CN206790453U - 一种弹性波装置 - Google Patents

一种弹性波装置 Download PDF

Info

Publication number
CN206790453U
CN206790453U CN201590001126.9U CN201590001126U CN206790453U CN 206790453 U CN206790453 U CN 206790453U CN 201590001126 U CN201590001126 U CN 201590001126U CN 206790453 U CN206790453 U CN 206790453U
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat dissipation
interarea
dissipation film
acoustic wave
wave device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201590001126.9U
Other languages
English (en)
Inventor
关家大辅
菊知拓
田中大志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN206790453U publication Critical patent/CN206790453U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/067—Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/085—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
    • H10N30/086—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining by polishing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/085—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
    • H10N30/088—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining by cutting or dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H10N30/883—Additional insulation means preventing electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

提供一种弹性波装置，弹性波装置(1)中，在压电基板(2)的第1主面(2a)上设置IDT电极(3)，在第2主面(2b)上设置具有相对置的一对主面和将一对主面连结的侧面的散热膜(9)，在沿着将散热膜(9)的一对主面连结的方向的任意剖面处，散热膜(9)的侧面的至少一部分位于比压电基板(2)的第2主面(2b)的外周靠内侧的位置。

Description

一种弹性波装置
技术领域
本实用新型涉及弹性波装置的制造方法以及弹性波装置。
背景技术
在弹性表面波装置的制造时，将母基板单片化为以各个电子部件为单位的压电基板。在下述的专利文献1中，首先，在母基板上表面的整面形成金属膜。接下来，将形成有金属膜的母基板单片化为各个压电基板。
在下述的专利文献2以及3中，不仅是压电基板的上表面，直至侧面都形成金属膜或导体膜。由此，专利文献2中，防止了弹性表面波芯片中的树脂部件的带电。此外，专利文献3中提高了电子部件的电磁波屏蔽效果。
在先技術文献
专利文献
专利文献1：WO08/018452
专利文献2：日本特开2006-80921号公报
专利文献3：WO13/035819
实用新型内容
-实用新型要解决的课题-
专利文献1所记载的制造方法中，在金属膜形成之后进行单片化。该情况下，由于金属的延性、展性较高，因此在单片化时，金属膜有可能出现伸展。因此，有可能金属膜从被单片化的压电基板的端缘向侧方伸出，或者到达侧面的一部分。
另一方面，专利文献2、专利文献3所记载的制造方法中，导体膜或金属膜不仅形成在压电基板的上表面的整个面，还到达侧面。
因此，在通过专利文献1～3所记载的制造方法得到的弹性波装置中，有可能金属膜与其他的通电部分或其他的电子部件接触，并产生短路损坏。另一方面，近年来，为了提高散热性，尝试在压电基板的一个主面设置金属膜来作为散热膜。在设置有这种散热膜的构造中，也谋求防止散热膜与其他的部位的接触、散热膜与其他的电子部件等通电部分的接触。
本实用新型的目的在于，提供一种通过针对散热膜的形状下功夫，从而能够抑制散热膜与其他的部位或其他的部件之间的接触的弹性波装置的制造方法以及弹性波装置。
-解决课题的手段-
