JP2013219090A - Ｌｅｄパッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】 ＬＥＤチップの発熱を逃がしつつ小型軽量化を図る。
【解決手段】 絶縁性基体１を射出成形して、表面にＬＥＤ実装用凹部１１、裏面にスルーホール１３を形成する。ＬＥＤ実装用凹部１１の底部１２と、これに連通するスルーホール１３とに、それぞれ無電解銅めっき層１４ａ、１５ａ及び電解めっき層１４ｂ、１５ｂを積層する。絶縁性基体１の表面に無電解めっき層１６ａ、１７ａ及び電解めっき層１６ｂ、１７ｂによって、ボンディングワイヤ接合用導体パターン１６及び実装用導体パターン１７を形成し、この実装用導体パターンを、スルーホール１３に形成した電解めっき層１５ｂに延伸する。ＬＥＤチップ２をＬＥＤ実装用凹部１１の底部１２にダイボンド３で接合し、その上面をボンディングワイヤ４でボンディングワイヤ接合用導体パターン１６に連結し、スルーホール１３の内側空間に熱伝導体５を充填する。
【選択図】図３

Description

本発明は、絶縁性基板の表面に設けた凹部にＬＥＤチップを固定したＬＥＤパッケージに関し、特に絶縁性基板の裏面に連通するスルーホールを介して、ＬＥＤチップと通電すると共に、このスルーホールに充填した熱伝導体を介して、ＬＥＤチップの発熱を逃がすＬＥＤパッケージに関する。

今日では、省電力及び長寿命に優れるＬＥＤが急速に普及しつつあると共に、より高輝度のＬＥＤが提案されている。しかるに高輝度のＬＥＤは、消費電力が多く、その分発熱量が多いため、外部に発熱量を逃がさないと、寿命が著しく短くなる。

そこで金属板をプレス及び打抜き加工したリードフレームに、ＬＥＤチップを搭載し、このリードフレームを介して、ＬＥＤチップに通電すると共に、ＬＥＤチップの発熱を外部に逃がす手段が提案されている（たとえば特許文献１参照。）。

この特許文献１に記載のＬＥＤリードフレームを図８に示す。すなわちＬＥＤリードフレームは、銅合金の条材等を打抜き及びプレス加工等して形成し、ＬＥＤチップ３を搭載するダイパット部１０、側面部１１ａ、１２ａ、下面端子部１３ａ、１４ａからなる略矩形断面を有している。なお側面部１１ａ、１２ａには、それぞれ連続部１５ａ、１６ａからなるリード片が延伸している。

上述した金属製のＬＥＤリードフレームには、樹脂製ボディー部がインサートモールド形成される。すなわちＬＥＤリードフレームを金型内に設置し、ダイパッド部１０の上面に、ＬＥＤチップ３から発する光を反射させるカップ部を射出成形し、このダイパッド部の下面に下部６を射出成形する。ＬＥＤチップ３は、ダイパッド部１０の上面に貼付けられ、金線によってＬＥＤリードフレームの所定位置とワイヤボンディングされて通電される。

すなわちＬＥＤチップ３の発熱は、熱伝導性に優れる金属製のＬＥＤリードフレームに伝わって、左右に延伸する接続部１５ａ、１６ａを介して、導電性回路や基板に吸収される。

特許文献１ 特開２００６−１７３１５５号公報

しかるに上述した特許文献１に記載の手段には、次のような改善すべき課題がある。すなわち特許文献１に記載の手段では、金属製のＬＥＤリードフレームの上面と下面とに、ＬＥＤチップ３から発する光を反射させるカップ部と下部６とを、それぞれインサートモールド成形する。

ところが樹脂材をインサートモールドしたカップ部や下部６は、射出成形後の冷却によって収縮するため、ＬＥＤリードフレームとの境界面に、僅かではあるが隙間を生じ、この隙間からカップ部の内部に充填する封止剤が漏れ出して、その結果、歩留まりを低下させるという問題がある。

