JP7177331B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は発光装置に関する。

複数の光源を備えた発光装置が提案されている（特許文献１参照）。

国際公開第２０１２／０２３４５９号

従来の発光装置では、装置外周部上の輝度が装置中央部上の輝度よりも低くなる虞がある。装置中央部上には装置の他の部分から出射された光が届きやすいのに対し、装置外周部上には装置の他の部分から出射された光が届きにくいためである。

上記の課題は、例えば、次の手段により解決することができる。

基体と、前記基体の上面に配置される導体配線と、前記基体の上面と前記導体配線の上面とを被覆し、前記基体の上面の一部と前記導体配線の上面の一部とが位置する複数の開口領域を備える反射部材と、前記複数の開口領域に位置する前記導体配線の一部の上面に接合部材を介して接合される複数の光源と、前記反射部材上に配置され、平面視で前記複数の光源の各々をそれぞれが包囲する複数の包囲部を有し、前記複数の包囲部のそれぞれが上方に向かって広がる傾斜側面を有するリフレクタと、を備え、前記複数の包囲部は、複数の第１包囲部と、前記複数の第１包囲部を取り囲む複数の第２包囲部とを有し、平面視において、前記第２包囲部内における前記開口領域の面積は、前記第１包囲部内における前記開口領域の面積よりも小さい発光装置。

上記の発光装置によれば、装置外周部における包囲部上の光密度が、装置中央部における包囲部上の光密度よりも高くなる。したがって、装置外周部上において装置中央部上と同等の輝度を確保して、装置上の輝度を装置の全域において均一に近づけることができる。

実施形態１に係る発光装置の模式的平面図である。 図１Ａにおいて複数の第１包囲部を灰色着色部で表示した図である。 図１Ａにおいて複数の第２包囲部を灰色着色部で表示した図である。 図１Ａ中の１Ｄ－１Ｄ断面図である。 図１Ｄの部分拡大図である。 図１Ｅの部分拡大図である。 実施形態１に係る光源の他の例を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る光源の他の例を示す模式的断面図である。 実施形態１に係るリフレクタの他の例を示す模式的断面図である。 図１Ａの部分拡大図において第１包囲部と第２包囲部とにおける反射部材の開口領域をそれぞれ灰色着色部で表示した図である。 実施形態１に係るリフレクタの他の例を示す模式的断面図である。 実施形態２に係る発光装置の模式的平面図である。 図５Ａにおいて複数の第１包囲部を灰色着色部で表示した図である。 図５Ａにおいて複数の第２包囲部を灰色着色部で表示した図である。 図５Ａにおいて複数の第３包囲部を灰色着色部で表示した図である。 図５Ａ中の５Ｅ－５Ｅ断面図である。 図５Ａの部分拡大図において第１包囲部と第２包囲部と第３包囲部とにおける反射部材の開口領域をそれぞれ灰色着色部で表示した図である。

［実施形態１に係る発光装置１］
図１Ａは実施形態１に係る発光装置の模式的平面図である。図１Ｂは、複数の第１包囲部３２の位置を理解しやすいよう、図１Ａにおいて複数の第１包囲部３２を灰色着色部で表示した図である。図１Ｃは、複数の第２包囲部３４の位置を理解しやすいよう、図１Ａにおいて複数の第２包囲部３４を灰色着色部で表示した図である。図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃでは、リフレクタ３０の形状を理解しやすいよう、基体１０、反射部材７０、発光素子２２、リフレクタ３０のみを図示し、光学部材４０などの図示は省略している。図１Ｄは図１Ａ中の１Ｄ－１Ｄ断面図であり、図１Ｅは図１Ｄの部分拡大図である。図１Ｆは図１Ｅの部分拡大図である。

