CN102403414A - 发光器件、发光器件封装及其图像显示装置 - Google Patents

发光器件、发光器件封装及其图像显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及发光器件、发光器件封装及其图像显示装置。一种发光器件包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；第一电极，其被置放在第一导电型半导体层上；欧姆层，其被置放在第二导电型半导体层的预定区域上；硅化物层，其被置放在欧姆层上并且与第二导电型半导体层接触；和导电支撑衬底，其被置放在硅化物层上。

Description

发光器件、发光器件封装及其图像显示装置
对相关申请的交叉引用
该申请要求在2010年9月7日提交的韩国专利申请No.10-2010-0087364的权益，该专利申请由此通过引用并入，正如在这里得到充分阐述那样。
技术领域
实施例涉及一种发光器件、一种发光器件封装和一种包括该发光器件封装的图像显示装置。
背景技术
由于薄膜生长和薄膜器件元件的发展，使用半导体的3-5族或者2-6族化合物半导体元素的、包括发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现各种颜色，诸如红色、绿色和蓝色和红外线。荧光材料使用或者颜色组合使得能够实现具有良好的发光效率的白光。
由于这种技术的发展，发光器件已经被应用于光通信装置的传输模块、替代构成液晶显示器(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光、替代荧光灯和白炽灯的白色光发光二极管照明装置、车辆的头灯并且甚至广泛地被应用于交通灯。
这里，在LED的结构中，可以在衬底上顺序地以多层方式置放P电极、有源层和N电极并且衬底利用导线与N电极结合(bolded)。因此，电流可以被电传导到衬底和N电极。
此时，电流被施加到衬底并且然后电流被施加到P电极和N电极。因此，空穴(+)被从P电极排放到有源层并且电极(-)被从N电极排放到有源层。在这之后，当空穴和电极在有源层处结合时，能级降低。当能级降低时被同时地排放的能量可以发射为光。
发明内容
实施例的目的在于减少发光器件的光损耗并且实现器件稳定性。
本公开另外的优点、目的和特征将部分地在随后的说明中阐述并且在研究以下内容之后对本领域普通技术人员来说将部分地变得显而易见或者可以根据实施例获知。可以利用在书面说明及其权利要求以及附图中特别地指出的结构实现并且获得实施例的目的和其它优点。为了实现这些目的和其它优点并且根据本公开的意图，如在这里体现和一般性描述地，一种发光器件包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；被置放在第一导电型半导体层上的第一电极；被置放在第二导电型半导体层的预定区域上的欧姆层；在与第二导电型半导体层接触时被置放在欧姆层上的硅化物层；和被置放在硅化物层上的导电支撑衬底。
欧姆层可以被置放成部分地暴露第二导电型半导体层，并且在直接地接触第二导电型半导体层的至少预定暴露区域时，硅化物层包围欧姆层。
硅化物层可以由多个层构成。
硅化物层可以是Si和Ni、Pt、Ti、W、Cu、V、Fe或者Mo中的至少一种的化合物。
硅化物层可以对应于第一电极地直接地接触第二导电型半导体层的至少一个预定区域。
欧姆层可以被构图以部分地暴露第二导电型半导体层。
该发光器件可以进一步包括被置放在欧姆层和硅化物层上的反射层。
该发光器件可以进一步包括被置放在第二导电型半导体层和硅化物层之间的电流阻挡层。
硅化物层可以对应于第一电极地直接接触欧姆层的至少预定区域。
该发光器件可以进一步包括被置放在硅化物层和导电支撑衬底之间的粘合层。
可以在发光结构的侧表面和硅化物层的至少预定区域上形成钝化层。
可以在第一导电型半导体层的表面上形成粗糙结构。
在实施例的另一个方面，一种发光器件封装包括在其中形成空腔的封装主体；在被相互电分离时被置放在封装主体上的第一和第二电极层；和在被与第一和第二电极层电连接时被置放在空腔上的发光器件，其中该发光器件包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；被置放在第一导电型半导体层上的第一电极；被置放在第二导电型半导体层的预定区域上的欧姆层；在与第二导电型半导体层接触时被置放在欧姆层上的硅化物层；和被置放在硅化物层上的导电支撑衬底。