また金属製のＬＥＤリードフレームは、ＬＥＤチップに比べてサイズが大きく、その結果、製品の重量が増えるという問題がある。さらには金属製のＬＥＤリードフレームを成形するためには、打抜きやプレス工程等が必要となり、設備や工程が複雑になるという問題もある。

そこで本発明の目的は、封止剤の漏れを防止すると共に、ＬＥＤチップの発熱を逃がしつつ小型軽量化が容易なＬＥＤパッケージを提供することにある。

上記課題を解決すべく、本発明によるＬＥＤパッケージの特徴は、ＬＥＤチップを搭載するＬＥＤ実装用凹部の底面に、絶縁性基体の裏面に連通するスルーホールを設け、このスルーホールを介してＬＥＤチップに通電すると共に、このスルーホールに熱伝導体を充填し、この熱伝導体を介してＬＥＤチップの発熱を逃がすことにある。

すなわち本発明によるＬＥＤパッケージは、絶縁性基体とＬＥＤチップとを備え、この絶縁性基体の表面には、ＬＥＤ実装用凹部が形成されており、この絶縁性基体の裏面とＬＥＤ実装用凹部の底部とは、スルーホールで連通している。上記ＬＥＤ実装用凹部の底部とスルーホールの内側面とには、それぞれ無電解めっき層が形成されている。上記絶縁性基体の表面には、無電解めっき層によるボンディングワイヤ接合用導体パターン形成されており、この絶縁性基体の裏面には、無電解めっき層による実装用導体パターンが形成されている。

上記実装用導体パターンは、上記ボンディングワイヤ接合用導体パターンとは分離して形成されると共に、上記絶縁性基体の裏面に開口する上記スルーホールに形成された無電解めっき層に連結している。上記ＬＥＤチップは、上記ＬＥＤ実装用凹部の底部に形成された無電解めっき層の表面にダイボンドによって接合され、このＬＥＤチップは、ボンディングワイヤによってボンディングワイヤ接合用導体パターンに連結されている。そして上記無電解めっき層が形成されたスルーホールの内側空間は、熱伝導体が充填してある。

また上記ＬＥＤ実装用凹部に、無電解めっき層を形成するように構成することができる。すなわち、このＬＥＤパッケージは、絶縁性基体とＬＥＤチップとを備え、この絶縁性基体の表面には、ＬＥＤ実装用凹部が形成されており、この絶縁性基体の裏面と上記ＬＥＤ実装用凹部の底部とは、スルーホールで連通している。上記ＬＥＤ実装用凹部とスルーホールの内側面とには、それぞれ無電解めっき層が形成されている。

上記絶縁性基体の表面には、無電解めっき層によるボンディングワイヤ接合用導体パターン形成されており、この絶縁性基体の裏面には、無電解めっき層による実装用導体パターンが形成されている。上記実装用導体パターンは、上記ボンディングワイヤ接合用導体パターンとは分離して形成されると共に、上記絶縁性基体の裏面に開口する上記スルーホールに形成された無電解めっき層に連結している。

上記ＬＥＤチップは、上記無電解めっき層が形成されたＬＥＤ実装用凹部の底部にダイボンドによって接合され、このＬＥＤチップは、ボンディングワイヤによってボンディングワイヤ接合用導体パターンに連結されている。そして上記無電解めっき層が形成されたスルーホールの内側空間は、熱伝導体が充填してある。

より望ましくは、前記スルーホールを、前記絶縁性基体の裏面に向かって断面積が増加するように形成し、前記無電解めっき層が形成されたスルーホールの上端部が、前記ＬＥＤ実装用凹部の底部に形成された上記無電解めっき層に開口するように構成する。

さらに望ましくは、前記ダイボンドの中央部分に開口を形成し、前記熱伝導体を、上記ダイボンドの中央部分に形成した開口を貫通して、前記ＬＥＤチップの底面に接触するように構成する。

