CN102263177B - 发光器件、发光器件封装以及照明系统 - Google Patents

发光器件、发光器件封装以及照明系统 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：衬底；发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，发光结构设置在衬底上；非金属图案，该非金属图案设置在衬底和有源层之间，非金属图案与衬底隔开；以及空隙，该空隙设置在非金属图案的侧表面上。

Description

发光器件、发光器件封装以及照明系统
技术领域
实施例涉及一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是一种用于将电能转换为光的半导体器件。LED可以通过调节化合物半导体的材料和组成比率来实现各种颜色。
在这样的LED中，当施加正向电压时，n层的电子与p层的空穴复合以产生与导带和价带之间的能隙相对应的光能。
对于光学器件和高功率电子装置的领域来说，作为组成LED的材料的氮化物半导体因为它们的高的热稳定性和宽的带隙能而备受关注。具体地，使用氮化物半导体的蓝光LED、红光LED、绿光LED以及UV LED正被商业化。
发明内容
实施例提供了发光器件、发光器件封装以及照明系统。
实施例还提供了具有提高的发光效率的发光器件和制造发光器件的方法。
在一个实施例中，发光器件包括：衬底；发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，发光结构设置在衬底上；非金属图案，该非金属图案设置在衬底和有源层之间，该非金属图案与衬底隔开；以及空隙，该空隙设置在非金属图案的侧表面上。
在另一实施例中，发光器件封装包括：主体；设置在主体上的至少一个引线电极；以及发光器件，该发光器件电连接到引线电极，其中发光器件包括：衬底；发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，发光结构设置在衬底上；非金属图案，该非金属图案设置在衬底和有源层之间，非金属图案与衬底隔开；以及空隙，该空隙设置在非金属图案的侧表面上。
在又一实施例中，照明系统包括：板；发光模块，该发光模块设置在板上，该发光模块包括发光器件，其中发光器件包括：衬底；发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，发光结构设置在衬底上；非金属图案，该非金属图案设置在衬底和有源层之间，非金属图案与衬底隔开；以及空隙，该空隙设置在非金属图案的侧表面上。
在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求书，其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是根据实施例的发光器件的侧截面图。
图2是沿着图1的发光器件的线A-A’截取的截面图。
图3和图4是示出图1的发光器件的区域B的视图。
图5是将根据实施例的发光器件的发光效率和其上没有形成非金属图案的发光器件的发光效率进行比较的图。
图6是示出通过测量取决于根据实施例的发光器件的非金属图案的距离和宽度的变化的提取效率之间的关系而获得的试验结果的图。
图7至图12是示出制造根据实施例的发光器件的方法的视图。
图13和图14是根据另一实施例的发光器件的侧截面图。
图15是根据另一实施例的发光器件的侧截面图。
图16是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
图17是根据实施例的显示装置的视图。
图18是示出根据实施例的显示装置的修改示例的视图。
图19是根据实施例的照明单元的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案或者结构被称为在另一层(或者膜)、区域、焊盘或者图案“上”时，“上”和“下”的术语包括“直接地”和“间接地”的意义。此外，将会基于附图参考关于各层的“上”和“下”。
在附图中，为了便于描述和清楚起见，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略、或者示意性地示出。而且，每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装。
图1是根据实施例的发光器件100的侧截面图。图2是沿着图1的发光器件100的线A-A’截取的截面图。图3和图4是示出图1的发光器件100的区域B的视图。
参考图1至图4，根据实施例的发光器件100可以包括：衬底105；发光结构110，该发光结构110设置在衬底105上并且包括第一导电类型半导体层112、有源层114以及第二导电类型半导体层116；多个非金属图案151，所述多个非金属图案151设置在衬底105和有源层114之间；空隙，该空隙被限定在多个非金属图案151的侧表面上；第一电极120，该第一电极120设置在第一导电类型半导体层112上；透明电极层130；以及第二电极140。在这里，透明电极层130和第二电极140设置在第二导电类型半导体层116上。
衬底105可以由蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaN、Si、ZnO、AlN、GaAs、β-Ga2O3、GaP、InP以及Ge形成。可以考虑衬底105和发光结构110之间的热膨胀系数和晶格常数的差来选择衬底105。
而且，图案和/或倾斜可以设置和/或限定在衬底105的顶表面上。图案和/或倾斜可以有利于发光结构110的生长并且提高发光器件100的光提取效率。
