JP2005285899A - 発光ダイオードのパッケージ構造 - Google Patents
発光ダイオードのパッケージ構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005285899A JP2005285899A JP2004094531A JP2004094531A JP2005285899A JP 2005285899 A JP2005285899 A JP 2005285899A JP 2004094531 A JP2004094531 A JP 2004094531A JP 2004094531 A JP2004094531 A JP 2004094531A JP 2005285899 A JP2005285899 A JP 2005285899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- groove
- light
- package structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
【課題】 広角的に光を放射する発光ダイオードパッケージを得る。
【解決手段】 一対のアノード電極用の電極板とカソード電極用の電極板を設けたマウント本体の上部側に設けた凹部に発光ダイオードを搭載する発光ダイオードのパッケージ構造において、凹部を溝31aの形状に形成して、溝31aの開口方向に沿って発光ダイオード37の光を放射させるようにする。溝31aは、入口の幅が広く、深くなるに従って幅が狭くなるように傾斜を持たせる。また、溝31aの側面31b及び底面31cには、光の反射手段36を設けると共に発光ダイオード37を透明樹脂39で覆う。
【選択図】 図1
【解決手段】 一対のアノード電極用の電極板とカソード電極用の電極板を設けたマウント本体の上部側に設けた凹部に発光ダイオードを搭載する発光ダイオードのパッケージ構造において、凹部を溝31aの形状に形成して、溝31aの開口方向に沿って発光ダイオード37の光を放射させるようにする。溝31aは、入口の幅が広く、深くなるに従って幅が狭くなるように傾斜を持たせる。また、溝31aの側面31b及び底面31cには、光の反射手段36を設けると共に発光ダイオード37を透明樹脂39で覆う。
【選択図】 図1
Description
本発明は、発光ダイオードに関し、特に、そのパッケージ構造に関する。
発光ダイオード(以下、LEDと称する)は、AlInGaPやGaNなどの化合物半導体をサファイヤ基板上にPN接合を形成し、これに順方向電流を通じて可視光または近赤外光の発光を得るものであり、近年、表示をはじめ、通信、計測、制御などに広く応用されている。一方、近年の電子機器は、高性能化、多機能化と共に、小型化、軽量化を追求している。更に、放熱性・信頼性が重視される分野にも適用範囲が拡大している。そのため、電子機器に使用される電子部品は、プリント配線基板上に表面実装できるようにパッケージにした部品が多く用いられるようになってきている。そして、このようなパッケージの部品は、一般的に略立方体形状をしており、プリント配線基板上の配線パターンにリフロー半田付けなどの固着手段で実装される。LEDもこうした要求に応えるものが開発されている。
このような従来のLEDのパッケージについて、その一般的なパッケージ構造を図10、図11を基にしてその概要を説明する。図10は従来のLEDのパッケージ構造を示す斜視図で、図11は図10におけるパッケージの要部断面図を示したものである。図10、11において、このLEDのパッケージ10は、略コの字型形状をしたアノード電極板の役目をなすリードフレーム4と、同じく、略コの字型形状をしたカソード電極板の役目をなすリードフレーム5とをインサート射出成形方法で樹脂の中にインサートして形成したマウント本体1と、マウント本体1の上部すり鉢状の凹部をなした底面にあって、露出したリードフレーム5の露出面5aに固定されたLED7と、パッケージ本体1のすり鉢状の凹部を埋めるかたちで設けられた封止材9とが主要構成要素部品となって構成されている。そして、LED7の下面に設けられているカソード電極(図中省略)の端子とリードフレーム5の露出面5aとが半田付けなどの公知の方法で接合されて導通が図られ、また一方、LED7の上面に設けられているアノード電極(図中省略)の端子とリードフレーム4の露出面4aとがワイヤー8を介してワイヤーボンディングされ導通が図られた構造になっている。
マウント本体1は一体で成形した下部マウント2と上部マウント3に分かれており、インサートされたリードフレーム4、5を境にして下方側を下部マウント2、上方側を上部マウント3になっている。そして、上部マウント3の中央部には、すり鉢状の凹部が設けられていて、そのすり鉢状の凹部の内周斜面3aに反射膜からなるリフレクター6が設けられている。また、LED7を配設した凹部には、LED7などを保護する目的で透明な樹脂からなる封止材9が埋められている。このように構成したLEDのパッケージ10は、リードフレーム4の下面4b、及びリードフレーム5の下面5bがマザーボード基板や、あるいはFPC基板に接合されてLED7に導通が取られるようになっている。
