KR101208174B1 - 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지 - Google Patents

광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR101208174B1
KR101208174B1 KR1020100072998A KR20100072998A KR101208174B1 KR 101208174 B1 KR101208174 B1 KR 101208174B1 KR 1020100072998 A KR1020100072998 A KR 1020100072998A KR 20100072998 A KR20100072998 A KR 20100072998A KR 101208174 B1 KR101208174 B1 KR 101208174B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
base portion
light
device package
Prior art date
Application number
KR1020100072998A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120011253A (ko
Inventor
조범철
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100072998A priority Critical patent/KR101208174B1/ko
Priority to EP11175671.4A priority patent/EP2413389B1/en
Priority to US13/191,936 priority patent/US8613533B2/en
Priority to CN2011102209910A priority patent/CN102347428A/zh
Publication of KR20120011253A publication Critical patent/KR20120011253A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101208174B1 publication Critical patent/KR101208174B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/27—Retrofit light sources for lighting devices with two fittings for each light source, e.g. for substitution of fluorescent tubes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/69—Details of refractors forming part of the light source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
    • G02B5/0278—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used in transmission
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/04—Prisms
    • G02B5/045—Prism arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0035—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/0038—Linear indentations or grooves, e.g. arc-shaped grooves or meandering grooves, extending over the full length or width of the light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0035—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/004—Scattering dots or dot-like elements, e.g. microbeads, scattering particles, nanoparticles
    • G02B6/0041—Scattering dots or dot-like elements, e.g. microbeads, scattering particles, nanoparticles provided in the bulk of the light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • G02F1/133607—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members the light controlling member including light directing or refracting elements, e.g. prisms or lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/04—Materials and properties dye
    • G02F2202/046—Materials and properties dye fluorescent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시예에 따른 발광소자패키지는 캐비티를 구비하는 몸체, 몸체의 바닥에 실장되는 광원부 및 캐비티를 커버하도록 몸체상에 위치하는 광학시트를 포함하고, 광학시트는 베이스부 및 베이스부 상의 프리즘패턴을 포함하며, 베이스부 및 프리즘패턴 중 적어도 어느 하나는 금속으로 구성된 확산입자를 포함한다. 이에 의해, 발광소자패키지의 광효율이 향상되고, 광의 분포가 균일할 수 있다.

Description

광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지{Optical sheet and light emitting device comprising the same}
실시예는 형광체와 산란입자를 포함하는 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 광의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모컨, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있으며, 점차 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
한편, 발광 다이오드를 구비하는 발광소자패키지는 백색광을 구현하기 위해 발광 다이오드에 따른 형광체를 함께 사용하나, 형광체의 침전으로 인해 색좌표의 균일도가 저하될 수 있고, 형광체가 발광 다이오드에서 발생하는 열에 의해 변형이 발생할 수 있으며, 또한 발광 다이오드가 위치하는 중심부에 빛이 집중되어 광의 분포가 불균일할 수 있다.
광효율이 향상되고 발생하는 광의 분포가 균일하도록 하는 광학시트 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지를 제공함에 있다.
실시예에 따른 발광소자패키지는 캐비티를 구비하는 몸체, 몸체의 바닥에 실장되는 광원부 및 캐비티를 커버하도록 몸체상에 위치하는 광학시트를 포함하고, 광학시트는 베이스부 및 베이스부 상의 프리즘패턴을 포함하며, 베이스부 및 프리즘패턴 중 적어도 어느 하나는 금속으로 구성된 확산입자를 포함한다.
또한, 금속은 금, 은, 구리 및 알루미늄 중 적어도 어느 하나이다.
또한, 베이스부 및 프리즘패턴 중 적어도 어느 하나는 형광체를 포함한다.
또한, 베이스부 저면에 형광체를 포함하는 코팅층이 형성된다.
또한, 실시예에 따른 광학시트는 베이스부 및 베이스부 상에 형성된 프리즘패턴을 포함하며, 베이스부 및 프리즘패턴 중 적어도 어느 하나는 금속으로 형성된 확산입자를 포함한다.
실시예의 발광소자패키지는 금속으로 형성된 확산입자를 포함하는 광학시트를 구비함으로써, 광효율이 향상되고, 광의 분포가 균일할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자패키지의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 실시예에 따른 광학시트의 구조를 도시한 사시도이다.
도 3a 내지 도 3d는 실시예에 따른 광학시트의 구조를 도시한 사시도이다.
도 4는 실시예에 따른 발광소자패키지의 제조방법을 도시한 도이다.
도 5는 실시예에 따른 발광소자패키지의 구조를 도시한 단면도이다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자패키지의 구조를 도시한 단면도이다.
도 7a는 실시예에 따른 발광소자패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 7b는 도 7a의 조명장치의 A-A' 단면을 도시한 단면도이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.
