JPH08125227A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JPH08125227A JPH08125227A JP6282565A JP28256594A JPH08125227A JP H08125227 A JPH08125227 A JP H08125227A JP 6282565 A JP6282565 A JP 6282565A JP 28256594 A JP28256594 A JP 28256594A JP H08125227 A JPH08125227 A JP H08125227A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップ型発光ダイオードに関し、さらに薄型
の発光ダイオードを提供することを目的とする。 【構成】 絶縁基板１の略中央部分にＬＥＤ素子よりも
大きい穴１ａを設け、穴の下方の開口部をふさぐように
メッキ配線による金属パターンからなる電極２を形成す
る。この穴１ａ内の電極２の一部２ａ上に発光ダイオー
ド素子４を実装し、該発光ダイオード素子と他方の電極
３とを金属細線５で接続し透光性樹脂６にて封止する。
の発光ダイオードを提供することを目的とする。 【構成】 絶縁基板１の略中央部分にＬＥＤ素子よりも
大きい穴１ａを設け、穴の下方の開口部をふさぐように
メッキ配線による金属パターンからなる電極２を形成す
る。この穴１ａ内の電極２の一部２ａ上に発光ダイオー
ド素子４を実装し、該発光ダイオード素子と他方の電極
３とを金属細線５で接続し透光性樹脂６にて封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ型の発光ダイオ
ード（以下「ＬＥＤ」と略称する）に関するものであ
り、特に軽薄短小を追求する電子機器向けに提供される
小型、薄型ＬＥＤに関する。
ード（以下「ＬＥＤ」と略称する）に関するものであ
り、特に軽薄短小を追求する電子機器向けに提供される
小型、薄型ＬＥＤに関する。
【０００２】
【従来の技術】軽薄短小を追求する電子機器向けに提供
される小型、薄型ＬＥＤの代表的な従来構造を図３及び
図４に示す。図３のＬＥＤは、略直方体形状を成した絶
縁基板１の表面にメッキ配線による金属パターンからな
る一対の電極２、３を形成している。この電極は、絶縁
基板１の下面から側面を通り上面までコの字状を成し、
該電極２と３が対向するように形成されている。ＬＥＤ
素子４は該電極２上の上面電極部２ｂに実装され、電極
３上の上面電極部３ｂと金属細線５によりワイヤーボン
デイング接続し、透光性樹脂６にてＬＥＤ素子４と金属
細線５を覆う形で封止した構造を有している。図４のＬ
ＥＤは、細長い板状の一対の金属電極７、８を所定の間
隔をあけて配置し、該金属電極７の上面側部７ｂにＬＥ
Ｄ素子４を実装し、該金属電極８の上面側部８ｂと金属
細線５によりワイヤーボンディング接続し、透光性樹脂
６にて該金属電極７、８の一部とＬＥＤ素子４と金属細
線５を含む周囲全体を封止した構造を有している。
される小型、薄型ＬＥＤの代表的な従来構造を図３及び
図４に示す。図３のＬＥＤは、略直方体形状を成した絶
縁基板１の表面にメッキ配線による金属パターンからな
る一対の電極２、３を形成している。この電極は、絶縁
基板１の下面から側面を通り上面までコの字状を成し、
該電極２と３が対向するように形成されている。ＬＥＤ
素子４は該電極２上の上面電極部２ｂに実装され、電極
３上の上面電極部３ｂと金属細線５によりワイヤーボン
デイング接続し、透光性樹脂６にてＬＥＤ素子４と金属
細線５を覆う形で封止した構造を有している。図４のＬ
ＥＤは、細長い板状の一対の金属電極７、８を所定の間
隔をあけて配置し、該金属電極７の上面側部７ｂにＬＥ
Ｄ素子４を実装し、該金属電極８の上面側部８ｂと金属
細線５によりワイヤーボンディング接続し、透光性樹脂
６にて該金属電極７、８の一部とＬＥＤ素子４と金属細
線５を含む周囲全体を封止した構造を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来技
術における各構造で、より薄型化を追求していった場
合、次のような欠点がある。図３の構造においては、ベ
ースになる絶縁基板１の厚みがＬＥＤの総厚に加わって
くるため、薄型化を追求する場合この絶縁基板１の厚み
を薄くする必要がある。ところが、ＬＥＤの機械的、及
び熱的信頼性を考慮した場合、薄くするのにも限界があ
り、ＬＥＤの薄型化の妨げになっていた。次に図４の構
造においてであるが、本構造の場合図３の絶縁基板１に
