KR100610278B1 - 고휘도 백색발광다이오드 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 백색발광다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광다이오드칩으로부터 발광된 광을 흡수하여 흡수된 광의 파장과는 다른 파장의 광을 발광하는 형광체를 포함하는 경화성 고분자 수지를 통과시켜 백색을 띠게 하는 백색발광다이오드에 있어서, 투명한 경화성 고분자 수지 몰드부 및 형광체를 포함하는 경화성 고분자 수지 필름을 포함하는 백색발광다이오드 패키지에 관한 것으로 본 발명에 따른 백색발광다이오드는 종래와는 비교할 수 없을 정도로 발광도가 증폭되는 효과가 있다.

투명고분자수지층, 백색발광소자, 형광체, LED, 형광체 수지필름

Description

고휘도 백색발광다이오드 및 그의 제조방법{High Brightness White LED And Preparation Method For The Same}

도 1은 종래 기술의 발광 소자의 한 예를 나타내는 단면도이다.

도 2는 본 발명의 발광다이오드의 한 실시예를 나타낸다.

도 3은 본 발명의 발광다이오드의 일 실시예에 따른 형광체 수지필름을 어레이로 제작한 것의 개략도이다.

도 4는 본 발명의 발광다이오드의 다른 한 실시예를 나타낸다.

도 5는 본 발명의 발광다이오드의 또 다른 한 실시예를 나타낸다.

도 6은 본 발명의 실시예와 종래 기술의 발광다이오드의 경우에 발광휘도를 비교한 그래프이다(

:실시예,

:종래기술).

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

11 : 발광다이오드 칩 12 : 금속단자부

13 : 본딩 와이어 14 : 단파장 필터

21 : 반사판 32 : 형광체 수지

33 : 요철부 34 : 투명수지 몰딩부

35 : 제2투명수지 몰딩부 36: 유리판

본 발명은 백색발광다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광다이오드칩으로부터 발광된 광을 흡수하여 흡수된 광의 파장과는 다른 파장의 광을 발광하는 형광체를 포함하는 경화성 고분자 수지를 통과시켜 유백색을 띠게 하는 발광다이오드에 있어서, 투명한 경화성 고분자 수지 몰드부재 및 형광체를 포함하는 경화성 고분자 수지 필름을 포함하는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.

발광 다이오드(LED)는 후레쉬용 고휘도 광원, 휴대용 전자제품(휴대폰, 캠코더, 디지털카메라 및 PDA)에 사용되는 액정 디스플레이(LCD)의 후 광원(back light), 전광판용 광원, 조명 및 스위치조명 광원, 표시등, 교통신호등의 광원으로 그 사용 범위가 날로 확대될 전망이므로 관련 기술 개발이 가속되고 있다.

최근 직접 천이형 화합물 반도체(GaN 등)를 이용하여 고휘도 청색광의 발광이 가능한 발광다이오드가 개발되었다. 이러한 발광다이오드 칩(chip)에서 방출된 청색광의 일부를 흡수하여 황색, 핑크 또는 붉은색의 발광이 가능한 형광 물질인 무기물계 형광물질 또는 유기물계 형광물질을 이용하여 넓은 범위 내에서 색온도가 조절될 수 있는 백색 발광다이오드(white LED)가 개발되어 발광다이오드를 광원으로 널리 응용할 수 있게 되었다. 이러한 백색 발광다이오드는 현재 특히 모바일(mobile) 기기에서 액정 디스플레이의 후광원으로 사용되고 있다.

청색 발광 다이오드는 형광 물질과 함께 사용되어 백색발광을 하는 발광소자를 생산할 수 있다. 예를 들어, 미국특허번호 제 5,813,753 호 및 제 5,998,925 호는 반사컵(reflective cup)에 청색 LED가 위치되어 형광체를 포함하는 물질에 의해 둘러싸인 백색발광소자를 개시하고 있다.

도1 은 그러한 종래 기술의 발광소자의 한 예를 나타내는 도면이다.

