CN102315364A - Led组件、led封装体和配线基板及其制造方法 - Google Patents

Led组件、led封装体和配线基板及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种特别适于小尺寸的LED芯片的LED组件、LED封装体和配线基板及其制造方法，其具有如下特征：1)虽然为单面配线基板但散热性良好、2)薄型、3)配线图案难以影响LED芯片的光的反射、4)配线图案上的镀层可以不使用镀银。所述LED组件具有至少第1面侧的波长为450nm的光的全反射率为80％以上的电绝缘材料、贯通前述电绝缘材料的导通孔、在前述电绝缘材料的第2面侧设置的配线图案、以及在前述导通孔内设置的与前述配线图案电导通的金属填充部，在前述电绝缘材料的第1面侧且前述金属填充部的表面上接合LED芯片，并对前述LED芯片进行树脂密封。

Description

LED组件、LED封装体和配线基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及LED组件、LED封装体和用于LED组件、LED封装体的配线基板及配线基板的制造方法。
背景技术
近年来，从节能和减少CO2排放等观点出发，以手机和笔记本电脑为代表的使用液晶显示的移动设备、使用LED背光的被称作“LED-TV”的液晶电视、以及把LED组件作为光源的LED电灯泡等这样的以LED芯片为光源的商品逐渐增加。
这些商品中，组装有在1)环氧玻璃基板、2)铝基基板、3)陶瓷基板等配线基板上安装了LED芯片的LED组件或LED封装体。另外，也有其他的组装有在引线框上安装LED芯片并用白色成型树脂成型的LED封装体的商品。
用于这些LED组件或LED封装体的LED芯片通常使用GaN系蓝色LED芯片，并用混入了可将蓝色的光波长转换为白色的荧光体的密封材料进行密封从而形成发白光的结构。就GaN系蓝色LED芯片而言，由于要求将其发光特性的差异抑制到小水平，因此以例如0.25mm×0.35mm方形等的小尺寸使用。
图12表示以往技术的一例。以往的LED组件使用如下构成的LED组件：使用在由前述1)～3)那样的材料构成的基材1的一面设置粘接剂层2、并用铜箔进行图案化而形成配线图案5的配线基板，并在前述配线图案5上搭载LED芯片7，再用引线8进行接合，最后用密封材料9进行密封。
可是，在LED组件或LED封装体上搭载的LED芯片伴随着大量的发热。由于该发热会对制品的寿命和制品的发光效率造成影响，因此研究了各种散热对策。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-235778号公报([0005]～[0012])
专利文献2：日本特开2009-54860号公报([权利要求1]、[权利要求5]、图1～5)
发明内容
发明要解决的课题
使用了上述1)～3)的配线基板或引线框通常使用200μm以上的厚度的材料，从而在使LED组件和LED封装体薄型化的场合成为障碍。
另一方面，为了防止LED芯片的温度上升，通常，重要的是优化从LED芯片搭载面向搭载的配线基板的背面侧的热传导。因此，必须注意配线基板的厚度。
在使用厚的配线基板的情况下，优选设置用于热传导的导通孔或散热器。图13表示以往技术中的具有散热器的LED组件的一例。该结构为：在图12所示的结构中，作为配线基板，在LED芯片7的正下方形成导通孔4，再在其中设置填充有金属的金属填充部6并在配线图案5的相反面设置散热器H。为了制造这样的LED组件、LED封装体，通常使用双面配线基板或使厚的散热器一体化来形成LED封装体，这从轻薄短小化和低成本化的观点出发，限定于用大电流驱动LED芯片的情况等。
另外，为了最大限度地有效利用LED芯片发出的光，从基板侧反射光是重要的，除了使用白色的陶瓷基板的情况以外，通常是在为了接合而露出的配线表面实施镀银，并在含配线的基板表面印刷白色树脂或用注射成型的白色树脂进行覆盖。