相当するものは構成要素にない。絶縁基板は、ＬＥＤ素
子を実装するための一対の電極を保持し、機械的、及び
熱的な安定を保たせる目的を有している。図４の構造に
おいては、この絶縁基板が無いために、電極７、８の上
方向と下方向に各々樹脂６が回り込むように形成し、電
極の保持、安定を図らなければならない。特に、電極
７、８の下方向の樹脂の一部６ａが電極の保持、安定に
重要な役割を果たしているわけだが、本構造の場合、こ
の樹脂の一部６ａがＬＥＤの薄型化の妨げになってい
た。
術における各構造で、より薄型化を追求していった場
合、次のような欠点がある。図３の構造においては、ベ
ースになる絶縁基板１の厚みがＬＥＤの総厚に加わって
くるため、薄型化を追求する場合この絶縁基板１の厚み
を薄くする必要がある。ところが、ＬＥＤの機械的、及
び熱的信頼性を考慮した場合、薄くするのにも限界があ
り、ＬＥＤの薄型化の妨げになっていた。次に図４の構
造においてであるが、本構造の場合図３の絶縁基板１に
相当するものは構成要素にない。絶縁基板は、ＬＥＤ素
子を実装するための一対の電極を保持し、機械的、及び
熱的な安定を保たせる目的を有している。図４の構造に
おいては、この絶縁基板が無いために、電極７、８の上
方向と下方向に各々樹脂６が回り込むように形成し、電
極の保持、安定を図らなければならない。特に、電極
７、８の下方向の樹脂の一部６ａが電極の保持、安定に
重要な役割を果たしているわけだが、本構造の場合、こ
の樹脂の一部６ａがＬＥＤの薄型化の妨げになってい
た。
【０００４】本発明は、上記課題を解決せんとするもの
であり、必要とされる性能、及び機械的、熱的信頼性を
具備しながら、さらに薄型のＬＥＤを提供することを目
的とする。
であり、必要とされる性能、及び機械的、熱的信頼性を
具備しながら、さらに薄型のＬＥＤを提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＥＤは、前記
課題を解決するために、絶縁基板上に一対の電極を形成
し、該一対の電極の一方にＬＥＤ素子を実装し、該一対
の電極の他方と金属細線によりワイヤーボンディング接
続され、該ＬＥＤ素子と該金属細線を覆うように透光性
樹脂にて封止したチップＬＥＤにおいて、ＬＥＤ素子を
実装する部分の絶縁基板に、ＬＥＤ素子より大きい貫通
穴、または溝等からなる収納部を設け、該収納部の一方
の開口部内に前記一対の電極の少なくとも一方が形成さ
れ、該電極上にＬＥＤ素子が、一個または複数個実装さ
れた構造を有している。
課題を解決するために、絶縁基板上に一対の電極を形成
し、該一対の電極の一方にＬＥＤ素子を実装し、該一対
の電極の他方と金属細線によりワイヤーボンディング接
続され、該ＬＥＤ素子と該金属細線を覆うように透光性
樹脂にて封止したチップＬＥＤにおいて、ＬＥＤ素子を
実装する部分の絶縁基板に、ＬＥＤ素子より大きい貫通
穴、または溝等からなる収納部を設け、該収納部の一方
の開口部内に前記一対の電極の少なくとも一方が形成さ
れ、該電極上にＬＥＤ素子が、一個または複数個実装さ
れた構造を有している。
【０００６】
【作用】本発明のＬＥＤは、ＬＥＤ素子が、絶縁基板に
設けられたＬＥＤ素子より大きい穴からなる収納部の一
方の開口部内に形成された電極上に実装されているた
め、絶縁基板の厚みがＬＥＤの総厚に影響を与えなくな
り、従来技術を用いた図３のＬＥＤよりも、絶縁基板の
厚み分だけ薄型化を実現することが可能になる。又、従
来技術を用いた図４のＬＥＤと比較した場合、本発明の
ＬＥＤは穴をあけているとは言え、ＬＥＤ素子を実装す
るための、一対の電極を保持し機械的、及び熱的な安定
を保たせるに十分な絶縁基板を具備している。したがっ
て、図４のように透光性樹脂を、ＬＥＤ素子を実装する
ための一対の電極の下方向まで形成させる必要が無く、
これと比較しても、より薄型化を可能にしている。
設けられたＬＥＤ素子より大きい穴からなる収納部の一
方の開口部内に形成された電極上に実装されているた
め、絶縁基板の厚みがＬＥＤの総厚に影響を与えなくな
り、従来技術を用いた図３のＬＥＤよりも、絶縁基板の
厚み分だけ薄型化を実現することが可能になる。又、従
来技術を用いた図４のＬＥＤと比較した場合、本発明の
ＬＥＤは穴をあけているとは言え、ＬＥＤ素子を実装す
るための、一対の電極を保持し機械的、及び熱的な安定
を保たせるに十分な絶縁基板を具備している。したがっ
て、図４のように透光性樹脂を、ＬＥＤ素子を実装する
ための一対の電極の下方向まで形成させる必要が無く、
これと比較しても、より薄型化を可能にしている。
