TWI811431B - 多層壓電基板 - Google Patents

多層壓電基板 Download PDF

Info

Publication number
TWI811431B
TWI811431B TW108129961A TW108129961A TWI811431B TW I811431 B TWI811431 B TW I811431B TW 108129961 A TW108129961 A TW 108129961A TW 108129961 A TW108129961 A TW 108129961A TW I811431 B TWI811431 B TW I811431B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
piezoelectric material
acoustic wave
piezoelectric
material layer
Prior art date
Application number
TW108129961A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202023187A (zh
Inventor
卷圭一
後藤令
福原寛則
Original Assignee
美商天工方案公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商天工方案公司 filed Critical 美商天工方案公司
Publication of TW202023187A publication Critical patent/TW202023187A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI811431B publication Critical patent/TWI811431B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/08—Holders with means for regulating temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0004—Impedance-matching networks
    • H03H9/0009—Impedance-matching networks using surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
    • H03H9/02622—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves of the surface, including back surface
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
    • H10N30/706—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

本發明揭示一種聲波裝置，其包含：一分層基板，其具有接合至一第二材料層之一壓電材料層，該第二材料層包含具有高於該壓電材料層之一導熱率的一材料；數個叉指換能器電極，其等安置於該壓電材料層之一表面上；數個接觸墊，其等安置於該壓電材料層上且與該等叉指換能器電極電接觸；數個外部接合墊，其等安置於該第二材料層上；及數個導電通路，其等穿過該分層基板且提供該等接觸墊與該等外部接合墊之間的電接觸。