这种结构时，就镀银而言，难以管理在镀银加工时产生的不均匀和色调等外观，且LED封装体形成后通过硫化等也会变色，从而存在光的反射率容易下降这样的问题。
另外，就可印刷的白色树脂而言，由于是微小的LED芯片，因此，为了微小的LED芯片接合和引线接合，不得不设置微小的开口，印刷这样的微小开口存在开口位置和开口形状的精度上的问题。而且，可印刷且可利用光刻法加工的白色树脂与上述只能印刷的白色树脂相比，存在耐热性稍差这样的问题。
另一方面，可注射成型的白色树脂在LED封装体这样的注射成型的容积小的情况下，存在白色树脂的使用效率非常低这样的问题。
鉴于上述问题，本发明提供一种特别适于小尺寸的LED芯片的LED组件、LED封装体和配线基板及其制造方法，所述LED组件具有如下特征：1)虽然为单面配线基板但散热性良好、2)薄型、3)配线图案难以影响LED芯片的光的反射、4)配线图案上的镀层可以不使用镀银。
解决课题的方法
为了达成上述目的，本发明如下所述地构成。
本发明所涉及的LED组件的特征为，具有：至少第1面侧的光(波长为450nm)的全反射率为80％以上的电绝缘材料、贯通前述电绝缘材料的导通孔、在前述电绝缘材料的第2面侧设置的配线图案、以及在前述导通孔内设置的与前述配线图案电导通的金属填充部，在前述电绝缘材料的第1面侧且前述金属填充部的表面上接合LED芯片，并对前述LED芯片进行树脂密封。
另外，本发明所涉及的LED封装体的特征为，以含有1个以上LED芯片的单位，对本发明所涉及的LED组件进行单片化。
另外，本发明所涉及的配线基板的特征为，具有：至少第1面侧的光(波长为450nm)的全反射率为80％以上的电绝缘材料、贯通前述电绝缘材料的导通孔、在前述电绝缘材料的第2面侧设置的铜配线图案、以及在前述导通孔内与前述铜配线图案电导通的金属填充部，就前述电绝缘材料的第1面侧而言，前述金属填充部从前述电绝缘材料露出。
另外，本发明所涉及的配线基板的制造方法的特征为，依次进行以下工序：在前述电绝缘材料上形成前述导通孔的工序；在前述电绝缘材料的第2面侧层压金属箔的工序；以及从前述电绝缘材料的第1面侧形成前述金属填充部的工序。
另外，在根据用途而配线基板要求柔性的领域，作为电绝缘材料，优选使用弯曲半径R为50mm以下的材料。
发明效果
根据本发明，能够提提供一种特别适于小尺寸的LED芯片的LED组件、LED封装体和配线基板及其制造方法，所述LED组件具有如下特征：1)虽然为单面配线基板但散热性良好、2)可为薄型、3)配线图案难以影响LED芯片的光的反射、4)配线图案上的镀层可以不使用镀银。
附图说明
图1为表示本发明的一实施例的LED组件的1单元的截面图。
图2为表示本发明的配线基板的制造工序的图。
图3为表示本发明的一实施例的LED组件的1单元，(a)为LED芯片搭载前的配线基板的平面图，(b)为散热用金属填充部6a的形状为短形状的变形例的LED芯片搭载后的配线基板的顶视图，(c)为图3(b)的后视图。
图4为表示本发明的一实施例的LED组件，从LED芯片搭载面侧观察的(a)顶视图、(b)底视图、(c)用保护膜包覆供电用配线时的底视图。
图5为表示本发明的一实施例的LED组件的1单元的截面图。
图6为表示本发明的一实施例的LED组件的1单元，从LED芯片搭载面侧观察的(a)顶视图、(b)底视图。
图7为表示本发明的一实施例的LED组件的1单元的(a)截面图、(b)底视图，(c)、(d)为(a)的变形例的截面图。
图8为表示本发明的一实施例的LED组件的1单元的(a)截面图、(b)顶视图。
图9为表示本发明的一实施例的LED组件的1单元的(a)截面图、(b)顶视图。
图10为表示本发明的一实施例的LED组件的1单元的(a)截面图，(b)、(c)为表示(a)的变形例的截面图。