図１Ａから図１Ｆに示すように、実施形態１に係る発光装置１は、基体１０と、基体１０の上面に配置される導体配線５０と、基体１０の上面と導体配線５０の上面とを被覆し、基体１０の上面の一部と導体配線５０の上面の一部とが位置する複数の開口領域を備える反射部材７０と、複数の開口領域に位置する導体配線５０の一部の上面に接合部材６０を介して接合される複数の光源２０と、反射部材７０上に配置され、平面視で複数の光源２０の各々をそれぞれが包囲する複数の包囲部を有し、複数の包囲部のそれぞれが上方に向かって広がる傾斜側面Ｘを有するリフレクタ３０と、を備え、複数の包囲部は、複数の第１包囲部３２と、複数の第１包囲部３２を取り囲む複数の第２包囲部３４とを有し、平面視において、第２包囲部３４内における開口領域Ｓ８の面積は、第１包囲部３２内における開口領域Ｓ７の面積よりも小さい発光装置である。以下、詳細に説明する。

（発光装置１）
発光装置１は例えば直下型バックライト装置である。

（基体１０）
基体１０は、光源２０を載置するための部材である。

基体１０の材料としては、例えば、セラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂が挙げられる。セラミックスとしては、例えば、アルミナ、ムライト、フォルステライト、ガラスセラミックス、窒化物系（例えば、ＡｌＮ）、炭化物系（例えば、ＳｉＣ）、ＬＴＣＣ等が挙げられる。基体１０の材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。基体１０には、金属部材の表面に絶縁層が形成された金属基板を用いてもよい。

基体１０の厚さは適宜選択することができる。基体１０は、例えば、ロール・ツー・ロール方式で製造可能なフレキシブル基板であってもよいし、リジット基板であってもよい。リジット基板は湾曲可能な薄型リジット基板であってもよい。

（導体配線５０）
基体１０の少なくとも上面には、光源２０（発光素子２２）に電力を供給するための導体配線５０を配置することができる。導体配線５０は、光源２０（発光素子２２）の電極と電気的に接続され、外部からの電流（電力）を供給するための部材である。

導体配線５０の材料は、基体１０として用いられる材料や製造方法等によって適宜選択することができる。例えば、基体１０の材料としてセラミックスを用いる場合、導体配線５０の材料には、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料を用いるのが好ましく、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を用いるのが好ましい。さらに、これらの金属の表面を、鍍金やスパッタリング、蒸着などにより、ニッケル、金、銀などの他の金属材料で被覆したものを導体配線５０として用いることもできる。基体１０の材料としてガラスエポキシ樹脂を用いる場合、導体配線５０の材料には、加工し易い材料を用いることが好ましい。

導体配線５０は、基体１０の一面又は両面に、蒸着、スパッタ、めっき等の方法によって形成することができる。プレスにより金属箔を貼りつけてこれを導体配線５０としてもよい。印刷法又はフォトリソグラフィー等を用いてマスキングし、エッチング工程によって、所定の形状に導体配線５０をパターニングすることができる。

（反射部材７０）
反射部材７０は、光を反射させ、あるいは光の漏れや吸収を防いで、発光装置１の光取り出し効率を上げる絶縁性の部材である。反射部材７０は、基体１０の上面と導体配線５０の上面とを被覆するよう配置される。反射部材７０には、例えば白色系のフィラーを含有する部材を用いることができる。反射部材７０の材料は、絶縁性であれば特に限定されないが、発光素子２２からの光の吸収が少ない材料であることが特に好ましい。具体的には、例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミド等を反射部材７０の材料として用いることができる。

反射部材７０は、基体１０の上面の一部と導体配線５０の上面の一部とが位置する複数の開口領域Ｓ７、Ｓ８を備えており、例えば図４Ａ、図４Ｂに示すように、平面視において、第２包囲部３４内における開口領域Ｓ８の面積は、第１包囲部３２内における開口領域Ｓ７の面積よりも小さい。このようにすれば、第２包囲部３４内においては、第１包囲部３２内におけるよりも、多くの光が反射部材７０で反射されるものとなって、装置外周部における包囲部上の光密度が、装置中央部における包囲部上の光密度よりも高くなる。したがって、装置外周部上において装置中央部上と同等の輝度を確保して、装置上の輝度を装置の全域において均一に近づけることができる。