发光结构110可以设置在衬底105上。发光结构110可以由III-V族化合物半导体材料形成，例如，由AlInGaN基、GaAs基、GaAsP基以及GaP基化合物半导体材料中的一个形成。从第一和第二导电类型半导体层112和116提供的电子和空穴可以在有源层114中复合以产生光。
第一导电类型半导体层112可以电连接到第一电极120，并且第二导电类型半导体层116可以电连接到第二电极140。因此，电子和空穴可以被提供到有源层114中。
发光结构110可以生长在衬底105上。例如，可以使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺以及氢化物气相外延(HVPE)工艺中的至少一个来形成发光结构110，但是不限于此。
如上所述，发光结构110可以包括第一导电类型半导体层112、有源层114以及第二导电类型半导体层116。
第一导电类型半导体层112可以由掺杂有第一导电类型掺杂物的III-V族化合物半导体形成，例如，由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一个形成。当第一导电类型半导体层112是n型半导体层时，第一导电类型掺杂物可以包括诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te的n型掺杂物。而且，第一导电类型半导体层112可以具有单或者多层结构，但是不限于此。
有源层114可以设置在第一导电类型半导体层112上。有源层114是下述层，其中通过第一导电类型半导体层112注入的电子(或者空穴)和通过第二导电类型半导体层116注入的空穴(或者电子)相遇以发射具有通过化合物半导体材料的适当的能带确定的能量的光。
有源层114可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中的一个。例如，当有源层114具有MQW结构时，有源层114可以由周期的阱层和势垒层形成，例如，由使用III-V族化合物半导体材料的周期的InGaN阱层/GaN势垒层或者周期的InGaN阱层/AlGaN势垒层形成。
而且，导电类型包覆层可以设置在有源层114上或/和下面。导电类型包覆层可以由AlGaN基半导体形成。
第二导电类型半导体层116可以设置在有源层114上。第二导电类型半导体层116可以由掺杂有第二导电类型掺杂物的III-V族化合物半导体形成，例如，由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一个形成。当第二导电类型半导体层116是p型半导体层时，第二导电类型掺杂物可以包括诸如Mg或者Zn的p型掺杂物。而且，第二导电类型半导体层116可以具有单或者多层结构，但是不限于此。
非金属图案151可以设置在衬底105和有源层114之间。例如，非金属图案151可以设置在第一导电类型半导体层112内。非金属图案151可以与衬底105隔开并且设置在第一导电类型半导体层112内。即，非金属图案151可以与第一导电类型半导体层112的顶表面和底表面隔开并且设置在第一导电类型半导体层112内。
非金属图案151可以散射、折射、和反射从有源层114发射的光以提高根据实施例的发光器件100的发光效率。即，通过非金属图案151可以提高发光器件100的光提取效率。
而且，非金属图案151可以减少在发光结构110的生长期间出现的位错或者缺陷的密度。即，由于发光结构110和衬底105的晶格常数之间的差可能导致在发光结构110中出现位错或者缺陷。在此，非金属图案151可以减少晶格常数差。因此，发光结构110的相对于非金属图案151的上部区域中的位错密度可以小于发光结构110的相对于非金属图案151的下部区域中的位错密度。
非金属图案151中的每一个可以由具有小于发光结构110的导电性和绝缘的导电性和绝缘的材料形成。而且，非金属图案151可以由具有不同于发光结构110的折射率的折射率的材料形成。例如，非金属图案151可以由氧化物形成。替代地，非金属图案151可以由氮化物形成。
例如，非金属图案151可以由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、MgF2、TiO2、ZrO2、TaBO3、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)以及镓锌氧化物(GZO)中的至少一个形成，但是不限于此。
如图2中所示，当从上侧观察时，非金属图案151可以具有圆形形状、椭圆形形状或者多边形形状，但是不限于此。
例如，可以形成经构图的掩模并且然后可以沿着掩模执行沉积工艺以形成非金属图案151。通过形成在掩模上的图案的构造可以确定非金属图案151的构造。即，可以根据发光器件100的设计对非金属图案151进行不同的变形以实现最佳构造。
当非金属图案151在其侧表面上具有尖角边缘时，可以提高非金属图案151的散射效果。因此，为了最大化非金属图案151的散射效果，当从上侧观察时，非金属图案151可以具有诸如正方形或者六角形形状的多边形形状。
空隙153可以设置在非金属图案151的周围。在此，空隙153可以仅设置在非金属图案151周围以防止彼此相邻的空隙153相互耦接。
而且，如图3中所示，非金属图案151可以具有倾斜的侧表面。这是因为很难通过用于形成非金属图案151的沉积工艺来形成精确地相对于底表面垂直的侧表面。
而且，如图4中所示，非金属图案151可以具有多层结构。非金属图案151的多层结构可以是其中由彼此不同的材料形成的至少两个或者更多层相互堆叠的结构。
例如，非金属图案151可以具有其中具有第一折射率的第一层151a和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层151b相互交替并且重复地堆叠的多层结构。