【０００７】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図１は本発明の一実施例を表す斜視図、図２は
その中央断面図を表す。図１及び図２において、１は略
直方体形状を成した絶縁基板であり、この絶縁基板１の
略中央付近にＬＥＤ素子の大きさより大きい、丸状の穴
１ａからなる収納部が形成されている。さらに、絶縁基
板１の表面にメッキ配線による金属パターンからなる一
対の電極２、３が形成される。電極２、３はいずれも、
絶縁基板１の下面から側面を通り上面までコの字状を成
し、電極２と３が対向するように形成されている。又、
電極２は絶縁基板１にあけられた丸状の穴１ａを下面側
からふさぐように図中下方の開口部内にも突出して形成
されている。ＬＥＤ素子４は、この絶縁基板１に形成さ
れた穴１ａに落とし込む形で、電極２の下面部２ａに銀
ペースト等の導電性接着剤を用いて接着実装される。実
装されたＬＥＤ素子４はもう一方の電極３の上面部３ｂ
と金属細線５でワイヤーボンディング接続される。透光
性樹脂６はＬＥＤ素子４と金属細線５を覆う形で、絶縁
基板１の上面上にのみ形成されている。この時、絶縁基
板１の厚みをＬＥＤ素子４の厚みと同じか、それ以下に
設定することにより、ＬＥＤとしての総厚に絶縁基板１
の厚みを考慮する必要が無くなり、より薄型のＬＥＤが
実現できることになる。尚、絶縁基板１に設ける穴１ａ
は本実施例のような丸状だけでなく、楕円状または多角
状等であってもよい。
明する。図１は本発明の一実施例を表す斜視図、図２は
その中央断面図を表す。図１及び図２において、１は略
直方体形状を成した絶縁基板であり、この絶縁基板１の
略中央付近にＬＥＤ素子の大きさより大きい、丸状の穴
１ａからなる収納部が形成されている。さらに、絶縁基
板１の表面にメッキ配線による金属パターンからなる一
対の電極２、３が形成される。電極２、３はいずれも、
絶縁基板１の下面から側面を通り上面までコの字状を成
し、電極２と３が対向するように形成されている。又、
電極２は絶縁基板１にあけられた丸状の穴１ａを下面側
からふさぐように図中下方の開口部内にも突出して形成
されている。ＬＥＤ素子４は、この絶縁基板１に形成さ
れた穴１ａに落とし込む形で、電極２の下面部２ａに銀
ペースト等の導電性接着剤を用いて接着実装される。実
装されたＬＥＤ素子４はもう一方の電極３の上面部３ｂ
と金属細線５でワイヤーボンディング接続される。透光
性樹脂６はＬＥＤ素子４と金属細線５を覆う形で、絶縁
基板１の上面上にのみ形成されている。この時、絶縁基
板１の厚みをＬＥＤ素子４の厚みと同じか、それ以下に
設定することにより、ＬＥＤとしての総厚に絶縁基板１
の厚みを考慮する必要が無くなり、より薄型のＬＥＤが
実現できることになる。尚、絶縁基板１に設ける穴１ａ
は本実施例のような丸状だけでなく、楕円状または多角
状等であってもよい。
【０００８】図５に本発明の他の実施例に係るＬＥＤの
斜視図、図６にその中央断面図を示す。本実施例の場
合、絶縁基板１の表面に形成された一対の電極２、３
は、絶縁基板１の下面側及び穴１ａの図中下方の開口部
内に突出するようにしか形成されておらず、側面及び上
面には形成されていない。また、これにともない、ＬＥ
Ｄ素子４とワイヤーボンディング接続されるもう一方の
電極３の接続場所が前記実施例の時と異なり、穴１ａ内
の電極３の下面部３ａに接続されている。この場合、絶
縁基板１に形成する穴１ａを前記実施例と比較し、より
大きくする必要があるが、絶縁基板１表面のメッキ配線
からなる金属パターンが下面側片側のみですむため、製
造コストを下げることが可能となり、薄型でなおかつ安
価なＬＥＤの提供が可能となる。
斜視図、図６にその中央断面図を示す。本実施例の場
合、絶縁基板１の表面に形成された一対の電極２、３
は、絶縁基板１の下面側及び穴１ａの図中下方の開口部
内に突出するようにしか形成されておらず、側面及び上
面には形成されていない。また、これにともない、ＬＥ
Ｄ素子４とワイヤーボンディング接続されるもう一方の
電極３の接続場所が前記実施例の時と異なり、穴１ａ内
の電極３の下面部３ａに接続されている。この場合、絶
縁基板１に形成する穴１ａを前記実施例と比較し、より
大きくする必要があるが、絶縁基板１表面のメッキ配線
からなる金属パターンが下面側片側のみですむため、製
造コストを下げることが可能となり、薄型でなおかつ安
価なＬＥＤの提供が可能となる。
【０００９】図７に本発明のさらに他の実施例に係るＬ
ＥＤの斜視図を示す。本実施例の場合、絶縁基板１に設