本实用新型所涉及的弹性波装置的制造方法包括：在具有相对置的第 1主面以及第2主面的压电基板的所述第1主面上设置IDT电极的工序；和在所述压电基板的所述第2主面上，形成具有相对置的一对主面和将所述一对主面连结的侧面的散热膜的工序，在形成所述散热膜的工序中，形成所述散热膜，使得：在沿着将所述散热膜的所述一对主面连结的方向的任意剖面处，所述散热膜的所述侧面的至少一部分位于比所述压电基板的所述第2主面的外周靠内侧的位置。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的制造方法的某个特定的方面，在形成所述散热膜的工序中，形成所述散热膜，使得：所述散热膜的所述一对主面之中远离所述压电基板的所述第2主面的一侧的主面的外周缘，位于比所述第2主面的外周靠内侧的位置。该情况下，能够更为有效地抑制散热膜与其他的部位或其他的部件之间的接触。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的制造方法的其他特定的方面，在形成所述散热膜的工序中，形成所述散热膜，使得：在从所述第2主面侧进行俯视的情况下，所述散热膜的外周位于比所述第2主面的外周靠内侧的位置。该情况下，能够进一步有效地抑制散热膜与其他的部位或其他的部件之间的接触。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的制造方法的另外的特定的方面，还具备：对母基板进行单片化以获得多个所述压电基板的工序，在形成所述散热膜的工序中，在对所述母基板进行单片化之后，在所述压电基板的所述第2主面上形成所述散热膜。该情况下，在进行单片化时，能够抑制散热膜由于材料的延性、展性等而延伸。因此，能够更加降低与其他的部位或其他的部件之间的接触概率。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的制造方法的其他特定的方面，在形成所述散热膜的工序中，对所述母基板、或者进行单片化而得到的所述压电基板的所述第2主面进行背面研磨处理，在所述背面研磨处理之后，在所述压电基板的所述第2主面上形成所述散热膜。该情况下，能够在进行背面研磨处理的同时形成散热膜。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的制造方法的其他特定的方面，利用掩模或者薄膜抗蚀剂来形成所述散热膜。通过利用掩模或者薄膜抗蚀剂，能够容易地形成任意俯视形状的散热膜。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的制造方法的另外的特定的方面，在形成所述散热膜的工序中，对所述散热膜付与锥形，使得所述散热膜的面积随着从所述压电基板的所述第2主面远离而变小。该情况下，能够更加降低散热膜与其他的部位或其他的部件之间的接触概率。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的制造方法的另外的特定的方面，还具备：在所述压电基板的所述第1主面上，设置由树脂构成的支撑体使得包围所述IDT电极的工序；和在所述支撑体上设置由树脂构成的盖体，使得封住包围所述IDT电极的开口部的工序。该情况下，能够提供WLP 构造的弹性波装置。
本实用新型所涉及的弹性波装置具备：压电基板，具有相对置的第1 主面以及第2主面；IDT电极，被设置在所述压电基板的所述第1主面上；和散热膜，被设置在所述压电基板的所述第2主面上，具有相对置的一对主面和将所述一对主面连结的侧面，在沿着将所述散热膜的所述一对主面连结的方向的任意剖面，所述散热膜的所述侧面的至少一部分位于比所述压电基板的所述第2主面的外周靠内侧的位置。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的某个特定的方面，所述散热膜的所述一对主面之中的远离所述压电基板的所述第2主面的一侧的主面的外周缘，位于比所述第2主面的外周靠内侧的位置。该情况下，能够更为有效地抑制与其他的部位、其他的部件之间的接触。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，在从所述第2 主面侧进行俯视的情况下，所述散热膜的外周位于比所述第2主面的外周靠内侧的位置。该情况下，能够进一步有效地抑制散热膜与其他的部位或其他的部件之间的接触。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述压电基板的所述第2主面被进行了背面研磨处理。该情况下，能够谋求弹性波装置的薄型化。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的另外的特定的方面，对所述散热膜设置锥形，使得所述散热膜的面积随着从所述压电基板的所述第2主面远离而变小。该情况下，能够更加降低散热膜与其他的部位或其他的部件之间的接触概率。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的另外的特定的方面，所述散热膜是不含金属膜的电介质膜。该情况下，不必担心与其他的部位或其他的部件之间的短路。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的进一步其他的特定的方面，还具备：支撑体，被设置在所述压电基板的所述第1主面上，使得包围所述IDT 电极，并且该支撑体由树脂构成；和盖体，被设置在所述支撑体上，使得封住包围所述IDT电极的开口部，并且该盖体由树脂构成。