（複数の光源２０）
複数の光源２０は、複数の開口領域Ｓ７、Ｓ８に位置する導体配線５０の一部の上面に接合部材６０を介して接合される。

複数の光源２０のピッチ、つまり、複数の光源２０が隣接する間隔Ｐは、平面視における縦方向及び横方向において均一（均一であるとみなせる程度の誤差がある場合を含む。）であることが好ましい。本実施形態によれば、第２包囲部３４における開口領域Ｓ８の面積が第１包囲部３２における開口面積Ｓ７よりも小さいものとされるため、光源２０の配置等に変更を加えるなどの比較的煩雑な設計を行わずとも、装置外周部上の輝度を装置中央部上と同等に確保することが可能となり、発光装置１の設計が容易になる。反射部材７０が有する開口面積Ｓ７、Ｓ８の大きさを変えることに加えて、さらにリフレクタ３０における第１包囲部３２と第２包囲部３４の大きさを変えるものとすれば、例えば、第２包囲部３４の傾斜側面Ｘの上端で規定される上端開口面積Ｓ２を、第１包囲部３２の傾斜側面Ｘの上端で規定される上端開口面積Ｓ１よりも小さいものとすれば、より一層、装置外周部上の輝度を装置中央部上と同等に確保することが容易になる。したがって、光源２０の配置等に変更を加える必要性がさらに低下し、発光装置１の設計の自由度をより容易に確保することができる。

各光源２０は発光ダイオードなどの発光素子２２を有していてもよい。発光素子２２は、例えば、透光性の基板と、基板上に積層された半導体層と、を有する。透光性の基板には、例えばサファイアを用いることができる。半導体層は、例えば、ｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を、基板側からこの順に有している。半導体層には、例えば、ＺｎＳｅ、窒化物系半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、またはＧａＰなどのほか、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。ｎ型半導体層上には例えばｎ側電極が形成されており、ｐ型半導体層上には例えばｐ側電極が形成されている。

各光源２０は封止部材２６を有していてもよい。封止部材２６は、発光素子２２を外部環境から保護するとともに、発光素子２２から出力される光を光学的に制御する部材である。封止部材２６は、発光素子２２を被覆するように基体１０上に配置される。平面視において、反射部材７０が有する開口領域Ｓ７、Ｓ８の光源側端部は、封止部材２６の内側に位置していてもよいし、外側に位置してもよい。光源側端部が封止部材２６の内側に位置する場合、開口領域Ｓ７、Ｓ８は封止部材２６に覆われるものとなるが、封止部材２６の外側に位置する場合は、開口領域Ｓ７、Ｓ８内に封止部材７０が配置されるものとなる。

封止部材２６の材料としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂あるいはそれらを混合させた樹脂や、ガラスなどの透光性材料を用いることができる。これらのうち、耐光性および成形のしやすさを考慮して、シリコーン樹脂を選択することが好ましい。封止部材２６には、光拡散材や、発光素子２２からの光を吸収して発光素子２２からの出力光とは異なる波長の光を発する蛍光体等の波長変換部材や、発光素子２２の発光色に対応する着色剤を含有させることができる。

封止部材２６は、例えば、圧縮成型や射出成型などのほか、滴下や描画により形成することができる。また、封止部材２６の材料の粘度を最適化することにより、材料自体の表面張力によって形状を制御することも可能である。滴下や描画による場合は、金型を必要とすることなく、より簡便に封止部材２６を形成することができる。粘度は、所望の粘度を有する材料を封止部材２６の材料として用いることにより調整してもよいし、上述した光拡散材、波長変換部材、あるいは着色剤を利用して調整してもよい。

各光源２０はバットウィング型の配光特性を有していることが好ましい。このようにすれば、各光源２０の真上方向に出射される光量を抑制して、各光源２０の配光を広げることができる。したがって、特に基体１０と対向して透光性の光学部材４０を設ける場合において、発光装置１の厚みを小さくすることができる。よって、装置外周部上において装置中央部上と同等の輝度を確保しつつ、厚みが小さい薄型の発光装置を提供することができる。

