KR102424178B1 - 광원 - Google Patents

광원 Download PDF

Info

Publication number
KR102424178B1
KR102424178B1 KR1020177008867A KR20177008867A KR102424178B1 KR 102424178 B1 KR102424178 B1 KR 102424178B1 KR 1020177008867 A KR1020177008867 A KR 1020177008867A KR 20177008867 A KR20177008867 A KR 20177008867A KR 102424178 B1 KR102424178 B1 KR 102424178B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
partially reflective
reflective layer
optical enhancement
light source
Prior art date
Application number
KR1020177008867A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170048514A (ko
Inventor
플로리스 마리아 헤르만츠 크롬푸츠
베노 스핑거
파스칼 블뢰멘
노르베르투스 안토니우스 마리아 스위거스
마크 안드레 드 삼버
Original Assignee
루미리즈 홀딩 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 루미리즈 홀딩 비.브이. filed Critical 루미리즈 홀딩 비.브이.
Publication of KR20170048514A publication Critical patent/KR20170048514A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102424178B1 publication Critical patent/KR102424178B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L51/5271—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Eye Examination Apparatus (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

광을 발생하도록 되어 있는 반도체 다이오드 구조체; 및 반도체 다이오드 구조체 위에 있고 반도체 다이오드 구조체로부터 광을 출력하도록 되어 있는 광학 향상 섹션을 포함하는 광원이 제안되어 있다. 부분적 반사 층이 광학 향상 섹션의 상부의 적어도 일부를 덮고 광학 향상 섹션을 향해 출력 광의 일부를 반사하도록 되어 있다. 부분적 반사 층은 측방향으로 변화하는 광 투과율 특성을 갖는다.

Description

광원{LIGHT SOURCE}
본 발명은 광원에 관한 것이고, 더욱 구체적으로는, 광을 발생하도록 되어 있는 반도체 다이오드 구조체를 포함하는 광원에 관한 것이다.
발광 다이오드를(LED들), 고 출력 LED들, 유기 LED들(OLED들) 및 레이저 다이오드들과 같은, 반도체 광원들은 작은/낮은 에탕듀(etendue)를 갖는 에너지 효율적이고 작은 광원들(즉, 광이 방출되는 입체각(solid angle)을 갖는 방출 영역의 제품)인 것으로 알려져 있다. 이것은 이들 반도체 광원이 비교적 작은 영역으로부터의 광을 제한된 각도 범위 내로 방출한다는 것을 의미한다.
이러한 반도체 광원들은 그러므로 밝은 광원이 요구되는 응용들을 위해 이점이 있을 수 있다. 대표적 예시적인 응용들은 투사 시스템들, 자동차 조명, 카메라 플래시라이트들, 및 스폿 라이트들을 포함한다. 이들 예를 위해, 불균질한(즉, 광 빔 내의 위치에 따라 변화하는 휘도를 갖는) 광 빔을 제공하는 것이 바람직할 수 있다. 이것은 전형적으로 광원의 수개의 이미지들(또는 수개의 광 빔들)을 중첩함으로써 달성된다. 상이한 배율 및 휘도를 갖는 이미지들 또는 광 빔들이 요구된 형상 및/또는 휘도 변화를 갖는 전체적인 출력 광 빔을 발생하도록 중첩된다. 그러나, 이러한 공지된 방식들은 적합한 형상 및/또는 휘도 변화를 갖는 출력 광 빔을 전형적으로 제공하지 못한다.
본 발명은 청구범위에 의해 정의된다
본 발명의 양태에 따르면 광을 발생하도록 되어 있는 반도체 구조체; 반도체 다이오드 구조체 위에 있고 반도체 구조체로부터 광을 출력하도록 되어 있는 광학 향상 섹션; 및 광학 향상 섹션의 상부의 적어도 일부를 덮고 광학 향상 섹션을 향해 출력 광의 일부를 반사하도록 되어 있는 부분적 반사 층을 포함하고, 부분적 반사 층은 측방향으로 변화하는 광 투과율 특성을 갖는 광원이 제공된다.
실시예들은 예를 들어, 비균일한 두께 및/또는 반사율의 부분적 반사 층으로 LED 기반 광원의 광 출력 표면을 덮는 개념을 이용한다. 부분적 반사 층의 변화되는 두께 및/또는 반사율이 부분적 반사 층의 상이한 부분들/섹션들을 통해 투과된 광의 양을 변화시키므로 위치에 따라 출력 광의 세기를 변경하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 부분적 반사 층의 두꺼운 섹션은 부분적 반사 층의 더 얇은 섹션보다 광학 향상 섹션을 향해 더 많은 광을 되반사(reflect back)할 것이다. 부분적 반사 층의 두꺼운 섹션은 그러므로 부분적 반사 층의 더 얇은 섹션보다 더 적은 광을 투과할 것이다(예를 들어, 더 낮은 투과율 특성을 가질 것이다). 마찬가지로, 부분적 반사 층의 고 반사율 섹션은 부분적 반사 층의 저 반사율 섹션보다 광학 향상 섹션을 향해 더 많은 광을 되반사할 것이다. 부분적 반사 층의 고 반사율 섹션은 그러므로 부분적 반사 층의 저 반사율 섹션보다 더 적은 광을 투과할 것이다(예를 들어, 더 낮은 투과율 특성을 가질 것이다).
바꾸어 말하면, 비균일한 투과율 특성을 갖는 부분적 반사 층이 출력 광의 휘도를 변화시키기 위해 사용될 수 있고, 부분적 반사 층을 통해 출력된 광의 휘도는 부분적 반사 층의 섹션의 두께 및/또는 반사율에 간접적으로 비례(indirectly proportional)한다. 부분적 반사 층의 광 투과율 특성은 그러므로 상이한 측방향 위치들에서 부분적 투명 층의 두께 및/또는 반사율을 변화시킴으로써 측방향으로 변화될 수 있다.