在实施例的进一步的方面，一种图像显示装置包括电路板；被置放在电路板上的发光器件封装，该发光器件封装包括在其中形成空腔的封装主体；在被相互电分离时被置放在封装主体上的第一和第二电极层；和在被与第一和第二电极层电连接时被置放在空腔上的发光器件；被配置为投射从发光器件封装发射的光的光学部件；和包括第一透明衬底、第二透明衬底、位于第一和第二透明衬底之间的多个液晶和被置放在第一和第二透明衬底中的每一个之上的偏振板的面板，该面板被配置为输送从光学部件投射的光。
结果，根据该实施例的发光器件可以减少光损耗并且增强其稳定性。
应该理解，实施例的前面的一般说明和以下详细说明这两者都是示例性和解释性的，并且旨在提供对于所要求保护的本发明的进一步的解释。
附图说明
被包括以提供对于本公开的进一步理解并且在并入并构成本申请的一部分的附图示意了本公开的实施例(一个或者多个实施例)并且与本说明一起地用于解释本公开的原理。
在图中：
图1a到1g是示意制造根据第一实施例的发光器件的方法的图表；
图2a到2h是示意制造根据第二实施例的发光器件的方法的图表；
图3a到3h是示意制造根据第三实施例的发光器件的方法的图表；
图4是示意根据一个实施例的发光器件封装的图表；
图5和6是示意根据该实施例的发光器件的效果的图表；
图7是示意根据一个实施例的照明装置的分解透视图，该照明装置包括根据该实施例的发光器件封装；并且
图8是示意包括根据该实施例的发光器件封装的背光的图表。
具体实施方式
如下，将参考附图描述示例性实施例。
将会理解，当一个元件被称作在另一个元件“上”或者“下”时，它能够直接地在该元件上/下，并且还可以存在一个或者多个居间元件。当一个元件被称作在“上”或者“下”时，能够基于该元件包括“在该元件下”以及“在该元件上”。
为了解释和精确，每一个层的厚度和尺寸在图中可能被夸大、省略或者概略地示意。在图中示出的每一个构件的尺寸可能未完全地反映实际尺寸。
图1a到1g是示意制造根据第一实施例的发光器件的方法的图表。
首先，如在图1a中所示，制备衬底100，并且衬底100包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，衬底100可以包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge或者Ga2O3中的至少一种。可以在衬底100上形成非平坦结构，并且该实施例不限于此。可以对于衬底100执行湿法净化，并且可以从衬底100的表面消除杂质。
可以在衬底100上形成包括第一导电型半导体层122、有源层124和第二导电型半导体层126的发光结构120。
此时，缓冲层(未示出)可以在发光结构120和衬底100之间生长，以减小材料的晶格失配和热膨胀系数的差异。缓冲层可以由3-5族化合物半导体例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN或者AlInN中的至少一种形成。可以在缓冲层上形成非掺杂层并且该实施例不限于此。
而且，发光结构120可以根据气相沉积诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)生长。
第一导电型半导体层122可以由具有在其上掺杂的第一导电型掺杂物的3-5族化合物半导体实现。在第一导电型半导体层122是N型半导体层的情形中，第一导电型掺杂物可以包括作为N型掺杂物的Si、Ge、Sn、Se和Te，并且该实施例不限于此。
第一导电型半导体层122可以包括具有经验分子式：AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。第一导电型半导体122可以由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP或者InP中的一种或者多种形成。
第一导电型半导体122可以通过使用CVD、MBE、溅射或者HVPE来形成N型层。而且，可以通过将包括N型杂质诸如硅(Si)、三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)和氮气(N2)的硅烷气体(SiH4)注射到腔室中而形成第一导电型半导体层122。
有源层124是进行如下配置的层：在经由第一导电型半导体层122注射的电子遇到经由将在稍后形成的第二导电型半导体层126注射的空穴之后，该层发射具有由形成有源层(发光层)的材料的独特能带确定的预定能量的光。
有源层124可以被以单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点结构中的至少一种结构形成。例如，注射三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)或者三甲基铟气体(TMIn)中的至少一种从而以MQW结构形成有源层130，并且该实施例不限于此。
