JP2003218401A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法Info
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体発光素子を小型化することなくさらに
薄型とした半導体発光装置およびその製造方法の提供。 【解決手段】 保持基板８に半導体発光素子４を挿入す
る座繰り穴５ａを形成し、それぞれサブマウント素子３
上に半導体発光素子４を搭載した複数の複合発光素子１
をそれぞれの半導体発光素子４が座繰り穴５ａ内に配置
されるように保持基板８へ実装し、座繰り穴５ａへ透明
樹脂６を充填して硬化させた後、保持基板８の複数の複
合発光素子１間をダイシングし、このダイシング面を主
光取り出し面とする。このような半導体発光装置では、
半導体発光素子のサブマウント素子３上の搭載面すなわ
ち半導体発光素子４の主発光面に対して垂直方向が主光
取り出し面となるため、半導体発光素子４の主発光面の
サイズに制限されない薄型の半導体発光装置が得られ
る。
薄型とした半導体発光装置およびその製造方法の提供。 【解決手段】 保持基板８に半導体発光素子４を挿入す
る座繰り穴５ａを形成し、それぞれサブマウント素子３
上に半導体発光素子４を搭載した複数の複合発光素子１
をそれぞれの半導体発光素子４が座繰り穴５ａ内に配置
されるように保持基板８へ実装し、座繰り穴５ａへ透明
樹脂６を充填して硬化させた後、保持基板８の複数の複
合発光素子１間をダイシングし、このダイシング面を主
光取り出し面とする。このような半導体発光装置では、
半導体発光素子のサブマウント素子３上の搭載面すなわ
ち半導体発光素子４の主発光面に対して垂直方向が主光
取り出し面となるため、半導体発光素子４の主発光面の
サイズに制限されない薄型の半導体発光装置が得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子を
用いた半導体発光装置に係り、より詳しくは、実装面に
対して垂直方向を主光取り出し面とした半導体発光装置
およびその製造方法に関する。
用いた半導体発光装置に係り、より詳しくは、実装面に
対して垂直方向を主光取り出し面とした半導体発光装置
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子（ＬＥＤ）を用いた半導
体発光装置は、動作電圧が低く、かつ応答速度が速く、
しかも動作寿命が長いなどの利点があるため、各種表示
装置の光源として使用されている。特に、近年では、電
気機器の小型化の要求に応じるため、表面実装用の半導
体発光装置が使用されている。
体発光装置は、動作電圧が低く、かつ応答速度が速く、
しかも動作寿命が長いなどの利点があるため、各種表示
装置の光源として使用されている。特に、近年では、電
気機器の小型化の要求に応じるため、表面実装用の半導
体発光装置が使用されている。
【０００３】図５は従来の半導体発光装置を示す図であ
って、（ａ）は平面図、（ｂ）は正断面図、（ｃ）は側
断面図である。
って、（ａ）は平面図、（ｂ）は正断面図、（ｃ）は側
断面図である。
【０００４】図５に示すように、従来の半導体発光装置
は、白色樹脂を用いてリードフレーム２１，２２をイン
サート成形したパッケージ２３内に半導体発光素子２４
を配置し、その一方の電極を一方のリードフレーム２２
上にＡｇペースト等でダイスボンドし、もう一方の電極
を他方のリードフレーム２１にＡｕワイヤー２５を介し
て電気的接続した上で、パッケージ２３内にエポキシ樹
脂またはシリコン樹脂を充填して成型したものである。
は、白色樹脂を用いてリードフレーム２１，２２をイン
サート成形したパッケージ２３内に半導体発光素子２４
を配置し、その一方の電極を一方のリードフレーム２２
上にＡｇペースト等でダイスボンドし、もう一方の電極
を他方のリードフレーム２１にＡｕワイヤー２５を介し
て電気的接続した上で、パッケージ２３内にエポキシ樹
脂またはシリコン樹脂を充填して成型したものである。
【０００５】図５に示す半導体発光装置はサイドビュー
型半導体発光装置と呼ばれ、２つのリードフレーム２
１，２２の実装面２６に対して垂直方向が主光取り出し
面となる。このような半導体発光装置は、主に携帯電話
機の液晶パネルディスプレイのバックライト用光源に使
われているが、液晶パネルディスプレイの薄型化に伴い
０．７ｍｍ以下の高さのサイドビュー型半導体発光装置
が望まれている。
型半導体発光装置と呼ばれ、２つのリードフレーム２
１，２２の実装面２６に対して垂直方向が主光取り出し