실시예들은 광 빔 내의 위치에 따라 변화하는 휘도를 갖는 광 빔을 발생하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 실시예를 사용하여 발생된 광 빔의 상부/상부 부분/섹션은 광 빔의 하부/하부 부분/섹션보다 밝을 수 있다. 바꾸어 말하면, 실시예들은 반도체 광원으로부터 불균질한 광 빔들을 생성하기 위해 이용될 수 있다. 이러한 불균질한 광 빔들은 예를 들어, 자동차 조명, 투사 시스템들, 카메라 플래시라이트들, 및 스폿 라이트들에 특정하게 사용될 수 있다.
본 개시내용의 반도체 광원은 발광 다이오드(LED), 고 출력 LED, 유기 LED(OLED) 및 레이저 다이오드들 LED와 같은 임의 유형의 반도체 기반 광원일 수 있다. 또한, LED는 플립 칩 유형(박막 플립 칩), 패턴된 사파이어 기판, 상부 접속된/상부 방출, 상부-하부 접속된 것과 같은, 임의 유형의 LED들일 수 있다. 또한, 광원은 네이키드 다이, 또는 패키지된 다이로서 사용될 수 있다.
광 출력 방향은 광이 광학 향상 섹션의 방출 표면으로부터 출력되는 단일 방향(예를 들어, 도면들에서 수직)으로 되도록 일반화된다. 그러나, 모든 광이 출력 방향을 따라 정확하게 출력되지 않을 수 있다는 것이 이해될 것이다. 그러므로, 광 출력 방향은 광이 예를 들어 광학 향상 섹션의 상부 표면으로부터 멀리 연장하는, 광학 향상 섹션으로부터 출력되는 일반적 방향을 참조하는 것으로 이해되어야 한다.
실시예에서, 부분적 반사 층은 제1 위치에서, 부분적 반사 층이 제1 두께를 갖고, 제2 위치에서, 부분적 반사 층이 제2의 상이한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
또 하나의 실시예에서, 부분적 반사 층은 제1 위치에서, 부분적 반사 층이 제1 반사율을 갖고, 제2 위치에서, 부분적 반사 층이 제2의 상이한 반사율을 갖도록 형성될 수 있다. 부분적 반사 층은 예를 들어, 반사하고, 산란하고 또는 이 둘의 조합을 하는 반사율을 가질 수 있다.
실시예에서, 부분적 반사 층은 복수의 부분적 반사 서브 층을 포함할 수 있다. 부분적 반사 층은 그러므로 동일하거나 변화하는 두께의 다수의 서브 층으로부터 빌드 업될 수 있다. 이것은 부분적 반사 층 내의 다양한 로케이션들/위치들에서 부분적 반사 층의 두께 및/또는 반사율의 정밀한 제어를 가능하게 할 수 있다. 또한, 그것은 미리 결정된 반사율, 형상 및/또는 두께를 갖도록 제조된 사전 제작된 부분적 반사 서브 층들의 사용을 가능하게 할 수 있다.
또한, 제1 위치에서, 부분적 반사 층은 제1 개수의 부분적 반사 서브 층들을 포함할 수 있고, 제2 위치에서, 부분적 반사 층은 제2의 상이한 개수의 부분적 반사 서브 층들을 포함할 수 있다. 부분적 반사 층은 그러므로 동일하거나 상이한 두께의 다수의 서브 층으로부터 빌드 업될 수 있고, 상이한 수들의 서브 층들이 부분적 반사 층 내의 상이한 로케이션들/위치들에서 이용될 수 있다. 부분적 반사 층의 두께 또는 반사율의 급작스런/단계 변화는 그러므로 예를 들어, 부분적 반사 층 내의 미리 결정된 로케이션/위치에 부분적 반사 서브 층을 부가함으로써 쉽게 실현될 수 있다. 부분적 반사 층의 두께 또는 반사율의 급작스런/단계 변화는 광 빔의 미리 결정된 로케이션/위치에서의 휘도의 대응하는 급작스런/단계 변화를 제공하기 위해 사용될 수 있다.
또한, 제1 위치와 제2 위치 사이에서, 두께 및/또는 반사율이 제1 값으로부터 제2 값으로 단조로운 방식으로 점차적으로 변화할 수 있다.
실시예들은 반도체 구조체 및 광학 향상 섹션의 측 표면들을 적어도 부분적으로 봉입하는 광 반사 구조체를 더 포함할 수 있고, 광 반사 구조체는 반도체 다이오드 구조체로부터의 광을 광학 향상 섹션을 향해 반사하도록 되어 있다. 광 반사 구조체는 광이 광학 향상 섹션 및 부분적 반사 층을 통해 빠져나갈 때까지 광을 재순환/반사하는 고 반사율을 갖는 "믹스-박스"로서 동작할 수 있다. 또한, 광이 그로부터 빠져나가는 광 출력 섹션은 광을 발생하는 반도체 구조체보다 면적/풋프린트가 더 작도록 되어 있을 수 있으므로, 광원으로부터 출력된 광의 휘도를 증가시킨다.
실시예들은 광학 향상 섹션의 상부의 적어도 일부를 덮는 마스킹 층을 더 포함할 수 있고, 마스킹 층은 그것의 아래로 향하는 표면에 입사하는 출력 광의 투과를 차단하도록 되어 있다. 마스킹 층은 예를 들어, 광 출력 빔에서 어두운(예를 들어, 저 휘도) 영역들을 생성하기 위해 이용될 수 있다. 이러한 어두운 영역들은 반사율의 급작스런 또는 갑작스런 변화를 제공하는 마스킹 층에 의해 윤곽이 명확해질 수 있다(예를 들어, 에지에서 휘도가 날까롭거나 갑작스럽게 변화할 수 있다). 또한, 출력 광 빔 내의 원하는 형상들 또는 패턴들이 부분적 반사 층 상의 미리 결정된 로케이션들/위치들에서 하나 이상의 마스킹 층을 이용함으로써 쉽게 획득될 수 있다. 부분적 반사 층의 두께의 급작스런/단계 변화는 광 빔의 미리 결정된 로케이션/위치에서의 휘도의 대응하는 급작스런/단계 변화를 제공하기 위해 사용될 수 있다.