실시예들의 설명에 있어서, "위(on), 상"에 또는 "아래(under), 하"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on), 상"에와 "아래(under), 하"에는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상부 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
또한 도면은 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 한편, 동일한 구성요소에 대하여서는 동일한 부호를 사용하기로 한다.
이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1을 참조하면, 발광소자패키지(100)는 캐비티(120)를 구비하는 몸체(110), 몸체(110)의 바닥에 실장되는 광원부(130) 및 캐비티(120)를 커버하도록 몸체(110) 상에 위치하는 광학시트(140)를 포함할 수 있다.
몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(110)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
몸체(110)의 내면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 광원부(130)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.
광의 지향각이 줄어들수록 광원부(130)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 광원부(130)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.
한편, 몸체(110)에 형성되는 캐비티(120)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
광원부(130)는 몸체(110)의 바닥에 실장되며, 일 예로 광원부(130)는 발광 다이오드일 수 있다.
발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광 다이오드는 한 개 이상 동시에 실장될 수 있다.
또한, 발광 다이오드는 그 전기 단자(미도시)들이 모두 상부 면에 형성된 수평형타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type) 모두에 적용 가능하다.
한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 몸체(110)는 전극(미도시)을 포함할 수 있다. 전극(미도시)은 광원부(130)와 전기적으로 연결되어 광원부(130)에 전원을 공급할 수 있다.
전극(미도시)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 전극(미도시)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
광학시트(140)는 베이스부(142) 및 베이스부(142)상에 형성된 프리즘패턴(144)을 포함할 수 있으며, 베이스부(142) 및 프리즘패턴(144) 중 적어도 어느 하나는 금속으로 형성된 확산입자(미도시)를 포함할 수 있다.
이와 같이 확산입자(미도시)를 포함하는 경우는 발광소자패키지(100)의 헤이즈(Haze)가 향상된다. 그에 따라, 발광소자패키지(100)의 두께를 줄이더라도, 광원부(130)가 위치하는 중앙부가 더 밝아 보이는 광 분포의 불균일한 현상을 방지할 수 있다. 따라서 보다 두께가 얇은 발광소자패키지(100)의 제작이 가능하여, 이로 인해 슬림화한 백라이트유닛의 구현이 가능해진다.
또한, 확산입자(미도시)는 금속으로 형성되어, 표면 플라즈몬 공명에 의해 발광소자패키지(100)의 광추출효율은 향상될 수 있다. 이에 대하여서는 도 2a 및 도 2b에서 자세히 후술하기로 한다.
또한, 광학시트(140)는 베이스부(142)의 저면에 형성되는 코팅층(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 형광체(미도시)는 베이스부(142), 프리즘패턴(144) 및 코팅층(미도시) 중 적어도 어느 하나에 포함될 수 있다.
이와 같이 형광체(미도시)를 포함하는 경우는 형광체(미도시)의 분포가 균일할 수 있기 때문에 발광소자패키지(100)의 색좌표가 균일해 질 수 있고, 형광체(미도시)가 광원부(130)에서 발생하는 열에 열화 되는 것을 방지할 수 있다. 이에 대하여서는 도 3a 및 도 3d를 참조하여 자세히 후술하기로 한다.
다시 도 1을 참조하면, 캐비티(120)는 투명한 봉지재로 충진될 수 있다. 캐비티(120)에 투명한 봉지재가 충진되는 경우는 외부의 이물질이나 습기 등에 의해 광원부(130)의 단락 등을 방지할 수 있다.
이때, 캐비티(120)에 충진되는 봉지재와 광학시트(140)의 베이스부(142)의 굴절율은 동일하거나, 봉지재의 굴절율이 베이스부의 굴절율보다 작다.
스넬의 법칙에 의하면, 전반사는 굴절율이 큰 물질로부터 굴절율이 작은 물질로 광이 진행할 때, 입사되는 광의 각도가 임계각보다 큰 경우, 굴절율이 서로 다른 두 물질의 계면에서 전부 반사되는 현상을 의미한다.
따라서, 봉지재의 굴절율이 베이스부(142)의 굴절율보다 큰 경우는 봉지재와 베이스부(142)의 계면에서 전반사가 발생할 수 있으며, 광이 캐비티(120)에 갖힐 수 있기 때문에 발광소자패키지(100)의 광추출효율이 저하될 수 있다.
또한, 베이스부(142)의 저면에 코팅층(미도시)이 형성되어 있는 경우는, 코팅층(미도시)의 굴절율이 봉지재의 굴절율 이상인 것이 바람직함은 상술한 바와 같다.
한편, 봉지재는 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티(120) 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 실시예에 따른 광학시트의 구조를 도시한 사시도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면 상술한 바와 같이 실시 예에 따른 광학시트(140)는 베이스부(142) 및 베이스부(142) 상에 형성되는 프리즘패턴(144)을 포함할 수 있다.