Description

多層壓電基板
本發明之實施例係關於聲波裝置及其散熱結構。
聲波裝置(例如表面聲波(SAW)及體聲波(BAW)裝置)可用作射頻電子系統中濾波器之組件。例如，一行動電話之一射頻前端中之濾波器可包含聲波濾波器。兩個聲波濾波器可配置成一雙工器。
根據本發明之一態樣，提供一種聲波裝置。該聲波裝置包括：一分層基板，其包含接合至一第二材料層之一壓電材料層，該第二材料層包含具有高於該壓電材料層之一導熱率的一材料；數個叉指換能器電極，其等安置於該壓電材料層之一表面上；數個接觸墊，其等安置於該壓電材料層上且與該等叉指換能器電極電接觸；數個外部接合墊，其等安置於該第二材料層上；及數個導電通路，其等穿過該分層基板且提供該等接觸墊與該等外部接合墊之間的電接觸。
在一些實施例中，該第二材料層包含一介電材料。該第二材料層可包含尖晶石。該第二材料層可包含矽。
在一些實施例中，該聲波裝置進一步包括由包含一介電材料之壁及一蓋界定於該等叉指換能器電極上方之一腔。
在一些實施例中，該聲波裝置進一步包括將該壓電材料層接合至該第二材料層之一接合層。該接合層可包括二氧化矽。
在一些實施例中，該第二材料層具有約50 μm至約150 μm之間的一厚度。
在一些實施例中，該壓電材料層具有約0.3 μm至約20 μm之間的一厚度。
在一些實施例中，該聲波裝置組態成一表面聲波諧振器。
在一些實施例中，一射頻濾波器包含該表面聲波諧振器。一電子模組可包含該射頻濾波器。一電子裝置可包含該電子模組。
根據另一態樣，提供一種射頻濾波器。該射頻濾波器包括至少一聲波裝置。該至少一聲波裝置包含：一分層基板，其包含接合至一第二材料層之一壓電材料層，該第二材料層包含具有高於該壓電材料層之一導熱率的一材料；數個叉指換能器電極，其等安置於該壓電材料層之一表面上；數個接觸墊，其等安置於該壓電材料層上且與該等叉指換能器電極電接觸；數個外部接合墊，其等安置於該第二材料層上；及數個導電通路，其等穿過該分層基板且提供該等接觸墊與該等外部接合墊之間的電接觸。
根據另一態樣，提供一種電子模組。該電子模組包括至少一射頻濾波器，其包含至少一聲波裝置。該至少一聲波裝置包含：一分層基板，其包含接合至一第二材料層之一壓電材料層，該第二材料層包含具有高於該壓電材料層之一導熱率的一材料；數個叉指換能器電極，其等安置於該壓電材料層之一表面上；數個接觸墊，其等安置於該壓電材料層上且與該等叉指換能器電極電接觸；數個外部接合墊，其等安置於該第二材料層上；及數個導電通路，其等穿過該分層基板且提供該等接觸墊與該等外部接合墊之間的電接觸。
根據另一態樣，提供一種聲波裝置。該聲波裝置包括：一分層基板，其包含接合至一第二材料層之一壓電材料層，該第二材料層包含具有高於該壓電材料層之一導熱率的一材料；數個叉指換能器電極，其等安置於該壓電材料層之一表面上；數個接觸墊，其等安置於該壓電材料層上且與該等叉指換能器電極電接觸；一腔，其由包含一介電材料之壁及一蓋界定於該等叉指換能器電極上方；數個外部接合墊，其等在與該腔對置之該蓋之一側上安置於該蓋上；及數個導電通路，其等穿過該蓋且提供該等接觸墊與該等外部接合墊之間的電接觸。
特定實施例之以下描述呈現特定實施例之各種描述。然而，本文中所描述之創新可依諸多不同方式體現，例如由申請專利範圍所界定及涵蓋。在本描述中，參考圖式，其中相同元件符號可指示相同或功能類似元件。應瞭解，圖中所繪示之元件未必按比例繪製。此外，應瞭解，特定實施例可包含比一圖式中所繪示之元件更多之元件及/或一圖式中所繪示之元件之一子集。此外，一些實施例可併入來自兩個或兩個以上圖式之特徵之任何適合組合。
圖1A係一表面聲波(SAW)諧振器10 (諸如可用於一SAW濾波器、雙工器、平衡-不平衡轉換器等等中)之一平面圖。
聲波諧振器10形成於一壓電基板(例如鉭酸鋰(LiTaO3 )或鈮酸鋰(LiNbO3 )基板12)上且包含叉指換能器(IDT)電極14及反射器電極16。在使用中，IDT電極14沿壓電基板12之一表面激發具有一波長λ之一主聲波。反射器電極16將IDT電極14夾在中間且來回反射主聲波穿過IDT電極14。裝置之主聲波垂直於IDT電極之縱向方向行進。
IDT電極14包含一第一匯流排條電極18A及面向第一匯流排條電極18A之一第二匯流排條電極18B。匯流排條電極18A、18B可在本文中指稱且在圖中標記為匯流排條電極18。IDT電極14進一步包含自第一匯流排條電極18A朝向第二匯流排條電極18B延伸之第一電極指20A及自第二匯流排條電極18B朝向第一匯流排條電極18A延伸之第二電極指20B。
反射器電極16 (亦指稱反射器光柵)各包含一第一反射器匯流排條電極24A及一第二反射器匯流排條電極24B (在本文中統稱為反射器匯流排條電極24)及延伸於第一匯流排條電極24A與第二匯流排條電極24B之間且電耦合第一匯流排條電極24A及第二匯流排條電極24B之反射器指26。
在本文所揭示之其他實施例中，如圖1B中所繪示，可省略反射器匯流排條電極24A、24B且可不電連接反射器指26。此外，如圖1C中所繪示，本文中所揭示之聲波諧振器可包含與各自電極指20A、20B對準之虛設電極指20C。各虛設電極指20C自與其對準之各自電極指20A、20B對置之匯流排條電極18A、18B延伸。
應瞭解，依一高度簡化形式繪示圖1A至圖1C中所繪示之聲波諧振器10及本文所呈現之其他圖中所繪示之其他電路元件。不同特徵之相對尺寸未按比例展示。此外，典型聲波諧振器通常將包含遠多於所繪示之數目的電極指及反射器指數目。典型聲波諧振器或濾波器元件亦可包含夾置於反射器電極之間的多個IDT電極。
SAW裝置之操作參數通常隨溫度變動。例如，在由SAW諧振器形成之一射頻濾波器中，濾波器之諧振及反諧振頻率兩者可隨溫度減小。一SAW裝置之參數之溫度相依性不合需要，因為吾人通常期望在不同操作條件下一致操作之一裝置。因此，可期望儘可能快速高效率地移除操作中產生於一SAW裝置中之熱以免裝置加熱至使裝置之操作參數移位超過一可接受量之一溫度。
