JP4668722B2 - サブマウント及びその製造方法 - Google Patents
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Description
第1の基板の第1の面をエッチング加工し、当該第1の面より低い位置に設けられたエッチング加工部を形成する工程と、前記第1の面上に発光素子に接続するための給電端子を形成する工程と、前記第1の基板の前記第1の面及び前記エッチング加工部の上に、前記給電端子に接続された電極メタライズを形成する工程と、第2の基板に貫通穴を形成する工程と、前記第2の基板の貫通穴の前記第1の基板への投影面内に、前記第1の面上の給電端子と、前記エッチング加工部とが含まれ、前記電極メタライズは、前記エッチング加工部を通って前記給電端子から前記第2の基板の外側まで延在するように、前記第2の基板を前記第1の基板の第1の面に接続する工程とを含む点にある。
<実施例1>
本発明の第一の実施例について図1〜図9を用いて説明する。図1は、ガラス基板およびSiウェハの状態で組み立てたLEDサブマウント100の最小構成単位を示すもので、後述する図2の線分X-X'の断面図を示している。したがって図示のサブマウント100は、多数のサブマウントが一括して形成された基板からダイシングにより切り出された一個のサブマウント100の構造を示している。図2は、図1のLEDサブマウントの平面図、図3は図1のサブマウントの斜視図である。
<実施例2>
本発明の第二の実施例について、図10〜図16を用いて説明する。図10および図11に示しているように、第一の実施例と異なり、ガラス基板1を加工してLED素子6Aからの光の反射面を形成している。つまり、実施例1においてはSi基板4に貫通穴12を設けたのに対し、本実施例2では、ガラス基板1に貫通穴12を設ける。このガラス基板1に貫通穴12を設ける手法として本実施例では、ガラス基板1を周知のサンドブラストにより加工する。
<実施例3>
本発明の第三の実施例について、図17を用いて説明する。図17では、Si基板4にサンドブラストなどの方法で貫通穴が形成され、貫通穴内部に導電性ペースト、はんだ、金属のめっきなどが充填され、貫通電極2が形成されている。貫通電極2上の電極メタライズ3B上にLED素子6Aを実装することで、図14の実施例2に比べ、放熱性を高めることができる。
<実施例4>
本発明の第四の実施例について、図18を用いて説明する。図18では、Si基板4にサンドブラストで、実施例2および3と同様の曲面を形成し、貫通電極2のついたガラス基板1と接合する構造である。サンドブラストによる研削面を滑らかにするには、図12と同様の方法を用いることができる。
2…貫通電極、
3A…外部との接続用の電極メタライズ、
3B…LED素子との接続用電極メタライズ、
3C…LED素子のワイヤーボンディング用電極メタライズ、
4…Si基板、
5…反射膜、
6A…LED素子、
6B…LED素子の発光部、
7…ワイヤーボンディング、
8…Ti/Alメタライズ、
9…電圧印加用メタライズ、
10…耐熱性樹脂、
11…V溝、
12…Si基板の異方性エッチングによる貫通穴、
13…溝、
100…サブマウント。
Claims (6)
- 第1の基板と、
前記第1の基板に接合され、かつ、内壁が光の反射面を形成する貫通穴が設けられた第2の基板とを備え、
前記第1の基板は、
前記第2の基板に接合された第1の面と、
前記第1の面と同じ側に前記第1の面よりも低い位置に設けられた第2の面と、
前記第1の面上に設けられ、発光素子に接続して給電するための給電端子と、
前記給電端子に接続された電極メタライズとを有し、
前記第2の基板の貫通穴を前記第1の基板に投影した領域には、前記給電端子、これを有する前記第1の面、前記第2の面及び前記電極メタライズが設けられ、
前記第2の面は、前記投影した領域内から前記第2の基板の外側まで延在するとともに、前記電極メタライズは、前記第2の面上であり前記第2の基板との間を通って、前記投影した領域内の給電端子から前記第2の基板の外側まで延在していることを特徴とするサブマウント。 - 第1の基板と、
前記第1の基板に接合され、かつ、内壁が光の反射面を形成する貫通穴が設けられた第2の基板とを備え、
前記第1の基板は、
前記第2の基板に接合された第1の面と、
前記第1の面に設けられた溝と、
前記第1の面上に設けられ、発光素子に接続して給電するための給電端子と、
前記給電端子に接続された電極メタライズとを有し、
前記第2の基板の貫通穴を前記第1の基板に投影した領域には、前記給電端子、これを有する前記第1の面、前記溝及び前記電極メタライズが設けられ、
前記溝は、前記投影した領域内から前記第2の基板の外側まで延在するとともに、前記電極メタライズは、前記溝を通って、前記投影した領域内の給電端子から前記第2の基板の外側まで延在していることを特徴とするサブマウント。 - 請求項1または2において、
前記第1の基板は、シリコン基板であり、
前記第2の面または前記溝は、エッチング加工により形成されていることを特徴とするサブマウント。 - 請求項3において、
前記第2の基板は、ガラス基板であり、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、陽極接合により接合されていることを特徴とするサブマウント。 - 第1の基板の第1の面をエッチング加工し、当該第1の面より低い位置に設けられたエッチング加工部を形成する工程と、
前記第1の面上に発光素子に接続するための給電端子を形成する工程と、
前記第1の基板の前記第1の面及び前記エッチング加工部の上に、前記給電端子に接続された電極メタライズを形成する工程と、
第2の基板に貫通穴を形成する工程と、
前記第2の基板の貫通穴の前記第1の基板への投影面内に、前記第1の面上の給電端子と、前記エッチング加工部とが含まれ、前記電極メタライズは、前記エッチング加工部を通って前記給電端子から前記第2の基板の外側まで延在するように、前記第2の基板を前記第1の基板の第1の面に接続する工程と、
を含むことを特徴とするサブマウントの製造方法。 - 請求項5において、
前記第1の基板は、シリコン基板であり、
前記第2の基板は、ガラス基板であり、
前記第1の基板と前記第2の基板とは、陽極接合により接合されていることを特徴とするサブマウントの製造方法。
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