JP4949362B2 - 発光装置及びこれを具備するバックライトユニット - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置及びこれを具備するバックライトユニットに関し、特に、半導体発光ダイオードチップを備えた発光装置及びこれを具備するバックライトユニットに関する。
一般的に、発光ダイオードチップを備えた発光装置は、白色樹脂をリードフレームに射出成形したケースを有するパッケージ構造が広く用いられている。このような発光装置は、ケースの凹部にＬＥＤチップをリードフレームに接続されるように実装し、その後、凹部に樹脂を充填する。特に、白色発光装置の製造においては、凹部に充填する樹脂に蛍光体粉末を含有させる方法を用いることができる。
しかし、従来の発光装置の構造は、小型化と歩留まりの側面においていくつかの短所を有していた。例えば、主に携帯電話のディスプレイのバックライト用光源として用いられる表面実装が可能な側面放出型発光装置の場合、携帯電話の薄型化に伴って側面放出型発光装置の薄型化も求められる。しかしながら、従来の発光装置の構造ではＬＥＤチップを実装するためには凹部を設けなければならないため、求められる小型化に対応させて製造するのは困難であった。
また、リードフレームとともにケースを射出成形した後に、ＬＥＤチップを実装して凹部を樹脂で包装するという複雑な工程を伴うため、歩留まりが低下して工程コストが増加し、問題となっていた。
特に、白色発光装置においては、凹部に蛍光体粉末が含有された液状樹脂をディスペンシングする過程において、ディスペンサーによって蛍光体の充填量を散布する際に、色度が不均一になるという問題が発生することがあった。
また、上記の問題を解決する新しい発光装置を提案する際に、小型化される過程で他の構造物により指向角が影響を受けないようにする方策が求められる。このような指向角を確保する方策は、側面放出型発光装置において、特に重要に求められる。
そこで、本発明は従来のパッケージと異なって、樹脂部とケースを別に構成した簡素化された構造によって、小型化要求を充分に満たしながらも指向角を充分に確保することのできる発光装置及びこれを具備するバックライトユニットを提供することを目的の一つとする。
上記の技術的な課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、互いに反対に位置した第１主面及び第２主面とその間に位置した複数の側面からなる構造を有する硬化性樹脂からなるパッケージ本体と、互いに反対に位置し、各々上記パッケージ本体の第１主面及び第２主面側に形成された第１面及び第２面とその間に位置した側面からなる構造を有し、上記パッケージ本体の内部の両端に各々配置され、各々上記パッケージ本体の内部に位置したボンディング領域とそれに接続され外部に露出した端子領域を有する接続部を具備した第１外部端子用ブロック及び第２外部端子用ブロックと、第１電極及び第２電極が形成された電極形成面と、これと反対に位置した光放出面を具備し、上記パッケージ本体の内部において上記第１外部端子用ブロック及び上記第２外部端子用ブロックの間に配置され、上記第１電極及び上記第２電極が各々上記第１外部端子用ブロック及び上記第２外部端子用ブロックのボンディング領域に電気的に接続された発光ダイオードチップを含み、上記パッケージ本体の第１主面及び上記発光ダイオードチップの光放出面は上記第１外部端子用ブロック及び上記第２外部端子用ブロックの第１面から外部に向かって突出するように形成されたことを特徴とする発光装置を提供する。
ここで、上記発光ダイオードチップの光放出面及び上記パッケージ本体の第１主面は相互に共面を成すことができる。また、上記発光ダイオードチップの光放出面に形成された蛍光体層を更に含み、上記蛍光体層の外部面と上記パッケージ本体の第１主面は相互に共面を成すことができる。
一方、上記パッケージ本体の第１主面に形成された蛍光体層をさらに含むことができる。上記蛍光体層による白色発光のために上記発光ダイオードチップは青色光を放出するものであることができる。
上記パッケージ本体を構成する硬化性樹脂には、電気的絶縁性を有する高反射性粉末が含有されたものであることが好ましい。この場合、上記高反射性粉末はＴｉＯ２粉末であるとより好ましい。
上記外部端子用ブロックの第１面を覆うように形成された樹脂層をさらに含むことが好ましい。この場合、上記樹脂層には電気的絶縁性を有する高反射性粉末が含有されることが好ましく、上記高反射性粉末はＴｉＯ２粉末であるとより好ましい。