圖2中繪示封裝一SAW裝置之一方法。一腔26由一介電材料28 (例如聚醯亞胺)之一蓋層及側壁界定於其上安置IDT電極14 (及反射器電極(未單獨繪示))之基板12之部分上。形成穿過介電材料之蓋層的導電通路30且導電通路30電連接至與IDT電極14電連通之基板12上之接觸墊32。導電通路30提供接觸墊32與外部接合墊34之間的電連通，外部接合墊34可用於將封裝SAW裝置電連接至(例如)一電路板。導電通路及外部接合墊可由一高度導電及導熱材料(例如銅)形成。其上安置IDT電極14之基板12配置成面朝下，使得包含IDT電極14之基板12之側面向外部接合墊34。
當安裝至一電路板或其他外部基板時，使熱離開一封裝SAW裝置之一路徑係穿過外部接合墊(例如圖2中所繪示之接合墊34)而至電路板或其他外部基板中。為自封裝裝置傳出，產生於不直接與接合墊34接觸之裝置之部分中之熱將不得不行進通過裝置之其他部分。可形成基板12之壓電材料(例如LiTaO3 )通常具有比例如金屬之其他材料低之一導熱率。圖2中所繪示之一封裝SAW裝置會比期望慢地自裝置傳出熱且使熱通過接合墊34及基板12。
提高自圖2中所繪示之一封裝SAW裝置傳出熱之速率及效率的一方法涉及提高基板12之導熱率。可藉由移除基板12之壓電材料之一部分且使其由具有一較高導熱率之一層介電材料12' (例如圖3中所繪示之尖晶石(MgAl2 O4 )或圖4中所繪示之矽(Si))替換來提高基板之導熱率。另外或替代地，其他材料(例如藍寶石、氮化鋁、二氧化矽或金剛石)可用於材料層12'。材料層12'可藉由(例如)一層二氧化矽(SiO2 )或另一適合接合材料來接合至基板12之壓電材料。接合層在圖8中繪示為層22。壓電材料層之厚度應維持為足以使SAW裝置適當運行之一厚度，例如介於約0.3 μm至約50 μm之間或大於由SAW裝置之IDT電極激發之一主聲波之波長λ之兩倍。材料層12'之厚度可介於約50 μm至約300 μm之間。將基板12之壓電材料接合至材料層12'之一層之厚度可(例如)介於約0.1 μm至約50 μm之間。
下表1中提供可用於一封裝SAW裝置之實施例中之各種材料之導熱率之一比較： 表1：選定材料之導熱率之比較
圖5中繪示一封裝SAW裝置之一替代配置。圖5之封裝SAW裝置與圖2之封裝SAW裝置之不同點在於：其上形成IDT電極14之基板12之表面背向外部接合墊34且導電通路30穿過基板12而非介電材料28，介電材料28形成覆蓋其中安置IDT電極14之一腔的一蓋。圖5之實施例暴露類似於圖3之散熱問題。例如，產生於不直接與導電通路30接觸之封裝裝置之部分中之熱將不得不主要行進通過低導熱率基板12而至導電通路以自封裝傳出。與圖2之封裝SAW裝置相比，圖5之實施例之導電通路30可具有與基板12之材料接觸之更大表面積且可因此更高效率地將熱自基板12轉出至一電路板或其他外部基板中，然而，此傳熱效率提高很有限且低於期望。
可依類似於圖3及圖4之實施例之一方式移除壓電基板12之一部分且使其由具有高於壓電材料之一導熱率之一層介電材料12''替換。材料層12''可包含藉由(例如)一層SiO2 來接合至壓電材料之尖晶石(圖6)或矽(圖7)。另外或替代地，其他材料(例如藍寶石、氮化鋁、二氧化矽或金剛石)可用於材料層12''。導電通路30穿過基板之壓電材料部分12及材料層12''兩者。外部接合墊34可安置於與壓電材料層12對置之材料層12''之側(底側)上。圖6及圖7之實施例中之壓電材料層之厚度及接合層之厚度可相同或類似於圖3及圖4之實施例之厚度。圖6及圖7中材料層12''之厚度可小於圖3及圖4中材料層12'之厚度。圖6及圖7中材料層12''之厚度可(例如)介於約50 μm至約300 μm之間。
本文中所揭示之聲波裝置之基板12可包含一單一壓電材料(例如圖2至圖8中所繪示之LiTaO3 或LiNbO3 )之一單一層。然而，應瞭解，在一些實施例中，本文中所揭示之任何聲波裝置之基板12可為多層壓電基板(MPS)。如圖9中所繪示，一MPS基板可包含具有至少一個或兩個或兩個以上(例如三個或三個以上)薄膜壓電材料層12A、12B、12C之一主體。不同層12A、12B、12C可展現至少兩個不同機電耦合係數。中間層12B可具有層12A、12B、12C中之最大機電耦合係數。此配置可將一表面聲波之能量集中於MPS之一表面上，使得MPS之機電耦合係數整體大於各個壓電材料層之機電耦合係數。適合於不同壓電材料層12A、12B、12C之材料可包含(例如) ZnO、LiNbO3 、LiTaO3 、Pb[Zrx Ti1-x ]O3 (PZT)、PbTiO3 、BaTiO3 或Li2 B4 O7 。在一些實施方案中，層12A、12B、12C之僅一單一者或層12A、12B、12C之兩者可包含壓電材料或由壓電材料組成，且層12A、12B、12C之剩餘者可包括一非壓電材料(例如一介電材料)或由該非壓電材料組成。
本文中所討論之聲波裝置可實施於各種封裝模組中。現將討論其中可實施本文中所討論之封裝聲波裝置之任何適合原理及優點的一些實例性封裝模組。圖10、圖11及圖12係根據特定實施例之繪示性封裝模組及裝置之示意方塊圖。
如上文所討論，表面聲波元件之實施例可組態成(例如)濾波器或用於濾波器中。接著，使用一或多個表面聲波(SAW)元件之一表面聲波濾波器可併入至(例如)一模組中或封裝成一模組，該模組最終可用於諸如一無線通信裝置之一電子裝置中。圖10係繪示包含一SAW濾波器310之一模組300之一實例的一方塊圖。SAW濾波器310可實施於包含一或多個連接墊322之一或多個晶粒320上。例如，SAW濾波器310可包含對應於SAW濾波器之一輸入接點的一連接墊322及對應於SAW濾波器之一輸出接點的另一連接墊322。封裝模組300包含經組態以接收複數個組件(其包含晶粒320)之一封裝基板330。複數個連接墊332可安置於封裝基板330上，且SAW濾波器晶粒320之各種連接墊322可經由可為(例如)焊料凸塊或接線之電連接件334來連接至封裝基板330上之連接墊332以允許各種信號來回傳遞於SAW濾波器310。半導體製造之熟習技術者應鑑於本發明瞭解，模組300可視情況進一步包含其他電路晶粒340，諸如(例如)一或多個額外濾波器、放大器、前置濾波器、調變器、解調變器、降頻轉換器及其類似者。在一些實施例中，模組300亦可包含一或多個封裝結構以(例如)提供保護且促成模組300之較易處置。此一封裝結構可包含形成於封裝基板330上且經定尺寸以實質上囊封封裝基板330上之各種電路及組件的一包覆模製件。
