CN101496189B - 照明装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种照明装置(1)，其包括带有辐射出射面(4 1)和用于产生辐射的光电子器件(2)的光学装置(4)，其中形成了反射器式地成形的元件(3)。该反射器式地成形的元件(3)具有适于将器件(2)中产生的辐射(70)通过辐射出射面(41)来偏转的成型和布置，并且该元件被有针对性地构造用于吸收该辐射(70)。照明装置优选设计用于显示装置如液晶显示器(LCD)的特别均匀的背光照明。

Description

照明装置
本发明涉及一种带有光电子器件作为辐射源的照明装置。
本专利申请要求德国专利申请10 2006 035 635.7的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
在设计用于显示装置的背光照明的照明装置如LED中，常常出现的问题是，显示装置的照亮不够均匀。于是，例如在观察显示装置时，例如被特别强地照亮的部分区域可能干扰性地作用。
本发明的任务是，说明一种照明装置，其发射的辐射可以简单可靠地根据预先给定的辐射特性成形或者是被简单可靠地根据预先给定的辐射特性来成形的。根据本发明，该任务通过根据独立权利要求之一的照明装置来解决。本发明的有利的扩展方案和改进方案是从属权利要求的主题。
在一个实施形式中，根据本发明的照明装置包括带有辐射出射面和用于产生辐射的光电子器件的光学装置，其中构成有反射器式地成形的元件，该元件的成型(Formgebung)和反射器式地成形的元件的设置适于将器件中产生的辐射通过辐射出射面来偏转，并且其中该元件构造为对于器件中产生的辐射有针对性地吸收。
在照明装置的工作中，通过辐射出射面出射的辐射主要是在光电子器件中产生的并且没有在照明装置中先前(特别是在反射器式地成形的元件上)反射到光学装置上的辐射。而在反射器式地成形的元件反射之后通过辐射出射面出射的辐射主要被吸收，因为反射器式地成形的元件构造为对于光电子器件中产生的辐射有针对性地吸收。有利的是，这样可以减小在照明装置中一次或多次反射后并且由此以难以控制的角度从辐射出射面出射的辐射部分。于是，可以简单地实现根据预先给定的辐射特性来将全部从辐射出射面出射的辐射成形。
优选的是，光学装置实施为与光电子器件分开的部件。
在一种优选的扩展方案中，光电子器件包括至少一个适于产生辐射的半导体芯片。半导体芯片具有表面，其朝向光学装置，以及具有侧面。在半导体芯片中产生的辐射可以通过这些面出射。
优选的是，反射器式地成形的元件被构造和相对于半导体芯片设置，使得从半导体芯片的侧面出射的辐射主要射到反射器式地成形的元件上，并且被该元件有针对性地吸收。由此避免了从半导体芯片中耦合输出的辐射不是直接地、而是首先在照明装置中一次或多次反射之后才射到辐射出射面上。于是，光学装置主要提供通过半导体芯片的表面出射的辐射。该从表面出射的辐射在射到辐射出射面上之前没有经过反射，并且可以通过光学装置简单地根据预先给定的辐射特性来成形。
从光学装置的辐射出射面出射的辐射功率整体上减小了从光电子器件产生的辐射功率的、由被构造为有针对性地进行吸收的、反射器式地成形的元件所吸收的部分。这特别是涉及从半导体芯片的侧面出射的辐射。然而当该辐射部分不是被吸收，而是被偏转到光学装置上时，该辐射部分难以根据预先给定的辐射特性来成形。特别是当光学装置针对通常从小面积表面出射的辐射的射束成形而构造并合适地布置时，情况如此。对于这种光学装置，在反射情况下射入的辐射是不希望的散射辐射部分。该散射辐射部分可以通过反射器式地成形的元件有针对性地吸收的实施来减小。优选处于可见光谱范围中的、从照明装置出射的辐射因此可以简单地根据照明装置之一预先给定的、特别是定向的辐射特性来成形。
根据另一优选的扩展方案，半导体芯片构造为薄膜半导体芯片，其中半导体芯片的朝向光学装置的表面实施为主辐射耦合输出面，并且侧面构成旁辐射出射面。从主辐射耦合输出面出射的辐射功率在此大于从旁辐射出射面出射的辐射功率。优选的是，从旁辐射出射面出射的辐射功率之和小于通过主辐射耦合输出面出射的辐射功率。
在另一实施形式中，根据本发明的照明装置包括带有至少一个设置用于产生辐射的半导体芯片的光电子器件，该半导体芯片实施为薄膜半导体芯片，并且具有实施为主辐射耦合输出面的表面和形成旁辐射出射面的侧面，其中构造有反射器式地成形的元件，其成型和布置(Anordnung)适于将旁辐射出射面出射的辐射的至少一部分偏转，并且其中该元件构造为针对由半导体芯片发射的辐射有针对性地吸收。
这样实施的照明装置用于薄膜半导体芯片产生的辐射，该辐射主要从主辐射耦合输出面出射。而从侧面出射的辐射相反主要由被构造为有针对地吸收的、反射器式地成形的元件吸收。
由此，射到随后的分开的光学系统上的辐射从薄膜半导体芯片的主辐射耦合输出面的精确限定的面发射，并且可以简单地根据预先给定的辐射特性来成形。
在一种优选的扩展方案中，照明装置包括光学装置，该光学装置带有辐射出射面，薄膜半导体芯片产生的辐射可以通过该辐射出射面从照明装置出射。
薄膜半导体芯片包括承载体和带有半导体层序列的半导体本体，其中半导体本体设置在承载体上。与传统的半导体芯片不同，在该薄膜半导体芯片中，承载体与其上例如借助外延而沉积有半导体层序列的生长衬底不同。生长衬底可以局部地或者完全地被去除或者薄化。这例如可以以机械方式或者化学方式进行。承载体用于半导体本体的机械稳定。为此不再需要生长衬底。
有利的是，与生长衬底不同，承载体不必满足关于晶体纯度的高要求，而是可以鉴于其他标准例如机械稳定性、光学、热学或电学特性来进行选择。
在一种优选的扩展方案中，在半导体本体上设置有反射层。优选的是，反射层设置在承载体和半导体本体之间。反射层此外优选包含金属或者金属合金，或者以金属方式实施。例如反射层可以包含Au、Al、Ag、Pd、Rh或Pt或者带有这些材料中的至少一种的合金。Au例如特征在于在红色和红外光谱范围中的高的反射性，而Ag或者Al也在蓝色或者紫外光谱范围中表现高的反射性。
在有源区中产生以及在承载体的方向上延伸的辐射可以在反射层上被反射，并且在半导体芯片的背离承载体的、形成主辐射耦合输出面的表面上发射，由此有利地提高了通过主辐射耦合输出面耦合输出的辐射部分。此外，反射层可以防止通过承载体材料吸收辐射，这很大程度上提高了在选择承载体材料时的自由度。
在薄膜半导体芯片中，减小从侧面的旁辐射出射面出射的辐射功率有利于提高从主辐射耦合输出面耦合输出的辐射功率。因为照明装置优选基本上仅仅提供从半导体芯片的表面出射的辐射，而从侧面出射的辐射主要被有针对性地进行吸收地构造的、反射器式地成形的元件吸收，所以借助作为辐射源的薄膜半导体芯片有利地提高了照明装置发射的辐射功率。因此，薄膜半导体芯片特别适于作为辐射源。