有源层124的阱层/势垒层结构可以由InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs、GaP(InGaP)/AIGaP中的一对或者多对形成，并且该实施例不限于此。阱层可以由具有比势垒层的带隙低的预定带隙的材料形成。
可以在有源层124上和/或下形成导电型包覆层(未示出)。导电型包覆层可以由AlGaN基半导体形成并且它可以具有比有源层124的带隙高的带隙。
第二导电型半导体层126可以包括具有在其上掺杂的第二导电型掺杂物的3-5族化合物半导体，例如，具有以下经验分子式：InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。如果第二导电型半导体层126是p型半导体层，则第二导电型掺杂物可以包括作为p型掺杂物的Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。
通过将具有p型杂质诸如镁(Mg)、三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)和氮气(N2)的二乙基环戊二烯镁(EtCp2Mg){(Mg(C2H5C5H4)2)注射到腔室中，第二导电型半导体126可以形成P型GaN层，并且该实施例不限于此。
这个实施例可以提出第一导电型半导体层122是p型半导体层并且第二导电型半导体类型层126是n型半导体层。如果第二导电型半导体层是p型半导体层，则可以在第二导电型半导体层126上形成具有与第二导电类型的极性相反的极性的半导体，例如n型半导体层(未示出)。因此，可以以N-P、N-P-N或者P-N-P结结构之一实现发光结构120。
如在图1b中所示，在发光结构120上覆盖掩模200并且在其上形成欧姆层140和反射层145。此时，可以不在对应于发光结构120的中心的区域上形成欧姆层140和反射层145。这个区域可以对应于将形成将在以后描述的第一电极180的区域。
欧姆层140可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IZO氮化物(IZON)、Al-Ga ZnO(AGZO)、IN-GaZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或者Hf中的至少一种，并且该实施例的欧姆层不限于这些材料。可以根据溅射或者电子束气相沉积形成欧姆层140。
反射层145可以是包括Al、Ag、Pt、Rh或者包括Al、Ag、Pt或者Rh的合金的金属层。铝或者银能够有效地反射从有源层124产生的光，以显著地改进发光器件的光提取效率。
如在图1d中所示，在反射层145上形成硅化物层150。硅化物层150可以是Si和选自由Ni、Pt、Ti、W、Cu、V、Fe和Mo构成的组的至少一种材料的化合物，并且它可以是根据溅射或者电子束沉积而被沉积的。在图1d中，硅化物层150可以被沉积成单一层。然而，它可以被沉积成多个层。考虑器件的特性，硅化物层150的厚度可以等于100埃或者更小。如在图1d中所示，硅化物层150可以部分地与被暴露的第二半导体层126接触。
可以在硅化物层150上形成导电支撑衬底170。导电支撑衬底170可以由选自由Mo、Si、W、Cu、Al构成的组或者该组的合金的至少一种材料形成。导电支撑衬底170可以选择性地包括Au、Cu合金、Ni或者Cu-W和载片(例如GaN、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiGe、SiC、SiGe和Ga2O3)中的至少一种。形成导电支撑衬底170的方法可以是电化学金属沉积或者共晶金属结合。
这里，为了将反射层150和导电支撑衬底170附着到彼此，可以由选自由Au、Sn、In、Al、Si、Ag、Ni、Cu构成的组或者该组的合金的至少一种材料形成粘合层160。
因此，衬底100如在图1e中所示地分离。
可以根据使用受激准分子层的激光剥离(LLO)或者干法和湿法蚀刻分离衬底100。
在激光剥离(LLO)的情形中，具有预定波长的受激准分子层被聚焦并朝向衬底100照射。在这之后，热能集中于在衬底100和发光结构120之间的边界表面上从而该边界表面被划分成镓颗粒和氮颗粒以立刻地在激光在其上经过的区域处分离衬底100。
