JP2008288230A - バックライト光源 - Google Patents

バックライト光源 Download PDF

Info

Publication number
JP2008288230A
JP2008288230A JP2007128778A JP2007128778A JP2008288230A JP 2008288230 A JP2008288230 A JP 2008288230A JP 2007128778 A JP2007128778 A JP 2007128778A JP 2007128778 A JP2007128778 A JP 2007128778A JP 2008288230 A JP2008288230 A JP 2008288230A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
led
chip
backlight
semicircular recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007128778A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5270861B2 (ja
Inventor
Mitsusato Ishizaka
光識 石坂
Teppei Takano
鉄平 高野
Junji Miyashita
純二 宮下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP2007128778A priority Critical patent/JP5270861B2/ja
Priority to US12/121,482 priority patent/US7731405B2/en
Publication of JP2008288230A publication Critical patent/JP2008288230A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5270861B2 publication Critical patent/JP5270861B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】ＬＥＤからの照射光の中心は、ＬＥＤを搭載するチップ基板の厚み分だけ高くなる。また、チップ基板の厚み分だけ照射光の中心が高いため、ＬＥＤからの照射光を導光する導光板の下面側への照射光が減ずる。
【解決手段】半円状凹部の壁面に第１の反射部を形成した第１の基板と、半円状凹部の壁面に第２の反射部を形成した第２の基板と、ＬＥＤ搭載部とで構成し、前記ＬＥＤ搭載部は前記第１の基板の下面に前記ＬＥＤが前記第１の反射部の半円状凹部内に位置するように配設し、前記第２の基板は前記第１の基板の上面に前記第１の反射部の半円状凹部と前記第２の反射部の半円状凹部がほぼ同一円心となるように配設する。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶表示装置等の導光板方式バックライト光源に用いるチップ型ＬＥＤ（発光ダイオード：light-emitting diode）に関するものであり、そのチップ型ＬＥＤの構造に係る。
一般的に、バックライト光源用のＬＥＤは、チップ基板上にＬＥＤを搭載し、このＬＥＤを囲うように反射壁面を形成し、この壁面の一部に開口部を設けて、導光板に光を照射する。（例えば、特許文献１参照）
以下、特許文献１に記載された従来のバックライト光源を図面にもとづいて説明する。
図６は、従来のバックライト光源に用いるチップ型ＬＥＤの斜視図である。図６において、５０は側面発光型のチップ型ＬＥＤである。５２はチップ基板、５３ａ、５３ｂは電極端子、５４はＬＥＤ、５５は光透過樹脂、５６は反射枠体、５９は実装基板の配線パターンを示す。
ＬＥＤ５４は、電極端子５３ａ、５３ｂとダイボンドパターン５３ｃが形成されたチップ基板５２の上に実装してある。ＬＥＤ５４の周囲の３面は反射枠体５６で囲ってあり、反射枠体５６の内壁５６ａ、５６ｂ、５６ｃは金属メッキ等による反射面となっている。また、反射枠体５６の内部は光透過樹脂５５でモールドしてあり、反射枠体５６で囲っていない開口部の光出射面５５ａから外部に向けてＬＥＤ５４の発光光を出射するのである。
ＬＥＤ５４の正負両極はチップ基板５２の両端面の電極端子５３ａ、５３ｂにダイボンドおよび、ワイヤボンドにより導通され、両電極端子５３ａ、５３ｂは実装基板５９の配線パターン５９に導通接続される。