在照明装置中的元件或者集成在光电子器件中的元件可以设计为反射器式地成形的元件，该元件的成型和相对于光电子器件的布置、特别是必要时相对于其半导体芯片和/或相对于光学装置的布置适于将光电子器件所发射的并且射到该元件上的辐射至少部分地直接或间接通过辐射出射面来偏转。反射器式地成形的元件的形状在宽广的边界内可自由选择，只要由于其成型和布置可以将光电子器件中产生的辐射的至少一部分由该元件通过辐射出射面被引导，并且特别是在省去有目的地进行吸收的构型情形中增多地引导。例如，反射器式地成形的元件可以具有平面或者弯曲的面的形状。
当对于光电子器件中产生的辐射，反射器式地成形的元件的反射率为49％或者更低、特别是30％或者更低、优选为15％或者更低、尤其优选为5％或者更低时，反射器式地成形的元件视为有针对性地进行吸收。反射器式地成形的元件的尽可能低的反射率值是有利的，因为这样减小了辐射的在反射器式地成形的元件上反射的部分。更确切地说，辐射在相应的量上被吸收。典型的是，用于吸收地被构造的反射器式地成形的元件实施为使得光电子器件产生的辐射不通过该元件透射。有针对性地进行吸收地构造的、反射器式地成形的元件的吸收度A和也称为反射度的反射率R由此通过关系A＝1-R彼此关联。
明显构造为反射器的、带有不可避免的剩余吸收或者只有以高昂的开销才可避免的剩余吸收的元件不能视为在上面的意义中有针对性地进行吸收地构造。这涉及定向的反射元件如通常的金属元件或带有金属表面的元件，以及涉及漫反射的元件例如白色塑料成型件，它们典型地使用在光电子器件例如发光二极管的壳体中。
在一种优选的扩展方案中，反射器式地成形的元件完全或者至少部分地由对光电子器件中产生的辐射进行吸收的材料或者进行吸收的材料组合物(Materialzusammensetzung)制成，或者完全或者部分设置以吸收光电子器件中产生的辐射的材料或者材料组合物，例如涂敷譬如印制或者压印有这种材料或者材料组合物。
在一种特别优选的扩展方案中，反射器式地成形的元件完全或者部分由黑色的、暗灰色的或者涂黑的材料组合物制成。替代地或者补充地，反射器式地成形的元件可以设置有黑色的或者暗灰色的材料，或者黑色的或暗灰色的材料组合物，例如涂敷有这种材料或材料组合物。特别地，该元件可以完全或者部分由塑料制成，其中该塑料例如通过色素、炭黑状的或者类似炭黑的颗粒来涂黑(geschwaerzt)。在可见光谱范围中，当材料均匀地在该光谱范围上足够强地进行吸收地构造以被感知为黑色时，该材料或者材料组合物理解为黑色。涂黑的材料特别是理解为一种材料，该材料感知为灰色或者暗灰色。
根据另一种优选的扩展方案，光电子器件具有壳体，该壳体优选包含反射器式地成形的元件。此外，光电子器件优选具有外部的连接导体，半导体芯片固定在该连接导体上，并且特别是被电接触。典型的是，半导体芯片与外部的第二连接导体导电连接。
特别地，电连接部分可以以壳体本体变形(umformt)。光电子器件可以以所谓的预先模制的壳体形状(Premolded-Gehaeuseform)来实施，在该预先模制的壳体形状中预先制造了壳体本体。在该扩展方案中，半导体芯片可以安装在已经由壳体本体变形的电连接导体上。可以借助引线框架来形成的外部的连接导体能够实现半导体芯片的外部的电连接，并且可以与连接承载体的印制导线、例如电路板导电连接。优选的是，电连接借助焊剂、特别是无铅焊剂来进行。
在一种优选的扩展方案中，光电子器件具有热连接部分，该热连接部分用于光电子器件的热接触。该热连接部分优选附加于电连接导体地构造。有利的是，通过该热连接部分与外部的散热器的导热连接，可以将光电子器件在工作中产生的热尽可能与电连接无关地散发。
在另一优选的扩展方案中，反射器式地成形的元件借助壳体本体的腔的壁来形成。特别优选的是，半导体芯片设置在腔中。通过这种设置，可以简单地保护半导体芯片免受外部的机械影响。此外，可以通过反射器式地成形的元件的、进行吸收的实施方式来将如下辐射的大部分主要吸收：该辐射从半导体芯片耦合输出并且仅由于反射而射到辐射出射面上。通过这种方式有利地减小了辐射在照明装置内的单次和多次反射以及该散射辐射随后以难以控制的角度从照明装置的出射。
在另一优选的扩展方案中，壳体本体包括陶瓷或者塑料，或者部分地或者完全地由陶瓷或塑料制成。陶瓷通常的特点在于良好的导热能力，使得在光电子器件工作期间产生的热可以被有效地散发。基于塑料的壳体本体可以特别成本低廉地制造。
在另一优选的扩展方案中，壳体本体、特别是反射器式地成形的元件完全或者部分地由如下材料制成：该材料有针对性地吸收光电子部件中产生的辐射。替代地或者补充地，壳体本体、特别是壳体本体的腔的形成反射器式地成形的元件的壁完全或者部分黑色地被涂黑，或者合适地被涂层。例如可以使用炭黑状的或者类似炭黑的颗粒或者色素，以便将塑料黑色地或者暗灰色地着色。
在另一优选的扩展方案中，半导体芯片嵌入到特别是对于半导体芯片中产生的辐射透明的包封中。该包封可以特别是完全地覆盖半导体芯片。半导体芯片的电接触(例如键合线)可以被包封覆盖。包封优选足够形状稳定地构造，以便能够保护芯片和必要时的键合线免受有害的外部影响例如机械负荷。例如包封可以包含反应性树脂、硅树脂或者硅酮。
在另一优选的扩展方案中，在包封和光学装置之间构造有中间层，该中间层特别优选地与光学装置以及与包封直接邻接。优选的是，中间层用作包封和光学装置之间的折射率匹配层。
在一种优选的扩展方案中，光学装置具有光轴，该光轴优选延伸通过半导体芯片，特别是基本上通过半导体芯片的中心譬如半导体芯片的横向延伸的横截面的重心。
在另一优选的扩展方案中，光学装置具有辐射入射面，该辐射入射面朝向光电子器件。合乎目的的是，辐射入射面朝向半导体芯片的用于耦合输出辐射的表面。在半导体芯片和辐射入射面之间的最小距离优选为3mm或更小，特别优选为1mm或更小，例如0.6mm。
优选的是，在光学装置的辐射出射面和半导体芯片5的表面之间的最小距离为5mm或者更小，优选为3mm或者更小，例如为2mm。散射辐射的减小能够在光学装置与半导体芯片之间的非常小的距离情况下实现通过光学装置的可靠射束成形。照明装置由此可以特别紧凑地制成。
在一种优选的扩展方案中，辐射出射面关于光轴旋转对称地实施。通过这种方式，可以实现基本上关于光轴旋转对称的辐射特性。光学装置的主要不是用于射束成形、而是例如设计用于将光学装置安装在光电子器件上的部分可以与关于光轴的旋转对称不同地构造。