バットウィング型の配光特性とは、中心部が外周部よりも暗くなる配光特性をいう。バットウィング型の配光特性の一例としては、光軸Ｌを０°とする場合に、０°よりも配光角の絶対値が大きい角度において、発光強度が強くなる発光強度分布を有する配光特性や、４５°～９０°付近において、発光強度が最も強くなる発光強度分布を有する配向特性を挙げることができる。

各光源２０は、発光素子２２の上面に反射層２８を有していてもよい。この場合、封止部材２６は、例えば発光素子２２と反射層２８とを被覆するように設けることができる。このように封止部材２６を設ければ、封止部材２６を例えば後述する図２Ａに示す形状などのような形状に形成して、バットウィング型の配光特性を容易に実現することができる。

図２Ａは実施形態１に係る光源の他の例を示す模式的断面図である。封止部材２６の形状は例えばドーム状であってもよいが、図２Ａに示すように、発光素子２２からの光を広配光化させる形状、具体的には、発光素子の直上に凹部を有する形状であってもよい。このようにすれば、封止部材２６が広配光化させるレンズとして機能し、前述した反射層２８を設けずとも、バットウィング型の配光特性を得ることが可能となる。あるいは、反射層２８を設けつつレンズとして機能する封止部材２６を設けることで、さらに容易にバットウィング型の配光特性を得ることが可能となる。

図２Ｂは実施形態１に係る光源の他の例を示す模式的断面図である。図２Ｂに示すように、各光源２０は封止部材２６の上方に反射層２８を有していてもよい。このようにすれば、発光素子２２の上方向への光は反射層２８で反射され、発光素子２２の直上の光量が抑制される。したがって、バットウィング型の配光特性を容易に実現することができる。

反射層２８は、金属膜であってもよいし、誘電体多層膜であってもよい。

複数の光源２０は、互いに独立して駆動可能であることが好ましく、特に、光源２０ごとの調光制御（例えば、ローカルディミングやハイダイナミックレンジ：ＨＤＲ）が可能であることが好ましい。

（リフレクタ３０）
リフレクタ３０は、光源２０から出射される光を反射する部材である。リフレクタ３０は、光源２０からの出射光に対する反射率が、４４０ｎｍ～６３０ｎｍの領域で平均７０％以上であることが好ましい。リフレクタ３０には、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等の金属酸化物粒子からなる反射材を含有する樹脂を用いて成形された部材や、反射材を含有しない樹脂の表面に反射材が設けられた部材などを用いることができる。

リフレクタ３０は、反射部材７０上に配置され、平面視で複数の光源２０の各々をそれぞれが包囲する複数の包囲部を有する。１つの包囲部は１つの光源を包囲する。複数の包囲部は、複数の第１包囲部３２と、複数の第１包囲部３２を取り囲む複数の第２包囲部３４と、を有する。複数の包囲部それぞれは、上方に向かって広がる傾斜側面Ｘを有する。ここで、第２包囲部３４の傾斜側面Ｘの上端で規定される上端開口面積Ｓ２は、第１包囲部３２の傾斜側面Ｘの上端で規定される上端開口面積Ｓ１よりも小さいことが好ましい。このようにすれば、より一層、第２包囲部３４上の光密度が第１包囲部３２上の光密度よりも高くなり、すなわち、装置外周部上の光密度が装置中央部上の光密度よりも高くなり、装置外周部上の輝度を装置中央部上と同等に確保することが容易になる。なお、光密度とは単位面積当たりの光の強さの度合いである。

リフレクタ３０の厚みＴは、例えば１００～３００μｍである。

ここで、リフレクタ３０は、さらに、複数の包囲部それぞれにおいて、傾斜側面Ｘの下端から光源２０に向かって延在する平面部を有することが好ましい。なお、図１Ｅでは、第２包囲部３４の傾斜側面Ｘの傾斜角度が、第１包囲部３２の傾斜側面Ｘの傾斜角度よりも大きい。

