JP2002111069A - 半導体発光装置 - Google Patents
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【課題】 側面発光型の半導体発光装置において、装置
そのものを大きくすることなく光の指向性を広くする。 【解決手段】 絶縁性基板１の表面に少なくとも一対の
電極部２，２’を形成し、電極部２に発光素子３を装着
し、発光素子３からの光を一側面方向へ出射させる反射
部材５を発光素子３を覆うように設け、反射部材５内部
を透光性樹脂６で封止した半導体発光装置において、絶
縁性基板１の光出射面側に上面から連続する側面凹部１
１を形成し、且つ側面凹部１１を透光性樹脂６で封止す
る。
そのものを大きくすることなく光の指向性を広くする。 【解決手段】 絶縁性基板１の表面に少なくとも一対の
電極部２，２’を形成し、電極部２に発光素子３を装着
し、発光素子３からの光を一側面方向へ出射させる反射
部材５を発光素子３を覆うように設け、反射部材５内部
を透光性樹脂６で封止した半導体発光装置において、絶
縁性基板１の光出射面側に上面から連続する側面凹部１
１を形成し、且つ側面凹部１１を透光性樹脂６で封止す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置に
関し、より詳細には側面発光型の半導体発光装置に関す
るものである。
関し、より詳細には側面発光型の半導体発光装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置のサイドライト方式のバッ
クライトとして半導体発光装置（以下、単に「発光装
置」と記すことがある）が近年広く用いられつつある。
このようなバックライトとして使用される発光装置の多
くは、実装の容易性などの点から一般に側面発光型もの
である。従来の側面発光型発光装置の斜視図を図６に示
す。絶縁性基板１上に一対の電極部２，２’を形成し、
その一方の電極部２上に発光素子３を装着するととも
に、発光素子３の上面電極ともう一方の電極部２’とを
金属細線４で接続している。そして、一側面に開口部５
１を有する反射ケース（反射部材）５を、発光素子３お
よび金属細線４、電極部２，２’の一部を覆うように装
着し、この反射ケース５の内部に透光性樹脂６を充填し
封止している。このような構成の発光装置では、発光素
子３から発せられた光は、直接および反射ケース５で反
射して開口部５１に向かい、そこから外部へ出射してい
た。
クライトとして半導体発光装置（以下、単に「発光装
置」と記すことがある）が近年広く用いられつつある。
このようなバックライトとして使用される発光装置の多
くは、実装の容易性などの点から一般に側面発光型もの
である。従来の側面発光型発光装置の斜視図を図６に示
す。絶縁性基板１上に一対の電極部２，２’を形成し、
その一方の電極部２上に発光素子３を装着するととも
に、発光素子３の上面電極ともう一方の電極部２’とを
金属細線４で接続している。そして、一側面に開口部５
１を有する反射ケース（反射部材）５を、発光素子３お
よび金属細線４、電極部２，２’の一部を覆うように装
着し、この反射ケース５の内部に透光性樹脂６を充填し
封止している。このような構成の発光装置では、発光素
子３から発せられた光は、直接および反射ケース５で反
射して開口部５１に向かい、そこから外部へ出射してい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の発光装置では光が出射する反射ケース５の開
口部５１の面積が限られていたため、光の指向性を広く
することはできなかった。本発明はこのような従来の問
題に鑑みなされたものであり、発光装置を大きくするこ
となく光の指向性を広くすることをその目的とするもの
である。
うな従来の発光装置では光が出射する反射ケース５の開
口部５１の面積が限られていたため、光の指向性を広く
することはできなかった。本発明はこのような従来の問
題に鑑みなされたものであり、発光装置を大きくするこ
となく光の指向性を広くすることをその目的とするもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁性
基板の表面に少なくとも一対の電極部を形成し、該電極
部に発光素子を装着し、該発光素子からの光を一側面方
向へ出射させる反射部材を前記発光素子を取り囲むよう
に設け、前記反射部材内部を透光性樹脂で封止した半導
体発光装置において、前記絶縁性基板の光出射面側に上
