KR102058279B1 - 탄성파 필터 장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

방열성이 우수하고, 감쇠 특성의 열화가 발생하기 어려운, 탄성파 필터 장치를 제공한다. 압전 기판(2)의 제1 주면(2a) 상에 IDT 전극(3, 4) 및 제1, 제2 전극 랜드(5a, 6a)가 형성되어 있고, 압전 기판(2)과 지지층(13)과 커버 부재(14)에 의해 중공부 A가 구성되어 있는 탄성파 필터 장치이다. 압전 기판(2)의 제2 주면(2b)에, 신호 단자(7a)와 그라운드 단자(8a)와 열확산층(9)이 형성되어 있다. 제1, 제2 전극 랜드(5a, 6a)가, 제1, 제2 접속 전극(10, 11)에 의해, 신호 단자(7a) 및 그라운드 단자(8a)에 각각 전기적으로 접속되어 있다. 열확산층(9)이 IDT 전극(3, 4)의 적어도 일부와 압전 기판(2)을 개재하여 중첩되는 위치에 형성되어 있다.

Description

탄성파 필터 장치
본 발명은 탄성파 필터 소자와, 탄성파 필터 소자가 탑재되어 있는 실장 기판을 구비하는 탄성파 필터 장치에 관한 것이다.
하기의 특허문헌 1에 기재된 탄성파 필터 장치에서는, 압전 기판 상에, IDT 전극 및 IDT 전극에 접속된 배선 전극이 형성되어 있다. IDT 전극 및 배선 전극이 형성되어 있는 부분의 주위에, 금속 프레임을 포함하는 프레임재가 형성되어 있다. 이 프레임재의 개구를 덮도록 덮개재가 형성되어 있다. 그것에 의해, IDT 전극 및 배선 전극이 면하는 중공 공간이 형성되어 있다. 압전 기판에는, 복수의 관통 전극이 형성되어 있다. 관통 전극의 일단이 상기 배선 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 관통 전극의 타단이, 압전 기판의 하면에 형성된 단자 전극에 전기적으로 접속되어 있다.
일본 특허 공개 제2009-159195호 공보
상기 탄성파 필터 장치는, 사용 시에 실장 기판 상에 단자 전극측으로부터 실장된다. 한편, 탄성파 필터 장치에서는, 구동 시에 IDT 전극에 있어서 열이 발생한다. 이 열은, 전술한 배선 전극 및 관통 전극을 통해, 단자 전극에 이른다. 따라서, 단자 전극으로부터 어느 정도 열은 방산된다. 그러나, IDT 전극 부분과 압전 기판을 개재하여 대향하는 압전 기판의 하방 부분에는, 수지나 공기 등의 열전도성이 낮은 재료가 존재한다. 그 때문에, 방열성이 충분하지 않았다.
또한, 압전 기판으로서 사용되고 있는 압전 재료는 비교적 유전율이 높다. 그 때문에, 관통 전극간의 정전 용량이 커서, 감쇠 특성이 충분하지 않다는 문제도 있었다.
본 발명의 목적은, 방열성이 우수하고, 감쇠 특성의 열화가 발생하기 어려운 탄성파 필터 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치는, 압전체층을 갖고, 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 소자 기판과, 상기 소자 기판의 상기 제1 주면에 형성되어 있고, 탄성파 필터 소자를 구성하기 위한 적어도 하나의 IDT 전극과, 상기 소자 기판의 상기 제1 주면에 형성되어 있고, 적어도 하나의 상기 IDT 전극에 접속되어 있으며, 신호 전위에 접속되는 제1 전극 랜드와, 그라운드 전위에 접속되는 복수의 제2 전극 랜드와, 상기 소자 기판의 상기 제2 주면에 형성되어 있고, 신호 전위에 접속되는 신호 단자와, 그라운드 전위에 접속되는 복수의 그라운드 단자와, 상기 제1 전극 랜드와, 상기 신호 단자를 접속하고 있는 제1 접속 전극과, 상기 제2 전극 랜드와, 상기 그라운드 단자를 접속하고 있는 제2 접속 전극과, 상기 소자 기판의 상기 제1 주면에 형성된 지지층과, 상기 지지층에 형성된 커버 부재를 구비한다.
상기 지지층과, 상기 커버 부재와, 상기 소자 기판의 상기 제1 주면에 의해, 상기 IDT 전극이 면하는 중공부가 형성되어 있고, 상기 소자 기판의 상기 제2 주면에 형성되어 있고, 상기 소자 기판보다도 열전도율이 높은 재료를 포함하는 열확산층이 더 구비되어 있다. 상기 열확산층은, 상기 소자 기판을 개재하여 상기 IDT 전극의 적어도 일부와 겹쳐 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 어느 특정한 국면에서는, 상기 열확산층이, 적어도 하나의 상기 제2 접속 전극에 접속되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 열확산층이 금속을 포함한다. 이 경우에는, 방열성을 보다 한층 더 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 열확산층의 면적이, 상기 신호 단자의 면적보다도 크다. 이 경우에는, 방열성을 효과적으로 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 및 제2 접속 전극이, 상기 소자 기판의 내부를 관통하고 있다. 이 경우에는, 탄성파 필터 장치의 소형화를 도모할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 소자 기판이, 상기 제1 주면과 상기 제2 주면을 연결하는 측면을 갖고, 상기 제1 및 제2 접속 전극이 상기 측면에 형성되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 및 제2 접속 전극 및 상기 열확산층이 도금막을 포함한다. 이 경우에는, 도금법에 의해, 제1, 제2 접속 전극 및 열확산층을 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 신호 단자가 상기 소자 기판의 상기 제2 주면에 복수 형성되어 있고, 상기 열확산층을 사이에 두고 일방측에 적어도 하나의 신호 단자가 배치되어 있고, 상기 열확산층의 타방측에 나머지의 적어도 하나의 상기 신호 단자가 배치되어 있다. 이 경우에는, 신호 단자간의 아이솔레이션을 높일 수 있다. 따라서, 감쇠 특성의 열화가 보다 한층 더 발생하기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 소자 기판이, 압전체층을 포함하는 압전 기판이다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 소자 기판이, 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 형성되어 있는 상기 압전체층을 갖는다.
