DE102014116133B4

DE102014116133B4 - Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Anordnung

Info

Publication number: DE102014116133B4
Application number: DE102014116133.5A
Authority: DE
Inventors: Michael Wittmann; Tobias Gebuhr; David Racz
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2014-11-05
Filing date: 2014-11-05
Publication date: 2023-03-09
Anticipated expiration: 2034-11-06
Also published as: DE102014116133A1; US10177293B2; WO2016071440A1; US20170324012A1

Abstract

Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50)mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 2300, 3300, 4300), die voneinander beabstandet sind,und mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (400), der auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 2300, 3300, 4300) angeordnet ist, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 2300, 3300, 4300) jeweils eine Oberseite (210, 310), eine Unterseite (220, 320) und eine sich zwischen der Oberseite (210, 310) und der Unterseite (220, 320) erstreckende erste Seitenflanke (230, 330) aufweisen, wobei an der ersten Seitenflanke (230) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 2200, 3200, 4200) eine erste seitliche Lötkontaktfläche (250) des optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50) ausgebildet ist,wobei die erste seitliche Lötkontaktfläche (250) durch eine in der ersten Seitenflanke (230) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 2200, 3200, 4200) angeordnete Ausnehmung (240) gebildet wird, die sich von der Oberseite (210) bis zu der Unterseite (220) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 2200, 3200, 4200) erstreckt,wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 4200) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 4300) gemeinsam in einen Formkörper (500, 1500, 4500) eingebettet sind,wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400) in den Formkörper (500, 4500) eingebettet ist,wobei eine Oberseite (410) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) bündig mit einer Oberseite (510) des Formkörpers (500, 4500) abschließt.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 10 sowie ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Anordnung gemäß Patentanspruch 13.
Aus dem Stand der Technik sind verschiedene Gehäuseformen für optoelektronische Bauelemente bekannt. Bei bekannten Gehäusen optoelektronischer Bauelemente wird ein optoelektronischer Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements in einer von einer Gehäusewandung begrenzten Aussparung des Gehäuses angeordnet. Aus mechanischen Gründen erforderliche Mindestwandstärken der Gehäusewandungen und Mindestabstände zwischen den Gehäusewandungen und den optoelektronischen Halbleiterchips begrenzen dabei die Möglichkeiten zur Miniaturisierung der optoelektronischen Bauelemente.
Die DE 10 2012 109 139 A1 beschreibt ein Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, das sich für eine Sidelooker-Montage eignet.
Die EP 2 325 901 A1 beschreibt ein optoelektronisches Bauelement mit einem Gehäuse mit einem in ein Formmaterial eingebetteten Leiterrahmen.
Die JP 2014-60343 A beschreibt ebenfalls ein optoelektronisches Bauelement mit einem Gehäuse mit einem in ein Formmaterial eingebetteten Leiterrahmen.
In diesem Stand der Technik weist das optoelektronische Bauelement insbesondere jeweils einen optoelektronischem Chip und zwei beabstandeten Leiterrahmenabschnitten auf, die jeweils eine Seitenflanke mit Ausnehmung aufweisen, die eine Lötkontaktfläche ausbildet.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 10 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Anordnung anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt, die voneinander beabstandet sind. Außerdem umfasst das optoelektronische Bauelement einen optoelektronischen Halbleiterchip, der auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt und auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt angeordnet ist. Dabei weisen der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt jeweils eine Oberseite, eine Unterseite und eine sich zwischen der Oberseite und der Unterseite erstreckende erste Seitenflanke auf. An der ersten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts ist eine erste seitliche Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet.
Der optoelektronische Halbleiterchip dieses optoelektronischen Bauelements kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. Die an der ersten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts des optoelektronischen Bauelements ausgebildete erste seitliche Lötkontaktfläche ermöglicht eine Anordnung des optoelektronischen Bauelements, bei der eine strahlungsemittierende Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips senkrecht zu einer Montageebene des optoelektronischen Bauelements orientiert ist, wodurch eine Strahlungsemission durch das optoelektronische Bauelement in zur Montageebene parallele Richtung erfolgt. Das optoelektronische Bauelement kann vorteilhafterweise äußerst kompakte Abmessungen aufweisen und auf einfache und kostengünstige Weise hergestellt werden. An der ersten Seitenflanke des zweiten Leiterrahmenabschnitts kann eine zweite seitliche Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet sein.
Die erste seitliche Lötkontaktfläche wird durch eine an der ersten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts angeordnete Ausnehmung gebildet, die sich von der Oberseite bis zu der Unterseite des ersten Leiterrahmenabschnitts erstreckt. Entsprechend kann auch eine zweite seitliche Lötkontaktfläche durch eine an der ersten Seitenflanke des zweiten Leiterrahmenabschnitts angeordnete Ausnehmung gebildet sein, die sich von der Oberseite bis zu der Unterseite des zweiten Leiterrahmenabschnitts erstreckt. Im Bereich der Ausnehmungen können die ersten Seitenflanken des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts lötfähige Beschichtungen aufweisen.
Die Ausbildung der seitlichen Lötkontaktflächen durch an den ersten Seitenflanken angeordnete Ausnehmungen ermöglicht vorteilhafterweise eine einfache Kontrolle einer Qualität von zwischen den seitlichen Lötkontaktflächen des optoelektronischen Bauelements und zugeordneten Lötkontaktflächen einer Leiterplatte oder eines anderen Trägers ausgebildeten Lötverbindungen. Die an den ersten Seitenflanken des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts angeordneten Ausnehmungen dienen in diesem Fall also zusätzlich als Lötkontrollstrukturen.
Dadurch, dass die an den ersten Seitenflanken der Leiterrahmenabschnitte angeordneten Ausnehmungen sich jeweils von der Oberseite bis zu der Unterseite der Leiterrahmenabschnitte erstrecken, ermöglichen die durch die Ausnehmungen gebildeten seitlichen Lötkontaktflächen des optoelektronischen Bauelements eine selbstständige Ausrichtung des optoelektronischen Bauelements während eines Lötvorgangs zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements. Die durch die Ausnehmungen gebildeten seitlichen Lötkontaktflächen des optoelektronischen Bauelements dienen in diesem Fall auch als Löt-Alignment-Strukturen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weisen der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt jeweils eine der ersten Seitenflanke gegenüberliegende zweite Seitenflanke auf. Dabei ist an der zweiten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts eine dritte seitliche Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet. Entsprechend kann auch an der zweiten Seitenflanke des zweiten Leiterrahmenabschnitts eine vierte seitliche Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet sein. Die an der zweiten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts ausgebildete dritte seitliche Lötkontaktfläche ermöglicht eine Montage des optoelektronischen Bauelements in einer Orientierung, in der die zweiten Seitenflanken des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts des optoelektronischen Bauelements einer Montagefläche zugewandt sind. Dadurch ist das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise besonders flexibel einsetzbar.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip näher an den ersten Seitenflanken als an den zweiten Seitenflanken der Leiterrahmenabschnitte angeordnet. In einer Montageorientierung des optoelektronischen Bauelements, in der die ersten Seitenflanken der Leiterrahmenabschnitte einem Montageträger zugewandt sind, ist der optoelektronische Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements dadurch besonders nahe an der Montageseite des Montageträgers angeordnet.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Unterseite des ersten Leiterrahmenabschnitts eine erste untere Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet. Entsprechend kann auch an der Unterseite des zweiten Leiterrahmenabschnitts des optoelektronischen Bauelements eine zweite untere Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet sein. Vorteilhafterweise ermöglicht das optoelektronische Bauelement dadurch auch eine Montage des optoelektronischen Bauelements in einer Orientierung, in der die Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte des optoelektronischen Bauelements einer Montagefläche eines Montageträgers zugewandt sind. In dieser Orientierung kann eine strahlungsemittierende Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements parallel zur Montagefläche des Montageträgers orientiert sein, sodass eine Lichtabstrahlung durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements in zur Montagefläche des Montageträgers senkrechte Richtung erfolgt. Dadurch ist das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise besonders flexibel einsetzbar.
Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt sind gemeinsam in einen Formkörper eingebettet. Der Formkörper kann auch als Moldkörper bezeichnet werden. Das Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts in den Formkörper kann beispielsweise durch einen Formprozess (Moldprozess) erfolgen. Der Formkörper kann eine mechanisch stabile Verbindung der Leiterrahmenabschnitte des optoelektronischen Bauelements miteinander gewährleisten, wodurch ein sehr kompaktes Gehäuse gebildet wird. Vorteilhafterweise ist es dadurch nicht erforderlich, das optoelektronische Bauelement mit weiteren tragenden Gehäuseteilen auszubilden. Dies ermöglicht es, das optoelektronische Bauelement mit sehr kompakten äußeren Abmessungen auszubilden und auf einfache und kostengünstige Weise herzustellen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließen die Unterseite des ersten Leiterrahmenabschnitts und die Unterseite des zweiten Leiterrahmenabschnitts bündig mit einer Unterseite des Formkörpers ab. Vorteilhafterweise ergeben sich dadurch kompakte äußere Abmessungen des optoelektronischen Bauelements. Falls an der Unterseite des ersten Leiterrahmenabschnitts eine erste untere Lötkontaktfläche ausgebildet ist, so kann das optoelektronische Bauelement sich vorteilhafterweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließen die erste Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts und die erste Seitenflanke des zweiten Leiterrahmenabschnitts bündig mit einer ersten Seitenflanke des Formkörpers ab. Vorteilhafterweise kann das optoelektronische Bauelement dadurch kompakte äußere Abmessungen aufweisen. Die an der ersten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts freiliegende erste seitliche Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ermöglicht eine SMT-Montage des optoelektronischen Bauelements nach einem Verfahren zur Oberflächenmontage.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließen zumindest ein Teil der Oberseite des ersten Leiterrahmenabschnitts und zumindest ein Teil der Oberseite des zweiten Leiterrahmenabschnitts bündig mit einer Oberseite des Formkörpers ab. Vorteilhafterweise ergeben sich dadurch besonders kompakte äußere Abmessungen des optoelektronischen Bauelements.
Der optoelektronische Halbleiterchip ist in den Formkörper eingebettet. Dabei schließt eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips bündig mit der Oberseite des Formkörpers ab. Die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips bildet dabei eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips. Vorteilhafterweise ist der optoelektronische Halbleiterchip dieses optoelektronischen Bauelements durch seine Einbettung in den Formkörper vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip als volumenemittierender Saphir-Flipchip ausgebildet. Vorteilhafterweise ermöglicht das optoelektronische Bauelement dadurch eine Abstrahlung von Licht in einen großen Raumwinkelbereich.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist dieses einen weiteren Leiterrahmenabschnitt auf, der von dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt beabstandet ist. Dabei ist ein weiterer optoelektronischer Halbleiterchip auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt und auf dem weiteren Leiterrahmenabschnitt angeordnet.
In dieser Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements kann eine zweite seitliche Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements an einer ersten Seitenflanke des weiteren Leiterrahmenabschnitts ausgebildet sein. Entsprechend kann an einer der ersten Seitenflanke gegenüberliegenden zweiten Seitenflanke des weiteren Leiterrahmenabschnitts eine vierte seitliche Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet sein. Außerdem kann an der Unterseite des weiteren Leiterrahmenabschnitts des optoelektronischen Bauelements eine zweite untere Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet sein. Der zweite Leiterrahmenabschnitt des optoelektronischen Bauelements muss in dieser Ausführungsform keine Lötkontaktflächen aufweisen. Es ist aber möglich, dass auch am zweiten Leiterrahmenabschnitt des optoelektronischen Bauelements Lötkontaktflächen vorgesehen sind. Diese können bei einer Montage des optoelektronischen Bauelements beispielsweise unkontaktiert bleiben.
Ebenfalls möglich ist, das optoelektronische Bauelement mit noch weiteren Leiterrahmenabschnitten und noch weiteren optoelektronischen Halbleiterchips auszubilden. Die einzelnen optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements können dabei linear hintereinander in Form einer Kette angeordnet sein. Dabei können derartige Ketten unterschiedlicher Länge gleichzeitig in gemeinsamen Herstellungsschritten produziert werden. Das eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips in linearer Anordnung umfassende optoelektronische Bauelement kann beispielsweise zur seitlichen Hinterleuchtung von Flüssigkristallbildschirmen dienen.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einer Oberseite und einer Unterseite, wobei der Leiterrahmen einen ersten Leiterrahmenabschnitt und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt umfasst, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt und auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt, und zum Zerteilen des Leiterrahmens, um das optoelektronische Bauelement zu vereinzeln, wobei durch das Zerteilen am ersten Leiterrahmenabschnitt und am zweiten Leiterrahmenabschnitt an einer Trennebene jeweils eine sich von der Oberseite zu der Unterseite erstreckende erste Seitenflanke gebildet wird, wobei an der ersten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts eine erste seitliche Lötkontaktfläche ausgebildet wird. Entsprechend kann auch an der ersten Seitenflanke des zweiten Leiterrahmenabschnitts eine zweite seitliche Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet werden.
Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine einfache und kostengünstige Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit sehr kompakten äußeren Abmessungen. Die an den Seitenflanken der Leiterrahmenabschnitte des optoelektronischen Bauelements ausgebildeten seitlichen Lötkontaktflächen ermöglichen eine Montage des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements in einer Sidelooker-Anordnung, in der das optoelektronische Bauelement elektromagnetische Strahlung in eine zur Montagefläche parallele Richtung abstrahlt.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts in einen Formkörper. Der Formkörper kann den ersten Leiterrahmenabschnitt und den zweiten Leiterrahmenabschnitt des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements mechanisch robust miteinander verbinden. Weitere tragende Gehäusekomponenten müssen dabei nicht vorgesehen werden, wodurch sich kompakte äußere Abmessungen des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements ergeben können.