更加具体地，第一层151a可以由包含SiO2和MgF2中的至少一个的具有低折射率的材料形成。而且，第二层151b可以由包含TiO2、Si3N4、ZrO2以及TaBO3中的至少一个的具有相对高的折射率的材料形成，但是不限于此。
而且，第一层151a和第二层151b中的每一个可以具有大约λ/(4nm)的厚度。在此，参考符号λ表示从有源层114发射的光的波长，参考符号n表示第一和第二层151a和151b中的每一个的折射率，并且参考符号m表示自然数。在这样的情况下，可以提高第一和第二层151a和151b的反射特性以有效地反射从有源层114入射的光。
空隙153可以设置在非金属图案151的侧表面上。例如，空隙153可以是填充有空气的间隙。
因为空隙153具有显著低于发光结构110和非金属图案151的折射率的折射率，所以可以有效地分散光。即，可以改变入射到空隙153中的光的入射方向，并且因此将光再次入射到发光结构110中。通过改变光的入射方向能够增加提取到外部的光量。
可以首先生长发光结构110的一部分，可以形成非金属图案151，并且可以其次生长发光结构以自然地限定空隙153。
即，通过调整用于生长发光结构110的外延横向覆盖生长(ELO)生长条件可以限定空隙153。
在此，为了有效地限定空隙153，非金属图案151的侧表面可以倾斜或者具有足以限定空隙153的其它形状，但是不限于此。
图5是比较根据实施例的发光器件100的发光效率与其上没有形成非金属图案151的发光器件的发光效率的图。图5的X轴表示光的传播距离(单位：μm)，Y轴表示光提取效率。实线A示出从根据实施例的发光器件100获得的试验结果，并且虚线B示出从其上没有形成非金属图案151的发光器件获得的试验结果。
参考图5，看到与其上没有形成非金属图案151的发光器件的光提取效率相比，发光器件100的光提取效率提高了大约10％。而且，可以看到随着光的传播距离增加，提高的程度逐渐地增加。
图6是示出通过测量取决于根据实施例的发光器件100的非金属图案151的距离和宽度的变化的光提取效率之间的关系而获得的试验结果的图。在此，在有源层114发射具有大约430nm至大约470nm的波长的基于蓝光的光的条件下执行本试验。
参考图1和图6，在通过适当地调节非金属图案151的宽度D和距离S而获得的试验结果中，当非金属图案151具有大约1μm的宽度D并且多个非金属图案151之间的距离S可以是大约0.5μm时，可以最大化发光器件100的光提取效率。
即，当多个非金属图案151具有宽度D和距离S时，可以最大化光分散效果。而且，可以减少发光结构110的位错密度以提高发光器件100的光提取效率。
然而，本公开不限于试验结果。例如，非金属图案151的宽度D和距离S可以根据发光器件100的设计而变化。
再次参考图1，第一电极120可以设置在第一导电类型半导体层112上，并且透明电极层130和第二电极140可以设置在第二导电类型半导体层116上。
第一和第二电极120和140可以连接到外部电源以将电力提供给发光结构110。
例如，第一和第二电极120和140可以由Cu、Au、Ag、Al、Ni、Mo、Pt、Pd、Ti、Sn以及Cr中的至少一个形成并且可以具有单层或者多层结构。
透明电极层130可以扩展电流以防止从第二电极140传送的电力集中地流入第一电极120和第二电极140之间的最短距离。
透明电极层130可以由具有光透射性和导电性的材料形成，例如，由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、Ni、Ag以及Au中的至少一个形成。
可以省略透明电极层130，但是不限于此。
在下文中，将会详细地描述制造根据实施例的发光器件100的方法。
图7至图12是示出制造根据实施例的发光器件100的方法的视图。在此，将会省略或者简单地描述与前述实施例的重复的描述。
参考图7，发光结构110的一部分可以形成在衬底105上。即，如图7中所示，第一导电类型半导体层112a的一部分可以首先形成在衬底105上。
参考图8，经构图的掩膜层158可以形成在首先形成的第一导电类型半导体层112a上。
掩模层158可以被构图为对应于非金属图案151。例如，掩模层158可以包括光致抗蚀剂，但是不限于此。
参考图9，可以沿着掩模层158形成非金属图案151。
例如，可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、电子束沉积工艺以及溅射工艺中的至少一个形成非金属图案151，但是不限于此。
参考图10，在形成非金属图案151之后可以去除掩模层158。
可以使用蚀刻工艺或灰化工艺来去除掩模层158，但是不限于此。
参考图10和图11，发光结构110的剩余部分可以形成在首先形成的第一导电类型半导体层112a和非金属图案151上。即，可以形成第一导电类型半导体层112、有源层、第二导电类型半导体层116。
例如，可以使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺以及氢化物气相沉积(HVPE)工艺中的至少一个形成发光结构110，但是不限于此。
在此，当生长发光结构110时，空隙153可以形成在非金属图案151的侧表面上。如上所述，通过适当地形成非金属图案151的侧表面或者调整发光结构110的生长条件可以形成空隙153，但是不限于此。
参考图11和图12，第一电极120可以形成在第一导电类型半导体层112上，并且透明电极层130和第二电极140可以形成在第二导电类型半导体层116上以提供根据实施例的发光器件100。
为了形成第一电极120，可以先执行台面蚀刻工艺以暴露第一导电类型半导体层112的顶表面的一部分。
使用沉积或者镀工艺可以形成第一和第二电极120和140。而且，例如，可以使用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺、电子束沉积工艺以及溅射工艺中的至少一个形成透明电极层130，但是不限于此。