面となる。このような半導体発光装置は、主に携帯電話
機の液晶パネルディスプレイのバックライト用光源に使
われているが、液晶パネルディスプレイの薄型化に伴い
０．７ｍｍ以下の高さのサイドビュー型半導体発光装置
が望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５に示す構造の場
合、半導体発光素子２４の主発光面のサイズがパッケー
ジ２３の高さを制限する。現行の半導体発光素子２４の
サイズは、０．３２ｍｍ×０．３２ｍｍであるため、パ
ッケージ２３の高さを０．７ｍｍ以下とするのは困難で
ある。したがって、０．７ｍｍ以下の高さのサイドビュ
ー型半導体発光装置を実現するためには半導体発光素子
２４を小型化しなければならないが、半導体発光素子２
４を小型化すると発光輝度が減少してしまうため、好ま
しくない。
合、半導体発光素子２４の主発光面のサイズがパッケー
ジ２３の高さを制限する。現行の半導体発光素子２４の
サイズは、０．３２ｍｍ×０．３２ｍｍであるため、パ
ッケージ２３の高さを０．７ｍｍ以下とするのは困難で
ある。したがって、０．７ｍｍ以下の高さのサイドビュ
ー型半導体発光装置を実現するためには半導体発光素子
２４を小型化しなければならないが、半導体発光素子２
４を小型化すると発光輝度が減少してしまうため、好ま
しくない。
【０００７】そこで、本発明においては、半導体発光素
子を小型化することなくさらに薄型とした半導体発光装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
子を小型化することなくさらに薄型とした半導体発光装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、保持基板に半
導体発光素子を挿入する穴を形成し、それぞれサブマウ
ント素子上に半導体発光素子を搭載した複数の複合発光
素子をそれぞれの半導体発光素子が前記穴内に配置され
るように保持基板へ実装し、前記穴へ透明樹脂または蛍
光体などの粉体を含有する樹脂を充填して硬化させた
後、保持基板の複数の複合発光素子間をダイシングし、
このダイシング面を主光取り出し面とする半導体発光装
置の製造方法である。これにより得られる半導体発光装
置は、半導体発光素子のサブマウント素子上の搭載面に
対して垂直方向の樹脂の面が露出し、この露出面が主光
取り出し面となるため、半導体発光素子の主発光面のサ
イズに半導体発光装置の高さが制限されず、半導体発光
素子を小型化することなくさらに薄型のものとなる。
導体発光素子を挿入する穴を形成し、それぞれサブマウ
ント素子上に半導体発光素子を搭載した複数の複合発光
素子をそれぞれの半導体発光素子が前記穴内に配置され
るように保持基板へ実装し、前記穴へ透明樹脂または蛍
光体などの粉体を含有する樹脂を充填して硬化させた
後、保持基板の複数の複合発光素子間をダイシングし、
このダイシング面を主光取り出し面とする半導体発光装
置の製造方法である。これにより得られる半導体発光装
置は、半導体発光素子のサブマウント素子上の搭載面に
対して垂直方向の樹脂の面が露出し、この露出面が主光
取り出し面となるため、半導体発光素子の主発光面のサ
イズに半導体発光装置の高さが制限されず、半導体発光
素子を小型化することなくさらに薄型のものとなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、サブマ
ウント素子上に半導体発光素子が搭載された複合発光素
子と、前記半導体発光素子が挿入される穴が形成された
保持基板とを備え、前記穴内に透明樹脂または蛍光体な
どの粉体を含有する樹脂が充填された半導体発光装置で
あって、前記樹脂は、前記半導体発光素子の前記サブマ
ウント素子上の搭載面に対して垂直方向の面が露出し、
この露出面が主光取り出し面である半導体発光装置であ
り、半導体発光素子のサブマウント素子上の搭載面すな
わち半導体発光素子の主発光面に対して垂直方向が主光
取り出し面となるため、半導体発光素子の主発光面のサ
イズに制限されない薄型の半導体発光装置が得られる。
ウント素子上に半導体発光素子が搭載された複合発光素
子と、前記半導体発光素子が挿入される穴が形成された
保持基板とを備え、前記穴内に透明樹脂または蛍光体な
どの粉体を含有する樹脂が充填された半導体発光装置で
あって、前記樹脂は、前記半導体発光素子の前記サブマ
ウント素子上の搭載面に対して垂直方向の面が露出し、
この露出面が主光取り出し面である半導体発光装置であ
り、半導体発光素子のサブマウント素子上の搭載面すな