베이스부(142)는 프리즘패턴(144)을 형성하기 위한 지지체로서 열적 안정성이 우수하고 투명한 재질로 이루어진 것으로, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스틸렌 및 폴리에폭시로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
베이스부(142) 상에는 광을 굴절하고, 집광하는 입체 형상의 프리즘패턴(144)이 형성될 수 있다. 프리즘패턴(144)을 구성하는 물질로는 아크릴 레진일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
프리즘패턴(144)은 베이스부(142)의 일면에서 일 방향을 따라 상호 인접하여 평행하게 배열된 복수의 선형 프리즘을 포함하며, 선형 프리즘의 축 방향에 대한 수직 단면은 삼각형일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
프리즘패턴(144)은 광을 집광하는 효과 외에 프리즘패턴(144)이 형성되는 각도에 따라 광의 진행방향을 결정할 수 있다. 따라서, 도 1의 발광소자패키지(100)에 광학시트(140)를 부착하는 경우는 광의 직진성이 향상되며, 광의 방향성을 용이하게 조절할 수 있다.
한편, 베이스부(142) 및 프리즘패턴(144) 중 적어도 어느 하나는 금속으로 형성된 확산입자(150)를 포함할 수 있다. 도 2a는 베이스부(142)에 확산입자(150)가 포함된 것을 도시하고, 도 2b는 프리즘패턴(144)에 확산입자(150)가 포함된 것을 도시하나, 베이스부(142)와 프리즘패턴(144)이 동시에 확산입자(150)를 포함할 수 있음은 물론이다.
이와 같이 확산입자(150)를 포함하는 경우는 발광소자패키지(100)의 지향각이 증가하므로, 따라서 도 1의 발광소자패키지(100)의 두께를 얇게 형성하더라도 광원부(130)가 위치하는 지점이 더 밝게 보이는 광의 집중현상을 방지할 수 있다.
또한, 확산입자(150)는 금속으로 형성되는 것이 바람직한바, 확산입자(150)가 금속으로 형성되는 경우는 표면 플라즈몬 공명에 의해 도 1의 발광소자패키지(100)의 광추출효율은 향상될 수 있다.
표면 플라즈몬 공명(Surface-plasmon resonance)은 금속으로 형성된 확산입자(150)와 유전율이 다른 베이스부(142) 또는 프리즘패턴(144)의 계면에서 자유 전자와 빛의 상호작용에 기인하여 발생할 수 있는 것으로, 이러한 공명은 형성된 계면에서 유전 물질의 광자에 의해 운송된 에너지가 금속에 존재하는 자유 전자의 집합적 전이로 이동될 때 발생한다.
즉, 표면 플라즈몬은 금속 표면에서 일어나는 전자들의 집단적 진동(collective charge density oscillation)이며, 이에 의해 발생한 표면 플라즈몬 파는 확산입자(150)와 유전율이 다른 베이스부(142) 또는 프리즘패턴(144)의 계면을 따라 진행하는 표면 전자기파이다.
한편, 광에 의해 여기 되어 형성된 표면 플라즈몬 파는 금속층이 평평한 면을 갖는 경우에는, 금속 표면으로부터 내부 또는 외부로 전파되지 않는 특징이 있다. 따라서, 표면 플라즈몬 파를 빛으로 외부에 방출시킬 필요가 있는바, 확산입자(150)는 구 형상을 가질 수 있기 때문에, 확산입자(150)와 베이스부(150) 또는 프리즘패턴(144) 사이의 계면에서 발생한 플라즈몬 파를 빛으로 용이하게 방출할 수 있게 된다.
한편, 이를 위해 확산입자(150)를 형성하는 금속은, 외부 자극에 의해 전자의 방출이 쉽고 음의 유전상수를 갖는 금, 은, 구리 및 알루미늄 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것이 바람직하다.
도 3a 내지 도 3d는 실시예에 따른 광학시트의 구조를 도시한 사시도이다.
이하에서는 도 2a 및 도 2b에서 도시하고 설명한 바와 동일한 베이스부(142), 프리즘패턴(144) 및 확산입자(150)에 대하여서는 반복하여 설명하지 않는다.
우선, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 실시예에 따른 광학시트(140)는, 베이스부(142) 및 프리즘패턴(144) 중 적어도 어느 하나가 형광체(160)를 포함할 수 있다.
한편, 도 3a는 베이스부(142)에 확산입자(150)가 포함되고 프리즘패턴(144)에 형광체(160)가 포함된 것을 도시하며, 도 3b는 프리즘패턴(144)에 확산입자(150)가 포함되고 베이스부(142)에 형광체(160)가 포함된 것을 도시하나, 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스부(142) 또는 프리즘패턴(144)에 확산입자(150)와 형광체(160)가 동시에 포함될 수 있음은 물론이다.
형광체(160)는 도 1의 광원부(130)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 도 1의 발광소자패키지(100)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.