图13和图14是根据另一实施例的发光器件100B和100C的侧截面图。
参考图13和图14，发光器件100B和100C中的每一个可以包括衬底105，该衬底105具有图案106；发光结构110，该发光结构110设置在衬底105上并且包括第一导电类型半导体层112、有源层114以及第二导电类型半导体层116；多个非金属图案151，所述多个非金属图案151设置在衬底105和有源层114之间；空隙，该空隙被限定在多个非金属图案151的侧表面上；第一电极120，该第一电极120设置在第一导电类型半导体层112上；透明电极层130以及第二电极140。在此，透明电极层130和第二电极140设置在第二导电类型半导体层116上。
在图13的发光器件中，设置在衬底105上的图案106可以分别与非金属图案151垂直地重叠。在图14的发光器件中，设置在衬底105上的图案106和非金属图案151可以相互错开。
而且，不同于图13和图14的发光器件，可以相对于彼此任意地设置非金属图案151和图案106。
设置在衬底105上的图案106可以有效地散射、折射和反射从发光结构110入射的光。另外，当生长发光结构110时，图案106可以缓解衬底105和发光结构110之间的晶格常数差。
当同时形成图案106和非金属图案151时，可以进一步提高发光器件100B和100C的光提取效率。
图15是根据另一实施例的发光器件100D的侧截面图。
参考图15，发光器件100D可以包括电极层160；发光结构110，该发光结构110设置在电极层160下面并且包括第一导电类型半导体层112、有源层114以及第二导电类型半导体层116；第三电极，该第三电极设置在发光结构110下面；非金属图案151，该非金属图案151设置在发光结构110内；以及空隙，该空隙设置在非金属图案151的侧表面上。非金属图案151与第一导电类型半导体层112的顶表面和底表面隔开并且设置在第一导电类型半导体层112内。
电极层160的至少一部分可以与第三电极150垂直地重叠以实现具有垂直型电极结构的发光器件。
如图15中所示，电极层160可以包括欧姆层161；反射层163，该反射层163设置在欧姆层161上；附着金属层165，该附着金属层165设置在反射层163上；以及导电支撑构件167，该导电支撑构件167设置在附着金属层165上。
欧姆层161可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、铟镓锌氧化物(AGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IZO氮化物(IZON)、ZnO、IrOx、RuOx以及NiO中的一个形成。而且，欧姆层161可以由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其组合中的一个形成。欧姆层161可以具有单或者多层结构。
反射层163可以反射从有源层114入射的光以提高发光器件的光提取效率。反射层163可以由具有高反射率的材料形成，例如，由包含Ag、Al、Pt、Pd以及Cu中的至少一个的合金或者金属形成，但是不限于此。
附着金属层165可以设置在导电支撑构件167和反射层163之间以提高其间界面的附着性。附着金属层165可以由具有高附着力和导电性的金属材料形成，例如，由包含Ti、Au、Cu以及Ni中的至少一个的金属形成，但是不限于此。
导电支撑构件167可以支撑发光结构110并且将电力提供给发光结构110。例如，导电支撑构件167可以Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W以及由其中注入杂质的载体晶片(例如，Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC、SiGe等等)中的至少一个形成。
参考图11和图15，电极层160可以设置在图11的发光器件上，然后，可以去除图11的衬底105。然后，可以形成第三电极150以提供发光器件100D。
可以使用激光剥离(LLO)方法、化学剥离(CLO)方法以及物理抛光方法中的至少一个来去除衬底105，但是不限于此。
图16是包括根据实施例的发光器件100的发光器件封装的截面图。
参考图16，根据实施例的发光器件封装可以包括：主体20；第一和第二引线电极31和32，该第一和第二引线电极31和32设置在主体20上；发光器件100，该发光器件100设置在主体20上并且电连接到第一和第二引线电极31和32；以及模制构件40，该模制构件40包围发光器件100。
主体20可以由硅材料、合成树脂材料或者金属材料形成。倾斜表面可以设置在发光器件100的周围。
第一和第二引线电极31和32可以相互电分离，并且向发光器件100提供电力。而且，第一和第二引线电极31和32可以反射在发光器件100中产生的光以提高光效率。另外，第一和第二引线电极31和32可以将在发光器件100中产生的热释放到外部。
第一和第二引线电极31和32中的一个可以通过主体20。此结构可以根据发光器件100的电极结构而变化。
发光器件100可以设置在主体20上，或者设置在第一引线电极31或者第二引线电极32上。
可以通过布线方法、倒装芯片方法以及贴片方法中的一个将发光器件100电连接到第一和第二引线电极31和32。
模制构件40可以包围发光器件100以保护发光器件100。而且，荧光体可以被包含在模制构件40中，以改变从发光器件100发射的光的波长。
透镜可以设置在模制构件40上。透镜可以接触或者不接触模制构件40的表面，但是不限于此。透镜可以具有凸透镜形状、凹透镜形状、或者凸透镜形状和凹透镜形状的混合形状。