けられている穴が、絶縁基板１の一辺から対向する他の
一辺まで溝状に形成されており、該溝が絶縁基板１を二
分する形になっている。本発明において絶縁基板に設け
られる穴は、四方を絶縁基板に囲まれた完全な穴だけで
なく、このように二辺を解放した溝であっても良い。
尚、本実施例における電極２、３は、二分された絶縁基
板１の間に掛け渡されるように形成されている。
ＥＤの斜視図を示す。本実施例の場合、絶縁基板１に設
けられている穴が、絶縁基板１の一辺から対向する他の
一辺まで溝状に形成されており、該溝が絶縁基板１を二
分する形になっている。本発明において絶縁基板に設け
られる穴は、四方を絶縁基板に囲まれた完全な穴だけで
なく、このように二辺を解放した溝であっても良い。
尚、本実施例における電極２、３は、二分された絶縁基
板１の間に掛け渡されるように形成されている。
【００１０】図８に本発明のさらに他の実施例に係るＬ
ＥＤの斜視図を示す。本実施例の場合、絶縁基板１に設
けられている穴１ａ内にＬＥＤ素子が２個実装されてい
る。このように穴１ａ内に実装されるＬＥＤ素子の数は
一個のみならず、複数個であっても良い。
ＥＤの斜視図を示す。本実施例の場合、絶縁基板１に設
けられている穴１ａ内にＬＥＤ素子が２個実装されてい
る。このように穴１ａ内に実装されるＬＥＤ素子の数は
一個のみならず、複数個であっても良い。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、本発明のＬＥＤは、絶縁
基板に穴又は溝等からなる収納部を設け、その穴または
溝等の中にＬＥＤ素子を実装することにより、ＬＥＤの
総厚に対して絶縁基板の厚みを考慮する必要が無くな
り、ＬＥＤに要求される性能、及び機械的、熱的信頼性
を損なうことなく、薄型のＬＥＤを提供することを可能
にするものである。
基板に穴又は溝等からなる収納部を設け、その穴または
溝等の中にＬＥＤ素子を実装することにより、ＬＥＤの
総厚に対して絶縁基板の厚みを考慮する必要が無くな
り、ＬＥＤに要求される性能、及び機械的、熱的信頼性
を損なうことなく、薄型のＬＥＤを提供することを可能
にするものである。
【図１】本発明の一実施例に係るＬＥＤを示す斜視図。
【図２】図１に示すＬＥＤの中央断面図。
【図３】従来のＬＥＤを示す斜視図。
【図４】従来のＬＥＤを示す斜視図。
【図５】本発明の他の実施例に係るＬＥＤを示す斜視
図。
図。
【図６】図５に示すＬＥＤの中央断面図。
【図７】本発明のさらに他の実施例に係るＬＥＤを示す
斜視図。
斜視図。
【図８】本発明のさらに他の実施例に係るＬＥＤを示す
斜視図。
斜視図。
１ 絶縁基板 ２、３ 電極 ４ ＬＥＤ素子 ５ 金属細線 ６ 透光性樹脂 ７、８ 金属電極
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板上に一対の電極を形成し、該一
対の電極の一方に発光ダイオード素子を実装し、該一対
の電極の他方と金属細線にてワイヤーボンディング接続
され、該発光ダイオード素子と該金属細線を覆うように
透光性樹脂にて封止したチップ型発光ダイオードにおい
て、絶縁基板に発光ダイオード素子より大きい貫通穴も
しくは溝等からなる収納部を設け、該収納部の一方の開
口部内に前記一対の電極の少なくとも一方が形成され、
該電極上に発光ダイオード素子が、一個または複数個実
装されたことを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28256594A JP3302203B2 (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28256594A JP3302203B2 (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125227A true JPH08125227A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3302203B2 JP3302203B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=17654142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28256594A Expired - Lifetime JP3302203B2 (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3302203B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6392294B1 (en) | 1998-12-22 | 2002-05-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with stable protection coating |
