JP2023052790A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1Aは実施形態1に係る発光装置の模式的平面図である。図1Bは、複数の第1包囲部32の位置を理解しやすいよう、図1Aにおいて複数の第1包囲部32を灰色着色部で表示した図である。図1Cは、複数の第2包囲部34の位置を理解しやすいよう、図1Aにおいて複数の第2包囲部34を灰色着色部で表示した図である。図1A、図1B、及び図1Cでは、リフレクタ30の形状を理解しやすいよう、基体10、発光素子22、リフレクタ30のみを図示し、光学部材40などの図示は省略している。図1Dは図1A中の1D-1D断面図であり、図1Eは図1Dの部分拡大図である。図1Fは図1Eの部分拡大図である。
発光装置1は例えば直下型バックライト装置である。
基体10は、光源20を載置するための部材である。
複数の光源20は基体10の上面に配置される。
リフレクタ30は、光源20から出射される光を反射する部材である。リフレクタ30は、光源20からの出射光に対する反射率が、440nm~630nmの領域で平均70%以上であることが好ましい。リフレクタ30には、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等の金属酸化物粒子からなる反射材を含有する樹脂を用いて成形された部材や、反射材を含有しない樹脂の表面に反射材が設けられた部材などを用いることができる。
光学部材40は複数の光源20を挟んで基体10と対向するよう配置される。傾斜側面Xの上端から光学部材40までの距離K2は、基体10上面から傾斜側面Xの上端までの距離K1の1/2以下であることが好ましい。このようにすれば、リフレクタ30から光学部材40までの距離に対して、第1包囲部32や第2包囲部34の深さが相対的に深くなり、第1包囲部32や第2包囲部34内における光の多重反射の繰り返し回数を増やすことができる。したがって、光学部材40が配置されている位置における、各包囲部の光密度を高めることができる。
基体10の表面には、光源20(発光素子22)に電力を供給するための導体配線50を配置することができる。導体配線50は、光源20(発光素子22)の電極と電気的に接続され、外部からの電流(電力)を供給するための部材である。
発光装置1は接合部材60を有していてもよい。接合部材60は、光源20を基体10及び/又は導体配線50に固定するための部材である。接合部材60の一例としては、絶縁性の樹脂や導電性の部材が挙げられる。光源20をフリップチップ実装する場合は導電性の部材を接合部材60として用いることができる。Au含有合金、Ag含有合金、Pd含有合金、In含有合金、Pb-Pd含有合金、Au-Ga含有合金、Au-Sn含有合金、Sn含有合金、Sn-Cu含有合金、Sn-Cu-Ag含有合金、Au-Ge含有合金、Au-Si含有合金、Al含有合金、Cu-In含有合金、金属とフラックスの混合物等は接合部材60の一例である。
基体10上には、導体配線50を絶縁被覆するためのレジストなどの絶縁部材70が配置されていてもよい。絶縁部材70を配置させる場合には、導体配線50の絶縁を行う目的だけでなく、絶縁部材70に白色系のフィラーを含有させることにより、光を反射させ、あるいは光の漏れや吸収を防いで、発光装置1の光取り出し効率を上げることもできる。絶縁部材70の材料は、絶縁性であれば特に限定されないが、発光素子22からの光の吸収が少ない材料であることが特に好ましい。具体的には、例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミド等を絶縁部材70の材料として用いることができる。
図5Aは実施形態2に係る発光装置の模式的平面図であり、図5Bは、複数の第1包囲部32の位置を理解しやすいよう、図5Aにおいて複数の第1包囲部32を灰色着色部で表示した図である。図5Cは、複数の第2包囲部34の位置を理解しやすいよう、図5Aにおいて複数の第2包囲部34を灰色着色部で表示した図である。図5Dは、複数の第3包囲部36の位置を理解しやすいよう、図5Aにおいて複数の第3包囲部36を灰色着色部で表示した図である。図5Eは図5A中の5E-5E断面図である。
10 基体
20 光源
22 発光素子
26 封止部材
28 反射層
30 リフレクタ
32 第1包囲部
34 第2包囲部
36 第3包囲部
40 光学部材
50 導体配線
60 接合部材
70 絶縁部材
D1、D2 包囲部における平面部の光源側端部から光源端部までの距離
H1、H2 基体の上面から傾斜側面の上端までの高さ
K1 基体上面から傾斜側面の上端までの距離
K2 傾斜側面の上端から光学部材までの距離
P 光源が隣接する間隔(ピッチ)
S1、S2、S3 包囲部の開口面積
S3、S4 絶縁部材の開口の面積
T リフレクタの厚み
X 傾斜側面
Claims (10)
- 基体と、
前記基体の上面に配置された複数の光源と、
平面視で前記複数の光源の各々をそれぞれが包囲する複数の包囲部を有し、前記複数の包囲部のそれぞれが上方に向かって広がる傾斜側面を有するリフレクタと、を備え、
前記複数の光源が隣接する間隔は、平面視において均一であり、
前記複数の包囲部は、前記傾斜側面の上端で規定される開口が略矩形であり、複数の第1包囲部と、前記複数の第1包囲部を取り囲み、前記傾斜側面の上端で規定される開口面積が前記第1包囲部よりも小さい複数の第2包囲部を有し、
前記リフレクタは、前記傾斜側面の下端から前記光源に向かって延在する平面部を有し、
前記第2包囲部における前記平面部の前記光源側端部から前記光源端部までの距離は、前記第1包囲部における前記平面部の前記光源側端部から前記光源端部までの距離よりも小さい発光装置。 - 前記複数の包囲部は、さらに複数の第3包囲部を有し、
前記第3包囲部は、前記第1包囲部と前記第2包囲部との間に設けられ、前記開口面積が、前記第1包囲部よりも小さく、前記第2包囲部よりも大きい、請求項1に記載の発光装置。 - 前記光源はバットウィング型の配光特性を有する請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記光源は、発光素子と、前記発光素子からの光を広配光化させるレンズと、を有する請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光源は、発光素子と、前記発光素子を被覆する封止部材と、前記封止部材の上方に設けられた反射層と、を有する請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光源は、発光素子と、前記発光素子の上面に設けられた反射層と、前記発光素子と前記反射層とを被覆する封止部材と、を有する請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記複数の光源を挟んで前記基体と対向するよう配置される透光性の光学部材を備え、
前記傾斜側面の上端から前記光学部材までの距離は、前記基体上面から前記傾斜側面の上端までの距離の1/2以下である請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記光学部材は、誘電体多層膜で形成され、入射する光の一部を反射し、一部を透過するハーフミラーを備える請求項7に記載の発光装置。
- 前記基体の上面から前記第2包囲部の傾斜側面の上端までの高さは、前記基体の上面から前記第1包囲部の傾斜側面の上端までの高さより高い請求項1から8のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記基体の表面は、前記光源と電気的に接続される導体配線を備え、前記導体配線が前記光源に電気的に接続される部分以外が絶縁部材によって被覆されている請求項1から9のいずれか1項に記載の発光装置。
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