在一种优选的扩展方案中，光学装置的辐射出射面具有凹面弯曲的部分区域和至少部分包围凹面弯曲的部分区域的凸面弯曲的部分区域。光轴优选穿过凹面弯曲的部分区域，并且特别优选的是同时穿过半导体芯片，特别是基本上穿过其中心譬如半导体芯片的横向延伸的横截面的重心。在光电子器件中产生的并且不与光轴一致地直接射到凹面弯曲的部分区域上的辐射主要被折射离开光轴。
这样，减少了辐射的基本上在光轴的方向上传播、譬如在与光轴成20°或者更小角度下传播的部分。与此相对，提高了在与光轴成较大角度(例如30°或者更大)离开照明装置的辐射部分。作为与光轴的角度的函数，照明装置所发射的辐射功率优选在30°或者更大角度的比较大的角度时显示出最大值，例如在60°(含60°)到70°(含70°)之间的角度时具有最大值。
带有这样的辐射特性的照明装置特别适于照亮基本上垂直于照明装置的光轴延伸的面，并且特别适用于显示装置的背光照明，譬如LCD(液晶显示器)。典型的是，要照亮的面明显大于半导体芯片的面。在与光轴成大角度时、例如在60°或者更大角度时具有发射的辐射功率的最大值的辐射特性是有利的，因为即使距光轴距离比较大的、要照亮的面的区域在该面距离照明装置的距离小时也可以被照亮。这样，譬如LCD的背光照明单元可以有利地特别紧凑地以小的结构深度来制成。
优选的是，凸面弯曲的部分区域具有第一子区域和第二子区域，其中第一子区域的曲率小于第二子区域的曲率。在此，第二子区域可以设置在比第一子区域距光轴更大的距离中。优选的是，凸面弯曲的部分区域的曲率、特别是第二子区域的曲率随着距凹面弯曲的部分区域增大的距离而增大。随着距离连续增加的曲率是优选的，然而不是必须的。曲率的增大可以导致有利地提高在光轴成较大角度出射的辐射的部分。于是支持了均匀照亮位于距光轴比较大距离之处的待照明面的部分面。
从半导体芯片的表面出射并且直接射到辐射出射面上的辐射被该辐射出射面特别有效地以30°和更大的角度朝光轴折射。散射辐射相反主要被朝着光轴的方向引导，并且随后为了更强地照亮要照明的面而引导至与光轴的交点附近的区域中。通过有针对性地进行吸收地构造反射器式地成形的元件，可以减少该散射辐射部分。要照亮的面于是可以是缺少散射辐射地、大面积地并且特别均匀地被照亮。特别地，可以有利地减少更强地被照亮的如下区域的构造，这些区域岛状地在该面与光轴的焦点附近延伸。
此外，从照明装置之外射到辐射出射面上并且穿过光学装置的辐射可以导致散射辐射部分，如果该辐射在器件中被反射并且通过光学装置的辐射出射面再出射。辐射的再出射的部分也被称为幻影光，并且可以在将照明装置用于显示装置例如LCD或者LCD电视的背光照明时降低显示装置的对比度关系。借助反射器式地成形的元件以及特别是整个壳体本体的有针对性地吸收的实施，可以尽可能地抑制幻影光影响，这可以导致有利地提高显示装置的对比度关系。
在一种优选的扩展方案中，光学装置固定在光电子器件上。为此，光学装置例如可以实施为附加式光学系统(Aufsatzoptik)，特别是实施为盖上式光学系统(Ueberstuelpoptik)、插上式光学系统(Aufsteckoptik)或者卡上式光学系统(Aufschnappoptik)。替代地或者附加地，光学装置可以粘合到光电子器件上。
在此，插上式光学系统理解为如下的光学装置：该光学装置具有固定元件，该元件可以插入到光电子器件的合适的安装装置例如壳体本体的凹进部分中。补充地，固定元件可以在将光学装置安装在光电子器件上之后被热压制，使得光学装置特别稳定并且持久地固定在光电子器件上。
在卡上式光学系统中，光学装置具有固定元件，该固定元件卡锁到光电子器件的合适的安装装置中。
盖上式光学系统可以无啮合和/或无卡锁连接地固定在光电子器件上。在盖上式光学系统情况下，无需特殊元件用于在光电子器件上的固定。补充地，盖上式光学系统可以粘合到光电子器件上。
优选的是，照明装置和特别是光电子器件基本上没有漫射器和/或发光转换器地被实施，因为光电子器件所产生的辐射在漫射器上的散射以及带有随后的通过发光转换器的再发射的、该辐射的吸收都会导致光电子器件的发射更不定向地进行。此外，包封和必要时的中间层优选被实施为清透的。通过这种方式，光电子器件提供的辐射可以通过光学装置简单地根据预先给定的辐射特性来成形。
在另一优选的扩展方案中，光电子器件实施为可表面安装的器件(SMD)。
特别优选的是，带有光电子器件和固定在光电子器件上的光学装置的照明装置构造为复合器件。作为复合器件，照明装置可以作为整体简化地例如安装到电路板上。优选的是，复合器件实施为可表面安装的器件。
本发明的其他特征、有利的扩展方案和合乎目的性在下面结合附图对实施例的描述中得到。
图1示出了根据本发明的照明装置的第一实施例的示意性截面图，
图2示出了根据本发明的照明装置的第二实施例的示意性截面图，
图3示出了在根据本发明的照明装置中的辐射走向的示意性视图的一个例子，
图4示出了对于根据本发明的照明装置的一个特别适合的半导体芯片的示意性截面图，
图5A示出了根据本发明的照明装置的示意性透视图，
图5B在透视图中示出了根据图5A的穿过照明装置的示意性截面图，
图6A示出了带有并非有针对性地进行吸收地构造的、反射器式地成形的元件的照明装置的辐射特性(相对强度I作为与光轴所成的角度θ的函数)的一个例子，
图6B示出了带有有针对性地进行吸收地构造的反射器式地成形的元件的照明装置的辐射特性(相对强度I作为与光轴所成的角度θ的函数)的一个例子，
图7A示出了对于带有并非有针对性地进行吸收地构造的反射器式地成形的元件的照明装置的、作为与光轴的距离d的函数的相对照明强度B的一个例子，以及
图7B示出了对于带有有针对性地进行吸收地构造的反射器式地成形的元件的照明装置的、作为与光轴的距离d的函数的相对照明强度B的一个例子。
在附图中，相同、相似或者作用相同的要素设置有相同的参考标记。
在图1和2中示出了根据本发明的照明装置1的两个实施例。照明装置分别包括光学装置4、光电子器件2和有针对性地进行吸收地构造的反射器式地成形的元件3。光电子器件2产生的辐射通过光学装置的辐射出射面41从照明装置出射。
此外，光电子器件包括设计用于产生辐射的半导体芯片5，其优选实施为薄膜半导体芯片。薄膜半导体芯片的典型构造结合图4来进一步描述。
光电子器件2包括反射器式地成形的元件3。光电子器件2此外包含壳体本体20。反射器式地成形的元件3通过壳体本体的腔240的壁245形成。半导体芯片5设置在壳体本体20的腔240中。