わち半導体発光素子の主発光面に対して垂直方向が主光
取り出し面となるため、半導体発光素子の主発光面のサ
イズに制限されない薄型の半導体発光装置が得られる。
【００１０】請求項２に記載の発明は、前記穴の内壁面
は、前記半導体発光素子の発光を前記主光取り出し面側
に反射する傾斜面であり、かつ、Ａｇなどの反射率のよ
い金属によりめっきしたものであることを特徴とする請
求項１記載の半導体発光装置であり、半導体発光素子の
主発光面からの発光を効率よく主光取り出し面側に曲げ
て輝度の減少をなくすことができる。
は、前記半導体発光素子の発光を前記主光取り出し面側
に反射する傾斜面であり、かつ、Ａｇなどの反射率のよ
い金属によりめっきしたものであることを特徴とする請
求項１記載の半導体発光装置であり、半導体発光素子の
主発光面からの発光を効率よく主光取り出し面側に曲げ
て輝度の減少をなくすことができる。
【００１１】請求項３に記載の発明は、保持基板に半導
体発光素子を挿入する穴を形成し、それぞれサブマウン
ト素子上に半導体発光素子を搭載した複数の複合発光素
子をそれぞれの半導体発光素子が前記穴内に配置される
ように前記保持基板へ実装し、前記穴へ透明樹脂または
蛍光体などの粉体を含有する樹脂を充填して硬化させた
後、前記保持基板の複数の複合発光素子間をダイシング
し、このダイシング面を主光取り出し面とする半導体発
光装置の製造方法であり、半導体発光素子のサブマウン
ト素子上の搭載面すなわち半導体発光素子の主発光面に
対して垂直方向がダイシングされ、このダイシング面が
主光取り出し面となるため、半導体発光素子の主発光面
のサイズに制限されない薄型の半導体発光装置が得られ
る。
体発光素子を挿入する穴を形成し、それぞれサブマウン
ト素子上に半導体発光素子を搭載した複数の複合発光素
子をそれぞれの半導体発光素子が前記穴内に配置される
ように前記保持基板へ実装し、前記穴へ透明樹脂または
蛍光体などの粉体を含有する樹脂を充填して硬化させた
後、前記保持基板の複数の複合発光素子間をダイシング
し、このダイシング面を主光取り出し面とする半導体発
光装置の製造方法であり、半導体発光素子のサブマウン
ト素子上の搭載面すなわち半導体発光素子の主発光面に
対して垂直方向がダイシングされ、このダイシング面が
主光取り出し面となるため、半導体発光素子の主発光面
のサイズに制限されない薄型の半導体発光装置が得られ
る。
【００１２】請求項４に記載の発明は、前記サブマウン
ト素子の電極と前記保持基板の電極との接合は、バンプ
をスペーサとして導電性ペーストで固定することにより
行うことを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置の
製造方法であり、バンプをスペーサとすることで、サブ
マウント素子の電極と保持基板の電極との間の導電性ペ
ーストが一定範囲以上に広がらずに、穴の両側に位置す
る正負電極のショートを確実に防ぐことができる。
ト素子の電極と前記保持基板の電極との接合は、バンプ
をスペーサとして導電性ペーストで固定することにより
行うことを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置の
製造方法であり、バンプをスペーサとすることで、サブ
マウント素子の電極と保持基板の電極との間の導電性ペ
ーストが一定範囲以上に広がらずに、穴の両側に位置す
る正負電極のショートを確実に防ぐことができる。
【００１３】請求項５に記載の発明は、前記樹脂の充填
後、前記サブマウント素子の露出面を研削する工程を含
む請求項３または４に記載の半導体発光装置の製造方法
であり、半導体発光装置の実装高さを制限するサブマウ
ント素子を研削することで、さらに薄型の半導体発光装
置を得ることができる。
後、前記サブマウント素子の露出面を研削する工程を含
む請求項３または４に記載の半導体発光装置の製造方法
であり、半導体発光装置の実装高さを制限するサブマウ
ント素子を研削することで、さらに薄型の半導体発光装
置を得ることができる。
【００１４】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１５】（実施の形態１）図１は本発明の第１実施
形態におけるサイドビュー型半導体発光装置を示す図で
あって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側
断面図である。
形態におけるサイドビュー型半導体発光装置を示す図で
あって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側