面から連続する側面凹部を形成し、且つ該側面凹部を前
記透光性樹脂で封止したことを特徴とする半導体発光装
置が提供される。
基板の表面に少なくとも一対の電極部を形成し、該電極
部に発光素子を装着し、該発光素子からの光を一側面方
向へ出射させる反射部材を前記発光素子を取り囲むよう
に設け、前記反射部材内部を透光性樹脂で封止した半導
体発光装置において、前記絶縁性基板の光出射面側に上
面から連続する側面凹部を形成し、且つ該側面凹部を前
記透光性樹脂で封止したことを特徴とする半導体発光装
置が提供される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明者等は、発光装置そのもの
を大きくすることなく、光の指向性を広くすべく鋭意検
討を重ねた結果、光が出射する開口部を大きくすればよ
いことを見出し本発明をなすに至った。すなわち、本発
明の発光装置の大きな特徴は、光が出射する開口部を絶
縁性基板にも広げた点にある。以下、図に基づき本発明
をさらに詳述する。
を大きくすることなく、光の指向性を広くすべく鋭意検
討を重ねた結果、光が出射する開口部を大きくすればよ
いことを見出し本発明をなすに至った。すなわち、本発
明の発光装置の大きな特徴は、光が出射する開口部を絶
縁性基板にも広げた点にある。以下、図に基づき本発明
をさらに詳述する。
【０００６】図１は、本発明の発光装置の一実施態様を
示す斜視図であり、図２はその正面図である。なお、図
６の発光装置と同じ部材および部分は同一の符号を付し
ている。図１の発光装置において、絶縁性基板１の長手
方向両端部にはそれぞれ電極部２，２’が形成され、基
板１の上面側と下面側の電極部はスルーホール２１，２
１’で接続されている。基板上面側の一方の電極部２に
は発光素子３が装着され、発光素子３の上面電極ともう
一方の電極部２’とは金属細線４で接続されている。そ
して、一側面が開口した反射ケース５が発光装置の上面
全体を覆うように設けられている。
示す斜視図であり、図２はその正面図である。なお、図
６の発光装置と同じ部材および部分は同一の符号を付し
ている。図１の発光装置において、絶縁性基板１の長手
方向両端部にはそれぞれ電極部２，２’が形成され、基
板１の上面側と下面側の電極部はスルーホール２１，２
１’で接続されている。基板上面側の一方の電極部２に
は発光素子３が装着され、発光素子３の上面電極ともう
一方の電極部２’とは金属細線４で接続されている。そ
して、一側面が開口した反射ケース５が発光装置の上面
全体を覆うように設けられている。
【０００７】そしてさらに図１の発光装置では、反射ケ
ース５の開口側の絶縁性基板１の側面に、上面から下面
に至る平面視半円状の側面凹部１１が形成され、側面凹
部１１および反射ケース５の内側は透光性樹脂６で封止
されている。
ース５の開口側の絶縁性基板１の側面に、上面から下面
に至る平面視半円状の側面凹部１１が形成され、側面凹
部１１および反射ケース５の内側は透光性樹脂６で封止
されている。
【０００８】このような構成の発光装置によれば、発光
素子３から発せられた光は、直接および反射ケース５で
反射されて開口部５１へ向かい、ここから外部へ出射す
るのに加えて、絶縁性基板１に形成された側面凹部１１
からも出射する。これにより従来の発光装置に比べ光出
射面積が大きくなり、光の指向性が広くなる。
素子３から発せられた光は、直接および反射ケース５で
反射されて開口部５１へ向かい、ここから外部へ出射す
るのに加えて、絶縁性基板１に形成された側面凹部１１
からも出射する。これにより従来の発光装置に比べ光出
射面積が大きくなり、光の指向性が広くなる。
【０００９】絶縁性基板に形成する側面凹部の形状とし
ては特に限定はなく、平面視で半円状、半楕円、四角
形、三角形などいずれの形状であってもよいが、光出射
面積を大きくして光の指向性を広くする観点からは、側
面開口の大きいものが好ましい。また生産効率の点から
は後述するように平面視半円状のものが好ましい。
ては特に限定はなく、平面視で半円状、半楕円、四角
形、三角形などいずれの形状であってもよいが、光出射
面積を大きくして光の指向性を広くする観点からは、側
面開口の大きいものが好ましい。また生産効率の点から
は後述するように平面視半円状のものが好ましい。
【００１０】また図１の発光装置では、側面凹部１１は
上面から下面に至るまで連続して形成されているが、上
面から所定深さまで連続するものであってももちろん構
わない。むしろ基板の上面から下面まで連続していない