도 1의 구조를 갖는 종래 기술의 발광소자에서 광방출 효율을 감소시키는 몇 가지의 광흡수 기구가 존재한다. 청색 LED 칩으로부터 방출되는 광은 에폭시 수지를 통과하면서 에폭시 수지 내에 분산되어 있는 형광 물질 입자를 여기시키고 형광 물질의 입자의 특성에 따라 여러 파장의 빛(레드 또는 그린 등)이 방출되게 된다. 이렇게 형성된 빛과 형광 물질에 흡수되지 않은 청색파장이 합쳐지면 우리 인간의 눈에는 백색으로 보일 수 있다. 이러한 과정에서, 형광 물질의 광변환 효율은 100%가 아니므로 소정의 광손실이 발생하고, 광이 에폭시 수지를 통과할 때 에폭시 수지에서 일정한 양의 광흡수가 발생하며, 이러한 광흡수의 정도는 광의 이동 경로가 커지면 더욱 커지게 된다.

또한, 도 1의 종래의 발광소자로부터 방출된 광은 균일한 색을 갖지 못한다. 이것은 LED를 둘러싸고 있는 형광체 포함 물질의 두께가 불균일하고 이로 인해 청색광의 흡수가 공간적으로 불균일해지기 때문이다. 특히 형광체 포함 물질이 두꺼운 지역은 보다 많은 청색광을 흡수하여 형광체 포함 물질이 얇은 지역보다 적색 및 녹색광을 보다 많이 방출한다. 그리하여 두꺼운 지역은 황색을 나타내는 경향이 있고 얇은 지역은 청색을 나타내는 경향이 있다. 도 1에서와 같이 b 경로를 통하여 방출되는 광은 a 경로에서 방출되는 광보다 형광체를 통과하는 거리가 더 길다. 보다 긴 경로를 통과한 광은 보다 많이 흡수되고 재방출될 것이고 짧은 경로를 통과한 광은 보다 덜 흡수 및 재방출이 되지 않고 소자로부터 산란될 것이다. 결과적으로 짧은 경로로 형광체를 통과한 소자 지역은 보다 청색에 가까울 것이고 긴 경로로 형광체를 통과한 부분은 적색 또는 녹색에 가까울 것이다. 또한 경화시 에폭시 수지내의 형광체 입자가 중력방향으로 자유낙하하며 에폭시 내에서 굳어져 골고루 분산되지 않는 것도 마찬가지로 발광되는 광이 균일한 색을 가지지 못하는 하나의 원인이 될 수 있을 것이다.

발광다이오드는 소비 전력이 낮고, 광변환 효율이 높다는 장점을 갖고 있다. 따라서, 저 소비 전력 특성을 필요로 하는 모바일 기기 등에 이용되기에 가장 적합한 광원이다. 그러므로, 이러한 발광다이오드의 장점을 극대화시켜 더욱 좋은 광방출 효율을 갖도록 함으로써 더욱 그 응용 범위를 확대할 수 있다. 그러므로 발광다이오드의 광방출 효율을 극대화할 수 있는 방안을 찾는 것이 무엇보다 중요하다.

따라서, 본 발명자는 면전체적으로 균일한 백색발광을 할 수 있으며 높은 광방출 효율을 갖는 새로운 백색발광다이오드 및 그 형성 방법을 이하와 같이 도출하였다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 첫째로, 본 발명은 청색 LED를 광원으로 하는 백색발광다이오드에서 투명한 경화성 고분자 수지 몰드 부재 및 형광체를 포함하는 경화성 고분자 수지 필름을 포함함으로써 높은 광방출 효과를 갖는 백색발광다이오드를 제공하기 위한 것이다.

둘째로, 본 발명은 청색 LED를 광원으로 하는 백색발광다이오드의 제조방법에서 투명한 경화성 고분자수지를 몰딩하는 단계 및 형광체를 포함하는 경화성 고분자 수지 필름층을 형성하는 단계를 포함하는 백색발광다이오드의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 특징에 의한 발광다이오드소자는, 전기적 접속을 위한 복수개의 단자를 포함하는 금속 단자부; 발광다이오드칩; 상기 금속 단자부와 상기 발광다이오드 칩을 전기적으로 접속하는 본드 와이어; 상기 발광다이오드칩을 둘러싼 투명한 경화성 고분자수지로 구성된 몰드부; 및 상기 몰드부 상에 적층되며 형광체를 포함하는 경화성 고분자 수지 필름을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 형광체 수지 필름에 혼합되는 형광체는 400 내지 800nm의 파장을 갖는 빛을 받아서 여기되는 황색형광체 또는 녹색형광체와 적색형광체의 혼합물인 것이 바람직하다.

