KR101313963B1 - 광전자 장치 - Google Patents
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Abstract
차단 시에 원하는 색상을 지닌 광전자 장치(100)는, 특히 작동 시에 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사를 반사하는 활성 영역을 장착한 반도체층 시퀀스(1)와, 상기 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 빔 경로에서 반도체층 시퀀스 다음에 위치되고, 또한 상기 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 부분 스펙트럼을 제 2 스펙트럼을 가진 전자기 복사로 적어도 부분적으로 변화시키는 파장 전환층(2)과, 그리고 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사(33)의 적어도 일부(34)를 반사시키는 필터층(3)을 포함한다.
광전자 장치, 제 1 스펙트럼, 제 2 스펙트럼, 파장 전환층, 필터층
Description
본 특허는 독일 특허 출원 10 2006 046 199.1의 우선권을 주장하며, 이 개시내용은 본문에서 반복적으로 포함된다.
개시된 본 발명은 작동 시에 전자기 복사를 방출할 수 있고, 차단 시에 원하던 색상을 제시하는 광전자 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 과제는 적어도 하나의 파장 전환층을 가진 광전자 장치가 차단 시에 원하지 않는 색상을 줄이거나 피할 수 있는 것을 제시한 것이다.
상기 과제는 독립된 특허 청구항의 특징들을 가진 주제 내용으로 해결된다. 상기 주제 내용의 바람직한 실시예들과 개선점들은 종속된 청구항들에서 특징을 나타내고, 다음의 기술 및 도면들로부터 비롯된다.
본 발명의 실시예에 따른 광전자 장치는 특히,
- 작동 시에 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사를 출사하는 활성 영역을 가진 반도체층 시퀀스를 포함하고,
- 파장 전환층을 포함하고,
- 상기 파장 전환층은 상기 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 빔 경로에 있어 상기 반도체층 시퀀스 다음에 위치되고,
- 상기 파장 전환층은 상기 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사를 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사로 적어도 부분적으로 변화시키고, 그리고
- 외부로부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 적어도 일부를 반사하는 필터층을 포함한다.
특히 광전자 장치 작동 시에 방출된 전자기 복사는 관찰자에 의해 인지될 수 있다. 이는 파장 전환층에 의해서 변화되지 않은 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 부분과 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 중첩에 상응할 수 있다.
다른 실시예에서 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사는 전자기 복사에 상응하고, 활성 영역에 의해 반사되는 것이 아니다. 이는, 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 전자기 복사 환경복사가, 특히 예를 들면 주변광일 수 있음을 의미할 수 있다. 이런 환경 복사는 예를 들면 태양복사, 특히 태양광이거나 또는 인공적인 광원에 의해 발광된 전자기 복사일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서 "스펙트럼" 또는 "부분 스펙트럼"은 적어도 하나의 스펙트럼적 성분을 가진 전자기 복사의 스펙트럼적인 분배를, 하나의 파장을 가지거나 많은 파장들 그리고/또는 파장 영역들을 지닌 복수의 스펙트럼적 성분들로 표현한다. 스펙트럼의 성분 및 상대적 강도가 제 1 및 제 2 스펙트럼의 경우와 같을 경우, 제 1 스펙트럼 및 제 2 스펙트럼은 제 1 스펙트럼의 절대 강도는 제 2 스펙트럼의 절대 강도로부터 벗어날 수 있을 때, 동일하다.
본 발명의 다른 실시예에서 스펙트럼의 부분 스펙트럼을, 예를 들면 제 1 스펙트럼의 부분 스펙트럼을, "부분적으로" 라고 표현한다. 특히 스펙트럼의 부분 스펙트럼은 이 부분 스펙트럼의 스펙트럼적 성분의 일부분으로 구성할 수 있다. 또한 "부분적으로"는 스펙트럼 강도의 일부분이거나 부분 스펙트럼으로 표현할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서 "변화시키다"는, 파장 전환층에서부터 적어도 부분적으로 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사로 변화되는 제 1 스펙트럼을 지닌 부분 스펙트럼과 상기 제 2 스펙트럼이 같지 않다는 것을 의미한다. 특히, 이는 상기 제 2 스펙트럼은 스펙트럼적인 분배를 의미할 수 있고, 상기 분배는 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사 부분 스펙트럼의 스펙트럼적인 분배에 의해 다양하다.
또한 상기 파장 전환층은 흡수 스펙트럼과 방출 스펙트럼을 제시할 수 있고, 상기 흡수 스펙트럼과 상기 방출 스펙트럼은 동일하지 않는 것이 바람직하다. 바람직하게도 상기 흡수 스펙트럼은 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 부분 스펙트럼을 포함하고, 상기 방출 스펙트럼은 제 2 스펙트럼을 포함한다. 특히 상기 흡수 스펙트럼 및 방출 스펙트럼은 계속적으로 스펙트럼적인 성분들을 포함할 수 있고, 상기 성분들은 제 1 및 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 부분 스펙트럼에서는 함유되지 않는다.
일정한 파장을 지닌 전자기 복사가 외부에서부터 또는 반도체층 시퀀스의 활성 영역에서부터 파장 전환층으로 들어오면, 그리고 상기 흡수 스펙트럼이 상기 파장 전환층에 의해 이런 일정하게 흡수될 수 있는 파장을 지닌 스펙트럼적인 성분을 포함할 때, 이런 일정한 파장을 지닌 전자기 복사는 하나 또는 많은 다른, 이미 언급한 일정한 파장에 의해 다양한 파장들을 지닌 전자기 복사로 다시 반사되어 재 방출된다. 상기 파장은 방출 스펙트럼에서 포함된다. 그로 인하여 특히 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사에서, 상기 파장 전환층은 광전자 장치 차단 시에, 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사로 상기 층의 흡수 스펙트럼 및 방출 스펙트럼에 상응하는 관찰자에게서, 상기 복사는 반사하거나 기재된 흡수- 및 재-방출 과정으로 반사되고 스스로 원하지 않는 색상이라고 생각할 수 있는 색상을 불러일으킬 수 있다. 예를 들면 상기 색상은 광전자 장치 작동 시에 방출된 전자기 복사의 색상에 의해 다양화될 수 있다는 점에서 원하는 것이 아닐 수 있다.