이러한 형광체(160)에는 도 1의 광원부(130)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다.
즉, 형광체(160)는 도 1의 광원부(130)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 광원부(130)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(160)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기 되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색 됨에 따라 도 1의 발광소자패키지(100)는 백색 빛을 제공할 수 있다.
이와 유사하게, 광원부(130)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체를 혼용하는 경우, 광원부(130)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.
이러한 형광체(160)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체(160)일 수 있다.
한편, 베이스부(142)가 형광체(160)를 포함하는 경우는, 베이스부(142)를 형성하는 재질에 형광체(160)를 골고루 분산시킨 상태에서 이를 경화하여 베이스부(142)를 형성할 수 있다.
또한, 프리즘 패턴(144)이 형광체(160)를 포함하는 경우는, 예를 들면 형광체(160)를 아크릴 레진 등과 혼합하여 페이스트 또는 슬러리 상태로 만든 후, 프리즘패턴(144)을 형성함으로써 프리즘패턴(144) 내에 균일하게 포함될 수 있다.
이와 같이, 베이스부(142) 또는/및 프리즘패턴(144)이 형광체(160)를 포함하는 경우는, 광학시트(140) 전체에 걸쳐 형광체(160)의 분포가 균일할 수 있다. 따라서, 도 1에서와 같이 발광소자패키지(100)에 형광체(160)를 포함하는 광학시트(140)를 부착하는 경우는 발광소자패키지(100)에서 발생하는 광의 색좌표가 균일할 수 있으며, 형광체(160)가 도 1의 광원부(130)에서 발생하는 열에 열화 되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 3c 및 도 3d를 참조하면, 광학시트(140)는 베이스부(142) 저면에 형성된 코팅층(146)을 포함할 수 있으며, 형광체(160)는 코팅층(146)에 포함될 수 있다.
코팅층(146)은 광학시트(140)의 내열 특성을 향상시키는 역할을 할 수 있으며, 형광체(160)가 골고루 분산된 레진을 베이스부(142)의 저면에 도포하고 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 따라서 형광체(160)의 분포가 고를 수 있어서, 도 1의 발광소자패키지(100)에서 발생하는 광은 색좌표가 균일할 수 있다.
한편, 레진은 형광체(160)를 베이스부(142)의 저면에 부착할 수 있도록 하며, 투명하고 내열성과 기계적 특성이 우수한 아크릴계 수지를 사용할 수 있다. 아크릴계 수지로는 예를 들어, 폴리아크릴레이트 또는 폴리메틸메타크릴레이트일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 코팅층(146)은 도 1의 광원부(130)에서 발생하는 열에 의해 광학시트(140)가 변형되는 것을 방지할 수 있으며, 고온에서 광학시트(140)가 변형되더라도 상온 상태에서 다시 원상태의 형상으로 돌아오는 복원력이 우수하다.
또한, 코팅층(146)은 외부의 충격이나 기타 물리적인 힘에 의해 광학시트(140)에 흠집이 생기는 것을 막아주는 역할도 할 수 있다.
도 4는 실시예에 따른 발광소자패키지를 형성하는 방법을 간략히 도시한 도이다.
도 4는 일 예로 웨이퍼 레벨 패키지를 이용하여, 도 1에서 도시한 발광소자패키지(100)를 형성하는 방법을 도시하나, 이에 한정되는 것은 아니며 단일패키지에 상술한 광학시트(140)를 개별적으로 부착할 수도 있음은 물론이다.
도 4는 실리콘 웨이퍼(200)에 광학시트(140)를 접착하는 방법을 도시하는데, 여기서 실리콘 웨이퍼(200)는, 다수의 몸체(110)를 실리콘의 이방성 식각 특성을 이용해 에칭하여 형성한 후, 몸체(110)의 캐비티 내에 광원부를 실장하고, 봉지재를 충진한 상태이다.
광학시트(140)는 프리즘 패턴(144)이 상부를 향하도록 하여 실리콘 웨이퍼(200)에 부착되는데, 이때 실리콘 웨이퍼(200)와 얼라인을 맞추기 위해 광학시트(140)에는 제1 얼라인 마크(146)가 표시되며, 제1 얼라인 마크(146)와 대응하는 위치에 실리콘 웨이퍼(200) 상에도 제2 얼라인 마크(202)가 표시된다
광학시트(140)의 제1 얼라인 마크(146)와 실리콘 웨이퍼(200)의 제2 얼라인 마크(202)를 일치시킨 후에는 광학시트(140)를 실리콘 웨이퍼(200)상에 부착한다.
