JP2010225754A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光軸を中心として角度θ方向に対象な指向特性を有する所謂サイドビュータイプの半導体発光装置を提供する。
【解決手段】
主として装置実装面と略平行方向に光を放射する半導体発光装置であり、装置実装面と平行な主面上に半導体発光素子を搭載し、半導体発光素子の投光方向前方において半導体発光素子から放射された光が主面と交差する位置に切り欠き部を有するベース基板と、半導体発光素子を埋設するとともに切り欠き部を埋めるようにベース基板上に設けられた光透過性を有する第1の封止樹脂と、を含む。半導体発光素子から放射された光は、切り欠き部を経由して光放射面から放射される。
【選択図】図3
【解決手段】
主として装置実装面と略平行方向に光を放射する半導体発光装置であり、装置実装面と平行な主面上に半導体発光素子を搭載し、半導体発光素子の投光方向前方において半導体発光素子から放射された光が主面と交差する位置に切り欠き部を有するベース基板と、半導体発光素子を埋設するとともに切り欠き部を埋めるようにベース基板上に設けられた光透過性を有する第1の封止樹脂と、を含む。半導体発光素子から放射された光は、切り欠き部を経由して光放射面から放射される。
【選択図】図3
Description
本発明は半導体発光装置に関し、特に主として装置実装面と略平行方向に光を放射する所謂サイドビュー型の半導体発光装置に関する。
液晶表示装置に用いられるバックライトには、エッジライト方式と直下型方式がある。一般的に、携帯電話端末やノート型パソコンなどに搭載される薄型の液晶表示装置には、エッジライト方式が採用されている。エッジライト方式では、光透過性を有する導光板の側面から光源からの光を入射させ、導光板の表面に設けられた反射ドットなどを利用して光の進路を変えることにより導光板全面が均一に光るようになっており、かかる面発光によって液晶表示装置のバックライトを構成している。
エッジライト方式に用いられる光源としては、冷陰極管(CCLF)の他、携帯電話などの小型液晶表示装置の場合には、発光ダイオード(LED)が用いられる。エッジライト方式に用いられるLEDは、LEDパッケージの実装面と略垂直方向に光放射面を有する所謂サイドビュータイプのLEDが用いられる。
図1に、従来のサイドビュータイプの半導体発光装置の構造例を示す。従来のサイドビュータイプの半導体発光装置は、表面に電極を有する第1基板100と、第1基板100上に搭載されたLEDチップ110と、第1基板2上に設けられたスペーサ120と、スペーサ120を挟んで第1基板100と対向するように設けられた第2基板130と、第1基板100、第2基板130、スペーサ120によって囲まれた空間を充填し、LEDチップ110を埋設するように設けられた透光性樹脂140とを有する。
上記した従来構造の半導体発光装置においては、光放射面300から放射される光の指向特性が傾くといった問題があった。図2は、上記した従来のサイドビュータイプLEDの指向特性図であり、軸上光度を100%としたときに、光源に対して角度θ傾いた方向から見える光度の割合を示したものである。同図に示すように、光源からの光の広がりは、水平方向に対して対称とはならず、LEDチップ110の搭載面よりも下方(装置実装面側)の光度が低く、チップ搭載面よりも上方の光度がより高くなる傾向がある。これは、図1に示すようにLEDチップ110から装置実装面200側に向けて放射される光は、第1基板100の表面で反射されるためである。かかる光の指向特性では、導光板への光の入射効率が低下し、導光板の面内で輝度ムラが生じる原因となる。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、光軸に対して対象な指向特性を有する所謂サイドビュータイプの半導体発光装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体発光装置は、主として装置実装面と略平行方向に光を放射する半導体発光装置であって、前記装置実装面と平行な主面上に半導体発光素子を搭載し、前記半導体発光素子の投光方向前方において前記半導体発光素子から放射された光が前記主面と交差する位置に切り欠き部を有するベース基板と、前記半導体発光素子を埋設するとともに前記切り欠き部を埋めるように前記ベース基板上に設けられた光透過性を有する第1の封止樹脂と、を含み、前記半導体発光素子から放射された光は、前記切り欠き部を経由し放射されることを特徴としている。
また、本発明の半導体発光装置は、装置実装面と略平行方向に光を放射する半導体発光装置であって、表面に半導体発光素子を実装し、且つ、裏面を前記装置実装面とするベース基板と、前記半導体発光素子を封止する第1の封止樹脂と、前記第1の封止樹脂の周囲を部分的に取り囲むスペーサ部材と、前記半導体発光素子、前記第1の封止樹脂および前記スペーサ部材の上方を覆う第2の封止樹脂と、前記ベース基板、前記スペーサ部材および前記第2の封止樹脂によって画定され、前記装置実装面に対して略平行方向を向いた光放射面とを含み、前記光放射面を画定する前記ベース基板の縁の一部に切り欠きを設けていることを特徴としている。