より望ましくは、前記無電解めっき層の表面に、いずれも電解めっき層を積層する。更に望ましくは、前記熱伝導体として半田ろうを使用する。より望ましくは、熱可塑性樹脂を射出成形して前記絶縁性基体を成形する。

ここで上記「絶縁性基体」の材質としては、合成樹脂が望ましいが、セラミックやガラス等の他の絶縁材も使用できる。また「絶縁性基体」は、射出成形に限らず、圧縮成形や研削等の機械加工で成形してもよい。「ＬＥＤチップ」とは、いわゆる発光ダイオードを意味し、ＰＮ接合した半導体であって、順方向に電流を流すと発光する素子を意味する。なお本発明によるＬＥＤパッケージは、発熱量が多い高輝度のＬＥＤチップを使用する場合に好適である。

「ＬＥＤ実装用凹部」とは、「絶縁性基体」の表面に開口する窪みであって、搭載した「ＬＥＤチップ」の光を反射及び集光させて、凹部の開口面から外部に放出させる領域を意味する。「スルーホール」とは、貫通孔を意味し、その断面形状は問わない。断面形状が、例えば円及び三角や四角の多角形の場合が該当する。「無電解めっき層」とは、いわゆる化学めっきによって積層した金属層であって、例えば無電解銅めっき層、無電解ニッケルめっき層、及び無電解金めっき層が該当する。

「ボンディングワイヤ」とは、金属の導線であって、例えば金の細線が該当する。なお白色の光源を得る等のため、複数の発光ダイオードを組み合わせて「ＬＥＤチップ」を構成する場合には、「ボンディングワイヤ」は、２本以上の複数本となる。すなわち共通のアース回路として、スルーホールを介して通電し、他の複数の電極には、それぞれ「ボンディングワイヤ」を介して通電する。

「ダイボンド」とは、例えば銀ペーストのように、導電性粒子を混合した導電性の接着剤を意味する。「熱伝導体」とは、熱伝導率が高い物質を意味し、例えばろう材が該当する。ろう材としては、半田ろう、金ろう、銀ろう、銅ろう、あるいはアルミ等が該当する。「断面が増加」するとは、スルーホールの軸線を含む断面形状が、末広がりになっていることを意味し、例えば円錐形や四角錐形が該当する。

「ダイボンドの中央部分に形成された開口」とは、無電解めっき層が形成されたＬＥＤ実装用凹部の底部にダイボンドを塗布する際に、この底部に開口するスルーホールの上端部を閉塞しない場合を意味する。「電解めっき層」とは、いわゆる電気めっきによって積層した金属層であって、例えば電解銅めっき層、無電解ニッケルめっき層、及び電解金めっき層が該当する。

「熱可塑性樹脂」としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＡＢＳ、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリエーテルポリスルホン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、芳香族系液晶ポリマー、及びノルボルネン樹脂が該当する。

スルーホールの内側面に形成した無電解めっき層を介して、ＬＥＤチップの電極の一方に通電すると共に、このスルーホールに充填した熱伝導体と、このスルーホールの底面に連結する実装用導体パターンとを介して、ＬＥＤチップで生じる熱を、導電性回路や回路基板に逃がすことができる。したがってＬＥＤチップへの通電手段と、ＬＥＤチップの発熱を逃がす手段とを、容易に小型軽量にすることができる。

またＬＥＤ実装用凹部の底部に開口するスルーホールは、このスルーホール内に充填する熱伝導体によって閉塞されるため、このＬＥＤ実装用凹部内に封止剤を充填しても、この封止剤が外部に漏れ出ることを、確実に防止することができる。