본 발명에 따르면, 방열성이 우수하고, 또한 감쇠 특성의 열화가 발생하기 어려운 탄성파 필터 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치가 실장 기판 상에 탑재되어 있는 부분을 도시하는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 정면 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태의 실시예로서의 듀플렉서의 송신 필터의 감쇠량 주파수 특성 및 비교예의 듀플렉서의 송신 필터의 감쇠량 주파수 특성을 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태의 실시예로서의 듀플렉서의 수신 필터의 감쇠량 주파수 특성 및 비교예의 듀플렉서의 수신 필터의 감쇠량 주파수 특성을 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태의 실시예로서의 듀플렉서의 송신 필터의 아이솔레이션 특성 및 비교예의 듀플렉서의 송신 필터의 아이솔레이션 특성을 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치에 있어서, 압전 기판의 두께를 50㎛, 80㎛ 또는 125㎛로 변화시킨 경우, IDT 전극(3)(송신 필터를 형성하는 복수의 IDT)에 전력을 인가한 경우의 열 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 정면 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다.
도 12는 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다.
도 13은 본 발명의 제7 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다.
도 14는 본 발명의 제8 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다.
도 15는 본 발명의 제9 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 정면 단면도이다.
도 16은 본 발명의 제10 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다.
도 17은 본 발명의 제11 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다.
도 18은 본 발명의 제12 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 정면 단면도이다.
도 19는 본 발명의 제13 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 정면 단면도이다.
도 20은 본 발명의 제14 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치가 실장 기판 상에 탑재되어 있는 부분을 도시하는 부분 절결 정면 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명함으로써, 본 발명을 명백하게 한다.
또한, 본 명세서에 기재된 각 실시 형태는 예시적인 것이며, 상이한 실시 형태간에 있어서, 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치가 실장 기판 상에 탑재되어 있는 구조를 도시하는 부분 절결 정면 단면도이고, 도 2는 제1 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 정면 단면도이고, 도 3은 그 저면도이다.
본 실시 형태에 따른 탄성파 장치(1)는 일례로서 듀플렉서이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 탄성파 필터 장치(1)는 소자 기판으로서의 압전 기판(2)을 갖는다. 즉, 본 실시 형태에서는, 소자 기판은, 하나의 압전체층을 포함하는 압전 기판(2)이다. 압전 기판(2)은 압전 단결정 또는 압전 세라믹스 등의 적당한 압전 재료를 포함한다. 압전 단결정으로서는, LiTaO3 또는 LiNbO3를 적합하게 사용할 수 있다.
압전 기판(2) 상에 IDT 전극(3), 및 IDT 전극(4)이 형성되어 있다. IDT 전극(3)은 탄성파 공진자의 일부를 구성하고 있다. 이 탄성파 공진자는, 듀플렉서의 송신 필터의 하나의 탄성파 공진자이다. 송신 필터는 복수의 탄성파 공진자를 포함하고 있다.
IDT 전극(4)은 수신 필터를 구성하기 위한 전극이다. 수신 필터는 종결합 공진자형 탄성파 필터를 포함한다.
압전 기판(2)의 제1 주면(2a) 상에는, IDT 전극(3, 4) 외에, 제1 전극 랜드(5a) 및 제2 전극 랜드(6a)가 형성되어 있다. 제1 전극 랜드(5a)는 IDT 전극(3)에 전기적으로 접속되어 있다. 제2 전극 랜드(6a)는 IDT 전극(4)에 전기적으로 접속되어 있다. 제1 전극 랜드(5a)는 신호 전위에 접속되는 전극 랜드이며, 제2 전극 랜드(6a)는 그라운드 전위에 접속되는 전극 랜드이다.
또한, IDT 전극(3)과 IDT 전극(4) 사이의 영역에, 또 하나의 제2 전극 랜드(6b)가 더 형성되어 있다. 제2 전극 랜드(6b)는 IDT 전극(3, 4)에 전기적으로 접속되어 있다.
압전 기판(2)의 제2 주면(2b) 상에는, 신호 단자(7a∼7c) 및 그라운드 단자(8a∼8e)가 형성되어 있다. 신호 단자(7a∼7c) 및 그라운드 단자(8a∼8e)는 탄성파 필터 장치(1) 외부의 신호 전위 및 그라운드 전위에 접속되는 부분이다.
또한, 제2 주면(2b) 상에는, 열확산층(9)이 형성되어 있다. 열확산층(9)은 압전 기판(2)을 구성하고 있는 압전 재료보다도 열전도성이 높은 재료를 포함한다. 이와 같은 재료로서는, 금속이나 압전 기판(2)보다도 열전도성이 높은 다양한 절연체 혹은 반도체를 사용할 수 있다. 바람직하게는, 열확산층(9)은 열전도성이 높고, 도전성을 갖기 때문에, 금속을 포함한다. 이와 같은 금속으로서는, Al, Cu, Ag, Au, Ti, Ni, Sn, Pd, Cr, NiCr 등을 들 수 있다. 이들 금속을 포함하는 복수의 금속막이 적층되어 있어도 된다. 열확산층(9)의 일부는, IDT 전극(3, 4)의 적어도 일부와 압전 기판을 개재하여 중첩되어 있다.
신호 단자(7a)는 압전 기판(2)을 개재하여 제1 전극 랜드(5a)와 대향하고 있다. 또한, 그라운드 단자(8a)는 제2 전극 랜드(6a)와 압전 기판(2)을 개재하여 대향하고 있다.
동시에, 제2 전극 랜드(6b)는 열확산층(9)과 압전 기판(2)을 개재하여 중첩되는 위치에 형성되어 있다.
제1 접속 전극(10)은 압전 기판(2)의 내부를 관통하도록 형성되어 있다. 제1 접속 전극(10)은 제1 전극 랜드(5a)와, 신호 단자(7a)를 전기적으로 접속하고 있다. 마찬가지로, 제2 접속 전극(11)은 압전 기판(2)의 내부를 관통하도록 형성되어 있다. 제2 접속 전극(11)은 제2 전극 랜드(6a)와, 그라운드 단자(8a)를 전기적으로 접속하고 있다.