つまり、従来のチップ型ＬＥＤ５０は、チップ基板５２の上に実装したＬＥＤ５４の発光光を反射壁面５６ａ、５６ｂ、５６ｃにより反射し、光出射面５５ａから外部に向けて効率よく光を照射するチップ型ＬＥＤの構造となっている。
特開２００５−２２３０８２号（第３−４頁、第１図）
しかしながら、前述の特許文献１に記載の従来のチップ形ＬＥＤ５０は、ＬＥＤ５４をチップ基板５２の上に搭載実装し、更にＬＥＤ５４の上面からワイヤボンド線を引き出すため、チップ型ＬＥＤ５０は厚みがあり、以下の問題があった。この様子を図面にもとづいて説明する。
図７は、従来のチップ型ＬＥＤと導光板の配置の部分断面図である。チップ型ＬＥＤ５０は、チップ基板５２上にＬＥＤ５４を搭載する。その総厚は符号６４で示す。また、その発光光は、隣接する導光板６０の側面に照射される。
ここで、ＬＥＤ５４は、厚みを符号６１で示すチップ基板５２の上に搭載してあるので、ＬＥＤ５４からの照射光６５の中心はチップ基板５２の厚み分だけ高くなる。従って、導光板６０もチップ型ＬＥＤ５０の厚みに合わせて厚いものとしなければならないという課題があった。
また、チップ基板５２の厚み分だけ照射光６５の中心が高いため、導光板６０の下面側への照射光６５が減ずるという問題もあった。
すなわち、本発明の目的は、バックライト光源用チップ型ＬＥＤの厚みを薄くし、照射効率の低下なく薄型の導光板に適したバックライト光源を提供することにある。
本発明のバックライト光源は、基本的には下記記載の構成要件を採用するものである。
まず、半円状凹部の壁面に第１の反射部を形成した第１の基板と、半円状凹部の壁面に第２の反射部を形成した第２の基板と、前記半円状凹部の下面側を塞ぐＬＥＤ搭載部とで構成し、前記ＬＥＤ搭載部は前記第１の基板の下面に前記ＬＥＤが前記第１の反射部の半円状凹部内に位置するように配設し、前記第２の基板は前記第１の基板の上面に前記第１の反射部の半円状凹部と前記第２の反射部の半円状凹部がほぼ同一円心となるように配設したことを特徴とする。
また、半円状凹部の壁面に反射部を形成した第１の基板と、前記半円状凹部の下面側を塞ぐＬＥＤ搭載部とで構成し、前記ＬＥＤ搭載部は前記第１の基板の下面に前記ＬＥＤが前記第１の反射部の半円状凹部内に位置するように配設したことを特徴とする。
また、前記ＬＥＤの第１および第２取り出し電極と前記第１の基板上に設けた第１電極および第２電極間は各々金属線で結線することを特徴とする。
また、前記半円状凹部の下面側を塞ぐＬＥＤ搭載部は、金属板あるいは基板の下面電極の一部であることを特徴とする。
また、前記半円状凹部の下面側を塞ぐＬＥＤ搭載部は、金属板あるいは基板の下面電極の一部であって、前記第１の基板上に設けた第１電極あるいは第２電極間と導通することを特徴とする。
また、前記半円状凹部の壁面で形成される空間は、透明樹脂もしくは蛍光粒子入り樹脂によりモールドしたことを特徴とする。
また、前記透明樹脂もしくは蛍光粒子入り樹脂の上面はモールド材あるいはメッキなどで塞いだことを特徴とする。
また、前記壁面の反射部は、方形形状、あるいは、多角形形状、あるいは、楕円形状であることを特徴とする。
つまり、本発明によれば、薄い基板等にＬＥＤを搭載し、このＬＥＤ搭載部を下段の第１の基板と、この第１の基板上に配置した第２の基板の双方の反射部を形成する凹部にＬＥＤが位置するように配置し、このＬＥＤからの取り出し結線を第１の基板上に配置することで、ＬＥＤ搭載部とＬＥＤ結線の高さを押さえ、かつ、充分な大きさの反射部を備えた薄型のバックライト光源を提供できるのである。
本発明によるバックライト光源の第１の実施形態を図面にもとづき説明する。本発明の最も特徴的な構造は、薄い基板にＬＥＤを搭載し、反射凹部を設けた第１の基板の前記反射凹部に前記ＬＥＤが位置するように、前記第１の基板下面に前記ＬＥＤ搭載部を配置したことにある。
図１は、本発明によるバックライト光源用チップ型ＬＥＤの平面図である。図２は、本発明によるバックライト光源のチップ型ＬＥＤの正面図である。図３は、本発明によるバックライト光源のチップ型ＬＥＤの斜視図である。
図１、図２、図３において、符号１０はバックライト光源のチップ型ＬＥＤである。以下、符号１２は第１の基板、１２ａは第１の反射面、１３は第２の基板、１３ａは第２の反射面、１４はＬＥＤ、１５はＬＥＤ搭載部、１６は枠体、１６ａと１６ｂは第１および第２スルーホール、１７ａと１７ｂは第１および第２電極、１８ａと１８ｂは第１および第２ボンディングワイヤ、１９は光透過樹脂、１９ａは光出射面である。
