JP2013149711A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路基板13上に設けた内部接続電極14a,15aの表面に無光沢銀メッキ層27を積層し、乱反射面(金属反射層34,35)を形成した。また、透光性部材12は蛍光体41,42を含有していても良い。
【選択図】図2
Description
前記回路基板が金属反射層を備え、
該金属反射層の表面が乱反射面である
ことを特徴とする。
体発光装置は、回路基板上に形成した金属反射層の表面を乱反射面としたことにより、回路基板に向かう光に対し回路基板の反射特性が改善し発光効率を向上させることができた。
ミドからなり厚さが数100nm〜1μm程度である。p側電極25並びにn側電極26はAu又はCuをコアとするバンプであり、電解メッキ法で形成し厚さが10〜30μm程度である。
続電極14a,15aの一部を、乱反射面を備えた金属反射層としていた。乱反射面を形成するのには無光沢銀メッキに限られず、たとえば金属反射層として準備するAl膜の表面を粗面化しても良い。またLED装置10はLEDダイ20を一個だけ備えていたが、単一の回路基板に複数のLEDダイを搭載しても良い。
11…反射部材、
12…透光性部材、
13…回路基板、
14,15…外部接続電極、
14a,15a…内部接続電極、
14b,15b…スルーホール電極、
20…LEDダイ(半導体発光素子)、
21…サファイア基板、
22…n型半導体層、
23…p型半導体層、
24…絶縁膜、
25…p側電極、
26…n側電極、
27…無光沢銀メッキ層、
34,35…金属反射層、
41,42…蛍光体、
50…照明装置、
51…反射板、
52…マザー基板、
L1〜L6…光線。
Claims (4)
- 回路基板上に実装した半導体発光素子を被覆する透光性部材の上部に反射部材を備える半導体発光装置において、
前記回路基板が金属反射層を備え、
該金属反射層の表面が乱反射面である
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記透光性部材が蛍光体を含有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記金属反射層が前記半導体発光素子と接続する内部接続電極であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記金属反射層の表面が無光沢の銀メッキ層であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
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