断面図である。
【００１６】図１に示すように、本発明の第１実施形態
における半導体発光装置は、主に、サブマウント素子３
上に半導体発光素子４がフリップチップ実装された複合
発光素子１と、この複合発光素子１を保持する保持基板
２とにより構成される。保持基板２には、複合発光素子
１の搭載面２ａと主光取り出し面２ｂとを開口した穴５
が形成されており、この穴５には複合発光素子１の半導
体発光素子４が挿入されるとともに、エポキシ樹脂やシ
リコン樹脂等の透明樹脂６が充填される。
における半導体発光装置は、主に、サブマウント素子３
上に半導体発光素子４がフリップチップ実装された複合
発光素子１と、この複合発光素子１を保持する保持基板
２とにより構成される。保持基板２には、複合発光素子
１の搭載面２ａと主光取り出し面２ｂとを開口した穴５
が形成されており、この穴５には複合発光素子１の半導
体発光素子４が挿入されるとともに、エポキシ樹脂やシ
リコン樹脂等の透明樹脂６が充填される。
【００１７】また、保持基板２は、複合発光素子１のサ
ブマウント素子３の電極３ａ，３ｂと電気的接続される
リード電極７ａ，７ｂを備える。リード電極７ａ，７ｂ
は、保持基板２の側面を経由して、複合発光素子１の搭
載面２ａと反対側の面の端面まで形成されている。ま
た、穴５の内壁面には、リード電極７ａ，７ｂと分離し
てＡｇめっき５ｂが形成されている。
ブマウント素子３の電極３ａ，３ｂと電気的接続される
リード電極７ａ，７ｂを備える。リード電極７ａ，７ｂ
は、保持基板２の側面を経由して、複合発光素子１の搭
載面２ａと反対側の面の端面まで形成されている。ま
た、穴５の内壁面には、リード電極７ａ，７ｂと分離し
てＡｇめっき５ｂが形成されている。
【００１８】図２は図１の半導体発光装置の製造工程を
示す図である。
示す図である。
【００１９】まず、図２（ａ）に示すように、サブマウ
ント素子３上に半導体発光素子４を搭載した複合発光素
子１を製造し、同図（ｂ）に示すように、この複合発光
素子１の半導体発光素子４を挿入する座繰り穴５ａが形
成された保持基板８上へ実装する。保持基板８の両端部
には保持基板８の上下面を接続する電極９ａ，９ｂが形
成されており、座繰り穴５ａの内面全体にはＡｇめっき
５ｂが形成されている。このような保持基板８に対し、
２個の複合発光素子１をそれぞれの半導体発光素子４が
座繰り穴５ａ内に配置されるように対称に実装する。
ント素子３上に半導体発光素子４を搭載した複合発光素
子１を製造し、同図（ｂ）に示すように、この複合発光
素子１の半導体発光素子４を挿入する座繰り穴５ａが形
成された保持基板８上へ実装する。保持基板８の両端部
には保持基板８の上下面を接続する電極９ａ，９ｂが形
成されており、座繰り穴５ａの内面全体にはＡｇめっき
５ｂが形成されている。このような保持基板８に対し、
２個の複合発光素子１をそれぞれの半導体発光素子４が
座繰り穴５ａ内に配置されるように対称に実装する。
【００２０】このとき、サブマウント素子３の電極３
ａ，３ｂと保持基板８の電極９ａ，９ｂとの接合は、バ
ンプ３ｃ，３ｄをスペーサとして導電性ペーストとして
のＡｇペースト１０（図３参照）で固定することにより
行う。例えば、バンプ３ｃ，３ｄをサブマウント素子３
の電極３ａ，３ｂ上の端の部分に形成する。そして、保
持基板８の電極９ａ，９ｂ上の接合時にバンプ３ｃ，３
ｄが位置する部分に、Ａｇペースト１０をポッディング
しておき、実装時に複合発光素子１に一定の荷重を加え
てバンプ３ｃ，３ｄの高さを１０〜１８μｍ程度まで押
しつぶす。その後、Ａｇペースト１０を硬化させるよう
にする。なお、バンプ３ｃ，３ｄは、Ａｇペースト１０
が電極３ａ，３ｂと電極９ａ，９ｂとの間に一定量存在
できるための空間を確保する役割を果たすものであり、
他の方法、例えばＡｇペースト１０の表面張力によりこ
の空間が確保できれば必要ない。
ａ，３ｂと保持基板８の電極９ａ，９ｂとの接合は、バ
ンプ３ｃ，３ｄをスペーサとして導電性ペーストとして
のＡｇペースト１０（図３参照）で固定することにより
行う。例えば、バンプ３ｃ，３ｄをサブマウント素子３
の電極３ａ，３ｂ上の端の部分に形成する。そして、保
持基板８の電極９ａ，９ｂ上の接合時にバンプ３ｃ，３
ｄが位置する部分に、Ａｇペースト１０をポッディング
しておき、実装時に複合発光素子１に一定の荷重を加え
てバンプ３ｃ，３ｄの高さを１０〜１８μｍ程度まで押
しつぶす。その後、Ａｇペースト１０を硬化させるよう
にする。なお、バンプ３ｃ，３ｄは、Ａｇペースト１０
が電極３ａ，３ｂと電極９ａ，９ｂとの間に一定量存在