광학시트(140)를 실리콘 웨이퍼(200)에 부착하는 방법으로는, 접착제를 실리콘 웨이퍼(200)에 형성된 다수의 몸체(110)상에 코팅한 후, 광학시트(140)를 부착하고 열처리를 하는 방법, 실리콘 웨이퍼(200)에 광학시트(140)를 위치시킨 후, 열을 가하면서 일정 압력을 가하는 방법, 광학시트(140)의 뒷면에 실리콘 웨이퍼(200)에 형성된 다수의 몸체(110)에 맞도록 접착제를 패터닝한 후, 광학시트(140)를 부착하고 열처리를 하는 방법 등이 있다.
이와 같이, 광학시트(140)를 실리콘 웨이퍼(200)에 부착한 후에는 실리콘 웨이퍼(200)의 다수의 몸체(110)를 따라 자름으로써, 도 1의 발광소자패키지(100)를 보다 용이하게 제조할 수 있다.
도 5는 실시예에 따른 발광소자패키지의 단면을 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 발광소자패키지(400)는 캐비티(420)가 형성된 몸체(410), 몸체(410)의 바닥에 실장되는 광원부(430) 및 캐비티(420)를 커버하도록 몸체(410) 상에 위치하는 광학시트(440)를 포함할 수 있다. 몸체(410), 광원부(430) 및 광학시트(440)는 도 1 내지 도 3d에서 도시하고 설명한 바와 동일하므로, 이하에서는 차이점만을 설명하기로 한다.
도 5의 발광소자패키지(400)는 광원부(430)가 실장되는 몸체(410)의 바닥에 형성된 돌기(450)를 더 포함한다.
돌기(450)는 균일한 형태 및 일정한 패턴을 가지고 형성될 수도 있으며, 불규칙적으로 형성될 수도 있다.
형성된 돌기(450)는 발광부(430)로부터 출사된 광을 산란시켜, 발광소자패키지(400)가 넓은 시야 각을 갖도록 할 수 있으며, 색 혼합을 용이하게 하므로, 수 개의 발광소자패키지(400)가 연결되어 어레이 등을 형성할 때, 각 발광소자패키지(400)에서 발생하는 색이 자연스럽게 혼합되도록 하며, 따라서 색의 연색성을 향상시킬 수 있다.
한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 오목부가 형성될 수도 있으며, 돌기(450)와 오목부가 동시에 형성될 수도 있다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자패키지의 구조를 도시한 단면도이다.
캐비티(520)가 형성된 몸체(510), 광원부(530) 및 광학시트(540)는 도 1 내지 도 3d에서 도시하고 설명한 바와 동일하므로, 이하에서는 차이점만을 설명하기로 한다.
도 6에 도시된 발광소자패키지(500)는 몸체(510)의 바닥에 홀(540)이 형성되고 홀(540)은 광원부(530)의 하부에 위치할 수 있다.
광원부(530)는 발광 다이오드 일 수 있으며, 발광 다이오드는 몸체(510)에 형성되는 전극(미도시)과 전기적으로 접속될 수 있다.
이때, 광원부(530)와 전극(미도시)은 홀(540)에 의해 전기적으로 접속될 수 있다.
뿐만 아니라, 홀(540)은 상술한 전기적 접속뿐만 아니라, 광원부(530)에서 발생된 열을 외부로 방열하기 위한 히트 싱크로의 기능을 아울러 수행할 수 있다.
또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 홀(540)은 하부에서 금속재질의 방열판(미도시)과 연결되어 형성될 수 있다. 이와 같이 홀(540)에 방열특성이 우수한 금속재질의 방열판이 연결됨으로써 방열특성은 더욱 우수해질 수 있다.
도 7a는 실시예에 따른 발광소자패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 7b는 도 7a의 조명장치의 A-A' 단면을 도시한 단면도이다.
이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(600)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(600)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.
즉, 도 7b는 도 7a의 조명장치(600)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 조명장치(600)는 몸체(610), 몸체(610)와 체결되는 커버(630) 및 몸체(610)의 양단에 위치하는 마감캡(650)을 포함할 수 있다.
몸체(610)의 하부면에는 발광소자모듈(640)이 체결되며, 몸체(610)는 발광소자패키지(644)에서 발생된 열이 몸체(610)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.
발광소자패키지는(644)는 PCB(642) 상에 다색, 다열로 실장될 수 있어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB (642)로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.
한편, 발광소자패키지(644)는 금속으로 형성된 확산입자 및/또는 형광체를 포함하는 광학시트를 구비할 수 있다.
광학시트가 금속으로 형성된 확산입자를 포함함으로써, 광을 넓게 확산시킬 수 있으며, 특히 표면 플라즈몬 공명에 의해 발광소자패키지(644)의 광추출효율이 향상되어 조명장치(600)의 효율이 향상될 수 있다. 또한, 광학시트 내의 분포가 균일한 형광체를 포함하여 발광소자패키지(644)의 색좌표가 균일해 질 수 있다.
커버(630)는 몸체(610)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.
커버(630)는 내부의 발광소자모듈(640)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(630)는 발광소자패키지(644)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다.