壳体本体20可以包含陶瓷或者完全或者部分由陶瓷制成。陶瓷的特征典型地在于高的导热性，使得在光电子器件的工作中产生的热量可以被有效地通过壳体本体散发。替代地，壳体本体可以由塑料例如以注塑方法、压铸铸造方法(Spritzpressguss)或压力铸造方法来制成。塑料构成的壳体本体可以成本特别低廉地制造。此外，可以使用与制造发光二极管时相同的铸模，在这些发光二极管情况下，壳体本体被尽可能强烈反射地实施，以便将发光二极管发射的辐射功率最大化。成本高昂的、要新制造的铸模可以被有利地省去。
反射器式地成形的元件3以针对光电子器件中产生的辐射有针对性地进行吸收的方式被构造。为此，反射器式地成形的元件3和很大程度上的壳体本体20可以完全地或者部分地由对在光电子器件中产生的辐射进行吸收的材料或者进行吸收的材料组合物制造。优选的是，反射器式地成形的元件以及特别是壳体本体黑色或者暗灰色地实施。例如，壳体本体可以由塑料通过将色素、炭黑状颗粒或者类似炭黑的颗粒添加到所使用的塑料物质中来构造为黑色或者暗黑色。
替代地或者补充地，反射器式地成形的元件3以及特别是壳体本体20可以设置有吸收光电子器件中产生的辐射的材料或者材料组合物，例如涂敷有这种材料或材料组合物，例如印制或压印有这种材料或材料组合物。
特别地，在光电子器件所发射的辐射的波长范围中，有针对性地进行吸收地构造的反射器式地成形的元件3的保留的反射率为49％或者更低、优选为30％或者更低、优选为15％或者更低，特别优选为5％或者更低。
此外，半导体芯片5固定在第一电连接导体205上，该连接导体优选能够实现至外部连接部(例如印制导线)的电连接。第二电连接导体206例如可以通过键合线290与半导体芯片的背离电连接导体的上侧52电连接。第一连接导体205和第二连接导体206的端部207可以借助焊剂270、特别是无铅的焊剂固定在电路板280上。
第一电连接导体205和第二电连接导体206由壳体本体20变形，并且从壳体本体的不同侧伸出。优选的是，第一和第二电连接导体通过用于光电子器件2的引线框架来形成。
此外，光电子器件2实施为可表面安装的器件。照明装置1可以和光电子器件2以及光学装置4一同作为复合器件来实施。
相对于光电子器件和光学装置的单个安装，实施为可表面安装的复合器件的照明装置可以简单地安装在电路板280上。
壳体本体的腔240包含包封物质250，半导体芯片5和键合线嵌入其中。在此，完全的嵌入是有利的。该包封用于保护半导体芯片5和键合线免受有害的外部影响以及机械负荷。合乎目的的是，包封物质实施为对于半导体芯片产生的辐射是辐射可穿透的。
此外，在包封物质250和光学装置4的辐射入射面46之间引入了中间层260，该光学装置特别优选地与包封物质以及与辐射入射面直接邻接。该中间层可以构造用于包封和光学装置之间的折射率匹配。
优选的是，光电子器件、中间层和包封基本上没有漫射器和/或发光转换器地实施。通过这种方式，可以避免增多不定向的辐射，使得光电子器件提供的辐射通过光学装置可以简单地根据预先给定的辐射特性来成形。
光学装置4的光轴40穿过半导体芯片5，特别是基本上通过半导体芯片的中心。优选的是，光轴垂直或者基本上垂直于半导体芯片5的表面52。光学装置具有射束成形部分48和支承部分49。支承部分设计用于将光学装置固定在光电子器件上。
光学装置4的射束成形部分48和支承部分49可以由不同材料制成，并且特别是被模制(angeformt)在彼此上。通过射束成形部分和支承部分的在彼此上的模制，使得支承部分与射束成形部分的无附着剂的机械稳定的连接变得容易。支承部分和射束成形部分的材料可以鉴于不同的要求来选择。在射束成形部分中，光学特性如对于光电子器件发射的辐射的透明度和辐射耐抗性是特别重要的。
优选的是，射束成形部分48包含硅酮或者硅酮混合材料，或者由这种材料构成。支承部分49并不设计用于辐射成形，并且因此也可以构造为辐射不透明的。用于支承部分的材料可以鉴于特别的要求如机械稳定性或良好的固定特性来选择。热塑性塑料或者热固性塑料(Duroplase)特别适于制造支承部分。
在光学装置的辐射入射面46和半导体芯片52的表面之间的距离为5mm或者更小，优选为3mm或者更小，优选为1mm或者更小，特别优选为大约0.6mm。照明装置由此可以有利地特别紧凑地制造。
在图1和2所示的实施例中，光学装置的射束成形部分与结合图3所描述的类似地构造，而两个实施例通过支承部分的实施以及在光电子器件上的固定类型而彼此区分。
在图1中，光学装置4实施为插上式光学系统。在此，支承部分49可以具有销状的固定元件49A，该元件可以插入光电子器件2的合适的安装装置中。优选的是，安装装置通过壳体本体20中的凹进部分或者凹处201形成。补充地，可以在将光学装置安装在光电子器件上之后将固定元件热压制，使得光学装置稳定并且持久地固定在光电子器件上。
在图2中，光学装置实施为盖上式光学系统。支承部分49横向地、特别是完全围绕壳体本体20。在此，支承部分可以包围壳体本体的最外部的侧面。此外，支承部分可以与壳体本体大面积横向地间隔。在此，完全间隔是有利的。
中间层260至少部分填充了光学装置4和壳体本体20之间的体积。包封物质250和辐射入射面46之间的体积优选完全以中间层填充。此外优选的是，在盖上式光学系统中，中间层包围壳体本体。中间层可以包含硅酮特别是硅酮凝胶，或者硅酮混合材料，或者由其构成。于是，中间层可以同时满足折射率匹配层的功能，并且用于简单、稳定并且持久地将光学装置4固定在光电子器件2上。
图1和2中所示的照明装置的实施例优选设计用于均匀地照亮基本上垂直于光轴40延伸的面80。因为要照明的面典型地明显大于半导体芯片5的表面，所以对于均匀照亮必须的是，在光电子器件2中产生的辐射的尽可能大的部分以相对于光轴的大角度离开辐射出射面41。优选的是，所发射的辐射功率的最大值作为与光轴的角的函数在大于或等于50°、特别优选大于或等于60°、例如大约70°处。这种照明装置1的光学装置4的射束成形部分48的一种可能的成型以及光学装置4的工作原理借助图3来阐述。所示出的照明装置的构造在此对应于图1和2的构造。出于清楚的原因，照明装置的一些细节没有示出，其中这些细节对于根据对照明装置预先给定的辐射特性通过光学装置4将半导体芯片5在有源区51中产生的辐射射束成型的原理不是决定性的。
辐射入射面46基本上平坦地实施。根据对照明装置所预先给定的照明强度分布，在光电子器件中产生的辐射的射束成型优选主要在辐射出射面上进行，由此能够简单地实现可靠的射束成型。
光学装置的辐射出射面41优选相对于光学装置4的光轴40旋转对称地构造。光学装置的不用于射束成型的部分(譬如在图1和2中分别示出的支承部分49)在此可以不旋转对称地构造。
此外，辐射出射面41具有凹面弯曲的部分区域42。光学装置4的光轴40穿过凹面弯曲的部分区域。