できるための空間を確保する役割を果たすものであり、
他の方法、例えばＡｇペースト１０の表面張力によりこ
の空間が確保できれば必要ない。
【００２１】次に、図２（ｃ）に示すように、複合発光
素子１を実装した保持基板８の座繰り穴５ａ内へ透明樹
脂６を充填して硬化させた後、同図（ｄ）に示すよう
に、サブマウント素子３の露出面を研削する。そして、
同図（ｅ）に示すように、座繰り穴５ａの中心および隣
接する座繰り穴５ａ間の中心で保持基板８の２個の複合
発光素子１間をダイシングする。このダイシング処理に
よって、座繰り穴５ａはダイシング面に透明樹脂６が露
出した穴５となり、電極９ａ，９ｂはリード電極７ａ，
７ｂとなる。最後に、同図（ｆ）に示すように、バリ取
りおよび検査その他を行う。
素子１を実装した保持基板８の座繰り穴５ａ内へ透明樹
脂６を充填して硬化させた後、同図（ｄ）に示すよう
に、サブマウント素子３の露出面を研削する。そして、
同図（ｅ）に示すように、座繰り穴５ａの中心および隣
接する座繰り穴５ａ間の中心で保持基板８の２個の複合
発光素子１間をダイシングする。このダイシング処理に
よって、座繰り穴５ａはダイシング面に透明樹脂６が露
出した穴５となり、電極９ａ，９ｂはリード電極７ａ，
７ｂとなる。最後に、同図（ｆ）に示すように、バリ取
りおよび検査その他を行う。
【００２２】図３は保持基板２のリード電極７ａと複合
発光素子１の電極３ａとの接合部の詳細図である。図示
のように、製造された半導体発光装置では、バンプ３ｃ
をスペーサとして周りにＡｇペースト１０が充填され、
このＡｇペースト１０が硬化することによって保持基板
２のリード電極７ａと複合発光素子１の電極３ａとが固
定されている。また、Ａｇペースト１０が充填されてい
る部分以外の隙間には、透明樹脂６が充填されている。
発光素子１の電極３ａとの接合部の詳細図である。図示
のように、製造された半導体発光装置では、バンプ３ｃ
をスペーサとして周りにＡｇペースト１０が充填され、
このＡｇペースト１０が硬化することによって保持基板
２のリード電極７ａと複合発光素子１の電極３ａとが固
定されている。また、Ａｇペースト１０が充填されてい
る部分以外の隙間には、透明樹脂６が充填されている。
【００２３】このような半導体発光装置は、ダイシング
面に透明樹脂６が露出しており、穴５の内壁面は半導体
発光素子４の発光を主光取り出し面側に反射するように
傾斜した面となっており、この面にはＡｇめっきが施さ
れている。したがって、サブマウント素子３の半導体発
光素子４からの発光が穴５の内壁面に形成されたＡｇめ
っきにより反射され、図１（ｃ）に示す主光取り出し方
向から取り出される。また、本実施形態における半導体
発光装置では、座繰り穴５ａの内壁面全体をＡｇめっき
で覆っているので、半導体発光素子の主発光面から出た
光を主光取り出し方向に効率よく反射するため、輝度の
低下も起こらない。
面に透明樹脂６が露出しており、穴５の内壁面は半導体
発光素子４の発光を主光取り出し面側に反射するように
傾斜した面となっており、この面にはＡｇめっきが施さ
れている。したがって、サブマウント素子３の半導体発
光素子４からの発光が穴５の内壁面に形成されたＡｇめ
っきにより反射され、図１（ｃ）に示す主光取り出し方
向から取り出される。また、本実施形態における半導体
発光装置では、座繰り穴５ａの内壁面全体をＡｇめっき
で覆っているので、半導体発光素子の主発光面から出た
光を主光取り出し方向に効率よく反射するため、輝度の
低下も起こらない。
【００２４】このように、本実施形態における半導体発
光装置は、半導体発光素子４のサブマウント素子３上の
搭載面すなわち半導体発光素子４の主発光面に対して垂
直方向が主光取り出し面となるため、半導体発光素子４
の主発光面のサイズに制限されず、半導体発光素子４の
厚みに制限される。半導体発光素子４の厚みが０．１ｍ
ｍ程度であり、白色の半導体発光装置の場合、蛍光体ペ
ーストを塗布しても０．１３ｍｍ程度である。したがっ
て、本実施形態における半導体発光装置では、０．７ｍ
ｍ以下の厚みを容易に実現することが可能となる。
光装置は、半導体発光素子４のサブマウント素子３上の
搭載面すなわち半導体発光素子４の主発光面に対して垂
直方向が主光取り出し面となるため、半導体発光素子４
の主発光面のサイズに制限されず、半導体発光素子４の
厚みに制限される。半導体発光素子４の厚みが０．１ｍ
ｍ程度であり、白色の半導体発光装置の場合、蛍光体ペ
ーストを塗布しても０．１３ｍｍ程度である。したがっ
て、本実施形態における半導体発光装置では、０．７ｍ
ｍ以下の厚みを容易に実現することが可能となる。