Das Verfahren umfasst einen weiteren Schritt zum Anlegen einer sich von der Oberseite zu der Unterseite erstreckenden Durchgangsöffnung in dem Leiterrahmen, wobei die Trennebene beim Zerteilen des Leiterrahmens durch die Durchgangsöffnung verläuft, wobei die erste seitliche Lötkontaktfläche durch eine Wandung der Durchgangsöffnung gebildet wird. Vorteilhafterweise entsteht beim Zerteilen des Leiterrahmens an der Trennebene im Bereich der Durchgangsöffnung eine Ausnehmung in der an der Trennebene gebildeten ersten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts, die die erste seitliche Lötkontaktfläche bildet. Diese Ausnehmung kann bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement zusätzlich auch als Lötkontrollstruktur und als Löt-Alignment-Struktur dienen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen einer lötfähigen Beschichtung an der Wandung der Durchgangsöffnung. Vorteilhafterweise weist die die erste seitliche Lötkontaktfläche bildende Ausnehmung an der ersten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts dann ebenfalls die lötfähige Beschichtung auf, wodurch eine elektrische Kontaktierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements mittels eines Lötverfahrens ermöglicht wird.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Aufbringen einer wellenlängenkonvertierenden Beschichtung auf den optoelektronischen Halbleiterchip mittels eines Sprühverfahrens. Die wellenlängenkonvertierende Beschichtung kann dazu dienen, eine durch den optoelektronischen Halbleiterchip des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Hierdurch kann beispielsweise Licht mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in Licht konvertiert werden, das einen weißen Farbeindruck aufweist.
Ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Anordnung umfasst Schritte zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements nach einem Verfahren der oben genannten Art und zum Anordnen des optoelektronischen Bauelements auf einer Leiterplatte, wobei die ersten Seitenflanken des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts der Leiterplatte zugewandt werden. Vorteilhafterweise erfolgt bei der durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Anordnung eine Abstrahlung von Licht in eine zur Leiterplatte parallele Richtung. Die Strahlungsemission kann dabei vorteilhafterweise in geringem Abstand von der Leiterplatte erfolgen. Die gesamte durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Anordnung kann vorteilhafterweise sehr kompakte äußere Abmessungen aufweisen.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele der Erfindung und anderer Beispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung

1 eine perspektivische Ansicht eines Leiterrahmens mit einer Mehrzahl erster Leiterrahmenabschnitte und zweiter Leiterrahmenabschnitte in einem Ausführungsbeispiel;
2 eine perspektivische Ansicht eines ersten Leiterrahmenabschnitts und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts des Leiterrahmens in dem Ausführungsbeispiel;
3 eine perspektivische Ansicht der Leiterrahmenabschnitte mit einem darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip in dem Ausführungsbeispiel;
4 eine perspektivische Ansicht eines aus den Leiterrahmenabschnitten und dem optoelektronischen Halbleiterchip gebildeten optoelektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel;
5 eine perspektivische Ansicht des auf einer Leiterplatte montierten optoelektronischen Bauelements nach einem Ausführungsbeispiel;
6 eine perspektivische Ansicht eines Leiterrahmens;
7 eine perspektivische Ansicht eines ersten Leiterrahmenabschnitts und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts dieses Leiterrahmens;
8 den ersten Leiterrahmenabschnitt und den zweiten Leiterrahmenabschnitt nach dem Einbetten in einen Formkörper;
9 eine perspektivische Ansicht eines aus den in den Formkörper eingebetteten Leiterrahmenabschnitten gebildeten optoelektronischen Bauelements;
10 eine perspektivische Ansicht eines Leiterrahmens;
11 eine perspektivische Darstellung eines ersten Leiterrahmenabschnitts und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts dieses Leiterrahmens;
12 ein aus diesen Leiterrahmenabschnitten und einem darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip gebildetes optoelektronisches Bauelement;
13 ein optoelektronisches Bauelement; und
14 ein optoelektronisches Bauelement gemäß noch einer weiteren Ausführungsform.

1 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Teils eines Leiterrahmens 100. Der Leiterrahmen 100 kann auch als Leadframe bezeichnet werden. Der Leiterrahmen 100 weist eine im Wesentlichen flache und ebene Form auf und kann beispielsweise durch Ätzen und/oder Prägen aus einem dünnen Blech hergestellt sein. Der Leiterrahmen 100 weist ein elektrisch leitendes Material auf, bevorzugt ein Metall.
Der Leiterrahmen 100 weist eine Oberseite 110 und eine der Oberseite 110 gegenüberliegende Unterseite 120 auf. Die Oberseite 110 weist erhabene Bereiche 111 und gegenüber den erhabenen Bereichen 111 vertiefte Bereiche 112 auf. Die vertieften Bereiche 112 können beispielsweise durch Entfernen eines Teils des Materials des Leiterrahmens 100 an der Oberseite 110 gebildet sein.
Der Leiterrahmen 100 weist eine Mehrzahl erster Leiterrahmenabschnitte 200 auf, die alle im Wesentlichen identisch zueinander ausgebildet sind. Außerdem weist der Leiterrahmen 100 eine Mehrzahl zweiter Leiterrahmenabschnitte 300 auf, die ebenfalls alle im Wesentlichen identisch zueinander ausgebildet sind.
Je ein erster Leiterrahmenabschnitt 200 und ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 300 bilden ein zusammengehöriges Paar. 2 zeigt eine schematische Darstellung eines solchen Paares eines ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts 300. Der erste Leiterrahmenabschnitt 200 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 300 eines zusammengehörigen Paars sind nicht unmittelbar miteinander verbunden. Im Verbund des Leiterrahmens 100 sind jedoch alle Leiterrahmenabschnitte 200, 300 über weitere benachbarte Leiterrahmenabschnitte 200, 300 und einen in 1 nicht gezeigten Rand des Leiterrahmens 100 miteinander verbunden.
Die zusammengehörigen Paare erster Leiterrahmenabschnitte 200 und zweiter Leiterrahmenabschnitte 300 können durch Zerteilen des Leiterrahmens 100 an horizontalen Trennebenen 130 und an vertikalen Trennebenen 140 vereinzelt werden. Die horizontalen Trennebenen 130 und die vertikalen Trennebenen 140 sind dabei senkrecht zu der Oberseite 110 und der Unterseite 120 des Leiterrahmens 100 orientiert.
Jeder erste Leiterrahmenabschnitt 200 weist eine Oberseite 210 und eine der Oberseite 210 gegenüberliegende Unterseite 220 auf. Die Oberseite 210 und die Unterseite 220 werden durch Abschnitte der Oberseite 110 und der Unterseite 120 des Leiterrahmens 100 gebildet. Die Oberseite 210 jedes ersten Leiterrahmenabschnitts 200 weist erhabene Bereiche 211 und gegenüber den erhabenen Bereichen 211 vertiefte Bereiche 212 auf. Entsprechend weist auch jeder zweite Leiterrahmenabschnitt 300 des Leiterrahmens 100 eine Oberseite 310 und eine der Oberseite 310 gegenüberliegende Unterseite 320 auf, wobei die Oberseite 310 vertiefte Bereiche 312 und gegenüber den vertieften Bereichen 312 erhabene Bereiche 311 aufweist.
Die vertieften Bereiche 212, 312 an den Oberseiten 210, 310 der ersten Leiterrahmenabschnitte 200 und der zweiten Leiterrahmenabschnitte 300 sind jeweils als zwischen erhabenen Bereichen 211, 311 angeordnete Gräben ausgebildet. Dabei sind der Graben an der Oberseite 210 eines ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und der Graben an der Oberseite 310 des dem ersten Leiterrahmenabschnitt 200 zugeordneten zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 derart kollinear angeordnet, dass beide Gräben einander fortsetzen.