또한, 또 하나의 제2 접속 전극(12)은 압전 기판(2)의 내부를 관통하도록 형성되어 있다. 제2 접속 전극(12)은 제2 전극 랜드(6b)와, 열확산층(9)을 접속하고 있다.
상기 제1, 제2 접속 전극(10∼12)은 적당한 금속 혹은 합금을 포함한다. 바람직하게는, 제1, 제2 접속 전극(10∼12) 및 열확산층(9)은 도금법에 의해 형성된다. 즉, 압전 기판(2)에 형성된 관통 구멍 내 및 압전 기판(2)의 제2 주면(2b) 상에 도금막을 형성함으로써, 제1, 제2 접속 전극(10∼12) 및 금속을 포함하는 열확산층(9)을 용이하게 형성할 수 있다. 이 경우, 신호 단자(7a∼7c) 및 그라운드 단자(8a∼8e)도 동 공정에 있어서 도금막에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
하지만, 제1, 제2 접속 전극(10∼12) 및 열확산층(9), 신호 단자(7a∼7c), 그라운드 단자(8a∼8e)는 다른 방법에 의해 형성되어도 된다.
전술한 IDT 전극(3) 및 제1 전극 랜드(5a), 제2 전극 랜드(6a, 6b)도, 적당한 금속 또는 합금을 포함한다.
압전 기판(2)의 제1 주면(2a) 상에 지지층(13)이 형성되어 있다. 지지층(13)은 합성 수지를 포함한다. 하지만, 무기 절연물 등의 절연성 재료를 포함하고 있어도 된다. 또는, 지지층(13)은 금속을 포함하고 있어도 된다. 그 경우에는, 신호 전위에 접속되는 제1 전극 랜드(5a), IDT 전극(3) 및 IDT 전극(4)은 지지층(13)과 전기적으로 접속되지 않는다. 지지층(13)은 그라운드 전위에 접속되는 제2 전극 랜드(6a), 또는 별도로 형성된 그라운드 전위에 접속되는 전극 랜드에 접속함으로써 감쇠 특성이 더욱 좋아진다.
지지층(13)에 의해 형성된 개구부를 덮도록 커버 부재(14)가 적층되어 있다. 그것에 의해, 지지층(13)과, 커버 부재(14)와 압전 기판(2)의 제1 주면(2a)에 의해, IDT 전극(3, 4)이 면하는 중공부(15)가 형성되어 있다.
도 2 및 도 3에서는, 제2 주면(2b) 상에 위치하고 있는 신호 단자(7a∼7c)와, 그라운드 단자(8a∼8e)와, 금속을 포함하는 열확산층(9)을 도시하였다. 여기에서는, 신호 단자(7a)는 송신 단자이며, 신호 단자(7b)는 수신 단자이다. 또한, 신호 단자(7c)는 안테나에 접속되는 단자이다.
상기 안테나에 접속되는 신호 단자(7c)는 열확산층(9)을 사이에 둔 일방측에 배치되어 있고, 열확산층(9)의 반대측에, 신호 단자(7a, 7b)가 형성되어 있다. 즉, 열확산층은, 신호 단자(7a, 7b)와, 신호 단자(7c) 사이에 배치되어 있다. 따라서, 안테나에 접속되는 신호 단자(7c)와, 신호 단자(7a, 7b) 사이의 간섭을 억제할 수 있다. 또한, 신호 단자(7a)와, 신호 단자(7b) 사이에는, 그라운드 단자(8b, 8c)가 배치되어 있다. 따라서, 송신 단자로서의 신호 단자(7a)와, 수신 단자로서의 신호 단자(7b) 사이의 아이솔레이션이 높아지고 있다.
또한, 탄성파 필터 장치(1)에서는, 열확산층(9)이 제2 접속 전극(12)을 통해 IDT 전극(3, 4)에 전기적으로 접속되어 있다. 탄성파 필터 장치(1)에서는, IDT 전극(3, 4)을 여진시키면, 발열한다. 이 열이, 상술한 제2 전극 랜드(6b) 및 제2 접속 전극(12)을 통해, 열확산층(9)에 빠르게 전달된다.
게다가, IDT 전극(3, 4)의 적어도 일부와, 압전 기판(2)을 개재하여 중첩되는 위치에 열확산층(9)이 존재하고 있다. 따라서, IDT 전극(3, 4)으로부터 압전 기판(2) 내를 통과하여, 직접 열확산층(9)에 열이 방산된다. 따라서, 그것에 의해서도, 방열성이 효과적으로 높아진다. 특히, 열확산층(9)의 열전도율은, 압전 기판(2)보다도 높기 때문에, 상기 열확산층(9)을 IDT 전극(3, 4)의 적어도 일부와 중첩되는 영역에 형성함으로써, 방열성이 효과적으로 높아진다.
또한, 상기 열확산층(9)의 면적은, 각 신호 단자(7a∼7c)의 면적보다도 크게 되어 있다. 그것에 의해, 방열성이 보다 한층 더 효과적으로 높아지고 있다.
도 1에 도시한 실장 기판(16)은 절연성 세라믹스 혹은 합성 수지 등을 포함한다. 실장 기판(16)은 서로 대향하는 제1 주면(16a) 및 제2 주면(16b)을 갖는다. 제1 주면(16a) 상에, 제3 전극 랜드(17a), 제4 전극 랜드(18a) 및 제5 전극 랜드(19)가 형성되어 있다. 제3 전극 랜드(17a) 및 제4 전극 랜드(18a)는, 각각, 금속 범프(20a, 21a)를 개재하여, 신호 단자(7a) 및 그라운드 단자(8a)에 접합되어 있다. 또한, 제5 전극 랜드(19)가 접합재(22)를 개재하여 열확산층(9)과 전기적으로 접속되어 있다. 제3 전극 랜드(17a), 제4 전극 랜드(18a) 및 제5 전극 랜드(19)는 적당한 금속 혹은 합금을 포함한다. 한편, 접합재(22)는 본 실시 형태에서는, 금속 범프(20a, 21a)와 마찬가지의 금속 혹은 합금을 포함한다. 따라서, 열확산층(9)으로부터, 접합재(20)를 통해 제5 전극 랜드(19)측으로 더욱 빠르게 열이 방산된다.