如在图1f中所示，在第一导电型半导体层122上形成第一电极。第一电极180由钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铂(Pt)、钒(V)、钨(W)、lead(Pd)、铜(Cu)、铑(Rh)、铱(Ir)或者这些金属的合金中的一种或者多种形成。可以对应于没有设置欧姆层140的形成在第二导电型半导体层126上的打开区域地设置第一电极180。图1f示意完全地执行了切割硅片的过程的发光器件。
如在图1g中所示，可以在发光结构120的侧表面上沉积钝化层190。这里，钝化层190可以由绝缘材料形成并且该绝缘材料可以是非传导的氧化物或者氮化物。例如，钝化层200可以由氧化硅层(SiO2)层、氮氧化物层和氧化铝层中的至少一种构成。
图2a到2h是示意根据第二实施例的发光器件的方法的图表。
首先，如在图2a中所示，发光结构120在衬底100上生长，这与在图1a中所示的相同。
因此，如在图2b中所示，通过使用掩模200，电流阻挡层130在第二导电型半导体层126上构图。电流阻挡层130可以由介电物质或者金属形成以阻止电流在发光结构120的中心上集中。
如在图2c中所示，通过使用掩模200可以在第二导电型半导体层126和电流阻挡层130上形成欧姆层140和反射层145。这里，欧姆层140和反射层145的成分可以与参考第一实施例的成分相同。此时，如在图2c中所示，第二导电型半导体层126的边缘区域可以是打开的。
在这之后，如在图2d中所示，在反射层145上形成硅化物层150。硅化物层150可以是Si和选自由Ni、Pt、Ti、W、Cu、V、Fe和Mo构成的组的至少一种材料的化合物，并且它可以是根据溅射或者电子束沉积而被沉积的。在图1d中，硅化物层150可以被沉积成单一层。然而，它可以被沉积成多个层。如在图2d中所示，硅化物层150可以部分地与被暴露的第二半导体层126接触。
因此，如在图2e中所示，可以在硅化物层150上形成反射层(粘合层160)和导电支撑层170。其具体成分与参考第一实施例的成分相同。
如在图2f中所示，根据激光剥离(LLO)等将衬底100消除。如在图2g中所示，在第一导电型半导体层122上形成第一电极180。此时，第一电极180可以被设置在对应于电流阻挡层130的区域上。
如在图2h中所示，可以在发光结构120的侧表面上沉积钝化层190。
图3a到3g是示意制造根据第三实施例的发光器件的方法的图表。
首先，如在图3a中所示，发光结构120在衬底100上生长，这与在图1a中所示的相同。
如在图3b中所示，电流阻挡层130在第二导电型半导体层126上构图并且欧姆层140被形成为覆盖电流阻挡层130。欧姆层的成分与以上所述的相同。
因此，如在图3c中所示，掩模覆盖在欧姆层140上并且反射层145被构图和沉积。反射层145可以被沉积成未在对应于电流阻挡层130的区域处设置。反射层145的成分与以上所述的相同。
如在图3d中所示，硅化物层150被形成为覆盖第二导电型半导体层126、欧姆层140和反射层145。硅化物层150可以是Si和选自由Ni、Pt、Ti、W、Cu、V、Fe和Mo构成的组的材料的化合物，并且它可以是根据溅射或者电子束沉积而被沉积的。在图1d中，硅化物层150可以被沉积成单一层。然而，它可以被沉积成多个层。
这里，反射层145可以不被设置在发光结构的中心区域中，并且欧姆层140可以在中心区域处与硅化物层150接触。
在这之后，如在图3e中所示，可以在硅化物层150上形成粘合层160和导电支撑衬底170。粘合层160和导电支撑衬底170的成分与以上所述的相同。
如在图3f中所示，衬底100被消除。如在图3g中所示，在第一导电型半导体层122上形成第一电极180。根据这个实施例，可以在第一导电型半导体层122的表面上形成粗糙结构。可以在形成掩模之后通过PEC或者蚀刻形成第一导电型半导体层122的表面的非平坦形状。这里，可以控制蚀刻液体(例如，KOH)的数量、UV的强度和暴露时间、在镓极和氮极的蚀刻速率之间的差异和基于GaN结晶度的蚀刻速率之间的差异。因此，可以控制具有微观尺寸的非平坦结构的形状。
根据使用掩模的蚀刻工艺，在第一导电型半导体层122上涂覆光阻材料并且在这之后通过使用掩模执行光刻工艺。当执行光刻工艺时，该过程被显影并且形成蚀刻图案。根据上述过程，在第一导电型半导体层122上形成蚀刻图案。在执行蚀刻工艺的同时，在第一导电型半导体层122上形成非平坦结构。该非平坦结构被构造为增加第一导电型半导体层122的表面面积。当峰部和谷部的数目较大时，这是更加优选的。
在这之后，如在图3h中所示，可以在发光结构120的侧表面上形成钝化层190。
在上述发光结构的实施例中，硅化物层覆盖在发光结构上形成的欧姆层和反射层，并且可以采用它作为在反射层和粘合层之间的屏障。在第一实施例中，未在发光结构的中心区域中设置欧姆层和反射层，并且硅化物层能够防止在欧姆层和反射层中包含的材料扩散。因此，能够预期该器件具有稳定性。