また、本発明の半導体発光装置の製造方法は、ダイパッドと、前記ダイパッドに隣接した切り欠き部を設けたベース基板を準備する工程と、前記ダイパッドに半導体発光素子を実装する工程と、前記ベース基板上であって前記半導体発光素子の周辺にスペーサを固定する工程と、前記半導体発光素子の周辺に光透過性樹脂を充填する工程と、前記スペーサ上に枠部材を固定する工程と、前記枠部材、前記光透過性樹脂、前記スペーサによって囲まれた場所に封止樹脂を充填する工程と、を含むことを特徴としている。
本発明の半導体発光装置によれば、液晶表示装置のバックライトを構成する導光板等に適用して好適な、光軸を中心とする角度θ方向に対称な指向特性を得ることが可能となる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明する。図3〜図5は、本発明の実施例である半導体発光装置1の構成を示す図であり図3は上面図、図4は図3における4−4線に沿った断面図、図5は図3における5−5線に沿った断面図である。尚、図3においては、半導体発光装置1の上方から見た構造を明らかにするために、第1の封止樹脂50と第2の封止樹脂60の構成は示されていない。
本実施例に係る半導体発光装置1は、主に発光素子としてのLEDチップ10と、LEDチップ10が搭載されるベース基板20と、LEDチップ10の上方を覆いLEDチップ10等を封止する第2の封止樹脂60と、第2の封止樹脂60の形成領域を画定する枠部材40と、ベース基板20と第2の封止樹脂60との間に空間を形成するためのスペーサ部材30と、前記空間を充たす光透過性を有する第1の封止樹脂50と、により構成される。
発光素子としてのLEDチップ10は、例えばGaN系半導体からなる青色LEDであり、n層、発光層、p層(いずれも図示せず)からなる半導体膜の積層構造を有する。LEDチップの上面には、アノード電極およびカソード電極(図示せず)が形成されている。LEDチップ10のチップサイズは例えば0.3mm×0.3mmであり、厚みは例えば0.1mmである。LEDチップ10は、はんだ付け又は接着剤等を用いた接合方法によりベース基板20上に形成されたダイパッド21上に搭載される。
ベース基板20は、例えばガラスエポキシ樹脂からなる基材の表面にCu箔等からなる導体パターンが形成されて構成される。かかる導体パターンによって、ベース基板20の中央部にはダイパッド21が形成され、このダイパッド21を挟む両側にはボンディングパッド22が形成される。LEDチップ10の上面のアノード電極およびカソード電極は、ボンディングワイヤー11を介してボンディングパッド22と電気的に接続される。ベース基板20の裏面は、実装基板に搭載するための装置実装面となっている。装置実装面70には、図示しないスルーホールを介して各ボンディングパッド22に電気的に接続された裏面配線23が形成されている。裏面配線23は、実装基板に搭載するための接合部を構成する。
ベース基板20には、図3に示すように、半導体発光装置1の発光面80側すなわちLEDチップ10に対して投光方向前方に切り欠き部90を有する。切り欠き部90の伸張方向における長さは、LEDチップ10の一辺の長さよりも長い。
ベース基板20上には、ベース基板20と第2の封止樹脂60との間に空間を形成するためのスペーサ部材30が設けられている。スペーサ部材30は、図3に示すように上面視において略半円状の切り欠き部31を有する。スペーサ部材30は、切り欠き部31の中央にLEDチップ10が位置するように設けられる。すなわち、LEDチップ10は、発光面80側に開口したスペーサ部材30に囲まれる。スペーサ部材30の基材としては、ベース基板20と同じガラスエポキシ樹脂を用いることが可能であり、ベース基板20との接合には、例えば市販の接着シート等を用いることが可能である。スペーサ部材30の厚さは、ボンディングワイヤー11のループ頂部と第2の封止樹脂60との間にクリアランスを設けることを考慮して、例えば0.2mm程度とされる。尚、スペーサ部材30の半円状の切り欠き部31の内壁には、金属膜等の光反射部材を設けることとしてもよく、又、アルミナ等の光反射性を有する材料をスペーサ部材30の基材として用いてもよい。
スペーサ部材30によって囲まれたベース基板20上の空間には、例えばシリコーン樹脂等からなる光透過性を有する第1の封止樹脂50が充填され、LEDチップ10およびボンディングワイヤー11は、この第1の封止樹脂50の内部に埋設される。また、図5に示すように、切り欠き部90も第1の封止樹脂50で充たされる。第1の封止樹脂50内には、蛍光体を分散させてもよい。蛍光体としては、例えばYAGに付活剤としてCe(セリウム)を導入したYAG:Ce蛍光体を用いることができる。蛍光体は、LEDチップ10から放射されるピーク波長が約460nmの青色光を吸収してこれを波長560nm前後に発光ピークを持つ黄色光に変換する。これにより発光面80からは、蛍光体から発せられた黄色光と、波長変換されず第1の封止樹脂50を透過した青色光が混ざることにより白色光が得られるようになっている。尚、第1の封止樹脂50内部には、例えば粒径1〜5μmの石英(シリカ)又はダイヤモンド粒子等の光散乱材を更に含有させることとしてもよい。