하지만, 접합재(22)는 도전성을 반드시 가질 필요는 없고, 열전도성이 압전 기판보다도 높은 접합재에 의해 형성되면 된다.
바람직하게는, 접합재(22)는 금속 범프(20a, 21a)와 동일한 재료를 포함하고, 그 경우에는 동일 공정에서 접합 작업을 행할 수 있다.
탄성파 필터 장치(1)를 실장 기판(16)에 압전 기판(2)의 제2 주면(2b)측으로부터 실장한 경우, 방열성이 효과적으로 높아진다. 즉, IDT 전극(3, 4)의 적어도 일부가 압전 기판을 개재하여 열확산층(9)과 중첩되어 있고, 열확산층(9)과 실장 기판(16) 사이에, 접합재(22)가 배치되어 있기 때문에, 방열성이 효과적으로 높아지고 있다.
전술한 바와 같이, 종래의 탄성파 필터 장치에서는, 압전 기판과 실장 기판 사이에는 공기나 밀봉 수지 등이 존재하고 있어, 방열성이 낮았다.
본 실시 형태에서는, 상기 열확산층(9), 접합재(22)의 존재에 의해, 방열성을 효과적으로 높일 수 있다. 따라서, 도 1에 도시한 구조의 주위를 덮도록 밀봉 수지층을 더 추가하였다고 해도, 방열성을 충분히 높일 수 있다.
게다가, 탄성파 필터 장치에 있어서의 감쇠 특성의 열화도 발생하기 어렵다. 이것을 도 4∼도 6을 참조하여 설명한다.
상기 제1 실시 형태의 탄성파 필터 장치의 실시예로서, 이하의 Band27용의 듀플렉서의 주파수 응답을 구하였다. 또한, Band27용의 듀플렉서에서는, 송신 대역은 807∼824㎒이고, 수신 대역은 852∼869㎒이다.
압전 기판(2)으로서, LiTaO3 기판을 사용하였다. 지지층을 폴리이미드에 의해 형성하였다. 커버재를 폴리이미드에 의해 형성하였다.
듀플렉서는, 압전 기판(2), 지지층(13), 커버재로 둘러싸인 중공부를 갖는다.
IDT 전극(3, 4)은 Al 합금에 의해 형성하였다. 또한, 신호 단자(7a∼7c), 그라운드 단자(8a∼8e) 및 열확산층(9)은 Cu에 의해 형성하고, 두께는 10㎛로 하였다.
또한, IDT 전극(3)을 포함하는 송신 필터는 래더형 필터로 하고, IDT 전극(4)을 포함하는 수신 필터는, 종결합 공진자형의 대역 통과형 필터로 하였다.
비교를 위해, 열확산층(9)을 형성하지 않은 것을 제외하고는, 상기 실시예와 마찬가지로 하여 비교예의 듀플렉서를 얻었다.
도 4는 상기 실시예 및 비교예의 듀플렉서에 있어서의 송신 필터의 감쇠량 주파수 특성을 도시한다. 도 5는 상기 실시예 및 비교예의 듀플렉서에 있어서의 수신 필터의 감쇠량 주파수 특성을 도시한다.
도 6은 상기 실시예 및 비교예에 있어서의 아이솔레이션 특성을 도시하는 도면이다. 도 4∼도 6에 있어서 실선이 실시예의 결과를 나타내고, 파선이 비교예의 결과를 나타낸다.
도 4로부터 명백해지는 바와 같이, 비교예에 비해, 실시예에 따르면, 송신 필터의 감쇠량 주파수 특성에 있어서, 수신 대역에 있어서의 감쇠량을 충분히 크게 할 수 있다. 또한, 수신 대역보다도 고역측의 890㎒ 이상의 주파수 영역에 있어서도, 감쇠량을 충분히 크게 할 수 있다. 따라서, 송신 필터의 대역외 감쇠량의 열화가 발생하기 어렵다.
한편, 도 5로부터 명백해지는 바와 같이, 수신 필터의 감쇠량 주파수 특성에 있어서, 비교예에 비해 실시예에 따르면, 송신 대역에 있어서의 감쇠량, 및 송신 대역보다도 낮은 790㎒ 이하의 주파수 영역에 있어서의 감쇠량을 크게 할 수 있다. 또한, 910㎒ 이상의 주파수 영역에 있어서도, 감쇠량을 크게 할 수 있다. 따라서, 수신 필터의 감쇠 특성 열화도 실시예에서는 발생하기 어려운 것을 알 수 있다.
또한, 도 6으로부터 명백해지는 바와 같이, 송신 필터와 수신 필터 사이의 아이솔레이션 특성에서는, 수신 대역, 790㎒ 이하의 주파수 영역 및 900㎒ 이상의 주파수 영역에 있어서, 아이솔레이션 레벨을 높일 수 있는 것을 알 수 있다.
상기한 바와 같이 듀플렉서의 대역외 감쇠 특성의 열화가 발생하기 어려운 것은, 전술한 바와 같이, 열확산층(9)을 형성함으로써, 방열성이 높아지고 있을 뿐만 아니라, 신호 단자(7a∼7c)의 전극간의 전기적 간섭이 억제되는 것에 의한다고 생각된다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다. 도 3에서는 그라운드 단자(8a∼8e)는 독립되어 있었지만, 도 7에 도시한 제2 실시 형태와 같이, 그라운드 단자(8a∼8e)를 그라운드 전위에 접속되는 열확산층(9)과 접속해 두어도 된다. 이 경우에 있어서도, 신호 단자(7a)와 신호 단자(7b) 사이, 신호 단자(7b)와 신호 단자(7c) 사이, 신호 단자(7a)와 신호 단자(7c) 사이가 열확산층(9) 및 열확산층(9)에 접속되어 있는 그라운드 단자(8b, 8c) 등에 의해 차단되게 된다.
