KR20090114826A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는, 저 굴절률을 갖는 제 1질화물층과 고 굴절률을 갖는 제 2질화물층을 포함하는 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층; 상기 제2도전성 반도체층 위에 형성된 반사 전극층을 포함한다.
LED, 수직형, 굴절률
Description
실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
실시 예는 수직형 반도체 발광소자에 있어서, 표면에 저 굴절률을 갖는 질화물을 배치하여, 광 방출 효율을 개선할 수 있는 반도체 발광소자를 제공한다.
실시 예는 수직형 반도체 발광소자에 있어서, 고 굴절률을 갖는 질화물층 위에 저 굴절률을 갖는 질화물층을 형성함으로써, 광 추출 효율을 개선할 수 있는 반도체 발광소자를 제공한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는, 저 굴절률을 갖는 제 1질화물층과 고 굴절률을 갖는 제 2질화물층을 포함하는 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층; 상기 제2도전성 반도체층 위에 형성된 반사 전극층을 포함한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조방법은 기판 위에 알루미늄을 포함하는 제 1질화물층 및 상기 제 1질화물층 위에 제 2질화물층을 형성하는 제 1도전성 반도체층 형성단계; 상기 제 2질화물층 위에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 위에 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 2도전성 반도체층 위에 반사전극층을 형성하는 단계; 상기 반사전극층 위에 전도성 지지부재를 형성하는 단계; 상기 기판을 제거한 후 상기 제 1질화물층의 표면에 제 1전극을 형성하는 단계를 포함한다.
실시 예는 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 표면에 굴절률이 상대적으로 낮은 질화물층을 배치하여, 공기 또는 수지물과의 굴절률 차이에 의한 광도 저하를 개선할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명하면 다음과 같다. 이러한 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층의 위 또는 아래에 대한 정의는 각 도면을 기준으로 설명하기로 한다.
도 1은 실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 발광소자(100)는 서로 다른 굴절률의 층을 갖는 제 1도전성 반도체층(110,120), 활성층(130), 제 2도전성 반도체층(140), 반사 전극층(150), 전도성 지지부재(160) 및 제 1전극(170)을 포함한다.
상기 제 1도전성 반도체층(110,120)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, n형 도펀트(예; Si, Ge, Sn , Se, Te 등)가 도핑된다.
상기 제 1도전성 반도체층(110,120)의 제 1질화물층(110) 및 제 2질화물층(120)을 포함하며, 상기 제 1질화물층(110)은 상기 제2질화물층(120)에 비해 저 굴절률의 매질층으로 형성되고, 또는 상기 제2질화물층(110)은 상기 제1질화물층(110)에 비해 고 굴절률의 매질층으로 형성될 수 있다. 상기 제1질화물층(110)은 AlxGa1-xN (0<x≤1)로서, n-AlGaN 또는 AlN층으로 이루어질 수 있고, 상기 제2질화물 층(120)은 n-GaN층으로 이루어질 수 있다. 여기서, 발광 파장이 450nm일 때, 상기 GaN의 굴절률은 2.44이며, AlGaN 또는 AlN은 2.12~2.44가 된다.
여기서, 상기 AlGaN의 경우 Al과 Ga의 조성비(composition ratio)에 따라 굴절률이 2.12~2.44로 변경되며, Ga에 비해 Al의 함량이 상대적으로 많아지면 굴절률은 더 낮아져 광 추출 효율은 증가될 수 있다.
상기 제 1도전성 반도체층(110,120)의 제1질화물층(110) 위에는 제 1전극(170)이 형성된다.
상기 제 1도전성 반도체층(110,120)의 제2질화물층(120)의 아래에는 활성층(130)이 형성되며, 상기 활성층(130)은 단일 또는 다중 양자우물 구조로 형성되는 데, 예컨대, InGaN 우물층/GaN 장벽층을 한 주기로 하여, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다.
상기 활성층(130) 아래에는 제 2도전성 반도체층(140)이 형성된다. 상기 제 2도전성 반도체층(140)은 p형 도펀트(예: Mg)가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 p형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
또한 상기 제 2도전성 반도체층(140) 위에는 n형 반도체층(미도시)이 형성될 도 있다. 또한 실시 예에서는 제 1도전성 반도체층(110,120)이 p형 반도체층이고, 제 2도전성 반도체층(140)이 n형 반도체층으로 구현될 수도 있으며, 이에 한정하지는 않는다.