광학 향상 재료는 루미라믹 재료 또는 인광성 재료와 같은 '색 변환 필(colour conversion fill)'일 수 있다. 이것은 반도체 구조체로부터 출력된 광의 색을 변환할 수 있다. 그것은 또한 측방향 방출 영역의 에탕듀를 유지하는 데 도움을 줄 수 있다.
실시예들은 자동차 조명의 분야 및 고 휘도 조명이 바람직한 다른 분야들/응용들에서 이용될 수 있다.
그러므로, 본 발명의 양태에 따르면, 실시예에 따른 광원을 포함하는 자동차 조명이 제공될 수 있다.
본 발명의 또 하나의 양태에 따르면, 실시예에 따른 광원을 포함하는 투사기 조명이 제공될 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 광을 발생하도록 되어 있는 반도체 다이오드 구조체를 제공하는 단계; 반도체 다이오드 구조체 위에 광학 향상 섹션을 형성하는 단계 - 광학 향상 섹션은 반도체 다이오드 구조체로부터 광을 출력하도록 되어 있음 -; 및 부분적 반사 층으로 광학 향상 섹션의 상부의 적어도 일부를 덮는 단계를 포함하고, 부분적 반사 층은 광학 향상 섹션을 향해 출력 광의 일부를 반사하도록 되어 있고, 부분적 투명 층은 측방향으로 변화하는 광 투과율 특성을 갖는, 광원을 제조하는 방법이 제공된다.
방법은 복수의 부분적 반사 서브 층으로부터 부분적 반사 층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
실시예들은 광 반사 구조체로 반도체 구조체 및 광학 향상 섹션의 측 표면들을 적어도 부분적으로 봉입하는 단계를 더 포함할 수 있고, 광 반사 구조체는 반도체 다이오드 구조체로부터의 광을 광학 향상 섹션을 향해 반사하도록 되어 있다.
실시예들은 광학 향상 섹션의 상부의 적어도 일부를 마스킹 층으로 덮는 단계를 더 포함할 수 있고, 마스킹 층은 그것의 아래로 향하는 표면에 입사하는 출력 광의 투과를 차단하도록 되어 있다.
본 발명의 예들이 다음의 첨부 도면을 참조하여 이제 상세히 설명될 것이다:
도 1a는 실시예에 따른 광원의 단면도이고;
도 1b는 도 1a의 실시예에서 위치에 따라 출력 광의 휘도의 변화를 나타내는 그래프이고;
도 2a는 또 하나의 실시예에 따른 광원의 단면도이고;
도 2b는 도 2a의 실시예에서 위치에 따라 출력 광의 휘도의 변화를 나타내는 그래프이고;
도 3은 실시예에 따른 광원의 사용을 도시하고, 여기서 광원의 출력 광 빔의 휘도 변화가 도시되고;
도 4는 도 3의 실시예에 대한 변형을 도시하고;
도 5는 실시예에 따른 광원의 등각 투영도이고;
도 6은 또 하나의 실시예에 따른 광원의 등각 투영도이고;
도 7a는 실시예에 따른 광원의 출력 광을 도시하고;
도 7b는 종래의 광원의 출력 광을 도시한다.
본 발명은 복수의 LED 광원을 포함하는 광원 및 이를 제조하는 방법을 제공한다. 실시예들은 비교적 작은 및/또는 효율적인 광원으로부터 변화하는 방향들에서 변화하는 세기의 출력 광을 요구하는 응용들에 특정하게 관련될 수 있다.
실시예들은 측방향으로 변화하는 전체 광 투과율 특성을 갖는 부분적 반사 층으로 LED 기반 광원의 광 출력 표면의 적어도 일부를 덮는 개념을 이용한다. 부분적 반사 층의 비균일한 광 투과율 특성은 부분적 반사 층의 상이한 부분들/섹션들을 통해 투과된 광의 양을 수정하므로 위치에 따라 출력 광의 휘도를 변경하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 부분적 반사 층의 더 두꺼운 섹션은 부분적 반사 층의 더 얇은 섹션보다 광원을 향해 더 많은 광을 되반사할 것이다. 또 하나의 예로서, 부분적 반사 층의 고 반사율 섹션은 부분적 반사 층의 저 반사율 섹션보다 광원을 향해 더 많은 광을 되반사할 것이다. 바꾸어 말하면, 부분적 반사 층의 더 두꺼운 또는 고 반사율 섹션은 부분적 반사 층의 더 얇은 또는 저 반사율 섹션보다 더 적은 광을 투과할 것이다(그러므로, 더 낮은 전체 광 투과율 특성을 가질 것이다). 부분적 반사 층을 통해 출력된 광의 휘도는 그러므로 부분적 반사 층의 그 부분의 두께 및/또는 반사율에 간접적으로 비례할 것이다. 부분적 반사 층의 두께 및/또는 반사율을 미리 결정된 위치들/섹션들에서 적응시킴으로써, 부분적 반사 층을 통해 출력된 광 빔의 미리 결정된 위치들/섹션들에서의 휘도는 미리 결정된 요건들에 맞도록 변경될 수 있다. 바꾸어 말하면, 실시예에 따라 비균일한 부분적 반사 층을 통해 출력된 광 빔은 불균질하게 되도록(부분적 반사 층의 비균일성에 대응하는 불균질성으로) 적응될 수 있다.
여기에 사용된 것과 같은, 용어 수직은 기판의 표면에 실질적으로 직교하는 것을 의미한다. 여기에 사용된 것과 같은, 용어 측방향은 기판의 표면에 실질적으로 평행한 것을 의미한다. 또한, (위에, 아래에, 상부, 하부 등과 같은) 위치 설정 또는 위치를 설명하는 용어들은 도면에 도시된 구조체들의 배향과 함께 해석되어야 한다.
도면들은 순수하게 개략도이고 그러므로 특징부들(features)의 치수들은 축척에 맞게 그려진 것은 아님이 이해되어야 한다. 따라서, 층들 중 어떤 것의 도시된 두께는 제한하는 것으로 취해지지 않아야 한다. 예를 들어, 제2 층보다 두꺼운 것으로 그려진 제1 층은 실제로 제2 층보다 얇을 수 있다.