凹面弯曲的部分区域42被凸面弯曲的部分区域43特别是完全地包围。优选的是，凸面弯曲的部分区域的面积大于凹面弯曲的部分区域的面积。此外，凸面弯曲的部分区域具有第一凸面弯曲的子区域44和第二凸面弯曲的子区域45。
在半导体芯片5的有源区51中产生的辐射穿过半导体芯片的表面52和侧面53。光学装置4对从表面出射的辐射的作用示例性地借助射束60、61和62示出。
对于射到辐射出射面41的凹面弯曲的部分区域42上的辐射60，光学装置好像发散透镜那样起作用。因此倾斜于光轴40或者以不同于零的距离平行于光轴地射到辐射出射面的凹面弯曲的区域上的辐射被折射离开光轴。由此有利地减少了在接近光轴的区域中射到要照明的面80上的辐射部分。同样，射到第一凸面弯曲的子区域44或第二凸面弯曲的子区域45上的辐射61和62被折射离开光轴。第二凸面弯曲的子区域45优选比第一凸面弯曲的子区域44更强烈地弯曲，因为这样可以特别有效地将射到第二子区域上的辐射62以相对于光轴的大角度折射。
优选的是，辐射出射面41没有边缘过渡地实施，即整个辐射出射面是在任何点、特别是在凹面弯曲的部分区域42和凸面弯曲的部分区域43之间的过渡47上可以微分的面。通过边缘过渡导致的较亮或者较暗的区域例如在要照明的面上的较高强度的圆环可以被有利地避免。此外，在光学装置中或者在光学装置上，光路优选基本上没有全反射。
此外，光学装置优选实施为使得从被光轴穿过的有源区51的区域出发的两个任意射束在从辐射出射面41出射之后不彼此相交。彼此相交的射束可能具有辐射的局部集束的效应，使得在朝向照明装置的、要照明的面80上会形成辐射强度的不均匀性譬如较高强度的环形或者圆形。对于设置在光轴上的理想的点光源的情况，于是可以完全避免这种局部的集束。
特别地，在射到光学装置4的辐射出射面41上之前经历反射的辐射会引起交叉的光路。这通过图3中记录的射束70来表明，这些辐射通过半导体芯片5的侧面53出射。
对于射束70，通过带有虚线71和72的箭头来表明，当反射器式地成形的元件3不像结合图1所描述的那样对于半导体芯片中产生的辐射有针对性地进行吸收地构造，而是例如由于金属涂层而引起入射的辐射的定向反射时，射束如何在反射器式地成形的元件上反射之后延伸。例如，射束71和射束60以及射束72和射束61在从辐射出射面41出射之后交叉。通过这种方式，可以在要照明的面上，针对距离辐射出射面确定距离的面80构造提高照明。通过反射器式地成形的元件3的有针对性地吸收的实施，减小了在反射器式地成形的元件3上事先的反射之后辐射射到辐射出射面上。由此，主要如下辐射射到光学元件上：该辐射从精确限定的区域(半导体芯片5的表面52)从半导体芯片射出。在该意义下，射到光学装置上的辐射近似于理想的点光源发射的辐射。交叉的射束走向于是可以被尽可能地避免，这能够实现要照明的面80的特别均匀的照明。
此外，在反射器式地成形的元件上定向反射的情况下，在辐射出射面41的凹面弯曲的部分区域42上被偏转的射束71以及会射到凸面弯曲的部分区域43上的射束72都不被折射离开光轴，而是主要引导用于照亮光轴附近的待照亮的面80的部分区域。所述面的该中央区域由此被更强地照亮。漫反射地以高的反射系数实施的反射器式地成形的元件、譬如通过白色塑料表面形成的反射器式地成形的元件会导致更多的散射光部分，并且因此引起在与光轴的交点附近(譬如距光轴10mm或者更小)的区域中的待照明面的更强照亮。基于反射器式地成形的元件的有针对性地吸收的实施，可以实现待照明面(譬如显示装置如LCD)的特别均匀的照亮。
在设计用于显示装置的背光照明的照明装置中，壳体本体优选完全对于整个可见光谱范围有针对性地进行吸收地构造。由于幻影辐射导致的不均匀照亮于是可以特别强地被减小。
散射光部分的很大程度上的减小通常使得根据对照明装置预先给定的、特别是定向的辐射特性将光电子器件中产生的辐射的射束成形变得容易。
在图4中借助示意性截面图示出了对于光电子器件特别适合的半导体芯片5。
半导体芯片5具有设置在承载体55上的半导体本体54。半导体本体包括半导体层序列，其带有设计用于产生辐射的有源区51。半导体层序列形成了半导体本体54。在半导体本体的背离承载体的侧上设置了第一接触部58，通过该接触部半导体芯片可以与设置在承载体的背离半导体本体的侧上的第二接触部59电连接。第一接触部58特别设计用于与键合线导电连接，而第二接触部59设计用于与连接导体导电连接。接触部例如可以分别包含金属或合金。
在一种优选的扩展方案中，半导体本体54特别是有源区51包含至少一种III-V半导体材料，譬如选自InxGayAl1-x-yP、InxGayAl1-x-yN或InxGayAl1-x-yAs材料系的材料，其中分别有0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1，特别是有x≠0，y≠0，x≠1，和/或y≠1。优选的是，半导体层序列的制造在生长衬底上的特别是外延的沉积过程中进行，譬如借助MBE或者MOVPE进行。
III-V半导体材料特别适于在紫外光谱范围(InxGayAl1-x-yN)经过可见光谱范围(InxGayAl1-x-yN，特别是针对蓝色至绿色辐射，或者InxGayAl1-x-yP，特别是针对黄色至红色辐射)直到红外光谱范围(InxGayAl1-x-yAs)产生辐射。借助特别是来自所述材料系中的III-V半导体材料，此外可以在产生辐射时有利地实现高的内部量子效率。
在另一优选的扩展方案中，有源区51包括异质结构，特别是双异质结构。此外，有源区可以包括单量子阱结构或多量子阱结构。借助这种结构，特别是多量子阱结构或者双异质结构，可以实现特别高的内部量子效率。
在本申请的范围中，术语量子阱结构包括其中载流子通过限制(“confinement”)而经历或可经历其能量状态的量子化的结构。特别地，术语量子阱结构并不包含关于量子化的维度的说明。由此，其尤其是包括量子槽、量子线和量子点，以及这些结构的任意组合。
在另一优选的扩展方案中，在半导体本体上设置有反射层56。特别优选的是，反射层设置在半导体本体54和承载体55之间。反射层例如可以实施为含金属的反射层，特别是基本上为金属的反射层。在有源区中产生的辐射可以在反射层上反射，由此防止了在从有源区出发来看设置在反射层之后的结构(譬如承载体)中的吸收。半导体芯片5的效率于是可以被提高。例如，反射层包含Au、Al、Ag、Pd、Rh、Pt或者带有这些材料至少一种的合金。Al、Pd、Rh和Ag在紫外和蓝色光谱范围中具有特别高的反射率，Au也在黄色、橙色和红色至红外光谱范围中具有特别高的反射率。此外，通过在反射层上的反射，提高了半导体本体的与反射层56对置的侧上出射的辐射的部分。