图11为表示本发明的一实施例的LED组件的1单元的(a)截面图，(b)为表示(a)的变形例的截面图。
图12为源自以往一般的单面基板的LED组件的1单元的截面图。
图13为利用了以往一般的双面配线基板的LED组件的1单元的截面图。
图14表示作为本发明的参考实施方式的在一般的单面基板施加包埋电镀而制作LED组件的情况的1单元，(a)～(e)为用于LED组件的配线基板的制造工序，(f)为完成的LED组件的截面图。
符号说明
1 基材，2 粘接材料层，3 白色绝缘材料，4、4a、4b  导通孔，5a  散热用配线图案，5b 供电用配线图案，6 金属填充部，6a 散热用金属填充部，6b 电导通用填充部，7 LED芯片，8 引线，9 密封材料，10 保护膜，11 电绝缘材料，12 隔障，13 凸块(半导体芯片侧)，14 凸块(金属填充部侧)，15 铜箔，16 反射板，H 散热器
具体实施方式
以下就用于实施本发明的最佳实施方式进行说明。
<实施例1>
图1表示本发明的一实施方式的LED组件(1单元)的截面图，图2表示其制造工序的一例。为了说明本发明的制造方法，以TAB(Tape AutomatedBonding)的制造方法为基准进行说明，但也可适用于刚性基板或柔性基板等其他的配线基板的印刷方法。
如图1所示，本实施例中的LED组件和配线基板具有：电绝缘材料11，贯通电绝缘材料11的导通孔4a、4b，在电绝缘材料11的第2面侧设置的散热用配线图案5a、供电用配线图案5b，在导通孔4a、4b内设置的与配线图案电导通的散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b；并且在电绝缘材料11的第1面侧且散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b的前端使用引线8接合LED芯片7，再用密封材料9对LED芯片7进行树脂密封。
就电绝缘材料11而言，在本实施例中使用在基材1的一面粘接粘接剂层2、在另一面粘接白色绝缘材料3而成的材料。其中，只要基材1自身的光反射率为80％以上且为白色，则可以没有白色绝缘材料3。也就是说，形成LED芯片7搭载面的最表层的材料只要使用反射率高(80％以上)且白色的材料即可。
基材1优选为含有聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、环氧树脂、芳香族聚酰胺中的任意一种树脂的膜。电绝缘材料11可以通过在将白色绝缘材料3涂布于基材1上而形成的材料上层压或涂布热固化性的粘接材料层2来制造。此时，例如如果基材1使用以弹性率高的芳香族聚酰胺为主成分的膜，则基材1也可以制造成4μm薄。热固化性的粘接材料可以从TAB用或柔性基板用的粘接材料和覆盖膜用粘接材料中选择，但从电绝缘性和耐热性的观点出发，优选环氧系的粘接材料。如果列举制造商，则可选自巴川制纸所、东丽、有泽制作所等。作为可使用于电绝缘材料11的材料，例如可举出三井化学或东洋纺的涂布了白色涂层的聚酰亚胺膜、有泽制作所的涂布了粘接材料的白色覆盖膜。电绝缘材料11为了适用于在TAB的制造工序中流行的所谓卷对卷方式，可以能够以卷形式操作的宽度进行切分(未图示)。
基于图2说明这些制造方法。
首先，如图2(a)所示，准备在基材1的一个面上具有白色绝缘材料3、在相反面上具有粘接材料层2的电绝缘材料11。
如图2(b)所示，在电绝缘材料11上使用冲压机形成导通孔4a、4b。此时，根据需要也可开设链齿孔(未图示)和定位用的孔(未图示)。也可以使用冲压机以外的公知的方法形成导通孔。
如图2(c)所示，在电绝缘材料11的粘接材料层2上层压铜箔15。铜箔15通常优选从18～70μm左右的厚度中选定，但并不限定于此。就层压而言，优选使用可在常压或减压环境下作业的辊式层合机。层压时的条件可以以粘接材料制造商标示的参考条件为基准来选定。在许多热固化性粘接材料的情况下，通常层压结束后在150℃以上的高温下进行后固化。这时的条件也只要以粘接材料制造商的参考条件为基准来决定即可。