한편, 발광소자패키지(644)에서 발생한 광은 커버(630)를 통해 외부로 방출되므로 커버(630)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(644)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(630)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
마감캡(650)은 몸체(610)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(650)에는 전원핀(652)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(600)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 8은 실시예에 따른 광학시트를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 8은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(700)는 액정표시패널(710)과 액정표시패널(710)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(770)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(710)은 백라이트 유닛(770)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(710)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(712) 및 박막 트랜지스터 기판(714)을 포함할 수 있다.
컬러 필터 기판(712)은 액정표시패널(710)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(714)은 구동 필름(717)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(718)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(714)은 인쇄회로기판(718)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(718)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(714)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(770)은 빛을 출력하는 발광소자모듈(720), 발광소자모듈(720)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(710)로 제공하는 도광판(730), 도광판(730)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(750, 766, 764) 및 도광판(730)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(730)으로 반사시키는 반사 시트(740)로 구성된다.
발광소자모듈(720)은 복수의 발광소자패키지(724)와 복수의 발광소자패키지(724)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(722)을 포함할 수 있다.
특히, 발광소자패키지(724)는 확산입자 및/또는 형광체를 포함한 광학시트를 포함할 수 있다. 특히 광학시트가 확산입자를 포함함으로써 발광소자패키지(724)의 헤이즈(Haze)가 향상되며, 그에 따라, 발광소자패키지(724)의 두께를 줄이더라도 광 균일성이 향상될 수 있다. 따라서, 슬림화한 백라이트유닛(770)의 구현이 가능해진다.
또한, 표면 플라즈몬 공명에 의해 발광소자패키지(724)의 광추출효율이 향상되며, 분포가 균일한 형광체를 포함하기 때문에 색좌표가 균일해 질 수 있다.
한편, 백라이트유닛(770)은 도광판(730)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(710) 방향으로 확산시키는 확산필름(766)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(750)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(750)를 보호하기 위한 보호필름(764)을 포함할 수 있다.
도 9는 실시예에 따른 광학시트를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 8에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.
도 9은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(800)는 액정표시패널(810)과 액정표시패널(810)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(870)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(810)은 도 8에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
백라이트 유닛(870)은 복수의 발광소자모듈(823), 반사시트(824), 발광소자모듈(823)과 반사시트(824)가 수납되는 하부 섀시(830), 발광소자모듈(823)의 상부에 배치되는 확산판(840) 및 다수의 광학필름(860)을 포함할 수 있다.
발광소자모듈(823) 복수의 발광소자패키지(822)와 복수의 발광소자패키지(822)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(821)을 포함할 수 있다.
특히, 발광소자패키지(822)는 금속으로 형성된 확산입자 및/또는 형광체를 포함한 광학시트를 포함할 수 있으며, 이에 따라 발광소자패키지(822)의 광 추출효율이 향상되고, 발생하는 광의 균일도 및 휘도가 향상될 수 있다.
반사 시트(824)는 발광소자패키지(822)에서 발생한 빛을 액정표시패널(810)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.
한편, 발광소자모듈(823)에서 발생한 빛은 확산판(840)에 입사하며, 확산판(840)의 상부에는 광학 필름(860)이 배치된다. 광학 필름(860)은 확산 필름(866), 프리즘필름(850) 및 보호필름(864)를 포함하여 구성된다.
실시예에 따른 발광소자패키지는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
또한, 이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
110, 410, 510 : 몸체 130, 430, 530 : 광원부
140, 440, 540 : 광학시트 142 : 베이스부
144 : 프리즘패턴 150 : 확산입자
160 : 형광체

Claims (13)

  1. 캐비티를 구비하는 몸체;
    상기 몸체의 바닥에 실장되는 광원부; 및
    상기 캐비티를 커버하도록 상기 몸체 상에 위치하는 광학시트;를 포함하고,
    상기 광학시트는 베이스부, 상기 베이스부 상의 프리즘패턴, 및 상기 베이스부 저면에 형광체를 구비하는 코팅층을 포함하고,
    상기 베이스부 및 상기 프리즘패턴 중 적어도 어느 하나는 금속으로 구성된 확산입자를 포함하는 발광소자패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속은 금, 은, 구리 및 알루미늄 중 적어도 어느 하나인 발광소자패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 베이스부 및 상기 프리즘패턴 중 적어도 어느 하나는 형광체를 포함하는 발광소자패키지.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티에는 투명한 봉지재가 충진된 발광소자패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 봉지재와 상기 베이스부의 굴절율은 동일하거나, 상기 봉지재의 굴절율이 상기 베이스부의 굴절율보다 작은 발광소자패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 몸체는 바닥에 홀을 포함하고, 상기 홀은 상기 광원부의 하부에 위치하는 발광소자패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 몸체의 바닥은 돌기 및 오목부 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광소자패키지.
  9. 베이스부;
    상기 베이스부 상의 프리즘패턴; 및
    상기 베이스부 저면에 형광체를 구비하는 코팅층;을 포함하며,
    상기 베이스부 및 상기 프리즘패턴 중 적어도 어느 하나는 금속으로 구성된 확산입자를 포함하는 광학시트.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 금속은 금, 은, 구리 및 알루미늄 중 적어도 어느 하나인 광학시트.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 베이스부 및 상기 프리즘패턴 중 적어도 어느 하나는 형광체를 포함하는 광학시트.
  12. 삭제
  13. 캐비티를 구비하는 몸체;
    상기 몸체의 바닥에 실장되는 광원부; 및
    상기 캐비티를 커버하도록 상기 몸체 상에 위치하며 베이스부 및 상기 베이스부 상의 프리즘 패턴을 포함하는 광학시트;를 포함하고,
    상기 베이스부 및 상기 프리즘 패턴 중 어느 하나는 금속으로 구성된 확산입자를 포함하고 다른 하나는 형광체를 포함하는 발광소자패키지.
KR1020100072998A 2010-07-28 2010-07-28 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지 KR101208174B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100072998A KR101208174B1 (ko) 2010-07-28 2010-07-28 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지
EP11175671.4A EP2413389B1 (en) 2010-07-28 2011-07-27 Light emitting device package
US13/191,936 US8613533B2 (en) 2010-07-28 2011-07-27 Optical sheet and light emitting device package having the same
CN2011102209910A CN102347428A (zh) 2010-07-28 2011-07-28 发光器件封装

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100072998A KR101208174B1 (ko) 2010-07-28 2010-07-28 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120011253A KR20120011253A (ko) 2012-02-07
KR101208174B1 true KR101208174B1 (ko) 2012-12-04

Family

ID=44769951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100072998A KR101208174B1 (ko) 2010-07-28 2010-07-28 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8613533B2 (ko)
EP (1) EP2413389B1 (ko)
KR (1) KR101208174B1 (ko)
CN (1) CN102347428A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101478124B1 (ko) * 2012-12-12 2015-01-02 경북대학교 산학협력단 엘이디 패키지 및 엘이디 패키지 제조 방법

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101789825B1 (ko) * 2011-04-20 2017-11-20 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광 다이오드를 이용한 발광소자 패키지
JP5533827B2 (ja) * 2011-09-20 2014-06-25 豊田合成株式会社 線状光源装置
US20140008676A1 (en) * 2012-07-03 2014-01-09 Invensas Corporation Optical enhancement of light emitting devices
JP2014041351A (ja) * 2012-08-22 2014-03-06 Ubright Optronics Corp 光学フィルム
CN102798060B (zh) * 2012-09-11 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 直下式背光模组
TWI528083B (zh) * 2012-11-29 2016-04-01 鴻海精密工業股份有限公司 背光模組
EP2933550B1 (en) * 2012-12-17 2020-09-02 LG Innotek Co., Ltd. Rear-side area warning module
TW201425814A (zh) * 2012-12-26 2014-07-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體模組及其製造方法
DE202013103270U1 (de) * 2013-07-22 2014-10-23 Zumtobel Lighting Gmbh Leuchte mit einem gekrümmten Prismenstruktur-Element
DE102013217709A1 (de) * 2013-09-05 2015-03-05 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Beleuchtungsvorrichtung und digitaler Profilprojektor
TWI514052B (zh) * 2013-10-09 2015-12-21 Lextar Electronics Corp 背光模組及面板燈模組
TWI653495B (zh) * 2014-06-26 2019-03-11 荷蘭商皇家飛利浦有限公司 發光二極體照明單元
CN105301690B (zh) * 2014-07-15 2019-03-15 群创光电股份有限公司 光学膜片及应用其的显示装置
TWI551902B (zh) * 2014-07-15 2016-10-01 群創光電股份有限公司 光學膜片及應用其之顯示裝置
EP3055890B1 (en) * 2014-10-14 2017-03-29 Philips Lighting Holding B.V. Sideward emitting luminescent structures and illumination device comprising such luminescent structures
JP6516211B2 (ja) * 2014-11-18 2019-05-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
KR102252994B1 (ko) * 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
DE102015116595A1 (de) * 2015-09-30 2017-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einem Licht emittierenden Halbleiterchip
KR20170058489A (ko) * 2015-11-18 2017-05-29 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자용 프레임
WO2017069964A1 (en) * 2015-10-19 2017-04-27 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device with textured substrate
US9793450B2 (en) * 2015-11-24 2017-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus having one or more ridge structures defining at least one circle around a common center
KR102528300B1 (ko) 2016-03-10 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
EP3447807B1 (en) * 2016-03-31 2023-09-06 Sony Group Corporation Light emitting device and a display apparatus
KR20180071027A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
KR102569311B1 (ko) * 2017-01-04 2023-08-22 삼성전자주식회사 자발광 편광자 및 이를 포함한 전자 소자
CN110235260A (zh) * 2017-01-31 2019-09-13 晶化成半导体公司 用于增强紫外发光器件的可靠性的方法和封装