该情况下，能够提供WLP构造的弹性波装置。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的另外的特定的方面，所述散热膜被设置成：在从所述压电基板的所述第2主面侧进行俯视的情况下，包含与设置在所述第1主面上的所述IDT电极重合的位置。该情况下，能够使由IDT电极所产生的热量经由压电基板以及散热膜更为有效地进行散热。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的其他的特定的方面，还具备被配置在所述压电基板的所述第1主面上的外部端子，所述散热膜被设置成：在从所述压电基板的所述第2主面侧进行俯视的情况下，包含与所述外部端子重合的位置。该情况下，能够从外部端子经由压电基板使热量快速地散热至散热膜。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的另外的特定的方面，还具备：保护膜，被设置成覆盖所述散热膜的至少一部分。该情况下，能够抑制散热膜的腐蚀、氧化。
在本实用新型所涉及的弹性波装置的进一步其他的特定的方面，还具备：紧贴层，被设置在所述散热膜与所述压电基板的所述第2主面之间。该情况下，能够抑制散热膜的剥离。
-实用新型效果-
根据本实用新型所涉及的弹性波装置的制造方法以及弹性波装置，由于对散热膜的形状进行了钻研设计，因此难以产生散热膜与其他的部位、其他的部件之间的接触。因此，能够有效地抑制由于接触而引起的物理上损坏或者短路不良。
附图说明
图1(a)以及图1(b)是本实用新型的第1实施方式所涉及的弹性波装置的俯视图以及示意正面剖视图。
图2是示意地表示本实用新型的第1实施方式的弹性波装置中的压电基板上的电极构造的俯视图。
图3是本实用新型的第1实施方式的弹性波装置的从压电基板的第1 主面侧观察到的仰视图。
图4(a)～图4(d)是用于说明本实用新型的第1实施方式的弹性波装置的制造方法的各示意图的正面剖视图。
图5是用于说明在本实用新型的第1实施方式的弹性波装置的制造方法中形成散热膜的工序的正面剖视图。
图6(a)以及图6(b)是本实用新型的第2实施方式所涉及的弹性波装置的示意俯视图以及示意正面剖视图。
图7是本实用新型的第3实施方式所涉及的弹性波装置的示意正面剖视图。
图8是本实用新型的第4实施方式所涉及的弹性波装置的示意正面剖视图。
图9是本实用新型的第5实施方式所涉及的弹性波装置的示意正面剖视图。
图10是本实用新型的第6实施方式所涉及的弹性波装置的示意正面剖视图。
图11是本实用新型的第7实施方式所涉及的弹性波装置的示意正面剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本实用新型的具体的实施方式，以使得本实用新型清晰明了。
再有，需要指出的是，本说明书中所记载的各实施方式是示例的内容，在不同的实施方式之间可以进行构成的部分置换或者组合。
图1(a)以及图1(b)是本实用新型的第1实施方式所涉及的弹性波装置的俯视图以及示意正面剖视图。
弹性波装置1是WLP(Wafer-level packaging：晶圆级封装)构造的弹性表面波装置，但并不特别限定。更为具体而言，弹性波装置1具有压电基板2。压电基板2由LiTaO3、LiNbO3等的压电单晶构成。压电基板 2也可以由压电陶瓷构成。
压电基板2具有相对置的第1主面2a和第2主面2b。
在第1主面2a上，作为激励电极而设置IDT电极3。
设置由树脂构成的支撑体4，以包围设有IDT电极3的区域。支撑体 4被设置为具有IDT电极3露出的开口部。
此外，在第1主面2a上，设置外部端子5。外部端子5与IDT电极3 电连接。外部端子5是为了使IDT电极3与外部电连接而设置。
IDT电极3以及外部端子5由合适的金属或者合金构成。
设置由树脂构成的盖体6，以封住上述支撑体4的开口部。上述盖体 6具有板状的形状。构成支撑体4以及盖体6的树脂没有特别限定。例如，能够使用热固化性聚酰亚胺、环氧树脂树脂等。
贯通支撑体4以及盖体6地设置贯通孔。在该贯通孔内设置下凸块金属层7。下凸块金属层7由合适的金属或者合金构成。在下凸块金属层7 上设置金属凸块8。金属凸块8由Au或焊锡等合适的金属或者合金构成。
在弹性波装置1中，在压电基板2的第2主面2b上设置散热膜9。散热膜9的俯视形状被设为矩形，但是并不特别限定。本实施方式中，散热膜9由金属构成。不过，散热膜9的材料并不特别限定，可以使用金属以外的材料。也就是说，能够由导热系数比压电基板2的导热系数高的合适的材料来形成散热膜9。因此，作为散热膜9，可以受用不含金属的电介质膜。该情况下，能够可靠地抑制由于与其他的部位或其他的部件之间的接触而引起的短路不良。
作为不含金属的电介质膜，能够列举出氧化铝等绝缘性陶瓷、或者塑料等。
弹性波装置1的特征在于，散热膜9的外周位于比第2主面2b的外周靠内侧的位置。因此，如图1(a)所示，在俯视弹性波装置1的情况下，在散热膜9的外周缘的外侧，存在第2主面2b的一部分。换言之，散热膜9的外周缘位于与第2主面2b的外周缘2b1隔开空间的位置。
弹性波装置1中，散热膜9由金属构成，导热系数高。另一方面，弹性波装置1中，对IDT电极3施加电压来激励弹性表面波。因此，在IDT 电极3中发热。该热量经由压电基板2从散热膜9被散热。