まず、本発明によるバックライト光源用チップ型ＬＥＤの構造を説明する。
チップ型ＬＥＤ２０の厚み方向の配置は、図２の正面図に示すように、ＬＥＤ１４をＬＥＤ搭載部１５の上に配置し、ＬＥＤ搭載部１５は第１の基板１２の下面に配置する。また、第２の基板１３は第１の基板１２の上面に配置する。なお、ＬＥＤ１４は、第１および第２の正負両取り出し電極ともＬＥＤ１４の上面に位置するものであり、ＬＥＤ搭載部１５は金属または絶縁体のいずれであっても良い。
あるいは、ＬＥＤ搭載部１５は、第１の基板１２の半円状凹部の下面側を塞ぐ金属板あるいは基板１２の下面電極の一部であっても良い。下面電極の一部の場合は、ＬＥＤ搭載部１５は第１スルーホール１６ａあるいは第２スルーホール１６ｂと導通する。図２では、ＬＥＤ搭載部１５と第２スルーホール１６ｂが符号１５ｂで導通している例を示す。
次に、チップ型ＬＥＤ２０の平面配置は、図１の平面図に示すように、ＬＥＤ１４は第１の基板１２の凹部に形成した第１の反射面１２ａおよび第２の基板１３の凹部に形成した第１の反射面１３ａのほぼ中央に配置する。つまり、第１の基板１２の凹部と第２の基板１３の凹部は、ほぼ同心円で、双方の凹部のほぼ中央にＬＥＤ１４の発光部を配置する。そして、ＬＥＤ１４をほぼ中央に配置した第１の基板１２と第２の基板１３の凹部を形成する枠体１６で囲われた空間は、図２の正面図に示すように、光透過樹脂１９で満たしてある。
また、ＬＥＤ１４の第１および第２取り出し電極は、図１の平面図に示すように、第１ボンディングワイヤ１８ａにより第１の基板上に設けた第１電極１７ａと、第２ボンディングワイヤ１８ｂにより第２の基板上に設けた第１電極１７ｂと金属線でボンディング結線する。第１電極１７ａと第２電極１７ｂは、各々第１および第２スルーホール１６ａ、１６ｂと第１の基板１２上で導通しているので、ＬＥＤ１４の正負両極はチップ型ＬＥＤ２０の両端面の第１および第２スルーホール１６ａ、１６ｂを経てチップ型ＬＥＤ搭載部と導通接続している。
つまり、図３の斜視図に示すように、第１および第２の基板１２、１３の凹部に形成した第１および第２反射面１２ａ、１２ｂのほぼ中央に配置したＬＥＤ１４の発光光は、第１および第２反射面１２ａ、１２ｂで反射し、光透過樹脂１９でモールドした開口光出射面１９ａから効率よく照射するのである。
なお、ここで説明した光透過樹脂１９は、ＬＥＤの発光色をそのまま使用する場合は光透過性の樹脂を、青色あるいは短波長のＬＥＤから白色光等を得る場合は蛍光粒子入り樹脂により第１の基板１２と第２の基板１３の凹部を形成する空間をモールドする。
また、図２に示す光透過樹脂１９の上面１９ｂは前記第１の基板の電極の厚みと略等しいモールド材あるいはメッキなどで塞ぎ、不要方向へのＬＥＤ１４の発光光の放射を押さえ、後述の導光板への光の入射のバランスを良くしている。
次に、本発明による第２の実施形態を図面にもとづき説明する。
図４は、本発明による第２のバックライト光源用チップ型ＬＥＤの斜視図である。
図４において、符号２０はバックライト光源のチップ型ＬＥＤである。以下、符号２２は第１の基板、２２ａは第１の反射面、２４はＬＥＤ、２５はＬＥＤ搭載部、２９は光透過樹脂、２９ａは光出射面である。つまり、図１、図２、図３にもとづいて説明した第１の実施形態のバックライト光源と類似形状であるが、第２の基板が無い。従って、第２の反射面が無いため、チップ型ＬＥＤ２０の総厚を薄くできる利点がある。
次に、本発明による第３、第４、第５の実施形態を図面にもとづき説明する。
まず、第３の実施形態であるが、図５ａは、本発明による第３のバックライト光源用チップ型ＬＥＤの平面図である。
図５ａにおいて、３０ａはバックライト光源のチップ型ＬＥＤである。３２ａは第１の基板、３３ａは第２の基板、３４ａはＬＥＤである。
ここで、第１の基板３２ａ、および第２の基板３３ａの反射部の形状は、方形状であり、ＬＥＤ３４ａは、第１の基板３２ａ、および第２の基板３３ａの反射部のほぼ中央に配置する。方形状は形状がシンプルで、反射面の面ダレが少ない。
次に、第４の実施形態であるが、図５ｂは、本発明による第４のバックライト光源用チップ型ＬＥＤの平面図である。
図５ｂにおいて、３０ｂはバックライト光源のチップ型ＬＥＤである。３２ｂは第１の基板、３３ｂは第２の基板、３４ｂはＬＥＤである。
ここで、第１の基板３２ｂ、および第２の基板３３ｂの反射部の形状は、多角形形状であり、図５ｂでは、六角形の部分形状例を示す。ＬＥＤ３４ａは、第１の基板３２ａ、および第２の基板３３ａの反射部のほぼ中央に配置する。多角形形状は反射面の面ダレが少なく、第１の実施形態の半円状凹部に近い出射光が得られる。