例えば図４Ｂに示すように、第２包囲部３４における平面部の光源側端部から光源端部までの距離Ｄ２は、第１包囲部３２における平面部の光源側端部から光源端部までの距離Ｄ１よりも小さいことが好ましい。このようにすれば、より一層、第２包囲部３４上の光密度を第１包囲部３２上の光密度より高くして、装置外周部における包囲部上の光密度を、装置中央部における包囲部上の光密度よりも高くすることができる。したがって、装置外周部上の輝度を装置中央部上と同等に確保することがさらに容易になる。

図３は実施形態１に係るリフレクタの他の例を示す模式的断面図である。図３に示すように、基体１０の上面から第２包囲部３４の傾斜側面Ｘの上端までの高さＨ２は、基体１０の上面から第１包囲部３２の上端までの高さＨ１より高いことが好ましい。このようにすれば、第２包囲部３４内での光の多重反射量が増すため、より一層、第２包囲部３４上の光密度を高めて、装置外周部上の輝度を高めることができる。

（光学部材４０）
光学部材４０は複数の光源２０を挟んで基体１０と対向するよう配置される。傾斜側面Ｘの上端から光学部材４０までの距離Ｋ２は、基体１０上面から傾斜側面Ｘの上端までの距離Ｋ１の１／２以下であることが好ましい。このようにすれば、リフレクタ３０から光学部材４０までの距離に対して、第１包囲部３２や第２包囲部３４の深さが相対的に深くなり、第１包囲部３２や第２包囲部３４内における光の多重反射の繰り返し回数を増やすことができる。したがって、光学部材４０が配置されている位置における、各包囲部の光密度を高めることができる。

光学部材４０には例えばハーフミラーなどの透光性の部材を用いることができる。ハーフミラーには、例えば、入射する光の一部を反射し、一部を透過する部材を用いることができる。

ハーフミラーの反射率は、垂直入射よりも斜め入射の方が低くなるように設定されていることが好ましい。すなわち、ハーフミラーは、各光源２０から放射された光のうち、光軸方向に対して平行に出射した光に対しては、光反射率が高く、放射角度（光軸方向に対して平行である場合は放射角度が０度であるものとする。）が広がっていくに従い、光反射率が低下する特性（換言すると、ハーフミラーを透過する光量が増加する特性）を有していることが好ましい。このようにすれば、ハーフミラーを光出射側から観察した場合において、均質な輝度分布を容易に得ることができる。

ハーフミラーには例えば誘電体多層膜を用いることができる。誘電体多層膜を用いることで、光吸収の少ない反射膜を得ることができる。加えて、膜の設計により反射率を任意に調整することができ、角度によって反射率を制御することも可能となる。例えば、ハーフミラーに対して垂直に入射する光に対してこれよりも斜めに入射する光に対して反射率が低くなるよう誘電体多層膜の膜を設計すれば、光取り出し面に対して垂直に入射する光に対する反射率が高く、光取り出し面に対する角度が大きくなるほど反射率が低くなる特性を容易に実現することができる。

発光装置１は、光学部材４０の光出射側に光拡散板を備えていてもよい。光拡散板は、複数の光源２０から放射された光を拡散させることにより輝度ムラを削減させる部材である。光拡散板を形成する材料には、例えば、ポリカーボネイト樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂等、可視光に対して光吸収の少ない材料を用いることができる。光拡散板には、例えば、母材となる材料中に屈折率の異なる材料を含有させた部材や、母材となる材料の表面形状を加工して光を散乱させる部材を用いることができる。