此外，尽管散热膜9由金属构成，但外周缘位于比第2主面2b的外周缘2b1靠内侧的位置。因此，在对弹性波装置1进行操作处理时，散热膜9难以与其他的部位或其他的部件接触。由此，难以产生散热膜9中的损坏，即便在散热膜9是具有导电性的金属的情况下，也难以产生短路不良。
再有，散热膜9的外周缘也未必一定位于比第2主面2b的外周缘2b1 靠内侧的位置。如参照后述的第2～第7实施方式所说明那样，在本实用新型中，只要在散热膜中在将相对置的一对主面连结的任意剖面处，散热膜的侧面的至少一部分位于比压电基板2的第2主面2b的外周缘2b1靠内侧的位置即可。
弹性波装置1中，IDT电极3被封在由压电基板2、支撑体4以及盖体6所包围的空间中。因此，IDT电极3中所产生的热量难以散出。在这种的WLP构造的弹性波装置中，强烈谋求改善散热性。根据本实施方式，利用上述散热膜9，能够使得这种热量有效地散出。因此，本实用新型在 WLP构造的弹性波装置1中是有效果的。
图2是表示上述压电基板2的第1主面2a上的电极构造的示意俯视图。更为详细而言，在第1主面2a上，设置多个IDT电极。由矩形框包围图2中的“X”的符号表示IDT电极、在IDT电极的两侧设置反射器的构造。也就是说，在由“X”和包围“X”的矩形框所示的区域，分别构成一端口型弹性表面波谐振器11。该多个一端口型弹性表面波谐振器11 被电连接，从而构成梯型滤波器。
此外，为了将图2的一端口型弹性表面波谐振器11等与外部电连接，设置多个外部端子5。
图3是上述弹性波装置1的仰视图。其中仅以虚线示意地表示构成一端口型弹性表面波谐振器11的部分。
此外，图3的单点划线表示在压电基板2的第2主面2b侧设置的散热膜9的外周缘。根据图3可知，在从第2主面2b侧俯视弹性波装置1 的情况下，散热膜9被设置为包含与设有一端口型弹性表面波谐振器11 的区域重合的位置。如前所述，弹性表面波谐振器中，首先在IDT电极3 中发热。该热量经由压电基板2而被快速地散热至与IDT电极3重合的散热膜9侧。由此，能够更为有效地提高散热性。
此外，上述的图1(b)所示的外部端子5与IDT电极3电连接。因此，热量也被快速地传导至外部端子5。并且，本实施方式中，在从第2 主面2b侧俯视弹性波装置的情况下，散热膜9被设置为包含隔着压电基板2而与外部端子5重合的位置。由此，这样一来也能够更为有效地从散热膜9对IDT电极3中产生的热量进行散热。
此外，本实施方式的弹性波装置1中，根据后述的制造方法可知，压电基板2被进行了背面研磨处理(对晶圆的背面进行研磨的处理)。更为具体而言，通过对与第1主面2a侧相反的一侧的主面进行背面研磨处理，得到第2主面2b，由此一来使得压电基板2的厚度变薄。因此，弹性波装置1中，可谋求薄型化。
接下来，参照图4以及图5，说明弹性波装置1的制造方法。如图4(a)所示，准备母基板2A。接下来，通过切割处理等对母基板2A进行单片化。由此，如图4(b)所示那样，得到多个压电基板2B。
在上述单片化时，将母基板2A粘贴至例如切割带，在该状态下进行切割等。由此一来，多个压电基板2B在粘贴至切割带的状态下被准备。根据需要，也可以在切割后使切割带延展，以展宽压电基板2B之间的间隔。
接下来，对压电基板2B进行研磨。更为具体而言，对与粘贴至切割带的面相反一侧的面、即最终成为第2主面2b侧的面进行研磨。该研磨处理是前述的背面研磨处理。
由此，如图4(c)所示那样，能够得到厚度薄的多个压电基板2。上述背面研磨处理的研磨方法没有特别限定，可使用研磨轮等。
接下来，在被保持在切割带的状态下，如图4(d)所示，将散热膜9 形成在压电基板2的第2主面2b上。该散热膜9的形成方法没有特别限定。
在图4(a)～图4(d)所示的方法中，在进行了单片化之后进行背面研磨处理。因此，能够减少基于切割的单片化中所产生的、缺口或划痕等背面的碎裂。此外，无需在较薄的状态下对母基板2A(晶圆)进行处理。因此，能够损伤等的可能性变低。
再有，作为图4(a)～图4(d)所示的方法，可以采用例如以下的第 1或者第2方法。第1方法中，在进行单片化之间进行背面研磨处理。在该方法中，在图4(a)的状态下对母基板2A进行背面研磨处理，之后进行单片化。最后，如图4(d)所示那样形成散热膜9。该方法中，由于在图4(a)的状态下对压电基板整体进行背面研磨处理，因此容易使得研磨量在各芯片中变得均匀。
第2方法被称为DBG(Dicing Before Grinding：研磨前切割)方法，在后述的第5实施方式中进行说明。
此外，作为决定散热膜9的形状的方法，期望如图5所示那样利用具有开口部12a的掩模12。作为掩模12，期望利用金属掩模。由此，能够防止在通过单片化所形成的压电基板2的侧面附着散热膜9，能够高精度地形成散热膜9的形状。不过，掩模12也可以由其他材料形成。掩模12 的开口部12a的俯视形状被设为与形成的散热膜9的俯视形状相同。通过对掩模12的形状进行钻研设计，能够如图1(b)、图6(b)、图10以及图11所示那样，将散热膜9的形状设为各种的形状。
再有，本实施方式中，开口部12a具有矩形的形状。
将上述掩模12配置在压电基板2的第2主面2b上、或者第2主面2b 的上方，如箭头所示那样，使散热膜形成用材料堆积。由此，能够形成散热膜9。在使用掩模12的情况下，通过变更开口部12a的形状，能够容易地形成各种俯视形状的散热膜9。