次に、第５の実施形態であるが、図５ｃは、本発明による第５のバックライト光源用チップ型ＬＥＤの平面図である。
図５ｃにおいて、３０ｃはバックライト光源のチップ型ＬＥＤである。３２ｃは第１の基板、３３ｃは第２の基板、３４ｃはＬＥＤである。
ここで、第１の基板３２ｃ、および第２の基板３３ｃの反射部の形状は、楕円形状であり、図５ｃでは、楕円形の部分形状例を示す。ＬＥＤ３４ｃは、第１の基板３２ｃ、および第２の基板３３ｃの反射部のほぼ中央に配置する。楕円形状は放物線形状に近く、出射光の収束性が良い。
以上、第１の基板、および第２の基板の形状が異なる、本発明の第３、第４、第５の実施形態について説明したが、前述の本発明の第２の実施形態と同様に、第１の基板のみであれば、チップ型ＬＥＤ２０と同様に、チップ型ＬＥＤ２０の総厚を薄くできる。
次に、本発明によるチップ型ＬＥＤの厚みに対する優位性を、先の図７にもとづいて述べた従来のチップ型ＬＥＤ５０との厚みと比較説明する。
図８は、本発明によるチップ型ＬＥＤと導光板の配置の部分断面図である。チップ型ＬＥＤ１０は、ＬＥＤ１４をＬＥＤ搭載部１５の上に配置し、このＬＥＤ搭載部１５は第１の基板１２の下面に配置してある。また、第２の基板１３は第１の基板１２の上面に配置してある。
ＬＥＤ搭載部１５は極めて薄い基板であり、ＬＥＤ１４の発光位置を下げることができる。また、ＬＥＤ１４の取り出し電極は、先に述べたように、第１の基板上でボンディングするので、ボンディング結線の高さを低く押さえることができる。
つまり、本発明によるチップ型ＬＥＤ１０の符号４４で示す総厚は、ＬＥＤ搭載部１５の厚み４１と、第１の基板１２の厚み４２と、第２の基板１３の厚みにチップ型ＬＥＤ１０上面の僅かな光透過樹脂１９部分を加えた厚み４３の総和である。
ちなみに、図７にもとづいて述べた従来のチップ型ＬＥＤのチップ基板５２の厚みは、約０．１ｍｍである。対して、本発明によるチップ型ＬＥＤ１０のＬＥＤ搭載部１５の厚みは、約０．０５ｍｍであり、さらに薄くても良い。従って、ＬＥＤ１４の発光位置は、従来のチップ型ＬＥＤに比べて０．０５ｍｍ以上下がり、かつ、ＬＥＤ１４のボンディング結線の高さが第１の基板１２上であり、第２の基板１３の高さより低いので、総体厚みを押さえることができる。この結果、導光板４０もチップ型ＬＥＤ１０の厚みに合わせて薄くでき、ＬＥＤ１４の発光位置が下がった分だけ照射光４５の中心が低いため、導光板４０の下面側への照射光４５が増加するという利点がある。
以上に述べたように、本発明によるバックライト光源用チップ型ＬＥＤは、薄い基板にＬＥＤを搭載し、このＬＥＤ搭載部を下段の第１の基板と、この第１の基板上に配置した第２の基板の双方の反射部を形成する凹部にＬＥＤが位置するように配置し、このＬＥＤからの取り出し結線を第１の基板上に配置することで、ＬＥＤ搭載部とＬＥＤ結線の高さを押さえ、かつ、充分な大きさの反射部を確保した照射効率の良いチップ型ＬＥＤによる薄型のバックライト光源を提供できるのである。
本発明によるバックライト光源用チップ型ＬＥＤの平面図である。 本発明によるバックライト光源のチップ型ＬＥＤの正面図である。 本発明によるバックライト光源のチップ型ＬＥＤの斜視図である。 本発明による第２のバックライト光源用チップ型ＬＥＤの斜視図である。 本発明による第３のバックライト光源用チップ型ＬＥＤの平面図である。 本発明による第４のバックライト光源用チップ型ＬＥＤの平面図である。 本発明による第５のバックライト光源用チップ型ＬＥＤの平面図である。 従来のバックライト光源に用いるチップ型ＬＥＤの斜視図である。 従来のチップ型ＬＥＤと導光板の配置の部分断面図である。 本発明によるチップ型ＬＥＤと導光板の配置の部分断面図である。
符号の説明
１０、２０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ チップ型ＬＥＤ
１２、２２、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ 第１の基板
１２ａ、２２ａ 第１の反射面
１３、３３ａ、３３ｂ、３３ｃ 第２の基板
１３ａ、２２ａ 第２の反射面
１４、２４、３４ａ、３４ｂ、３４ｃ ＬＥＤ
１５、２５ ＬＥＤ搭載部
１６ 枠体
１６ａ、１６ｂ スルーホール
１７ａ、１７ｂ 電極
１８ａ、１８ｂ ボンディングワイヤ
１９ 光透過樹脂
１９ａ 光出射面