スルーホールを絶縁性基体の裏面に向かって断面積が増加するように形成することによって、スルーホールの内側面に、無電解めっき液がより進入及び循環し易くなり、無電解めっき層を迅速かつ確実に形成することができる。またスルーホールの内側面にレーザー光を照射し易くなるため、表面改質あるいは粗化が容易となって、無電解めっき層との密着性を確実に向上させることができる。さらには、スルーホールに充填する熱伝導体も、底面に向かって断面積が大きくなるため、ＬＥＤチップで生じる熱を、より迅速に外部に逃がすことができる。

無電解めっき層の表面に電解めっき層を積層することによって、所定のめっき厚さを形成するまでのめっき時間を短縮することができる。

さらに熱可塑性樹脂を射出成形して絶縁性基体を成形することによって、この絶縁性基体の表面に、滑らかな反射面であるＬＥＤ実装用凹部と先細状のスルーホールとを、射出成形と同時に形成することができる。

ＬＥＤパッケージの表面側を示す斜視図である。 ＬＥＤパッケージの裏面側を示す斜視図である。 ＬＥＤパッケージの縦断面図である。 スルーホールの拡大縦断面図である 他のＬＥＤパッケージの表面側を示す斜視図である。 他のＬＥＤパッケージの裏面側を示す斜視図である。 他のＬＥＤパッケージの縦断面図である。 従来例によるＬＥＤパッケージの縦断面図である。

図１〜図７を参照しつつ、本発明によるＬＥＤパッケージの具体例を説明する。図１及び図２に示すように、本発明によるＬＥＤパッケージは、ブロック状の絶縁性基体１と、白色光を発光するＬＥＤチップ２とを備えている。絶縁性基体１の表面には、ＬＥＤ実装用凹部１１が形成されており、このＬＥＤ実装用凹部の底部１２は、平坦面に形成してある。また図３に示すように、絶縁性基体１の裏面には、円錐形状のスルーホール１３が開口しており、このスルーホールの上端部分が、ＬＥＤ実装用凹部１１の底部１２に開口している。なおＬＥＤ実装用凹部１１、底部１２、及びスルーホール１３は、金型やピン等によって、絶縁性基体１の射出成形と同時に形成される。

図１及び図３に示すように、ＬＥＤ実装用凹部１１の底部１２とスルーホール１３の内側面とには、それぞれ無電解銅めっき層１４ａ、１５ａが形成されている。また絶縁性基体１の表面には、無電解銅めっき層１６ａによって、裏面に延伸するボンディングワイヤ接合用導体パターン１６が形成されている。絶縁性基体１の裏面には、無電解銅めっき層１７ａによって、実装用導体パターン１７が形成されている。実装用導体パターン１７は、ボンディングワイヤ接合用導体パターン１６と分離して形成されており、絶縁性基体１の裏面に開口するスルーホール１３の内側面に形成された無電解銅めっき層１５ａに連結している。

なお無電解銅めっき層１４ａ、１５ａ、１６ａ及び１７ａの表面には、それぞれ電解めっき層１４ｂ、１５ｂ、１６ｂ及び１７ｂが積層されている。またこれらの電解めっき層１４ｂ等は、それぞれ電解銅めっき層、電解光沢ニッケルめっき層、及び電解金めっき層を、この順序で積層して構成する。また電解金めっき層の金は高価であるため、まず電解パラジウムめっきを積層し、その表面に電解金メッキ層を薄く積層してもよい。

さて図３に示すように、ＬＥＤチップ２の底面は、ＬＥＤ実装用凹部１１の底面１２に形成された無電解銅めっき層１４ａに積層された電解めっき層１４ｂの表面に、銀ペーストからなるダイボンド３によって接合され、このＬＥＤチップの上面は、金線からなるボンディングワイヤ４によって、ボンディングワイヤ接合用導体パターン１６に連結される。すなわちＬＥＤチップ２の上部は、Ｐ型半導体で構成され、ボンディングワイヤ４を介して、ボンディングワイヤ接合用導体パターン１６からプラス電圧が印加される。一方ＬＥＤチップ２の下部は、Ｎ型半導体で構成され、スルーホール１３及び底部１２に形成した無電解銅めっき層１４ａ、１５ａと電解めっき層１４ｂ、１５ｂとを介して、実装用導体パターン１７からマイナス電圧が印加される。