도 1a를 참조하면, 실시예에 따른 광원(10)의 단면도가 도시된다. 광원(10)은 광을 발생하도록 되어 있는 반도체 다이오드 구조체(12)(예를 들어, LED 또는 OLED)인 하부 또는 최저 층(12)을 포함한다. 반도체 다이오드 구조체(12) 위에는(그리고 그것의 상부 바로 위에는), 반도체 다이오드 구조체(12)로부터 광을 출력하도록 되어 있는 광학 향상 섹션(14)이 있다.
여기서, 광학 향상 섹션(14)은 반도체 다이오드 구조체(12)로부터 출력된 광의 색을 변환하도록 되어 있는 (루미라믹 재료 또는 인광성 재료와 같은) 광학 향상 재료를 포함할 수 있다. 광학 향상 섹션(14)은 실질적으로 평탄한(즉, 평면인) 상부/상부 표면을 갖는다는 점에 또한 주목한다.
광학 향상 섹션(14)의 상부 표면을 덮는 것은 (광학 향상 섹션(14)으로부터의) 출력 광의 일부를 광학 향상 섹션(14)을 향해 되반사하도록 되어 있는 부분적 반사 층(16)이다. 부분적 반사 층(16)은 0.5-5% 티타늄 산화물(TiO2)을 갖는 실리콘으로 형성된다. 바꾸어 말하면, 부분적 반사 층(16)은 낮은 TiO2 농도를 갖는 Si를 포함한다.
부분적 투명 층(16)은 비균일한 두께를 가지어, 제1 위치 X에서, 부분적 반사 층(16)은 제1 두께 Th1을 갖고, 제2 위치 Y에서, 부분적 반사 층은 제2의 상이한 두께 Th2를 갖는다. 여기서, 제1 위치 X와 제2 위치 Y 사이에서, 두께는 Th2<Th1이 되도록, 제1 두께 Th1로부터 제2 두께 Th2로 단조로운 방식으로 선형적으로 감소한다.
이것을 테이퍼링된(tapered) 부분적 반사 층(16)이라고 할 수 있는데, 왜냐하면 부분적 반사 층(16)의 두께는 부분적 반사 층(16)의 수평 부분을 따라 제1 두께로부터 제2 두께로 테이퍼링하기(예를 들어, 증가 또는 감소하기) 때문이다. 바꾸어 말하면, 부분적 반사 층의 수평 세그먼트를 따라, 부분적 반사 층의 두께는 부분적 반사 층(16)의 상부 표면의 테이퍼링으로 인해 점차적으로 얇아지거나 두꺼워진다. 이러한 부분적 반사 층은 실질적으로 평탄한 또는 평면인 하부 표면을 갖는다. 부분적 반사 층(16)은 그러므로 측방향 위치에 따라 변화하는 두께를 갖는 것으로 고려될 수 있다.
도 1의 실시예에서, 부분적 반사 층(16)이 가장 두꺼운 영역은 좌측에 놓이고 더 많은 양의 광을 반사한다(즉, 더 적은 양의 광이 광원으로부터 수직으로 투과되게 한다). 부분적 반사 층(16)이 가장 얇은 영역은 우측에 놓이고 더 적은 양의 광을 반사한다(즉, 더 많은 양의 광이 광원으로부터 수직으로 투과되게 한다).
그러므로, 도 1b에 도시된 바와 같이, 부분적 반사 층(16)으로부터 출력된 광의 휘도는 부분적 반사 층(16)의 좌측으로부터 우측으로 선형적으로 증가한다. 바꾸어 말하면, 부분적 반사 층의 부분을 통해 출력된 광의 휘도는 부분적 반사 층의 부분의 두께에 간접적으로 비례한다.
이제 도 2a를 참조하면, 실시예에 따른 광원의 단면도가 도시된다. 광원은 부분적 반사 층(16)의 특징부만이 상이하다는 점에서 도 1a의 것과 유사하다. 따라서, (부분적 반사 층(16) 이외의) 나머지 특징부들의 설명은 불필요한 반복을 피하기 위해 생략된다.
도 1a의 것과 유사하게, (도 2a에 도시된) 본 실시예의 부분적 투명 층(20)은 비균일한 두께를 가지어, 제1 위치 X에서, 부분적 반사 층(16)은 제1 두께 Th1을 갖고, 제2 위치 Y에서, 부분적 반사 층은 제2의 상이한 두께 Th2를 갖는다. 그러나, 제1 위치 X와 제2 위치 Y 사이에서, 두께는 Th2<Th1이 되도록, 제1 두께 Th1로부터 제2 두께 Th2로 비선형의 단조로운 방식으로 감소한다. 부분적 투명 층(20)의 상부 표면은 그러므로 굽어진다.
부분적 반사 층(20)이 가장 두꺼운 영역은 좌측에 놓이고 더 많은 양의 광을 반사한다(즉, 더 적은 양의 광이 광원으로부터 수직으로 투과되게 한다). 부분적 반사 층(20)이 가장 얇은 영역은 우측에 놓이고 더 적은 양의 광을 반사한다(즉, 더 많은 양의 광이 광원으로부터 수직으로 투과되게 한다).
그러므로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 부분적 반사 층(20)으로부터 출력된 광의 휘도는 부분적 반사 층(20)의 좌측으로부터 우측으로 비선형적으로 증가한다. 부분적 반사 층의 부분을 통해 출력된 광의 휘도는 그러므로 부분적 반사 층(20)의 부분의 두께에 간접적으로 비례한다.
도 3을 참조하면, 도 1a의 광원(10)의 사용이 예시되어 있고, 여기서 도 1a의 광원(10)의 좌측은 상부에 배향되고, 도 1a의 광원(10)의 우측은 하부에 배향된다.
광원(10)은 그것의 부분적 반사 층을 통해 광을 출력하여 렌즈(34)를 통해 투사 스크린(32)으로 보낸다.
스크린(32)으로부터 투사된 광 빔으로부터, 광 빔은 그것의 휘도가 광 빔 내의 위치에 따라 변화한다는 점에서 불균질하다는 것을 알 수 있다. 여기서, 휘도는 (렌즈(34)로부터) 투사된 광 빔의 상부/상부 부분/섹션이 (렌즈로부터) 투사된 광 빔의 하부/하부 부분/섹션보다 더 밝도록 빔 내의 수직 위치에 따라 변화한다. 스크린 상으로 투사된 광 빔의 휘도는 그러므로 광 빔의 하부에서의 낮은 값으로부터 광 빔의 상부에서의 높은 값으로 선형적으로 증가한다.