也可以取代上述掩模12而使用薄膜抗蚀剂，通过光刻法来形成散热膜9。
如上述，能够在压电基板2形成散热膜9。
根据该制造方法，由于在单片化之后形成散热膜9，因此在单片化时不会产生散热膜形成用材料出现延展的这种问题。因此，更为难以产生散热膜9与其他的部位或其他的电子部件等其他的部件的接触。
再有，在母基板的一个主面的整个面形成散热膜等金属膜或电介质膜的情况下，存在母基板中产生弯曲的这种问题。本实施方式中，由于在单片化之后形成散热膜9，因此这种的压电基板的弯曲也难以产生。
不过，也可以在单片化之前形成散热膜9。即便在该情况下，通过使散热膜9的外周缘位于比压电基板2的第2主面2b的外周缘靠内侧的位置，也难以产生其他的部位或其他的部件与散热膜9之间的接触。
如上述，通过基于切割的单片化、背面研磨处理以及散热膜9的形成的顺序来制造弹性波装置1。因此，如上述那样，应用采用了切割带的现有的切割方法，从而在切割处理之后能够容易进行背面研磨处理以及散热膜9的形成处理。
再有，期望在准备母基板2A的工序中预先形成图1(b)所示的包含 IDT电极3以及外部端子5的电极构造。也就是说，期望在母基板2A的阶段，在第1主面2a侧形成除去金属凸块8以外的构成。在形成了上述散热膜9之后，将金属凸块8设置在下凸块金属层7上即可。
不过，上述电极构造的形成工序、形成支撑体4的工序、层叠盖体6 的工序也可以在形成散热膜9之后实施。
图6(a)以及图6(b)是第2实施方式所涉及的弹性波装置的示意俯视图以及示意正面剖视图。
第2实施方式的弹性波装置21除了具有被付与锥形的散热膜22之外，与第1实施方式的弹性波装置1是相同的。因此，对于同一部分付与同一参照序号，并引用第1实施方式的说明。以下的第3～第5实施方式中也同样，对于与第1实施方式的弹性波装置1相同的部分付与相同的参照序号，并省略其说明。
第2实施方式的弹性波装置21中，取代散热膜9而设置散热膜22。散热膜22具有作为相对置的一对主面的下表面22a和上表面22c。下表面 22a与压电基板2的第2主面2b相接。侧面22b将下表面22a与上表面 22c连结。散热膜22被付与锥形，使得随着从下表面22a到上表面22c，而散热膜22的面积变小。换言之，侧面22b倾斜，使得越是向上方而越靠近中央侧。
因此，散热膜22更加难以与其他的部位或其他的部件接触。由此，弹性波装置21中，更加难以产生散热膜22的物理上的损坏、短路不良。
这种被付与锥形的散热膜22能够通过前述的利用了掩模或薄膜抗蚀剂的方法来容易地形成。
图7所示的第3实施方式的弹性波装置31中，设置保护膜32以覆盖散热膜22的上表面22c以及侧面22b。保护膜32能够由SiO2等的无机电介质、或者合成树脂等的合适的材料形成。通过形成保护膜32，能够防止散热膜22的腐蚀、氧化。
不过，散热膜的形状不仅是散热膜22所示的这种锥形形状，也可以取得图1(b)、图6(b)、图10、图11所示的各种形状。该情况下，保护膜以保护散热膜的整体或者一部分的形式来形成。在保护散热膜的整体的情况下，保护膜形成为覆盖散热膜的上表面以及侧面。此外，在保护散热膜的一部分的情况下，保护膜形成为覆盖散热膜的上表面或者侧面的任意一方、或者上表面的一部分、侧面的一部分。
图8所示的第4实施方式的弹性波装置41中，紧贴层42被设置在压电基板2的第2主面2b上。在该紧贴层42上，层叠散热膜22。紧贴层 42由相对于压电基板2的紧贴性比散热膜22优异的材料构成。作为这种材料，在压电基板2由压电单晶构成，散热膜22由Al等金属构成的情况下，能够由Ti或NiCr等形成。
不过，如上述那样，散热膜的形状不仅是以散热膜22示出的这种锥形形状，也可以取得图1(b)、图6(b)、图10、图11中所示的各种形状。因此，紧贴层的形状也能与散热膜的形状相匹配地变化。图9所示的第5实施方式的弹性波装置51中，压电基板2C的第2主面2b是通过DBG 方法进行背面研磨处理而形成的面。所谓DBG方法，是在对压电基板进行单片化时，通过切割使切缝进入到压电基板的中途，对压电基板的背面 (与切缝进入的面相对置的主面)进行背面研磨处理，从而使压电基板单片化的方法。通过利用DBG方法来进行背面研磨处理，来形成第2主面 2b。因此，压电基板2C的厚度被形成得较薄。DBG方法中在进行单片化之后进行背面研磨处理，因此能够减少基于切割的单片化中所产生的、背面的碎裂(缺口或划痕)。此外，无需在较薄的状态下对母基板2A(晶圆)进行处理，存在损坏等的可能性变低的这种优点。此外，由于DBG 方法是进行背面研磨处理的同时进行单片化的方法，因此还存在容易使得研磨量在各芯片变得均匀的这种优点。关于其他的方面，弹性波装置51 与弹性波装置41相同。
图10所示的第6实施方式的弹性波装置52是图6(b)所示的第2 实施方式的弹性波装置21的变形例。更为详细而言，取代散热膜22而使用散热膜22A。不同之处在于，散热膜22A中，锥形与散热膜22相反。也就是说，在散热膜22A中，被付与倒锥形，使得随着从上表面22c向下表面22a而散热膜22A的面积变小。因此，随着从上表面22c至下表面 22a，侧面22b位于比压电基板2的第2主面2b的外周缘更靠内侧的位置。该情况下，由于上表面22c的外周缘位于比压电基板2的第2主面2b的外周缘靠内侧的位置，因此也能够更为有效地抑制散热膜22A与其他的部位或其他的部件的接触。