SAW濾波器310之各種實例及實施例可用於各種電子裝置中。例如，SAW濾波器310可用於一天線雙工器中，天線雙工器本身可併入至諸如RF前端模組及通信裝置之各種電子裝置中。
參考圖11，繪示一前端模組400之一實例之一方塊圖，前端模組400可用於諸如(例如)一無線通信裝置(例如一行動電話)之一電子裝置中。前端模組400包含具有一共同節點402、一輸入節點404及一輸出節點406之一天線雙工器410。一天線510連接至共同節點402。
天線雙工器410可包含連接於輸入節點404與共同節點402之間的一或多個傳輸濾波器412及連接於共同節點402與輸出節點406之間的一或多個接收濾波器414。(若干)傳輸濾波器之(若干)通帶不同於接收濾波器之(若干)通帶。SAW濾波器310之實例可用於形成(若干)傳輸濾波器412及/或(若干)接收濾波器414。一電感器或其他匹配組件420可連接於共同節點402處。
前端模組400進一步包含連接至雙工器410之輸入節點404的一傳輸器電路432及連接至雙工器410之輸出節點406的一接收器電路434。傳輸器電路432可產生用於經由天線510傳輸之信號，且接收器電路434可接收及處理經由天線510所接收之信號。在一些實施例中，接收器及傳輸器電路實施為單獨組件(如圖11中所展示)，然而，在其他實施例中，此等組件可整合成一共同收發器電路或模組。熟習技術者應瞭解，前端模組400可包含圖11中未繪示之其他組件，其包含(但不限於)開關、電磁耦合器、放大器、處理器及其類似者。
圖12係包含圖11中所展示之天線雙工器410之一無線裝置500之一實例之一方塊圖。無線裝置500可為一蜂巢式電話、智慧型電話、平板電腦、數據機、通信網路或經組態用於語音或資料通信之任何其他可攜式或不可攜式裝置。無線裝置500可接收及傳輸來自天線510之信號。無線裝置包含類似於上文參考圖11所討論之前端模組的一前端模組400之一實施例。前端模組400包含雙工器410，如上文所討論。在圖12所展示之實例中，前端模組400進一步包含可經組態以切換於不同頻帶或模式(諸如(例如)傳輸及接收模式)之間的一天線開關440。在圖12所繪示之實例中，天線開關440定位於雙工器410與天線510之間；然而，在其他實例中，雙工器410可定位於天線開關440與天線510之間。在其他實例中，天線開關440及雙工器410可整合成一單一組件。
前端模組400包含經組態以產生用於傳輸之信號或處理接收信號之一收發器430。收發器430可包含可連接至雙工器410之輸入節點404的傳輸器電路432及可連接至雙工器410之輸出節點406的接收器電路434，如圖10之實例中所展示。
由傳輸器電路432產生用於傳輸之信號由一功率放大器(PA)模組450接收，功率放大器模組450放大自收發器430產生之信號。功率放大器模組450可包含一或多個功率放大器。功率放大器模組450可用於放大各種RF或其他頻帶傳輸信號。例如，功率放大器模組450可接收可用於脈動功率放大器之輸出以輔助傳輸一無線區域網路(WLAN)信號或任何其他適合脈衝信號之一啟用信號。功率放大器模組450可經組態以放大各種類型之信號之任何者，其包含(例如)一全球行動通信系統(GSM)信號、一分碼多重存取(CDMA)信號、一W-CDMA信號、一長期演進(LTE)信號或一EDGE信號。在特定實施例中，功率放大器模組450及包含開關及其類似者之相關聯組件可使用(例如)高電子遷移率電晶體(pHEMT)或絕緣閘極雙極電晶體(BiFET)來製造於砷化鎵(GaAs)基板上或使用互補金屬氧化物半導體(CMOS)場效電晶體來製造於一矽基板上。
仍參考圖12，前端模組400可進一步包含一低雜訊放大器模組460，其放大自天線510接收之信號且提供放大信號至收發器430之接收器電路434。
圖12之無線裝置500進一步包含一功率管理子系統520，其連接至收發器430且管理無線裝置500之操作功率。功率管理系統520亦可控制一基頻子系統530及無線裝置500之各種其他組件之操作。功率管理系統520可包含或可連接至向無線裝置500之各種組件供應電力之一電池(圖中未展示)。例如，功率管理系統520可進一步包含可控制信號傳輸之一或多個處理器或控制器。在一實施例中，基頻子系統530連接至一使用者介面540以促進提供至使用者或自使用者接收之語音及/或資料之各種輸入及輸出。基頻子系統530亦可連接至經組態以儲存資料及/或指令之記憶體550以促進無線裝置之操作及/或向使用者提供資訊儲存。上述任何實施例可結合諸如蜂巢式手機之行動裝置實施。實施例之原理及優點可用於可受益於本文中所描述之任何實施例之任何系統或設備，諸如任何上行鏈路無線通信裝置。本文中之教示可應用於各種系統。儘管本發明包含一些實例性實施例，但本文中所描述之教示可應用於各種結構。本文中所討論之任何原理及優點可結合經組態以處理自約30 kHz至約5 GHz之一範圍內(諸如自約600 MHz至約2.7 GHz之一範圍內)之信號的RF電路實施。
本發明之態樣可實施於各種電子裝置中。電子裝置之實例可包含(但不限於)消費性電子產品、消費性電子產品之部分(諸如封裝射頻模組)、上鏈路無線通信裝置、無線通信基礎設施、電子測試設備等等。電子裝置之實例可包含(但不限於)一行動電話(諸如一智慧型電話)、一穿戴式運算裝置(諸如一智慧型手錶或一耳機)、一電話、一電視、一電腦監視器、一電腦、一數據機、一手持電腦、一膝上型電腦、一平板電腦、一微波爐、一冰箱、一車輛電子系統(諸如一汽車電子系統)、一立體聲系統、一數位音樂播放器、一收音機、一攝影機(諸如一數位攝影機)、一可攜式記憶體晶片、一洗衣機、一乾衣機、一洗衣機/乾衣機、一複印機、一傳真機、一掃描儀、一多功能周邊裝置、一腕錶、一時鐘等等。此外，電子裝置可包含未完成產品。 實例：