도 8은 제3 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치(31)의 저면도이다. 여기에서는, 신호 단자(7a)와 그라운드 단자(8b) 사이 및 그라운드 단자(8b)와 그라운드 단자(8c) 사이, 및 그라운드 단자(8c)와 신호 단자(7b) 사이에 이르도록, 열확산층(9)에 접속되어 있는 돌출부(9a∼9c)가 형성되어 있다. 또한, 그라운드 단자(8a)와, 신호 단자(7c) 사이에도, 돌출부(9d)가 형성되어 있다. 돌출부(9d)는 열확산층(9)에 접속되어 있다.
그 밖의 점에 대해서는, 탄성파 필터 장치(31)는 탄성파 필터 장치(1)와 마찬가지로 구성되어 있다.
탄성파 필터 장치(31)에 있어서도, 상기 열확산층(9) 및 돌출부(9a∼9d)가 형성되어 있기 때문에, 방열성을 높일 수 있음과 함께, 대역외 감쇠 특성의 열화를 억제할 수 있다. 특히, 열확산층(9)이 상기 돌출부(9a∼9d)도 갖도록 형성되어 있어, 그 면적이 크게 되어 있다. 따라서, 방열성을 보다 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.
도 9는 제3 실시 형태의 탄성파 필터 장치(31)에 있어서, 압전 기판(2)의 두께를 50㎛, 80㎛ 또는 125㎛로 변화시킨 경우, IDT 전극(3)(송신 필터를 형성하는 복수의 IDT)에 전력을 인가한 경우의 열 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다. 도 9에서는 가장 온도가 높아지는 IDT의 온도를 추출하였다.
도 9의 흰 사각이 제3 실시 형태의 결과를 나타내고, 검은 마름모형이 제2 비교예의 결과를 나타낸다. 제2 비교예는, 상기 열확산층(9) 및 돌출부(9a∼9d)가 형성되어 있지 않은 것을 제외하고는, 제3 실시 형태와 마찬가지로 하였다. 도 9로부터 명백해지는 바와 같이, 제2 비교예에 비해, 제3 실시 형태에 따르면, 방열성을 효과적으로 높일 수 있는 것을 알 수 있다. 특히, 압전 기판의 두께가 두꺼워졌다고 해도, 방열성을 충분히 높일 수 있는 것을 알 수 있다.
도 10은 제4 실시 형태에 따른 정면 단면도이다. 탄성파 필터 장치(41)에서는, 제1, 제2 전극 랜드(5b, 6a)가, 압전 기판(2)의 측면(2c, 2d)과 제1 주면(2a)이 이루는 단연까지 인출되어 있다. 그리고, 제1, 제2 접속 전극(10a, 11a)이 측면(2c, 2d) 상에 형성되어 있다. 또한, 제2 주면(2b)에 있어서는, 신호 단자(7a) 및 그라운드 단자(8a)가, 측면(2c) 또는 측면(2d)과 제2 주면(2b)이 이루는 단연에 이르도록 형성되어 있다. 그것에 의해, 제1 전극 랜드(5b)와, 신호 단자(7a)가 제1 접속 전극(10a)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 마찬가지로, 제2 접속 전극(11a)에 의해, 제2 전극 랜드(6a)와, 그라운드 단자(8a)가 전기적으로 접속되어 있다. 이와 같이, 제1, 제2 접속 전극(10a, 11a)과 같이, 압전 기판의 측면 상에 형성되는 접속 전극을 사용해도 된다.
탄성파 필터 장치(41)는 그 밖의 구성은 탄성파 필터 장치(1)와 마찬가지이기 때문에, 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙임으로써 그 설명을 생략한다.
도 11은 제5 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 저면도이다. 탄성파 필터 장치(51)에서는, 압전 기판(2)의 제2 주면(2b) 상에 있어서, 그라운드 단자(8b)와 그라운드 단자(8c)가 파선으로 나타내는 바와 같이 일체화되어 있다. 마찬가지로 그라운드 단자(8d)와 그라운드 단자(8e)도 파선으로 나타내는 바와 같이 일체화되어 있다. 그리고, 그라운드 단자(8a∼8e)가 모두 열확산층(9)과 접속되어 있다. 이와 같이, 모든 그라운드 단자(8a∼8e)가 열확산층(9)과 전기적으로 접속되어 있어도 된다.
탄성파 필터 장치(51)는 상기의 점을 제외하고는, 제1 실시 형태의 탄성파 필터 장치(1)와 마찬가지이다.
도 12에 도시한 제6 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치(61)에서는, 열확산층(9)이 복수의 열확산층(9e, 9f)으로 분할되어 있다. 이와 같이, 열확산층(9)은 복수의 열확산층(9e, 9f)으로 분할되어 있어도 된다. 이 경우에 있어서도, 신호 단자(7a)와 신호 단자(7c) 사이, 신호 단자(7b)와 신호 단자(7c) 사이에 열확산층(9e) 또는 열확산층(9f)이 위치하게 된다. 따라서, 제1 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
도 13은 제7 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치(71)의 저면도이다. 탄성파 필터 장치(71)와 같이, 열확산층(9)은 압전 기판(2)의 제2 주면(2b) 상에 있어서, 한쪽의 단연으로부터 다른 쪽의 단연에 이르도록 형성되어 있어도 된다. 여기에서는, 열확산층(9)에 이어지도록 열확산층(9)의 한쪽 단부로부터 다른 쪽 단부에 걸쳐 연장되고, 또한 제2 주면(2b)의 외주연을 덮는 프레임부(9g, 9h)가 형성되어 있다. 이 프레임부(9g, 9h)는 열확산층(9)과 접속되어 있다.
도 14에 도시한 제8 실시 형태의 탄성파 필터 장치(81)에서는, 열확산층(9)에 이어져 있고, 신호 단자(7a, 7b 및 7c)를 각각 둘러싸도록 형성된 루프부(9i∼9k)가 형성되어 있다. 이와 같이, 각 신호 단자(7a∼7c)의 주위를 그라운드 전위에 접속되는 루프부(9i∼9k)로 둘러쌈으로써, 대역외 감쇠 특성의 열화를 효과적으로 억제할 수 있다.