이제 도 4를 참조하면, 도 3의 실시예에 대한 변형이 도시된다. 더욱 구체적으로, 광원(10)은 광학 향상 섹션의 우하부 섹션을 덮는 마스킹 층(40)을 더 포함하도록 변형되었다.
마스킹 층(40)은 직사각형이고 광원(10)으로부터의 출력 광의 투과를 차단하도록 되어 있다. 더욱 구체적으로, 본 예에서, 마스킹 층(40)은 20%보다 많은 티타늄 산화물(TiO2)을 갖는 실리콘으로 형성된다. 바꾸어 말하면, 마스킹 층(40)은 높은 TiO2 농도를 갖는 Si를 포함한다.
스크린(32)으로부터 투사된 광 빔으로부터, 광 빔은 그것의 휘도가 광 빔 내의 위치에 따라 변화한다는 점에서 불균질하다는 것을 알 수 있다. 도 3에 도시한 이전 실시예와 같이, 휘도는 (렌즈(34)로부터) 투사된 광 빔의 상부/상부 부분/섹션이 (렌즈로부터) 투사된 광 빔의 하부/하부 부분/섹션보다 더 밝도록 빔 내의 수직 위치에 따라 변화한다. 그러나, 마스킹 층(40)의 위치에 대응하는 광 빔 내의 좌상부 위치에 어두운(즉, 저 휘도) 섹션이 있다.
그러므로 마스킹 층은 스크린(32) 상에 투사된 광 빔 내에 어두운(예를 들어, 저 휘도) 영역을 생성한다는 것을 알 것이다. 어두운 영역은 반사율의 급작스런 또는 갑작스런 변화를 불러일으키는 마스킹 층(40)의 결과로서 윤곽이 명확해진다(예를 들어, 그것의 에지들에서 휘도가 날까롭거나 갑작스럽게 변화한다).
도 5를 참조하면, 또 하나의 실시예에 따른 광원(50)의 등각 투영도가 도시된다.
광원(50)은 광을 발생하도록 되어 있는 반도체 다이오드 구조체(52)(LED 또는 OLED 등), 및 반도체 다이오드 구조체(52)의 상부 바로 위에 적층된 광학 향상 섹션(54)을 포함한다. 광학 향상 섹션(54)은 반도체 다이오드 구조체(52)로부터 출력된 광의 색을 변환하도록 되어 있는 (루미라믹 재료 또는 인광성 재료와 같은) 광학 향상 재료를 포함한다.
광 반사 구조체(56)는 반도체 다이오드 구조체(52) 및 광학 향상 섹션(54)의 측 표면들을 봉입한다. 광 반사 구조체(56)는 반도체 다이오드 구조체(52)로부터의 광을 광학 향상 섹션(54)을 향해 반사하도록 되어 있는 상당히 반사성인 재료로 형성된다.
광 반사 구조체(56)의 두께는 반도체 다이오드 구조체(52)와 광학 향상 섹션(54)의 조합된 두께와 동일하다는 점에 주목한다. 이 방식으로, 광 반사 구조체(56)의 상부 표면과 광학 향상 섹션(54)의 상부 표면은 동일 평면이므로, 실질적으로 평탄한(즉, 평면인) 상부/상부 표면을 제공한다.
광 반사 구조체(56) 및 광학 향상 섹션(54)의 상부 표면의 일부를 덮는 것은 (광학 향상 섹션(54)으로부터의) 출력 광의 일부를 광학 향상 섹션(54)을 향해 되반사하도록 되어 있는 부분적 반사 층(58)이다.
여기서, 부분적 반사 층(58)은 2개의 부분적 반사 서브 층(58A 및 58B)을 포함한다. 2개의 부분적 반사 서브 층(58A 및 58B)은 동일한 두께이고, 제2 부분적 반사 서브 층(58B)이 제1 부분적 반사 서브 층(58A)의 상부 상에 적층된다. 또한, 제2 부분적 반사 서브 층(58B)은 제1 부분적 반사 서브 층(58A)보다 적은 폭이라서, 제1 부분적 반사 서브 층(58A)의 일부가 제2 부분적 반사 서브 층(58B)에 의해 덮이지 않는다. 결과적으로, 제1 위치 X에서, 부분적 반사 층(58)은 단일의 부분적 반사 서브 층(58A)을 포함하고, 제2 위치 Y에서, 부분적 반사 층은 2개의 부분적 반사 서브 층(58A 및 58B)을 포함한다. 부분적 반사 층(58)은 그러므로 비균일한 두께라서, 제1 위치 X에서, 부분적 반사 층(58)은 (제1 부분적 반사 서브 층(58A)의 두께와 동일한) 제1 두께를 갖고, 제2 위치 Y에서, 부분적 반사 층(58)은 (제1(58A) 및 제2(58B) 부분적 반사 서브 층의 조합된 두께와 동일한) 제2의 상이한 두께를 갖는다.
따라서, 부분적 반사 층(58)은 상이한 두께의 2개의 영역을 갖는다는 것이 이해될 것이다. 더욱 구체적으로, 부분적 반사 층(58)은 (그것의 바깥 좌 및 우 에지들을 향하는) 제1 영역에서 부분적 반사 층이 제1 두께를 갖도록 그리고 (그것의 중심을 향하는) 제2 영역에서 부분적 반사 층(58)이 제2의 더 큰 두께를 갖도록 반도체 광원의 상부 표면으로부터 상향으로 연장한다.
여기서, 제1 위치 X와 제2 위치 Y 사이에서, 두께는 (제2 부분적 반사 서브 층(58B)의 에지에서) 급작스럽게 변화한다.