ここで、上記の構造を取るパッケージ10の各構成部品の仕様について簡単に説明する。リードフレーム4、5は、Cu系やFe系などの金属板をプレス加工を施して略コの字型に形成し、その表面に、Cu、Ni、Ag、Auなどのメッキを施している。マウント本体1は、白色顔料などを混ぜ合わせた液晶ポリマーやスーパーエンジニアリングプラスチック材料などを用いて、金型内にリードフレーム4、5を配設してインサート射出成形方法でもって成形する。上部マウント3のすり鉢状の凹部は金型から転写して形成するが、凹部の内周斜面3aは金型から転写して鏡面に仕上げている。リフレクター6は金属反射膜からなるもので、Ag金属などの光反射率の高い金属でもって真空蒸着方法などで形成する。封止材9は透明なエポキシ樹脂、シリコン樹脂などを用いて、ポッティング方法などで形成する。
上記の構成を取るパッケージ構造は、LED7から発光した光が、封止材9を直接透過して外部に放射され光(例えば、L1などの光)、リフレクター6に反射されて外部に放射される光(例えば、L2などの光)、リードフレーム4、5に反射されて外部に放射される光(例えば、L3の光)となって、ある一定の指向角を持って外部に放射される。従って、輝度の高い、明るい発光のパッケージが得られる。
上記構成を取るLEDのパッケージは、液晶表示装置のバックライトなどにも用いられている。図12は液晶表示装置の一般的なバックライト構造を示すもので、バックライト付液晶表示装置の側面図を示している。また、図13は図12に示すバックライト照明装置の平面図を示している。ここで、簡単にLEDパッケージを用いたバックライト構造を説明する。
図12、図13より、液晶表示装置のバックライト構造は、液晶表示装置11の下方側に照明装置16が配設したものになっている。液晶表示装置11は、内面にそれぞれ透明電極と配向膜とを設けた上ガラス基板13と下ガラス基板12とをスペーサを介して一定の間隙を設けて対向して配置し、その間隙部分に液晶を封入した構造を取っている。また、下ガラス基板12の下面には下偏光板、上ガラス基板13の上面には上偏光板15を設けた構造を取っている。照明装置16は、導光板17と、この導光板17の側面に配設した2個のLEDパッケージ10と、導光板17の上面側に配設した拡散シート22とから構成されており、LEDパッケージ10は配線基板23に取付けられて導光板17の側面19に配設される。導光板19は透明なアクリル樹脂などから形成され、下面20には反射板21が設けられている。また、下面は導光板17の奥に行くに従って順次薄くなるなるように傾斜が付いた傾斜面になっている。LEDパッケージ10は指向角θを持っており、1個では液晶表示装置11の全表示領域を照明できないので、全表示領域を照明するために2個設けている。
液晶表示装置のバックライト構造は、上記の構造の下で、2個のLEDパッケージ10から放射した光が導光板17の側面19から導光板17内に入射し、その入射した光が導光板17の下面20に設けた反射板21で反射されて導光板17の上面18側に向かい、上面18から拡散シート22に入射する。拡散シート22では光を拡散して上方にある液晶表示装置11に入射させる。そして、液晶表示装置11を照明する。拡散シート22は光を拡散して、光の明るさのムラを無くすために設けている。
ここで、LEDパッケージは照明輝度を明るくさせるために、上述したように指向角を持たせている。指向角の大きいもので80°、即ち、両角合わせると160°の範囲であるが、導光板のサイズが大きくなると1個では足りず、複数個用意しなければならない。導光板の入射面となる側面から十分余裕を取った位置にLEDパッケージを配設する構造を取れば1個で間に合わすこともできるが、その場合には、照明装置自体の大きさが非常に大きいものになってしまう。
このように、導光板の大きさが大きくなるに従って(このことは、液晶表示装置の表示領域の大きさに関係するが)、用いるLEDパッケージの数も増やさなければならず、照明装置のコストもアップする。また、LEDパッケージの数が増えることにより照明の明るさにムラなどが発生する。
本発明は、上記課題に鑑みて成されたもので、極力少ない個数のLEDパッケージで広い領域を明るく均一に照明するLEDパッケージを得ることを目的とするものである。
上記の課題を解決するための手段として、本発明の請求項1に記載の発明は、一対のアノード電極用の電極板とカソード電極用の電極板を設けたマウント本体の上部側に設けた凹部に発光ダイオードを搭載する発光ダイオードのパッケージ構造において、上記凹部は溝の形状をなしており、該溝の開口方向に沿って前記発光ダイオードの発光した光が放射することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項2に記載の発明は、前記溝の側面が、前記マウント本体の上面側にいくに従って溝幅が大きくなるように傾斜が付いていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項3に記載の発明は、前記溝の底面には、前記一対のアノード電極用の電極板とカソード電極用の電極板の一部が露出しており、該露出面に前記発光ダイオードが搭載されて前記一対の電極板と導通接続されていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項4に記載の発明は、前記溝の側面及び底面に、光の反射手段が設けられていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項5に記載の発明は、前記発光ダイオードが、透明樹脂によって覆われていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項6に記載の発明は、前記溝の底面が、前記マウント本体の外周部にいくに従って溝の深さが浅くなるように傾斜が付いていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項7に記載の発明は、前記溝の側面及び底面が、鏡面をなしていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項8に記載の発明は、前記マウント本体が、白色の樹脂から形成されていることを特徴とするものである。
発明の効果として、請求項1に記載の発明の下では、凹部を溝で形成することにより、溝の開口に沿って発光ダイオードの光が放射されるので、180°の指向角を持った帯状の放射光が得られる。従って、放射領域が従来のものより非常に広くなる。更に、請求項2に記載の如く、溝の側面を傾斜させることによって、発光ダイオードの放射光を効率よくパッケージの外部に放射できると共に、幅の広い帯状の放射光が得られる。
また、請求項3に記載の発明の下では、溝の底面にあって、一対の電極板の一部が露出していて、その露出面の所に発光ダイオードを搭載している。即ち、発光ダイオードを設ける位置の傍に一対の電極板の一部がくるように設計している。接続配線が短くて、且つ、配線し易い効果を生む。
また、請求項4に記載の発明の下では、溝の側面と底面には反射手段を設けてある。高反射率の反射手段としてはAg金属膜からなる反射面や、請求項8に記載の如くの白色樹脂からなる反射面などがあげられるが、請求項7に記載の如く、側面と底面が鏡面に仕立てられて、更に、反射手段を設けることによって、発光ダイオードの放射光の多くを効率よくパッケージの外部に放射させることができる。
また、請求項5に記載の発明の下では、透明樹脂が発光ダイオードを覆っているので、発光ダイオードの保護ができると共に、光の分散作用が起きて明るさに均一さが生まれる。
また、請求項6に記載の発明の下では、溝の底面に傾斜が付いている。この傾斜によって反射される光は発光ダイオードの前面側、即ち、マウント本体の前面側に放射される。この傾斜角度を調整することによって、溝に沿って放射される角度を制御して180°より狭めることができる。そして、放射光の有効利用を図ることができる。
以下、本発明の最良の実施形態を図1〜図9を用いて説明する。図1は本発明の第1実施形態に係る発光ダイオードのパッケージの斜視図で、図2は図1におけるパッケージを上面側から見た平面図、図3は図2におけるA−A断面図、図4は図2におけるB−B断面図、図5は図1における一対のリードフレームの斜視図、図6はパッケージからの放射された光の光路を説明する説明図を示している。また、図7は本発明の第2実施形態に係る発光ダイオードのパッケージの要部断面図を示している。また、図8は本発明の第3実施形態に係る発光ダイオードのパッケージの斜視図、図9は図8におけるパッケージの要部断面図を示している。
最初に、本発明の第1実施形態に係る発光ダイオードのパッケージ構造を図1〜図5を用いて説明する。本発明の第1実施形態に係る発光ダイオードのパッケージ30(以降、パッケージと呼称する)は、図1に示すように、中央に略U字型のような溝31aを設けたマウント本体31と、マウント本体31の下部側の両側面と下面側に繋がって、且つ、溝31aの底面31cに一部が露出した一対のリードフレーム34、35と、溝31aの底面31cに露出したリードフレーム35の露出面35aの部分に搭載されて固定された発光ダイオード(以降、LEDと呼称する)37と、LED37を覆った透明樹脂39とから構成されている。なお、この透明樹脂39は、LED37と溝31aの底面に露出したリードフレーム34の露出面34aとをワイヤーボンディングしたワイヤー38をも覆っている。
ここで、マウント本体31は、白色顔料などを混ぜ合わせた液晶ポリマーやスーパーエンジニアリングプラスチックなどの材料を用いて、リードフレーム34、35をインサートして射出成形方法で形成している。略U字型の溝31aは金型から転写して形成する。また、溝31aの両側面31bと底面31cは鏡面に仕上げている。従って、溝31aの両側面31bと底面31cは高い反射率を持つ反射面にもなっている。溝31aの両側面31bには後述する高い反射率を示すリフレクターを設けるが、底面は成形面のままで使用する。しかしながら、底面は光沢のある白色を呈していることから高い反射率を有し、反射手段としての働きをなしている。なお、この鏡面仕上げは鏡面仕上げした金型から転写して形成する。
一対のリードフレーム34、35は、図5に示すように、黄銅などの導電性の良い金属材料からなり、プレス加工で略コの字形状に成形したものである。そして、表面にCu、Ni、Ag、Au、Pd、Pt、Rh、Snなどの1種または2種のメッキを施したものである。なお、最表面には光反射率の高いAg、Au、Pt、Rh、Niなどのメッキを施してある。このメッキは、金属材料の腐蝕防止、導電性向上、光反射率の向上目的で設けているもので、光反射手段としての役目も果たしているものである。この一対のリードフレーム34、35はインサート射出成形方法で、図1及び図4に示すように、マウント本体31の中に一部がインサートされ、側面34c、35cと下面34b、35bが外に露出し、上面側に一部露出面34a、35aが現れる状態で、マウント本体31と一体になってできあがる。ここで、リードフレーム34はアノード電極の電極板の役目をなすもので、LED37の上面側にあるアノード電極端子と、露出面34aにおいて、ワイヤーボンデングされる。一方、リードフレーム35はカソード電極の電極板の役目をなすもので、LED37の下面側にあるカソード電極端子と、露出面35aにおいて、半田付けなどによって接続固定される。
略U字型の溝31aの両側面31bには、図4にも示すように、リフレクター36による反射手段を設けてある。このリフレクター36は、本実施形態においては、Ag金属の蒸着膜からなる高反射率の金属薄膜からなっている。従って本実施形態では、反射手段としてAg金属蒸着膜を用いてる。しかしながら、反射手段として、特にAg金属蒸着膜に限定するものではなく、Al、Au、Ni、Ptなどの高反射率を示す金属蒸着膜であっても良い。また、Al箔などの高反射率の金属箔を貼付けたものでも良いものである。このリフレクター36は溝31aの両側面31b鏡面になっていることから鏡面に仕上がる。従って、非常に高い反射率を持っている。
以上の構成を取るパッケージ30を上方より見ると、図2に示すように、両端側にマウント本体31が見え、その両内側にリフレクター36、マウント31の底面31c、リードフレーム34、35の露出面34a、35a、更に、透明樹脂39を透視してLED37、ボンディングされたワイヤー38が見える。
透明樹脂39はLED37やワイヤー38の破損防止などの目的で設けるものであるが、透明なエポキシ樹脂、シリコン樹脂などを用いてポッティング方法で形成する。そして、LED37とワイヤー38の部分のみを覆う形状にして設ける。このようにすると、破損防止効果のみならず、溝31a内でのLED37放射光を分散させる作用も起こすので、パッケージ30からの放射光を明るくさせる。
以上の構成を取るパッケージ30は、一対のリードフレーム34、35の外に露出した下面34b、35bがマザーボード基板やFPC配線基板などに接続されて導通が図られる。
ここで、上記構成を取るパッケージ30のLED37からの放射された光の光路について説明する。略U字型の溝31aに沿った方向においては、図3に示すように、図中溝31aの左右側、上方側と180°の範囲に光が放射する。一方、溝31aの方向と直角になる方向は、図4に示すように、溝31aの上方側にしか放射されない。従って、パッケージ30からの放射された光の光路は図6のように示される。ここで、図6はパッケージ30からの放射された光の光路を説明する説明図を示している。図6から、パッケージ30から放射される光は、180°の範囲をもって帯状に放射される。この帯状の幅はパッケージ30から遠のくに従って広くなるが、パッケージ30から放射された時点の幅は略U字型の溝幅によって決まってくる。溝幅が広いと帯状の幅も広くなり、溝幅が狭いと帯状の幅も狭くなる。
本実施形態での、略U字型の溝31aは、入口の幅が広く、深くなるに従って幅が狭くなつている。そして、パッケージ30から放射した光は広角的に広がるようになっている。また、本実施形態では、溝31aを略U字型に形成したが、特に限定するものではなく、例えば、略V字型の溝であっても良いものである。
更に本発明では、LED37とワイヤー38の部分のみを透明樹脂39で覆っている。これによって、LED37とワイヤー38の破損防止効果のみならず均一な明るさの放射光が得られる。これは、LED37の光が透明樹脂39を透過して抜けるときに屈折を起こす。この屈折光が溝31a内で分散することになって、更に、この分散光がリフレクター36などによって反射されて更なる分散光になってパッケージ30外に放射される。このことにより、分散光の多い放射光が得られるので明るさが均一になる。
LEDのパッケージ構造を、以上述べた構造にすることにより、LEDの発光した光が180°と広角的に放射されるので、例えば、液晶表示装置のバックライトなどに用いれば、従来2個、3個と用いたものが1個のパッケージで対応できるようになる。このように使用個数を減らし、コストダウンが可能になる。
次に、本発明の第2実施形態に係るLEDのパッケージの構造を図7を用いて説明する。図7は本発明の第2実施形態に係るパッケージの要部断面図を示したものである。このパッケージは、前述の第1実施形態のパッケージ30と比較して、略U字型の溝の底面の形状のみが異なる。即ち、図7に示すように、マウント本体41に設けた溝の底面41cに傾斜が付いている。マウント本体41の外周部にいくに従って溝の深さを徐々に浅くして傾斜を付けている。
溝の底面をこのような形状にすることによって、パッケージからの放射光が前述の第1実施形態の放射角180°より狭い角度をもって内側に放射される。これにより、より効果的に放射光が利用できる。底面41cの傾斜角は使用目的や被照明物に応じて適宜に設定すれば良い。また、直線的な傾斜でなくても良く、例えば、皿型に曲面を持った形状に形成しても良い。
次に、本発明の第3実施形態に係るLEDのパッケージ構造を図8、図9を用いて説明する。図8、図9より、本発明の第3実施形態のパッケージ50は、マウント本体51に略V字型の溝51aを設けている。また、LED57は、その下面にアノード電極の端子(図中省略)とカソード電極の端子(図中省略)を持っているフリップチップ型のLEDを使用している。更にまた、LED57のアノード電極の端子及びカソード電極の端子に接続する電極板として、メッキで形成した一対の電極膜を用いている。LED57のアノード電極の端子に接続する電極膜としては電極膜54を用いている。この電極膜54は、溝51aの底面51cに形成した電極膜54a、溝51aの側面に形成した電極膜54d、マウント本体51の上面に形成した電極膜54e、マウント本体51の側面に形成した電極膜54c、マウント本体51の下面に形成した電極膜54bとからなり、これらの電極膜は繋がって形成されている。一方、LED57のカソード電極の端子に接続する電極膜としては電極膜55を用いている。この電極膜55は、電極膜54と同様に、溝51aの底面51cに形成した電極膜55a、溝51aの側面に形成した電極膜55d、マウント本体51の上面に形成した電極膜55e、マウント本体51の側面に形成した電極膜55c、マウント本体51の下面に形成した電極膜55bとからなり、これらの電極膜は繋がって形成されている。そして、LED57のアノード電極の端子はアノード側の電極膜54である電極膜54aと半田付けなどの方法で接続固定され、他方のLED57のカソード電極の端子はカソード側の電極膜55である電極膜55aと半田付けなどの方法で接続固定されている。そして、マウント本体51の下面側に設けた一対の電極膜54b、55bがマザーボード基板やFPC配線基板などに取り付けられてLED57と導通が図られるようになっている。
また、略V字型の溝51aには、前述の第1実施形態とパッケージと同様に、LED57の部分を透明樹脂59で覆っている。この透明樹脂59は前述の第1実施形態と同じ仕様で形成する。
本実施形態に使用しているマウント本体51は、射出成形方法で形成する。材料は前述の第1実施形態に用いたものと同じ材料を用いている。また、略V字型の溝51aも金型から転写して形成し、溝51aの両側面及び底面も金型から転写して鏡面に仕上げている。従って、底面は反射手段としての働きをなしている。
電極膜54及び55は、最初、真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などの乾式メッキ方法で薄膜を形成し、不要な部分はフォトマスク・エッチング法などの方法で薄膜を除去し、その後、Cu、Ni、Ag、Au、Pd、Pt、Rh、Snなどの金属メッキを1種〜3種の範囲で施し、略20〜40μmの厚みに形成する。なお、最表層のメッキは反射率の高いAg、Au、Pt、Rh、Niなどの金属メッキを施すようにする。マウント本体51の溝51aの両側面や底面は鏡面に仕上がっていることから、溝51aの底面51cに形成した電極膜54a及び55a、溝51aの側面に形成した電極膜54d及び55dには金属光沢が現れ、非常に高い反射率が得られる。このことから、導電性と反射性の両方の働きをなしており、反射手段としても効果的に作用している。なお、Ag金属は高い反射率が得られる反面、酸化して腐蝕し易い。最表面にAgを用いた場合には酸化防止膜を表面に塗布して用いると良い。
以上の構成を取るパッケージ50も、前述の第1実施形態と同様に、溝が切られた方向に光が放射されるので、180°の範囲をもって帯状に放射する。光が広角的に放射されるので、例えば、液晶表示装置のバックライトなどに用いた場合に非常に少ない個数で、効率の良い照明ができる。
なお、本実施形態は可視光の領域で説明を行ったが、紫外光、赤外光の領域であっても同じ効果が得られる。例えば、リモコンなどに用いられている赤外線切換スイッチなどにおいても、多少向きが違っても広角的に放射されることから正常にその機能を果たすことができる。
30、50 パッケージ
31、41、51 マウント本体
31a、51a 溝
31b、 側面
31c、41c、51c 底面
34、35 リードフレーム
34a、35a 露出面
34b、35b 下面
34c、35c 側面
36 リフレクター
37、57 LED
38 ワイヤー
39、59 透明樹脂
54、54a、54b、54c、54d、54e、55、55a、55b、55c、55d、55e 電極膜
31、41、51 マウント本体
31a、51a 溝
31b、 側面
31c、41c、51c 底面
34、35 リードフレーム
34a、35a 露出面
34b、35b 下面
34c、35c 側面
36 リフレクター
37、57 LED
38 ワイヤー
39、59 透明樹脂
54、54a、54b、54c、54d、54e、55、55a、55b、55c、55d、55e 電極膜
Claims (8)
- 一対のアノード電極用の電極板とカソード電極用の電極板を設けたマウント本体の上部側に設けた凹部に発光ダイオードを搭載する発光ダイオードのパッケージ構造において、上記凹部は溝の形状をなしており、該溝の開口方向に沿って前記発光ダイオードの発光した光が放射することを特徴とする発光ダイオードのパッケージ構造。
- 前記溝の側面は、前記マウント本体の上面側にいくに従って溝幅が大きくなるように傾斜が付いていることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
- 前記溝の底面には、前記一対のアノード電極用の電極板とカソード電極用の電極板の一部が露出しており、該露出面に前記発光ダイオードが搭載されて前記一対の電極板と導通接続されていることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
- 前記溝の側面及び底面は、光の反射手段が設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
- 前記発光ダイオードは、透明樹脂によって覆われていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
- 前記溝の底面は、前記マウント本体の外周部にいくに従って溝の深さが浅くなるように傾斜が付いていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
- 前記溝の側面及び底面は鏡面をなしていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
- 前記マウント本体は、白色の樹脂から形成されていることを特徴とする請求項請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004094531A JP2005285899A (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 発光ダイオードのパッケージ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004094531A JP2005285899A (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 発光ダイオードのパッケージ構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005285899A true JP2005285899A (ja) | 2005-10-13 |
Family
ID=35183987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004094531A Pending JP2005285899A (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 発光ダイオードのパッケージ構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005285899A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007200974A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光ユニット及びその製法並びに線状光源 |
JP2008098555A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Genki Koden Handotai Kofun Yugenkoshi | 植え込み式ledを有するバックライト・パネルの構造及びその製作方法 |
JP2008192635A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置、リードフレームおよび光半導体装置の製造方法 |
JP2011009707A (ja) * | 2009-05-25 | 2011-01-13 | Kobe Steel Ltd | Led用リードフレーム |
JP2011023704A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-02-03 | Kobe Steel Ltd | Led用リードフレーム |
JP2011071471A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-04-07 | Kobe Steel Ltd | Led用リードフレーム |
JP2011082590A (ja) * | 2007-03-26 | 2011-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光源モジュール及び発光装置 |
CN102086996A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-06-08 | 昆山琉明光电有限公司 | Led侧立式背光源 |
WO2012135976A1 (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Led device having tilted peak emission and led display including such devices |
JP2013042159A (ja) * | 2005-11-25 | 2013-02-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 側面放出発光ダイオードパッケージ |
US8487326B2 (en) | 2006-04-24 | 2013-07-16 | Cree, Inc. | LED device having a tilted peak emission and an LED display including such devices |
US8624268B2 (en) | 2007-07-25 | 2014-01-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and method of manufacturing the same |
US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
JP2017157684A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | ローム株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US11210971B2 (en) | 2009-07-06 | 2021-12-28 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Light emitting diode display with tilted peak emission pattern |
-
2004
- 2004-03-29 JP JP2004094531A patent/JP2005285899A/ja active Pending
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10096756B2 (en) | 2005-11-25 | 2018-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Side view light emitting diode package |
JP2013042159A (ja) * | 2005-11-25 | 2013-02-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 側面放出発光ダイオードパッケージ |
JP2007200974A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光ユニット及びその製法並びに線状光源 |
US8487326B2 (en) | 2006-04-24 | 2013-07-16 | Cree, Inc. | LED device having a tilted peak emission and an LED display including such devices |
US11631790B2 (en) | 2006-05-18 | 2023-04-18 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US10971656B2 (en) | 2006-05-18 | 2021-04-06 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US10686102B2 (en) | 2006-05-18 | 2020-06-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US10263161B2 (en) | 2006-05-18 | 2019-04-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US9929318B2 (en) | 2006-05-18 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US9634204B2 (en) | 2006-05-18 | 2017-04-25 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
JP2008098555A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Genki Koden Handotai Kofun Yugenkoshi | 植え込み式ledを有するバックライト・パネルの構造及びその製作方法 |
US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
US9190588B2 (en) | 2006-12-28 | 2015-11-17 | Nichia Corporation | Side-view type light emitting apparatus and package |
JP2008192635A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置、リードフレームおよび光半導体装置の製造方法 |
JP2011082590A (ja) * | 2007-03-26 | 2011-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光源モジュール及び発光装置 |
US9287466B2 (en) | 2007-07-25 | 2016-03-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and method of manufacturing the same |
US8624268B2 (en) | 2007-07-25 | 2014-01-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and method of manufacturing the same |
JP2011009707A (ja) * | 2009-05-25 | 2011-01-13 | Kobe Steel Ltd | Led用リードフレーム |
JP2011023704A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-02-03 | Kobe Steel Ltd | Led用リードフレーム |
US11210971B2 (en) | 2009-07-06 | 2021-12-28 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Light emitting diode display with tilted peak emission pattern |
JP2011071471A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-04-07 | Kobe Steel Ltd | Led用リードフレーム |
CN102086996A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-06-08 | 昆山琉明光电有限公司 | Led侧立式背光源 |
WO2012135976A1 (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Led device having tilted peak emission and led display including such devices |
JP2017157684A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | ローム株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6620120B2 (ja) | 半導体発光素子を含むバックライト | |
US7622751B2 (en) | Light-emitting diode | |
TWI440208B (zh) | 低側面的側發光之發光二極體 | |
CN101496189B (zh) | 照明装置 | |
US8288785B2 (en) | Lead frame having light-reflecting layer, light emitting diode having the lead frame, and backlight unit having the light emitting diode | |
JP2005285899A (ja) | 発光ダイオードのパッケージ構造 | |
JP2023052790A (ja) | 発光装置 | |
USRE47444E1 (en) | Light emitting device package and backlight unit comprising the same | |
KR102024291B1 (ko) | 램프 유닛 및 그를 이용한 차량 램프 장치 | |
KR20070107694A (ko) | 조명장치 | |
US20090032827A1 (en) | Concave Wide Emitting Lens for LED Useful for Backlighting | |
KR20160107238A (ko) | 카메라를 위한 얇은 led 플래시 | |
JP2004363210A (ja) | 光半導体装置 | |
TW201006011A (en) | Semiconductor light emitting module and method for manufacturing the same | |
US11205744B2 (en) | Light emitting device | |
KR101724702B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 | |
JP2008288230A (ja) | バックライト光源 | |
JPH10125959A (ja) | サイド発光型チップled | |
JP2007234779A (ja) | 発光装置 | |
KR102476140B1 (ko) | 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈 | |
JP2007012792A (ja) | 発光素子収納用パッケージ、光源および発光装置 | |
JP2000277812A (ja) | ライン光源装置およびその製造方法 | |
WO2006087872A1 (ja) | 面状照明装置 | |
JP2008305714A (ja) | 光源装置および平面照明装置 | |
JP4656382B2 (ja) | 光源支持体及び光源装置 |