（接合部材６０）
発光装置１は接合部材６０を有している。接合部材６０は、光源２０を基体１０及び／又は導体配線５０に固定するための部材である。接合部材６０の一例としては、絶縁性の樹脂や導電性の部材が挙げられる。光源２０をフリップチップ実装する場合は導電性の部材を接合部材６０として用いることができる。Ａｕ含有合金、Ａｇ含有合金、Ｐｄ含有合金、Ｉｎ含有合金、Ｐｂ－Ｐｄ含有合金、Ａｕ－Ｇａ含有合金、Ａｕ－Ｓｎ含有合金、Ｓｎ含有合金、Ｓｎ－Ｃｕ含有合金、Ｓｎ－Ｃｕ－Ａｇ含有合金、Ａｕ－Ｇｅ含有合金、Ａｕ－Ｓｉ含有合金、Ａｌ含有合金、Ｃｕ－Ｉｎ含有合金、金属とフラックスの混合物等は接合部材６０の一例である。

接合部材６０としては、例えば、液状、ペースト状、固体状（シート状、ブロック状、粉末状、ワイヤ状）の部材を単一にまたは組み合わせて用いることができ、組成や基体１０の形状等に応じて、適宜選択することができる。光源２０を導体配線５０に電気的に接続する工程と、光源２０を基体１０上に載置や固定などする工程と、を一の工程ではなく別の工程に分けて行う場合には、接合部材６０とは別のワイヤをさらに用いて、これで光源と導体配線５０を電気的に接続してもよい。

以上説明したように、実施形態１に係る発光装置１によれば、平面視において、第２包囲部３４内における開口領域Ｓ８の面積が、第１包囲部３２内における開口領域Ｓ７の面積よりも小さい。このため、第２包囲部３４内においては、第１包囲部３２内におけるよりも、多くの光が反射部材７０で反射されるものとなり、装置外周部における包囲部上の光密度が、装置中央部における包囲部上の光密度よりも高くなる。したがって、装置外周部上において装置中央部上と同等の輝度を確保して、装置上の輝度を装置の全域において均一に近づけることができる。

［実施形態２に係る発光装置２］
図５Ａは実施形態２に係る発光装置の模式的平面図であり、図５Ｂは、複数の第１包囲部３２の位置を理解しやすいよう、図５Ａにおいて複数の第１包囲部３２を灰色着色部で表示した図である。図５Ｃは、複数の第２包囲部３４の位置を理解しやすいよう、図５Ａにおいて複数の第２包囲部３４を灰色着色部で表示した図である。図５Ｄは、複数の第３包囲部３６の位置を理解しやすいよう、図５Ａにおいて複数の第３包囲部３６を灰色着色部で表示した図である。図５Ｅは図５Ａ中の５Ｅ－５Ｅ断面図である。図５Ｆは図５Ａの部分拡大図において第１包囲部と第２包囲部と第３包囲部とにおける反射部材の開口領域をそれぞれ灰色着色部で表示した図である。

図５Ａから図５Ｆに示すように、実施形態２に係る発光装置２は、複数の包囲部が、第１包囲部３２と第２包囲部３４との間に複数の第３包囲部３６を有しており、平面視において、第３包囲部３６内における開口領域Ｓ９の面積は、第１包囲部３２内における開口領域Ｓ７の面積よりも小さく、第２包囲部３４内における開口領域Ｓ８の面積よりも大きい点で、実施形態１に係る発光装置１と相違する。実施形態２に係る発光装置２によれば、第２包囲部３４上の光密度＞第３包囲部３６上の光密度＞第１包囲部３２上の光密度の関係が成立し、装置中央部から装置外周部に向かうにつれて、装置上の光密度が高くなる。したがって、装置外周部上において装置中央部上と同等の輝度を確保して、装置上の輝度を装置の全域において均一に近づけることができる。なお、各第３包囲部３６における傾斜側面Ｘの上端で規定される開口面積Ｓ３は、第１包囲部３２の開口面積Ｓ１よりも小さく、第２包囲部３４の開口面積Ｓ２よりも大きいことが好ましい。このようにすれば、上記の光密度の関係を成立させることがさらに容易となり、より一層、装置外周部上において装置中央部上と同等の輝度を確保して、装置上の輝度を装置の全域において均一に近づけることができる。