광원(50)은 광 반사 구조체(56) 및 광학 향상 섹션(54)의 상부 표면의 일부를 덮는 마스킹 층(60)을 또한 포함한다. 마스킹 층(60)은 백색 층(60B)의 상부 상의 흑색 층(60A)를 포함하고 그것이 덮는 광학 향상 섹션(54)의 부분으로부터 출력 광의 투과를 차단하도록 되어 있다. 이러한 흑색(60A) 및 백색(60B) 서브 층들의 사용은 콘트라스트를 증가시키는 데 도움을 줄 수 있다.
도 5의 실시예에서, 부분적 반사 층(58)이 가장 두꺼운 영역은 광학 향상 섹션(54)의 우측에 놓이고 더 많은 양의 광을 반사한다(즉, 더 적은 양의 광이 광원으로부터 수직으로 투과되게 한다). 또한, 마스킹 층이 놓이는 영역은 광학 향상 섹션(54)의 좌측의 한 단부에 있고 이것은 광의 투과를 차단한다(즉, 광이 광원으로부터 수직으로 투과되지 못하게 한다).
부분적 반사 층 및/또는 마스킹 층의 두께 및/또는 위치의 정밀한 제어가 획득될 수 있다. 또한, 사전 제작된 부분적 반사 서브 층들 및/또는 마스킹 층들의 사용은 위치에 따라 휘도가 원하는 대로 변화하는 광 빔들의 제공을 가능하게 할 수 있다.
도 6을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 광원(60)의 등각 투영도가 도시된다.
도 5의 실시예와 유사하게, 광원(50)은 광을 발생하도록 되어 있는 반도체 다이오드 구조체(52)(LED 또는 OLED 등), 및 반도체 다이오드 구조체(52)의 상부 바로 위에 적층된 광학 향상 섹션(54)을 포함한다. 광학 향상 섹션(54)은 반도체 다이오드 구조체(52)로부터 출력된 광의 색을 변환하도록 되어 있는 (루미라믹 재료 또는 인광성 재료와 같은) 광학 향상 재료를 포함한다.
광 반사 구조체(56)는 반도체 다이오드 구조체(52) 및 광학 향상 섹션(54)의 측 표면들을 봉입한다. 광 반사 구조체(56)는 반도체 다이오드 구조체(52)로부터의 광을 광학 향상 섹션(54)을 향해 반사하도록 되어 있는 상당히 반사성인 재료로 형성된다.
도 5의 실시예와 같이, 광 반사 구조체(56)의 두께는 반도체 다이오드 구조체(52)와 광학 향상 섹션(54)의 조합된 두께와 동일하다는 점에 주목한다. 이 방식으로, 광 반사 구조체(56)의 상부 표면과 광학 향상 섹션(54)의 상부 표면은 동일 평면이므로, 실질적으로 평탄한(즉, 평면인) 상부/상부 표면을 제공한다.
광 반사 구조체(56) 및 광학 향상 섹션(54)의 상부 표면의 일부를 덮는 것은 (광학 향상 섹션(54)으로부터의) 출력 광의 일부를 광학 향상 섹션(54)을 향해 되반사하도록 되어 있는 부분적 반사 층(68)이다.
여기서, 부분적 반사 층(68)은 2개의 부분적 반사 서브 층(68A 및 68B)을 포함한다. 2개의 부분적 반사 서브 층(68A 및 68B)은 동일한 두께이고, 제2 부분적 반사 서브 층(68B)은 제1 부분적 반사 서브 층(68A)과 인접한다(그리고 평행하다).
또한, 제2 부분적 반사 서브 층(58B)은 제1 부분적 반사 서브 층(68A)보다 반사율이 크다. 더욱 구체적으로, 제2 부분적 반사 서브 층(58B)은 제1 부분적 반사 서브 층(68A)보다 높은 TiO2 농도를 갖는다. 결과적으로, 제1 위치 X에서, 부분적 반사 층(58)은 제1 반사율을 갖고, 제2 위치 Y에서, 부분적 반사 층(58)은 제2의 더 높은 반사율을 갖는다. 부분적 반사 층(58)은 그러므로 측방향으로 변화하는 투과율 특성을 갖는다. 바꾸어 말하면, 부분적 반사 층(58)은 그러므로 비균일한 투과율 특성을 가지어, 제1 위치 X에서, 부분적 반사 층(58)은 제1 전체 투과율 값을 갖고, 제2 위치 Y에서, 부분적 반사 층(58)은 제2의 상이한 전체 투과율 값을 갖는다.
따라서, 부분적 반사 층(58)은 상이한 반사율의 2개의 영역을 갖는다는 것이 이해될 것이다. 더욱 구체적으로, 부분적 반사 층(58)은 (그것의 우측을 향하는) 제1 영역에서 부분적 반사 층이 제1 반사율 갖도록 그리고 (그것의 좌측을 향하는) 제2 영역에서 부분적 반사 층(58)이 제2의 더 낮은 반사율을 갖도록 반도체 광원의 상부 표면으로부터 상향으로 연장한다.
여기서, 제1 위치 X와 제2 위치 Y 사이에서, 반사율은 (부분적 반사 서브 층들(68A 및 68B)의 인접한 에지들에서) 급작스럽게 변화한다.
도 6의 실시예에서, 부분적 반사 층(58)의 반사율이 더 큰 영역은 광학 향상 섹션(54)의 우측에 놓이고 더 많은 양의 광을 반사한다(즉, 더 적은 양의 광이 광원으로부터 수직으로 투과되게 한다).
부분적 반사 층(들)의 반사율 및/또는 위치의 정밀한 제어가 달성될 수 있다. 또한, 사전 제작된 부분적 반사 서브 층들 및/또는 마스킹 층들의 사용은 위치에 따라 휘도가 원하는 대로 변화하는 광 빔들의 제공을 가능하게 할 수 있다.
도 7a 및 7b는 종래의 광원으로부터 출력된 광과의 실시예에 따른 광원으로부터 출력된 광의 비교를 제공한다. 더욱 구체적으로, 도 7b는 종래의 광원으로부터 출력된 광을 도시한 반면, 도 7b는 동일한 종래의 광원이지만 광원의 방출 표면의 하부 3분의 1(1/3)을 덮는 실리콘의 반사 막을 더 포함하는 것으로부터 출력된 광을 도시한다.