根据实施例的发光器件可以以发光器件封装形式封装在板上或者安装在板上，并且因此，发光器件可以被用作用于指示装置、照明装置以及显示装置的光源。根据实施例的发光器件或者发光器件封装可以应用于照明单元作为光源。照明单元可以具有其中排列多个发光器件封装的结构。而且，发光器件或者发光器件封装可以用作侧视型光源或者顶视型光源。光源可以将背光提供到显示面板。而且，发光器件或者发光器件封装可以应用作为用于照明装置的光源。照明装置可以包括照明灯、交通灯、车辆头灯以及标识牌。
根据实施例的半导体发光器件可以被封装在树脂材料、诸如硅的半导体基板、绝缘基板、或者陶瓷基板上并且用作用于指示装置、照明装置以及显示装置的光源。而且，实施例的特征可以被选择地应用于另外的实施例并且不限于每个实施例。
根据实施例的发光器件封装可以应用于照明单元。照明单元可以具有其中排列多个发光器件封装的结构。
图17是根据实施例的显示装置的分解透视图。
参考图17，根据实施例的显示装置1000可以包括导光板1041；发光模块1031，该发光模块1031用于将光提供给导光板1041；反射构件1022，该反射构件1022设置在导光板1041的下方；光学片1051，该光学片1051设置在导光板1041上方；显示面板1061，该显示面板1061设置在光学片1051上方；以及底盖1011，该底盖1011用于容纳导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022，但是实施例不限于此。
底盖1011、反射片1022、光学模块1031、导光板1041以及光学片1051可以被定义为照明单元1050。
导光板1041可以扩散光以产生平面光。导光板1041可以由透明材料，例如，诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸基材料、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂以及聚邻苯二甲酸酯(PEN)树脂中的一个形成。
发光模块1031可以将光提供到导光板1041的至少一个表面并且最终用作显示装置的光源。
可以将至少一个发光模块1031设置为将光直接地或者间接地提供到导光板1041的一个侧表面。发光模块1031可以包括根据实施例的发光器件封装200和板1033。发光器件或者发光器件封装200可以以预定的距离排列在板1033上。即，发光器件可以以芯片或者封装形式排列在板1033上。
板1033可以是具有电路图案的印刷电路板(PCB)。而且，板1033可以包括普通PCB、金属芯PCB或者柔性PCB，但是不限于此。当发光器件封装200安装在散热板或者底盖1011的侧表面上时，板1033可以被去除。在此，散热板的一部分可以接触底盖1011的顶表面。
多个发光器件封装200可以安装在板1033上以允许通过其发射光的发光表面与导光板1041隔开预定的距离，但是不限于此。发光器件封装200可以向是导光板1041的侧面的光入射表面直接或者间接提供光，但是不限于此。
反射构件1022可以设置在导光板1041下。由于反射构件1022向上反射入射到导光板1041的下表面的光，因此可以提高照明单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以由PET、PC以及PVC树脂中的一个形成，但是不限于此。反射构件1022可以是底盖1011的顶表面，但是不限于此。
底盖1011可以容纳导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022。为此，底盖1011可以包括容纳部1012，该容纳部1012具有带有开口的上侧的盒形状，但是不限于此。底盖1011可以与顶盖耦接，但是不限于此。
底盖1011可以由金属材料或者树脂材料形成。而且，可以使用压制成型工艺或者挤压成型工艺制造底盖1011。底盖1011可以由具有优异导热性的金属或者非金属材料形成，但是不限于此。
例如，显示面板1061可以是液晶显示(LCD)面板，并且包括由透明材料形成的第一和第二板以及在第一和第二板之间的液晶层。偏振板可以附着到显示面板1061的至少一个表面。本公开不限于偏振板的附着结构。显示面板1061使用经过光学片1051的光来显示信息。显示装置1000可以被应用于各种便携式终端、用于笔记本电脑的监视器、用于膝上型电脑的监视器、电视，等等。
光学片1051能够设置在显示面板1061和导光板1041之间，并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051可以包括扩散片、水平或/和垂直棱镜片、亮度增强片等中的至少一个。扩散片扩散入射光，并且水平或/和垂直棱镜片将入射光聚集到显示区域中。另外，亮度增强片重新使用丢失的光以提高亮度。而且，保护片可以设置在显示面板1061上，但是不限于此。
在此，诸如导光板1041和光学片1051的光学构件可以设置在发光模块1031的光学路径上，但是不限于此。
图18是示出根据实施例的显示装置的修改示例的视图。图18的封装可以具有其中以芯片或者封装形式排列发光器件的结构。
参考图18，显示装置1100可以包括底盖1152、其上排列有上述发光器件封装200的板1120、光学构件1154以及显示面板1155。
板1120和发光器件封装200可以被定义为发光模块1160。底盖1152、至少一个发光模块1160以及光学构件1154可以被定义为照明单元。发光器件可以以芯片或者封装形式排列在板1120上。
底盖1152可以包括容纳部1153，但是不限于此。
在此，光学构件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片以及亮度增强片中的至少一个。导光板可以由PC材料或者PMMA材料形成。在这样的情况下，导光板可以被去除。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光聚集到显示区域。亮度增强片重新使用丢失的光以提高亮度。