그 점에 있어서는 필터층이 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 일부를 반사할 수 있을 때, 그리고 반사된 복사의 언급된 부분이 파장 전환층으로부터 나오는 색상과 중첩되고, 관찰자에 의하여 인지될 수 있을 때에 특히 바람직할 수 있다. 상기의 중첩은 바람직하게도 관찰자에게 원했던 색상을 가능하게 할 수 있다. 특히 상기 파장 전환층에 의해 생성된 색상과 함께, 필터층에 의하여 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 반사된 부분은 중첩을 통해서 관찰자에게 하나의 색상을 가능하게 할 때, 바람직할 수 있다. 상기 관찰자는 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 색상에 상응한다.
바람직한 다른 실시예에서 상기 파장 전환층의 필터층은 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 복사 빔 경로 다음에 위치된다. 특히 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 빔 경로는 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 빔 경로에 상응할 수 있고, 그 결과 바람직하게도 파장 전환층의 필터층은 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 빔 경로에 다음에도 위치될 수 있다.
또한 상기 광전자 장치는 제 1 스펙트럼 및 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 빔 경로에서 복사 출사면을 포함할 수 있다. 외부에서 광전자 장치로 들어오는 복사는 상기 복사 출사면으로 들어올 수 있다.
본 발명에 따른 다른 바람직한 실시예에서 상기 필터층은 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 일부를 위해 투과시킨다. 특히 파장 전환층으로부터 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사로 변화되지 않은 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사는 광전자 장치에 의하여 반사될 수 있다.
다른 실시예에서 상기 제 1 스펙트럼은 자외선에서 적외선 파장 영역까지 적어도 하나의 스펙트럼적 성분을 제시한다. 바람직하게도 상기 제 1 스펙트럼은 가시 파장 영역을 포함한다. 이는 특히 상기 반도체층 시퀀스는 작동 시에 가시 전자기 복사, 즉 가시 광 반사를 의미할 수 있다. 이때에 "가시" 특히 인간의 눈을 위해, 결국 관찰자를 위해 인지할 수 있음을 의미한다. 즉 380 나노미터 내지 800 나노미터의 파장 영역을 의미한다. 다른 바람직한 실시예에서 제 1 스펙트럼은 적외선을 청색 파장 영역까지 포함한다.
또한 다른 바람직한 실시예에서 특히 필터층에 의하여 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 반사된 부분은 가시 파장 영역을 포함한다. 상기 필터층에 의하여 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 반사된 부분이 적어도 부분적으로 상기 파장 전환층에 의하여 변화된 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 부분 스펙트럼에 상응할 때, 특히 바람직할 수 있다. 이는 상기 필터층에 의하여 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 반사된 부분의 스펙트럼은 상기 언급했던 부분 스펙트럼을 포함하거나 이와 함께 일치하는 것을 의미할 수 있다.
그런 이유에서 상기 필터층은 적어도 부분적으로 전자기 복사의 부분을 파장 전환층 방향으로 재반사하는 것이 가능할 수 있다. 상기 복사는 파장 전환층에 의하여 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사로 변화시키는 것이 아니다. 상기 재반사된 전자기 복사를 위해 또다시 적어도 부분적으로 상기 파장 전환층에 의하여 변화시킬 가능성이 존재할 수 있다. 특히 상기 필터층은 그런 이유로 파장 전환층에 의해 변화된 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 부분 스펙트럼의 부분을 높이는데 적합할 수 있다. 그러나 특히 상기 필터층이 적어도 제 1 복사의 부분에 대해 투명할 때, 바람직할 수 있고, 그 결과 상기 부분이 광전자 장치에 의하여 반사될 수 있다.
그 외에 상기 필터층에 의하여 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 반사된 부분의 스펙트럼은, 예를 들면 파장 전환층 흡수 스펙트럼의 다른 스펙트럼적인 성분들을 제시할 수 있거나, 흡수 스펙트럼을 포함하거나 이와 함께 일치될 수 있다.
특히 바람직한 실시예에서 제 1 스펙트럼은 청색 파장 영역을, 제 2 스펙트럼은 황색 파장 영역을 제시한다. 파장 전환층으로부터 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사로 변화시킬 수 있는 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 부분은, 바람직하게도 광전자 장치가 작동 시에 관찰자에게 백색 광 인상을 가능하게 하고, 그러나 특히 광전자 장치에 의하여 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사의 다른 부분도 반사될 수 있다는 것을 통해서 바람직하게 선택될 수 있다. 특히 상응하면서 적합한 파장 전환층은 상기 장치 차단 시에 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사는 관찰자에게 황색 색상을 불러일으킬 수 있다. 그런 이유에서 상기 필터층은, 상기 광전자 장치가 차단 시에 관찰자에게 황색 인상이 아니고, 예를 들면 백색 인상을 불러일으킬 수 있을 정도로, 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 부분을 반사하는데 적합할 수 있다. 이는 상기 필터층이 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 청색 스펙트럼적인 영역을 적어도 부분적으로 반사할 수 있어 가능하다.
특히 상기 실시예는 발광 다이오드(LED)가 장착된 발광 조립 부품들이 사용되는데, 예를 들면, 카메라가 장착된 휴대폰 응용에서 마그네슘 섬광용으로 바람직할 수 있다. 예를 들면 그렇게 발광하는 조립 부품은 청색 LED 및 형광체 전환 물질을 포함할 수 있다. 상기 발광 조립 부품이 작동하지 않을 경우, 상기 형광체 전환물질은 투명한 덮개이거나 렌즈를 통해서 외부에서 볼 수 있다. 상기 조립 부품은 예를 들면 미학적인 근거로 원하지 않는 색상이 될 수 있다. 그러나 그런 원하지 않는 색상은 프레스넬 광학이나 마이크로 렌즈 배열을 통해서 줄일 수 있지만, 계속해서 방해하는 색상을 유지할 수도 있다.
대안적이거나 추가적으로, 제 1 스펙트럼은 예를 들면 녹색의 파장 영역을, 제 2 스펙트럼은 적색의 파장 영역을 포함할 수 있다. 그 결과 마찬가지로, 상기 광전자 장치는 작동 시에 관찰자에게 백색 광 인상을 가능하게 할 수 있다. 특히 제 1 스펙트럼, 제 2 스펙트럼, 부분 스펙트럼 그리고 상기 필터층에 의하여 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 반사된 부분도 광전자 장치의 작동 및 차단 때마다 상응하는 소기의 다른 색상이 선택될 수도 있다.