上記第１外部端子用ブロック及び上記第２外部端子用ブロックは、上記接続部を有する絶縁性ブロック体からなることができる。この場合、上記接続部は、上記第１外部端子用ブロック及び上記第２外部端子用ブロックの第２面に形成された電極層と、上記第２面から上記第１面まで延長される導電性ビアホールを含むことができる。また、上記第１外部端子用ブロック及び上記第２外部端子用ブロックの導電性ビアホールは、上記パッケージ本体の側面に露出して上記端子領域として提供されることが好ましい。また、上記絶縁性ブロック体としてはセラミックスブロック体またはＰＣＢブロックを用いることができ、上記セラミックスブロック体は多孔性構造物を用いることができる。
上記第１電極及び上記第２電極は、ワイヤボンディングによって、各々上記外部端子用ブロックのボンディング領域に電気的に接続されることが好ましい。
また、本発明は、上述した構造を有する発光装置を具備するバックライトユニットを提供する。すなわち、互いに反対に位置した第１主面及び第２主面とその間に位置した複数の側面からなる構造を有する硬化性樹脂からなるパッケージ本体と、互いに反対に位置し、各々上記パッケージ本体の第１主面及び第２主面側に形成された第１面及び第２面とその間に位置した側面からなる構造を有し、上記パッケージ本体の内部の両端に各々配置され、各々上記パッケージ本体の内部に位置したボンディング領域とそれに接続され外部に露出した端子領域を有する接続部を具備した第１外部端子用ブロック及び第２外部端子用ブロックと、第１電極及び第２電極が形成された電極形成面と、これと反対に位置した光放出面を具備し、上記パッケージ本体の内部において上記第１外部端子用ブロック及び上記第２外部端子用ブロックの間に配置され、上記第１電極及び上記第２電極が各々上記第１外部端子用ブロック及び上記第２外部端子用ブロックのボンディング領域に電気的に接続された発光ダイオードチップを含み、上記パッケージ本体の第１主面及び上記発光ダイオードチップの光放出面は、上記第１外部端子用ブロック及び上記第２外部端子用ブロックの第１面から外部に向かって突出するように形成されたことを特徴とする発光装置、及び上記発光装置の光放出面に隣接して配置され、上記発光装置から放出された光の経路を変更して出射させ、上記光放出面に向かう面に形成された溝を具備する導光板とを含み、上記発光装置は、上記パッケージ本体の第１主面及び上記発光ダイオードチップの光放出面の突出した部分が、上記溝に挿入されるように配置されたことを特徴とするバックライトユニットを提供する。
本発明によれば、ケース構造の射出成形とは別に、樹脂包装部の形成工程なしに、単一のパッケージ工程によって製造することのできるコンパクトで新しい構造を有する発光装置が提供される。また、発光ダイオードチップがパッケージ本体から突出されて備えられることによって、発光ダイオードチップに作用する応力を最小化することができ、さらに、これを導光板の溝に挿入させるように配置すると、発光効率の向上したバックライトユニットを得ることができる。
以下、添付された図面を参照して、本発明を実施するための好ましい実施形態について詳細に説明する。
本発明における実施の形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野において平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさ等は明確な説明のために拡張して示されることがある。なお、図面において同一の符号で表示される要素は同一の要素であるものとする。
図１は、本発明の一実施形態による発光装置を示す側面図である。図２は、本発明の一実施形態による発光装置を示す平面図である。すなわち、図１は図２に示された発光装置をＡ方向から見た側面図で、図２は、図１に示された発光装置をＢ方向から見た平面図である。
図１及び図２を参照すると、本実施形態による発光装置１００は、硬化性樹脂からなるパッケージ本体１０３を含む。パッケージ本体１０３は、互いに反対に位置した第１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２と、その間に位置した側面からなる構造を有する。ここで、パッケージ本体１０３は、図９ｅで説明するようにダイシング工程を通じて得られる４つの側面を有する直六面体構造とすることができる。
パッケージ本体１０３は、両端に外部端子用ブロック１０４が位置する。外部端子用ブロック１０４は、互いに反対向きの各々の第１面Ｓ３及び第２面Ｓ４と、その間の側面からなる構造を有する。外部端子用ブロック１０４は、パッケージ本体１０３の第１主面Ｓ１が第１面Ｓ３から外部に突出するように、パッケージ本体１０３の内部の両端に配列される。外部端子用ブロック１０４は、パッケージ本体１０３の内部から延長された形態であり、パッケージ本体１０３の外部に露出した接続部１０４ａと絶縁性ブロック体１０４ｂを有する。
