JP5507821B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1参考例による表面実装型LEDの構造を示した断面図である。図2〜図4は、それぞれ、図1に示した第1参考例による表面実装型LEDの構造を示した平面図および断面図である。まず、図1〜図4を参照して、第1参考例による表面実装型LED10の構造について説明する。なお、この第1参考例では、発光装置の一例である表面実装型LEDに本発明を適用した場合について説明する。
図11および図12は、本発明の第1参考例の変形例による表面実装型LEDの構造を示した断面図である。図11および図12を参照して、第1参考例の変形例による表面実装型LED40では、上記第1参考例と異なり、光拡散部46が金属薄膜からなる場合について説明する。
図13は、本発明の第2参考例による表面実装型LEDの構造を示した断面図である。図14は、図13の第2参考例による表面実装型LEDの構造を示した平面図である。図13および図14を参照して、第2参考例による表面実装型LED50では、上記第1参考例と異なり、光拡散部56を1層からなるように構成するとともに、光拡散部56の中央部における粒子状の光拡散剤6cの含有率と、他の部分における粒子状の光拡散剤6cの含有率とを異ならせる場合について説明する。
図15は、本発明の第3参考例による表面実装型LEDの構造を示した断面図である。図15を参照して、第3参考例による表面実装型LED60では、上記第2参考例と異なり、光拡散部66の中央部における粒子状の光拡散剤66cの平均粒径と、他の部分における粒子状の光拡散剤66dの平均粒径とを異ならせる場合について説明する。
図16は、本発明の第3参考例の変形例による表面実装型LEDの構造を示した断面図である。図16を参照して、第3参考例の変形例による表面実装型LED70では、上記第3参考例と異なり、LEDチップ71に蛍光体層が設けられておらず、光拡散部66の上面上に、蛍光体層77が形成されている場合について説明する。
図17は、本発明の一実施形態による表面実装型LEDの構造を示した断面図である。図17を参照して、本実施形態による表面実装型LED80では、上記第2参考例と異なり、光拡散部86の中央部における粒子状の光拡散剤86cのLEDチップ1から出射された光に対する反射率と、他の部分における粒子状の光拡散剤86dのLEDチップ1から出射された光に対する反射率とを異ならせる場合について説明する。なお、LEDチップ1は、本発明の「発光素子」の一例である。
6、46、56、66、86、97 光拡散部
6c、66c、66d、86c、86d 光拡散剤
10、40、50、60、70、80 表面実装型LED(発光装置)
11 支持基板
16 発光層
19、77 蛍光体層(波長変換部)
90 LEDランプ(発光装置)
94 蛍光体部(波長変換部)
Claims (6)
- 発光素子と、
前記発光素子から出射された光の波長を変換する波長変換部と、
前記発光素子の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部とを備え、
前記光拡散部は、光拡散剤を含み、
前記発光素子の上方中央部における前記光拡散部の光拡散剤と、他の部分における前記光拡散部の光拡散剤とは異なった材料からなり、
前記発光素子の上方中央部における前記光拡散部の光拡散剤の反射率が、他の部分における前記光拡散部の光拡散剤の反射率に比べて大きい、発光装置。 - 前記発光素子の上方中央部における前記光拡散部の光拡散剤の反射率が約90%以上95%以下であり、他の部分における前記光拡散部の光拡散剤の反射率が約85%以上90%未満である、請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、支持基板と、発光層を有し、前記支持基板に接合される半導体発光素子層とを含む、請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記発光素子の上方中央部における前記光拡散部の厚みが、他の部分における前記光拡散部の厚みと比べて大きい、請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光素子の上方中央部における前記光拡散部の光拡散剤の含有率が、他の部分における前記光拡散部の光拡散剤の含有率に比べて大きい、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光拡散部は、粒子状の光拡散剤を含み、
前記発光素子の上方中央部における前記光拡散部の粒子状の光拡散剤の平均粒径が、他の部分における前記光拡散部の粒子状の光拡散剤の平均粒径に比べて大きい、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。
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KR101208174B1 (ko) * | 2010-07-28 | 2012-12-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지 |
JP5588301B2 (ja) * | 2010-10-26 | 2014-09-10 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
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US10553766B2 (en) * | 2016-03-16 | 2020-02-04 | Lumileds Holding B.V. | Method of manufacturing an LED module |
JP6493348B2 (ja) | 2016-09-30 | 2019-04-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7049769B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2022-04-07 | 株式会社本田電子技研 | 自動ドア開閉制御用センサ |
JP2019145739A (ja) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | 株式会社朝日ラバー | 光拡散膜付led発光装置、光拡散膜形成用インク及びled発光装置用光拡散シート |
IT201800003974A1 (it) * | 2018-03-26 | 2019-09-26 | Osram Gmbh | Diffusore in silicone e metodo di produzione per realizzare il diffusore |
TWI685988B (zh) * | 2018-06-01 | 2020-02-21 | 宏齊科技股份有限公司 | 手持式電子裝置及其色溫可調控的倒裝式發光元件 |
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KR100593933B1 (ko) * | 2005-03-18 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 산란 영역을 갖는 측면 방출형 발광다이오드 패키지 및이를 포함하는 백라이트 장치 |
JP2006294343A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Led面状光源装置 |
JP5176273B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2013-04-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2007207981A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2008103599A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
WO2008050504A1 (fr) * | 2006-10-27 | 2008-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'éclairage et affichage à cristaux liquides |
JP2009266780A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光体および照明器具 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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