側面凹部の方が、封止用樹脂を圧入する際に基板下面か
らの樹脂漏れを考慮する必要がないので、発光装置の製
造上の観点からは望ましい。
上面から下面に至るまで連続して形成されているが、上
面から所定深さまで連続するものであってももちろん構
わない。むしろ基板の上面から下面まで連続していない
側面凹部の方が、封止用樹脂を圧入する際に基板下面か
らの樹脂漏れを考慮する必要がないので、発光装置の製
造上の観点からは望ましい。
【００１１】側面凹部１１の形成方法としては特に限定
はないが、例えば複数の絶縁性基板が連続一体に形成さ
れた基板の各絶縁性基板間の境界部分に、ドリルの中心
を位置させて穴を穿設した後、各絶縁性基板に切断・分
離することにより形成できる。この場合、形成された側
面凹部の平面視形状は半円状となる。またドリルによっ
て穿設する穴の深さを制御することで、側面凹部の側面
開口面積を制御できる。
はないが、例えば複数の絶縁性基板が連続一体に形成さ
れた基板の各絶縁性基板間の境界部分に、ドリルの中心
を位置させて穴を穿設した後、各絶縁性基板に切断・分
離することにより形成できる。この場合、形成された側
面凹部の平面視形状は半円状となる。またドリルによっ
て穿設する穴の深さを制御することで、側面凹部の側面
開口面積を制御できる。
【００１２】本発明で使用できる反射部材としては、発
光素子からの光を一側面方向から出射するものであれば
特に限定はなく、図１に示したような一側面が開口した
直方体の他、開口面から奥側へ行くにしたがって上内面
が低くなるように傾斜しているものであってもよい（図
３（ａ））。あるいは、少なくとも発光素子を覆うよう
な、一側面が開口したドーム状のものであってもよい
（同図（ｂ））。反射部材の材質は、エポキシ樹脂など
の封止用樹脂を硬化させるための加熱（約２６０℃程
度）に耐えるものである必要があり、例えば液晶ポリマ
ーや金属材料などが好適に用いられる。反射率の高くな
い材料の場合には、反射部材の内周面に白色インクを塗
布するか、あるいはメッキを施して反射率を高くするの
がよい。
光素子からの光を一側面方向から出射するものであれば
特に限定はなく、図１に示したような一側面が開口した
直方体の他、開口面から奥側へ行くにしたがって上内面
が低くなるように傾斜しているものであってもよい（図
３（ａ））。あるいは、少なくとも発光素子を覆うよう
な、一側面が開口したドーム状のものであってもよい
（同図（ｂ））。反射部材の材質は、エポキシ樹脂など
の封止用樹脂を硬化させるための加熱（約２６０℃程
度）に耐えるものである必要があり、例えば液晶ポリマ
ーや金属材料などが好適に用いられる。反射率の高くな
い材料の場合には、反射部材の内周面に白色インクを塗
布するか、あるいはメッキを施して反射率を高くするの
がよい。
【００１３】本発明で使用できる絶縁性基板は、絶縁性
のものであれば特に限定はなく、例えばエポキシ・ガラ
ス材やポリイミド・アミド材（三菱ガス化学社製「ＢＴ
レジン」など）、アルミナなどのセラミック材などが挙
げられる。
のものであれば特に限定はなく、例えばエポキシ・ガラ
ス材やポリイミド・アミド材（三菱ガス化学社製「ＢＴ
レジン」など）、アルミナなどのセラミック材などが挙
げられる。
【００１４】本発明で使用できる発光素子としては特に
限定はなく、例えばＧａＮ系などの青色発光素子や、Ｇ
ａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩＰ系、ＩｎＰ系
などの赤色発光素子や緑色発光素子などが挙げられる。
また、２以上の発光素子を装着し、発光色を調整しても
もちろん構わない。
限定はなく、例えばＧａＮ系などの青色発光素子や、Ｇ
ａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩＰ系、ＩｎＰ系
などの赤色発光素子や緑色発光素子などが挙げられる。
また、２以上の発光素子を装着し、発光色を調整しても
もちろん構わない。
【００１５】発光素子を含む反射部材内を封止する透光
性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂や不飽和ポリエス
テル樹脂、シリコーン樹脂、ユリア・メラミン樹脂など
が挙げられ、この中でも透光性などの点からエポキシ樹
脂がより好適に使用できる。エポキシ樹脂としては、一
分子中に２個以上のエポキシ基を有するものでエポキシ
樹脂成形材料として使用されるものであれば制限はな
く、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルクレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂を代表するフェノール類
とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したも
の、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノ
ールＳ、水添ビスフェノールＡなどのジグリシジルエー
テル、フタル酸、ダイマー酸などの多塩基酸とエピクロ
ルヒドリンの反応により得られるジグリシジルエステル
型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシア
ヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒドリンの反応に
より得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフ
ィン結合を過酢酸などの過酸により、酸化して得られる
綿状脂肪族エポキシ樹脂、および脂環族エポキシ樹脂な
どを挙げることができ、これらを単独であるいは２以上
の混合物として使用することができる。これらのエポキ
シ樹脂は十分に精製されたもので、常温で液状であって
も固形であってもよいが、液化時の外観ができる限り透
明なものを使用するのが好ましい。
性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂や不飽和ポリエス
テル樹脂、シリコーン樹脂、ユリア・メラミン樹脂など
が挙げられ、この中でも透光性などの点からエポキシ樹
脂がより好適に使用できる。エポキシ樹脂としては、一
分子中に２個以上のエポキシ基を有するものでエポキシ
樹脂成形材料として使用されるものであれば制限はな
く、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルクレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂を代表するフェノール類
とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したも
の、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノ
ールＳ、水添ビスフェノールＡなどのジグリシジルエー
テル、フタル酸、ダイマー酸などの多塩基酸とエピクロ
ルヒドリンの反応により得られるジグリシジルエステル
型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシア
ヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒドリンの反応に
より得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフ
ィン結合を過酢酸などの過酸により、酸化して得られる
綿状脂肪族エポキシ樹脂、および脂環族エポキシ樹脂な
どを挙げることができ、これらを単独であるいは２以上
の混合物として使用することができる。これらのエポキ
シ樹脂は十分に精製されたもので、常温で液状であって
も固形であってもよいが、液化時の外観ができる限り透
明なものを使用するのが好ましい。
【００１６】次に、本発明の発光装置の製造方法の一例
を説明する。図１に示した発光装置を製造する場合に
は、銅箔を両面に貼着した絶縁性基板のスルーホールお
よび側面凹部となる部分にドリルによって穴を開ける。
そしてフォトレジストの塗布・露光・現像を行って、電
極パターン部分をフォトレジストで被覆し、このレジス
トパターンをエッチレジストとして不要部分の銅箔をエ
ッチングにより除去する。次に、無電解メッキによりス
ルーホール内周面にＣｕ層を形成した後、スルーホール
内周面を含む電極パターン部分にＣｕ，Ｎｉ，Ａｕの各
層を電解メッキにより積層形成する。この状態の平面図
を図４に示す。なお、図の破線部分は後述するダイシン
グによる切断予定部分である。
を説明する。図１に示した発光装置を製造する場合に
は、銅箔を両面に貼着した絶縁性基板のスルーホールお
よび側面凹部となる部分にドリルによって穴を開ける。
そしてフォトレジストの塗布・露光・現像を行って、電
極パターン部分をフォトレジストで被覆し、このレジス
トパターンをエッチレジストとして不要部分の銅箔をエ
ッチングにより除去する。次に、無電解メッキによりス
ルーホール内周面にＣｕ層を形成した後、スルーホール
内周面を含む電極パターン部分にＣｕ，Ｎｉ，Ａｕの各
層を電解メッキにより積層形成する。この状態の平面図
を図４に示す。なお、図の破線部分は後述するダイシン
グによる切断予定部分である。
【００１７】絶縁性基板上に形成された１対の電極部の
一方に発光素子をボンディングし、もう一方の電極部と
発光素子の上面電極とを金属細線で接続した後、底面及
び一側面が開口した反射ケースを各発光装置ごとに固着
する。このとき反射ケースは、側面凹部となる穴の方向
に側面開口が向くように固着する必要がある。そして、
反射ケースが固着された絶縁性基板を封止用金型に装着
する。この状態の側断面図を図５に示す。
一方に発光素子をボンディングし、もう一方の電極部と
発光素子の上面電極とを金属細線で接続した後、底面及
び一側面が開口した反射ケースを各発光装置ごとに固着
する。このとき反射ケースは、側面凹部となる穴の方向
に側面開口が向くように固着する必要がある。そして、
反射ケースが固着された絶縁性基板を封止用金型に装着
する。この状態の側断面図を図５に示す。
【００１８】図５では、上型Ｍ１と下型Ｍ２とからなる
金型内の密閉空間に、基板の下面が下型Ｍ２に密着し、
反射ケース５の上外面が上型Ｍ１と密着するように絶縁
性基板が装着されている。そこへエポキシ樹脂などの透
光性樹脂を紙面手前から奥方向へ圧入する。圧入された
透光性樹脂は、反射ケース５内部および側面凹部１１と
なる穴をそれぞれ充填しながら樹脂通路部Ｇを流れ進
み、金型内の空間のすべてを充填する。透光性樹脂の圧
入が完了すれば所定温度で透光性樹脂を硬化させて封止
体を形成する。このときスルーホールは、その開口上面
が反射ケースにより覆われているので透光性樹脂による
封止はなされない。また、側面凹部となる穴が絶縁性基
板の上面から下面に至る貫通穴の場合、透光性樹脂が貫
通穴から基板下面と下型との間に漏れ出し貫通穴周縁に
バリとして痕跡を残すことがあるが、このような場合に
は後工程において絶縁性基板下面をブラシなどで洗浄し
て前記バリを除去すればよい。
金型内の密閉空間に、基板の下面が下型Ｍ２に密着し、
反射ケース５の上外面が上型Ｍ１と密着するように絶縁
性基板が装着されている。そこへエポキシ樹脂などの透
光性樹脂を紙面手前から奥方向へ圧入する。圧入された
透光性樹脂は、反射ケース５内部および側面凹部１１と
なる穴をそれぞれ充填しながら樹脂通路部Ｇを流れ進
み、金型内の空間のすべてを充填する。透光性樹脂の圧
入が完了すれば所定温度で透光性樹脂を硬化させて封止
体を形成する。このときスルーホールは、その開口上面
が反射ケースにより覆われているので透光性樹脂による
封止はなされない。また、側面凹部となる穴が絶縁性基
板の上面から下面に至る貫通穴の場合、透光性樹脂が貫
通穴から基板下面と下型との間に漏れ出し貫通穴周縁に
バリとして痕跡を残すことがあるが、このような場合に
は後工程において絶縁性基板下面をブラシなどで洗浄し
て前記バリを除去すればよい。
【００１９】そして、図４に示す破線部分をダイシング
などで切断して、図１に示した発光装置を得る。透光性
樹脂をダイシングで切断すると切断面に細かな凹凸がで
き、光を散乱させる上で好ましい副次的効果が得られ
る。なお、金型内で透光性樹脂が流れる通路部分Ｇは、
通常０．１〜０．２ｍｍ程度とダイシングの刃幅とほぼ
同じ幅に設定されているので、ダイシングによる切断に
よって消滅する。また、ダイシングによる切断後に反射
ケースの開口側側端から透光性樹脂が多少突出していて
も実用上問題はない。
などで切断して、図１に示した発光装置を得る。透光性
樹脂をダイシングで切断すると切断面に細かな凹凸がで
き、光を散乱させる上で好ましい副次的効果が得られ
る。なお、金型内で透光性樹脂が流れる通路部分Ｇは、
通常０．１〜０．２ｍｍ程度とダイシングの刃幅とほぼ
同じ幅に設定されているので、ダイシングによる切断に
よって消滅する。また、ダイシングによる切断後に反射
ケースの開口側側端から透光性樹脂が多少突出していて
も実用上問題はない。
【００２０】本発明の半導体発光装置は、サイドライト
方式の液晶表示装置のバックライトとして好適に用いる
ことができ、また各種の表示装置や照明装置としても用
いることができる。
方式の液晶表示装置のバックライトとして好適に用いる
ことができ、また各種の表示装置や照明装置としても用
いることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の半導体発光装置では、反射部材
の側面開口に加えて絶縁性基板に形成した側面凹部から
も発光素子からの光を出射させるので、発光装置そのも
のを大きくすることなく光の指向性を広くすることがで
きる。
の側面開口に加えて絶縁性基板に形成した側面凹部から
も発光素子からの光を出射させるので、発光装置そのも
のを大きくすることなく光の指向性を広くすることがで
きる。
【図１】 本発明の半導体発光装置の一実施形態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】 図１の半導体発光装置の正面図である。
【図３】 反射部材の他の実施形態を示す側断面図であ
る。
る。
【図４】 本発明の半導体発光装置の製造中間体の一部
平面図である。
平面図である。
【図５】 絶縁性基板を封止用金型に装着した側断面図
である。
である。
【図６】 従来の半導体発光装置を示す斜視図である。
１ 絶縁性基板 ２，２’ 電極部 ３ 発光素子 ４ 金属細線 ５ 反射ケース（反射部材） ６ 透光性樹脂 １１ 側面凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA03 CA21 EC11 GA01 5F041 AA06 CA35 CA36 CA40 CA76 DA07 DA20 DA44 DA45 DA46 DB09 EE23 FF01 FF11 5F061 AA01 BA03 CA21 CB13 FA01
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基板の表面に少なくとも一対の電
極部を形成し、該電極部に発光素子を装着し、該発光素
子からの光を一側面方向へ出射させる反射部材を前記発
光素子を覆うように設け、前記反射部材内部を透光性樹
脂で封止した半導体発光装置において、 前記絶縁性基板の光出射面側に上面から連続する側面凹
部を形成し、且つ該側面凹部を前記透光性樹脂で封止し
たことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000295580A JP2002111069A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000295580A JP2002111069A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002111069A true JP2002111069A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18777989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000295580A Pending JP2002111069A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002111069A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142085A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Agilent Technol Inc | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
| JP2010225754A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
-
2000
- 2000-09-28 JP JP2000295580A patent/JP2002111069A/ja active Pending
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| JP2007142085A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Agilent Technol Inc | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
| JP2010225754A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
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