상기 제 2도전성 반도체층(140)의 아래에는 반사 전극층(150)이 형성된다. 상기 반사 전극층(150)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등의 재질로 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 반사 전극층(150) 아래에는 전도성 지지부재(160)가 형성된다. 상기 전도성 지지부재(160)는 구리 또는 금 등의 재질로 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 반사 전극층(150)과 상기 전도성 지지부재(160)의 재질은 변경될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이러한 반도체 발광소자(100)의 표면에는 저 굴절률을 갖는 제1질화물층(110)인 n-AlGaN층 또는 n-AlN층을 형성해 줌으로써, 상기 활성층(130)에서 방출되는 광은 제2질화물층(120)로 입사되어 제1질화물층(110)을 통해 외부로 쉽게 추출될 수 있다. 이에 따라 LED 광도를 개선할 수 있다.
도 2 내지 도 5는 실시 예에 따른 반도체 발광소자의 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판(101) 위에 버퍼층(103), 서로 다른 굴절률의 층을 갖는 제 1도전성 반도체층(110,120), 활성층(130), 제 2도전성 반도체층(140)을 포함한다.
상기 기판(101)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 버퍼층(103)은 상기 기판(101)과의 격자 상수 차이를 줄여주기 위한 층으로서, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlInGaN 등이 선택적으로 이용하여 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(103) 위에는 언도프드 반도체층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 언도프드 반도체층(미도시)은 undoped GaN층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 기판(101) 위에는 상기 버퍼층(103) 및 언도프드 반도체층이 존재하지 않거나, 적어도 한 층만 존재할 수 있다.
상기 버퍼층(103) 위에는 제 1도전성 반도체층(110,120)이 형성된다. 상기 제 1도전성 반도체층(110,120)은 n형 반도체층으로, 상기 버퍼층(103) 위에 형성된 저 굴절률의 제 1질화물층(110), 상기 제 1질화물층(110) 위에 형성된 고 굴절률의 제 2질화물층(120)을 포함한다. 상기 제 1질화물층(110)은 n-AlGaN층 또는 AlN층으로 구현되며, 상기 제 2질화물층(120)은 n-GaN층으로 구현될 수 있다. 상기 n-AlGaN층(110)은 Al 함량에 따라 굴절률이 변경 예컨대, 더 낮아질 수 있다.
그리고 수학식 1을 이용하여, 상기 제 1질화물층(110) 및 제 2질화물층(120)의 두께는 최적화할 수 있다.
[수학식 1]
T=λ/(4n)
상기 T는 각 매질의 두께이며, λ는 파장이고, n은 각 매질의 굴절률(Refractive index)이다.
상기 제 1도전성 반도체층(110,120)의 제 2질화물층(120) 위에는 활성층(130)이 형성되며, 상기 활성층(130) 위에는 제 2도전성 반도체층(140)이 형성된다.
도 3을 참조하면, 상기 제 2도전성 반도체층(140) 위에는 반사 전극층(150)이 형성된다. 상기 반사 전극층(150)은 제 2전극으로 기능하며, Al, Ag, Ag alloy, Al alloy, Ni, Pd, Rh, Pt 등의 재질로 선택적으로 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 반사 전극층(150) 위에는 전도성 지지부재(160)가 형성된다. 상기 전도성 지지부재(160)는 구리 또는 금, 도전성 기판 등의 재질로 선택적으로 형성될 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 도 4의 기판(101) 및 버퍼층(103)은 물리적 및 화학적 방법으로 제거된 후, 제 1도전성 반도체층(110,120) 중에서 제 1질화물층(110)의 표면이 노출되도록 한다. 여기서, 상기 기판(101)은 표면에 레이저를 조사하는 방식(LLO : Liser Lift Off)을 통해 제거될 수도 있고, 상기 버퍼층(103)은 습식 식각법 및/또는 건식 식각법을 통해 제거될 수 있다.