再有，弹性波装置52中，上表面22c的外周缘也可以存在于与压电基板2的第2主面2b的外周缘重合的位置。即便在该情况下，在沿着将下表面22a和上表面22c连结的任意的剖面，使得侧面22b的除去侧面22b 的上端之外的剩余的部分位于比压电基板2的外周缘靠内侧的位置。因此，在该情况下，也能够抑制散热膜22A与其他的部位或其他的部件之间的接触。
图11所示的第7实施方式所涉及的弹性波装置53也相当于第2实施方式的弹性波装置21的变形例。不同之处在于，取代散热膜22而设置散热膜22B。对散热膜22B付与锥形，使得与散热膜22同样地随着从下表面22a到上表面22c而面积变小。不过，对于散热膜22B而言，下表面22a 的外周缘位于与压电基板2的第2主面2b的外周缘重合的位置。
该情况下，在沿着将上表面22c和下表面22a连结的方向的任意剖面，侧面22b的除了下端的部分位于比压电基板2的第2主面2b的外周缘靠内侧的位置。因此，散热膜22B中，也能够抑制与其他的部位或其他的部件之间的接触。
也可以如第7实施方式的弹性波装置53那样，散热膜的一部分存在于与压电基板2的第2主面2b的外周缘重合的位置。在将散热膜的相对置的一对主面、即上表面22c以及下表面22a连结的任意剖面，只要侧面 22b的至少一部分位于比压电基板2的外周缘更靠内侧的位置，就能够抑制散热膜22B与其他的部位或其他的部件之间的接触。
再有，第6以及第7实施方式的弹性波装置52以及53的其他的构造与第2实施方式的弹性波装置21相同。
由于上述的第2～第7实施方式的弹性波装置21、31、41、51、52、 53中，其他的构成与第1实施方式的弹性波装置1相同，因此与弹性波装置1同样地，能够从散热膜22、22A、22B使IDT电极3中产生的热量有效散热。此外，由于难以产生散热膜22、22A、22B与其他的部位或其他的部件之间的接触，因此不容易产生散热膜22、22A、22B的损坏、短路不良。
在第2～第5实施方式中，也优选与第1实施方式同样地，使散热膜 22形成为包含与IDT电极3重合的位置、以及/或者包含与外部端子5重合的位置。由此，能够更为有效地提高散热性。
本实用新型的弹性波装置被广泛地用于各种电子设备、通信设备。作为电子设备，例如存在传感器。作为通信设备，例如存在包含本实用新型的弹性波装置的双工器、包含本实用新型的弹性波装置和PA(Power Amplifier：功率放大器)以及/或者LNA(Low NoiseAmplifier：低噪声放大器)的通信模块设备、包含该通信模块设备的移动通信设备、健康通信设备等。作为移动通信设备，存在便携电话、手机、汽车导航仪等。作为健康设备，存在体重计、体脂计等。健康设备、移动通信设备具备天线、 RF模块、LSI、显示器、输入部、以及电源等。
符号说明
1…弹性波装置
2…压电基板
2A…母基板
2B…压电基板
2C…压电基板
2a，2b…第1，第2主面
2b1…外周缘
3…IDT电极
4…支撑体
5…外部端子
6…盖体
7…下凸块金属层
8…金属凸块
9…散热膜
11…一端口型弹性表面波谐振器
12…掩模
12a…开口部
21、31、41、51、52、53…弹性波装置
22、22A、22B…散热膜
22a…下表面
22b…侧面
22c…上表面
32…保护膜
42…紧贴层。

Claims (11)

1.一种弹性波装置，其具备：
压电基板，具有相对置的第1主面以及第2主面；
IDT电极，被设置在所述压电基板的所述第1主面上；和
散热膜，被设置在所述压电基板的所述第2主面上，具有相对置的一对主面和将所述一对主面连结的侧面，
在沿着将所述散热膜的所述一对主面连结的方向的任意剖面，所述散热膜的所述侧面的至少一部分位于比所述压电基板的所述第2主面的外周靠内侧的位置。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述散热膜的所述一对主面之中的远离所述压电基板的所述第2主面的一侧的主面的外周缘，位于比所述第2主面的外周靠内侧的位置。
3.根据权利要求1或者2所述的弹性波装置，其中，
在从所述第2主面侧进行俯视的情况下，所述散热膜的外周位于比所述第2主面的外周靠内侧的位置。
4.根据权利要求1或者2所述的弹性波装置，其中，
所述压电基板的所述第2主面被进行了背面研磨处理。
5.根据权利要求1或者2所述的弹性波装置，其中，
对所述散热膜设置锥形，使得所述散热膜的面积随着从所述压电基板的所述第2主面远离而变小。
6.根据权利要求1或者2所述的弹性波装置，其中，
所述散热膜是不含金属膜的电介质膜。
7.根据权利要求1或者2所述的弹性波装置，其中，
还具备：
支撑体，被设置在所述压电基板的所述第1主面上，使得包围所述IDT电极，并且该支撑体由树脂构成；和
盖体，被设置在所述支撑体上，使得封住包围所述IDT电极的开口部，并且该盖体由树脂构成。
8.根据权利要求1或者2所述的弹性波装置，其中，
所述散热膜被设置成：在从所述压电基板的所述第2主面侧进行俯视的情况下，包含与设置在所述第1主面上的所述IDT电极重合的位置。
9.根据权利要求1或者2所述的弹性波装置，其中，
还具备：外部端子，被配置在所述压电基板的所述第1主面上，
所述散热膜被设置成：在从所述压电基板的所述第2主面侧进行俯视的情况下，包含与所述外部端子重合的位置。