Claims (10)

  1. 半円状凹部の壁面に第１の反射部を形成した第１の基板と、半円状凹部の壁面に第２の反射部を形成した第２の基板と、前記半円状凹部の下面側を塞ぐＬＥＤ搭載部とで構成し、前記ＬＥＤ搭載部は前記第１の基板の下面に前記ＬＥＤが前記第１の反射部の半円状凹部内に位置するように配設し、前記第２の基板は前記第１の基板の上面に前記第１の反射部の半円状凹部と前記第２の反射部の半円状凹部がほぼ同一円心となるように配設したことを特徴とするバックライト光源。
  2. 半円状凹部の壁面に反射部を形成した第１の基板と、前記半円状凹部の下面側を塞ぐＬＥＤ搭載部とで構成し、前記ＬＥＤ搭載部は前記第１の基板の下面に前記ＬＥＤが前記第１の反射部の半円状凹部内に位置するように配設したことを特徴とするバックライト光源。
  3. 前記ＬＥＤの第１および第２取り出し電極と前記第１の基板上に設けた第１電極および第２電極間は各々金属線で結線することを特徴とする請求項１乃至請求項２記載のバックライト光源。
  4. 前記半円状凹部の下面側を塞ぐＬＥＤ搭載部は、金属板あるいは基板の下面電極の一部であることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載のバックライト光源。
  5. 前記半円状凹部の下面側を塞ぐＬＥＤ搭載部は、金属板あるいは基板の下面電極の一部であって、前記第１の基板上に設けた第１電極あるいは第２電極間と導通することを特徴とする請求項１乃至請求項３記載のバックライト光源。
  6. 前記半円状凹部の壁面で形成される空間は、透明樹脂もしくは蛍光粒子入り樹脂によりモールドしたことを特徴とする請求項１乃至請求項５記載のバックライト光源。
  7. 前記透明樹脂もしくは蛍光粒子入り樹脂の上面はモールド材あるいはメッキなどで塞いだことを特徴とする請求項１乃至請求項６記載のバックライト光源。
  8. 前記壁面の反射部は、方形形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項７記載のバックライト光源。
  9. 前記壁面の反射部は、多角形形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項７記載のバックライト光源。
  10. 前記壁面の反射部は、楕円形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項７記載のバックライト光源。
JP2007128778A 2007-05-15 2007-05-15 バックライト光源 Active JP5270861B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007128778A JP5270861B2 (ja) 2007-05-15 2007-05-15 バックライト光源
US12/121,482 US7731405B2 (en) 2007-05-15 2008-05-15 Side-emission type light-emitting diode and a backlight unit using the light-emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007128778A JP5270861B2 (ja) 2007-05-15 2007-05-15 バックライト光源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008288230A true JP2008288230A (ja) 2008-11-27
JP5270861B2 JP5270861B2 (ja) 2013-08-21