なお図３および図４に示すように、絶縁性基体１の裏面に開口するスルーホール１３は、円錐形状であって開口面における断面積が大きくなっている。このため無電解銅めっき液及び電解めっき液は、円錐形状のスルーホール１３内に容易に進入及び循環できるので、このスルーホール内側面に、迅速に無電解銅めっき層１５ａ及び電解めっき層１５ｂを形成することができる。

ところで無電解銅めっき層１５ａの密着性を向上させるためには、スルーホール１３の内側面を粗化または改質する必要がある。ここで絶縁性基体１の表面を粗化する手段として、エッチング液に浸漬する手段を用いると、ＬＥＤ実装用凹部１１の表面も粗化されてしまい、反射率が低下する。そこでレーザー光や紫外線等を照射して、スルーホール１３の内側面を選択的に粗化または改質すれば、ＬＥＤ実装用凹部１１の表面は粗化されない。かかる場合、スルーホール１３が、裏面に向かって断面積が大きくなる円錐形状であれば、このスルーホールの内側面に、裏面からレーザー光や紫外線等を照射し易くなり、より確実に粗化または改質を行うことができる。

さて図３に示すように、内側面に無電解銅めっき層１５aと電解めっき層１５ｂとを積層したスルーホール１３の内側空間には、半田ろう等の熱伝導体５が充填される。したがってＬＥＤチップ２で発熱した熱は、導電体であるダイボンド３及び熱伝導体５を介して、この熱伝導体の下端部に接する実装用導体パターン１７に伝達する。

したがって図３に示すように、ＬＥＤパッケージをプリント基板Ａに搭載して、
実装用導体パターン１７を導体Ｂに接続すれば、ＬＥＤチップ２で発熱した熱は、このプリント基板や導体に速やかに逃がすことが可能となる。なお熱伝導体５の下端部は断面積が大きくなっているため、この下端部をプリント基板Ａの導体Ｂに接続すれば、より速やかに熱を逃がすことが可能となる。また図３に示すように、絶縁性基体の側面に延伸する実装用導体パターン１７を、半田ろう６によって、プリント基板Ａの導体Ｂに接続すれば、さらに速やかに熱を逃がすことが可能となる。

図４にＬＥＤパッケージの他の実施の形態を示す。このＬＥＤパッケージでは、ダイボンド１０３の中央部分には開口１３１が形成されており、スルーホール１１３の内部空間に充填された熱伝導体１０５の上端部は、この開口を貫通して、ＬＥＤチップ１０２の底部に接触している。なおダイボンド１０３の中央部分の開口１３１は、このダイボンドを、スルーホール１１３の上端部に塗布するときに、このダイボンドを、このスルーホールの上端部の開口から流下させて形成する。

図５〜図７に示すＬＥＤパッケージは、ＬＥＤ実装用凹部２１１の表面に、反射めっき層２１８を形成する点においてのみ、上述したＬＥＤパッケージと相違する。すなわちＬＥＤ実装用凹部２１１の表面に形成する反射めっき層２１８は、絶縁性基体２０１の表面において、実装用導体パターン２１７と同時に形成する。実装用導体パターン２１７は、絶縁性基体２０１の裏面に開口するスルーホール２１３の内側面に形成した無電解銅めっき層２１５ａ及び電解めっき層２１５ｂと連結している。また絶縁性基体２０１の表面には、ボンディングワイヤ接合用導体パターン２１６を、実装用導体パターン２１７と同時に、かつ相互に分離して形成する。