【００２５】また、本実施形態における半導体発光装置
では、透明樹脂６の充填後、サブマウント素子３の露出
面を５０〜１００μｍ程度研削して、０．６５〜０．６
ｍｍ以下のさらに薄型の半導体発光装置を実現してい
る。
では、透明樹脂６の充填後、サブマウント素子３の露出
面を５０〜１００μｍ程度研削して、０．６５〜０．６
ｍｍ以下のさらに薄型の半導体発光装置を実現してい
る。
【００２６】なお、本実施形態においては、穴５に透明
樹脂６を充填した構成について説明したが、その他の蛍
光体などの粉体を含有する樹脂を充填する構成でもよ
い。また、穴５の内壁面に施すめっきはＡｇ以外の反射
率の良い金属とすることもできる。
樹脂６を充填した構成について説明したが、その他の蛍
光体などの粉体を含有する樹脂を充填する構成でもよ
い。また、穴５の内壁面に施すめっきはＡｇ以外の反射
率の良い金属とすることもできる。
【００２７】（実施の形態２）図４は本発明の第２実施
形態におけるサイドビュー型半導体発光装置を示す図で
あって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側
断面図である。
形態におけるサイドビュー型半導体発光装置を示す図で
あって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側
断面図である。
【００２８】図４に示す半導体発光装置は、図１に示す
半導体発光素子４に逆極性にツェナーダイオード１１を
接続したものである。図４に示す半導体発光装置では、
ツェナーダイオード１１を実装するための穴１４を備
え、この穴１４にツェナーダイオード１１がダイスボン
ドされている。また、ツェナーダイオード１１は、Ａｕ
ワイヤー１２，１３によって半導体発光素子４と逆極性
になるように接続されている。このような構成により、
半導体発光素子４を静電気などのサージ電圧から保護す
ることが可能となる。
半導体発光素子４に逆極性にツェナーダイオード１１を
接続したものである。図４に示す半導体発光装置では、
ツェナーダイオード１１を実装するための穴１４を備
え、この穴１４にツェナーダイオード１１がダイスボン
ドされている。また、ツェナーダイオード１１は、Ａｕ
ワイヤー１２，１３によって半導体発光素子４と逆極性
になるように接続されている。このような構成により、
半導体発光素子４を静電気などのサージ電圧から保護す
ることが可能となる。
【００２９】この半導体発光装置の製造工程では、二つ
のタイプの座繰り穴を交互に形成し、一つは図２（ｂ）
に示すように複数の複合発光素子１を保持基板８へ実装
し、もう一つはツェナーダイオード１１を実装する。そ
して、隣接する座繰り穴に実装された複合発光素子１と
ツェナーダイオード１１とをＡｕワイヤー１２，１３に
よって接続し、透明樹脂６を充填して硬化させた後、そ
れぞれの座繰り穴の中心で保持基板８をダイシングす
る。これにより、図４に示す半導体発光装置が得られ
る。
のタイプの座繰り穴を交互に形成し、一つは図２（ｂ）
に示すように複数の複合発光素子１を保持基板８へ実装
し、もう一つはツェナーダイオード１１を実装する。そ
して、隣接する座繰り穴に実装された複合発光素子１と
ツェナーダイオード１１とをＡｕワイヤー１２，１３に
よって接続し、透明樹脂６を充填して硬化させた後、そ
れぞれの座繰り穴の中心で保持基板８をダイシングす
る。これにより、図４に示す半導体発光装置が得られ
る。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、保持基板に半導体発光
素子を挿入する穴を形成し、それぞれサブマウント素子
上に半導体発光素子を搭載した複数の複合発光素子をそ
れぞれの半導体発光素子が前記穴内に配置されるように
保持基板へ実装し、前記穴へ樹脂を充填して硬化させた
後、保持基板の複数の複合発光素子間をダイシングし、
このダイシング面を主光取り出し面とすることで、半導
体発光素子のサブマウント素子上の搭載面に対して垂直
方向の面に樹脂が露出し、この露出面が主光取り出し面
である半導体発光装置が得られる。このような半導体発
光装置では、半導体発光素子のサブマウント素子上の搭
載面すなわち半導体発光素子の主発光面に対して垂直方
向が主光取り出し面となるため、半導体発光素子の主発
光面のサイズに制限されない薄型の半導体発光装置とな
る。
素子を挿入する穴を形成し、それぞれサブマウント素子
上に半導体発光素子を搭載した複数の複合発光素子をそ
れぞれの半導体発光素子が前記穴内に配置されるように
保持基板へ実装し、前記穴へ樹脂を充填して硬化させた