도 15는 제9 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치(91)의 정면 단면도이다. 탄성파 필터 장치(91)에서는, 압전 기판(2)의 제2 주면(2b) 상에 수지층(92)이 형성되어 있다. 이 수지층(92)을 관통하도록 제1, 제2 접속 전극(10∼12)이 형성되어 있다. 상기 수지층(92) 상에 신호 단자(7a) 및 그라운드 단자(8a)가 형성되어 있다. 탄성파 필터 장치(91)와 같이, 수지층(92)을 형성해도 된다. 그것에 의해 내습성을 높일 수 있다.
도 16은 제10 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치(101)의 저면도이다. 탄성파 필터 장치(101)에서는, 신호 단자(7a∼7c) 및 그라운드 단자(8a∼8e)가, 제2 주면(2b)에 있어서, 압전 기판(2)의 측면과 제2 주면(2b)이 이루는 단연(2c1) 또는 단연(2d1)을 따르도록 형성되어 있다. 탄성파 필터 장치(101)에서는, 신호 단자(7a∼7c) 및 그라운드 단자(8a∼8e)는 직사각형의 평면 형상을 갖고 있다.
도 17에 도시한 제11 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치(111)에 있어서도, 마찬가지로, 단연(2c1) 또는 단연(2d1)을 따르도록, 신호 단자(7a∼7c) 및 그라운드 단자(8a∼8e)가 형성되어 있다. 탄성파 필터 장치(111)에서는, 상기 신호 단자(7a∼7c) 및 그라운드 단자(8a∼8e)는 반원형의 평면 형상을 갖고 있다. 이와 같이, 각 신호 단자 및 그라운드 단자의 평면 형상이나 배치 부분은 특별히 한정되는 부분은 아니다.
또한, 상기 탄성파 필터 장치(101, 111)와 같이, 단연(2c1) 또는 단연(2d1)을 따르도록 신호 단자(7a∼7c) 및 그라운드 단자(8a∼8e)를 형성한 경우, 전술한 제1, 제2 접속 전극으로서, 측면(2c) 또는 측면(2d) 상에 형성되는 접속 전극을 적합하게 사용할 수 있다.
도 18은 본 발명의 제12 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 정면 단면도이다. 탄성파 필터 장치(121)에서는, 압전 기판(2)의 제2 주면(2b)에 오목부(2x)가 형성되어 있다. 제2 주면(2b)은 오목부(2x)의 저면과, 측벽(2e)과 프레임 부분(2f)을 갖는다.
제2 주면(2b)의 오목부(2x)의 저면에, 신호 단자(7a)와, 그라운드 단자(8a)가 형성되어 있다. 여기에서는, 그라운드 단자(8a)와 이어지도록, 열확산층(9A)이 형성되어 있다. 신호 단자(7a) 상에 금속 범프(20a)가 형성되어 있고, 그라운드 단자(8a) 상에 금속 범프(21a)가 형성되어 있다. 금속 범프(20a, 21a)는, 오목부(2x)를 넘어 외부로 돌출되어 있다. 따라서, 금속 범프(20a, 21a)를 사용하여 탄성파 필터 장치(121)를 실장 기판 상의 전극 랜드에 접합할 수 있다.
탄성파 필터 장치(121)에 있어서는, 열확산층(9A)은, IDT 전극(3)과 압전 기판(2)을 개재하여 중첩되는 부분에 위치하고 있다. 또한, 오목부(2x)가 형성되어 있는 분만큼, 압전 기판(2)의 두께는, 열확산층(9A)이 형성되어 있는 부분에 있어서 얇게 되어 있다. 그 때문에, IDT 전극(3)에서 발생한 열이, 제2 전극 랜드(6a) 및 제2 접속 전극(11)을 통해 방열될 뿐만 아니라, 압전 기판(2)을 개재하여 대향하고 있는 열확산층(9A)에 압전 기판(2) 내를 경유하여 빠르게 방산될 수 있다. 따라서, 방열성이 효과적으로 높아진다.
탄성파 필터 장치(121)에서는, 오목부(2x)의 형성에 의해 압전 기판(2)의 두께가 얇게 되어 있기 때문에, 제1 접속 전극(10) 및 제2 접속 전극(11)을 위한 비아 홀 형성이 용이하다.
또한, 도 18에서는 도시하지 않지만, IDT 전극(3)에 전기적으로 접속되어 있는 제3 전극 랜드가, 도시하지 않은 부분에 있어서, 열확산층(9A)에 전기적으로 접속되어 있어도 된다.
또한, 오목부(2x) 내에 합성 수지를 충전하여, 압전 기판(2)의 프레임 부분(2f)과의 사이의 단차를 없애도 된다.
도 19는 본 발명의 제13 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치의 정면 단면도이다. 탄성파 필터 장치(131)에서는, 도 2에 도시한 제2 접속 전극(12)이 형성되어 있지 않다. 또한, 도 2에 도시한 제2 전극 랜드(6b)가 형성되어 있지 않다. 그 대신에, 제2 전극 랜드(6b)가 형성되어 있는 위치에, IDT 전극(132)이 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 열확산층(9)은 제2 전극 랜드에 접속되어 있지 않다. 이 경우에 있어서도, 열확산층(9)이 압전 기판(2)을 개재하여 IDT 전극(132)과 대향하고 있기 때문에, IDT 전극(3, 4, 132)에서 발생한 열이, 압전 기판(2)을 전반하여, 열확산층(9)에 빠르게 전달된다. 그 밖의 구조는, 탄성파 필터 장치(131)는 탄성파 필터 장치(1)와 마찬가지이다.