Der Leiterrahmen 100 weist Durchgangsöffnungen 150 auf, die sich von der Oberseite 110 zur Unterseite 120 des Leiterrahmens 100 erstrecken. Die Durchgangsöffnungen 150 können jeweils eine näherungsweise zylindrische Form aufweisen, beispielsweise eine näherungsweise kreiszylindrische Form. Die Durchgangsöffnungen 150 können beispielsweise mittels eines Ätzprozesses angelegt sein.
An inneren Wandungen 151 der Durchgangsöffnungen 150 kann eine lötfähige Beschichtung 160 angeordnet sein. Die lötfähige Beschichtung 160 kann auch als Plating bezeichnet werden und weist bevorzugt ein elektrisch leitendes Metall auf, das durch ein Lot gut benetzbar ist. Die lötfähige Beschichtung 160 kann sich auch über andere Bereiche der Oberseite 110 und/oder der Unterseite 120 des Leiterrahmens 100 erstrecken.
Die Durchgangsöffnungen 150 und die an den Wandungen 151 der Durchgangsöffnungen 150 angeordnete lötfähige Beschichtung 160 werden vor dem Zerteilen des Leiterrahmens 100 entlang der horizontalen Trennebenen 130 und der vertikalen Trennebenen 140 angelegt.
Durch Zerteilen des Leiterrahmens 100 an den horizontalen Trennebenen 130 wird an jedem ersten Leiterrahmenabschnitt 200 an einer ersten horizontalen Trennebene 130 eine sich zwischen der Oberseite 210 und der Unterseite 220 des jeweiligen ersten Leiterrahmenabschnitts 200 erstreckende erste Seitenflanke 230 gebildet. An einer zweiten horizontalen Trennebene 130 wird eine sich von der Oberseite 210 zur Unterseite 220 des jeweiligen ersten Leiterrahmenabschnitts 200 erstreckende zweite Seitenflanke 260 gebildet, die der ersten Seitenflanke 230 gegenüberliegt. Entsprechend werden auch an jedem zweiten Leiterrahmenabschnitt 300 eine erste Seitenflanke 330 und eine der ersten Seitenflanke 330 gegenüberliegende zweite Seitenflanke 360 gebildet, die sich jeweils von der Oberseite 310 des jeweiligen zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 zur Unterseite 320 des jeweiligen zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 erstrecken.
Die zum Zerteilen des Leiterrahmens 100 zur Vereinzelung der Paare von ersten Leiterrahmenabschnitten 200 und zweiten Leiterrahmenabschnitten 300 vorgesehenen horizontalen Trennebenen 130 verlaufen durch die Durchgangsöffnungen 150 im Leiterrahmen 110. Die durch Zerteilen des Leiterrahmens 100 an den horizontalen Trennebenen 130 durchtrennten Durchgangsöffnungen 150 bilden Ausnehmungen in den beim Zerteilen des Leiterrahmens 100 gebildeten Seitenflanken 230, 260, 330, 360 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300. Die erste Seitenflanke 230 jedes ersten Leiterrahmenabschnitts 200 weist eine Ausnehmung 240 auf. Die zweite Seitenflanke 260 jedes ersten Leiterrahmenabschnitts 200 weist eine Ausnehmung 270 auf. Die erste Seitenflanke 330 jedes zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 weist eine Ausnehmung 340 auf. Die zweite Seitenflanke 360 jedes zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 weist eine Ausnehmung 370 auf. Die Ausnehmungen 240, 270, 340, 370 erstrecken sich jeweils von den erhabenen Bereichen 211, 311 der Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 zu den Unterseiten 220, 320 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300.
Die beim Zerteilen des Leiterrahmens 100 gebildeten Seitenflanken 230, 260, 330, 360 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 weisen lediglich im Bereich der durch die Wandungen 151 der Durchgangsöffnungen 150 gebildeten Ausnehmungen 240, 270, 340, 370 die lötfähige Beschichtung 160 auf. Die Ausnehmung 240 an der ersten Seitenflanke 230 jedes ersten Leiterrahmenabschnitts 200 bildet damit eine erste seitliche Lötkontaktfläche 250 dieses ersten Leiterrahmenabschnitts 200. Die Ausnehmung 270 an der zweiten Seitenflanke 260 jedes ersten Leiterrahmenabschnitts 200 bildet eine dritte seitliche Lötkontaktfläche 280. Die Ausnehmung 340 an der ersten Seitenflanke 330 jedes zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 bildet eine zweite seitliche Lötkontaktfläche 350. Die Ausnehmung 370 an der zweiten Seitenflanke 360 jedes zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 bildet eine vierte seitliche Lötkontaktfläche 380.
3 zeigt eine weitere perspektivische Darstellung des in 2 gezeigten Paars eines ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts 300. In der Darstellung der 3 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt 200 und auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 300 angeordnet.
Das Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 400 erfolgt vor dem Zerteilen des Leiterrahmens 100 entlang der horizontalen Trennebenen 130 und der vertikalen Trennebenen 140. Dabei wird auf jedem Paar eines ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 jeweils ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 angeordnet.
Der optoelektronische Halbleiterchip 400 kann beispielsweise als Leuchtdiodenchip (LED-Chip) ausgebildet sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 weist eine Oberseite 410 und eine der Oberseite 410 gegenüberliegende Unterseite 420 auf. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist dazu ausgebildet, an seiner Oberseite 410 elektromagnetische Strahlung abzustrahlen. Die Oberseite 410 bildet damit eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 400. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 kann dazu ausgebildet sein, auch an anderen Oberflächen elektromagnetische Strahlung abzustrahlen.
Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist in dem Graben angeordnet, der durch die vertieften Bereiche 212, 312 an den Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 gebildet wird. Dabei ist die Unterseite 420 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 den Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 zugewandt. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 steht sowohl mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 200 als auch mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 300 in Kontakt und überbrückt den zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 200 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 300 befindlichen Abstand. Die Unterseite 420 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 kann beispielsweise mittels einer Lötverbindung oder einer Klebeverbindung mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 200 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 300 verbunden sein.
Bevorzugt entspricht die zwischen seiner Oberseite 410 und seiner Unterseite 420 bemessene Dicke des optoelektronischen Halbleiterchips 400 etwa der Tiefe der vertieften Bereiche 212, 312 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300, sodass die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips 400 sich etwa auf der gleichen Höhe wie die erhabenen Bereiche 211, 311 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 befindet.
Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 200 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 300 verbunden. Hierzu können beispielsweise an der Unterseite 420 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 elektrische Kontakte des optoelektronischen Halbleiterchips 400 ausgebildet sein, die über Lötverbindungen elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 200 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 300 verbunden sind. Alternativ können elektrische Kontakte des optoelektronischen Halbleiterchips 400 aber auch über in 3 nicht gezeigte Bondverbindungen elektrisch leitend mit den Leiterrahmenabschnitten 200, 300 verbunden sein.