상기 발광다이오드소자의 경화성 고분자 수지필름의 일면은 요철부를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 발광다이오드소자의 몰딩부의 중심부는 함몰된 형태일 수 있다.

상기 발광다이오드소자에서 상기 경화성 고분자 수지필름 상에 추가적으로 투명한 경화성 고분자 수지로 구성된 몰드부가 형성될 수 있다.

상기 발광다이오드소자는 발광다이오드칩으로부터 발생된 광을 미리 설정된 각도로 반사시키며 원뿔대의 사면의 형태로 형성된 반사판을 추가로 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 다른 한 특징에 의한 발광다이오드 제조 방법은, 브래킷에 발광다이오드칩을 실장하고 복수 개의 금속 단자부를 통하여 외부와 전기적 접속이 가능하도록 연결하는 단계; 상기 발광다이오드칩을 둘러싸도록 투명한 경화성 고분자수지를 몰딩하는 단계 및 형광체를 포함하는 경화성 고분자 수지 필름을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 발광다이오드소자의 제조방법은 상기 고분자 수지필름 위에 추가적으로 투명한 경화성 고분자수지를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 몰딩부는 형광체와 같은 유색 물질을 포함하지 않는 투명한 경화성 고분자 수지로 상기 브래킷 내부의 발광다이오드칩을 둘러싸도록 몰딩함으로써 형성된다. 상기 몰딩부의 상면은 아래로 오목하게 형성될 수 있다.

상기 형광체를 포함하는 경화성 고분자 수지 필름은 경화성 고분자 수지에 형광체를 혼합하여 공지된 방법인 테입 캐스팅(Tape casting) 또는 몰딩(molding)방법을 이용하여 얇은 판형상으로 제조할 수 있다. 상기 필름은 각 발광다이오드칩마다 형성될 수 있으며, 또는 별도로 대면적의 필름을 형성하여 원하는 크기로 절단하여 사용할 수도 있다. 대면적의 필름을 형성하여 절단하여 사용하는 경우에는 상기 브래킷의 상부에 홈을 형성하여 끼우도록 하여 단단히 부착시키는 것이 바람 직하다.

상기 경화성 고분자 수지로는 페놀계 수지, 멜라민계 수지, 폴리비닐카보네이트, 실리콘계 수지, 폴리아미드, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리카보네이트, 폴리술폰 및 에폭시 수지 등이 있다.

종래의 발광다이오드(도 1 참조)의 경우 발광다이오드칩으로부터 나온 청색광원이 형광체와 혼합된 에폭시 매질을 통과한다. 이 때 통과해야하는 형광체가 혼합된 에폭시 매질은 가시광영역에서 투과율이 약 90%이고 투명한 에폭시 매질은 투과율이 거의 100% 이다. 본 발명의 발광다이오드(도 2참조)에서는 투명한 에폭시 수지층을 통과하여 얇은 형광체 수지 필름을 투과하기 때문에 광손실을 줄일 수 있게 되며 이로 인하여 광은 증폭하게 된다.

또한, 종래의 발광다이오드의 구조에서는 상술한 바와 같이 에폭시 중의 형광체 입자의 분산이 골고루 이루어지지 않기 때문에 광의 균일도가 떨어지는 반면, 본 발광다이오드에 사용되는 형광체 수지 필름은 형광체의 분산을 골고루 하는 것이 쉽고 투과하는 형광체 수지 필름의 두께가 일정하므로 이러한 문제점이 해결된다.

상기 형광체 수지 필름의 요철면을 갖게 되면 평행파 뿐 만 아니라 산란 증폭파가 생기게 되고 이 둘은 교차되어 가시되는 백색광의 균일도가 거의 100%에 가깝게 된다. 또한, 요철에 의한 광의 산란·회절 효과에 의해 증폭판 위쪽 또는 아래쪽으로 광속이 많아지며, 발광다이오드의 발광면을 정면에서 관찰했을 때의 휘도(=정면휘도)를 높일 수가 있다.