後、保持基板の複数の複合発光素子間をダイシングし、
このダイシング面を主光取り出し面とすることで、半導
体発光素子のサブマウント素子上の搭載面に対して垂直
方向の面に樹脂が露出し、この露出面が主光取り出し面
である半導体発光装置が得られる。このような半導体発
光装置では、半導体発光素子のサブマウント素子上の搭
載面すなわち半導体発光素子の主発光面に対して垂直方
向が主光取り出し面となるため、半導体発光素子の主発
光面のサイズに制限されない薄型の半導体発光装置とな
る。
【図１】本発明の第１実施形態におけるサイドビュー型
半導体発光装置を示す図であって、（ａ）は平面図 （ｂ）は正面図 （ｃ）は側断面図
半導体発光装置を示す図であって、（ａ）は平面図 （ｂ）は正面図 （ｃ）は側断面図
【図２】図１の半導体発光装置の製造工程を示す図
【図３】保持基板の電極と複合発光素子の電極との接合
部の詳細図
部の詳細図
【図４】本発明の第２実施形態におけるサイドビュー型
半導体発光装置を示す図であって、（ａ）は平面図 （ｂ）は正面図 （ｃ）は側断面図
半導体発光装置を示す図であって、（ａ）は平面図 （ｂ）は正面図 （ｃ）は側断面図
【図５】従来の半導体発光装置を示す図であって、
（ａ）は平面図 （ｂ）は正面図 （ｃ）は側断面図
（ａ）は平面図 （ｂ）は正面図 （ｃ）は側断面図
１ 複合発光素子
２，８ 保持基板
２ａ 搭載面
２ｂ 主光取り出し面
３ サブマウント素子
３ａ，３ｂ 電極
３ｃ，３ｄ バンプ
４ 半導体発光素子
５，１４ 穴
５ａ 座繰り穴
５ｂ Ａｇめっき
６ 透明樹脂
７ａ，７ｂ リード電極
９ａ，９ｂ 電極
１０ Ａｇペースト
１１ ツェナーダイオード
１２，１３ Ａｕワイヤー
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4M109 AA01 CA02 GA01
5F041 AA23 AA47 DA02 DA20 DA35
DA36 DA43 DC12 DC24 DC46
DC56 FF11
Claims (5)
- 【請求項１】 サブマウント素子上に半導体発光素子が
搭載された複合発光素子と、前記半導体発光素子が挿入
される穴が形成された保持基板とを備え、前記穴内に透
明樹脂または蛍光体などの粉体を含有する樹脂が充填さ
れた半導体発光装置であって、前記樹脂は、前記半導体
発光素子の前記サブマウント素子上の搭載面に対して垂
直方向の面が露出し、この露出面が主光取り出し面であ
る半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記穴の内壁面は、前記半導体発光素子
の発光を前記主光取り出し面側に反射する傾斜面であ
り、かつ、Ａｇなどの反射率のよい金属によりめっきし
たものであることを特徴とする請求項１記載の半導体発
光装置。 - 【請求項３】 保持基板に半導体発光素子を挿入する穴
を形成し、それぞれサブマウント素子上に半導体発光素
子を搭載した複数の複合発光素子をそれぞれの半導体発
光素子が前記穴内に配置されるように前記保持基板へ実
装し、前記穴へ透明樹脂または蛍光体などの粉体を含有
する樹脂を充填して硬化させた後、前記保持基板の複数
の複合発光素子間をダイシングし、このダイシング面を
主光取り出し面とする半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記サブマウント素子の電極と前記保持
基板の電極との接合は、バンプをスペーサとして導電性
ペーストで固定することにより行うことを特徴とする請
求項３記載の半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記樹脂の充填後、前記サブマウント素
子の露出面を研削する工程を含む請求項３または４に記
載の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002009718A JP2003218401A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002009718A JP2003218401A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218401A true JP2003218401A (ja) | 2003-07-31 |
Family