图19是根据实施例的照明单元的图。
参考图19，照明系统1500包括：外壳1510；设置在外壳1510中的发光模块1530；以及连接端子1520，该连接端子1520设置在外壳1510中以接收来自外部电源的电力。
外壳1510可以由具有良好散热特性的材料形成，例如，由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1530可以包括板1532，和设置在板1532上的发光器件封装200。可以提供多个发光器件封装200，并且多个发光器件封装200可以以矩阵的形状排列或者相互隔开预定的距离。发光器件可以以芯片或者封装形式排列在板1532上。
板1532可以是其上印刷有电路图案的绝缘体。例如，板可以包括普通的印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB等等中的至少一个。
而且，板1532可以由有效地反射光的材料形成，并且其表面可以以能够有效地反射光的颜色形成。例如，板可以是具有白色或者银色的涂层。
至少一个发光器件封装200可以安装在板1532上。每个发光器件封装200可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。LED芯片可以包括发射红、绿、蓝或者白光的彩色LED，和发射紫外(UV)射线的UV LED。
发光模块1530可以具有数个发光器件封装200的组合，以获得想要的颜色和亮度。例如，发光模块1530可以具有白光LED、红光LED以及绿光LED的组合，以获得高显色指数(CRI)。
连接端子1520可以电连接到发光模块1530以提供电力。可以将连接端子1520螺旋耦接到插座类型的外部电源，但是不限于此。例如，连接端子1520可以以插头的形式制成并且插入到外部电源，或者可以通过布线连接到外部电源。
实施例可以提供一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。
实施例还可以提供具有提高的发光效率的发光器件和制造发光器件的方法。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的任何引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多落入本公开的原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (13)

1.一种发光器件，包括：
衬底，所述衬底包括形成在所述衬底的顶表面上的图案；
发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，所述发光结构设置在所述衬底上；
透明电极层，所述透明电极层设置在所述第二导电类型半导体层上；
第一电极，所述第一电极设置在所述第一导电类型半导体层上；
第二电极，所述第二电极设置在所述透明电极层上，其中所述第二电极电连接到所述第二导电类型半导体层；
多个非金属图案，所述多个非金属图案设置在所述衬底和所述有源层之间，所述非金属图案与所述衬底隔开；以及
空隙，所述空隙设置在所述非金属图案的每个的侧表面上以防止彼此相邻的空隙相互耦接，
其中，所述非金属图案与所述第一导电类型半导体层的顶表面和底表面隔开并且形成在所述第一导电类型半导体层内，并且
其中，所述非金属图案和所述衬底的图案在垂直方向上相互错开或者相互重叠。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中相对于所述非金属图案的每个，所述发光结构的上部区域的位错密度小于所述发光结构的下部区域的位错密度。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述非金属图案的每个具有小于所述发光结构的导电性的导电性。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述非金属图案的每个由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、MgF2、TiO2、ZrO2、TaBO3、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、以及镓锌氧化物(GZO)中的至少一个形成。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中当从上侧观察时，所述非金属图案的每个具有圆形形状、椭圆形形状或者多边形形状。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述非金属图案的每个具有倾斜的侧表面。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述非金属图案的每个具有其中由彼此不同的材料形成的至少两层相互堆叠的多层结构。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述非金属图案的每个具有其中第一层和第二层相互交替并且重复地堆叠的多层结构，所述第一层具有第一折射率，且所述第二层具有不同于所述第一折射率的第二折射率。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一层由包含SiO2和MgF2中的至少一个的具有低折射率的材料形成，并且所述第二层由包含TiO2、Si3N4、ZrO2以及TaBO3中的至少一个的具有相对高折射率的材料形成。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一层和所述第二层中的每一个具有大约λ/(4nm)的厚度，其中参考符号λ表示从所述有源层发射的光的波长，参考符号n表示所述第一和第二层中的每一个的折射率，并且参考符号m表示自然数。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述非金属图案的每个具有1μm的宽度，并且在所述非金属图案和相邻的非金属图案之间的距离是0.5μm。