在圖2至圖7所繪示之各實施例中，執行模擬以判定自IDT電極14至外部接合墊34之接面熱阻R。使用包含圖13A至圖13C中所繪示之材料及尺寸之一模擬裝置來執行圖2至圖4之實施例之模擬。使用包含圖14A至圖14C中所繪示之材料及尺寸之一模擬裝置來執行圖5至圖7之實施例之模擬。模擬結果係如下： 表2：熱阻模擬之結果
此等結果指示如圖5至圖7中所繪示般組態之封裝SAW裝置具有比圖2至圖4之對應封裝SAW裝置更合需要(更低)之接面熱阻。接面熱阻隨形成封裝裝置之基板之材料或若干材料之導熱率增大而減小。
應瞭解，圖13A至圖13C及圖14A至圖14C之模擬裝置之尺寸及特徵係針對具有600 MHz至3.7 GHz之間的一操作頻率之一裝置。就依其他頻率操作之裝置而言，尺寸及特徵(例如接點之數目、矽或尖晶石或壓電材料層之厚度、電極指之數目或配置等等)可隨本文中所繪示之內容而變動。
除非內文另有明確要求，否則[實施方式]及申請專利範圍中之用語「包括」、「包含」及其類似者應被解釋為包含意義，而非排他或窮舉意義，即，「包含(但不限於)」之意義。本文中一般所使用之用語「耦合」涉及可直接連接或藉由一或多個中間元件來連接之兩個或兩個以上元件。同樣地，本文中一般所使用之用語「連接」涉及可直接連接或藉由一或多個中間元件來連接之兩個或兩個以上元件。另外，本申請案中所使用之用語「本文中」、「上文」、「下文」及類似含義用語應係指整個本申請案而非本申請案之任何特定部分。在內文容許之情況下，以上[實施方式]中使用單數或複數之用語亦可分別包含複數或單數。涉及兩個或兩個以上項目之一列表之用語「或」涵蓋用語之以下所有解譯：列表中之任何項目、列表中之所有項目或列表中項目之任何組合。
此外，除非另有明確規定或內文另有理解，否則本文中所使用之條件用語(尤其「可」、「例如」、「諸如」及其類似者等等)一般意欲傳達特定實施例包含特定特徵、元件及/或狀態，而其他實施例不包含特定特徵、元件及/或狀態。因此，此條件用語一般不意欲隱含一或多個實施例無論如何需要特徵、元件及/或狀態或一或多個實施例必需包含用於在作者輸入或提示或無作者輸入或提示之情況下決定此等特徵、元件及/或狀態是否包含或執行於任何特定實施例中之邏輯。
儘管已描述特定實施例，但此等實施例僅供例示且不意欲限制本發明之範疇。其實，本文中所描述之新穎設備、方法及系統可依各種其他形式體現；此外，可在不背離本發明之精神之情況下對本文中所描述之方法及系統作出各種省略、替換及形式改變。例如，儘管依一給定配置呈現區塊，但替代實施例可使用不同組件及/或電路拓撲來執行類似功能，且可刪除、移動、新增、細分、組合及/或修改一些區塊。可依各種不同方式實施此等區塊之各者。上述各種實施例之元件及動作之任何適合組合可經組合以提供進一步實施例。隨附申請專利範圍及其等效物意欲涵蓋落於本發明之範疇及精神內之此等形式或修改。
10:表面聲波(SAW)諧振器 12:壓電基板 12':介電材料 12'':介電材料 12A:薄膜壓電材料層 12B:薄膜壓電材料層 12C:薄膜壓電材料層 14:叉指換能器(IDT)電極 16:反射器電極 18:匯流排條電極 18A:第一匯流排條電極 18B:第二匯流排條電極 20A:第一電極指 20B:第二電極指 20C:虛設電極指 24:反射器匯流排條電極 24A:第一反射器匯流排條電極 24B:第二反射器匯流排條電極 26:反射器指/腔 28:介電材料 30:導電通路 32:接觸墊 34:外部接合墊 300:模組 310:SAW濾波器 320:SAW濾波器晶粒 322:連接墊 330:封裝基板 332:連接墊 334:電連接件 340:其他電路晶粒 400:前端模組 402:共同節點 404:輸入節點 406:輸出節點 410:天線雙工器 412:傳輸濾波器 414:接收濾波器 420:電感器/其他匹配組件 430:收發器 432:傳輸器電路 434:接收器電路 440:天線開關 450:功率放大器(PA)模組 460:低雜訊放大器模組 500:無線裝置 510:天線 520:功率管理子系統 530:基頻子系統 540:使用者介面 550:記憶體
參考附圖，現將藉由非限制性實例來描述本發明之實施例。
圖1A係一表面聲波諧振器之一實例之一簡化平面圖；
圖1B係一表面聲波諧振器之另一實例之一簡化平面圖；
圖1C係一表面聲波諧振器之另一實例之一簡化平面圖；
圖2係一封裝表面聲波裝置之一實施例之一橫截面圖；
圖3係一封裝表面聲波裝置之另一實施例之一橫截面圖；
圖4係一封裝表面聲波裝置之另一實施例之一橫截面圖；
圖5係一封裝表面聲波裝置之另一實施例之一橫截面圖；
圖6係一封裝表面聲波裝置之另一實施例之一橫截面圖；
圖7係一封裝表面聲波裝置之另一實施例之一橫截面圖；
圖8係一封裝表面聲波裝置之另一實施例之一橫截面圖；
圖9係一多層壓電基板之一實例之一橫截面圖；
圖10係根據本發明之態樣之可包含一或多個表面聲波元件之一濾波器模組之一實例之一方塊圖；
圖11係根據本發明之態樣之可包含一或多個濾波器模組之一前端模組之一實例之一方塊圖；
圖12係包含圖11之前端模組之一無線裝置之一實例之一方塊圖；
圖13A繪示用於產生來自裝置之散熱之模擬之一模擬封裝表面聲波裝置之細節；
圖13B繪示圖13A之模擬封裝表面聲波裝置之進一步細節；
圖13C繪示圖13A之模擬封裝表面聲波裝置之進一步細節；
圖14A繪示用於產生來自裝置之散熱之模擬之另一模擬封裝表面聲波裝置之細節；
圖14B繪示圖14A之模擬封裝表面聲波裝置之進一步細節；及
圖14C繪示圖14A之模擬封裝表面聲波裝置之進一步細節。
12:壓電基板
12':介電材料
28:介電材料