그러므로, 다른 실시예에서 에피택시층 시퀀스로서 상기 반도체층 시퀀스는 에피택셜하게 성장한 반도체층 시퀀스로서 실행된다. 그때에 상기 반도체층 시퀀스는 예를 들면 무기물질을 기반으로 하며, 대략 GaN-박막-반도체층 시퀀스처럼, 대략 InGaAlN이 실행될 수 있다. InGaAlN을 기반으로 하는 반도체층 시퀀스들로 특히 이와 같은 것들은, 일반적으로 다양한 개별 층들에서부터 층 시퀀스를 제시하는 에피택셜적으로 제조된 반도체층 시퀀스는 적어도 하나의 개별 층을 포함할 때, 떨어진다. 상기 개별 층은 Ⅲ-V-화합물 반도체 InxAlyGa1 -x- yN 물질을 포함하고, 여기서 0≤x≤1, 0≤y≤1 그리고 x+y≤1이다.
대안적이거나 추가적으로, 상기 반도체층 시퀀스는 InGaAlP를 기반으로 할 수 있다. 즉 반도체층 시퀀스는 다양한 개별 층들을 제시하고, 그것에 대한 적어도 하나의 개별 층은 0≤x≤1, 0≤y≤1 그리고 x+y≤1을 가진 Ⅲ-V-화합물 반도체 InxAlyGa1-x-yN를 포함한다. 대안적이거나 추가적으로, 상기 반도체층 시퀀스는 다른 Ⅲ-V-화합물 반도체를, 예를 들면 AlGaAs를 기반으로 하는 물질 또는 Ⅱ-Ⅵ-화합물 반도체도 포함할 수 있다.
상기 반도체층 시퀀스는 특히 또한 반도체 칩으로서 실행될 수 있고, 기판을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서 상기 반도체층 시퀀스는 박막-반도체층 시퀀스이다. 박막-반도체층 시퀀스는 이하의 특징적 특성들로 특징 지워진다:
- 지지 요소를 향한 복사 생성 에피택시 층시퀀스의 제 1 주요면에 반사층이 도포 또는 형성되고, 상기 반사층은 에피택시 층시퀀스에서 생성된 전자기 복사의 적어도 일부를 상기 에피택시 층시퀀스에 재반사하고;
- 에피택시 층시퀀스는 20 ㎛ 이하의 범위, 특히 10 ㎛의 범위내의 두께를 가지며; 그리고
- 에피택시 층시퀀스는 혼합 구조를 가진 적어도 하나의 면을 포함한 적어도 하나의 반도체층을 포함하고, 상기 혼합 구조는 이상적인 경우 에피택시얼한 에피택시 층시퀀스에서 광이 거의 에르고딕(ergodic)으로 분포하도록 유도하며, 즉, 상기 혼합 구조는 가능한 한 에르고딕한 확률적 산란 거동을 포함한다.
박막 발광 다이오드칩의 기본 원리는 예를 들면 I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 1993.10.18, 2174-2176에 기재되어 있으며, 이의 개시 내용은 본문에서 참조로 포함된다.
또한 상기 반도체층 시퀀스는 유기층이거나 반도체층 시퀀스를 포함할 수 있거나, 또는 유기 층이거나 반도체층 시퀀스일 수 있고, 예를 들면 특히 유기 광다이오드(OLED)로서 실행될 수 있다. OLED는 유기층 또는 적어도 하나의 유기층을 구비하는 층시퀀스를 활성 영역과 함께 포함할 수 있다. 상기 활성 영역은 구동 시 전자기 복사를 방출할 수 있다. 또한, OLED는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함할 수 있고, 이때 유기층, 또는 적어도 하나의 유기층을 구비한 층 시퀀스는 활성 영역과 함께 제 1 및 제 2 전극 사이에 배치될 수 있다. 이때, 제 1 및 제 2 전극은 "정공들" 내지 전자들을 활성 영역에 주입하기에 적합하며, 이들은 그곳에서 전자기 복사의 방출에 의해 재결합될 수 있다.
또한 제 1 전극은 기판상에 배치될 수 있다. 제 1 전극 위에, 유기층이 도포되거나, 유기 물질로 된 단일 또는 복수개의 기능층들을 구비한 층 시퀀스가 도포될 수 있다. 이때, 활성 영역을 포함할 수 있는 기능층들은 예를 들면 전자 이송층들, 전기 루미네슨스층들 및/또는 정공 이송층들을 포함할 수 있다. 기능층들 내지 적어도 하나의 유기층위에 제 2 전극이 도포될 수 있다.
예를 들면 상기 기판은 유리, 석영, 플라스틱-호일, 금속, 금속 호일, 규소 웨이퍼 또는 임의의 다른 적합한 기판 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판은 복수개 층들로 된 층 시퀀스 또는 라미네이트로서 실시될 수 있다. 유기 복사 방출 소자가 소위 "보톰-이미터(bottom-emitter)"로 실시되면, 즉, 활성 영역에서 생성되는 전자기 복사가 기판을 통해 출사될 수 있다면, 바람직하게는 기판은 전자기 복사의 적어도 일부에 대한 투명도를 포함할 수 있다. 상기 파장 전환층 및 필터층은 반도체층 시퀀스의 반대쪽을 향한 기판의 측면에서 배치될 수 있다.
적어도 하나의 실시예에 따르면, 전극들 중 적어도 하나의 전극은 투명 전도성 산화물, 금속 또는 전도성 유기 물질을 포함하거나 그것으로 구성된다.