如图2(d)所示，在导通孔4a、4b中通过电镀铜进行包埋电镀，从而形成散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b。关于包埋电镀的方法，只要使用特开2003-124264号公报等所公开的公知的技术即可。具体而言，利用电镀用遮蔽胶带(未图示)遮蔽铜箔15的与导通孔4a、4b形成面相反的面后，在露出的铜箔15上进行镀铜，从而在导通孔4a、4b内设置散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b。此时，通过改变铜镀液的种类和电镀条件，可以将散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b的前端形成为凸状或凹状或平坦。另外，散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b的高度也可根据电镀条件(主要是电镀时间)任意地调整。另外，根据电镀液和电镀条件，可以使金属填充部的前端的直径比导通孔大。另外，关于铜镀液及其使用方法，由于能够容易地从EBARA-UDYLITE、ATOTECH等销售铜镀液的制造商购入，因此省略详细的说明。
如图2(e)所示，对铜箔15进行图案化从而形成散热用配线图案5a、供电用配线图案5b。对于散热用配线图案5a、供电用配线图案5b的图案化，进行公知的光刻法的一系列操作，即：将散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b形成时使用的铜箔15表面的遮蔽胶带剥落后，在铜箔15上涂布抗蚀剂，对抗蚀剂曝光、显影之后蚀刻铜箔15，剥落抗蚀剂膜。也可以取代抗蚀剂而使用干膜。另外，进行铜箔15的图案化时，进行了包埋电镀的表面优选通过粘贴遮蔽胶带或涂布背面固定材料来防御蚀刻液等药液。
接着，根据需要，在散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b的露出表面上进行含金、银、钯、镍、锡的任意一种金属的电镀(未图示)。在前工序的包埋电镀侧贴附有遮蔽胶带的情况下，剥落遮蔽胶带后再进行。此时，铜箔的图案面与包埋电镀面侧相互遮蔽，并且可实施不同种类的电镀，也可实施相同种类的电镀。另外，为了减少电镀的面积，铜箔的图案面可以预先对不需要电镀的部分使用抗蚀剂或覆盖膜覆盖之后再进行电镀。
如上所述，本发明的LED组件、LED封装用的配线基板以卷形式完成。
通常的TAB中，如图12所示，在配线图案5面侧安装LED芯片7，但在本发明中，如图1所示，是在位于以往技术中的安装面的相反侧的包埋电镀(散热用金属填充部6a)的表面上安装LED芯片7。
观察如此完成的配线基板的1单元的图案，如图3(a)所示，在白色涂层面(白色绝缘材料3或白色基材1)中形成只能看见散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b的前端部分的外观。只要改变该散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b的大小和形状，则如图3(b)所示，也可将散热用金属填充部6a的LED芯片7搭载面减小至从发光面观察LED封装时比LED芯片7大一圈的程度。如果这样的话，在光反射的观点上，将电镀种类限定于镀银的必要性降低。
另外，如图3(c)所示，相反侧的配线图案面只要确保供电需要的截面积的配线图案(供电用配线图案)5b即可，就其以外的图案而言，作为与导通孔4a的散热用金属填充部6a直接连接的、与供电用配线图案5b电绝缘的散热用配线图案5a，可以确保宽的面积。