Claims (15)

  1. 一種射頻濾波器，其包括：至少一聲波裝置，該至少一聲波裝置包含：一分層(layered)基板，其包含接合至一第二材料層之一壓電材料層，該第二材料層包含具有高於該壓電材料層之一導熱率的一材料，該壓電材料層包含一多層壓電基板，該多層壓電基板包含三層(three layers)，該三層之一中間層(central layer)具有在該三層中之一最大機電耦合係數；數個叉指換能器電極，其等安置於該壓電材料層之一表面上；數個接觸墊，其等安置於該壓電材料層上且與該等叉指換能器電極電接觸；數個外部接合墊，其等安置於該第二材料層上及經組態以將該至少一聲波裝置電連接至一電路板；及數個導電通路，其等穿過該分層基板且提供該等接觸墊與該等外部接合墊之間的電接觸。
  2. 一種電子模組，其包括：至少一射頻濾波器，其包含至少一聲波裝置，該至少一聲波裝置包含：一分層基板，其包含接合至一第二材料層之一壓電材料層，該第二材料層包含具有高於該壓電材料層之一導熱率的一材料，該壓電材料層包含一多層壓電基板，該多層壓電基板包含三層，該三層之 一中間層具有在該三層中之一最大機電耦合係數；數個叉指換能器電極，其等安置於該壓電材料層之一表面上；數個接觸墊，其等安置於該壓電材料層上且與該等叉指換能器電極電接觸；數個外部接合墊，其等安置於該第二材料層上及經組態以將該至少一聲波裝置電連接至一電路板；及數個導電通路，其等穿過該分層基板且提供該等接觸墊與該等外部接合墊之間的電接觸。
  3. 一種聲波裝置，其包括：一分層基板，其包含接合至一第二材料層之一壓電材料層，該第二材料層包含具有高於該壓電材料層之一導熱率的一材料，該壓電材料層具有一多層壓電基板，該多層壓電基板包含三層，該三層之一中間層具有在該三層中之一最大機電耦合係數；數個叉指換能器電極，其等安置於該壓電材料層之一表面上；一腔，其由包含一介電材料之一蓋及壁界定於該等叉指換能器電極上方；數個接觸墊，其等安置於該腔內之該壓電材料層上且與該等叉指換能器電極電接觸；數個外部接合墊，其等在與該腔之該蓋之一對置側上安置於該蓋上；及數個導電通路，其等穿過該蓋且提供該等接觸墊與該等外部接合墊之間的電接觸。
  4. 一種聲波裝置，其包括：一分層基板，其包含接合至一第二材料層之一壓電材料層，該第二材料層包含具有高於該壓電材料層之一導熱率的一材料，該壓電材料層具有一多層壓電基板，該多層壓電基板包含三層，該三層之一中間層具有在該三層中之一最大機電耦合係數；數個叉指換能器電極，其等安置於該壓電材料層之一表面上；數個接觸墊，其等安置於該壓電材料層上且與該等叉指換能器電極電接觸；數個外部接合墊，其等安置於該第二材料層上及經組態以將該聲波裝置電連接至一電路板；及數個導電通路，其等穿過該分層基板且提供該等接觸墊與該等外部接合墊之間的電接觸，該等導電通路中之每一者以一直線自該等接觸墊穿過該分層基板至該等外部接合墊。
  5. 如請求項4之聲波裝置，其中該第二材料層包含一介電材料。
  6. 如請求項5之聲波裝置，其中該第二材料層包含尖晶石。
  7. 如請求項4之聲波裝置，其中該第二材料層包含矽。
  8. 如請求項4之聲波裝置，其進一步包括將該壓電材料層接合至該第二材料層之一接合層。
  9. 如請求項8之聲波裝置，其中該接合層包括二氧化矽。
  10. 如請求項4之聲波裝置，其中該第二材料層具有約50μm至約150μm之間的一厚度。
  11. 如請求項4之聲波裝置，其中該壓電材料層具有約0.3μm至約20μm之間的一厚度。
  12. 如請求項4之聲波裝置，其組態成一表面聲波諧振器。
  13. 一種射頻濾波器，其包含如請求項12之表面聲波諧振器。
  14. 一種電子模組，其包含如請求項13之射頻濾波器。
  15. 一種電子裝置，其包含如請求項14之電子模組。
TW108129961A 2018-08-22 2019-08-22 多層壓電基板 TWI811431B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862721208P 2018-08-22 2018-08-22
US62/721,208 2018-08-22
US201962836134P 2019-04-19 2019-04-19
US62/836,134 2019-04-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202023187A TW202023187A (zh) 2020-06-16
TWI811431B true TWI811431B (zh) 2023-08-11