탄성파 필터 장치(131)에 있어서도 열확산층(9)이 압전 기판(2)의 제2 주면(2b)에 형성되어 있다. 이 열확산층(9)은 탄성파 필터 장치(131)를 도 1에 도시한 실장 기판(16)에 실장한 경우, 도 1에 도시한 제3 전극 랜드(19)에 접합재(22)를 개재하여 접합된다. 따라서, 탄성파 필터 장치(1)의 경우와 마찬가지로, 그라운드 전위에 접속되는 제3 전극 랜드(19)에 전기적으로 접속되게 된다. 따라서, 신호 단자(7a)와 그라운드 단자(8a) 사이의 전기적인 결합을 억제할 수 있다. 따라서, 감쇠 특성을 개선할 수 있다. 게다가, 열확산층(9)이 형성되어 있기 때문에, IDT 전극(3, 4, 132)에서 발생한 열이, 압전 기판(2)을 통해 열확산층(9)에 빠르게 전달된다. 따라서, 방열성도 높아진다.
탄성파 필터 장치(131)에서는, 제2 전극 랜드(6b)를 필요로 하지 않기 때문에, IDT 전극의 설치 면적을 크게 할 수 있다. 그 때문에, 설계의 자유도를 높일 수 있다.
도 20은 본 발명의 제14 실시 형태에 따른 탄성파 필터 장치(141)가 실장 기판 상에 탑재되어 있는 부분을 도시하는 부분 절결 정면 단면도이다. 탄성파 필터 장치(141)에서는, 소자 기판(142)이 지지 기판(143)과, 지지 기판(143) 상에 형성된 압전체층(144)을 갖는다. 압전체층(144)은 소자 기판(142)의 제1 주면측에 위치하고 있다. 압전체층(144)은 LiTaO3나 LiNbO3 등의 압전 단결정, 또는 압전 세라믹스를 포함한다. 지지 기판(143)은 본 실시 형태에서는 Si를 포함한다. 하지만, 지지 기판(143)을 구성하는 재료는 Si에 한정되지 않는다. 이와 같은 재료로서는, 압전체층(144)을 전반하는 탄성파보다도, 전반하는 벌크파의 음속이 높은 적절한 재료, 혹은 압전체층(144)보다도 열전도율이 높은 재료가 적합하게 사용된다. 이와 같은 재료로서는, Si 외에, 사파이어 등을 들 수 있다.
탄성파 필터 장치(141)는 그 밖의 구조는 탄성파 필터 장치(1)와 마찬가지이다. 따라서, 동일 부분에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙임으로써, 그 설명을 생략한다.
1 : 탄성파 필터 장치
2 : 압전 기판
2a : 제1 주면
2b : 제2 주면
2c, 2d : 측면
2c1, 2d1 : 단연
2e : 측벽
2f : 프레임 부분
2x : 오목부
3, 4 : IDT 전극
5a, 5b : 제1 전극 랜드
6a, 6b : 제2 전극 랜드
7a, 7b, 7c : 신호 단자
8a, 8b, 8c, 8d, 8e : 그라운드 단자
9, 9A : 열확산층
9a, 9b, 9c, 9d : 돌출부
9e, 9f : 열확산층
9g, 9h : 프레임부
9i, 9j, 9k : 루프부
10 : 제1 접속 전극
11 : 제2 접속 전극
12 : 제2 접속 전극
10a : 제1 접속 전극
11a : 제2 접속 전극
13 : 지지층
14 : 커버 부재
15 : 중공부
16 : 실장 기판
16a : 제1 주면
16b : 제2 주면
17a : 제3 전극 랜드
18a : 제4 전극 랜드
19 : 제5 전극 랜드
20, 22 : 접합재
20a, 21a : 금속 범프
31, 41, 51, 61, 71, 81, 91 : 탄성파 필터 장치
92 : 수지층
101, 111, 121, 131, 141 : 탄성파 필터 장치
132 : IDT 전극
142 : 소자 기판
143 : 지지 기판
144 : 압전체층

Claims (10)

  1. 압전체층을 갖고, 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 소자 기판과,
    상기 소자 기판의 상기 제1 주면에 형성되어 있고, 탄성파 필터 소자를 구성하기 위한 적어도 하나의 IDT 전극과,
    상기 소자 기판의 상기 제1 주면에 형성되어 있고, 적어도 하나의 상기 IDT 전극에 접속되어 있으며, 신호 전위에 접속되는 제1 전극 랜드와, 그라운드 전위에 접속되는 복수의 제2 전극 랜드와,
    상기 소자 기판의 상기 제2 주면에 형성되어 있고, 신호 전위에 접속되는 신호 단자와, 그라운드 전위에 접속되는 복수의 그라운드 단자와,
    상기 제1 전극 랜드와, 상기 신호 단자를 접속하고 있는 제1 접속 전극과,
    상기 제2 전극 랜드와, 상기 그라운드 단자를 접속하고 있는 제2 접속 전극과,
    상기 소자 기판의 상기 제1 주면에 형성된 지지층과,
    상기 지지층에 형성된 커버 부재를 구비하고,
    상기 지지층과, 상기 커버 부재와, 상기 압전 기판의 상기 제1 주면에 의해, 상기 IDT 전극이 면하는 중공부가 형성되어 있고,
    상기 소자 기판의 상기 제2 주면에 형성되어 있고, 상기 소자 기판보다도 열전도율이 높은 재료를 포함하는 열확산층을 더 구비하고,
    상기 열확산층이, 상기 소자 기판을 개재하여 상기 IDT 전극의 적어도 일부와 겹쳐 있고,
    상기 신호 단자가 상기 소자 기판의 상기 제2 주면에 복수 형성되어 있고, 상기 열확산층을 사이에 두고 일방측에 적어도 하나의 신호 단자가 배치되어 있고, 상기 열확산층의 타방측에 나머지의 적어도 하나의 상기 신호 단자가 배치되어 있는 탄성파 필터 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열확산층이, 적어도 하나의 상기 제2 접속 전극에 접속되어 있는 탄성파 필터 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 열확산층이 금속을 포함하는 탄성파 필터 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 열확산층의 면적이, 상기 신호 단자의 면적보다도 큰 탄성파 필터 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 접속 전극이, 상기 소자 기판의 내부를 관통하고 있는 탄성파 필터 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 소자 기판이, 상기 제1 주면과 상기 제2 주면을 연결하는 측면을 갖고, 상기 제1 및 제2 접속 전극이 상기 측면에 형성되어 있는 탄성파 필터 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 접속 전극 및 상기 열확산층이 도금막을 포함하는 탄성파 필터 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 소자 기판이, 압전체층을 포함하는 압전 기판인 탄성파 필터 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 소자 기판이, 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 형성되어 있는 상기 압전체층을 갖는 탄성파 필터 장치.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018003819A1 (ja) * 2016-06-29 2018-01-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6828754B2 (ja) 2017-02-03 2021-02-10 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
KR102260267B1 (ko) * 2017-02-03 2021-06-02 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 장치
US10574208B2 (en) * 2017-06-20 2020-02-25 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave filters with thermally conductive sheet
CN110771037B (zh) 2017-06-23 2023-09-12 株式会社村田制作所 弹性波装置、前端电路以及通信装置
WO2018235876A1 (ja) * 2017-06-23 2018-12-27 株式会社村田製作所 弾性波装置、フロントエンド回路及び通信装置
CN111418048B (zh) 2017-12-06 2023-09-12 株式会社村田制作所 电子部件
KR102444727B1 (ko) * 2017-12-22 2022-09-16 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치
JP7084744B2 (ja) 2018-03-12 2022-06-15 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、モジュールおよびマルチプレクサ
TWI811431B (zh) * 2018-08-22 2023-08-11 美商天工方案公司 多層壓電基板
JP2020078074A (ja) * 2018-11-06 2020-05-21 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. インターディジタルトランスデューサ上に高熱伝導層を有する弾性波デバイス
JP7340344B2 (ja) * 2019-03-22 2023-09-07 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