作为一例，在使用由白色涂层20μm、基材10μm、粘接材料10μm构成的电绝缘材料的情况下，可以在仅40μm高的金属填充部上连续地设置任意厚度的散热用图案，如果其材质为铜，则能够使用有效利用铜的高热导率的热阻小的配线基板。
接着，串联3个图案而成的LED组件的白色涂层面侧的图像示于图4(a)。此处，虽然未图示，未搭载LED芯片的状态为配线基板的图像。如上所述，在形成配线基板的阶段，大特征点是：在白色涂层面侧上只能看见包埋电镀的表面。
接着，背面的图像示于图4(b)。具有如下特征：与对LED芯片7的供电用配线图案5b相比，可以增大LED芯片7的散热用配线图案5a的面积。作为一例，如图4(c)所示，如果用抗蚀剂或覆盖膜等保护膜10覆盖供电用配线图案5b则能够只露出散热用配线图案5a，因此也可以通过比保护膜10厚的热导率高的粘合材料或粘接材料(未图示)将散热用配线图案5a与其他散热体贴紧。另外，如果在散热体上设置回避抗蚀剂和覆盖膜的厚度的洼坑，则也可以用薄的粘合材料或粘接材料贴紧。另外，作为粘接材料，还可使用焊锡。
虽然未图示，接下来关于在该配线基板上安装GaN系蓝色LED芯片的方法进行阐述。
首先，准备搭载于晶片环或托盘的状态的LED芯片，使用LED用固晶机将其接合。作为晶片接合材料，通常为有机硅系材料，但在固晶机上无涂布机构的情况时，使用固晶机之前，将晶片接合材料涂布于进行晶片接合的金属填充部的前端。
另外，当配线基板不以卷轴形式安装于固晶机时，只要切成适当的长度后再贴附于引线框的外框那样的口字形的金属框等，则能够作为模拟引线框使用。
晶片接合后，进行晶片接合材料的固化。通常在150℃固化1小时左右，但只要以晶片接合材料制造商的参照值为基准即可。
接着，进行在减压环境下的等离子体清洗。此时，通常使用氩和氧的混合气体。由此进行被晶片接合材料固化时产生的气体污染了的LED芯片的焊盘的清洗。
接着，用焊线机进行LED芯片和用于供电的金属填充部的引线接合。作为一例，如果在LED芯片侧通过引线形成凸块，并在金属填充部进行第1接合、在LED芯片侧的凸块(电极)上进行第2接合，则能够提高温度循环试验的耐性。
另外，也可相对于各个LED芯片形成隔障。这种情况下的截面图示于图5(a)、(b)，在LED芯片7的周围贴附具有密封材料9封入用的开口部的不同树脂或金属片来作为密封树脂的隔障12，然后，通过浇注混入了可将蓝色LED的光波长转换为白色的荧光体的密封材料9并进行密封，从而能够制作GaN系的白色LED组件。也可以将其单片化而形成LED封装体。密封材料9的隔障12也可通过使用点胶机等画一笔白色有机硅树脂来形成。通过考虑其反射率和形状，这些隔障12能够具备反射板的功能。这些隔障12可以在多个LED芯片单位中形成，也可以在每个LED芯片中形成。
作为通过单片化而形成LED封装体的方法，例如也可以使用被称作劈刀那样的刀具来切断。
如果对LED组件、LED封装体的背面的配线图案进行非电解电镀，则由于如图6(a)、(b)所示地在用刀具切断的外形部分(图6(a)、图6(b)的外形、A-A’线、B-B’线、C-C’线、D-D’线)上铜图案能够不交叉地形成，因此能够使配线图案的毛口或金属毛口全都不脱落，同时能够延长薄刀具的寿命。
<实施例2>
图7表示本发明的另一实施例。图7(a)表示使用了可倒装芯片安装的LED芯片的LED组件的1单元部分的截面图，图7(b)表示背面图案的一例。实施例2采用倒装芯片结构，即：在设置于电绝缘材料11的导通孔4中设置电导通用金属填充部6b，并且，设置于LED芯片7的凸块13直接与电导通用金属填充部6b进行电连接。
如图7(c)所示，导通孔4的电导通用金属填充部6b可以高于电绝缘材料11的表面。由此，密封材料容易无空隙地填充。
另外，如图7(d)所示，为了容易地进行倒装芯片安装(为了确实地将凸块13和电导通用金属填充部6b进行电连接并减小对LED芯片7的损害)，可以预先在导通孔的电导通用金属填充部6b中设置由金等金属构成的凸块14。该凸块14也能够利用焊线机容易地制作。