発光ダイオードチップ１０１は、パッケージ本体１０３の内部において、外部端子用ブロック１０４の間に位置する。ここで、パッケージ本体１０３の第１主面Ｓ１と同様に、発光ダイオードチップ１０１は、第１電極１０１ａ及び第２電極１０１ｂが形成された面（電極形成面）と反対に位置した面が、第１面Ｓ３から外部に突出するように配置される。ここで、上記電極形成面と反対に位置した面は、発光ダイオードチップ１０１で生じた光を主に放出する面であって、これを光放出面と定義することができる。
このように、上記光放出面が、パッケージ本体１０３に比べ外部に突出した構造を有することによって、光の損失を最小化させた導光板との接続構造を有するものとすることができる。また、発光装置１００がＰＣＢ基板等に実装される場合、ＰＣＢ基板との熱膨張係数の差によって発光装置１００には応力が作用し、特に、外部端子用ブロック１０４の間の空間において作用する応力は相対的に大きいため、本実施形態のように、発光ダイオードチップ１０１が外部端子用ブロック１０４の間の空間から外部に突出するように配置されることによって、発光ダイオードチップ１０１に作用する応力を減らすことができ、これによって、発光効率及び信頼性を向上させることができる。
一方、外部端子用ブロック１０４は、絶縁性ブロック体１０４ｂと、その第１面Ｓ３及び第２面Ｓ４を貫通する形態の接続部１０４ａを含む。ここで、絶縁性ブロック体１０４ｂは、セラミックス基板とすることができ、その場合には、多孔性構造で製造して樹脂との結合力を高めることができる。また、絶縁性ブロック体１０４ｂは、ＰＣＢの樹脂材質で構成される場合もあるが、このとき外部端子用ブロック１０４は、ＰＣＢ基板を利用して容易に製造することができる。
発光ダイオードチップ１０１の第１電極１０１ａは、ワイヤ１０５ａによって外部端子用ブロック１０４の第２面Ｓ４に露出された接続部１０４ａに電気的に接続される。必要に応じて、外部端子用ブロック１０４は、より広いボンディング領域を提供するように各ブロック１０４の第２面Ｓ４上に形成された電極層（図示せず）を含む。また、ワイヤ１０５ａ、１０５ｂはパッケージ本体１０３の内部に位置し保護される。発光ダイオードチップ１０１の光放出面には蛍光体層１０２が形成され、この場合、蛍光体層１０２は第１主面Ｓ１と共面（ｃｏ―ｐｌａｎａｒ）を成すことができる。また、蛍光体層１０２は、第１主面Ｓ１の外部に形成されることもできる。また、蛍光体層１０２は、発光ダイオードチップ１０１から放出された光の波長を変換することによって、白色光を外部に提供するための蛍光体物質の含まれた樹脂層として形成され得る。そのため、発光ダイオードチップ１０１は、青色光を放出することができるものを使用することができる。
パッケージ本体１０３を構成する硬化性樹脂は、発光ダイオードチップ１０１から生成された光がパッケージ本体１０３の内部に進入するのを防ぎ、蛍光体層１０２の方向に容易に抽出されることができるように低い屈折率を有する樹脂を使用することが好ましい。例えば、上記硬化性樹脂では約１．５以下の屈折率を有する透明樹脂を使用することができる。パッケージ本体１０３を構成する硬化性樹脂は、所望の光放出方向に抽出効率が向上するように電気的絶縁性を有する高反射性粉末が含有されたものとすることができる。好ましい高反射性粉末としては、ＴｉＯ２粉末を使用することができる。
一方、本実施形態においては、外部端子用ブロック１０４は、発光ダイオードチップ１０１に向かう面を除いて、パッケージ本体１０３の３つの側面で露出した構造を有することができる。特に、接続部１０４ａが隣接した２つの側面から露出し、外部装置と接続する端子領域として提供される。また、図２に示されたように、外部端子用ブロック１０４の接続部１０４ａは、パッケージ本体１０３と同一の側面に露出され、発光装置１００の外部端子領域として提供される。このような構造を有するため、発光装置１００を側面放出型ＬＥＤパッケージ構造として、非常に有用に用いることができる。しかし、これに限定されず、必要に応じて外部端子用ブロックの構造は多様に変更され得る。
図３、図４及び図５は、図１で説明した実施形態から変形された実施形態による発光装置を示した断面図である。先ず、図３を参照すると、発光装置３００は、図１の場合と同様に、発光ダイオードチップ３０１、蛍光体層３０２、パッケージ本体３０３及び外部端子用ブロック３０４、３１４を備える。発光ダイオードチップ３０１は、外部端子用ブロック３０４の間の空間において外部に突出した構造を有する。図１の実施形態との構造的な違いは、発光ダイオードチップ３０１の第１電極３０１ａ及び第２電極３０２ｂがワイヤ３０５ａ、３０５ｂにより外部端子用ブロック３０４と電気的に接続される際、ワイヤ３０５ａ、３０５ｂが接続部３０４ａに直接ボンディングされるのではなく、接続部３０４ａと絶縁性ブロック体３０４ｂの境界面に形成された導電性ビア構造３０４ｃにボンディングされる点が挙げられる。これにより、ワイヤ３０５ａ、３０５ｂを短くしても、電気接続がされた効果的な構造となり得る。