图4是示意根据一个实施例的发光器件封装的截面视图。如下，将参考图4描述根据该实施例的发光器件封装。
如在图4中所示，根据该实施例的发光器件封装包括封装主体320、在封装主体320中安装的第一和第二电极311和312、根据上述实施例的在被与第一和第二电极311和312电连接时在封装主体320中安装的发光器件300、和包围发光器件300的模制部340。
封装主体320包括硅材料、合成材料或者金属材料。邻近于发光器件300地形成斜坡并且可以相应地增强光提取效率。
第一电极311和第二电极312被相互电分离，并且它们为发光器件300提供电力。另外，第一和第二电极311和312反射从发光器件300产生的光，以改进发光效率，并且它们可以向外侧排出从发光器件300产生的热量。
发光器件300可以被置放在封装主体320或者第一和第二电极311和312中的任一个上。
发光器件300可以通过引线结合、倒装片结合或者模片键合而被与第一和第二电极311和312电连接。
模制部340包围发光器件300以保护发光器件300。在模制部340中设置磷光体并且从发光器件发射的光的波长可以通过磷光体改变。
可以在发光器件封装上安装根据上述实施例的至少一个或者多个发光器件，并且该实施例不限于此。
图5和6是示意根据实施例的发光器件的效果的图表。图5是示意在包括硅化物层的竖直发光器件的电压和电流之间的关系的曲线图。图6是示意在不包括硅化物层的发光器件的电压和电流之间的关系的曲线图。
当在1.5安培(A)的电流下执行测试不同的小时时，示出在不带硅化物层的结构的低电流区域处产生退化。
根据该实施例的该多个发光器件封装可以在衬底上排列，并且作为光学部件的导光板、棱镜片和漫射片可以被置放在该发光器件封装的光通道上。这种发光器件封装、衬底和光学部件可以功能用作灯单元。另一个实施例可以提供包括在上述实施例中公开的半导体发光器件或者发光器件封装的一种显示装置、一种指向装置和一种照明系统。例如，该照明系统可以包括灯和路灯。
图7是示意带有根据上述实施例的发光器件封装的、根据一个实施例的照明装置的分解透视图。
根据这个实施例的照明装置包括被配置为投射光的光源600、安装光源600的外罩400、被配置为辐射光源600的热量的热辐射部500、和被配置为将光源600和热辐射部500与外罩400连接的保持器700。
外罩400包括被固定到电气插座(未示出)的插座固定部410和带有在其中安装的光源600的、被与插座固定部410连接的主体部420。单一空气孔430可以形成为穿过主体部420。
可以在外罩400的主体部420中形成多个空气孔430。空气孔430可以由单一孔构成，或者如在图7中所示可以沿着径向方向设置多个空气孔。这里，不同于其径向布置地，该多个空气孔的各种布置都可以是可能的。
光源600包括衬底610和被置放在衬底610上的多个发光器件封装650。衬底610可以具有能够在外罩400的打开部分中插入的预定形状。
发光器件封装650包括至少一个发光器件并且该发光器件包括如在以上实施例中述及的硅化物层。
保持器700可以被设置在光源下面并且它可以包括框架和另一个空气孔。虽然未在图中示出，但是可以在光源600下面设置光学部件，并且从发光器件封装650发射的光可以相应地被漫射、散射或者会聚。
图8是示意包括根据实施例的发光器件封装的、根据一个实施例的背光的图表。
如在图8中所示，根据这个实施例的显示装置800包括光源模块830和835、被设置在底盖820上的反射板820、被置放在反射板820前面以向前引导从光源模块发射的光的导光板840、被置放在导光板840前面的第一和第二棱镜片850和860、被置放在第二棱镜片860前面的面板870和被置放在面板870的整个区域上的滤色镜880。
该光源模块包括被设置在衬底830上的发光器件封装835。这里，衬底830可以是PCB并且以上描述了发光器件封装835。
发光器件封装835包括至少一个发光器件并且该发光器件包括如在以上实施例中述及的硅化物层。
底盖810可以保持显示装置800的内部构件。反射板820可以是如在图中所示的辅助构件，或者可以在底盖810的前表面上涂覆由具有高反射性的材料形成的反射板820。
能够被用于具有高反射性的超薄膜类型的材料可以被用于反射板820，并且聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)可以被用于反射板820。