이러한, 요철부의 구성변이 되는 한 변의 길이 L 및 상호의 간격 d은, 발광다이오드칩으로부터의 광의 발광파장을 λ로 했을 때, 적어도 λ/4이상의 크기인 것이 중요하다. 적어도 λ/4이상의 크기가 없으면 충분히 광을 산란 또는 회절 할 수가 없기 때문이다. 제조상에 있어서는 요철부의 한 변의 길이 및 상호의 간격은 100μm이하로 하는 것이 좋다. 20μm이하로 하는 경우 산란 면이 증가하여 바람직하다

요철의 단면형상에 대해서는, 삼각형, 사다리꼴 등이 바람직하다. 이러한 단면형상으로 함으로써, 빛의 산란 및 회절효율을 높일 수가 있다. 단, 요철의 단면형상은, 기하학적으로 완전한 삼각형 또는 사다리꼴일 필요는 없다. 요철 측면의 테이퍼(tapered)된 각 θ을 증폭판의 저면과 측면이 이루는 각이라고 할 때 상기 테이퍼각θ이 90°일 때에, 요철 단면이 사각형이 되며, 180°일 때에 요철이 전혀 없는 평평한 상태가 된다. 형광체 수지로 요철을 매립하기 위해서는, 요철의 테이퍼각θ이 적어도 90°이상인 것이 필요하다. 또한, 산란 또는 회절에 의한 출력향상의 관점에서는, 요철의 테이퍼각θ이 90°보다 큰 것이 바람직하고, 바람직하게는 105°이상, 보다 바람직하게는 115°이상이다. 한편, 요철의 테이퍼각θ이 너무 크면 오히려 산란 또는 회절의 효율이 저하하므로 테이퍼각θ은 바람직하게는 160°이하, 보다 바람직하게는 150°이하, 한층 더 바람직하게는 140°이하로 한다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

실시예 1

도 2는 본 발명의 발광증폭구조를 갖는 발광다이오드의 한 실시예를 나타낸다.

본 실시예에 있어서, 발광다이오드는, 전기적 접속을 위한 복수개의 단자를 포함하는 금속 단자부(12), 발광다이오드칩(11), 금속 단자부(12)와 발광다이오드 칩을 전기적으로 접속하는 본드 와이어(13) 및 발광다이오드 칩(11)을 밀봉하는 형광체 수지 필름(31)을 포함한다. 발광다이오드칩(11)은 금속 단자부(12) 위에 다이 본딩 등의 방식에 의해 실장되어 있다.

상기 도 2와 같은 본 발명의 백색발광다이오드를 제조하기 위한 방법의 일례는 다음과 같다.

우선 패키지와 금속 단자부를 결합하고, 발광다이오드칩을 금속단자부 위에 실장한다. 본드 와이어(13)를 금속단자부(12)와 발광다이오드 칩(11)의 본딩 패드 사이에 연결하여 외부와의 전기적 접속을 형성한다. 이 후 발광다이오드칩으로부터 발생된 광을 미리 설정된 각도로 반사시키며 원뿔대의 사면의 형태로 형성된 반사판(21)을 추가형성한다. 상기 반사판은 성형된 열경화형 고분자수지 또는 금속판 일면 위에 발광다아오드칩으로부터 나오는 광원을 더욱 효율적으로 모아주기 위해 Al, Ag, Cr, Ni 또는 Ti등이 얇게 코팅되어 있다. 상기 반사판의 상부에는 반사판의 직경보다 넓은 홈(31)을 형성한다. 투명한 페놀계 수지, 멜라민계 수지, 폴리비닐카보네이트, 실리콘계 수지, 폴리아미드, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리카보네이트, 폴리술폰 또는 에폭시 수지를 상기발광다이오드칩 상에 몰딩하여 투명수지몰딩부 (34)를 형성한다. 이와는 별도로 페놀계 수지, 멜라민계 수지, 폴리비닐카보네이트, 실리콘계 수지, 폴리아미드, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리카보네이트, 폴리술폰 또는 에폭시 수지에 형광체를 혼합하여 준비한 수지를 테잎 캐스팅(Tape Casting) 또는 몰딩(Molding)에 의하여 얇은 판(sheet) 형상 형광체 수지필름(32)으로 제조한다. 상기 형광체 수지 필름의 일면에는 요철부(33)를 형성할 수 있다. 상기 형광체 수지 필름은 크기에 제한이 없고 어레이(array)로 제조한 다음 원하는 크기로 자른다(도 3참조). 상기 잘라진 필름을 반사판의 홈(31)에 끼워서 패키지 위에 고정하여 발광다이오드를 완성한다.