在承载体55和反射层56之间可以设置连接层57，借助该连接层将半导体本体在反射层侧固定在承载体上。连接层307例如可以实施为焊剂层。
图4中示出的半导体芯片实施为薄膜半导体芯片。与传统的半导体芯片不同，在薄膜半导体芯片中，承载体与其上例如借助外延来沉积半导体本体的半导体层序列的生长衬底分离。生长衬底可以机械地和/或化学地被局部或者完全地去除或薄化。承载体用于半导体本体的机械稳定。
有利的是，与生长衬底不同，承载体不必满足关于晶体的纯度方面的高要求，而是可以关于其他标准、例如机械稳定性、热学特性或电学特性来进行选择。
优选的是，承载体55具有比较高的导热性。例如，承载体包含Ge。也可以使用含GaAs的承载体。
有源区51优选通过导电承载体、导电的连接层和导电的反射层以及半导体本体的半导体层序列与第二接触部59导电连接。
如果承载体包含半导体材料，则承载体优选为了提高导电性而被合适地掺杂。
为了制造薄膜半导体芯片，例如首先在生长衬底上制造半导体本体54的半导体层序列。半导体层序列形成半导体本体54。随后，譬如借助气相淀积或者溅射将反射层56施加到预制的半导体本体的背离生长衬底的侧上。在反射层侧，带有半导体层序列和生长衬底的复合结构在其上通过连接层57与承载体55相连，随后生长衬底譬如借助蚀刻或者激光剥离而被去除或者剥离。
在本发明的范围中，薄膜半导体芯片、譬如薄膜发光二极管芯片此外特色在于以下特征：
-在半导体本体(该半导体本体包括带有有源区、特别是外延层序列的半导体层序列)的朝向承载元件(例如承载体55)的第一主面上施加有反射层，或者譬如作为布拉格反射器(Braggspiegel)集成在半导体层序列中，反射层将半导体层序列中产生的辐射的至少一部分反射回该半导体层序列中；
-半导体层序列具有在20μm或者更小范围中的厚度，特别是在10μm范围中的厚度；和/或
-半导体层序列包含至少一个半导体层，该半导体层带有至少一个具有混匀结构(Durchmischungsstruktur)的面，该混匀结构在理想情况下导致光在半导体层序列中的近似各态历经的分布，即其具有尽可能各态历经的随机散射特性。
薄膜半导体芯片的基本原理例如在I.Schnitzer等人于1993年10月18日的Appl.Phys.Lett.63(16)2174-2176页中进行了描述，其公开内容通过引用结合于本申请中。
薄膜半导体芯片(特别是带有反射层)的特色在于有利地高的效率。此外，薄膜半导体芯片可以具有基本上与朗伯辐射器对应的余弦形辐射特性。借助薄膜半导体芯片、特别是带有含金属或者金属的反射层的薄膜半导体芯片，可以简单地实现作为表面发射器实施的半导体芯片。
半导体本体的背离反射层的表面52在所示的薄膜芯片中构造为主辐射耦合输出面。侧面53形成了旁辐射出射面。从主辐射耦合输出面出射的辐射功率在此大于从旁辐射出射面出射的辐射功率。特别是从旁辐射出射面出射的辐射功率之和小于通过从主辐射耦合输出面出射的辐射功率。
在薄膜半导体芯片中，减小从侧面的旁辐射出射面出射的辐射功率有利于增大地从主辐射耦合输出面耦合输出的辐射功率。因为照明装置1优选基本上仅仅应当提供从半导体芯片的表面52耦合出射的辐射，而侧面出射的辐射如结合图3所描述的那样主要由有针对性地进行吸收地构造的、反射器式地成形的元件3吸收，所以由此有利地提高了从照明装置1发射的辐射功率。因此，薄膜半导体芯片特别适于作为辐射源。
应当说明的是，照明装置当然不是只能够借助薄膜半导体芯片来实现。其中生长衬底未被剥离的半导体芯片也可以适于照明装置。这种半导体芯片可以具有图4所示的结构。在这种情况中，承载体55通过生长衬底来形成。连接层57于是不是必需的。可以省去反射层56，或者反射层可以实施为层序列构成的布拉格反射器，例如实施为半导体本体54的半导体层序列的一部分。
图5A和5B示出了照明装置的另一实施例，其中图5A示出了透视图，而图5B示出了透视截面图。如结合图1和2所描述的那样，照明装置1具有光电子器件2，其中反射器式地成形的元件通过壳体本体20的腔240的壁245形成，并且构造为对于在光电子器件中产生的辐射有针对地吸收。薄膜半导体芯片5用作辐射源。
腔240形成为壳体本体20的第一主面202中的凹进部分。腔的底部241优选基本上与第一主面平行地延伸。优选的是，腔的延伸在平行于第一主面伸展的平面中随着距第一主面的距离的增大而特别是连续地减小，使得腔的底部具有比腔在第一主面的平面中的直径小的直径。例如，腔可以基本上具有截顶锥形(Kegelstumpfs)的形状，其直径随着距第一主面的距离增大而减小。
在光电子器件上可以固定(譬如插上或者粘合)有与光电子器件分开的光学系统。其出于清楚的原因而未被示出。
与根据图1和2的光电子器件不同，光电子器件具有热连接部分215，半导体芯片5设置在该热连接部分上。热连接部分有利地在垂直方向上从腔240延伸直到壳体本体20的第二主面204。热连接部分使得半导体芯片5的、特别是相对于热连接部分上的芯片安装面大面积地在第二主面方面连接至外部的导热装置(譬如散热器，其例如由铜构成)变得容易。在半导体芯片的工作中出现的热于是可以被有效地从光电子器件中散发，这特别是在作为大功率器件的运行中有利地提高了光电子器件的效率和寿命。光电子器件可以构造用于在同时由于热连接部分而有利地改善热导出的情况下产生高的辐射功率。这种光电子器件特别适于面的照明，例如用于显示装置(譬如LCD)的背光照明。
热连接部分215例如嵌入、插入第一连接导体205的连接板中，或者以其他方式与第一连接导体特别是导电和/或机械地横向环周侧地(umfangsseitig)连接。此外，壳体本体20的第一主面202具有凹进部分213，其形成在腔的壁245中。该凹进部分设计用于第二电连接导体206与半导体芯片5例如借助键合线290导电连接。第二连接导体206优选关于半导体芯片5在热连接部分215上的芯片安装平面被升高。热连接部分此外可以在第二主面204方面从壳体本体中伸出，或者基本上平坦地以壳体本体结束。例如，热连接部分包含高导热性的金属，譬如Cu或者Al，或者包含合金，譬如CuW合金。带有这样构造的连接部分和壳体本体的引线框架在WO 02/084749中进行了描述，其公开内容通过引用结合于本申请中。
当然，结合图5A和5B描述的光电子器件也可以作为光电子器件使用于根据图1和图2的照明装置中。
在图6A和6B中示出了根据本发明的照明装置的辐射特性相对于其中反射器式地成形的元件未被有针对性地进行吸收地构造的赵明明装置被如何有利地改变。附图示出了对于第一照明装置的、作为与光轴所成角度θ的函数的、在可见的光谱范围中发射的任意单位的强度I的第一测量(图6A)，以及示出了对于第二照明装置的、作为与光轴所成角度θ的函数的、所发射的任意单位的强度I的第二测量(图6B)。
第二照明装置如结合图1和2所描述的那样实施。第一照明装置与第二照明装置结构相同地构造，其中反射器式地成形的元件未被有针对性地进行吸收地构造。
第一照明装置的壳体本体20由高反射性的塑料制成，其中通过将TiO2颗粒添加到塑料物质中实现了壳体本体的表面以及由此反射器式地成形的元件的大约85％的反射率。而在第二照明装置中，壳体本体以及由此反射器式地成形的元件有针对性地进行吸收地被构造，使得制成壳体本体的塑料物质通过添加炭黑状的颗粒而被黑色地着色，使得壳体本体在可见光谱范围中的反射性为大约5％。
曲线400示出了与同光轴所成的角相关的、第一照明装置发射的光功率的强度的分布。在此，强度被归一化为1并且由此作为相对强度来说明。
相应地，曲线450示出了第二照明装置的辐射特性，其中强度曲线又被归一化。
曲线400以及曲线450在与光轴成大约67°角度的情况下具有强度的全局的最大值410或460。相应地，所描述的光学装置使得在光电子器件中产生的辐射主要并不沿着光轴发射。
因为第一和第二照明装置基本上仅仅通过反射器式地成形的元件来区分，所以通过相应的主辐射耦合输出面52出射并直接射到辐射出射面上的辐射在两个照明装置中经历基本上相同的辐射成形。在第一和第二照明装置的辐射特征之间的差别因此主要由于分别通过侧面53离开半导体芯片的辐射来得出。
在第一照明装置中，反射器式地成形的元件3基于其造型和相对于产生射束的半导体芯片的设置而适于将射到反射器式地成形的元件上的辐射的至少一部分朝向辐射出射面41偏转。由于大约85％的比较高的反射率，因此从侧面53出射的辐射的相当大的部分被朝向光学装置4的辐射出射面41偏转。
与此相对，在第二照明装置中，反射器式地成形的元件针对半导体芯片中产生的辐射有针对性地吸收性地构造，使得反射器式地成形的元件基于大约5％的小反射率尽管其形状和布置仍仅将从侧面53出射的辐射的明显较小的部分朝向辐射出射面偏转。
在与光轴成的大角度的范围中，譬如在45°至90°之间的范围中，两个曲线400和450具有非常相似的走向。照明装置在该角度范围中发射的辐射主要是从相应的半导体芯片的主辐射耦合输出面耦合输出的辐射部分。
对于与光轴成的较小的、0°至45°的角度，第一照明装置发射的辐射420的相对强度400特别是在0°至大约30°的角度范围中明显高于第二照明装置在相应的范围430中发射的辐射的相对强度。如结合图3所描述的那样，这通过散射辐射引起，该散射辐射由反射器式地成形的元件引导至辐射出射面，并且从该辐射出射面主要以相对于光轴40的明显小于60°、譬如40°或者更小的角度出射。
相应地，在60°或者更大角度情况下在同时附加地减小与光轴40所成的小角度中发射的辐射功率的情况下，具有最大值的辐射特性可以通过反射器式地成形的元件的有针对性地吸收的实施来改进地实现。
在图7A和7B中所示的照明强度分布的测量在与图6A和6B中所示的测量相同的器件上进行。图7A和7B分别示出了第一或第二照明装置的照明强度分布。第一照明装置的曲线500和第二照明装置的曲线550都示出了沿着如下直线的照明强度B：该直线在光学装置4的辐射出射面41方面以半导体芯片5的表面之上25mm的距离垂直于光轴40延伸。在x轴上以mm的标度绘出了该直线与光轴的交点的距离d。照明强度针对两个曲线500和550被标准化到相应的最大值，并且在相对的标度中以任意单位说明，其中两个曲线在与光轴的交点上具有该最大值。
因为光学装置的辐射出射面相对于光轴旋转对称地构造，并且光轴基本上穿过半导体芯片的中心，所以两个照明强度分布500和550基本上关于y轴对称。
在接近y轴的区域中，譬如对于|d|≤10mm，在第二照明装置中的照明强度的分布560明显与第一照明装置中的分布510不同。在曲线500中，照明强度在d＝10mm左右相对于最大值下降大约5％，而在第二曲线中相应的下降仅仅为大约1％。
在第一照明装置中，从侧面出射的辐射可以被高反射率的反射器式地成形的元件偏转到辐射出射面41上。该辐射部分以难以控制的角度射到辐射出射面上，并且因此难以被光学装置4根据针对照明装置而预先给定的辐射发射特性来成形。偏转主要以相对于光轴较小的角度来进行，这导致在区域510中的过高的照明强度。与此相对，在第二照明装置中，反射器式地成形的元件以有针对性地进行吸收的方式被构造，即从半导体芯片的侧面53出射的辐射主要被吸收。提供给光学装置使用的全部辐射功率由此可以改善地、根据预先给定的照明强度分布来成形。如通过箭头561所表明的那样，这在区域560中引起照明强度的所希望的降低以及随着相对于光轴增大的距离而变慢的照明强度降低。例如，在d＝30mm的情况下，对于曲线500，相对照明强度的下降为大约0.32，而对于曲线550仅有0.22。
分布宽度的一个常用的特征参数是全半值宽度(volleHalbwertsbreite)，其说明在其中分布的函数值为最大函数值的50％或者更大的区域在该分布的最大值左右有多宽。在图6b中，该宽度通过水平箭头570表明。曲线550的全半值宽度相对于曲线500的全半值宽度，相对于在曲线500情况下的76mm被有利地扩展为大约84mm。
在图7中所示的测量表明，照明强度的分布可以借助有针对性地吸收地构造的、反射器式地成形的元件来有利地明显扩宽。于是，明显大于半导体芯片5的表面52的面可以被特别均匀地照亮。由此，所描述的照明装置特别适合于显示装置如LCD的背光照明。由于待照明的面与照明装置的小距离情况下的大面积照明，所以可以有利地将背光照明单元的结构深度保持为小。
此外，这种照明装置例如可以用于通用照明、效果照明、霓虹灯广告照亮或者用于发光字母(通道字母，Channel letters)。
本发明并未由于借助实施例的描述而受到限制。本发明而是包括任意新的特征以及特征的任意组合，这特别是包括权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身没有明确地在权利要求中或实施例中被说明。

Claims (37)

1.照明装置(1)，包括带有辐射出射面(41)的光学装置(4)和用于产生辐射的光电子器件(2)，其中
-构造有反射器式地成形的元件(3)，该元件的成型和布置适于通过辐射出射面来偏转在器件中产生的辐射，
-所述反射器式地成形的元件构造为对于在器件中产生的辐射有针对性地进行吸收，
-光电子器件(2)是表面可安装的，
-该光电子器件(2)包括该反射器式地成形的元件(3)，并且