Family

ID=40072225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007128778A Active JP5270861B2 (ja) 2007-05-15 2007-05-15 バックライト光源

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7731405B2 (ja)
JP (1) JP5270861B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010225754A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2010225755A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2012009504A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
WO2013150882A1 (ja) * 2012-04-06 2013-10-10 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
KR101377603B1 (ko) 2012-10-26 2014-03-25 주식회사 루멘스 사이드 뷰 발광 소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
KR20170048017A (ko) * 2015-10-26 2017-05-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5396215B2 (ja) * 2009-09-24 2014-01-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置および液晶表示装置
DE102013104840A1 (de) * 2013-05-10 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen
DE102014116133B4 (de) 2014-11-05 2023-03-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Anordnung

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06125227A (ja) * 1992-10-13 1994-05-06 Rohm Co Ltd バッテリー内蔵オーディオ装置及びオーディオ信号増幅回路
JPH07235696A (ja) * 1994-02-25 1995-09-05 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
JPH08125227A (ja) * 1994-10-21 1996-05-17 Shichizun Denshi:Kk 発光ダイオード
JP2005064047A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2005167136A (ja) * 2003-12-05 2005-06-23 Masami Nei 半導体発光装置及びその製造方法
JP2005223082A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードチップ
JP2006237217A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Toshiba Discrete Technology Kk 半導体発光装置及び面発光装置
JP2007059612A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Sharp Corp 発光ダイオード

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7314296B2 (en) * 2003-12-08 2008-01-01 Honeywell International Inc. Multi-platform aircraft forward position light utilizing LED-based light source
US20080217633A1 (en) * 2007-03-01 2008-09-11 Wu Yin Chang Light emitting diode structure

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06125227A (ja) * 1992-10-13 1994-05-06 Rohm Co Ltd バッテリー内蔵オーディオ装置及びオーディオ信号増幅回路
JPH07235696A (ja) * 1994-02-25 1995-09-05 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
JPH08125227A (ja) * 1994-10-21 1996-05-17 Shichizun Denshi:Kk 発光ダイオード
JP2005064047A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2005167136A (ja) * 2003-12-05 2005-06-23 Masami Nei 半導体発光装置及びその製造方法
JP2005223082A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードチップ
JP2006237217A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Toshiba Discrete Technology Kk 半導体発光装置及び面発光装置
JP2007059612A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Sharp Corp 発光ダイオード

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010225754A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2010225755A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2012009504A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
WO2013150882A1 (ja) * 2012-04-06 2013-10-10 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JPWO2013150882A1 (ja) * 2012-04-06 2015-12-17 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
KR101377603B1 (ko) 2012-10-26 2014-03-25 주식회사 루멘스 사이드 뷰 발광 소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
KR20170048017A (ko) * 2015-10-26 2017-05-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102464320B1 (ko) 2015-10-26 2022-11-07 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
US7731405B2 (en) 2010-06-08
JP5270861B2 (ja) 2013-08-21
US20080291691A1 (en) 2008-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5270861B2 (ja) バックライト光源
JP4357311B2 (ja) 発光ダイオードチップ
JP3878579B2 (ja) 光半導体装置
US8704263B2 (en) Light emitting apparatus with an opening part, manufacturing method thereof, and light unit
US8357948B2 (en) Light emitting device and lighting system
JPH10125959A (ja) サイド発光型チップｌｅｄ
JP2005285899A (ja) 発光ダイオードのパッケージ構造
KR20110107631A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP2008305714A (ja) 光源装置および平面照明装置
WO2006087872A1 (ja) 面状照明装置
KR20110128693A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20120045539A (ko) 발광소자 패키지
KR100890950B1 (ko) 백라이트용 발광장치
KR102119808B1 (ko) 백라이트 장치
JP7534626B2 (ja) 発光装置及び面状光源
JP2010040825A (ja) 発光装置
KR20120013795A (ko) 발광소자 패키지
KR101827972B1 (ko) 발광 패키지 및 그를 이용한 백라이트 모듈
JP6048935B2 (ja) 照明装置
KR101880058B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR100737822B1 (ko) 고광택 도금층을 구비하는 리드프레임을 채택한 발광다이오드 패키지
KR100840208B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20120073932A (ko) 발광소자 어레이
KR101722627B1 (ko) 발광소자 모듈
KR101503502B1 (ko) 경사형 ｌｅｄ 패키지 및 그것을 포함하는 백라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130318

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130510

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5270861

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250