실시예 2

도 4는 형광체 수지 필름을 갖는 발광다이오드의 다른 한 실시예를 나타낸다.

본 실시예의 발광 다이오드는 투명 에폭시의 몰딩부의 상면의 중심부가 오목하고 따라서 그 위에 형성된 형광체 수지 필름도 오목하게 형성되는 것을 제외하고는 실시예 1의 발광 다이오드와 같다.

일반적으로 형광체층이 진공중에서 형광체 입자직경의 2.5~3배 두께일 때 가장 발광 효율이 좋으므로 형광체 입자 직경 및 수지 속의 형광체 농도를 고려하여 상기 형광체 수지 필름의 두께를 결정한다. 예를 들어, 형광체 입자직경이 10㎛라면 진공 중에서 상기 형광체 입자가 30㎛로 층을 형성할 때 바람직하며, 형광체 입자는 실제로 필름속에 얇게 분산되어 있으므로 필름속에 분산된 형광체의 농도가 10%라고 하면 약 300㎛의 두께로 형광체 수지필름을 형성하여야 가장 밝은 발광을 할 것이다.

상기 도 4와 같이 몰딩부의 높이가 반사판의 높이보다 낮아도 되지만 같을 수도 있다.

실시예 3

도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예의 발광다이오드을 나타낸 것이다. 도 5를 참조하면 본 실시예의 발광 다이오드는 실시예 2에 따른 몰딩부(34)의 중심부가 오목하고 그 위에 형광체 수지 필름(32)을 포함하고 그 위에 제 2투명수지 몰딩부(35)를 더 포함한다.

상기 제2투명수지 몰딩부(35)는 제 1 투명수지몰딩부(34)의 상부에 위치한 형광체 수지필름(32)상에 위치하며, 형광체 수지 등이 실재적으로 포함되지 않은 투명한 투명한 페놀계 수지, 멜라민계 수지, 폴리비닐카보네이트, 실리콘계 수지, 폴리아미드, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리카보네이트, 폴리술폰 또는 에폭시 수지와 같은 경화성 수지로 이루어진다. 제 1투명수지몰딩부(34)가 발광다이오드칩(11)의 상부에 얇게 도포되는 경우 발광다이오드(11)에서 발생하는 색분포는 고르지 못하지만, 그 상부에 클리어 에폭시와 같은 제2투명수지몰딩부(35)를 형성하는 경우 색이 고르게 분포될 수 있다.

실시예 4

사파이어 기판상에, GaN 핵생성층, n-GaN 층, InGaN/GaN 다중양자우물층, p-GaN 층, ITO 층 및 TCOL(transparent conductive oxide layer)층을 각각 차례로 형성시킨 청색광 LED 칩을 비스페놀계 레진이 도포된 PCB(printable circuit board) 기판에 은페이스트 접착제를 사용하여 Die-attach 방법을 이용하여 고정시킨다. 이어서 LED 칩 상단에 나와 있는 P 및 N 패드와 PCB 회로상의 도전 부위를 Au 세선을 이용하여 연결하는 공정을 거쳐 청색광 LED를 제조하였다.

이어서, 종래의 발광다이오드 제조방법으로 상기 청색광 LED 표면에 황색발광을 하는 발광물질을 에폭시와 혼합후 몰딩하여 백색 발광 소자를 제조하였다.

본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법에 따라 실시예 1과 같은 방법으로 청색광 LED 패키지 위에 투명에폭시로 몰딩하고 요철면이 형성된 황색 형광체 수지필름을 제조하여 패키지의 홈에 끼워 백색 발광 소자를 제조하였다.