보톰 이미터 구성의 경우, 바람직하게는 제 1 전극은 전자기 복사의 적어도 일부에 대해 투명할 수 있다. 투명한 제 1 전극은 예를 들면 투명 전도성 산화물을 포함하거나 그것으로 구성될 수 있다. 상기 제 1 전극은 애노드로서 실시될 수 있고, 따라서 양전하들 또는 "정공들"을 주입하는 물질로서 역할할 수 있다. 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxides, 약어로 "TCO")은 투명 전도성 물질들로, 일반적으로 예를 들면 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 금속 산화물이다. 예를 들면 ZnO, SnO2 또는 In2O3와 같이 2원 금속 산소 화합물 외에, 예를 들면 Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12와 같은 3원 금속 산소 화합물 또는 서로 다른 투명 전도성 산화물의 혼합물이 TCO족에 속한다. 또한, TCO들은 화학량론적 조성에 반드시 상응하여야 하는 것은 아니며, p- 또는 n-도핑될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 제 1 전극은 예를 들면 은과 같은 금속을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 유기층을 포함하는 층 시퀀스는 폴리머, 올리고머, 모노머, 유기 저분자("organic small molecules") 또는 다른 비폴리머 유기 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 특히, 전기 루미네슨스층 또는 전기 루미네슨스 영역에 효과적으로 정공을 주입하기 위해, 층 시퀀스의 기능층이 정공 이송층으로서 실시되는 것이 유리할 수 있다. 활성 영역 또는 다른 기능층들 및 영역들에 관련된 그러한 구조들은 당업자에게 특히 물질, 구성, 기능 및 구조 면에서 공지되어 있으므로, 이 부분에서 더 이상 상세하게 설명하지 않는다.
제 2 전극은 캐소드로서 실시되어, 전자 유도 물질로서 역할할 수 있다. 캐소드 물질로는 특히 알루미늄, 바륨, 인듐, 은, 금, 마그네슘, 칼슘 또는 리튬 및 이들의 화합물, 조합 및 합금이 바람직한 것으로 확인될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 제 2 전극도 투명하게 실시될 수 있다. 이는, OLED가 "탑-이미터(top-emitter)"로도 실시될 수 있다는 것을 의미하는데, 즉 활성 영역에서 생성되는 전자기 복사는 기판과 반대 방향에 있는 유기 복사 방출 소자의 측에서 출사될 수 있다는 것이다. 상기 파장 전환층과 필터층은 반도체층 시퀀스 상에 그리고 제 2 전극 상에 배치될 수 있다. 금속층을 포함하거나 그것으로 구성되는 전극이 유기 층 스택으로부터 방출되는 광에 대해 투과성으로 형성되어야 한다면, 금속층이 충분히 얇게 형성되는 것이 바람직할 수 있다. 바람직하게는, 그러한 반투명 금속층의 두께는 한계값을 포함하여 1 ㎚와 100 ㎚사이에 있다.
또한, 제 1 전극이 캐소드로서, 제 2 전극이 애노드로서 실시될 수 있고, 이때, 유기 복사 방출 소자는 보톰- 또는 탑-이미터로서 실시될 수 있다. 또한, 유기 복사 방출 소자는 탑-이미터이면서 그와 동시에 보톰-이미터로서 형성될 수 있다.
상기 반도체층 시퀀스는 활성 영역으로서 예를 들면 종래 pn-접합, 이중 헤테로 구조, 단일 양자 구조(SQW-Struktur) 또는 다중-양자 구조(MQW-Struktur)를 포함할 수 있다. 상기 반도체층 시퀀스는 활성 영역 외에 다른 기능성 층들과 기능성 영역들, 대략 p- 또는 n-으로 도핑된 전하 캐리어 이송 층들, 전극들- 또는 정공 이송 층들, p- 또는 n-으로 도핑된 속박 층들 또는 클래딩-층들, 버퍼 층들 그리고/또는 전극들 및 그의 결합들을 포함할 수 있다. 이러한 구조들, 상기 활성 영역이나 다른 기능성 층들 및 영역들에 관하여 당업자에게 특히 구성, 기능 및 구조에 대해 공지된바, 여기에서는 자세히 언급되지 않는다.
다른 실시예에서 상기 파장 전환층은 적어도 하나의 파장 전환 물질을 제시한다. 상기 파장 전환 물질은 예를 들면 세륨으로 도핑된 석류석 군의 미립자를 특히 세륨으로 도핑된 이트륨 알루미늄 석류석(Y3Al5O12:Ce, YAG:Ce), 세륨으로 도핑된 테르븀 알루미늄 석류석(TAG:Ce), 세륨으로 도핑된 이트륨 테르븀 알루미늄 석류석(TbYAG:Ce), 세륨으로 도핑된 가돌리늄 이트륨 알루미늄 석류석(GdYAG:Ce), 세륨으로 도핑된 가돌리늄 테르븀 이트륨 알루미늄(GdTbYAG:Ce)을 포함할 수 있다. 다른 가능성 있는 파장 전환 물질들은 예를 들면 다음과 같다:
- 예를 들면 문헌 US 2004062699 A1에 기술된 바와 같이, 희토류 및 알칼리 토류 금속의 석류석에 관한 개시 내용은 이와 관련하여 본문에서 반복된다.
- 예를 들면 문헌 DE 10147040 A1에 기술된 바와 같이, 질화물, 시온(Sione) 및 시알론(Sialone)에 관한 개시 내용은 이와 관련하여 본문에서 반복된다.
- 예를 들면 문헌 WO 00/33390 A1에 기술된 바와 같이, 정규산염, 황화물 및 바나듐에 관한 개시 내용은 이와 관련하여 본문에서 반복된다.
- 예를 들면 문헌 DE 10036940 A1에 기술된 바와 같이, 염소 규산염에 관한 개시 내용은 이와 관련하여 본문에서 반복된다.
- 예를 들면 문헌 US 6,616,862 B2에 기술된 바와 같이, 알루민산염, 산화물, 할로포스페이트에 관한 개시 내용은 이와 관련하여 본문에서 반복된다. 또한 상기 파장 전환층은 적합한 혼합물과 이미 언급된 파장 전환 물질들의 결합을 포함할 수 있다.
상기 파장 전환층은 투명한 매트릭스 재료를 포함할 수 있고, 파장 전환 물질은 상기 매트릭스 재료 내로 삽입될 수 있거나 화학적으로 묶여질 수 있다. 상기 투명한 매트릭스 재료는 예를 들면 투명한 플라스틱을 대략 실리콘, 에폭시, 아크릴, 이미드, 탄산염, 올레피네 또는 그것에서부터의 파생상품을 포함할 수 있다. 상기 파장 전환층은 이때에 호일로서 실행될 수 있다. 거기에서부터 상기 파장 전환층은 대략 유리이거나 투명한 플라스틱을 포함하는 기판 상에서 설치될 수 있다.