Family

ID=68108913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108129961A TWI811431B (zh) 2018-08-22 2019-08-22 多層壓電基板

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11133789B2 (zh)
JP (1) JP7374658B2 (zh)
KR (1) KR20200022357A (zh)
CN (1) CN110858763A (zh)
DE (1) DE102019212548A1 (zh)
GB (2) GB2578202B (zh)
SG (1) SG10201907743RA (zh)
TW (1) TWI811431B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG10201910284TA (en) * 2018-11-06 2020-06-29 Skyworks Solutions Inc Acoustic wave device with high thermal conductivity layer on interdigital transducer
US11750172B2 (en) 2019-08-21 2023-09-05 Skyworks Solutions, Inc. Multilayer piezoelectric substrate
US11722122B2 (en) 2019-11-22 2023-08-08 Skyworks Solutions, Inc. Multilayer piezoelectric substrate with high density electrode
US20230016884A1 (en) * 2021-07-15 2023-01-19 Skyworks Solutions, Inc. Multilayer piezoelectric substrate device with partially recessed passivation layer
US20230105034A1 (en) * 2021-10-04 2023-04-06 Skyworks Solutions, Inc. Assembly with piezoelectric layer with embedded interdigital transducer electrode
CN114039573A (zh) * 2022-01-07 2022-02-11 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器、滤波器及其制作方法和通讯装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1188101A (ja) * 1997-07-08 1999-03-30 Toshiba Corp 弾性表面波素子および弾性表面波素子の製造方法
US20040232802A1 (en) * 2002-07-31 2004-11-25 Yoshihiro Koshido Piezoelectric component and method for manufacturing the same
TW201021409A (en) * 2008-11-25 2010-06-01 Advance Design Technology Inc A composite substrate having high surface acoustic wave velocity and high electromechanical coupling coefficient
CN104205633A (zh) * 2012-03-23 2014-12-10 株式会社村田制作所 弹性波滤波器元件以及其制造方法
TWI516024B (zh) * 2013-03-21 2016-01-01 Ngk Insulators Ltd Composite substrate and elastic wave element for elastic wave element
US20170033756A1 (en) * 2015-07-28 2017-02-02 Rf Micro Devices, Inc. Methods for fabrication of bonded wafers and surface acoustic wave devices using same
TW201743481A (zh) * 2016-03-25 2017-12-16 Ngk Insulators Ltd 接合體以及彈性波元件
CN107615660A (zh) * 2015-06-24 2018-01-19 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置
TWI613844B (zh) * 2013-07-02 2018-02-01 Ngk Insulators Ltd 彈性波裝置
TW201820665A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 日商日本碍子股份有限公司 接合體