4 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 der 3 in einem der Darstellung der 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Der erste Leiterrahmenabschnitt 200, der zweite Leiterrahmenabschnitt 300 und der auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt 200 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 300 angeordnete optoelektronische Halbleiterchip 400 sind gemeinsam in einen Formkörper 500 eingebettet worden. Dadurch ist ein optoelektronisches Bauelement 10 gebildet worden.
Der Formkörper 500 kann auch als Moldkörper bezeichnet werden. Der Formkörper 500 weist ein elektrisch isolierendes Formmaterial (Moldmaterial) auf, beispielsweise ein Epoxidharz. Der Formkörper 500 kann beispielsweise durch Formpressen (Compression Molding) oder durch Spritzpressen (Transfer Molding) hergestellt werden, insbesondere durch folienunterstütztes Spritzpressen (Film-assisted Transfer Molding). Der Formkörper 500 kann auch durch ein anderes Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt werden.
Der Formkörper 500 wird vor dem Zerteilen des Leiterrahmens 300 entlang der horizontalen Trennebenen 130 und der vertikalen Trennebenen 140 ausgebildet. Dabei werden alle ersten Leiterrahmenabschnitte 200 und zweiten Leiterrahmenabschnitte 300 und die darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 400 in einen gemeinsamen Formkörper eingebettet. Anschließend wird der Formkörper gemeinsam mit dem Leiterrahmen 100 entlang der horizontalen Trennebenen 130 und der vertikalen Trennebenen 140 zerteilt.
Der Formkörper 500 weist eine Oberseite 510 und eine der Oberseite 510 gegenüberliegende Unterseite 520 auf. Zwischen der Oberseite 510 und der Unterseite 520 erstrecken sich eine erste Seitenflanke 530 des Formkörpers 500 und eine der ersten Seitenflanke 530 gegenüberliegende zweite Seitenflanke 560. Die erste Seitenflanke 530 und die zweite Seitenflanke 560 sind durch das Zerteilen des ursprünglichen großen Formkörpers und des darin eingebetteten Leiterrahmens 100 an den horizontalen Trennebenen 130 gebildet worden.
An der ersten Seitenflanke 530 des Formkörpers 500 liegen die erste Seitenflanke 230 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und die erste Seitenflanke 330 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 frei. Damit sind auch die erste seitliche Lötkontaktfläche 250 und die zweite seitliche Lötkontaktfläche 350 an der ersten Seitenflanke 530 des Formkörpers 500 zugänglich. Die erste Seitenflanke 230 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und die erste Seitenflanke 330 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 schließen bündig mit der ersten Seitenflanke 530 des Formkörpers 500 ab. Entsprechend liegen auch die zweite Seitenflanke 260 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und die zweite Seitenflanke 360 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 an der zweiten Seitenflanke 560 des Formkörpers 500 frei und schließen bündig mit der zweiten Seitenflanke 560 des Formkörpers 500 ab. Dadurch sind die dritte seitliche Lötkontaktfläche 280 und die vierte seitliche Lötkontaktfläche 380 des optoelektronischen Bauelements 10 an der zweiten Seitenflanke 560 des Formkörpers 500 zugänglich.
Die erhabenen Bereiche 211, 311 der Oberseiten 210, 310 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 und die Oberseite 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 liegen an der Oberseite 510 des Formkörpers 500 frei und schließen im Wesentlichen bündig mit der Oberseite 510 des Formkörpers 500 ab. Dadurch kann von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 an seiner Oberseite 410 emittierte elektromagnetische Strahlung an der Oberseite 510 des Formkörpers 500 von dem optoelektronischen Bauelement 10 abgestrahlt werden. Die Oberseite 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 kann während der Ausbildung des Formkörpers 500 beispielsweise mittels einer Folie abgedeckt und dadurch vor einer Bedeckung durch das Material des Formkörpers 500 geschützt werden.
Bevorzugt liegen auch die Unterseiten 220, 320 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 an der Unterseite 520 des Formkörpers 500 frei und schließen bündig mit der Unterseite 520 des Formkörpers 500 ab. In diesem Fall können an der Unterseite 220 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 eine erste untere Lötkontaktfläche 290 des optoelektronischen Bauelements 10 und an der Unterseite 320 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 eine zweite untere Lötkontaktfläche 390 des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein. Bevorzugt weisen die erste untere Lötkontaktfläche 290 und die zweite untere Lötkontaktfläche 390 die lötfähige Beschichtung 160 auf.
An der Oberseite 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und wahlweise auch in anderen Bereichen an der Oberseite 510 des Formkörpers 500 und den Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 kann eine wellenlängenkonvertierende Beschichtung 600 angeordnet sein. Die wellenlängenkonvertierende Beschichtung 600 kann dazu vorgesehen sein, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Hierdurch kann beispielsweise aus elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich Licht erzeugt werden, das einen weißen Farbeindruck aufweist. Die wellenlängenkonvertierende Beschichtung 600 kann bevorzugt bereits vor dem Zerteilen des Formkörpers 500 und des Leiterrahmens 100 aufgebracht werden, beispielsweise durch ein Sprühverfahren. Die wellenlängenkonvertierende Beschichtung 600 kann aber auch entfallen. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 kann auch bereits vor dem Einbetten des optoelektronischen Halbleiterchips 400 in den Formkörper 500 ein an seiner Oberseite 410 angeordnetes wellenlängenkonvertierendes Element aufweisen. In diesem Fall schließt nach dem Einbetten des optoelektronischen Halbleiterchips 400 das wellenlängenkonvertierende Element bündig mit der Oberseite 510 des Formkörpers 500 ab.
5 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung einer optoelektronischen Anordnung aus einer Leiterplatte 700 und dem darauf angeordneten optoelektronischen Bauelement 10. Die Leiterplatte 700 kann beispielsweise eine gedruckte Leiterplatte (PCB) sein und weist auf ihrer Oberseite in 5 nicht detailliert dargestellte elektrische Kontakte zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements 10 auf. Anstelle der Leiterplatte 700 könnte auch eine andere Art eines Trägers vorgesehen sein.
Das optoelektronische Bauelement 10 ist derart an der Oberseite der Leiterplatte 700 angeordnet, dass die ersten Seitenflanken 230, 330 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 der Leiterplatte 700 zugewandt sind. Die an der ersten Seitenflanke 230 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnete erste seitliche Lötkontaktfläche 250 des optoelektronischen Bauelements 10 und die an der ersten Seitenflanke 330 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 angeordnete zweite seitliche Lötkontaktfläche 350 des optoelektronischen Bauelements 10 sind über Lötverbindungen elektrisch leitend mit den an der Oberseite der Leiterplatte 700 angeordneten Kontaktflächen verbunden, was in 5 nicht detailliert dargestellt ist.
Die die seitlichen Lötkontaktflächen 250, 350 bildenden Ausnehmungen 240, 340 an den ersten Seitenflanken 230, 330 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 können als Lötkontrollstrukturen dienen, die eine optische Kontrolle der Qualität der Lötverbindungen zwischen den seitlichen Lötkontaktflächen 250, 350 des optoelektronischen Bauelements 10 und den Kontaktflächen der Leiterplatte 700 ermöglichen. Bevorzugt werden die Ausnehmungen 240, 340 während des Herstellens der Lötverbindungen durch das Lot vollständig geschlossen, sodass eine Durchsicht durch die Ausnehmungen 240, 340 nicht mehr möglich ist.