スペーサ部材30上には、半導体発光装置1の側端面に沿って互いに対向するように配置された一対の枠部材40が設けられる。枠部材40は、例えばガラスエポキシ樹脂を用いることが可能であり、スペーサ部材30との接合には、市販の接着シートを用いることができる。互いに対向するように設けられた一対の枠部材40で挟まれた空間には、第2の封止樹脂60が注入される。第2の封止樹脂60は、LEDチップ10およびボンディングワイヤー11等を封止する封止材として機能するとともに、光放射面80以外の面から光が漏れるのを防止する。従って、第2の封止樹脂60の材料としては、光反射性に優れた樹脂材料を用いることが好ましく、例えば、シリコーン樹脂等からなる光透過性樹脂に酸化チタンの粉末を含有させたものを第2の封止樹脂60として用いることができる。このように、LEDチップ10を高反射率部材で囲むことにより、光放射面80からの光取り出し効率を向上させることが可能となる。
かかる半導体発光装置1の構成において、ベース基板20に切り欠き部90を設けたことにより、図5に示すように、LED10の投光方向前方にLEDチップ10から放射される光を遮断する領域が排除され、これに伴ってLEDチップ10は光放射面80における発光領域の中心に配置されることとなる。すなわち、LEDチップ10から放射された光は、切り欠き部90を経由して、ベース基板20に遮られることなく光放射面80から出射され、LEDチップ10から装置実装面70側に向かう光も直接取り出すことが可能となる。これにより、LEDチップ10を中心とした角度θ方向における光度の分布を均一にすることが可能となり、本発明の半導体発光装置を液晶表示パネルのバックライトの光源として用いることにより導光板主面から均一な光を放射させることが可能となる。また、切り欠き部90は光散乱材が含有された第1の封止樹脂50で埋められることにより、ここを通過する光が散乱されて良好な指向特性を得ることができる。
尚、切り欠き部90は、図5に示すようにベース基板20を貫通するように形成されるが、図6に示すように、ベース基板20の下面側を残すように形成されていてもよい。また、切り欠き部90の形状、寸法および形成領域は、所望の指向特性が得られる範囲で適宜改変することが可能である。
また、半導体発光装置1の上面は、第2の封止樹脂60に替えてスペーサ部材30を挟んでベース基板20と対向するように設けられた樹脂基板やセラミック基板等の板材で覆うこととしてもよい。この場合、板材の少なくとも第1の封止樹脂50と接する面が高反射率部材で構成されていることが好ましい。
また、本実施例では、光放射面は1面のみとしたが、装置実装面70と交差する2つ以上の面が光放射面であってもよい。
図7は、本発明の半導体発光装置1を光源として用いた液晶表示装置用のバックライトの構成を示す斜視図である。複数の半導体発光装置1は、導光板500の片端面に取り付けられる。導光板500の後方には、反射シート510が設けられ、導光板500の前方には、拡散シート520およびプリズムシート530が設けられる。半導体発光装置1からの光は、導光板全体に拡散される。反射シート510は、導光板からの透過光を前方に向けて反射する。拡散シート520は、導光板500からの光の強度ムラを改善する。プリズムシートは拡散シートからの入射光の強度を均斉にして前方に設けられる液晶ディスプレイへ導光する。
次に本実施例に係る半導体発光装置1の製造方法を図8〜10を参照しつつ説明する。図8(a)〜(d)および図9(e)〜(g)は、半導体発光装置1の各製造工程における上面図である。図10(a)〜(c)は、それぞれ、半導体発光装置1の製造に用いられる複数のベース基板20を含む第1の樹脂基板25、複数のスペーサ部材30を含む第2の樹脂基板35、および複数の枠部材40を含む第3の樹脂基板45の上面図である。本実施例では、上記各樹脂基板25、35および45を用いて複数の半導体層体発光装置が一括して製造される。尚、図8および図9においては、一括製造される複数の半導体発光装置のうち4つを抜き出して示している。
はじめに、第1の樹脂基板25を用意する。第1の樹脂基板25には複数のベース基板20の個片が縦横方向に配列され、これらが一体的に形成されている(図8(a)、図10(a))。第1の樹脂基板25内の各ベース基板20の個片には、中央部にダイパッド21が設けられ、ダイパッド21を挟む両側にボンディングパッド22を有している。ボンディングパッド22はスルーホール24を介して裏面配線23と電気的に接続されている。ダイパッド21には、切り欠き部90を構成する貫通孔が形成されている。図10(a)においては、ダイパッド21、ボンディングパッド22および切り欠き部90の構成は省略されており、互いに隣接するベース基板20の個片同士の境界が破線で示されている。
次に、各ベース基板20のダイパッド21上にディスペンス法により接着剤を塗布した後、LED10チップをマウントし、接着剤を硬化させる。次に、LEDチップ10の表面に設けられたアノード電極およびカソード電極とボンディングパッド22との間をボンディングワイヤー11で結線する(図8(b))。尚、LEDチップ10の裏面がアノード電極又はカソード電極となっている裏面電極タイプのLEDチップを使用する場合、裏面配線23およびダイパッド21を介してLEDチップ10に電源供給できるように、ベース基板20の導体パターンは適宜改変される。また、この場合、LEDチップ10とベース基板20との接合は、Agペーストや半田等の導電性接合材を用いて行われ、ボンディングワイヤーの本数は1本となる。
次に、第2の樹脂基板35を用意する。図10(b)に示すように、第2の樹脂基板35には、複数のスペーサ部材30の個片が縦横方向に配列され、これらが一体的に形成されている。第2の樹脂基板35には、スペーサ部材30の半円形状の切り欠き部31を構成する複数の貫通穴31aが形成されている。図10(b)においては、互いに隣接するスペーサ部材30の個片同士の境界が破線で示されている。
そして、LEDチップ10が搭載された第1の樹脂基板25と第2の樹脂基板35とを接着シート等を用いて貼り合わせる。第2の樹脂基板35は、ベース基板20に搭載された互いに隣接する2つのLEDチップ10およびボンディングワイヤー11が貫通孔31aから露出するように第1の樹脂基板25に接合される(図8(c))。
次に、ディスペンス法等により貫通孔31aの内部において、LEDチップ10およびボンディングワイヤー11を埋設するように、シリコーン樹脂等からなる第1の封止樹脂50を充填する。第1の封止樹脂50は、その上面がスペーサ部材30の上面の高さと略同じ位置となるように塗布される。尚、LEDチップ10の上部における第1の封止樹脂50の塗布厚を他の部分よりも若干厚くして凸状とすることにより、光軸近傍の光放射面の面積が拡大され、光取り出し効率が向上する(図8(d))。
次に、図10(c)に示すように、複数の枠部材40の組を含む板厚150μm程度の第3の樹脂基板45を用意する。第3の樹脂基板45には、一対の枠部材40の離隔距離を画定する複数の貫通溝41が形成されている。図10(c)においては、互いに隣接する枠部材40の組同士の境界が破線で示されている。次に、接着シート等を用いて第2の樹脂基板35と第3の樹脂基板45とを貼り合わせる。第3の樹脂基板45は、貫通溝41内において第1の封止樹脂50で埋められた貫通孔31aの各々が完全に露出するように接合される。これにより、半導体発光装置1の両側端部に相当する位置に一対の枠部材40が設けられ、スペーサ部材30および第1の封止樹脂50の表面を底面とする凹状空間が形成される(図9(e))。
次に、一対の枠部材40の間に形成された凹状空間に、ディスペンス法等によりシリコーン樹脂に酸化チタンの粉末を含有させた第2の封止樹脂60を充填する。第2の封止樹脂60は、その上面が枠部材40の上面の高さと略同じ位置となるように塗布されるが、このとき、第1の封止樹脂50の表面から突出したボンディングワイヤー11のループ頂部は、第2の封止樹脂60内部に埋設される(図9(f))。
次に、第2の封止樹脂60を硬化させた後、上記各工程を経た構造体をダイシングすることにより、半導体発光装置1を個片化する(図9(g))。以上の各工程を経ることにより半導体発光装置1が完成する。
10 LEDチップ
11 ボンディングワイヤー
20 ベース基板
21 ダイパッド
22 ボンディングパッド
30 スペーサ部材
40 枠部材
50 第1の封止樹脂
60 第2の封止樹脂
70 装置実装面
80 光放射面
11 ボンディングワイヤー
20 ベース基板
21 ダイパッド
22 ボンディングパッド
30 スペーサ部材
40 枠部材
50 第1の封止樹脂
60 第2の封止樹脂
70 装置実装面
80 光放射面
Claims (11)
- 装置実装面と略平行方向に光を放射する半導体発光装置であって、
前記装置実装面と平行な主面上に半導体発光素子を搭載し、前記半導体発光素子の投光方向前方において前記半導体発光素子から放射された光が前記主面と交差する位置に切り欠き部を有するベース基板と、
前記半導体発光素子を埋設するとともに前記切り欠き部を埋めるように前記ベース基板上に設けられた光透過性を有する第1の封止樹脂と、を含み、
前記半導体発光素子から放射された光は、前記切り欠き部を経由して放射されることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記切り欠き部は、前記ベース基板を貫通していることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記切り欠き部は、前記半導体発光素子の一辺の長さよりも長いことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記半導体発光素子は、光放射面における発光領域の中心に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記第1の封止樹脂は、蛍光体を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第1の封止樹脂は、光散乱材を含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第1の封止樹脂の上に設けられた第2の封止樹脂を更に有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第2の封止樹脂は光反射性を有することを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置。
- 装置実装面と略平行方向に光を放射する半導体発光装置であって、
表面に半導体発光素子を実装し、且つ、裏面を前記装置実装面とするベース基板と、
前記半導体発光素子を封止する第1の封止樹脂と、
前記第1の封止樹脂の周囲を部分的に取り囲むスペーサ部材と、
前記半導体発光素子、前記第1の封止樹脂および前記スペーサ部材の上方を覆う第2の封止樹脂と、
前記ベース基板、前記スペーサ部材および前記第2の封止樹脂によって画定され、前記装置実装面に対して略垂直方向を向いた光放射面とを含み、
前記光放射面を画定する前記ベース基板の縁の一部に切り欠きを設けていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1乃至9のいずれか1つに記載の半導体発光装置を光源とする液晶表示装置用バックライト。
- ダイパッドと、前記ダイパッドに隣接した切り欠き部を設けたベース基板を準備する工程と、
前記ダイパッドに半導体発光素子を実装する工程と、
前記ベース基板上であって前記半導体発光素子の周辺にスペーサを固定する工程と、
前記半導体発光素子の周辺に光透過性樹脂を充填する工程と、
前記スペーサ上に枠部材を固定する工程と、
前記枠部材、前記光透過性樹脂、前記スペーサによって囲まれた場所に封止樹脂を充填する工程と、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012124587A1 (ja) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | シャープ株式会社 | 波長変換部材およびその製造方法、ならびに、発光装置、照明装置および前照灯 |
JP2012204072A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Sharp Corp | 発光装置、照明装置および車両用前照灯 |
JP2015103632A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置 |
CN105210202A (zh) * | 2013-05-10 | 2015-12-30 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发光半导体器件和用于制造发光半导体器件的方法 |
JP2016208037A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | ルーメンス カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びバックライトユニット |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101873996B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2018-08-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 광원 장치 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, 표시 장치 |
WO2019112397A1 (ko) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | 서울반도체주식회사 | 백라이트 유닛 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002111069A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2003037293A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | チップ部品型発光素子とその製造方法 |
JP2004087973A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Sharp Corp | 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2005167136A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Masami Nei | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2008277073A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2008288230A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Citizen Electronics Co Ltd | バックライト光源 |
JP2009038188A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 表示装置用ledランプ及びled表示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5127988B2 (ja) * | 1972-09-05 | 1976-08-16 | ||
JP4102240B2 (ja) * | 2003-04-08 | 2008-06-18 | 株式会社小糸製作所 | 車両用前照灯 |
JP2006237217A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Toshiba Discrete Technology Kk | 半導体発光装置及び面発光装置 |
JP2007059612A (ja) | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Sharp Corp | 発光ダイオード |
JP2007109948A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
TWM303493U (en) * | 2006-07-21 | 2006-12-21 | Lighthouse Technology Co Ltd | Support rack structure and metal support rack of side light source SMD LED |
JP4345852B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2009-10-14 | 株式会社デンソー | 発光ダイオード装置 |
JP5035995B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2012-09-26 | 株式会社小糸製作所 | 光源モジュール及び車輌用灯具 |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002111069A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2003037293A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | チップ部品型発光素子とその製造方法 |
JP2004087973A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Sharp Corp | 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2005167136A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Masami Nei | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2008277073A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2008288230A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Citizen Electronics Co Ltd | バックライト光源 |
JP2009038188A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 表示装置用ledランプ及びled表示装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012124587A1 (ja) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | シャープ株式会社 | 波長変換部材およびその製造方法、ならびに、発光装置、照明装置および前照灯 |
JP2012204072A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Sharp Corp | 発光装置、照明装置および車両用前照灯 |
CN105210202A (zh) * | 2013-05-10 | 2015-12-30 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发光半导体器件和用于制造发光半导体器件的方法 |
JP2016517186A (ja) * | 2013-05-10 | 2016-06-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 発光半導体素子および発光半導体素子の製造方法 |
US9837591B2 (en) | 2013-05-10 | 2017-12-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting semiconductor component and method of producing light-emitting semiconductor components |
JP2015103632A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置 |
JP2016208037A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | ルーメンス カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びバックライトユニット |
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Publication number | Publication date |
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