図７に示すように、ＬＥＤチップ２０２は、反射めっき層２１８を形成したＬＥＤ実装用凹部２１１の底部２１２に、ダイボンド２０３によって接合する。そしてＬＥＤチップ２０２の上端に位置する電極は、ボンディングワイヤ２０４によって、ボンディングワイヤ接合用導体パターン２１６に連結する。

以上の構成において、ＬＥＤチップ２０２には、ボンディングワイヤ２０４と、スルーホール２１３の内側面に形成した無電解銅めっき層２１５ａ及び電解めっき層２１５ｂとによって通電する。またＬＥＤチップ２０２で発熱した熱は、スルーホール２１３の内側空間に充填した熱伝導体２０５を経由して、プリント基板Ａの導体Ｂに放熱される。

さて次に、図１〜図３を参照しつつ、上述したＬＥＤパッケージの製造方法について概説する。まず芳香族系ポリアミド（９Ｔナイロン）（例えば株式会社クラレの製品「＃ＴＡ１１２」）を射出成形して、ブロック状の基体１を形成する。なおＬＥＤ実装用凹部１１、平坦面１２、及びスルーホール１３は、射出成形と同時に形成される。

次に絶縁性基体１において、無電解銅めっき層を形成する部分に、レーザー光を照射して、表面改質すると共に粗化する。後工程において形成する無電解銅めっき層の絶縁性基体１に対する密着性を向上させるためである。具体的には、ＬＥＤ実装用凹部１１の底部１２、この絶縁性基体の裏面に開口する円錐形状のスルーホール１３の内側面、この絶縁性基体の表面に形成するボンディングワイヤ接合用導体パターン１６、及びこの絶縁性基体の表面から側面を経由して、裏面のスルーホールに延伸する実装用導体パターン１７の部分を表面改質すると共に粗化する。

なおこのレーザー光の照射によって、照射面に官能基が生成されると共に、表面の粗度が１０点平均で８０μｍ程度に粗化される。但し絶縁性基体１においてレーザー光が照射されない面は、表面改質や粗化されないため、疎水性が維持され、次工程において触媒が密着しないため、無電解銅めっき層も成形されない。特にＬＥＤチップ２からの光を反射させるＬＥＤ実装用凹部１１の表面は、レーザー光が照射されずに粗化されないため、高い反射率を得ることができる。

次に粗化面に触媒が吸着しやすいように、絶縁性基体１をアルカリ洗浄し、さらに表面を活性化する。ここでアルカリ洗浄は、例えば温度が５０℃で濃度が５０ｇ／リットルの水酸化ナトリウムの水溶液に、絶縁性基体１を５分間浸漬して行なう。次いで活性化は、例えば界面活性剤（例えば荏原ユージライト株式会社の製品「ＰＢ−１１９Ｓ」）を５０ｃｃ／リットルに希釈して、温度を２５℃に設定した水溶液に、絶縁性基体１を５分間浸漬して行なう。

次にパラジウムイオン触媒（例えば荏原ユージライト株式会社の製品「＃ＡＣＴ−Ｓ」）を、濃度０．０６％の塩酸の水溶液（ｐＨ２．０）によって５０ｐｐｍのイオン濃度に希釈して、温度を２５℃に設定したイオン触媒液に、活性化した絶縁性基体１を２分間浸漬して、レーザー光を照射した面にパラジウムイオン触媒を吸着させる。なおパラジウムイオン触媒（例えばアトテック ジャパン株式会社の製品「＃ネオガント８３４」）を、例えば苛性ソーダの水溶液（ｐＨ １０．５）によって５０ｐｐｍのイオン濃度に希釈し、温度を４０℃に設定して、上記活性化した基体１を５分間浸漬してもよい。レーザー光を照射した面は、表面改質されて官能基が生成されているため、パラジウムイオン触媒が、改質層内に入り込んで官能基と反応して、この改質層内に強固に定着する。ただしレーザー光によって粗化されていない面には、パラジウムイオン触媒は吸着されない。

