樹脂１１の４つの側面がそれぞれ光の出射開口となる。

スペーサは、図５（ｄ）に示したように、基板１の４つの角部に配置する。ここでは、円筒を１／４に分割した形状の４つのスペーサ４、４’、５、５’を基板１の４つの角部に配置している。

透明樹脂１１は、スペーサ４、４’、５、５’が配置されていない基板１の下面領域全面に充填される。また、透明樹脂１１の下面は、第２の実施形態と同様にスペーサ４、４’、５、５’の下面よりも下向きに突出している。光反射層８は、突出した透明樹脂１１の底面を覆うように配置されている。

本実施形態のＬＥＤパッケージ３００は、透明樹脂１１および光反射層８を下向きに突出させた形状であるため、第２の実施形態と同様にスペーサ４、４’、５、５’を半田ランドの間の空間に挿入することができ、薄型の発光装置を提供することができる。

なお、第３の実施形態のＬＥＤパッケージ３００は、出射開口を四方向に備える構成であったが、４つの出射開口のいくつか、または、出射開口の一部分を光反射層で覆い、出射開口の数や大きさを制限する構成とすることも可能である。また、出射口は４つに限らず、例えば対向する位置に配置された２つであっても構わない。

また、第３の実施形態のＬＥＤパッケージ３００を透明樹脂１１および光反射層８を下向きに突出させない第１の実施形態の構造にすることももちろん可能である。

本発明のＬＥＤパッケージおよび発光装置は、サイドビュー型ＬＥＤパッケージが使用される用途全般、例えば、導光板と組み合わせて、液晶表示装置等の光源や、一般照明光源として好適に用いることができる。

１…基板、２，３…内部電極、４，４’、５，５’…スペーサ、４ａ，５ａ…スルーホール、６，７…外部電極層、８…光反射層、９…ボンディングワイヤ、１０…ＬＥＤチップ、１１…透明樹脂、２０…実装基板、３０、３１…半田ランド、４０，４１…半田層、１００、２００、３００…ＬＥＤパッケージ

Claims (5)

1. 基板と、該基板の下面に搭載された発光素子と、前記発光素子に電気的に接続された内部電極と、前記基板の下面の少なくとも両脇領域に配置されたスペーサと、前記基板の下面の前記スペーサが配置されていない領域を封止する封止材とを有し、
   前記基板の下面、および、前記スペーサの前記発光素子と対向する面は、前記発光素子の光を反射する性質であり、前記封止材は、前記発光素子の光に対して透明であり、
   前記封止材の下面、および、前記封止材の下面と前記スペーサの下面との境界は、前記発光素子の光を反射する光反射層で覆われ、
   前記スペーサの下面の前記光反射層が配置されていない領域には、外部電極層が配置されていることを特徴とするサイドビュー型発光装置。
2. 請求項１に記載のサイドビュー型発光装置において、前記封止材の下面は、前記スペーサの下面と同一面上に位置し、前記光反射層と前記外部電極層は、前記同一面上に並べて配置されていることを特徴とするサイドビュー型発光装置。
3. 請求項１に記載のサイドビュー型発光装置において、前記封止材の下面は、前記スペーサの下面よりも下側に突出し、前記光反射層は、前記外部電極層より下に突出した位置にあることを特徴とするサイドビュー型発光装置。
4. 実装基板と、前記実装基板上に配置された一対の実装用電極と、前記実装用電極に実装されたサイドビュー型発光装置とを有し、
   前記サイドビュー型発光装置は、基板と、該基板の下面に搭載された発光素子と、前記発光素子に電気的に接続された内部電極と、前記基板の下面の少なくとも両脇に配置されたスペーサと、前記基板の下面の前記スペーサが配置されていない領域を封止する封止材とを有し、
   前記基板の下面、および、前記スペーサの前記発光素子と対向する面は、前記発光素子の光を反射する性質であり、前記封止材は、前記発光素子の光に対して透明であり、
   前記封止材の下面、および、前記封止材の下面と前記スペーサの下面との境界は、前記発光素子の光を反射する光反射層で覆われ、
   前記スペーサの下面の前記光反射層が配置されていない領域には、外部電極層が配置されていることを特徴とする発光装置。
5. 請求項４に記載の発光装置において、前記封止材の下面は、前記スペーサの下面よりも下側に突出し、前記光反射層は、前記外部電極層よりに下に突出した位置にあり、一対の前記実装用電極の間の空間に挿入されていることを特徴とする発光装置。

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