12.一种发光器件封装，包括：
主体；
设置在所述主体上的至少一个引线电极；以及
电连接到所述引线电极的发光器件，所述发光器件是根据权利要求1至11中的任意一项所述的发光器件。
13.一种照明系统，包括：
板；和
设置在所述板上的发光模块，所述发光模块包括根据权利要求1至11中的任意一项所述的发光器件。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101055003B1 (ko) * 2010-03-09 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지, 조명 시스템, 및 발광 소자 제조방법
CN107425103B (zh) 2011-08-22 2019-12-27 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件和光装置
KR101804408B1 (ko) 2011-09-05 2017-12-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101936267B1 (ko) 2012-06-08 2019-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
TW201401558A (zh) * 2012-06-28 2014-01-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體結構及其製作方法
DE102012217644A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR101982626B1 (ko) 2012-10-17 2019-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
JP6176032B2 (ja) * 2013-01-30 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
TWI577045B (zh) * 2013-07-10 2017-04-01 晶元光電股份有限公司 發光元件
CN104603959B (zh) * 2013-08-21 2017-07-04 夏普株式会社 氮化物半导体发光元件
USD757663S1 (en) * 2014-01-28 2016-05-31 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting diode chip
USD745474S1 (en) * 2014-01-28 2015-12-15 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting diode chip
TWD173888S (zh) * 2014-01-28 2016-02-21 璨圓光電股份有限公司 發光二極體晶片之部分
TWD173887S (zh) * 2014-01-28 2016-02-21 璨圓光電股份有限公司 發光二極體晶片之部分
TWD164809S (zh) * 2014-01-28 2014-12-11 璨圓光電股份有限公司 發光二極體晶片之部分
USD745472S1 (en) * 2014-01-28 2015-12-15 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting diode chip
TWD173883S (zh) * 2014-01-28 2016-02-21 璨圓光電股份有限公司 發光二極體晶片之部分
TWD163754S (zh) * 2014-01-28 2014-10-21 璨圓光電股份有限公司 發光二極體晶片之部分
TWD174128S (zh) * 2014-10-28 2016-03-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件之部分
TWD180312S (zh) * 2014-10-30 2016-12-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件之部分
TWD180313S (zh) 2014-11-05 2016-12-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件之部分
TWD180314S (zh) * 2014-11-10 2016-12-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件之部分
JP2017038006A (ja) * 2015-08-12 2017-02-16 学校法人金沢工業大学 窒化物半導体発光ダイオード及び窒化物半導体発光ダイオードの製造方法
USD824343S1 (en) * 2016-07-27 2018-07-31 Enraytek Optoelectronics Co., Ltd. LED chip
DE102017113549A1 (de) * 2017-06-20 2018-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN110838538B (zh) * 2018-08-17 2021-06-18 安徽三安光电有限公司 一种发光二极管元件及其制备方法