次いで温度が２５℃、濃度が１．５ｇ／リットルの水素化ホウ素ナトリウムの水溶液に、絶縁性基体１を浸漬して、吸着させたパラジウムイオン触媒を、パラジウム金属に還元する。パラジウムイオン触媒は、レーザー光を照射して表面改質された改質層内に強固に定着しているため、還元されたパラジウム金属も、改質層内に強固に吸着する。なおパラジウム金属が吸着した絶縁性基体１を、上述した界面活性剤の水溶液に浸漬する工程を入れてもよい。吸着したパラジウム金属の表面を、酸化層等を除去して活性化し、次の無電解銅めっき層の析出を促進するためである。

次に絶縁性基体１を無電解銅めっき液に浸漬して、改質層内で強固に定着したパラジウム金属を核として銅金属を析出させ、無電解銅めっき層１４ａ〜１７ａを成形する。例えば液温を５０℃に設定した無電解銅めっき液（例えば荏原ユージライト株式会社の製品「ＡＩＳＬ−５２０」）に、絶縁性基体１を１５分間程度浸漬する。これにより、厚さ０．５〜０．８μの無電解銅めっき層１４ａ〜１７ａが成形される。なお非めっき部分に、析出反応初期段階の無電解銅めっきの残滓が残存する場合には、温度４０℃に設定した、濃度１０ｇ／リットルの過硫酸の水溶液に、絶縁性基体１を２０秒前後浸漬すれば、この残存する無電解銅めっきの残滓を、確実に除去することができる。

次に無電解銅めっき層１４ａ〜１７ａの表面に、電解めっき層１４ｂ〜１７ｂを積層する。電解めっき層１４ｂ〜１７ｂは、それぞれ電解銅めっき層を８〜１２μｍ積層し、その電解銅めっき層の表面に、電解光沢ニッケルめっき層を３〜４μｍ積層して形成する。さらに電解光沢ニッケルめっき層の表面に、耐食性を向上させる等のために、電解金めっきを積層する。ここでめっき金属である金は高価であるため、まず電解パラジウムメッキを０.１μｍ程度積層し、その表面に電解金メッキ層を０．０３〜０．０５μｍ積層する。なおこれらの電解めっきは、一般的な電解めっき手段を使用することができる。

次にＬＥＤ実装用凹部１１の底部１２に形成された無電解めっき層１４aに積層した電解めっき層１４ｂの表面に、銀ペーストからなるダイボンド３によって、ＬＥＤチップ２を接合する。またＬＥＤチップ２の上面を、金線からなるボンディングワイヤ４によって、ボンディングワイヤ接合用導体パターン１に電気的に連結する。次にスルーホール１３の内側空間に半田ろう等の熱伝導体５を充填する。最後にＬＥＤ実装用凹部１１に、エポキシ樹脂等の透明の封止剤７を充填し、ＬＥＤチップ２、ボンディングワイヤ４及びＬＥＤ実装用凹部１１を密封する。

上述した方法で製作したＬＥＤパケージは、図３に示すようにプリント基板Ａに搭載して、絶縁性基板１の裏面に露出する熱伝導体５の下端や実装用導体パターン１７を、プリント基板Ａの導体Ｂに接合することができる。

封止剤の漏れを防止すると共に、ＬＥＤチップの発熱を逃がしつつ小型軽量化が容易となるため、ＬＥＤパッケージや電子機器等に関する産業に広く利用可能である。

１、２０１ 絶縁性基体
１１、２１１ ＬＥＤ実装用凹部
１２、２１２ 底部
１３、１１３、２１３ スルーホール
１４ａ 無電解銅めっき層（無電解めっき層）
１４ｂ 電解めっき層
１５ａ、２１５ａ 無電解銅めっき層（無電解めっき層）
１５ｂ，２１５ｂ 電解めっき層
１６，２１６ ボンディングワイヤ接合用導体パターン
１６ａ 無電解銅めっき層（無電解めっき層）
１６ｂ 電解めっき層
１７，２１７ 実装用導体パターン
１７ａ 無電解銅めっき層（無電解めっき層）
１７ｂ 電解めっき層
１８ 反射めっき層
２、１０２、２０２ ＬＥＤチップ
３、１０３，２０３ ダイボンド
４、２０４ ボンディングワイヤ
５、１０５、２０５ 熱伝導体
６ 半田ろう