次に、図４に示された実施形態の場合、発光装置４００は、図１及び図３の場合と同様に、発光ダイオードチップ４０１、蛍光体層４０２、パッケージ本体４０３及び外部端子用ブロック４０４を備え、発光ダイオードチップ４０１は、外部端子用ブロック４０４の間の空間において外部に突出した構造を有する。また、外部端子用ブロック４０４は、各々が接続部４０４ａと絶縁性ブロック体４０４ｂを備え、接続部４０４ａと第１電極４０１ａ及び第２電極４０１ｂは、ワイヤ４０５ａ、４０５ｂによって電気的に接続される。本実施形態によれば、外部端子用ブロック４０４には、樹脂層４０６が形成され、それは発光ダイオードチップ４０１のある側の面上に設けられる。
樹脂層４０６は、外部端子用ブロック４０４を外部から保護する機能を有し、更に、発光装置４００がＰＣＢ基板等により安定的に実装されるようにすることができる。これは、発光装置４００をＰＣＢ基板等に実装する際、接続部４０４ａの発光ダイオードチップ４０１側の面に半田物質が流れて、発光装置４００が前に倒れてしまい構造的な安定性が低いことが問題であったが、本実施形態のように外部端子用ブロック４０４を覆う樹脂層４０６を形成することによって、実装時の発光装置４００の構造的安定性が高まることとなる。
次に、図５に示された実施形態の場合、発光装置５００は、先の実施形態の場合と同様に、発光ダイオードチップ５０１、パッケージ本体５０３及び外部端子用ブロック５０４を備え、発光ダイオードチップ５０１は外部端子用ブロック５０４の間の空間において外部に突出した構造を有する。また、外部端子用ブロック５０４は、接続部５０４ａと絶縁性ブロック体５０４ｂを備え、接続部５０４ａと第１電極５０１ａ及び第２電極５０１ｂは、ワイヤ５０５ａ、５０５ｂによって電気的に接続される。本実施形態の場合、発光ダイオードチップ５０１の光放出面には直接的に蛍光体層が形成されず、パッケージ本体５０３の第１主面を覆う蛍光体層５０２が形成され、広い範囲で波長変換機能を行うことができる。
上述した構造を有する発光装置は、バックライトユニットに採用され面発光機能を行うことができ、特に、導光板と効率的な接続構造を形成することができる。図６は、図１の構造を有する発光装置が採用されたバックライトユニットの構造を概略的に表した平面図である。図６を参照すると、バックライトユニット６００は、発光装置１００と導光板６０１を備えて構成される。発光装置１００は、図１で説明したように、発光ダイオードチップとその周辺のパッケージ本体の領域が外部に突出した構造を有する。導光板６０１は、発光装置１００から放出された光が入射される入射領域を備え、入射された光の経路を変換させて外部へ放出する機能を行う。
特に、本実施形態の場合、導光板６０１の入射領域は、溝形状を有し、発光装置１００は上記溝に突出部を挿入するように配置される。このような導光板６０１の溝構造は、光放出面が突出した構造を有する発光装置１００において最も効率的なものということができ、発光装置１００から放出された光のうち導光板６０１に入射される光の比率を大きく向上させることができる。また、図示しないが、導光板６０１の下部には反射層が形成され得るので、導光板６０１の上部には拡散シート、集光シート等が備えられる。
以下、上述した構造を有する発光装置の製造方法を説明する。図７ａ〜図７ｄは各々本発明の第１の実施形態による発光装置の製造工程のうち、一部工程チップアレイ構造物の製造工程について工程別に示した断面図である。
先ず、図７ａに示されたように、硬化性物質Ｒが塗布された第１シート７００ａ’上に発光ダイオードチップ７０１、第１スペーサ７１０及び外部端子用ブロック７０４を配置する。発光ダイオードチップ７０１の一面には第１電極７０１ａ及び第２電極７０１ｂが形成され、その反対面は光放出面であって蛍光体層７０２を形成することができる。
ここで、発光ダイオードチップ７０１は、上記光放出面が第１シート７００ａ’に向かうように配置される。第１スペーサ７１０は最終発光装置において、発光ダイオードチップ７０１が外部に突出した構造を形成するためのもので、このために第１スペーサ７１０上に外部端子用ブロック７０４を配置する。ここで、第１スペーサ７１０を付着するためには、接着用樹脂または硬化性物質を利用することができる。外部端子用ブロック７０４は、絶縁性ブロック体７０４ｂと絶縁性ブロック体７０４ｂを貫通する導電性物質からなる接続部７０４ａとを備える。外部端子用ブロック７０４は、後続の切断工程(図９ｅ参照)にて切断され、外部端子領域として機能するためにその切断面から接続部７０４ａを露出させることができる。
本配列例として、外部端子用ブロック７０４が基板構造で提供された形態を図８に示した。図８は、図７ａに示された配列形態を上部から見た平面図である。このような外部端子用ブロック７０４は、ＰＣＢ基板を利用して容易に製造されることができる。ひとつの外部端子用ブロック７０４の接続部７０４ａは１／４単位で切断され、隣接した４つの発光ダイオードチップに属する外部端子として提供されることができる。ここで、このように切断することによって形成された隣接した２つの側面に接続部７０４ａが露出される。露出された領域は、外部端子領域として提供される。
続いて、図７ｂのように、配列された発光ダイオードチップ７０１と外部端子用ブロック７０４を第１シート７００ａ上に接着用硬化性物質Ｒを利用して付着させる。この付着工程は、配列された発光ダイオードチップ７０１と外部端子用ブロック７０４に対する適切な圧着工程の後に、接着用硬化性物質の硬化条件を適用することにより得られる。
次に、図７ｃのように、発光ダイオードチップ７０１の電極７０１ａ、７０１ｂが、隣接した外部端子用ブロック７０４の露出した接続部７０４ａとワイヤ７０５ａ、７０５ｂによって各々接続される。続いて、図７ｄのように、外部端子用ブロック７０４と発光ダイオードチップ７０１の配列領域を取り囲むように第１シート７００ａ上に第２スペーサ７１１を付着させる。ワイヤ７０５ａ、７０５ｂがパッケージ本体の内部に収まるようにするために、第２スペーサ７１１をワイヤ７０５ａ、７０５ｂより高く形成する。第１スペーサ７１０と同様に、第２スペーサ７１１も接着用樹脂または硬化性物質を利用して付着させることができる。
このような工程を通じて、本実施形態に使用されるチップアレイ構造物を製造することができる。図７ｄに示されたチップアレイ構造物は、図９ａ〜図９ｅに示された樹脂充填工程及び切断工程を含む一連の工程を通じて、複数の発光装置を製造するのに用いることができる。
図９ａ〜図９ｅは、各々本発明による発光装置の製造方法の一例のうち、個別の発光装置の製造工程を工程別に示した断面図である。
先ず、図９ａのように、第２スペーサ７１１によって取り囲まれた配列領域が埋まるように第２スペーサ７１１内の配列領域に硬化性液状樹脂７０３’を滴下、充填させる。硬化性液状樹脂７０３’は、第２スペーサ７１１に取り囲まれた内部空間が埋まるように充分に多い量で滴下されることが好ましい。より具体的には、硬化性液状樹脂７０３’は少なくとも第２スペーサ７１１の高さと同じ高さを有することができるように滴下、充填させることが好ましい。本実施形態においての樹脂充填工程は、真空チャンバ内に上記チップアレイ構造物を配置し、上記チャンバ内が減圧または真空状態になるように上記チャンバ内を減圧させた状態で行われる。
続いて、図９ｂのように、上記チャンバの減圧または真空状態を解除した後に第２スペーサ７１１上に第２シート７００ｂを付着させる。第２シート７００ｂを第２スペーサ７１１上に取りつける工程において、第２スペーサ７１１の高さに応じて硬化性液状樹脂７０３’のレベルを調節することができる。また、このような第２シート７００ｂの付着工程において適切な加圧がなされることによって、発光ダイオードチップ７０１と外部端子用ブロック７０４の間の空間まで、より効果的に硬化性液状樹脂７０３’を注入させることができる。本工程とともに他の後続工程は、チャンバの減圧または真空状態を解除した後に、チップアレイ構造物をアンローディングした状態で外部において行われることが好ましい。
次に、図９ｃのように上記チップアレイ構造物の内部に充填された硬化性液状樹脂７０３’を硬化させる。本硬化工程は、硬化性液状樹脂７０３’の種類によって熱または紫外線照射によって実施される。本工程は必要に応じてチャンバ内部で直接実施が可能であるが、本実施形態のようにチップアレイ構造物を取り出して、チャンバ外部において別の加圧装備Ｐを用いて実施される。このように硬化された樹脂７０３は、発光ダイオードチップ７０１と外部端子用ブロック７０４を結束して単一の構造体を提供し、電気接続のためのワイヤ７０５ａ、７０５ｂを保護することができる。
続いて、図９ｄのように、上記チップアレイ構造物から第１シート７００ａ及び第２シート７００ｂを除去する。図９ｄは、図９ｃにおける第１シート７００ａ及び第２シート７００ｂが除去された後の裏返した状態であると理解することができる。ここで、第１シート７００ａ及び第２シート７００ｂは当業者に公示された適切な化学的又は機械的方法を用いて、上記チップアレイ構造物から除去される。一方、本実施形態の場合、開始段階において発光ダイオードチップ７０１の光放出面に蛍光体層７０２を形成したが、これ以外にも、本工程の後に少なくとも発光ダイオードチップ７０１に対応する領域に蛍光体層を形成することもできる。
次に、図９ｅに、上記チップアレイ構造物を切断し、複数の発光装置として提供する切断工程を示す。本切断工程は、適切なダイシング装置Ｄを利用して実行される。本実施形態のように、ひとつの外部端子用ブロック７０４は、４つの発光ダイオードチップ７０１が互いに共有する形態を有する場合、１／４単位で切断され、各発光装置に属するように切断されることができる。ここで、外部端子用ブロック７０４とともに接続部７０４ａである導電性ビアホールもともに切断され、その切断によって形成された隣接する２つの側面で接続部７０４ａが露出される。その露出された接続部領域は、外部端子の外部端子領域として提供される。
本発明は、上述した実施形態及び添付された図面によって限定されるものではなく、特許請求の範囲によって限定されるものである。従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内において、多様な形態への置換、変形及び変更が可能である。これは、当該技術分野における通常の知識を有する者にとっては自明なことであり、本発明の範囲は特許請求の範囲に記載された技術的思想に属するものが全て含まれるためである。
本発明の第１の実施形態における発光装置を示す側面図である。 本発明の第１の実施形態における発光装置を示す平面図である。 図１に示した実施形態を変形させた発光装置を示す断面図である。 図１に示した実施形態を変形させた発光装置を示す断面図である。 図１に示した実施形態を変形させた発光装置を示す断面図である。 図１に示した構造を有する発光装置を採用したバックライトユニットの構造を示した概略図である。 本発明における発光装置の製造方法のうち、チップアレイ構造物の製造過程の一例を工程別に示した断面図である。 本発明における発光装置の製造方法のうち、チップアレイ構造物の製造過程の一例を工程別に示した断面図である。 本発明における発光装置の製造方法のうち、チップアレイ構造物の製造過程の一例を工程別に示した断面図である。 本発明における発光装置の製造方法のうち、チップアレイ構造物の製造過程の一例を工程別に示した断面図である。 図７ａに示されたチップアレイ構造物の配列形態を上部から見た平面図である。 本発明における発光装置の製造方法のうち、個別の発光装置の製造工程の一例を工程別に示した断面図である。 本発明における発光装置の製造方法のうち、個別の発光装置の製造工程の一例を工程別に示した断面図である。 本発明における発光装置の製造方法のうち、個別の発光装置の製造工程の一例を工程別に示した断面図である。 本発明における発光装置の製造方法のうち、個別の発光装置の製造工程の一例を工程別に示した断面図である。 本発明における発光装置の製造方法のうち、個別の発光装置の製造工程の一例を工程別に示した断面図である。
符号の説明
１０１ 発光ダイオードチップ
１０１ａ 第１電極
１０１ｂ 第２電極
１０２ 蛍光体層
１０３ パッケージ本体
１０４ 外部端子用ブロック
１０４ａ 接続部
１０４ｂ 絶縁性ブロック体
１０５ａ、１０５ｂ ワイヤ
４０６ 樹脂層
６０１ 導光板

Claims (16)

  1. 互いに反対に位置した第１主面及び第２主面とその間に位置した複数の側面からなる構造を有する硬化性樹脂からなるパッケージ本体と、
    互いに反対に位置し、各々前記パッケージ本体の第１主面及び第２主面側に形成された第１面及び第２面とその間に位置した側面からなる構造を有し、前記パッケージ本体の内部の両端に各々配置され、各々前記パッケージ本体の内部に位置したボンディング領域と、それに接続して外部に露出した端子領域を有する接続部を具備した第１外部端子用ブロック及び第２外部端子用ブロックと、
    第１電極及び第２電極が形成された電極形成面と、これと反対に位置した光放出面を具備するが、前記パッケージ本体の内部において前記第１外部端子用ブロック及び前記第２外部端子用ブロックの間に配置され、前記第１電極及び前記第２電極が各々前記第１外部端子用ブロック及び前記第２外部端子用ブロックのボンディング領域に電気的に接続された発光ダイオードチップと、
    前記外部端子用ブロックの第１面を覆うように形成された樹脂層と、
    を含み、
    前記パッケージ本体の第１主面及び前記発光ダイオードチップの光放出面が、前記外部端子用ブロックの第１面から外部に突出するように形成されたことを特徴とする発光装置。
  2. 前記発光ダイオードチップの光放出面は、前記パッケージ本体の第１主面と相互共面を成すことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記発光ダイオードチップの光放出面に形成された蛍光体層をさらに含み、前記蛍光体層の外部面と前記パッケージ本体の第１主面は相互共面を成すことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  4. 前記パッケージ本体の第１主面に形成された蛍光体層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  5. 前記発光ダイオードチップは、青色光を放出することを特徴とする請求項３または４に記載の発光装置。
  6. 前記パッケージ本体を構成する硬化性樹脂には、電気的絶縁性を有する高反射性粉末が含有されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  7. 前記高反射性粉末は、ＴｉＯ２粉末であることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
  8. 前記樹脂層には、電気的絶縁性を有する高反射性粉末が含有されたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  9. 前記高反射性粉末は、ＴｉＯ２粉末であることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
  10. 前記第１外部端子用ブロック及び前記第２外部端子用ブロックは、前記接続部を有する絶縁性ブロック体からなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  11. 前記接続部は、前記第１外部端子用ブロック及び前記第２外部端子用ブロックの第２面に形成された電極層と、前記第２面から前記第１面まで延長される導電性ビアホールを含むことを特徴とする請求項１０に記載の発光装置。
  12. 前記第１外部端子用ブロック及び前記第２外部端子用ブロックの導電性ビアホールは、前記パッケージ本体の側面に露出し、前記端子領域として提供されることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
  13. 前記絶縁性ブロック体は、セラミックスブロック体またはＰＣＢブロックであることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
  14. 前記セラミックスブロック体は、多孔性構造物であることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
  15. 前記第１電極及び前記第２電極は、各々前記外部端子用ブロックのボンディング領域とワイヤボンディングにより電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  16. 互いに反対に位置した第１及び第２主面とその間に位置した複数の側面からなる構造を有する硬化性樹脂からなるパッケージ本体と、
    互いに反対に位置し、各々前記パッケージ本体の第１主面及び第２主面側に形成された第１面及び第２面とその間に位置した側面からなる構造を有し、前記パッケージ本体の内部の両端に各々配置され、各々前記パッケージ本体の内部に位置したボンディング領域と、それに接続され外部に露出した端子領域を有する接続部を具備した第１及び第２外部端子用ブロックと、
    第１電極及び第２電極が形成された電極形成面と、これと反対に位置した光放出面を具備し、前記パッケージ本体の内部において前記第１外部端子用ブロック及び前記第２外部端子用ブロックの間に配置され、前記第１電極及び前記第２電極が各々前記第１外部端子用ブロック及び前記第２外部端子用ブロックのボンディング領域に電気的に接続した発光ダイオードチップと、前記外部端子用ブロックの第１面を覆うように形成された樹脂層と、を含み、前記パッケージ本体の第１主面及び前記発光ダイオードチップの光放出面は、前記外部端子用ブロックの第１面から外部に向かって突出するように形成されたことを特徴とする発光装置と、
    前記発光装置の光放出面に隣接して配置され、前記発光装置から放出された光の経路を変更して出射させ、前記光放出面に向かう面に形成された溝を具備する導光板と、
    を含み、
    前記発光装置は、前記パッケージ本体の第１主面及び前記発光ダイオードチップの光放出面の突出した部分が前記溝に挿入されるように配置されたことを特徴とするバックライトユニット。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4903179B2 (ja) * 2007-04-23 2012-03-28 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． 発光装置及びその製造方法
US8408724B2 (en) * 2008-12-26 2013-04-02 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light source module and lighting apparatus
US8820950B2 (en) * 2010-03-12 2014-09-02 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting device and illumination apparatus
DE102010025319B4 (de) 2010-06-28 2022-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements und oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente
US20120275157A1 (en) * 2011-04-26 2012-11-01 Yu-Mou Hsu Lamp string structure for emitting light within wide area
CN103137827B (zh) * 2011-11-30 2016-02-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及发光装置
KR102123039B1 (ko) * 2013-07-19 2020-06-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
JP6303344B2 (ja) 2013-09-05 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6256026B2 (ja) * 2014-01-17 2018-01-10 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR101710871B1 (ko) 2014-07-24 2017-02-28 조정권 조립식 컴퓨터 일체형 데스크
KR20160041108A (ko) * 2014-10-06 2016-04-18 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
JP6432280B2 (ja) * 2014-10-24 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR101710905B1 (ko) 2015-05-15 2017-02-28 조정권 컴퓨터 결합 구조의 책상
KR101710900B1 (ko) 2015-07-23 2017-02-28 조정권 퍼스널 컴퓨터 및 모니터 거치 구조의 책상
KR102025467B1 (ko) 2017-04-28 2019-09-25 조정권 컴퓨터 일체형 조립 구조의 책상
KR102025469B1 (ko) 2017-06-09 2019-09-25 조정권 컴퓨터 본체 또는 부품을 위한 수용 케이스
JP7032645B2 (ja) * 2018-03-26 2022-03-09 日亜化学工業株式会社 発光モジュール及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3992770B2 (ja) * 1996-11-22 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその形成方法
JP2001077430A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP3627592B2 (ja) * 1999-10-08 2005-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR20030093774A (ko) 2002-06-05 2003-12-11 광전자 주식회사 리드프레임, 상기 리드프레임을 이용한 칩 스케일 반도체패키지 및 그 제조방법
JP2004260048A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi マイクロタイプ発光装置
DE102004063978B4 (de) * 2003-07-17 2019-01-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
JP4516337B2 (ja) 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
JP2006278924A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
KR101055772B1 (ko) * 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치

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