도 7a로부터, 부분적 반사 실리콘 커버를 포함하는 실시예는 증가된(피크) 휘도(9.4Mdc 대 도 7b의 종래의 광원에 대한 7.7Mdc)의 광을 나타낼 뿐만 아니라, 방출 표면의 하부 3분의 1(1/3)에서 휘도가 점차적으로 증가하는 출력 광을 나타낸다.
개시된 실시예들에 대한 다른 변화들이 도면, 개시내용, 및 첨부된 청구범위의 연구로부터, 청구된 발명을 실시하는 본 기술 분야의 통상의 기술자들에 의해 이해되고 이루어질 수 있다. 청구범위에서, 단어 "포함하는"은 다른 요소들 또는 단계들을 배제하지 않고, 단수 표현은 복수를 배제하지 않는다. 단일 프로세서 또는 다른 유닛이 청구범위에 나열된 여러 아이템의 기능들을 수행할 수 있다. 소정의 수단들이 상호 상이한 종속 청구항들에서 나열된 사실 만으로 이들 수단의 조합이 유리하게 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다. 컴퓨터 프로그램은 다른 하드웨어와 함께 또는 그 일부로서 공급된 광학 저장 매체 또는 고상 매체와 같은, 적합한 매체 상에 저장/분산될 수 있지만, 인터넷 또는 다른 유선 또는 무선 전기 통신 시스템들을 통해서와 같이, 다른 형태들로 또한 분산될 수 있다. 청구범위의 참조 부호들는 그 범위을 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다.

Claims (11)

  1. 광원으로서,
    광을 발생하도록 되어 있는 반도체 다이오드 구조체(12);
    상기 반도체 다이오드 구조체 위에 있고 상기 반도체 다이오드 구조체로부터 광을 출력하도록 되어 있는 광학 향상 섹션(optical enhancement section)(14); 및
    상기 광학 향상 섹션의 상부의 적어도 일부를 덮고 상기 광학 향상 섹션을 향해 상기 출력 광의 일부를 반사하도록 되어 있는 부분적 반사 층(partially-reflective layer)(16)
    을 포함하고,
    상기 부분적 반사 층은 제1 위치(X)에서 제1 두께(Th1), 그리고 제2의 측방향의 상이한 위치(Y)에서 제2의 상이한 두께(Th2)를 갖고, 상기 제2 두께(Th2)는 상기 제1 두께(Th1)보다 작고, 상기 부분적 반사 층은 상기 제2 위치(Y)보다 상기 제1 위치(X)에서 더 높은 반사율을 갖고, 상기 부분적 반사 층은 측방향으로 변화하는 광 투과율 특성(light transmittance characteristic)을 갖고,
    상기 부분적 반사 층은 복수의 부분적 반사 서브 층들(a plurality of partially-reflective sub-layers)을 포함하고, 상기 제1 위치(X)에서 제1 개수의 부분적 반사 서브 층들 및 상기 제2 위치(Y)에서 제2의 상이한 개수의 부분적 반사 서브 층들을 포함하는 광원.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 광학 향상 섹션의 상부의 적어도 일부를 덮는 마스킹 층(60)을 더 포함하고, 상기 마스킹 층은 그것의 아래로 향하는 표면에 입사하는 출력 광의 투과를 차단하도록 되어 있는 광원.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광학 향상 섹션은 색 변환 재료를 포함하는 광원.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반도체 다이오드 구조체는 사전에 구조화된(pre-structured) 사파이어 LED를 포함하는 광원.
  7. 제1항에 따른 광원을 포함하는 자동차 조명.
  8. 제1항에 따른 광원을 포함하는 투사기 조명.
  9. 광원을 제조하는 방법으로서,
    광을 발생하도록 되어 있는 반도체 다이오드 구조체(12)를 제공하는 단계;
    상기 반도체 다이오드 구조체 위에 광학 향상 섹션(14)을 형성하는 단계 - 상기 광학 향상 섹션은 상기 반도체 다이오드 구조체로부터 광을 출력하도록 되어 있음 -; 및
    상기 광학 향상 섹션의 상부의 적어도 일부를 덮고 상기 광학 향상 섹션을 향해 상기 출력 광의 일부를 반사하도록 되어 있는 부분적 반사 층을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 부분적 반사 층은 제1 위치(X)에서 제1 두께(Th1), 그리고 제2의 측방향의 상이한 위치(Y)에서 제2의 상이한 두께(Th2)를 갖고, 상기 제2 두께(Th2)는 상기 제1 두께(Th1)보다 작고, 상기 부분적 반사 층은 상기 제2 위치(Y)보다 상기 제1 위치(X)에서 더 높은 반사율을 갖고, 상기 부분적 반사 층은 측방향으로 변화하는 광 투과율 특성을 갖고,
    상기 부분적 반사 층을 형성하는 단계는, 상기 제1 위치(X)에서 제1 개수의 부분적 반사 서브 층들 및 상기 제2 위치(Y)에서 제2의 상이한 개수의 부분적 반사 서브 층들을 포함하는 복수의 부분적 반사 서브 층들을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    광 반사 구조체로 상기 반도체 구조체 및 상기 광학 향상 섹션의 측 표면들을 적어도 부분적으로 봉입(enclosing)하는 단계를 더 포함하고, 상기 광 반사 구조체는 상기 반도체 다이오드 구조체로부터의 광을 상기 광학 향상 섹션을 향해 반사하도록 되어 있는 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 광학 향상 섹션의 상부의 적어도 일부를 마스킹 층으로 덮는 단계를 더 포함하고, 상기 마스킹 층은 그것의 아래로 향하는 표면에 입사하는 출력 광의 투과를 차단하도록 되어 있는 방법.