以上、実施形態について説明したが、これらの説明によって特許請求の範囲に記載された構成は何ら限定されるものではない。

１ 発光装置
１０ 基体
２０ 光源
２２ 発光素子
２６ 封止部材
２８ 反射層
３０ リフレクタ
３２ 第１包囲部
３４ 第２包囲部
３６ 第３包囲部
４０ 光学部材
５０ 導体配線
６０ 接合部材
７０ 反射部材
Ｄ１、Ｄ２ 包囲部における平面部の光源側端部から光源端部までの距離
Ｈ１、Ｈ２ 基体の上面から傾斜側面の上端までの高さ
Ｋ１ 基体上面から傾斜側面の上端までの距離
Ｋ２ 傾斜側面の上端から光学部材までの距離
Ｐ 光源が隣接する間隔（ピッチ）
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ 包囲部の開口面積
Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９ 反射部材が有する開口領域の面積
Ｔ リフレクタの厚み
Ｘ 傾斜側面

Claims (13)

1. 基体と、
   前記基体の上面に配置される導体配線と、
   前記基体の上面と前記導体配線の上面とを被覆し、前記基体の上面の一部と前記導体配線の上面の一部とが位置する複数の開口領域を備える反射部材と、
   前記複数の開口領域に位置する前記導体配線の一部の上面に接合部材を介して接合される複数の光源と、
   前記反射部材上に配置され、平面視で前記複数の光源の各々をそれぞれが包囲する複数の包囲部を有し、前記複数の包囲部のそれぞれが上方に向かって広がる傾斜側面を有するリフレクタと、を備え、
   前記複数の包囲部は、複数の第１包囲部と、前記複数の第１包囲部を取り囲む複数の第２包囲部とを有し、
   平面視において、個々の前記第２包囲部内における前記開口領域の面積は、いずれの前記第１包囲部内における前記開口領域の面積よりも小さい発光装置。
2. 前記複数の光源が隣接する間隔は、平面視において均一である請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第２包囲部の前記傾斜側面の上端で規定される上端開口面積が、前記第１包囲部の前記傾斜側面の上端で規定される上端開口面積よりも小さい請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記複数の包囲部は、さらに前記第１包囲部と前記第２包囲部との間に設けられた複数の第３包囲部を有し、
   平面視において、前記第３包囲部内における前記開口領域の面積は、前記第１包囲部内における前記開口領域の面積よりも小さく、前記第２包囲部内における前記開口領域の面積よりも大きい、
   請求項１から３のいずれかに記載の発光装置。
5. 前記光源はバットウィング型の配光特性を有する請求項１から４のいずれかに記載の発光装置。
6. 前記光源は、発光素子と、前記発光素子からの光を広配光化させるレンズと、を有する請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記光源は、発光素子と、前記発光素子を被覆する封止部材と、前記封止部材の上方に設けられた反射層と、を有する請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記光源は、発光素子と、前記発光素子の上面に設けられた反射層と、前記発光素子と前記反射層とを被覆する封止部材と、を有する請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 平面視において、前記開口領域の光源側端部は、前記封止部材の外側に位置する請求項８に記載の発光装置。
10. 前記複数の光源を挟んで前記基体と対向するよう配置される透光性の光学部材を備え、
    前記傾斜側面の上端から前記光学部材までの距離は、前記基体上面から前記傾斜側面の上端までの距離の１／２以下である請求項１から９のいずれか１項に記載の発光装置。
11. 前記光学部材は、誘電体多層膜で形成され、入射する光の一部を反射し、一部を透過するハーフミラーを備える請求項１０に記載の発光装置。
12. 前記リフレクタは、前記傾斜側面の下端から前記光源に向かって延在する平面部を有し、
    前記第２包囲部における前記平面部の前記光源側端部から光源端部までの距離は、前記第１包囲部における前記平面部の前記光源側端部から前記光源端部までの距離よりも小さい請求項１から１１のいずれか１項に記載の発光装置。
13. 前記基体の上面から前記第２包囲部の傾斜側面の上端までの高さは、前記基体の上面から前記第１包囲部の傾斜側面の上端までの高さより高い請求項１から１２のいずれか１項に記載の発光装置。

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