US11545455B2 (en) * 2019-05-28 2023-01-03 Apple Inc. Semiconductor packaging substrate fine pitch metal bump and reinforcement structures
WO2021006023A1 (ja) * 2019-07-11 2021-01-14 株式会社村田製作所 高周波モジュール、通信装置及び弾性波装置
KR20210013955A (ko) 2019-07-29 2021-02-08 삼성전기주식회사 반도체 패키지
US11750172B2 (en) 2019-08-21 2023-09-05 Skyworks Solutions, Inc. Multilayer piezoelectric substrate
US11581870B2 (en) * 2019-09-27 2023-02-14 Skyworks Solutions, Inc. Stacked acoustic wave resonator package with laser-drilled VIAS
WO2021079905A1 (ja) * 2019-10-24 2021-04-29 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11722122B2 (en) 2019-11-22 2023-08-08 Skyworks Solutions, Inc. Multilayer piezoelectric substrate with high density electrode
WO2023085362A1 (ja) * 2021-11-11 2023-05-19 株式会社村田製作所 弾性波装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076828A (ja) * 2000-08-24 2002-03-15 Toshiba Corp 弾性表面波素子
JP2005217670A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Kyocera Corp 弾性表面波装置および通信装置
JP2010233122A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子の製造方法
JP2012217136A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイスの製造方法、およびこの方法で製造した圧電デバイス

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758579A (ja) * 1993-08-10 1995-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
JP3196693B2 (ja) * 1997-08-05 2001-08-06 日本電気株式会社 表面弾性波装置およびその製造方法
US6310422B1 (en) * 1998-03-12 2001-10-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter
JP2000196407A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Tdk Corp 弾性表面波装置
US6429569B1 (en) * 1999-07-22 2002-08-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device and communication apparatus
IL133453A0 (en) 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US6566981B2 (en) * 2000-07-28 2003-05-20 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device having plural ground conductor films in the housing cavity
JP2003087093A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
US7298231B2 (en) * 2004-05-27 2007-11-20 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and communication apparatus
JP4055789B2 (ja) * 2005-05-20 2008-03-05 トヨタ自動車株式会社 バンパ構造
DE102005026243B4 (de) 2005-06-07 2018-04-05 Snaptrack, Inc. Elektrisches Bauelement und Herstellungsverfahren
JP4517992B2 (ja) * 2005-09-14 2010-08-04 セイコーエプソン株式会社 導通孔形成方法、並びに圧電デバイスの製造方法、及び圧電デバイス
JP2007150758A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Kyocera Corp 分波器
JP2007266812A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ、及びそれを用いたアンテナ共用器
US8004370B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-23 Kyocera Corporation Surface acoustic wave element, surface acoustic wave apparatus, and communication apparatus
JP2009141036A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Hitachi Media Electoronics Co Ltd パッケージ構造体
DE102007058951B4 (de) * 2007-12-07 2020-03-26 Snaptrack, Inc. MEMS Package
JP2009159195A (ja) 2007-12-26 2009-07-16 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品及びその製造方法
JP5104432B2 (ja) * 2008-03-17 2012-12-19 パナソニック株式会社 弾性表面波デバイス
JP2010021451A (ja) 2008-07-14 2010-01-28 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP5497795B2 (ja) * 2010-01-12 2014-05-21 京セラ株式会社 弾性波装置
JP2011151638A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Murata Mfg Co Ltd 弾性境界波装置
WO2011148705A1 (ja) * 2010-05-26 2011-12-01 株式会社 村田製作所 弾性波デバイス
JP2012033855A (ja) * 2010-07-01 2012-02-16 Hitachi Cable Ltd Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄパッケージ、並びに配線基板およびその製造方法
WO2012086441A1 (ja) * 2010-12-24 2012-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
CN103415995B (zh) * 2011-03-09 2016-08-17 株式会社村田制作所 电子元器件
WO2014034326A1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-06 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2015080045A1 (ja) * 2013-11-29 2017-03-16 株式会社村田製作所 分波器
JP6508920B2 (ja) * 2014-11-13 2019-05-08 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよび送受信デバイス
WO2017110308A1 (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2018003819A1 (ja) * 2016-06-29 2018-01-04 株式会社村田製作所 弾性波装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076828A (ja) * 2000-08-24 2002-03-15 Toshiba Corp 弾性表面波素子
JP2005217670A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Kyocera Corp 弾性表面波装置および通信装置
JP2010233122A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子の製造方法
JP2012217136A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイスの製造方法、およびこの方法で製造した圧電デバイス

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CN107615660A (zh) 2018-01-19

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