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291873A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波励振装置
JP2003273691A (ja) * 1993-03-15 2003-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面弾性波素子
JP3717034B2 (ja) * 1998-11-10 2005-11-16 株式会社村田製作所 弾性表面波素子
US7230512B1 (en) * 2003-08-19 2007-06-12 Triquint, Inc. Wafer-level surface acoustic wave filter package with temperature-compensating characteristics
JP6385648B2 (ja) * 2013-05-14 2018-09-05 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法
WO2016068096A1 (ja) * 2014-10-30 2016-05-06 株式会社村田製作所 受動素子付フィルタ部品および高周波モジュール
CN206790453U (zh) * 2014-12-04 2017-12-22 株式会社村田制作所 一种弹性波装置
WO2016088681A1 (ja) * 2014-12-04 2016-06-09 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
US10128814B2 (en) * 2016-01-28 2018-11-13 Qorvo Us, Inc. Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection
JP6509147B2 (ja) * 2016-02-29 2019-05-08 太陽誘電株式会社 電子デバイス
JP6315716B2 (ja) * 2016-03-17 2018-04-25 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
WO2018181932A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
JP2019062350A (ja) * 2017-09-26 2019-04-18 株式会社村田製作所 複合素子

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1188101A (ja) * 1997-07-08 1999-03-30 Toshiba Corp 弾性表面波素子および弾性表面波素子の製造方法
US20040232802A1 (en) * 2002-07-31 2004-11-25 Yoshihiro Koshido Piezoelectric component and method for manufacturing the same
TW201021409A (en) * 2008-11-25 2010-06-01 Advance Design Technology Inc A composite substrate having high surface acoustic wave velocity and high electromechanical coupling coefficient
CN104205633A (zh) * 2012-03-23 2014-12-10 株式会社村田制作所 弹性波滤波器元件以及其制造方法
TWI516024B (zh) * 2013-03-21 2016-01-01 Ngk Insulators Ltd Composite substrate and elastic wave element for elastic wave element
TWI613844B (zh) * 2013-07-02 2018-02-01 Ngk Insulators Ltd 彈性波裝置
CN107615660A (zh) * 2015-06-24 2018-01-19 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置
US20170033756A1 (en) * 2015-07-28 2017-02-02 Rf Micro Devices, Inc. Methods for fabrication of bonded wafers and surface acoustic wave devices using same
TW201743481A (zh) * 2016-03-25 2017-12-16 Ngk Insulators Ltd 接合體以及彈性波元件
TW201820665A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 日商日本碍子股份有限公司 接合體

Also Published As

Publication number Publication date
SG10201907743RA (en) 2020-03-30
GB2608902A (en) 2023-01-18
GB201912082D0 (en) 2019-10-09
GB2608902B (en) 2023-05-17
KR20200022357A (ko) 2020-03-03
GB202210777D0 (en) 2022-09-07
JP7374658B2 (ja) 2023-11-07
DE102019212548A1 (de) 2020-02-27
GB2578202A (en) 2020-04-22
US20200067482A1 (en) 2020-02-27
US11133789B2 (en) 2021-09-28
DE102019212548A9 (de) 2020-04-23
TW202023187A (zh) 2020-06-16
CN110858763A (zh) 2020-03-03
JP2020031428A (ja) 2020-02-27
GB2578202B (en) 2022-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI811431B (zh) 多層壓電基板
US11025220B2 (en) Acoustic wave device with high thermal conductivity layer on interdigital transducer
US20230308081A1 (en) Surface acoustic wave device
US11437976B2 (en) Acoustic wave filter with shunt resonator having multiple resonant frequencies
US20210111688A1 (en) Surface acoustic wave device with multi-layer piezoelectric substrate
US11588465B2 (en) Stacked temperature compensated acoustic wave device with high thermal conductivity
US20210159886A1 (en) Multilayer piezoelectric substrate with high density electrode
US11750172B2 (en) Multilayer piezoelectric substrate
US20210067134A1 (en) Suppression of transverse mode spurious signals in surface acoustic wave devices utilizing a dense film above gap region of interdigital transducer electrodes
US11431319B2 (en) Acoustic wave device with varying electrode pitch
US20220329227A1 (en) Packaged acoustic wave devices with multi-layer piezoelectric substrate with seal ring spaced from piezoelectric layers
TW202215687A (zh) 具有可控制的頻率溫變係數之多層壓電基板
US20230113099A1 (en) Acoustic wave devices with multi-layer piezoelectric substrate
US20240088870A1 (en) Multilayer piezoelectric substrate filters with consistent band balance
US20240056049A1 (en) No-contact via for heat dissipation path
US20220158612A1 (en) Packaged acoustic wave devices with multi-layer piezoelectric substrate
US20230291385A1 (en) Surface acoustic wave device having multilayer piezoelectric substrate and a dielectric layer with different thicknesses
US20230055758A1 (en) Multilayer piezoelectric substrate device with polycrystalline substrate
US20230111849A1 (en) Method of making packaged acoustic wave devices with multilayer piezoelectric substrate
US20230403939A1 (en) Packaged acoustic wave devices with multilayer piezoelectric substrate