Claims (7)

1. 絶縁性基体とＬＥＤチップとを備え、
   上記絶縁性基体の表面には、ＬＥＤ実装用凹部が形成されており、
   上記絶縁性基体の裏面と上記ＬＥＤ実装用凹部の底部とは、スルーホールで連通しており、
   上記ＬＥＤ実装用凹部の底部とスルーホールの内側面とには、それぞれ無電解めっき層が形成されており、
   上記絶縁性基体の表面には、無電解めっき層によるボンディングワイヤ接合用導体パターン形成されており、
   上記絶縁性基体の裏面には、無電解めっき層による実装用導体パターンが形成されており
   上記実装用導体パターンは、上記ボンディングワイヤ接合用導体パターンとは分離して形成されると共に、上記絶縁性基体の裏面に開口する上記スルーホールに形成された無電解めっき層に連結しており、
   上記ＬＥＤチップは、上記ＬＥＤ実装用凹部の底部に形成された無電解めっき層の表面にダイボンドによって接合され、
   上記ＬＥＤチップは、ボンディングワイヤによってボンディングワイヤ接合用導体パターンに連結され、
   上記無電解めっき層が形成されたスルーホールの内側空間は、熱伝導体が充填してある
   ことを特徴とするＬＥＤパッケージ。
2. 絶縁性基体とＬＥＤチップとを備え、
   上記絶縁性基体の表面には、ＬＥＤ実装用凹部が形成されており、
   上記絶縁性基体の裏面と上記ＬＥＤ実装用凹部の底部とは、スルーホールで連通しており、
   上記ＬＥＤ実装用凹部とスルーホールの内側面とには、それぞれ無電解めっき層が形成されており、
   上記絶縁性基体の表面には、無電解めっき層によるボンディングワイヤ接合用導体パターン形成されており、
   上記絶縁性基体の裏面には、無電解めっき層による実装用導体パターンが形成されており
   上記実装用導体パターンは、上記ボンディングワイヤ接合用導体パターンとは分離して形成されると共に、上記絶縁性基体の裏面に開口する上記スルーホールに形成された無電解めっき層に連結しており、
   上記ＬＥＤチップは、上記無電解めっき層が形成されたＬＥＤ実装用凹部の底部にダイボンドによって接合され、
   上記ＬＥＤチップは、ボンディングワイヤによってボンディングワイヤ接合用導体パターンに連結され、
   上記無電解めっき層が形成されたスルーホールの内側空間は、熱伝導体が充填してある
   ことを特徴とするＬＥＤパッケージ。
3. 前記スルーホールは、前記絶縁性基体の裏面に向かって断面積が増加するように形成されており、
   前記無電解めっき層が形成されたスルーホールの上端部は、前記ＬＥＤ実装用凹部の底部に形成された無電解めっき層に開口している
   ことを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤパッケージ。
4. 前記ダイボンドの中央部分には、開口が形成され、
   前記熱伝導体は、上記ダイボンドの中央部分に形成された開口を貫通して、前記ＬＥＤチップの底面に接触している
   ことを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤパッケージ。
5. 前記無電解めっき層の表面には、いずれも電解めっき層が積層してある
   ことを特徴とする請求１乃至４のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
6. 前記熱伝導体は、半田ろうである
   ことを特徴とする請求１乃至５のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
7. 前記絶縁性基体は、熱可塑性樹脂を射出成形したものであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。

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