-所述反射器式地成形的元件(3)至少部分地由黑色材料或者黑色材料组合物制成，或者至少部分地设置有黑色材料或者黑色材料组合物。
2.根据权利要求1所述的照明装置，其中所述辐射出射面(41)具有凹面弯曲的部分区域(42)和至少部分包围凹面弯曲的部分区域的、凸面弯曲的部分区域(43)。
3.根据权利要求2所述的照明装置，其中所述光学装置(4)具有光轴(40)，并且所述光轴(40)穿过辐射出射面(41)的凹面弯曲的部分区域(42)。
4.根据权利要求3所述的照明装置，其中所述辐射出射面(41)相对于光轴(40)旋转对称地实施。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的照明装置，其中所述光学装置(4)固定在光电子器件(2)上。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的照明装置，其中所述光电子器件(2)具有至少一个适于产生辐射的半导体芯片(5)。
7.根据权利要求6所述的照明装置，其中所述半导体芯片(5)实施为薄膜半导体芯片。
8.根据权利要求7所述的照明装置，其中所述半导体芯片(5)的表面构成主辐射耦合输出面(52)，并且侧面构成旁辐射出射面(53)。
9.根据权利要求4所述的照明装置，其中所述光电子器件(2)具有至少一个适于产生辐射的半导体芯片(5)，所述光轴(40)穿过半导体芯片(5)。
10.根据权利要求6所述的照明装置，其中所述辐射出射面(41)和所述半导体芯片(5)之间的最小距离小于或等于5mm。
11.根据权利要求6所述的照明装置，其中所述辐射出射面(41)和所述半导体芯片(5)之间的最小距离小于或等于3mm。
12.根据权利要求6所述的照明装置，其中所述光学装置(4)被构造用于将对于照明装置预先给定的发射特性成形，其中至少部分抑制了从半导体芯片(5)耦合输出的辐射在照明装置内反射之后射到辐射出射面(41)上。
13.根据权利要求1至4中的任一项所述的照明装置，其中，对于光电子器件中产生的辐射，进行吸收地构造的、反射器式地成形的元件(3)的反射率小于或等于30％。
14.根据权利要求1至4中的任一项所述的照明装置，其中，对于光电子器件中产生的辐射，进行吸收地构造的、反射器式地成形的元件(3)的反射率小于或等于15％。
15.根据权利要求1至4中的任一项所述的照明装置，其中，对于光电子器件中产生的辐射，进行吸收地构造的、反射器式地成形的元件(3)的反射率小于或等于5％。
16.根据权利要求7所述的照明装置，其中所述半导体芯片(5)包括半导体本体(54)和承载体(55)，所述半导体本体(54)具有半导体层序列，该半导体层序列带有被设置用于产生辐射的有源区(51)，其中所述半导体本体设置在承载体上，并且所述承载体与半导体层序列的生长衬底不同。
17.根据权利要求16所述的照明装置，其中在所述半导体本体(54)和承载体(55)之间设置有反射层(56)。
18.根据权利要求6所述的照明装置，其中所述光电子器件包括壳体本体(20)和外部的电连接导体(205)，其中所述壳体本体包含反射器式地成形的元件(3)，并且所述半导体芯片(5)固定在连接导体上。
19.根据权利要求18所述的照明装置，其中所述反射器式地成形的元件(3)借助壳体本体(20)的腔(240)的壁(245)构成。
20.根据权利要求19所述的照明装置，其中所述半导体芯片(5)设置在所述壳体本体(20)的腔(240)中。
21.照明装置，包括带有至少一个设置用于产生辐射的半导体芯片(5)的光电子器件(2)，该半导体芯片实施为薄膜半导体芯片并且具有实施为主辐射耦合输出面的表面(52)和构成旁辐射出射面的侧面(53)，其中光电子器件(2)是表面可安装的并且包括反射器式地成形的元件(3)，其成型和布置适于将从旁辐射出射面出射的辐射的至少一部分偏转，并且其中该反射器式地成形的元件被构造为针对半导体芯片发射的辐射有针对性地进行吸收，以及其中所述反射器式地成形的元件(3)至少部分地由黑色材料或者黑色材料组合物制成，或者至少部分地设置有黑色材料或者黑色材料组合物。
22.根据权利要求21所述的照明装置，其中，对于光电子器件中产生的辐射，进行吸收地构造的、反射器式地成形的元件(3)的反射率小于或等于30％。
23.根据权利要求21所述的照明装置，其中，对于光电子器件中产生的辐射，进行吸收地构造的、反射器式地成形的元件(3)的反射率小于或等于15％。
24.根据权利要求21所述的照明装置，其中，对于光电子器件中产生的辐射，进行吸收地构造的、反射器式地成形的元件(3)的反射率小于或等于5％。
25.根据权利要求21至24中的任一项所述的照明装置，其中所述半导体芯片(5)包括半导体本体(54)和承载体(55)，所述半导体本体(54)具有半导体层序列，该半导体层序列带有被设置用于产生辐射的有源区(51)，其中所述半导体本体设置在承载体上，并且所述承载体与半导体层序列的生长衬底不同。
26.根据权利要求25所述的照明装置，其中在所述半导体本体(54)和承载体(55)之间设置有反射层(56)。
27.根据权利要求26所述的照明装置，其中所述反射层(56)包含金属或者是金属。
28.根据权利要求21至24中的任一项所述的照明装置，其中所述光电子器件(2)包含反射器式地成形的元件(3)。
29.根据权利要求21至24中的任一项所述的照明装置，其中所述光电子器件包括壳体本体(20)和外部的电连接导体(205)，其中所述壳体本体包含反射器式地成形的元件(3)，并且所述半导体芯片(5)固定在连接导体上。
30.根据权利要求29所述的照明装置，其中所述反射器式地成形的元件(3)借助壳体本体(20)的腔(240)的壁(245)构成。
31.根据权利要求30所述的照明装置，其中所述半导体芯片(5)设置在所述壳体本体(20)的腔(240)中。
32.根据权利要求29所述的照明装置，其中所述壳体本体(20)包含陶瓷。
33.根据权利要求32所述的照明装置，其中所述壳体本体(20)由黑色陶瓷制成，或者壳体本体被涂黑。
34.根据权利要求29所述的照明装置，其中所述壳体本体(20)包含塑料。
35.根据权利要求34所述的照明装置，其中所述壳体本体(20)由黑色塑料制成或者壳体本体被涂黑。
36.根据权利要求21至24中的任一项所述的照明装置，其中所述照明装置被设计用于显示装置的背光照明。
37.根据权利要求21至24中的任一项所述的照明装置，其中所述照明装置被设计用于LCD的背光照明。
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