이러한 상기 제 1도전성 반도체층(110,120) 중에서 제 1질화물층(110)의 표면에 제 1전극(170)을 형성하게 된다.
상기 제 1도전성 반도체층(110,120)은 저 굴절률을 갖는 제 1질화물층(110)과 고 굴절률을 갖는 제 2질화물층(120)으로 이루어짐으로써, 활성층(130)에서 발생된 광은 고 굴절률을 갖는 제 2질화물층(120)을 거쳐 저 굴절률을 갖는 제 1질화물층(110)을 통해 외부로 용이하게 방출될 수 있다.
도 6 및 도 7은 실시 예에 따른 반도체 발광소자의 표면에 러프니스를 형성한 예를 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제 1도전성 반도체층(110,120)에서 제 1질화물층(110)의 표면에 톱니파 또는 삼각파 형태의 러프니스(115)가 형성된다. 이러한 상기 러프니스(115)는 램덤한 주기 또는 일정한 주기로 형성될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제 1도전성 반도체층(110,120)에서 제 2질화물 층(110)의 표면에 주기적인 형태로 표면 요철 형태의 러프니스(115A)가 형성된다. 이러한 상기 러프니스(115A)는 램덤한 주기 또는 일정한 주기로 형성될 수 있다.
상기 러프니스(115,115A)는 상기 제 1질화물층(110)의 표면에서의 광 임계각을 변화시켜 줌으로써, 외부 양자 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "directly"와 "indirectly"의 의미를 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 제 1실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도.
도 2 내지 도 5는 실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조과정을 나타낸 도면.
도 6 및 도 7은 실시 예에 따른 반도체 발광소자의 표면에 러프니스를 형성한 예를 나타낸 도면.
Claims (8)
- 저 굴절률을 갖는 제 1질화물층과 고 굴절률을 갖는 제 2질화물층을 포함하는 제 1도전성 반도체층;상기 제 1도전성 반도체층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층;상기 제2도전성 반도체층 위에 형성된 반사 전극층를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 반사 전극층 위에 형성된 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 2도전성 반도체층은 p형 반도체층 또는 p형 반도체층과 n형 반도체층이 적층된 구조를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1질화물층은 AlxGa1 - xN (0<x≤1)을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1질화물층의 굴절률은 발광 파장이 450nm일 때 2.12~2.44인 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1질화물층의 표면에는 러프니스 형태로 처리되고 제 1전극이 형성되는 반도체 발광 소자.
- 기판 위에 알루미늄을 포함하는 제 1질화물층 및 상기 제 1질화물층 위에 제 2질화물층을 형성하는 제 1도전성 반도체층 형성단계;상기 제 2질화물층 위에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위에 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 2도전성 반도체층 위에 반사전극층을 형성하는 단계;상기 반사전극층 위에 전도성 지지부재를 형성하는 단계;상기 기판을 제거한 후 상기 제 1질화물층의 표면에 제 1전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제 1질화물층의 표면에 러프니스를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20080040672A KR20090114826A (ko) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2011507353A JP5638514B2 (ja) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | 発光素子及びその製造方法 |
| PCT/KR2009/002300 WO2009134095A2 (ko) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
| US12/433,464 US7989834B2 (en) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| EP09739001.7A EP2270881B1 (en) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | Light-emitting element and a production method therefor |
| CN2009801125656A CN101990714B (zh) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | 发光器件和用于制造发光器件的方法 |
| US13/167,651 US8624278B2 (en) | 2008-04-30 | 2011-06-23 | Light emitting device with current blocking layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20080040672A KR20090114826A (ko) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100016690A Division KR101405742B1 (ko) | 2010-02-24 | 2010-02-24 | 반도체 발광소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090114826A true KR20090114826A (ko) | 2009-11-04 |
Family
ID=41556025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20080040672A KR20090114826A (ko) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20090114826A (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8476646B2 (en) | 2009-11-30 | 2013-07-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
| US8575635B2 (en) | 2010-05-25 | 2013-11-05 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system |
| KR20140027656A (ko) * | 2012-08-27 | 2014-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9595647B2 (en) | 2009-11-30 | 2017-03-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
| US8575635B2 (en) | 2010-05-25 | 2013-11-05 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system |
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