본 발명의 실시예 1과 종래 기술의 발광다이오드의 경우에 발광휘도를 비교한 그래프를 도 6에 도시하였다. 도 6에 따르면, 본 발명의 백색발광다이오드를 제작한 경우 종래 백색발광다이오드에 비하여 황색형광체를 통과하여 나오는 백색광의 광도가 20 내지 40% 높은 것을 알 수 있다.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

본 발명에 의하여, 투명한 경화성 고분자 수지 몰드부 및 형광체를 포함하는 경화성 고분자 수지 필름을 포함하는 백색발광다이오드 패키지를 제공할 수 있으며 본 발명에 따른 백색발광다이오드는 종래와는 비교할 수 없을 정도로 발광도가 증폭되고 색도가 균일한 효과가 있다.

Claims (13)

1. 삭제
2. 발광다이오드칩을 포함하는 발광다이오드에 있어서,

   상기 발광다이오드는 전기적 접속을 위한 복수개의 단자를 포함하는 금속 단자부; 발광다이오드칩; 상기 금속 단자부와 상기 발광다이오드 칩을 전기적으로 접속하는 본드 와이어; 상기 발광다이오드칩위에 위치하며 투명한 열경화성 수지를 몰딩하여 형성되는 투명수지몰딩부; 및 상기 투명수지몰딩부 위에 위치하며 열경화성 수지에 형광체를 혼합하여 제조되는 형광체수지필름을 포함하며,

   상기 형광체수지필름은 고분자 수지 내에 형광체 입자가 분산된 형광체 수지로 형성되며 일면에 요철부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
3. 제 2항에 있어서,

   상기 형광체수지필름의 요철부의 단면은 삼각형 또는 사다리꼴인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,

   상기 형광체수지필름의 요철부의 테이퍼 각은 105도 내지 160도인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
5. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,

   상기 형광체수지필름의 요철부의 간격 및 한 변의 길이는 λ/4이상 100㎛이하인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
6. 제 2항에 있어서,

   상기 발광다이오드 소자의 투명수지몰드부의 상면이 중앙부가 아래로 오목하게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
7. 제 2항에 있어서,

   상기 발광다이오드 소자는 형광체 수지 필름위에 위치하며 투명한 열경화성 수지를 몰딩하여 형성되는 제2투명수지몰딩부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
8. 제 2항, 제6항 및 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 발광다이오드는 발광다이오드칩으로부터 발생된 광을 미리 설정된 각도로 반사시키며 원뿔대의 사면의 형태로 형성된 반사판을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
9. 제 8항에 있어서,

   상기 반사판은 성형된 열경화성 고분자수지 또는 금속판 일면 위에 Al, Ag, Cr, Ni 또는 Ti가 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
10. 제 2항, 제6항 및 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 고분자수지는 페놀계 수지, 멜라민계 수지, 폴리비닐카보네이트, 실리콘계 수지, 폴리아미드, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리카보네이트, 폴리술폰 및 에폭시 수지로 이루어진 군으로 선택되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
11. 제 2항, 제6항 및 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광다이오드칩은 청색발광다이오드소자이고, 상기 형광체수지필름에 혼합되는 형광체는 400-500nm의 파장을 갖는 빛을 받아서 여기되는 황색형광체 또는 적색형광체와 녹색형광체의 혼합물인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
12. 함몰부에 발광다이오드칩을 실장하는 단계; 복수 개의 금속 단자부를 통하여 외부와 전기적 접속이 가능하도록 연결하는 단계; 투명한 열경화성 고분자수지로 상기 발광다이오드칩을 둘러싸도록 상기 함몰부를 몰딩하여 투명수지몰딩부를 형성하는 단계 및 상기 투명수지몰딩부 위에 경화성 고분자 수지에 형광체를 혼합하여 테잎캐스팅(Tape casting) 또는 몰딩(molding)방법으로 일면에 요철부를 포함하는 얇은 판형상으로 제조된 형광체수지필름으로 상기 함몰부를 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 발광다이오드의 제조방법.
13. 제 12항에 있어서,

    상기 형광체수지필름상에 투명한 열경화성 고분자수지로 몰딩하여 제2투명수지몰딩부를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법.

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