| WO2007058045A1 (ja) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Minebea Co., Ltd. | 面状照明装置 |
| JP2008042158A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Itswell Co Ltd | Ｓｍｌ型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法 |
| JP2008118107A (ja) * | 2006-11-03 | 2008-05-22 | Ctx Opto Electronics Corp | 発光ダイオードパッケージ構造 |
| JP2008235765A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
| JP2008288230A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Citizen Electronics Co Ltd | バックライト光源 |
| JP2009253254A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| US7626211B2 (en) | 2004-09-16 | 2009-12-01 | Hitachi Aic Inc. | LED reflecting plate and LED device |
-
1994
- 1994-10-21 JP JP28256594A patent/JP3302203B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6392294B1 (en) | 1998-12-22 | 2002-05-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with stable protection coating |
| US7626211B2 (en) | 2004-09-16 | 2009-12-01 | Hitachi Aic Inc. | LED reflecting plate and LED device |
| WO2007058045A1 (ja) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Minebea Co., Ltd. | 面状照明装置 |
| JP2007141729A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Minebea Co Ltd | 面状照明装置 |
| JP2008042158A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Itswell Co Ltd | Ｓｍｌ型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法 |
| JP2008118107A (ja) * | 2006-11-03 | 2008-05-22 | Ctx Opto Electronics Corp | 発光ダイオードパッケージ構造 |
| JP2008235765A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
| JP2008288230A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Citizen Electronics Co Ltd | バックライト光源 |
| JP2009253254A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
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|---|---|
| JP3302203B2 (ja) | 2002-07-15 |
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