<实施例3>
图8表示本发明的又一实施例。实施例3为在前述实施例2的电绝缘材料11上安装用白色树脂成型的反射板16，并往其中浇注密封材料9的实施例。图8(a)表示LED组件的1单元部分的截面图，图8(b)表示图8(a)的顶视图。本实施例中，作为安装反射板16的最简单的方法，有使用白色胶带(未图示)的方法。
另外，图8(a)为将LED芯片7进行倒装芯片连接的图，当然，用引线接合类型的LED芯片也可能是同样的。
<实施例4>
图9表示本发明的其他的实施例。如图9所示，实施例4表示电绝缘材料11的厚度比LED芯片7的厚度薄的情况下的一实施例。这种情况下，可将通孔4a的金属填充部(散热用)去掉或减少来接合LED芯片7，之后灌封白色填充剂(白色抗蚀剂等)来形成反射板16。根据本实施例，还可预见到LED芯片7底面和散热用配线图案5a的热连接距离变小的效果。
<实施例5>
图10表示本发明的其他实施例。虽然前面已阐述，如图10(a)所示，对于散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b，例如通过延长包埋电镀的时间，能够使其高于电绝缘材料11表面。由于突出的金属填充部，有望获得限制柔软的密封材料9移动这样的固着效果。
另外，如图10(b)所示，如果使用于供电的电导通用金属填充部6b的高度比LED芯片7的接合面高，则能够节约引线长度，另外，柔软的密封材料的固着效果也会提高。
另外，如图10(c)所示，通过改变铜镀液或改变电镀条件，也能够使散热用金属填充部6a、电导通用金属填充部6b的前端部分大于导通孔4a、4b。根据本实施例，由于柔软的密封材料9的固着效果变大，因此发挥难以产生例如温度循环试验中的引线断线等可靠性不良的效果。
<实施例6>
图11表示本发明的其他的实施例。实施例6为在1个LED封装体的截面上将密封材料9的形状形成为梯形(图11(a))和倒梯形(图11(b))的实施例。在单片化LED组件而形成LED封装体前，通过将用于单片化的切断线上的密封材料9用刮刀等切成V字型或倒V字型，能够得到该形状，通过切断，能够防止密封材料9的切断面成为断裂面。另外，进行单片化时，由于切断线上形成几乎无密封材料9的状态，因此可以在密封材料9和电绝缘材料11的界面上不给予压力而切断。
另外，如果将图6所示的散热用配线图案5a、供电用配线图案5b那样的配线图案与无电解镀层组合，则会不切断配线图案而只切断电绝缘材料11，因此不会产生配线图案切断时可能产生的金属异物，也可导致用于切断的刀具长寿命化的效果。
<实施例7>
另外，虽然未特别图示，制造3个以上的LED芯片的LED组件时的供电配线图案中的电连接可自由组合串联连接和并联连接。
<实施例8>
另外，虽然未特别图示，构成电绝缘材料的白色绝缘材料可以自由组合有机系白色绝缘材料和无机系白色绝缘材料而构成2层以上。另外，为了使基材和白色绝缘材料之间的粘接良好，可以设置粘接材料或底漆层。
<参考例>
作为本发明的其他实施例，图14(a)～(e)表示对通常的单面配线的TAB进行包埋电镀的制造方法。各图表示LED组件的1单元部分的截面图。首先，准备带粘接材料层2的基材1(图14(a))。接着，通过冲孔进行导通孔4a的开孔(图14(b))。接着，贴合铜箔15(图14(c))，在导通孔4a内通过进行包埋电镀来形成散热用金属填充部6a(图14(d))。然后，在铜箔15上进行图案化从而形成配线图案5(图14(e))，之后根据需要在配线图案5上进行镀层形成或抗蚀剂等保护膜涂布等(未图示)，用引线8对LED芯片7进行接合，从而制造LED组件(图14(f))。该实施例中，虽然没有实施例1中可见的特征点，但某种程度上可以预见到：在设置于LED芯片7的正下方的导通孔4a内形成的散热用金属填充部6a所产生的散热效果。还有有效利用了与本发明不同的包埋电镀的LED组件的一例。