다른 실시예에서 상기 파장 전환층은 상기 반도체층 시퀀스로 향한 측면 중의 한 표면 상에서 전기 전도성 투명 층을 제시한다. 특히 상기 파장 전환층이 반도체층 시퀀스 상에 직접적으로 도포되어, 직접 접촉할 때에 바람직할 수 있다. 그래서 상기 전기 전도성 투명 층을 통하여 예를 들면 반도체층 시퀀스의 전기 접촉이 가능할 수 있다.
상기 전기 전도성 투명층, 예를 들면, 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxides, 약어로 "TCO")은 투명 전도성 물질으로서, 상술된 바와 같이, 일반적으로 예를 들면, 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 금속 산화물이다. 예를 들면 ZnO, SnO2 또는 In2O3와 같이 2원 금속 산소 화합물 외에, 예를 들면 Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12와 같은 3원 금속 산소 화합물 또는 서로 다른 투명 전도성 산화물의 혼합물이 TCO족에 속한다. 또한, TCO들은 화학량론적 조성에 반드시 상응하여야 하는 것은 아니며, p- 또는 n-으로 도핑될 수 있다. 이로부터 상기 전기 전도성 투명 층도 금속을 제시할 수 있다.
다른 실시예에서 상기 필터층은 이색성 거울(dichroic mirror)로 형성된다. 특히 상기 필터층은 이를 위해 주기적 시퀀스의 제 1 및 제 2 층들을 포함할 수 있다. 그 밖에 상기 층들은 유전성의 물질들을, 대략 산화물, 질화물 그리고/또는 황화물을 포함할 수 있다. 제 1 굴절률이 제 2 굴절률에 의해 다양해질 때에, 상기 제 1 층들은 제 1 굴절률을 그리고 제 2 층들은 제 2 굴절률을 포함할 수 있다. 예를 들면 제 1 층들은 제 2 층들보다 더 낮은 굴절률을 포함하고, 실리콘 이산화물 정도를 포함한다. 또한, 상기 제 2 층은 높은 굴절률을 가진 물질을, 대략 티타늄 이산화물, 지르코늄 이산화물 또는 탄탈륨 산화물을 포함할 수 있다. 다른 적합한 물질들은 대략 알루미나 또는 실리콘 질화물일 수 있다. 제 1 및 제 2 층의 두께는, 예를 들면 반사될 수 있는 스펙트럼적인 성분 파장의 대략 4분의 1을 포함할 수 있다. 그 밖에 "두께"는 특히 제 1 및 제 2 층 중의 한 곳에서 전자기 복사의 광학 경로길이를 의미할 수 있다. 이때에 다양한 제 1 및 제 2 층의 두께는 동일할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 다양한 제 1 및 제 2 층의 두께는 다양할 수 있다. 목표로 하는 반사 정도에 따라서 필터층은 제 1 및 제 2 층 중의 하나에서부터 한 개 또는 많은 쌍을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서 상기 필터층은 주 표면을 포함할 수 있고, 필터층의 주 표면은 그 필터층의 외관일 수 있고, 이때 상기 주 표면은 반도체층 시퀀스와 파장 전환 물질로부터 반대방향으로 향한다. 상기 주 표면은 예를 들면 광전자 장치의 복사 출사면일 수 있다. 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사는 예를 들면 주 표면과 함께 각을 포함할 수 있다. 외부에서부터 광전자 장치로 들어오는 복사의 부분은 필터층에 의하여 각도에 의존하여 반사된다.
상기 필터층은 예를 들면 유리나 플라스틱 물질을 포함하는 기판을 포함할 수 있다. 상기 필터층은 파장 전환층 상에서 도포될 수 있다. 특히 상기 파장 전환층이 호일로서 제조되었을 때, 바람직할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 상기 파장 전환층은 층 배치 요소일 수 있고, 이 층 배치는 두 개가 서로 반대 방향을 향한 주 표면을 지닌 기판을 포함하고, 이 층 배치 상에서 파장 전환 물질은 일개의 주 표면 상에 도포되고, 상기 필터층은 타개의 주 표면 상에 도포될 수 있다.
다른 실시예에서 상기 광전자 장치는 광학 부품을 포함할 수 있고, 필터층은 상기 광학 부품 상에 배치될 수 있다. 광학 부품은 예를 들면 분산되는, 초점을 맞추는, 충돌하거나 회절되는 광학 부품일 수 있고, 예를 들면 렌즈나 렌즈 시스템, 박피, 분산기 또는 마이크로 프리즘 구조 또는 그 결합에 의한 광학 부품일 수 있다. 특히 상기 광학 부품은 반도체층 시퀀스에 의하여 공간적으로 분리될 수 있고, 파장 전환층에 의하여 배치될 수 있다. 이로써, 상기 광학 부품은 반도체층 시퀀스와 파장 전환층에 의하여 공간적으로 분리되어 배치될 수 있고, 그 결과 필터층은 반도체층 시퀀스 및 파장 전환층에 의하여 공간적으로 분리되어 배치될 수 있다. 이때에 "공간적으로 분리된" 이라는 것은, 예를 들면 상기 필터층이 직접적으로 또는 간접적으로 파장 전환층과 접촉하지 않는다는 것을 의미할 수 있다.
본 발명에 따른 대상들의 다른 장점들, 바람직한 실시예들과 개선점들은 다음에 도면들과 관련하여 이미 기술된 실시예들로 분명해진다.
도 1A 및 도 1B는 일 실시예에 따른 작동과 차단상태에서 광전자 장치의 개 략적 도면들을 도시한다.
도 2는 다른 실시예에 따른 광전자 장치의 개략적 도면을 도시한다.
도 3은 다른 실시예에 따른 광전자 장치의 개략적 도면을 도시한다.
도 4는 다른 실시예에 따른 광전자 장치의 개략적 도면을 도시한다.
도 5는 다른 실시예에 따른 광전자 장치의 개략적 도면을 도시한다.
실시예들 및 도면들에서, 동일하거나 동일한 효과 있는 요소들은 각각 동일한 참조 번호로 표시된다. 도시된 요소들 및 이들의 서로 간의 크기 비율은 기본적으로 축적에 맞는 것으로 볼 수 없고, 오히려 예를 들면 층들과 같은 개별 요소들은 더 나은 도시 및/또는 더 나은 이해를 위해 과장되어 확대 도시될 수 있다.