KR102645419B1 (ko) * 2018-08-20 2024-03-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
US20200411724A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Lumileds Llc Nanocone arrays for enhancing light outcoupling and package efficiency

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1641835A (zh) * 2004-01-15 2005-07-20 Lg电子有限公司 高质量氮化物半导体薄膜及其制作方法
US7087935B2 (en) * 2000-09-22 2006-08-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical device, surface emitting type device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3633018B2 (ja) 1995-02-16 2005-03-30 昭和電工株式会社 半導体発光装置
KR20050077902A (ko) * 2004-01-29 2005-08-04 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 박막의 성장 방법
KR100581831B1 (ko) * 2004-02-05 2006-05-23 엘지전자 주식회사 발광 다이오드
KR100669142B1 (ko) * 2005-04-20 2007-01-15 (주)더리즈 발광 소자와 이의 제조 방법
KR100723150B1 (ko) * 2005-12-26 2007-05-30 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
KR100723249B1 (ko) 2006-02-22 2007-05-29 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드
KR20080034581A (ko) 2006-10-17 2008-04-22 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
US7663148B2 (en) * 2006-12-22 2010-02-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced strain light emitting layer
TW200828624A (en) * 2006-12-27 2008-07-01 Epistar Corp Light-emitting diode and method for manufacturing the same
DE102007018307A1 (de) 2007-01-26 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
US7759689B2 (en) * 2007-05-07 2010-07-20 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Photonic crystal structures and methods of making and using photonic crystal structures
EP2270881B1 (en) 2008-04-30 2016-09-28 LG Innotek Co., Ltd. Light-emitting element and a production method therefor
KR20090114826A (ko) 2008-04-30 2009-11-04 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100956499B1 (ko) * 2008-08-01 2010-05-07 주식회사 실트론 금속층을 가지는 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및이를 이용한 화합물 반도체 소자
KR101040462B1 (ko) * 2008-12-04 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR101055090B1 (ko) * 2009-03-02 2011-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7087935B2 (en) * 2000-09-22 2006-08-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical device, surface emitting type device and method for manufacturing the same
CN1641835A (zh) * 2004-01-15 2005-07-20 Lg电子有限公司 高质量氮化物半导体薄膜及其制作方法

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