Da sich die die seitlichen Lötkontaktflächen 250, 350 bildenden Ausnehmungen 240, 340 jeweils symmetrisch von den Oberseiten 210, 310 zu den Unterseiten 220, 320 über die gesamte Höhe der Seitenflanken 230, 330 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 des optoelektronischen Bauelements 10 erstrecken, können die die seitlichen Lötkontaktflächen 250, 350 bildenden Ausnehmungen 240, 340 als Löt-Alignment-Strukturen zur Ausrichtung des optoelektronischen Bauelements 10 an der Oberseite der Leiterplatte 700 dienen. Eine sich bei der Herstellung der Lötverbindung zwischen den seitlichen Lötkontaktflächen 250, 350 des optoelektronischen Bauelements 10 und den Kontaktflächen der Leiterplatte 700 ergebende Benetzung der seitlichen Lötkontaktflächen 250, 350 kann eine Ausrichtung der Neigung und/oder der Position des optoelektronischen Bauelements 10 an der Oberseite der Leiterplatte 700 bewirken.
Dadurch, dass die ersten Seitenflanken 230, 330 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 des optoelektronischen Bauelements 10 in der optoelektronischen Anordnung der 5 der Oberseite der Leiterplatte 700 zugewandt sind, ist die Oberseite 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 des optoelektronischen Bauelements 10 senkrecht zur Oberseite der Leiterplatte 700 orientiert. Eine Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung von dem optoelektronischen Bauelement 10 erfolgt in zur Oberseite der Leiterplatte 700 parallele Richtung. Das optoelektronische Bauelement 10 befindet sich damit in einer Sidelooker-Anordnung.
Alternativ zu der in 5 dargestellten Anordnung des optoelektronischen Bauelements 10 ist es auch möglich, das optoelektronische Bauelement 10 derart an der Oberseite der Leiterplatte 700 anzuordnen, dass die zweite Seitenflanke 260 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und die zweite Seitenflanke 360 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 des optoelektronischen Bauelements 10 der Oberseite der Leiterplatte 700 zugewandt sind. Das optoelektronische Bauelement 10 wird in diesem Fall über die dritte seitliche Lötkontaktfläche 280 und die vierte seitliche Lötkontaktfläche 380 elektrisch kontaktiert. Auch in diesem Fall befindet sich das optoelektronische Bauelement 10 in einer Sidelooker-Anordnung.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, das optoelektronische Bauelement 10 derart auf der Leiterplatte 700 anzuordnen, dass die Unterseite 220 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und die Unterseite 320 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 des optoelektronischen Bauelements 10 der Oberseite der Leiterplatte 700 zugewandt sind. In diesem Fall wird das optoelektronische Bauelement 10 über die erste untere Lötkontaktfläche 290 an der Unterseite 220 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und über die zweite untere Lötkontaktfläche 390 an der Unterseite 320 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 elektrisch kontaktiert. In dieser Anordnung des optoelektronischen Bauelements 10 ist die Oberseite 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 des optoelektronischen Bauelements 10 parallel zur Oberseite der Leiterplatte 700 orientiert. Eine Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung durch das optoelektronische Bauelement 10 erfolgt in zur Oberseite der Leiterplatte 700 senkrechte Richtung. Das optoelektronische Bauelement 10 befindet sich damit in einer Toplooker-Anordnung.
6 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Leiterrahmens 1100 gemäß einer alternativen Ausführungsform. Der Leiterrahmen 1100 weist eine Mehrzahl erster Leiterrahmenabschnitte 1200 und zweiter Leiterrahmenabschnitte 1300 auf. Der Leiterrahmen 1100 und seine ersten Leiterrahmenabschnitte 1200 und zweiten Leiterrahmenabschnitte 1300 entsprechen in Form und Funktion im Wesentlichen dem in 1 dargestellten Leiterrahmen 100 mit den ersten Leiterrahmenabschnitten 200 und den zweiten Leiterrahmenabschnitten 300. Komponenten des Leiterrahmens 1100, die beim Leiterrahmen 100 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in 6 daher mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 1 und werden nachfolgend nicht erneut detailliert beschrieben. Die weitere Beschreibung beschränkt sich auf eine Darstellung der Unterschiede zwischen dem Leiterrahmen 1100 und dem Leiterrahmen 100.
7 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Paars aus einem ersten Leiterrahmenabschnitt 1200 und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt 1300 des Leiterrahmens 1100. Die Leiterrahmenabschnitte 1200, 1300 des Leiterrahmens 1100 unterscheiden sich von den Leiterrahmenabschnitten 200, 300 des Leiterrahmens 100 im Wesentlichen dadurch, dass die Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 1200, 1300 nicht in erhabene Bereiche und vertiefte Bereiche unterteilt sind. Stattdessen sind die gesamten Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 1200, 1300 des Leiterrahmens 1100 im Wesentlichen plan ausgebildet.
8 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des ersten Leiterrahmenabschnitts 1200 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 1300 in einem der Darstellung der 7 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Der erste Leiterrahmenabschnitt 1200 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 1300 sind in einen Formkörper 1500 eingebettet worden, der im Wesentlichen wie der Formkörper 500 der 4 ausgebildet ist. Alle ersten Leiterrahmenabschnitte 1200 und zweiten Leiterrahmenabschnitte 1300 des Leiterrahmens 1100 werden vor dem Zerteilen des Leiterrahmens 1100 in einen gemeinsamen großen Formkörper eingebettet, der in einem späteren Verfahrensschritt, gemeinsam mit dem Leiterrahmen 1100, an den horizontalen Trennebenen 130 und den vertikalen Trennebenen 140 zerteilt wird.
Die Oberseiten 210, 310 des ersten Leiterrahmenabschnitts 1200 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 1300 liegen an der Oberseite 510 des Formkörpers 1500 frei und schließen bündig mit der Oberseite 510 des Formkörpers 1500 ab. Ein optoelektronischer Halbleiterchip ist nicht in den Formkörper 1500 eingebettet.
9 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des Formkörpers 1500 mit den eingebetteten Leiterrahmenabschnitten 1200, 1300 in einem der Darstellung der 8 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Über der Oberseite 510 des Formkörpers 1500 ist an der Oberseite 210 des ersten Leiterrahmenabschnitts 1200 und an der Oberseite 310 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 1300 ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 angeordnet worden. Dadurch ist ein optoelektronisches Bauelement 20 gebildet worden. Bevorzugt wurde der optoelektronische Halbleiterchip 400 noch vor dem Zerteilen des Leiterrahmens 1100 und des Formkörpers an den Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 1200, 1300 angeordnet.
Der optoelektronische Halbleiterchip 400 des optoelektronischen Bauelements 20 der 9 kann ausgebildet sein wie der optoelektronische Halbleiterchip 400 des optoelektronischen Bauelements 10 der 4. Insbesondere kann der optoelektronische Halbleiterchip 400 des optoelektronischen Bauelements 20 auch als volumenemittierender Halbleiterchip ausgebildet sein, beispielsweise als volumenemittierender Saphir-Flipchip.
Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist in dem in 9 gezeigten Beispiel näher an der ersten Seitenflanke 530 des Formkörpers 1500 angeordnet als an der zweiten Seitenflanke 560 des Formkörpers 1500. Dadurch ist der optoelektronische Halbleiterchip 400 bei einer Montage des optoelektronischen Bauelements 20 mit der Oberseite einer Leiterplatte zugewandten ersten Seitenflanken 230, 330 der Leiterrahmenabschnitte 1200, 1300 besonders nahe an der Oberseite der Leiterplatte angeordnet. Es wäre allerdings auch möglich, den optoelektronischen Halbleiterchip 400 an der Oberseite 510 des Formkörpers 1500 mittig zwischen der ersten Seitenflanke 530 und der zweiten Seitenflanke 560 oder näher an der zweiten Seitenflanke 560 als an der ersten Seitenflanke 530 anzuordnen.
An der Oberseite 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und wahlweise auch in Bereichen der Oberseite 510 des Formkörpers 1500 und der Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 1200, 1300 des optoelektronischen Bauelements 20 kann wiederum eine wellenlängenkonvertierende Beschichtung 600 angeordnet sein.
10 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Teils eines Leiterrahmens 2100 gemäß einem weiteren Beispiel. Der Leiterrahmen 2100 umfasst eine Mehrzahl erster Leiterrahmenabschnitte 2200 und zweiter Leiterrahmenabschnitte 2300. Der Leiterrahmen 2100 mit den ersten Leiterrahmenabschnitten 2200 und den zweiten Leiterrahmenabschnitten 2300 ist im Wesentlichen ausgebildet wie der Leiterrahmen 1100 mit den ersten Leiterrahmenabschnitten 1200 und den zweiten Leiterrahmenabschnitten 1300. Insbesondere sind auch beim Leiterrahmen 2100 die Oberseiten 210, 310 der ersten Leiterrahmenabschnitte 2200 und der zweiten Leiterrahmenabschnitte 2300 im Wesentlichen plan und ohne erhabene und vertiefte Bereiche ausgebildet. Ansonsten entspricht auch der Leiterrahmen 2100 in Form und Funktion im Wesentlichen dem Leiterrahmen 100 der 1. 11 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines durch einen der ersten Leiterrahmenabschnitte 2200 und einen der zweiten Leiterrahmenabschnitte 2300 des Leiterrahmens 2100 gebildeten Paars.
12 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements 30. Das optoelektronische Bauelement 30 umfasst den ersten Leiterrahmenabschnitt 2200 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 2300 der 11 sowie einen an der Oberseite 210 des ersten Leiterrahmenabschnitts 2200 und an der Oberseite 310 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 2300 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip 400. Das optoelektronische Bauelement 30 der 12 weist keinen Formkörper und auch keine anderen weiteren tragenden Gehäuseteile auf.
Der optoelektronische Halbleiterchip 400 des optoelektronischen Bauelements 30 ist ausgebildet wie der optoelektronische Halbleiterchip 400 des optoelektronischen Bauelements 10 der 4 und wie der optoelektronische Halbleiterchip 400 des optoelektronischen Bauelements 20 der 9. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 des optoelektronischen Bauelements 30 kann als volumenemittierender Saphir-Flipchip ausgebildet sein. Die Unterseite 420 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist den Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 2200, 2300 zugewandt und über Lot- oder Klebeverbindungen mit diesen verbunden. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 stellt dadurch eine mechanische Verbindung zwischen den Leiterrahmenabschnitten 2200, 2300 des optoelektronischen Bauelements 30 her.
Das Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 300 an den Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 2200, 2300 erfolgt vor dem Zerteilen des Leiterrahmens 2100 an den horizontalen Trennebenen 130 und den vertikalen Trennebenen 140.
Auch beim optoelektronischen Bauelement 30 der 12 kann an der Oberseite 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und, wahlweise, auch an den übrigen Teilen der Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 1200, 1300 eine wellenlängenkonvertierende Beschichtung 600 angeordnet sein.
13 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements 40 gemäß einem weiteren Beispiel. Das optoelektronische Bauelement 40 umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt 3200 und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt 3300, die analog zu den Leiterrahmenabschnitten 200, 300 des optoelektronischen Bauelements 10 der 4 aus einem Leiterrahmen mit einer Mehrzahl solcher erster Leiterrahmenabschnitte 3200 und zweiter Leiterrahmenabschnitte 3300 gebildet worden sind. Die Oberseiten 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 3200, 3300 weisen, wie die Leiterrahmenabschnitte 200, 300 des optoelektronischen Bauelements 10, erhabene Bereiche 211, 311 und vertiefte Bereiche 212, 312 auf.
Auf den vertieften Bereichen 212, 312 des ersten Leiterrahmenabschnitts 3200 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 3300 des optoelektronischen Bauelements 40 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 angeordnet, der wie die optoelektronischen Halbleiterchips 400 der optoelektronischen Bauelemente 10, 20, 30 ausgebildet ist.
Das optoelektronische Bauelement 40 weist, wie das optoelektronische Bauelement 30, keinen Formkörper auf. Das optoelektronische Bauelement 40 weist neben dem ersten Leiterrahmenabschnitt 3200 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 3300 und dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 keine weiteren tragenden Gehäuseteile auf.
Bei der Herstellung des optoelektronischen Bauelements 40 verlaufen, außer den horizontalen Trennebenen 130, auch die vertikalen Trennebenen 140 durch die im Leiterrahmen angeordneten Durchgangsöffnungen. Die die seitlichen Lötkontaktflächen 250, 280, 350, 380 bildenden Ausnehmungen 240, 270, 340, 370 sind bei den Leiterrahmenabschnitten 3200, 3300 des optoelektronischen Bauelements 40 daher in Eckbereichen angeordnet.
In einer in den Figuren nicht dargestellten weiteren Ausführungsform können die Leiterrahmenabschnitte 3200, 3300 und der optoelektronische Halbleiterchip 400 des optoelektronischen Bauelements 40 in einen gemeinsamen Formkörper eingebettet sein, wie dies beim optoelektronischen Bauelement 10 der 4 der Fall ist.
14 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements 50 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Das optoelektronische Bauelement 50 weist deutliche Übereinstimmungen mit dem optoelektronischen Bauelement 10 der 4 auf. Nachfolgend werden lediglich die Unterschiede zwischen dem optoelektronischen Bauelement 50 und dem optoelektronischen Bauelement 10 erläutert.