10.根据权利要求1或者2所述的弹性波装置，其中，
还具备：保护膜，被设置成覆盖所述散热膜的至少一部分。
11.根据权利要求1或者2所述的弹性波装置，其中，
还具备：紧贴层，被设置在所述散热膜与所述压电基板的所述第2主面之间。
CN201590001126.9U 2014-12-04 2015-12-03 一种弹性波装置 Active CN206790453U (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-245794 2014-12-04
JP2014245794 2014-12-04
PCT/JP2015/083998 WO2016088830A1 (ja) 2014-12-04 2015-12-03 弾性波装置の製造方法及び弾性波装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN206790453U true CN206790453U (zh) 2017-12-22

Family

ID=56091770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201590001126.9U Active CN206790453U (zh) 2014-12-04 2015-12-03 一种弹性波装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10601389B2 (zh)
KR (1) KR101987712B1 (zh)
CN (1) CN206790453U (zh)
WO (1) WO2016088830A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111193488A (zh) * 2018-11-14 2020-05-22 天津大学 散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101953219B1 (ko) * 2016-11-24 2019-02-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
GB2608902B (en) * 2018-08-22 2023-05-17 Skyworks Solutions Inc Multilayer piezolelectric substrate
WO2023248751A1 (ja) * 2022-06-23 2023-12-28 京セラ株式会社 弾性波装置、弾性波装置の製造方法、および通信装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3982876B2 (ja) * 1997-06-30 2007-09-26 沖電気工業株式会社 弾性表面波装置
JP4103219B2 (ja) * 1998-12-21 2008-06-18 沖電気工業株式会社 弾性表面波フィルタ
JP2002076828A (ja) * 2000-08-24 2002-03-15 Toshiba Corp 弾性表面波素子
JP4617559B2 (ja) 2000-10-30 2011-01-26 富士電機システムズ株式会社 電力用半導体素子の製造方法
JP2002255690A (ja) * 2001-02-28 2002-09-11 Kyocera Corp 単結晶ウエハ及びそれを用いた弾性波装置
JP2004253937A (ja) * 2003-02-19 2004-09-09 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波フィルタとその製造方法
JP2004260410A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｓａｗデバイス
JP2005217670A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Kyocera Corp 弾性表面波装置および通信装置
JP4646557B2 (ja) * 2004-06-28 2011-03-09 京セラ株式会社 通信装置
JP4412123B2 (ja) 2004-09-09 2010-02-10 エプソントヨコム株式会社 表面弾性波デバイス
JP4758197B2 (ja) * 2005-10-24 2011-08-24 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び通信装置
JP4835238B2 (ja) * 2006-04-06 2011-12-14 ソニー株式会社 共振器、共振器の製造方法および通信装置
WO2008018452A1 (fr) * 2006-08-07 2008-02-14 Kyocera Corporation Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface
JP4570653B2 (ja) * 2007-12-05 2010-10-27 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 弾性表面波フィルタ
WO2009104438A1 (ja) 2008-02-18 2009-08-27 株式会社 村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP5304386B2 (ja) * 2009-03-27 2013-10-02 株式会社村田製作所 弾性表面波素子の製造方法
JP2010252210A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Seiko Epson Corp 温度補償型圧電発振器
JP5425005B2 (ja) * 2009-08-19 2014-02-26 日本電波工業株式会社 圧電部品及びその製造方法
WO2013035819A1 (ja) 2011-09-08 2013-03-14 株式会社村田製作所 電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法
WO2013146374A1 (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111193488A (zh) * 2018-11-14 2020-05-22 天津大学 散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备
CN111193488B (zh) * 2018-11-14 2024-01-26 天津大学 散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
US10601389B2 (en) 2020-03-24
WO2016088830A1 (ja) 2016-06-09
US20170237406A1 (en) 2017-08-17
KR20170072326A (ko) 2017-06-26
KR101987712B1 (ko) 2019-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN206790453U (zh) 一种弹性波装置
US20120241211A1 (en) Electronic component, electronic device, and method for manufacturing the electronic component
US20200343151A1 (en) Module with built-in component and method for manufacturing the same
CN107112976A (zh) 弹性波装置
CN107070428A (zh) 电子部件
CN1921298A (zh) 石英晶体振动器、振荡器以及电子设备
JPWO2019045088A1 (ja) 高周波モジュールおよびその製造方法
JP5453787B2 (ja) 弾性表面波デバイス
JP2014011570A (ja) 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置
US10284171B2 (en) Acoustic wave devices having improved connection reliability
JP5695145B2 (ja) 弾性表面波デバイス
US10075146B2 (en) Elastic wave device with sealing structure
JP2008135971A (ja) 弾性波デバイス
US11588468B2 (en) Acoustic wave device, radio-frequency front-end circuit, and communication apparatus
JP5856592B2 (ja) 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置
CN111279613A (zh) 用于体声波谐振器的椭圆结构
JP4370615B2 (ja) 圧電デバイスとその製造方法
JP2010200221A (ja) 電子部品、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置、および電子部品の製造方法
JP2014116665A (ja) 弾性波装置
JP2006014097A (ja) 弾性表面波装置およびその製造方法ならびに通信装置
KR101787329B1 (ko) 탄성파 디바이스
US10847472B2 (en) Elastic wave device
JP2011055315A (ja) 弾性波素子とこれを用いた電子機器
KR20170045194A (ko) 음향파 디바이스, 및 이를 이용한 안테나 듀플렉서, 모듈, 및 통신 디바이스
JP2011228359A (ja) 弾性波デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant