JP2013042159A - 側面放出発光ダイオードパッケージ - Google Patents

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Abstract

【課題】放出光の指向角の特性を改善し、かつ放出光量を増加させながらも側壁の成形不良を防止することができるバックライト装置に用いられる側面放出ＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】バックライト装置に用いられる側面放出ＬＥＤパッケージ１００は、床面と上部に向かって傾斜した内部側壁１０７を有する凹部Ｃが形成されたパッケージ本体１０６と、凹部Ｃの床面に露出するようにパッケージ本体１０６に形成された第１及び第２リードフレーム１０４と、第１及び第２リードフレーム１０４それぞれに電気的に接続するように凹部Ｃの床面に実装された発光ダイオードチップ１０２と、発光ダイオードチップ１０２の上面からワイヤＷの上端までの高さは、１００μｍ以下であり、発光ダイオードチップ１０２の実装高さは、５０μｍ〜２００μｍであり、凹部の深さは２００μｍ〜４８０μｍである。
【選択図】 図６

Description

本発明は、側面放出発光ダイオードパッケージ（以下、「側面放出ＬＥＤパッケージ」という）に関する。より具体的には、放出光の指向角の特性を改善し、かつ放出光量を増加させながらも側壁の成形不良を防止することができる側面放出ＬＥＤパッケージに関する。
液晶表示装置（ＬＣＤ）自体は光源がないため外部照明を必要とし、一般的にバックライト装置を照明装置に使用する。バックライト装置はＬＣＤを後方から照明し、ＣＣＦＬ（Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｌａｍｐ；冷陰極蛍光ランプ）、
ＬＥＤなどを光源とする。
かかる従来の技術によるバックライト装置の一例が図１及び図２に示す。図１及び図２を参照すると、バックライト装置１は複数のＬＥＤパッケージ１０、導光板２０、反射板２４、拡散板２６及び一対のプリズムシート２８とを備え、ＬＥＤパッケージ１０から導光板２０に入射した光を上部の液晶パネル３０に送りＬＣＤにバックライト照明を提供する。
これをより詳しく説明すると、ＬＥＤパッケージ１０は図３及び図４に示すようにＬＥＤチップ１２、該ＬＥＤチップ１２を安着させながら電源を供給する陽極及び陰極リード１４、これらのリード１４を封止するパッケージ本体１６及びＬＥＤチップ１２を封止するようにパッケージ本体１６の凹部Ｃに満たされた透明樹脂から成る封止体１８とを含む。
ＬＥＤチップ１２から発生した光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は導光板２０の中に入り、その中で伝播し、その後ドットパターン２２に会うと反射板２４によって上方へ反射し拡散板２６及びプリズムシート２８を通じて液晶パネル３０に到逹する。
このようなＬＥＤパッケージ１０を図３及び図４を参照してより具体的に説明すると、封止体１８が満たされたＬＥＤパッケージ１０の凹部Ｃは一般的に６００乃至６５０μｍの深さｄを有する。この深さｄは主にＬＥＤチップ１２の厚さｔとワイヤＷが成す高さｈ１及びワイヤＷから封止体１８の上面までの高さｈ２によって決まる。
この深さｄが深いと、ＬＥＤチップ１２の上面から封止体１８の上面までの高さｈ１＋ｈ２もやはり増加する。こうなると次のような問題が生じる。
第一に、ＬＥＤパッケージ１０から放出される光の指向角αが制限される。指向角αが小さいと一つのバックライト装置１においてより多いＬＥＤパッケージ１０を使用せざるを得ない。
第二に、図５から分かるように、ＬＥＤチップ１２から発生した光Ｌが矢印Ａ方向に放出される際、一部の光Ｌ１はＬＥＤパッケージ１０の側壁１７にぶつかるようになる。側壁１７にぶつかった光Ｌ１は吸収及び散乱などによって損失されるためＬＥＤパッケージ１０から放出される全体光量は減少する。光量は側壁１７の高さが高いほど、即ち図４の凹部の深さｄが深いほどより多く減少する。
第三に、側壁１７の高さが高いと側壁１７の上下部分において未成形が生じ易い。これは図３の図面符号Ｉで表示した部分において特にそうである。未成形が生じるとＬＥＤパッケージ１０の性能が低下し、場合によっては不良品として廃棄しなければならない。
従って、本発明は前述した従来の技術の問題を解決するために案出されたものであり、本発明の目的は側壁の高さを減少させることにより放出光の指向角の特性を改善し、かつ放出光量を増加させながらも側壁の成形不良を防止することができる側面放出ＬＥＤパッケージを提供することである。
上述した本発明の目的を達成すべく、本発明の一側面は、床面と上部に向かって傾斜した内部側壁を有する凹部が形成されたパッケージ本体と、上記凹部の床面に露出するように上記パッケージ本体に形成された第１及び第２リードフレームと、上記第１及び第２リードフレームそれぞれに電気的に接続するように上記凹部の床面に実装された発光ダイオードチップと、上記発光ダイオードチップの上面から上記ワイヤの上端までの高さは、１００μｍ以下であり、上記発光ダイオードチップの実装高さは、５０μｍ〜２００μｍであり、上記凹部の深さは２００μｍ〜４８０μｍであることを特徴とする側面放出ＬＥＤパッケージを提供する。
本発明の側面放出ＬＥＤパッケージは、側壁の長さを減少させることで放出光の指向角の特性を改善し、かつ放出光量を増加させながらも側壁の成形不良を防止することができる。
側面放出ＬＥＤパッケージを用いるバックライト装置の断面図である。 図１のバックライト装置の概略的な平面図である。 従来の側面放出ＬＥＤパッケージの正面図である。 図３の４−４線に沿って切った断面図である。 図４のＬＥＤパッケージ側壁での光の吸収を示す断面図である。 本発明によるＬＥＤパッケージの断面図である。 本発明によるＬＥＤパッケージ内部のワイヤボンディング形態を示す断面図である。 本発明によるＬＥＤパッケージ内部の他のワイヤボンディング形態を示す断面図である。 本発明によるＬＥＤパッケージでの光の放出を示す断面図である。 本発明による様々なＬＥＤパッケージサンプルの明るさを示す図表である。 本発明によるＬＥＤパッケージの指向角の特性を示すグラフである。 従来の技術によるＬＥＤパッケージの指向角の特性を示すグラフである。 本発明による様々なＬＥＤパッケージサンプルの長軸指向角の特性を示すグラフである。 本発明による様々なＬＥＤパッケージサンプルの長軸指向角の特性を示すグラフである。 本発明による様々なＬＥＤパッケージサンプルの長軸指向角の特性を示すグラフである。 凹部の幅によるパッケージ本体の射出成形の不良率を示すグラフである。
図６は本発明の一実施形態による側面放出ＬＥＤパッケージの断面図である。図６に示す本発明の側面放出ＬＥＤパッケージ１００は、図１に示した類型のバックライト装置１に適用される。該ＬＥＤパッケージ１００はＬＥＤチップ１０２と、該ＬＥＤチップ１０２を安着させながら電源を供給する第１および第２リードフレーム１０４と、第１および第２リードフレーム１０４を封止するように射出成形されたパッケージ本体１０６及びＬＥＤチップ１０２を封止するようにパッケージ本体１０６の凹部Ｃに満たされた透明樹脂から成る封止体１０８とを含む。
本実施形態による側面放出ＬＥＤパッケージ１００は、光量及び指向角を改善するために改善された凹部Ｃを有する。本ＬＥＤパッケージ１００は側壁１０７の高さ、即ち凹部の深さｄはＬＥＤチップ１０２が実装された高さｔよりは大きく、且つ６倍以下の範囲になるように低く設定する。通常のＬＥＤチップの実装高さ（例えば、５０μｍ〜２００μｍの範囲）を考慮した時に、凹部Ｃの深さｄを２００乃至４８０μｍに設定する。これは上述した従来のＬＥＤパッケージ１０の凹部の深さ（６００乃至６５０μｍ）に比べ顕著に小さい。
従って、ＬＥＤパッケージ１００から放出される光の指向角がバックライト装置に有益に適用できるように改善することが可能である。より具体的に説明すると、バックライト装置において光源として用いられる場合に、大きい指向角を有するＬＥＤパッケージは指向角の小さいＬＥＤパッケージより少ない数で採用できる。
また、ＬＥＤチップ１０２から発生した光が側壁１０７にぶつかる確率が減少するため、側壁１０７による光の吸収／散乱が減り放出される光量が増加できるようになる。
図９は本実施形態によるＬＥＤパッケージ１００での光の放出を示す。図９に示すように、ＬＥＤチップ１０２の焦点Ｆから光Ｌが放出されると、大部分の光は側壁１０７とぶつかることなく矢印Ｌ方向に進行する。これにより、光の損失を大きく減らすことが可能となるので、光度が大きく増加できるようになる。
さらに、凹部Ｃの深さｄが減少することにより側壁１０７も低くなり、パッケージ本体の射出成形の際に、図３のＩで表示した部分において発生し易い成形不良を防止することができる。
このように、本実施形態によるＬＥＤパッケージ１００は凹部Ｃの深さｄを調整することにより光源としての性能を改善することは勿論、射出成形の際発生する不良が減少する。
一般的に、図６に示すように、側面放出ＬＥＤパッケージ１００は、上記ＬＥＤチップ１０２と上記第１及び第２リードフレーム１０４の電気的接続構造は、ワイヤＷによって実現できる。
この場合に、電気的接続構造として提供されるワイヤが透明封止体の内部に位置できるように上記凹部の深さはワイヤの上端高さ（ｈ１１＋ｔ）より高くなければならないので、ワイヤＷは凹部Ｃの深さｄを減少させるにあたって大きい制限要素として作用する。このような問題を解決すべく、本発明の他の側面はワイヤの上端高さを低めるための方案を提供する。
図７及び図８を参照して、好ましいＬＥＤパッケージ１００の内部のワイヤボンディング方式を説明する。
図７及び図８にはそれぞれＬＥＤチップ１０２が接着層１０３によってリードフレーム１０４の上面に実装された形態が示されている。
但し、図７の場合には、一般的なワイヤボンディング方式に従って、ワイヤＷの一端をＬＥＤチップ１０２にバンプボールＢで連結し、他端をリードフレーム１０４にステッチ結合部Ｓで形成した形態が示されている。
ＬＥＤチップ１０２の上のワイヤＷの高さｈ’１１をワイヤボンディングにおいてＬＥＤチップ１０２からワイヤＷの上端までの高さは１５０μｍまで減らすことができるが、ワイヤＷの高さを格段に減少させるのに困難がある。これはＬＥＤチップ１０２にボンディングした後にワイヤを引き出すためにＬＥＤチップ１０２の上部に所定の高さだけ移動させるためである。
これに反して、図８を参照すると、ワイヤＷの一端がリードフレーム１０４にバンプボールＢで結合され、ワイヤＷの他端がＬＥＤチップ１０２にステッチ結合部Ｓを形成することによって、ＬＥＤチップ１０２とリードフレーム１０４を互いに電気的に連結させた形態が示されている。
この場合に、ＬＥＤチップ１０２のワイヤＷの高さｈ”１１を、図７の場合よりさらに減らすことが可能である。これはリードフレーム１０４においてバンプボールＢでボンディングした後にワイヤＷの引き出しのために上部に移動しワイヤの上端高さが増加してもＬＥＤチップの実装高さｔだけ相殺させることができるためである。
即ち、図７及び図８のワイヤボンディング工程を同じ設備と方式で実施する場合に、図８の高さｈ”１１と厚さｔの和は図７の高さｈ１１とほぼ同じであり得るので、図８の凹部の深さｄが図７より遙に小さく実現することができる。
図８の場合に、ＬＥＤチップ１０２からワイヤＷの上端までのワイヤ高さｈ”１１は１００μｍ以下のレベルまで減少させることができ、好ましくは約７０μｍまで減らすことができる。
このような方式はワイヤボンディングを行うことでワイヤボンディングに必要な高さを、従来の技術より格段に減少させ、これにより凹部の深さｄを大きく減らすことができる。
従って、上述したように図８のワイヤボンディング構造では、２００乃至４８０μｍの凹部の深さｄを有する側面放出ＬＥＤパッケージをより容易に実現することができる。
ワイヤ構造を採用しない場合のＬＥＤチップの実装高さｔの最大値または一般的なワイヤの上端高さｈ１１＋ｔを勘案して、ＬＥＤチップまたはワイヤＷが露出しないようにする透明樹脂の厚さを確保しなければならないので、全体凹部の深さｄは２００μｍ以上が好ましいと考えられる。
後続する透明樹脂の注入工程を考慮し且つ凹部の改善による効果をより向上させるために、凹部の深さｄを２５０乃至４００μｍの範囲にすることがより好ましく、最も好ましくは３００μｍの程度である。
また、本発明のさらに他の側面において、透明封止体のための樹脂充填工程とパッケージ射出成形の際の不良発生率を考慮して、凹部の幅を好適に設計する方案を提供する。
図６に示すように、側面放出ＬＥＤパッケージ１００は凹部の深さｄが小さいほど良いが、凹部の深さｄの減少は樹脂充填作業を難しくするという短所がある。従って、透明シリコンである透明樹脂を凹部Ｃに充填して透明封止体１０８を形成する際、精緻な充填作業が求められる。特に凹部の深さｄが小さいと全体凹部Ｃの空間が小さいため少量の樹脂を精緻に充填しなければならない。
一般的に、凹部の大きさは最短方向（即ち、短方向）による幅と、それに対して垂直な最長方向（即ち、長方向）による幅Ｐとを有する。この場合に長方向が幅Ｐを好適に確保することでこのような樹脂充填工程をスムーズに行うことができる。
しかしながら、凹部の長方向の幅を増加させる場合に、図３で説明されたように射出成形で得られるパッケージ本体１０７の不良が発生し易くなる恐れがある。従って、一定な範囲に制限することが好ましい。
本発明者は、パッケージ本体の他の因子を同じ条件で長方向の幅だけを２．０ｍｍから３．０ｍｍに増加させながら製造したパッケージの射出成形不良の発生率を調べた。その結果、図１６に示すグラフのように長方向の幅Ｐ１が２．５ｍｍを超える場合には射出成形の際不良率が急激に増加することが確認できる。
このような点を考慮して、凹部Ｃの上端での幅Ｐ１を上端では２．０乃至２．５ｍｍにすることが好ましく、反射のための内部側壁の傾斜角度を考慮した時に凹部Ｃの床面の幅Ｐ２は床では１．５乃至１．７ｍｍの範囲にすることが好ましい。
このように、全体凹部の深さｄとともに凹部の幅を制御するとより優れた側面放出ＬＥＤパッケージが提供できるようになる。
図１０は本発明による様々なＬＥＤパッケージサンプルの明るさを示す図表である。本実験では、ＬＥＤの実装高さが約８０μｍであり、ＬＥＤの実装高さを含むワイヤの上端までの高さが約１７０乃至約１８０μｍであるＬＥＤパッケージ構造を使用した。
図１０で、Ａは凹部の深さが３００μｍで、凹部の幅が１．５ｍｍ／２．０ｍｍ（底／上端）である場合、Ｂは凹部の深さが３００μｍで、凹部の幅が１．５ｍｍ／２．２ｍｍ（底／上端）である場合、Ｃは凹部の深さが３００μｍで、凹部の幅が１．７ｍｍ／２．２ｍｍである場合、Ｄは凹部の深さが４００μｍで、凹部の幅が１．５ｍｍ／２．２ｍｍである場合、Ｅは凹部の深さが４００μｍで、凹部の幅が１．７ｍｍ／２．２ｍｍである場合を示す。一方、ここで各々のＬＥＤパッケージは１８ｍＷ出力のＬＥＤチップを用いた。
図１０から分かるように、凹部の深さが小さいと明るさが大きい。勿論、側壁の角度、即ち凹部の床幅に対する凹部の上端幅の比も明るさに影響を与えるが、これは凹部の深さと比べると微々たるものである。
図１１は本発明による側面放出ＬＥＤパッケージの指向角の特性を示すグラフであり、図１２は従来の技術による側面放出ＬＥＤパッケージの指向角の特性を示すグラフである。図１１及び図１２でもＬＥＤチップの実装高さ及びワイヤの上端高さは図１０と類似したパッケージを使用した。
但し、本発明による側面放出ＬＥＤパッケージでは凹部の深さが３００μｍであるものを使用し、従来の技術の側面放出ＬＥＤパッケージでは凹部の深さが６５０μｍであるものを使用した。
これらの指向角の特性を観察すると、本発明による側面放出ＬＥＤパッケージはＸ軸（ＬＥＤパッケージの長幅方向）に１１４．２゜の指向角を有し、Ｙ軸（ＬＥＤパッケージの長幅方向に垂直な短幅方向）に１１５．３゜の指向角を有し、これに反して従来の技術の側面放出ＬＥＤパッケージはＸ軸に１１１．５゜の指向角を有し、Ｙ軸に９１．７゜の指向角を有する。これら数値から本発明により指向角の特性が改善されたことが分かる。
図１３乃至図１５は、本発明による様々なＬＥＤパッケージサンプルの長軸指向角の特性を示すグラフである。
本発明によるＬＥＤパッケージを３種類の形態に実現し、各々の指向角を観察した。
図１３に適用したＬＥＤパッケージは、５００μｍの凹部の深さを有するものであって、透明樹脂には日本大塚（Ｏｔｓｕｋａ）のＮＭＷ１１４ＷＡを使用し、蛍光体にはＧ３を使用し、これらを１２：１に混合したものを使用した。図１３で観察したＬＥＤパッケージの指向角Ａの平均値は長軸、即ちＬＥＤパッケージの短幅方向に１１９．６゜で、短幅方向に１０５．８゜であった。
図１４に適用したＬＥＤパッケージは４００μｍの凹部の深さを有するものであって、透明樹脂には日本大塚（Ｏｔｓｕｋａ）のＮＭＷ１１４ＷＡを使用し、蛍光体にはＧ３を使用し、これらを１２：１に混合したものを使用した。図１４で観察したＬＥＤパッケージの指向角Ａの平均値は長幅方向に１２１．４゜で、短幅方向に１１４．８゜であった。
図１５に適用したＬＥＤパッケージは、４００μｍの凹部の深さを有するものであって、透明樹脂としては日本大塚（Ｏｔｓｕｋａ）のＮＭＷ１１４ＷＡを使用し、蛍光体としてはＴＡＧを使用し、これらを１２：１に混合したものを使用した。図１５で観察したＬＥＤパッケージの指向角Ａの平均値は長幅方向に１２０．７゜で、短幅方向に１１８．７゜であった。
上記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば、上記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲の内で本発明を多様に修正及び変更できることを理解するであろう。
１００ ＬＥＤパッケージ
１０２ ＬＥＤチップ
１０３ 接着層
１０４ 第１及び第２リードフレーム
１０６ パッケージ本体
１０７ 内部側壁
１０８ 透明封止体
Ｃ 凹部
Ｗ ワイヤ
Ｓ 結合部
Ｂ バンプボール
ｄ 凹部の深さ
ｈ１１、ｈ’１１、ｈ”１１ ワイヤのなす高さ
ｈ１２ ワイヤから封止体の上面までの高さ
ｔ ＬＥＤチップの実装高さ
上記目的を達成するためになされた本発明による側面放出ＬＥＤパッケージは、床面と上部に向かって傾斜した内部側壁を有する凹部が備えられるように射出成形で形成されたパッケージ本体と、前記凹部の床面に露出するように前記射出成形されたパッケージ本体によって支持された第１及び第２リードフレームと、前記第１及び第２リードフレームそれぞれに電気的に接続するように前記凹部の床面に実装された発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップの上面における前記発光ダイオードチップの実装高さは、５０μｍ〜２００μｍであり、前記凹部の深さは２００μｍ〜４８０μｍであり、前記凹部において光を放出する面の長方向の幅は２．０ｍｍ〜２．５ｍｍであることを特徴とする。

Claims (1)

  1. 床面と上部に向かって傾斜した内部側壁を有する凹部が形成されたパッケージ本体と、
    前記凹部の床面に露出するように前記パッケージ本体に形成された第１及び第２リードフレームと、
    前記第１及び第２リードフレームそれぞれに電気的に接続するように前記凹部の床面に実装された発光ダイオードチップと、
    前記発光ダイオードチップの上面から前記ワイヤの上端までの高さは、１００μｍ以下であり、
    前記発光ダイオードチップの実装高さは、５０μｍ〜２００μｍであり、前記凹部の深さは２００μｍ〜４８０μｍであることを特徴とする、側面放出ＬＥＤパッケージ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016035508A1 (ja) * 2014-09-01 2016-03-10 シャープ株式会社 発光装置

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100780176B1 (ko) 2005-11-25 2007-11-27 삼성전기주식회사 측면 방출 발광다이오드 패키지
KR100820529B1 (ko) * 2006-05-11 2008-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법, 면 발광 장치
TWI350598B (en) * 2006-06-27 2011-10-11 Seoul Semiconductor Co Ltd Side view type led package
KR100813633B1 (ko) * 2006-07-11 2008-03-14 알티전자 주식회사 사이드 뷰 발광다이오드 패키지
US20090026470A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Novalite Optronics Corp. Super thin side-view light-emitting diode (led) package and fabrication method thereof
KR101491138B1 (ko) * 2007-12-12 2015-02-09 엘지이노텍 주식회사 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈
KR100969142B1 (ko) * 2008-01-25 2010-07-08 알티전자 주식회사 측면 발광 다이오드 패키지
US8598602B2 (en) 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR100993072B1 (ko) * 2010-01-11 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP4951090B2 (ja) 2010-01-29 2012-06-13 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
JP2012079723A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
CN102456812B (zh) * 2010-10-28 2015-08-12 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
KR101693642B1 (ko) 2010-12-21 2017-01-17 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 제조방법
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
CN102856468B (zh) * 2011-06-30 2015-02-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102522487B (zh) * 2011-12-05 2014-10-15 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其led封装结构
JP2014107447A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Nitto Denko Corp 封止シート、光半導体装置およびその製造方法
JP5549759B2 (ja) * 2013-05-22 2014-07-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及び面発光装置並びに発光装置用パッケージ
WO2015076591A1 (ko) * 2013-11-21 2015-05-28 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제작 방법
KR20150092423A (ko) * 2014-02-04 2015-08-13 삼성디스플레이 주식회사 발광소자 패키지
DE102014108368A1 (de) * 2014-06-13 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2017130588A (ja) * 2016-01-21 2017-07-27 旭化成株式会社 紫外線発光装置
KR102362874B1 (ko) * 2017-07-17 2022-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111668357A (zh) * 2019-03-06 2020-09-15 隆达电子股份有限公司 封装体
JP7381910B2 (ja) 2021-08-26 2023-11-16 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138397A (ja) * 1998-11-04 2000-05-16 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ発光体及びそれを用いた面状発光光源
JP2001015542A (ja) * 1999-07-02 2001-01-19 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2003218401A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
JP2003347345A (ja) * 2002-05-24 2003-12-05 Toshiba Corp 半導体装置、その製造方法及び製造装置
JP2004207688A (ja) * 2002-12-09 2004-07-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびそれを用いた面状光源
JP2005045199A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Seoul Semiconductor Co Ltd チップ発光ダイオード及びその製造方法
JP2005285899A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd 発光ダイオードのパッケージ構造

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63200551A (ja) * 1987-02-17 1988-08-18 Matsushita Electronics Corp リ−ドフレ−ム
JPH0414943U (ja) 1990-05-24 1992-02-06
JPH07176791A (ja) 1993-12-17 1995-07-14 Rohm Co Ltd 発光表示装置
JP3642823B2 (ja) 1995-03-27 2005-04-27 ローム株式会社 側面発光装置
JP3271542B2 (ja) * 1997-02-25 2002-04-02 松下電工株式会社 半導体装置
JP3228321B2 (ja) * 1997-08-29 2001-11-12 日亜化学工業株式会社 チップタイプｌｅｄ
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP2002270859A (ja) 2000-11-27 2002-09-20 Mitsui Chemicals Inc 光電素子用パッケージおよびその製造方法
DE10117889A1 (de) 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US7019335B2 (en) * 2001-04-17 2006-03-28 Nichia Corporation Light-emitting apparatus
JP2003008072A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US6864166B1 (en) * 2001-08-29 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Method of manufacturing wire bonded microelectronic device assemblies
JP4239564B2 (ja) * 2002-11-15 2009-03-18 豊田合成株式会社 発光ダイオードおよびｌｅｄライト
JP2003168824A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示器及びその製造方法
EP2397875A3 (en) * 2001-12-14 2012-05-02 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Uniform illumination system
JP2003209293A (ja) * 2002-01-17 2003-07-25 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP4214704B2 (ja) 2002-03-20 2009-01-28 日亜化学工業株式会社 半導体素子
JP2003347600A (ja) 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ実装基板
DE10228634A1 (de) * 2002-06-26 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
JP4221649B2 (ja) * 2002-09-02 2009-02-12 スタンレー電気株式会社 波長変換素子並びにその製造方法
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP3991961B2 (ja) 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
KR20040021951A (ko) * 2002-09-06 2004-03-11 럭스피아 주식회사 백색 발광다이오드
JP2004288827A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄランプ
TWI249864B (en) * 2003-03-20 2006-02-21 Toyoda Gosei Kk LED lamp
JP4360858B2 (ja) * 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置
JP2005167136A (ja) * 2003-12-05 2005-06-23 Masami Nei 半導体発光装置及びその製造方法
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
CN1630133A (zh) 2003-12-18 2005-06-22 摩托罗拉公司 天线辐射器装置和无线通信装置
JP4161899B2 (ja) 2003-12-22 2008-10-08 松下電工株式会社 光導波路モジュール
JP2005235864A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Hamamatsu Photonics Kk 光半導体装置
JP4572312B2 (ja) * 2004-02-23 2010-11-04 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
TWI257184B (en) * 2004-03-24 2006-06-21 Toshiba Lighting & Technology Lighting apparatus
JP2005294736A (ja) 2004-04-05 2005-10-20 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
TWI385816B (zh) * 2004-04-28 2013-02-11 Verticle Inc 垂直結構的半導體裝置
KR100649558B1 (ko) 2004-05-31 2006-11-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP4544619B2 (ja) * 2004-06-08 2010-09-15 ローム株式会社 発光ダイオードランプ
KR100501202B1 (ko) * 2004-11-02 2005-07-18 삼성전기주식회사 측면형 발광 다이오드 및 이를 구비하는 백라이트 장치
KR100780176B1 (ko) 2005-11-25 2007-11-27 삼성전기주식회사 측면 방출 발광다이오드 패키지

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138397A (ja) * 1998-11-04 2000-05-16 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ発光体及びそれを用いた面状発光光源
JP2001015542A (ja) * 1999-07-02 2001-01-19 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2003218401A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
JP2003347345A (ja) * 2002-05-24 2003-12-05 Toshiba Corp 半導体装置、その製造方法及び製造装置
JP2004207688A (ja) * 2002-12-09 2004-07-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびそれを用いた面状光源
JP2005045199A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Seoul Semiconductor Co Ltd チップ発光ダイオード及びその製造方法
JP2005285899A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd 発光ダイオードのパッケージ構造

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016035508A1 (ja) * 2014-09-01 2016-03-10 シャープ株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101621110A (zh) 2010-01-06
CN103094457B (zh) 2016-02-24
CN103094457A (zh) 2013-05-08
JP2007150315A (ja) 2007-06-14
KR100910479B1 (ko) 2009-08-04
EP2112698B1 (en) 2014-01-08
KR20070055361A (ko) 2007-05-30
KR100780176B1 (ko) 2007-11-27
US10096756B2 (en) 2018-10-09
KR20070097393A (ko) 2007-10-04
US20160315239A1 (en) 2016-10-27
CN101621110B (zh) 2011-08-24
US20090321779A1 (en) 2009-12-31
JP5567759B2 (ja) 2014-08-06
EP2315265A1 (en) 2011-04-27
US20070120234A1 (en) 2007-05-31
EP1791190A1 (en) 2007-05-30
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