도 1A 및 도 1B에서 광전자 장치(100)에 대한 실시예가 제시된다. 도 1A은 광전자 장치(100)가 작동 시를 제시한 반면에, 도 1B는 광전자 장치(100)가 차단된 상태를 제시한다. 다음의 기술은 동일 형상으로 도 1A와 1B에 관련될 수 있다.
광전자 장치(100)는 활성 영역(11)을 지닌 반도체층 시퀀스(1)를 포함한다. 반도체층 시퀀스(1)는 기술의 대부분에서 실행된 바와 같이, 기능성 층 또는 층 시퀀스를 포함할 수 있고, 예를 들면 반도체 칩이나 OLED로서 실행될 수 있다. 특히 반도체층 시퀀스(1)의 활성 영역(11)은 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)를 방출하기에 적합하다.
제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)의 빔 경로에서 파장 전환 물질(22)을 포함하는 파장 전환층(2)이 배치된다. 실시예에서 제시된 바와 같이, 파장 전환 물질(22)은, 예를 들면 매트릭스 재료(21) 내로 삽입될 수 있다. 파장 전환 물질(22)은 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)의 부분 스펙트럼이 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(32)로 적어도 부분적으로 변화시키기에 적합하다. 여기서 파장 전환 물질(22)은 특히 흡수 스펙트럼을 제시하는 물질들에 적합할 수 있는데, 상기 흡수 스펙트럼은 적어도 스펙트럼적인 성분, 특히 제 1 스펙트럼에서도 포함된 파장 영역을 포함한다. 그 후 흡수 전자기 복사는 바람직하게도 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)로서 다른 파장으로 재방출될 수 있다.
제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31) 및 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(32)의 빔 경로에 제시된 실시예에서, 파장 전환층(2) 상에 필터층(3)이 배치된다. 필터층(3)은 도 1B에 도시된 바와 같이, 광전자 장치(100) 차단 상태로서의 작동시에, 외부로부터 광전자 장치에 들어오는 복사(33)의 부분(34)을 재반사하는데 적합할 수 있다. 특히 외부에서부터 광전자 장치(100)로 들어오는 복사(33)는 파장 전환층과 반대 방향에 있는 필터층의 주표면(4) 중 하나에 들어올 수 있다. 주표면(4)은 바람직하게도 광전자 장치(100)의 복사 출사면일 수 있다. 특히 필터층(3)은 유전성 물질로 주기적 시퀀스의 제 1 층 및 제 2 층을 포함할 수 있고, 상기 제 1 층은 제 1 굴절률을, 제 2 층은 제 2 굴절률을 포함하고, 그리고 제 1 및 제 2 굴절률은 서로 다양하고 상기와 같이 일반적 부분에서 실행된다.
특히 필터층(3)은 또한 적어도 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)의 부분(312)을 반사하는데 적합할 수 있다. 필터층(3)에 의하여 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)의 반사된 부분(312)은 바람직하게도 파장 전환층(2)으로 재반사될 수 있고, 파장 전환층(2)에서 예를 들면 파장 전환 물질(21)에 의하여 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(32)로 전환될 수 있다.
상기 필터층(3)은, 특히 광전자 장치(100)의 콤팩트 구성 및 광전자 장치의 동질적인 색상에 관한 작동뿐만 아니라 차단 시에도 파장 전환층(2) 상에 직접적이거나 적어도 가깝게 배치되는 것이 바람직할 수 있다.
관찰자에게 일으키는 광전자 장치의 색상은 작동 시에 복사 출사면(4)에서 출사된 전자기 복사에서 비롯된 것과 동일하게 나타난다. 이는 광전자 장치에서부터 출사될 수 있는 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)의 부분(311)과 파장 전환층(2)에 의하여 방출된 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(32)의 중첩일 수 있다. 특히 상기 가능한 색상은 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)의 부분(311) 및 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(32)의 상대적 강도에 의존한다.
도 1B에 도시된 바와 같이, 광전자 장치(100)의 차단 시, 반도체층 시퀀스(1)의 활성층(11)에서 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)는 생성되지 않는다. 그럼에도 불구하고 광전자 장치(100)는, 특히 복사 출사면(4) 관찰에서, 관찰자에게 색상을 일으킬 수 있는 것이 가능할 수 있다. 이는 외부에서부터 광전자 장치(100)로 들어오는 복사(33)의 적어도 일부가 광전자 장치(100)에서, 특히 파장 전환층(2)에서, 필터층(3)에서 그리고/또는 반도체층 시퀀스(1)에서 반사될 수 있다는 것으로 가능할 수 있다. 상기 실시예에서 제시된 바와 같이, 파장 전환층(2)의 흡수 스펙트럼에 상응하는 스펙트럼은 복사(33)의 적어도 일부로 나타나게 되어, 파장 전환층(2)에서 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(32)로 변화시키고, 외 부로 반사될 수 있다. 이는 광전자 장치(100) 차단 시에 파장 전환층(2)이 원하지 않는 색상에 이를 수 있다.
상술한 바와 같이, 필터층(3)은 외부에서부터 광전자 장치(100)로 들어오는 복사(33)의 일부를 반사하는데 적합할 수 있다. 특히 스펙트럼의 일부(34)는 파장 전환층(2)에 의해 변화된 전자기 복사(32)로부터 원치 않는 색상, 즉 파장 전환층(2)을 통해서 야기된 색상을 지닌 부분(34)의 겹침을 통해서 막아짐으로써 선택될 수 있다. 외부에서부터 광전자 장치(100)로 복사 반사되어 들어오는 복사(33)의 부분(34)은 스펙트럼이 되도록 필터층(3)에서 구현되는데, 상기 스펙트럼은 하나 이상의 스펙트럼적인 성분, 즉 파장 전환층(22)의 흡수 스펙트럼에 포함된 스펙트럼적인 성분을 포함한다. 특히, 그러한 스펙트럼적인 성분들은 작동 시에 반도체층 시퀀스(1)의 활성 영역(11)에 의하여 생성된 전자기 복사(31)의 제 1 스펙트럼에도 포함될 수 있다.
필터층(3)은, 특히 광전자 장치(100)의 콤팩트 구성 및 광전자 장치의 동질적인 색상에 관한 작동뿐만 아니라 차단 상태에도 파장 전환층(2) 상에 직접적이거나 적어도 가깝게 배치되는 것이 바람직할 수 있다.
외부에서부터 광전자 장치(100)로 들어오는 복사(33)의 부분(34)은, 상기 필터 층(3)에 의하여 반사되고, 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)의 부분(312)도 역시, 필터 층(3)에 의하여 반사되고, 즉 반사율은 필터 층(3)의 주 표면(4)과 방향 사이에서 각도(9)에 의존하되, 상기 주 표면부터의 복사 각각이 필터 층(3)으로 복사될 때, 특히 바람직할 수 있다. 이로써, 예를 들면, 상기 반사각도는 작은 각도(9)에 대해 더 작다면, 바람직할 수 있다. 하부로부터 상기 필터 층(3)을 향한 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31) 및 외부로부터 광전자 장치(100)로 들어오는 복사(33)가 대략 수직으로 입사된 바와 같이, 큰 각도보다는 작은 각도(9)에서 오히려 전도가 잘 되는 것을 나타낸다.
상기에서 제시했던 실시예에 있어서, 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사는 예를 들면 청색 파장에서 스펙트럼적인 성분을 아주 모범적으로 제시한다. 파장 전환층(2)의 파장 전환 물질(22)은 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31)의 적어도 일부를, 특히 청색 파장 영역에서 나온 스펙트럼적인 성분을, 황색 파장 영역의 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(32)로 변화시키는데 적합할 수 있다. 이로써, 광전자 장치(100)의 복사 출사면(4) 상으로 관찰자에게 예를 들면 백색 색상을 가능하게 하는 전자기 복사가 출사된다. 차단 시에 파장 전환층(2)은 외부에서부터 들어오는 복사(33)에서, 예를 들면 태양광이나 공간 조명의 일광과 유사한 복사에서, 원치 않던 황색 색상이 발생할 수 있다. 필터층(3)은 특히 청색 파장 범위의 스펙트럼적 성분을 지닌 외부에서부터 광전자 장치(100)로 들어오는 복사(33)의 부분(34)을 반사하는데 적합할 수 있고, 그러므로 관찰자에게 파장 전환층(2)의 황색 색상과 필터층(3)의 청색 색상의 겹침으로 다시 복사 출사 면적(4)의 백색 색상이 발생될 수 있다. 그와 동시에 상기 필터층(3)은 또한 적어도 일부를, 예를 들면 50%를, 제 1 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(31) 파장 전환층(2)의 방향으로 재반사시킬 수 있다.
인간 눈의 파장에 따른 인지를 통해서, 즉 광도계의 가중치를 통해서, 그렇 지만 상기 필터 층(3)에서 100% 반사를 할지라도, 청색 파장 영역의 제 1 스펙트럼을 지닌 광전자 장치(100)에 의해 반사된 전자기 복사(31)의 감소를 줄일 수 있고, 추가적으로 파장 전환 층(2)에서 제 2 스펙트럼을 지닌 전자기 복사(32)로의 변환을 인지하는 밝기도 약 3% 만 줄일 수 있다.
광전자 장치(100)는 예를 들면 카메라가 장착된 휴대전화 응용에 대한 플래시에 적합할 수 있다. 또한 그러한 광전자 장치(100)는 조명장치용으로도 적합할 수 있다.
다음에 다른 실시예들이 기술되며, 이의 근본적인 기능 방법은 도 1A 및 1B에 따른 실시예의 기능 방법에 상응한다.
도 2 에 따른 실시예에서 두 개가 서로 다른 쪽을 향한 주표면(51, 52)을 지닌 기판을 포함하는 광전자 장치(200)가 명시된다. 상기 기판은 바람직하게도 유리 기판일 수 있다. 선택적이거나 추가적으로, 상기 기판(5)은 다른 물질을, 예를 들면 플라스틱 물질로 된, 하나 이상의 많은 층을 포함할 수 있다.
반도체층 시퀀스(1)로부터 반대쪽을 향한 기판(5)의 주표면(51) 상에는 필터층(3)이 도포된다. 특히 필터층(3)은 유전성 물질로 된, 주기적 시퀀스의 제 1층 및 제 2 층을 포함할 수 있는데, 예를 들면 상기 물질들은 기판(5)의 주표면(51) 상에서 증발될 수 있다.
반도체층 시퀀스(1)를 향한 주표면(52) 상에는 파장 전환층(2)이 도포된다. 예를 들면 상기 층은 파장 전환 물질(22)이 삽입된 매트릭스 재료(21)를 포함할 수 있다. 대안적으로, 상기 파장 전환 물질(22)은 매트릭스 재료(21) 없이도 주표면(52) 상에 도포되어 파장 전환층(2)을 형성할 수 있다.
도 3에 따른 실시예에서 파장 전환층(2)으로서 파장 전환 물질(22)을 지닌 호일(21)을 포함하는 광전자 장치(300)가 제시된다. 반도체층 시퀀스(1)로부터 반대쪽을 향한 주표면(23) 상에는 예를 들면 필터층(3)이 이전 실시예에서 실행된 바와 같이 도포된다. 또한 반도체층 시퀀스(1)를 향한 파장 전환층(2)의 주표면(24) 상에는 투명한 전기적 전도성 층(6)으로, 예를 들면 투명하고 전기적 전도성 산화물로 도포된다. 투명한 전기적 전도성 층(5)은 반도체층 시퀀스(1)의 전기 접촉을 가능하게 할 수 있고, 그리고/또는 용이하게 할 수 있다. 상기 투명한 전기적 전도성 층(5)은 파장 전환 물질(2)이 직접적으로 반도체층 시퀀스(1) 상에 도포되는 경우, 특히나 바람직할 수 있다.
도 4에서는 추가적인 광학 장치(7)를 포함하는 광전자 장치(400)에 대한 실시예를 제시한다. 예를 들면, 광학 장치(7)는 대략 마이크로프리즘 구조화처럼, 대략 통일된 광학을 지닌 덮개일 수 있다. 광학 소자(7)는, 예를 들면 광전자 장치(400)의 하우징의 일부일 수 있다. 이때에 필터층(3)은 광학 소자(7) 상에서 필터층(3)이 직접적이든 간접적이든 파장 전환층(2)에 접촉하지 않도록 도포될 수 있다.
도 5에 따른 실시예에서 광전자 장치(500)가 제시되는데, 상기 광전자 장치(500)는 예를 들면 덮개일 수 있는 광학 소자(7) 측에 있는 다른 광학 소자(8)를 포함한다. 광학 소자(8)는 예를 들면 렌즈이거나 다른 복사를 굴절시키거나 또는 복사를 회절시키는 광학 소자일 수 있다. 필터층(3)은 광학 소자(8)의 표면 상에, 예를 들면 반도체층 시퀀스(1)로 향한 측면 상에, 배치되거나 도포될 수 있다.
특히 명시된 실시예들에서 파장 전환층(2) 및/또는 필터층(3)은 반도체층 시퀀스(1)의 여러 표면들 상에서도, 대략 측면들 상에서도 배치될 수 있다.
본 발명은 실시예들에 의거한 기재 내용에만 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하고, 특히 특징들의 각 조합은 특허 청구 범위에 포함된다. 비록 이러한 특징 또는 조합이 그 자체로 청구 범위들 또는 실시예들에 명확하게 제공되지 않더라도 말이다.
Claims (25)
- 광전자 컴포넌트에 있어서,작동 동안 제 1 스펙트럼을 가진 전자기 복사(radiation)(31)를 출사하는 활성 영역(11)을 가진 반도체층 시퀀스(1);상기 제 1 스펙트럼을 가진 전자기 복사(31)의 빔 경로에서 상기 반도체층 시퀀스(1) 다음에 위치되고, 상기 제 1 스펙트럼을 가진 전자기 복사(31)를 제 2 스펙트럼을 가진 전자기 복사(32)로 적어도 부분적으로 변환시키는 파장 변환층(2); 및상기 광전자 컴포넌트의 스위치-오프(switched-off) 상태에서, 외부로부터 상기 광전자 컴포넌트 상에 입사하는 복사(33)의 적어도 일부(34)를 반사하는 필터층(3)을 포함하고,상기 필터층(3)에 의해 반사되며 외부로부터 상기 광전자 컴포넌트 상에 입사하는 복사(33)의 일부(34)는 가시 파장 범위를 포함하며,상기 필터층(3)에 의해 반사되며 외부로부터 상기 광전자 컴포넌트 상에 입사하는 복사(33)의 일부(34)는, 상기 파장 변환층(2)에 의해 변환되는 상기 제1 스펙트럼을 가진 전자기 복사(31)의 서브스펙트럼(subspectrum)에 적어도 부분적으로 대응하는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항에 있어서,상기 필터층(3)은 상기 제 1 스펙트럼을 가진 전자기 복사(31)의 빔 경로에서 상기 파장 변환층(2) 다음에 위치되는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 2 항에 있어서,복사 출사면(4)을 더 포함하고,외부로부터 상기 광전자 컴포넌트 상에 입사하는 복사(33)는 상기 복사 출사면(4) 상으로 방사되는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 스펙트럼은 상기 가시 파장 범위에 있는 것인 광전자 컴포넌트.
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- 삭제
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 필터층(3)은 상기 제 1 스펙트럼을 가진 전자기 복사(31)의 부분에 대해 투명(transparent)한 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 스펙트럼은 청색 파장 범위를 포함하고, 상기 제 2 스펙트럼은 황색 파장 범위를 포함하는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광전자 컴포넌트는 스위치 오프 상태에서 관찰자에게 백색 인상(impression)을 불러일으키는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층 시퀀스(1)는 박막-반도체층 시퀀스인 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층 시퀀스(1)는 복사 방출하는 활성 영역(11)을 포함하고, 상기 활성 영역은 AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) 성분을 가진 적어도 하나의 재료를 가진 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파장 변환층(2)은 석류석 군(garnet group)으로부터 나온 적어도 하나의 파장 변환 물질(22)을 포함하는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 12 항에 있어서,상기 파장 변환 물질(22)은 매트릭스 재료(matrix material)(21) 내에 임베드(embed)되고, 상기 매트릭스 재료(21)는 투명한 플라스틱을 포함하는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파장 변환층(2)은 기판(5) 상에 도포되고, 상기 기판(5)은 유리 또는 플라스틱을 포함하는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파장 변환층(2)은 막(film)으로서 구성되는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파장 변환층(2)은 상기 반도체층 시퀀스(1)로 향한 한 측면 상에 전기 전도성 투명층(6)을 가진 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 16 항에 있어서,상기 전기 전도성 투명층(6)은 상기 반도체층 시퀀스(1)의 전기적 본딩(bonding)을 가능하게 하는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 필터층(3)은 이색성(dichroic) 거울로서 구성되는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 18 항에 있어서,상기 필터층(3)은 주기적 시퀀스의 제 1 층들 및 제 2 층들을 포함하고, 상기 제 1 층들은 제 1 굴절률을 가지며, 상기 제 2 층들은 상기 제 1 굴절률과 상이한 제 2 굴절률을 가진 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 19 항에 있어서,상기 필터층(3)의 제 1 층들 및 제 2 층들은 각각 산화물 또는 질화물을 포함하는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 필터층(3)은 유리 또는 플라스틱을 포함하는 기판을 포함하는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 필터층(3)은 상기 파장 변환층(2) 상에 도포되는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 필터층(3)은 상기 파장 변환층(2)으로부터 공간적으로 분리되어 배치되는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 필터층(3)은 적어도 하나의 주표면(4)을 가지고,외부로부터 상기 광전자 컴포넌트 상에 입사하는 복사(33)는 밑각(9)으로 상기 주표면(4) 상에 방사되며,외부로부터 상기 광전자 컴포넌트 상에 입사하는 복사(33)의 부분(34)은 상기 필터층(3)에 의해 상기 밑각에 따라 반사되는 것인 광전자 컴포넌트.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,관찰자에 의해 인지되고 상기 광전자 컴포넌트에 의해 방출되는 전자기 복사는 상기 제 1 스펙트럼을 가진 전자기 복사(31) 및 상기 제 2 스펙트럼을 가진 전자기 복사(32)의 중첩에 대응하는 것인 광전자 컴포넌트.
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