导光板840散射从发光器件封装发射的光以将光均匀地分布到液晶显示装置的整个屏幕区域。因此，导光板840可以由具有良好折射率和透射率的材料例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)和聚乙烯(PE)形成。可替代地，可以省略导光板840并且可以采用空气作为光学波导。
可替代地，导光板840被省略并且从反射板820反射的光可以直接地朝向面板行进，这是一种气导类型。
第一棱镜片850形成在支撑膜的表面中并且它是由具有透明性和弹性的聚合物形成的。该聚合物可以具有棱镜层，该棱镜层具有被反复地形成的多个维度结构。这里，如在图中所示，该多个图案可以是具有被反复地形成的峰部和谷部的条纹类型。
在被设置在第二棱镜片860中的支撑膜的表面中形成的峰部和谷部的方向可以垂直于在被设置在第一棱镜片850中的支撑膜的表面中形成的峰部和谷部的方向。这是因为，被从光源模块和反射片这两者传输的光必须沿着面板870的向前方向均匀地分布。
虽然未在图中示出，但是可以在每一个棱镜片上设置保护片并且该保护片可以包括光漫射性元件和在支撑膜的两个表面上设置的粘结剂。
棱镜层可以由选自由聚亚安酯、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯弹性体、聚异戊二烯或者多晶硅构成的组的至少一种材料形成。
虽然未在图中示出，但是可以在导光板840和第一棱镜片850之间置放漫射片。该漫射片可以由聚酯/聚碳酸酯基材料形成并且从背光单元入射的光可以被折射和散射。因此，可以尽可能多地加宽光投射角。
该漫射片包括具有光漫射剂的支撑层和不带光漫射剂地分别地在发光表面(朝向第一棱镜片)和光入射表面(朝向反射片)中形成的第一和第二层。
相对于被与甲基丙烯酸-苯乙烯共聚物和甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物混合的100重量份的树脂，该支撑层可以包括具有1～10微米的平均颗粒尺寸的、0.1～10重量份的硅氧烷基光漫射剂和具有1～10微米的平均颗粒尺寸的、0.1～10重量份的丙烯酸基光漫射剂。
相对于100重量份的甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物树脂，第一和第二层可以包括0.01～1重量份的紫外线吸收剂和0.0001～10重量份的防粘剂。
在漫射片中设置的支撑层的厚度可以是100～10000微米并且第一和第二层中的每一个的厚度可以是10～1000微米。
根据这个实施例，漫射片、第一棱镜片850和第二棱镜片860构成一种光学片。该光学片可以例如由微型透镜阵列、漫射片和微型透镜阵列或者单一棱镜片和微型透镜阵列中的另一种结构构成。
面板870可以在其上布置液晶显示器，并且可以提供需要光源的、其它类型的显示装置，而非液晶显示面板。
在面板870中，液晶位于玻璃体之间并且偏振器在玻璃体上提升以使用光的偏振。液晶具有在液体和固体之间的性质。作为有机分子的液晶类似晶体地被规则地置放并且使用被外部场改变的分子布置的性质来显示图像。
在该显示装置中使用的液晶显示器具有使用晶体管作为调节被供应到每一个像素的电压的开关的有源矩阵类型。
滤色镜880被设置在面板870的前表面上并且它仅仅经由像素透射从面板870投射的光中的红色光、绿色光、蓝色光。因此，图像可以得到呈现。
本领域技术人员将会清楚，在不偏离实施例的精神或者范围的情况下，能够在实施例中作出各种修改和变化。因此，意图实施例涵盖这个实施例的修改和变化，只要它们落入所附权利要求和它们的等价形式的范围内。

Claims (22)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；
第一电极，所述第一电极被置放在所述第一导电型半导体层上；
欧姆层，所述欧姆层被置放在所述第二导电型半导体层上；
硅化物层，所述硅化物层被置放在所述欧姆层上并且与所述第二导电型半导体层接触；和
导电支撑衬底，所述导电支撑衬底被置放在所述硅化物层上。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆层被置放成部分地暴露所述第二导电型半导体层，并且所述硅化物层覆盖所述欧姆层且直接接触所述第二导电型半导体层的至少一个暴露区域。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述硅化物层对应于所述第一电极地直接接触所述第二导电型半导体层的至少一个区域。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件，进一步包括：
电流阻挡层，所述电流阻挡层被置放在所述第二导电型半导体层和所述硅化物层之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，进一步包括：