ID=27647654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002009718A Pending JP2003218401A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003218401A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005117148A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Rohm Co., Ltd. | 発光ダイオードランプ |
| JP2006080003A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置用反射板とその製造方法、及びこれを用いた照明装置とその製造方法 |
| US7190004B2 (en) | 2003-12-03 | 2007-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting device |
| US7202509B2 (en) | 2003-08-26 | 2007-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting apparatus |
| CN102299236A (zh) * | 2010-06-22 | 2011-12-28 | 斯坦雷电气株式会社 | 发光装置 |
| JP2013042159A (ja) * | 2005-11-25 | 2013-02-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 側面放出発光ダイオードパッケージ |
-
2002
- 2002-01-18 JP JP2002009718A patent/JP2003218401A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7202509B2 (en) | 2003-08-26 | 2007-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting apparatus |
| US7687822B2 (en) | 2003-08-26 | 2010-03-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting apparatus |
| US7190004B2 (en) | 2003-12-03 | 2007-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting device |
| WO2005117148A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Rohm Co., Ltd. | 発光ダイオードランプ |
| US7772597B2 (en) | 2004-05-27 | 2010-08-10 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode lamp |
| JP2006080003A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置用反射板とその製造方法、及びこれを用いた照明装置とその製造方法 |
| JP4533058B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2010-08-25 | パナソニック株式会社 | 照明装置用反射板 |
| JP2013042159A (ja) * | 2005-11-25 | 2013-02-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 側面放出発光ダイオードパッケージ |
| US10096756B2 (en) | 2005-11-25 | 2018-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Side view light emitting diode package |
| CN102299236A (zh) * | 2010-06-22 | 2011-12-28 | 斯坦雷电气株式会社 | 发光装置 |
| JP2012009504A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
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