Das optoelektronische Bauelement 50 weist einen ersten Leiterrahmenabschnitt 4200, einen zweiten Leiterrahmenabschnitt 4300 und einen weiteren Leiterrahmenabschnitt 4350 auf. Auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt 4200 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 4300 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 angeordnet. Zusätzlich ist auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 4300 und auf dem weiteren Leiterrahmenabschnitt 4350 ein weiterer optoelektronischer Halbleiterchip 4400 angeordnet, der wie der optoelektronische Halbleiterchip 400 ausgebildet sein kann. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 4200 und mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 4300 verbunden. Der weitere optoelektronische Halbleiterchip 4400 ist elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 4300 und mit dem weiteren Leiterrahmenabschnitt 4350 verbunden. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 und der weitere optoelektronische Halbleiterchip 4400 sind also zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 4200 und dem weiteren Leiterrahmenabschnitt 4350 elektrisch in Reihe geschaltet.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 4200 des optoelektronischen Bauelements 50 ist ausgebildet wie der erste Leiterrahmenabschnitt 200 des optoelektronischen Bauelements 10 der 4. Der weitere Leiterrahmenabschnitt 4350 des optoelektronischen Bauelements 50 ist ausgebildet wie der zweite Leiterrahmenabschnitt 300 des optoelektronischen Bauelements 10. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 4300 des optoelektronischen Bauelements 50 ist ausgebildet wie ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 300 und ein erster Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 100, die nicht entlang der zwischen ihnen angeordneten vertikalen Trennebene 140 getrennt wurden. Dies ermöglicht es, das optoelektronische Bauelement 50 aus demselben Leiterrahmen 100 herzustellen wie das optoelektronische Bauelement 10 der 4.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 4200, der zweite Leiterrahmenabschnitt 4300 und der weitere Leiterrahmenabschnitt 4350 sowie der optoelektronische Halbleiterchip 400 und der weitere optoelektronische Halbleiterchip 4400 sind in einen gemeinsamen Formkörper 4500 eingebettet. Dabei schließen die erhabenen Bereiche 211, 311 der Leiterrahmenabschnitte 4200, 4300, 4350 und die Oberseiten 410 der optoelektronischen Halbleiterchips 400, 4400 bündig mit der Oberseite 510 des Formkörpers 4500 ab.
Es ist möglich, ein optoelektronisches Bauelement mit noch weiteren Leiterrahmenabschnitten und noch weiteren optoelektronischen Halbleiterchips auszubilden. Der Leiterrahmen 100 der 1 ermöglicht vorteilhafterweise eine Herstellung optoelektronischer Bauelemente, die aus beliebig langen Ketten von Leiterrahmenabschnitten 4200, 4300, 4350 und optoelektronischen Halbleiterchips 400, 4400 gebildet sind.

Claims

Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50) mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 2300, 3300, 4300), die voneinander beabstandet sind, und mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (400), der auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 2300, 3300, 4300) angeordnet ist, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 2300, 3300, 4300) jeweils eine Oberseite (210, 310), eine Unterseite (220, 320) und eine sich zwischen der Oberseite (210, 310) und der Unterseite (220, 320) erstreckende erste Seitenflanke (230, 330) aufweisen, wobei an der ersten Seitenflanke (230) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 2200, 3200, 4200) eine erste seitliche Lötkontaktfläche (250) des optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50) ausgebildet ist, wobei die erste seitliche Lötkontaktfläche (250) durch eine in der ersten Seitenflanke (230) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 2200, 3200, 4200) angeordnete Ausnehmung (240) gebildet wird, die sich von der Oberseite (210) bis zu der Unterseite (220) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 2200, 3200, 4200) erstreckt, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 4200) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 4300) gemeinsam in einen Formkörper (500, 1500, 4500) eingebettet sind, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400) in den Formkörper (500, 4500) eingebettet ist, wobei eine Oberseite (410) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) bündig mit einer Oberseite (510) des Formkörpers (500, 4500) abschließt.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50) gemäß Anspruch 1, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 2300, 3300, 4300) jeweils eine der ersten Seitenflanke (230, 330) gegenüberliegende zweite Seitenflanke (260, 360) aufweisen, wobei an der zweiten Seitenflanke (260) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 2200, 3200, 4200) eine dritte seitliche Lötkontaktfläche (280) des optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50) ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (20, 30) gemäß Anspruch 2, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400) näher an den ersten Seitenflanken (230, 330) als an den zweiten Seitenflanken (260, 360) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei an der Unterseite (220) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 2200, 3200, 4200) eine erste untere Lötkontaktfläche (290) des optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50) ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Unterseite (220) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 4200) und die Unterseite (320) des zweiten Leiterrahmenabschnitts (300, 1300, 4300) bündig mit einer Unterseite (520) des Formkörpers (500, 1500, 4500) abschließen.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Seitenflanke (230) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 4200) und die erste Seitenflanke (330) des zweiten Leiterrahmenabschnitts (300, 1300, 4300) bündig mit einer ersten Seitenflanke (530) des Formkörpers (500, 1500, 4500) abschließen.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest ein Teil der Oberseite (210) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 4200) und zumindest ein Teil der Oberseite (310) des zweiten Leiterrahmenabschnitts (300, 1300, 4300) bündig mit der Oberseite (510) des Formkörpers (500, 1500, 4500) abschließen.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400) als volumenemittierender Saphir-Flipchip ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das optoelektronische Bauelement (50) einen weiteren Leiterrahmenabschnitt (4350) aufweist, der von dem ersten Leiterrahmenabschnitt (4200) und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (4300) beabstandet ist, wobei ein weiterer optoelektronischer Halbleiterchip (4400) auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (4300) und auf dem weiteren Leiterrahmenabschnitt (4350) angeordnet ist.
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50) mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Leiterrahmens (100, 1100, 2100) mit einer Oberseite (110) und einer Unterseite (120), wobei der Leiterrahmen (100, 1100, 2100) einen ersten Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 2300, 3300, 4300) umfasst; - Anlegen einer sich von der Oberseite (110) zu der Unterseite (120) erstreckenden Durchgangsöffnung (150) in dem Leiterrahmen (100, 1100, 2100); - Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (400) auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 2300, 3300, 4300); - Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 4200), des zweiten Leiterrahmenabschnitts (300, 1300, 4300) und des optoelektronischen Halbleiterchips (400) in einen Formkörper (500, 1500, 4500), so dass eine Oberseite (410) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) bündig mit einer Oberseite (510) des Formkörpers (500, 4500) abschließt; - Zerteilen des Leiterrahmens (100, 1100, 2100), um das optoelektronische Bauelement (10, 20, 30, 40, 50) zu vereinzeln, wobei eine Trennebene (130) beim Zerteilen des Leiterrahmens (100, 1100, 2100) durch die Durchgangsöffnung (150) verläuft, wobei durch das Zerteilen am ersten Leiterrahmenabschnitt (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und am zweiten Leiterrahmenabschnitt (300, 1300, 2300, 3300, 4300) an der Trennebene (130) jeweils eine sich von der Oberseite (110) zu der Unterseite (120) erstreckende erste Seitenflanke (230, 330) gebildet wird, wobei an der ersten Seitenflanke (230) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 2200, 3200, 4200) durch eine Wandung (151) der Durchgangsöffnung (150) eine erste seitliche Lötkontaktfläche (250) ausgebildet wird.
Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst: - Anordnen einer lötfähigen Beschichtung (160) an der Wandung (151) der Durchgangsöffnung (150).
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 und 11, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst: - Aufbringen einer wellenlängenkonvertierenden Beschichtung (600) auf den optoelektronischen Halbleiterchip (400) mittels eines Sprühverfahrens.
Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Anordnung mit den folgenden Schritten: - Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50) nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12; - Anordnen des optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50) auf einer Leiterplatte (700), wobei die ersten Seitenflanken (230, 330) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200, 1200, 2200, 3200, 4200) und des zweiten Leiterrahmenabschnitts (300, 1300, 2300, 3300, 4300) der Leiterplatte (700) zugewandt werden.