JP2018148095A (ja) * 2017-03-07 2018-09-20 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018148096A (ja) * 2017-03-07 2018-09-20 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018182168A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018182165A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018182166A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018182167A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
CN110797330A (zh) * 2018-08-03 2020-02-14 海迪科（南通）光电科技有限公司 大角度出光光源、面光源模组及出光光源的制备方法
CN109270623A (zh) * 2018-11-14 2019-01-25 东莞市银泰丰光学科技有限公司 一种具有扩散功能的玻璃导光板
CN111338129A (zh) * 2020-04-13 2020-06-26 Tcl华星光电技术有限公司 一种背光模组及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056337A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3288990A (en) * 1964-09-25 1966-11-29 K S H Plastics Inc Panel
US4519017A (en) * 1982-09-29 1985-05-21 Maurice Daniel Light emitting optical fiber assemblies and method for forming the same
US5820246A (en) * 1996-02-08 1998-10-13 Eaton Corporation Display system having electroluminescent devices
JP2006049657A (ja) 2004-08-06 2006-02-16 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄランプ
KR100735148B1 (ko) * 2004-11-22 2007-07-03 (주)케이디티 백라이트 장치용 광 여기 확산시트, 이를 이용한액정표시용 백라이트 장치
KR100610278B1 (ko) 2004-12-14 2006-08-09 알티전자 주식회사 고휘도 백색발광다이오드 및 그의 제조방법
TWI256737B (en) * 2005-05-19 2006-06-11 Pi-Fu Yang One-block light-emitting device and manufacturing method thereof
US20060285332A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Goon Wooi K Compact LED package with reduced field angle
US7391571B2 (en) * 2005-07-15 2008-06-24 Chi Lin Technology Co., Ltd. Diffusion plate used in direct-type backlight module
CN101118337B (zh) * 2006-08-04 2010-04-07 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光学板及其制备方法,以及采用该光学板的背光模组
CN101122703B (zh) 2006-08-11 2010-12-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光学板及采用该光学板的背光模组
KR100894169B1 (ko) 2007-03-26 2009-04-22 (주) 아모엘이디 형광체 필터 및 그의 제조방법과 그 형광체 필터를 이용한반도체 패키지
KR101283282B1 (ko) * 2007-07-25 2013-07-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR100785412B1 (ko) * 2007-08-13 2007-12-13 주식회사 포스포 액정 디스플레이 소자의 백라이트 유닛용 광 여기 필름,이를 포함하는 백라이트 유닛 및 액정 디스플레이 소자
EP2237081A4 (en) * 2008-01-10 2014-07-16 Kolon Inc OPTICAL FOILS
KR101052799B1 (ko) * 2008-05-28 2011-07-29 엘지전자 주식회사 광학 시트, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 액정표시장치
US7825427B2 (en) * 2008-09-12 2010-11-02 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating phosphor film with textured surface
TW201114003A (en) * 2008-12-11 2011-04-16 Xintec Inc Chip package structure and method for fabricating the same
KR101181697B1 (ko) 2008-12-22 2012-09-19 한국전자통신연구원 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056337A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101478124B1 (ko) * 2012-12-12 2015-01-02 경북대학교 산학협력단 엘이디 패키지 및 엘이디 패키지 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP2413389B1 (en) 2019-03-06
US8613533B2 (en) 2013-12-24
KR20120011253A (ko) 2012-02-07
EP2413389A3 (en) 2014-08-06
EP2413389A2 (en) 2012-02-01
CN102347428A (zh) 2012-02-08
US20120026720A1 (en) 2012-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101208174B1 (ko) 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지
KR101659357B1 (ko) 발광소자패키지
US8766526B2 (en) Light-emitting device package providing improved luminous efficacy and uniform distribution
KR20120045539A (ko) 발광소자 패키지
KR101766720B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101877410B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101781047B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR101818752B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101824882B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20120128884A (ko) 발광소자 모듈
KR101735310B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101883344B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101766717B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20120034484A (ko) 발광소자 패키지
KR20120011252A (ko) 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지
KR20120006370A (ko) 발광 소자 패키지
KR101722622B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20120072737A (ko) 발광 소자 패키지
KR20130073348A (ko) 발광소자 패키지
KR20120073929A (ko) 발광소자 패키지
KR20130025455A (ko) 발광소자 패키지
KR20120045540A (ko) 발광소자 패키지
KR20120035464A (ko) 발광소자 패키지
KR20120037264A (ko) 발광소자 패키지
KR20120014490A (ko) 리드 프레임을 포함하는 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151005

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161006

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171011

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181010

Year of fee payment: 7