Claims (20)

1.一种LED组件，其特征在于，具有：
至少第1面侧的波长为450nm的光的全反射率为80％以上的电绝缘材料，贯通所述电绝缘材料的导通孔，
在所述电绝缘材料的第2面侧设置的配线图案，以及
在所述导通孔内设置的、与所述配线图案电导通的金属填充部；
在所述电绝缘材料的第1面侧且所述金属填充部的表面上接合LED芯片，并对所述LED芯片进行树脂密封。
2.如权利要求1所述的LED组件，其特征在于，所述电绝缘材料的第1面侧为白色。
3.如权利要求1或2所述的LED组件，其特征在于，所述电绝缘材料至少包含白色绝缘材料、基材、粘接材料，或者至少包含白色基材、粘接材料。
4.如权利要求3所述的LED组件，其特征在于，所述基材或者白色基材含有聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、环氧树脂、芳香族聚酰胺中的任意一种树脂。
5.如权利要求3或4所述的LED组件，其特征在于，所述基材或者白色基材的厚度为4μm以上75μm以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的LED组件，其特征在于，所述金属填充部在前端具有0.1mm以上的平坦部。
7.如权利要求1～6中任一项所述的LED组件，其特征在于，所述金属填充部利用电镀铜而形成。
8.如权利要求1～7中任一项所述的LED组件，其特征在于，在所述金属填充部的前端施加含有金、银、钯、镍、锡中的任意一种元素的镀层。
9.如权利要求1～8中任一项所述的LED组件，其特征在于，所述金属填充部的截面形状为：在从所述电绝缘材料的表面突出的部分中，具有比所述导通孔大的部分。
10.一种LED封装体，其特征在于，以含有1个以上LED芯片的单位，将权利要求1～9所述的LED组件进行单片化。
11.一种配线基板，其特征在于，具有：
至少第1面侧的波长为450nm的光的全反射率为80％以上的电绝缘材料，贯通所述电绝缘材料的导通孔，
在所述电绝缘材料的第2面侧设置的铜配线图案，以及
在所述导通孔内、与所述铜配线图案电导通的金属填充部；
就所述电绝缘材料的第1面侧而言，所述金属填充部从所述电绝缘材料露出。
12.如权利要求11所述的配线基板，其特征在于，所述电绝缘材料的第1面侧为白色。
13.如权利要求11或12所述的配线基板，其特征在于，所述电绝缘材料至少包含白色绝缘材料、基材、粘接材料，或者至少包含白色基材、粘接材料。
14.如权利要求13所述的配线基板，其特征在于，所述基材或者白色基材含有聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、环氧树脂、芳香族聚酰胺中的任意一种树脂。
15.如权利要求13或14所述的配线基板，其特征在于，所述基材或白色基材的厚度为4μm以上75μm以下。
16.如权利要求11～15中任一项所述的配线基板，其特征在于，所述金属填充部在前端具有0.1mm以上的平坦部。
17.如权利要求11～16中任一项所述的配线基板，其特征在于，所述金属填充部利用电镀铜而形成。
18.如权利要求11～17中任一项所述的配线基板，其特征在于，在所述金属填充部的前端施加含有金、银、钯、镍、锡中的任意一种元素的镀层。
19.如权利要求11～18中任一项所述的配线基板，其特征在于，所述金属填充部的截面形状为：在从所述电绝缘材料的表面突出的部分中，具有比所述导通孔大的部分。
20.权利要求11～19中任一项所述的配线基板的制造方法，其特征在于，依次进行以下工序：
在所述电绝缘材料上形成所述导通孔的工序；
在所述电绝缘材料的第2面侧层压金属箔的工序；以及
从所述电绝缘材料的第1面侧形成所述金属填充部的工序。
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