反射层，所述反射层被置放在所述欧姆层和所述硅化物层之间。
6.根据权利要求1、2、4或5中任一项所述的发光器件，其中所述硅化物层对应于所述第一电极地直接接触所述欧姆层的至少一个区域。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，进一步包括：
粘合层，所述粘合层被置放在所述硅化物层和所述导电支撑衬底之间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中根据溅射或者电子束气相沉积形成所述硅化物层。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件，其中所述欧姆层被构图以部分地暴露所述第二导电型半导体层。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述欧姆层被形成为两个部分。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光器件，其中在所述发光结构的侧表面和所述硅化物层的至少一个区域上形成钝化层。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的发光器件，其中在所述第一导电型半导体层的表面上形成粗糙结构。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的发光器件，其中所述硅化物层由多个层构成。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的发光器件，其中所述硅化物层由Si和Ni、Pt、Ti、W、Cu、V、Fe或者Mo中的至少一种构成。
15.一种发光器件封装，包括：
封装主体，在所述封装主体中形成空腔；
第一和第二电极层，所述第一和第二电极层被置放在所述封装主体上且被相互电分离；和
发光器件，所述发光器件被置放在所述空腔上且与所述第一和第二电极层电连接，
其中，所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；第一电极，所述第一电极被置放在所述第一导电型半导体层上；欧姆层，所述欧姆层被置放在所述第二导电型半导体层的预定区域上；硅化物层，所述硅化物层被置放在所述欧姆层上并且与所述第二导电型半导体层接触；和导电支撑衬底，所述导电支撑衬底被置放在所述硅化物层上。
16.根据权利要求15所述的发光器件封装，其中所述欧姆层被置放成部分地暴露所述第二导电型半导体层，并且所述硅化物层覆盖所述欧姆层且直接接触所述第二导电型半导体层的至少一个暴露区域。
17.根据权利要求15至16中任一项所述的发光器件封装，其中所述硅化物层对应于所述第一电极直接地接触所述第二导电型半导体层的至少一个区域。
18.根据权利要求15或16所述的发光器件封装，其中进一步包括：
电流阻挡层，所述电流阻挡层被置放在所述第二导电型半导体层和所述硅化物层之间。
19.根据权利要求18所述的发光器件封装，其中所述硅化物层对应于所述第一电极直接地接触所述欧姆层的至少一个区域。
20.根据权利要求15至19中任一项所述的发光器件封装，其中所述硅化物层由多个层构成。
21.根据权利要求15至20中任一项所述的发光器件封装，其中所述硅化物层由Si和Ni、Pt、Ti、W、Cu、V、Fe和Mo中的至少一种构成。
22.一种图像显示装置，包括：
电路板；
被置放在所述电路板上的发光器件封装，所述发光器件封装包括：封装主体，在所述封装主体中形成空腔；第一和第二电极层，所述第一和第二电极层被置放在所述封装主体上且被相互电分离；和发光器件，所述发光器件被置放在所述空腔上且与所述第一和第二电极层电连接；
光学部件，所述光学部件被配置为投射从所述发光器件封装发射的光；和
面板，所述面板包括第一透明衬底、第二透明衬底、被置放在所述第一和第二透明衬底之间的多个液晶以及被置放在所述第一和第二透明衬底中的每一个之上的偏振板，
其中，所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；第一电极，所述第一电极被置放在所述第一导电型半导体层上；欧姆层，所述欧姆层被置放在所述第二导电型半导体层的预定区域上；硅化物层，所述硅化物层被置放在所述欧姆层上并且与所述第二导电型半导体层接触；和导电支撑衬底，所述导电支撑衬底被置放在所述硅化物层上。
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