KR1020177008867A 2014-09-02 2015-08-26 광원 KR102424178B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14183131 2014-09-02
EP14183131.3 2014-09-02
PCT/EP2015/069513 WO2016034469A1 (en) 2014-09-02 2015-08-26 Light source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170048514A KR20170048514A (ko) 2017-05-08
KR102424178B1 true KR102424178B1 (ko) 2022-07-25

Family

ID=51483242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177008867A KR102424178B1 (ko) 2014-09-02 2015-08-26 광원

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11005017B2 (ko)
EP (1) EP3189550B8 (ko)
JP (1) JP6757716B2 (ko)
KR (1) KR102424178B1 (ko)
CN (1) CN106605307B (ko)
WO (1) WO2016034469A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6575361B2 (ja) * 2016-01-07 2019-09-18 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、照明装置及びプロジェクター
CN108600720B (zh) * 2018-07-18 2024-02-20 中国电影器材有限责任公司 一种用于图像信号hdr投影的光源、装置、系统及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004063499A (ja) * 2002-07-24 2004-02-26 Ichikoh Ind Ltd Ｌｅｄを光源とする車両用灯具
JP2010056337A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JP2010539731A (ja) * 2007-09-19 2010-12-16 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア パターン化した基板上の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ装置
JP2012516044A (ja) * 2009-01-23 2012-07-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクロニクス半導体構成部材
WO2014122888A1 (ja) * 2013-02-06 2014-08-14 株式会社小糸製作所 発光モジュール

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3580124B2 (ja) * 1998-03-05 2004-10-20 日東電工株式会社 光学素子、照明装置及び液晶表示装置
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
JP3706105B2 (ja) * 2001-03-15 2005-10-12 三井化学株式会社 ディスプレイ用フィルタおよびそれを用いた表示装置
US6787994B2 (en) * 2002-09-04 2004-09-07 Eastman Kodak Company OLED area illumination light source having a plurality of segments
CN100372136C (zh) 2003-01-27 2008-02-27 3M创新有限公司 具有非平面长通反射器的基于荧光粉的光源
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
JP2007516601A (ja) * 2003-09-08 2007-06-21 ナノクリスタル・ライティング・コーポレーション 高屈折率のカプセル材料を用いたｌｅｄランプのための光の効率的なパッケージ構成
JP4590905B2 (ja) * 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
JP4360945B2 (ja) * 2004-03-10 2009-11-11 シチズン電子株式会社 照明装置
US7408709B2 (en) * 2004-03-18 2008-08-05 Sony Corporation Screen and method for manufacturing the same
US7380962B2 (en) * 2004-04-23 2008-06-03 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical manifold for light-emitting diodes
TWI433344B (zh) * 2004-12-24 2014-04-01 Kyocera Corp 發光裝置及照明裝置
CN102634849B (zh) * 2005-04-04 2016-02-17 东北技术使者株式会社 GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件
KR100665222B1 (ko) * 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
WO2009101797A1 (ja) * 2008-02-13 2009-08-20 Sharp Kabushiki Kaisha 照明装置および液晶表示装置
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
JP2009260316A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置
CN102257651B (zh) 2008-12-19 2014-11-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 透明有机发光二极管
WO2010149027A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-29 Industrial Technology Research Institute Light-emitting unit array, method for fabricating the same and projection apparatus
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8684556B2 (en) * 2009-09-30 2014-04-01 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) lighting systems including low absorption, controlled reflectance and diffusion layers
US8360604B2 (en) * 2009-09-30 2013-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) lighting systems including low absorption, controlled reflectance enclosures
JP2011233650A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP5582048B2 (ja) * 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2012149441A2 (en) * 2011-04-29 2012-11-01 The Regents Of The University Of California High efficiency vertical optical coupler using sub-wavelength high contrast grating
WO2013008157A1 (en) 2011-07-14 2013-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a phosphor-enhanced light source
US9368702B2 (en) * 2012-02-10 2016-06-14 Koninklijke Philips N.V. Molded lens forming a chip scale LED package and method of manufacturing the same
CN104247176B (zh) * 2012-05-16 2017-03-08 松下知识产权经营株式会社 半导体发光元件
JP5960565B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-02 スタンレー電気株式会社 自動車ヘッドランプ用発光装置及びその製造方法
US9482406B2 (en) * 2014-07-23 2016-11-01 Merrow Sewing Machine Co. Multilayered lighting device
JP2016201352A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 紫外光発光素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004063499A (ja) * 2002-07-24 2004-02-26 Ichikoh Ind Ltd Ｌｅｄを光源とする車両用灯具
JP2010539731A (ja) * 2007-09-19 2010-12-16 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア パターン化した基板上の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ装置
JP2010056337A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JP2012516044A (ja) * 2009-01-23 2012-07-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクロニクス半導体構成部材
WO2014122888A1 (ja) * 2013-02-06 2014-08-14 株式会社小糸製作所 発光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
EP3189550A1 (en) 2017-07-12
CN106605307B (zh) 2020-08-11
KR20170048514A (ko) 2017-05-08
CN106605307A (zh) 2017-04-26
JP2017527119A (ja) 2017-09-14
US11005017B2 (en) 2021-05-11
US20170256690A1 (en) 2017-09-07
JP6757716B2 (ja) 2020-09-23
EP3189550B8 (en) 2018-08-29
EP3189550B1 (en) 2018-04-04
WO2016034469A1 (en) 2016-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10770441B2 (en) Display device having a plurality of bank structures
US10211187B2 (en) Light emitting diodes and reflector
KR101313963B1 (ko) 광전자 장치
JP6099679B2 (ja) ビーム発光型半導体素子、照明装置及び表示装置
TWI520383B (zh) 發光二極體封裝結構
TW201743464A (zh) 在基板內具有散射特徵之發光二極體
JP2012049333A (ja) 発光装置
KR20090107997A (ko) 컬러광전자장치
TW201203610A (en) Light emitting device
KR102424178B1 (ko) 광원
JP2024050890A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP6731418B2 (ja) 光源
US9774006B2 (en) Radiation-emitting apparatus having a scatter layer
KR102406383B1 (ko) 자동차 응용을 위한 ｌｅｄ 광원
US20220020904A1 (en) Optoelectronic light emitting device and manufacturing method
US10825971B2 (en) Light-emitting device including a Distributed Bragg Reflector (DBR) film
JP2008147496A (ja) 発光装置
TWI572063B (zh) 發光二極體封裝結構
JP2009506566A5 (ko)
Flämmich et al. Micro-optical beam-shaper for tailoring light emission from OLEDs
JP2016085924A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant