KR20170045194A

KR20170045194A - 음향파 디바이스, 및 이를 이용한 안테나 듀플렉서, 모듈, 및 통신 디바이스

Info

Publication number: KR20170045194A
Application number: KR1020177000510A
Authority: KR
Inventors: 미쯔노리 미야나리; 요스께 하마오까; 또루 야마지; 히데까즈 나까니시; 히로유끼 나까무라
Original assignee: 스카이워크스 필터 솔루션즈 재팬 씨오., 엘티디.
Priority date: 2014-07-07
Filing date: 2015-06-26
Publication date: 2017-04-26
Also published as: WO2016006189A1; CN106489239B; KR102393782B1; JP6618521B2; JP2017520195A; CN106489239A

Abstract

기판(12), 상기 기판의 상부 표면상에 제공된 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극(13), 상기 기판의 상부 표면상에 제공되고 상기 IDT 전극에 접속되는 제1 배선 전극(14, 15), 상기 제1 배선 전극의 제1 영역(18)은 덮지 않고 상기 기판 위의 상기 제1 배선 전극의 제2 영역(19)을 덮는 유전체 막(16) - 상기 제1 배선 전극은 상기 제2 영역(19)에 컷아웃을 포함함 -, 및 상기 제1 영역에서 상기 제1 배선 전극의 상부 표면 및 상기 기판 위의 상기 제2 영역에서 상기 유전체 막의 상부 표면을 덮는 제2 배선 전극(17)을 포함하는 음향파 디바이스. 상기 유전체 막(16)은 특정 막 두께(T2) 및 하부의 컷아웃으로 인한 가늘어진 두께(T1)를 가질 수 있다. 가늘어진 두께는 IDT 전극(13)을 화학적 열화 및 기계적 손상으로부터 보호할 수 있다.

Description

음향파 디바이스, 및 이를 이용한 안테나 듀플렉서, 모듈, 및 통신 디바이스{ACOUSTIC WAVE DEVICES, AND ANTENNA DUPLEXERS, MODULES, AND COMMUNICATION DEVICES USING SAME}

양태들 및 실시예들은 이동 통신 디바이스 등에 사용되는 음향파 디바이스, 및 이를 이용한 안테나 듀플렉서, 모듈 및 통신 디바이스에 관한 것이다.

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 35 U.S.C. §119 및 PCT 제8조의 규정에 따라 2014년 7월 7일자로 출원된, 발명의 명칭이 "음향파 디바이스, 및 이를 이용한 안테나 듀플렉서, 모듈 및 통신 디바이스"인 공동 계류중인 일본 특허 출원 제2014-139343호의 우선권을 주장하며, 해당 출원은 사실상 그 전체가 본 명세서에 참고로 포함된다.

종래의 음향파 디바이스의 특정 예들은 압전 기판상에 제공된 인터디지털 트랜스듀서(interdigital transducer, IDT) 전극, 상기 IDT 전극에 접속되는 제1 배선 전극, 상기 IDT 전극 및 상기 제1 배선 전극을 덮지만 상기 제1 배선 전극의 일부는 덮지 않는 유전체 막, 및 상기 제1 배선 전극의 상부 표면으로부터 상기 유전체 막의 상부 표면을 향하여 제공되고 상기 압전 기판의 상기 표면 위의 상이한 높이에서 상기 제1 배선 전극과 교차되는(본 명세서에서는 상이한 등급(different grade)에서 교차된다고 함) 제2 배선 전극을 포함한다. 이러한 음향파 디바이스는, 예를 들어, 일본 특허 출원 공보 제2009-182407호에 개시되어 있다.

일본 특허 출원 공보 제2009-182407호

전술한 종래의 음향파 디바이스는, 배선 전극의 저항 값의 증가, 배선 전극의 단선 가능성의 증가와 같은 접속 신뢰성 문제들, 및 제2 배선 전극이 제1 배선 전극의 상부 표면으로부터 유전체 막의 상부 표면으로 전이하는 전이 영역에서의 제2 배선 전극의 세선화(thinning)에 의해 야기되는 다른 문제들을 겪는다. 또한, 제조 공정으로 인해 유전체 막의 가장자리에 때때로 돌출부가 발생할 수 있고, 그 결과, 배선 전극의 도포성(coatability)이 악화될 수 있고, 배선 전극이 가장자리에서 응력을 겪을 수 있어, 유전체 막의 가장자리에서의 단선 가능성의 증가를 야기할 수 있다.

이러한 문제들을 해결하기 위해, 본 발명의 양태들 및 실시예들은 상이한 등급(기판 위의 상이한 높이들)에서 서로 교차되는 배선들에 대한 개선된 접속 신뢰성을 갖는 음향파 디바이스를 제공한다.

특정 실시예들에 따르면, 음향파 디바이스는 기판, 상기 기판의 상부 표면상에 제공된 인터디지털 트랜스듀서(interdigital transducer, IDT) 전극, 상기 기판의 상부 표면상에 제공되어 상기 IDT 전극에 접속되는 제1 배선 전극, 상기 제1 배선 전극의 제1 영역은 덮지 않고 상기 기판상의 상기 제1 배선 전극의 제2 영역을 덮는 유전체 막 - 상기 제1 배선 전극은 상기 제1 영역에 인접한 상기 제2 영역에서 컷아웃을 포함함 -, 및 상기 제1 배선 전극의 상기 제1 영역의 상부 표면으로부터 상기 유전체 막의 상부 표면을 향하여 제공되는 제2 배선 전극을 포함한다.

전술한 구성에 따르면, 음향파 디바이스는 상이한 등급에서 서로 교차되는 배선들에 대한 개선된 접속 신뢰성을 가질 수 있다.

음향파 필터의 다양한 실시예들은 다음의 특징들 중 임의의 하나 이상을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 음향파 디바이스는 기판, 상기 기판의 상부 표면상에 제공된 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극, 상기 기판의 상부 표면상에 제공되어 상기 IDT 전극에 접속되는 제1 배선 전극, 제1 영역에서 상기 기판의 상기 상부 표면 위에 배치되고, 제2 영역에서 상기 제1 배선 전극 위에 배치되고 상기 제1 배선 전극을 덮는 유전체 막 - 상기 유전체 막은 제1 영역에서는 상기 제1 배선 전극 위로 연장되지 않아 상기 제1 배선 전극을 덮지 않도록 배치되고, 상기 제1 배선 전극은 상기 제2 영역에서 컷아웃을 포함함 -, 및 상기 제1 영역에서 상기 제1 배선 전극의 상부 표면 위에 배치되어 상기 상부 표면을 덮고, 상기 기판 위의 상기 제2 영역에서 상기 유전체 막의 상부 표면 위에 배치되어 상기 상부 표면을 덮는 제2 배선 전극을 포함한다.

일례에서, 상기 제2 영역에서 상기 제1 배선 전극 위에 배치된 상기 유전체 막의 제1 부분의 두께는 상기 기판의 상부 표면을 덮는 상기 유전체 막의 제2 부분의 두께보다 작다. 상기 유전체 막의 상기 제1 부분의 두께는 또한 상기 제2 배선 전극의 두께보다 작을 수 있다. 일례에서, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역이 서로 근접하는 위치 부근에서 상기 유전체 막의 가장자리로부터 상기 제2 배선 전극의 상부 표면까지 연장되는 상기 제2 배선 전극의 가장 얇은 부분들의 두께는 상기 제2 영역에서의 상기 제2 배선 전극의 두께보다 작다. 또 다른 예에서, 상기 IDT 전극의 두께는 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위에 있다. 또 다른 예에서, 상기 제1 배선 전극의 두께는 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위에 있다. 또 다른 예에서, 상기 제2 배선 전극의 두께는 1.0㎛ 내지 3.0㎛의 범위에 있다.

일례에서, 상기 기판은 단결정 압전 재료를 포함한다.

일례에서, 상기 컷아웃은 상기 제1 영역을 향하여 연장되는 상기 제1 배선 전극의 가장자리로부터 제공되는 빗살 패턴을 포함한다. 또 다른 예에서, 상기 컷아웃은 슬릿 형상이다. 또 다른 예에서, 상기 컷아웃은 상기 제1 배선 전극을 가로질러 제공되고 상기 제1 배선 전극의 상부 표면으로부터 상기 기판의 상기 상부 표면까지 연장되는 관통 구멍을 포함한다. 또 다른 예에서, 상기 컷아웃은 상기 제1 배선 전극 내에 제공된 리세스를 포함한다.

추가적인 양태들 및 실시예들은 음향파 필터 및 이러한 음향파 디바이스를 이용한 안테나 듀플렉서뿐만 아니라, 이를 이용한 모듈 및 통신 디바이스를 제공하는 것에 관한 것이다.

또 다른 실시예에 따르면, 음향파 디바이스의 제조 방법은 기판의 상부 표면상에 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극을 형성하는 단계, 상기 기판의 상기 상부 표면상에 제1 배선 전극을 형성하고 상기 제1 배선 전극을 상기 IDT 전극에 접속하는 단계, 및 상기 제1 배선 전극의 일부에 컷아웃을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 음향파 디바이스의 제1 및 제2 영역들에서 유전체 막을 형성하는 단계 - 상기 유전체 막은 상기 제2 영역에서 상기 제1 배선 전극을 덮도록 형성 및 배치되고 상기 제1 영역에서는 상기 제1 배선 전극 위로 연장되지 않아 상기 제1 배선 전극을 덮지 않도록 형성 및 배치되고, 상기 제1 배선 전극의 일부에서의 상기 컷아웃은 상기 제2 영역에 위치함 -, 및 제2 배선을 상기 제1 영역에서 상기 제1 배선 전극의 상부 표면 위에 배치하여 상기 상부 표면을 덮고 상기 제2 배선을 상기 제2 영역에서 상기 유전체 막의 상부 표면의 적어도 일부 위에 배치하여 상기 상부 표면의 적어도 일부를 덮는 것을 포함하여, 상기 기판 위에 제2 배선 전극을 형성하는 단계를 더 포함한다.

일례에서, 상기 유전체 막을 형성하는 단계는 상기 제1 영역에서 상기 기판 위에 제1 두께를 갖는 상기 유전체 막을 형성하고 상기 제2 영역에서 상기 제1 배선 전극 위에 제2 두께를 갖는 상기 유전체 막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2 두께는 상기 제1 두께보다 작다.

일례에서, 상기 컷아웃을 형성하는 단계는 상기 제1 배선 전극의 일부에 복수의 관통 구멍을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 관통 구멍은 상기 제1 배선 전극의 상기 상부 표면으로부터 상기 기판의 상기 상부 표면까지 연장된다. 또 다른 예에서, 상기 컷아웃을 형성하는 단계는 상기 제1 배선 전극의 일부에 적어도 하나의 슬릿을 형성하는 단계를 포함한다. 또 다른 예에서, 상기 컷아웃을 형성하는 단계는 상기 제1 배선 전극의 일부에 빗살 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 빗살 패턴은 상기 제1 배선 전극의 가장자리로부터 상기 제1 영역을 향하여 연장된다. 또 다른 예에서, 상기 컷아웃을 형성하는 단계는 상기 제1 배선 전극의 일부에 리세스를 형성하는 단계를 포함한다.

또 다른 양태들, 실시예들, 및 이러한 예시적인 양태들 및 실시예들의 이점들이 아래에 상세하게 논의된다. 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서에 개시된 원리들 중 적어도 하나에 부합하는 임의의 방식으로 다른 실시예들과 결합될 수 있으며, "실시예", "일부 실시예", "대안 실시예", "다양한 실시예", "일 실시예" 등에 대한 언급은 반드시 상호 배타적인 것은 아니며, 설명된 특정 특징, 구조, 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함될 수 있다는 점을 나타내려는 것이다. 본 명세서에서의 이러한 용어들의 출현들은 반드시 모두가 동일한 실시예를 언급하는 것은 아니다.

적어도 하나의 실시예의 다양한 양태들은 축척대로 그려지도록 의도되지는 않은 첨부 도면들을 참조하여 아래에 논의된다. 이 도면들은 다양한 양태들 및 실시예들의 예시 및 추가적인 이해를 제공하기 위해 포함되고, 본 명세서에 포함되어 본 명세서의 일부를 구성하지만, 본 발명의 범위의 정의로서 의도되지는 않는다. 도면들에서, 다양한 도면들에 예시되는 각각의 동일하거나 거의 동일한 구성 요소는 유사한 번호로 표현된다. 명료성을 위해, 모든 도면에서 모든 구성 요소에 라벨이 붙지는 않을 수 있다. 도면들에서:
도 1a는 본 발명의 양태들에 따른 음향파 디바이스의 일 실시예의 평면도이다;
도 1b는 도 1a의 B-B 라인을 따라 절취한 도 1a의 음향파 디바이스의 단면도이다;
도 2a는 본 발명의 양태들에 따른 음향파 디바이스의 또 다른 실시예의 평면도이다;
도 2b는 도 2a의 C-C 라인을 따라 절취한 도 2a의 음향파 디바이스의 단면도이다;
도 3a는 본 발명의 양태들에 따른 음향파 디바이스의 또 다른 실시예의 평면도이다;
도 3b는 도 3a의 D-D 라인을 따라 절취한 도 3a의 음향파 디바이스의 단면도이다;
도 4a는 본 발명의 양태들에 따른 음향파 디바이스의 또 다른 실시예의 평면도이다;
도 4b는 도 4a의 E-E 라인을 따라 절취한 도 4a의 음향파 디바이스의 단면도이다;
도 5는 본 발명의 양태들에 따른 음향파 디바이스를 포함하는 안테나 듀플렉서의 일례의 블록도이다;
도 6은 본 발명의 양태들에 따른 음향파 디바이스를 포함하는 모듈의 일례의 블록도이다;
도 7은 본 발명의 양태들에 따른, 도 6의 안테나 듀플렉서를 포함하는 통신 디바이스의 일례의 블록도이다.

전술한 바와 같이, 양태들 및 실시예들은 상이한 등급(기판의 표면 위의 상이한 높이들)에서 서로 교차하고 유전체 막에 의해 서로 분리되고 전기적으로 절연되는 2개 이상의 배선을 포함하는 음향파 디바이스에 관한 것이고, 이 음향파 디바이스는 유전체 막의 가장자리들에서 상부 배선의 과도한 세선화를 방지하는 구조를 갖는다. 음향파 디바이스의 실시예들은 이러한 교차된 배선들에 대한 개선된 접속 신뢰성을 가지며, 따라서 개선된 신뢰성 및/또는 성능을 가질 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어, 안테나 듀플렉서, 모듈 및 통신 디바이스와 같이, 이러한 음향파 디바이스를 포함하는 구성 요소들도 개선된 특성을 가질 수 있다.

본 명세서에서 설명되는 방법들 및 장치들의 실시예들은 이하의 설명에서 개시되거나 첨부된 도면들에 예시된 구성 요소들의 구조와 배열의 세부사항들로 적용이 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 방법들 및 장치들은 다른 실시예들에서 구현될 수 있으며, 다양한 방식들로 실시되거나 수행될 수 있다. 특정 구현들의 예들이 본 명세서에서 예시적인 목적으로만 제공되며, 제한하는 것으로 의도되지는 않는다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 어구 및 용어는 설명을 위한 것이며, 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다. 본 명세서에서 "포함하는(including)", "포함하는(comprising)", "갖는(having)", "포함하는(containing)", "수반하는(involving)", 및 그 변형들의 사용은 그 이후에 열거된 항목들 및 그 등가물뿐만 아니라 추가 항목들을 포괄하려는 것이다. "또는"에 대한 언급은 "또는"을 사용하여 기술된 임의의 용어들이 기술된 용어들 중 하나, 둘 이상 및 전부 중 임의의 것을 나타낼 수 있도록 포괄적인 것으로 해석될 수 있다. 전방 및 후방, 좌측 및 우측, 최상부 및 최하부, 상부 및 하부 등은 임의의 하나의 위치 또는 공간 방향으로 본 시스템들 및 방법들 또는 이들의 구성 요소들을 제한하기 위한 것이 아니라 설명의 편의를 위해 의도된 것이다. 특히, 이하에 설명되는 바와 같이, "위", "아래", "상부 표면", "하부 표면" 등과 같은 방향을 나타내는 용어들은, 기판, IDT 전극 등과 같이, 음향파 디바이스의 실시예들에 포함되는 구성 요소들 간의 상대적인 위치 관계에만 의존하는 상대적인 방향들을 지정하기 위해 사용되며, 따라서 예를 들어 수직 방향과 같은 절대적인 방향들을 지정하려는 것은 아니다.

도 1a 및 도 1b를 참조하면 본 발명의 양태들에 따른 음향파 디바이스의 일 실시예가 도시되어 있다. 도 1a는 이 실시예에 따른 음향파 디바이스(11)의 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 B-B 라인을 따라 절취한 음향파 디바이스(11)의 단면도를 도시한다. 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 음향파 디바이스(11)는 기판(12), 기판(12)의 상부 표면상에 제공된 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극(13), 및 기판(12)의 상부 표면상에 제공된 배선 전극들(14, 15)을 포함한다. 음향파 디바이스(11)는 IDT 전극(13) 및 배선 전극(15)을 덮지만, 기판(12)의 상부 표면상의 배선 전극(14)의 일부는 덮지 않는 유전체 막(16)을 더 포함한다. 음향파 디바이스(11)는 배선 전극(14)의 상부 표면으로부터 유전체 막(16)의 상부 표면을 향하여 그리고 그 위로 연장되고, 상이한 등급에서 배선 전극(15)과 교차되는 또 다른 배선 전극(17)을 또한 포함한다. IDT 전극(13)과 배선 전극(14)은 일체형으로서 또는 그것들이 전기적으로 접속된다면, 개별적인 것으로서 구성될 수 있다. 개별적인 것으로서 구성되는 경우, IDT 전극(13)과 배선 전극(14)은 상이한 전극 재료들로 만들어질 수 있다. 기판(12)은 압전 기판, 예를 들어, 리튬 탄탈레이트, 리튬 니오베이트, 수정 등과 같은 압전 단결정으로 구성된 기판일 수 있다.

IDT 전극(13)은 서로 맞은편에 배치된 빗살형 전극들을 포함하며, 그 각각은 전기 신호가 입력될 때 기판(12)의 상부 표면상에 특정 음향파를 여기시키는 공진기로서 구성된다. IDT 전극(13)은, 예를 들어, 알루미늄, 구리, 은, 금, 티탄, 텅스텐, 몰리브덴, 백금 또는 크롬과 같은 단일 금속 원소, 이들을 주성분으로 하는 합금, 또는 이들의 적층 구조로 형성될 수 있다. IDT 전극(13)의 두께는, 예를 들어, 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위에 있을 수 있다.

배선 전극들(14, 15, 17)은 IDT 전극(13)에서 이어지는 배선들이며, 음향파 디바이스(11)의 회로를 구성하기 위해, 예를 들어, 알루미늄 또는 구리와 같은 전기 도전성 재료로 만들어질 수 있다. 배선 전극(14)은 유전체 막(16)으로 덮이지 않은 제1 영역(18)을 갖고 또한 유전체 막(16)으로 덮인 제2 영역(19)을 갖는다. 배선 전극(17)은 하나의 단부가 제1 영역(18)에서 배선 전극(14)의 상부 표면상에 형성되어 있다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 제1 영역(18)은 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 일부를 에칭 및 제거함으로써 형성될 수 있는 개구로서 구성된다. 제2 영역(19)은 제1 영역(18) 주위에 형성되고 유전체 막(16)으로 덮여 있다. 배선 전극(15)은 유전체 막(16)으로 덮여 있고 유전체 막(16) 위의 상부 등급에서 배선 전극(17)과 추가로 교차된다. 배선 전극(17)은 제1 영역(18)에서 배선 전극(14)의 상부 표면으로부터 유전체 막(16)의 측면 표면을 통해 유전체 막(16)의 상부 표면까지 제공된 도체이고 하부 등급에 배치된 배선 전극(15)과 교차된다. 배선 전극들(14, 15) 각각의 두께는 예를 들어 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위에 있을 수 있다. 배선 전극(17)의 두께는 예를 들어 1㎛ 내지 3㎛의 범위에 있을 수 있다.

유전체 막(16)은 음향파 디바이스(11)의 동작 특성을 보장하기 위해 그리고 IDT 전극(13)을, 예를 들어, 화학적 열화 및 기계적 손상으로부터 보호하기 위해 IDT 전극(13)을 덮도록 특정 막 두께 및 형상을 가질 수 있다. 유전체 막(16)은 상이한 등급들(기판(12)의 표면 위의 상이한 높이들)에서 서로 교차되는 배선 전극(15)과 배선 전극(17) 간의 절연을 추가로 보장할 수 있다. 유전체 막(16)은 예를 들어, 이산화 규소(SiO2)를 주성분으로 하는 매체와 같은 산화물의 무기 절연막으로서 형성될 수 있다. 특정 예들에서, 이산화 규소는 기판(12)의 주파수 온도 계수와 부호가 반대인 주파수 온도 계수를 갖는다. 따라서, 유전체 막(16)에 이산화 규소를 사용하는 것은 음향파 디바이스(11)의 주파수 온도 특성을 개선할 수 있다. 일례에서, 그곳에 또는 그 근처에 배선 전극들(14, 15)이 존재하지 않는 기판(12)상의 영역들에서, 유전체 막(16)의 두께는 1㎛ 내지 3㎛의 범위에 있다. 더 큰 면적을 차지하는 배선 전극들(14, 15)을 덮는 유전체 막(16)의 중앙 부분에서, 유전체 막(16)의 두께는 예를 들어 1㎛ 내지 3㎛의 범위에 있을 수 있다.

기판(12)상에 유전체 막(16)을 퇴적하는 동안, 유전체 막(16)은 IDT 전극(13)의 핑거들의 존재로 인해 IDT 전극(13) 위에 퇴적되는 곳에서 둥근, 오목 또는 볼록 표면 형상들을 형성할 수 있다. 유전체 막(16)의 상부 표면상에서 이 오목/볼록 형상이 현저해지는 곳에서, 음향파 디바이스(11)의 특성이 열화될 수 있다. 따라서, 기판(12)에 바이어스 전압이 인가된 상태에서 유전체 막(16)의 퇴적시에 스퍼터링 막 퇴적을 수행하는 것에 의해 유전체 막(16)의 상부 표면이 평활화될 수 있다. 대안적으로, 유전체 막(16)의 퇴적이 완료된 후에 상부 표면을 연마함으로써 유전체 막(16)의 상부 표면이 평활화될 수 있다. 그 결과, 유전체 막(16)의 상부 표면은, 유전체 막(16)이 배선 전극들(14, 15)이 존재하지 않는 부분으로부터 배선 전극들(14, 15)이 존재하는 부분을 향하여 완만한 경사로(mild ramp)를 형성할 수 있을 정도로 충분한 수준으로 평활화될 수 있다. 그 후, 배선 전극(17)과의 접속을 위해 배선 전극(14)의 상부 표면상의 일부에서 제1 영역(18)을 형성 또는 노출시키기 위해 유전체 막(16)을 에칭할 수 있다.

도 1a에 도시된 바와 같이, 음향파 디바이스(11)는 컷아웃들(20)을 포함하고, 그 각각은 제1 배선 전극(14)에서 제1 영역(18)에 인접한 제2 영역(19)을 통하여 두께 방향(Tn)으로 연장된다. 컷아웃들(20)은 제2 영역(19)을 통하여 연장될 뿐만 아니라 제1 영역(18)에 도달할 수도 있음을 이해해야 한다. 도 1a 및 도 1b의 실시예들에서, 컷아웃들(20)의 형상들은 제2 영역(19)에서의 배선 전극(14)의 가장자리로부터 제1 영역(18)을 향하여 제공되는 빗살 패턴이다. 일례에서, 컷아웃들(20)에 의해 형성된 빗살 패턴에서, 빗 핑거들(또는 빗살)의 폭은 0.2 내지 3㎛의 범위에 있을 수 있고, 인접한 빗 핑거들 사이의 피치는 0.2 내지 3㎛의 범위에 있을 수 있고, 빗 핑거들의 길이는 0.2 내지 10㎛의 범위에 있을 수 있다.

컷아웃들(20)을 제공함으로써, 컷아웃들(20)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1이 유전체 막(16) 아래에 배선 전극들(14, 15)이 존재하지 않는 영역에서의 유전체 막(16)의 두께 T2보다 작고, 또한 배선 전극(15) 위의 영역에서의 유전체 막(16)의 두께 T3보다도 작아질 수 있다. 또한, 컷아웃들(20)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1은 제1 배선 전극(14) 위의 제2 배선 전극(17)의 두께 T4보다 작을 수 있다. 따라서, 두께 T1을 감소시킴으로써, 상이한 등급에서 서로 교차되는 배선들에서 음향파 디바이스(11)의 접속 신뢰성이 개선될 수 있도록 증가된 전도 저항 및 단선의 위험을 감소시키기 위해, 제2 배선 전극(17)이, 유전체 막(16)의 가장자리에서, 특정 두께뿐만 아니라 특정 기계적 강도를 갖도록 보장할 수 있다. 또한, 제1 영역과 제2 영역이 서로 근접하는 위치 부근에서 유전체 막(16)의 가장자리로부터 제2 배선 전극(17)의 상부 표면까지 연장되는 제2 배선 전극(17)의 부분들 중 가장 얇은 부분의 두께 T5는, 비록 제1 영역에서의 제2 배선 전극(17)의 두께 T4보다는 얇지만, (감소된 두께 T1의 결과로서) 이 영역에서 과도한 세선화 및 파손 또는 고장의 높은 위험을 피하기에 충분할 수 있다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 컷아웃들(20)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1은 컷아웃들(20)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)의 상부 표면으로부터 유전체 막(16)의 상부 표면까지의 두께이다.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 양태들에 따른 음향파 디바이스의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 도 2a는 이 실시예에 따른 음향파 디바이스(21)의 평면도를 도시한다. 도 2b는 도 2a의 C-C 라인을 따라 절취한 단면도를 도시한다. 도 1a 및 도 1b에 도시된 실시예의 음향파 디바이스(11)와 공통되는 음향파 디바이스(21)의 구성 요소들은 동일한 참조 번호들로 표시되고 더 설명되지 않는다. 도 2a 및 도 2b에 도시된 음향파 디바이스(21)는, 예를 들어, 도 2a에 도시된 바와 같이, 두께 방향으로 제1 배선 전극(14)을 통하여 연장되는 컷아웃들(22)이 기판(12)의 표면을 따르는 방향으로 연장되는 슬릿들을 형성할 수 있는 점에서 도 1a 및 도 1b에 도시된 음향파 디바이스(11)와는 상이하다. 여기에서 설명된 바와 같은 슬릿은 제1 배선 전극(14)의 하나의 단부로부터 다른 단부까지 연속하는 형상을 나타내며, 예를 들어, 직사각형과 같은 특정 형상으로 제한되지는 않는다는 것을 이해해야 한다. 수 개의 예들은, 도 2a에 도시된 바와 같이, 전극 핑거들이 연장되는 방향에 수직인 방향으로 연장되는 슬릿, 및 전극 핑거들이 연장되는 방향에 대하여 비스듬히 연장되는 슬릿(도시되지 않음)을 포함한다. 또한, 기판(12)의 표면을 따르는 방향에 대하여 지그재그로 형성된 슬릿(도시되지 않음)이 또 다른 예이다. 음향파 디바이스(21)는 제1 영역(18)에 인접한 제2 영역(19)에서 두께 방향으로 제1 배선 전극(14)을 통하여 연장되는 컷아웃들(22)을 포함한다. 표면을 따르는 방향으로 연장되는 슬릿들을 형성하는 컷아웃들(22)은 제2 영역(19)에만 존재하지 않을 수 있고 제1 영역(18) 내로 연장될 수도 있다.

컷아웃들(22)의 존재로 인해, 컷아웃들(22)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1이 유전체 막(16) 아래에 배선 전극들(14, 15)이 존재하지 않는 영역에서의 유전체 막(16)의 두께 T2보다 작아질 수 있다. 두께 T1은 또한 배선 전극(15) 위의 영역에서의 유전체 막(16)의 두께 T3보다 작아질 수 있다. 또한, 컷아웃들(22)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1은 제1 배선 전극(14) 위의 제2 배선 전극(17)의 두께 T4보다 작을 수 있다. 따라서, 전술한 바와 같이, 상이한 등급에서 서로 교차되는 배선들에서 음향파 디바이스(21)의 접속 신뢰성이 개선될 수 있도록 증가된 전도 저항 및 단선의 위험을 감소시키기 위해, 제2 배선 전극(17)이, 유전체 막(16)의 가장자리에서, 특정 두께뿐만 아니라 특정 기계적 강도를 갖도록 보장할 수 있다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 컷아웃들(22)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1은 컷아웃들(22)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)의 상부 표면으로부터 유전체 막(16)의 상부 표면까지의 두께이다.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 양태들에 따른 음향파 디바이스의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 도 3a는 이 실시예에 따른 음향파 디바이스(31)의 평면도를 도시하고, 도 3b는 도 3a의 D-D 라인을 따라 절취한 단면도를 도시한다. 음향파 디바이스들(11 및/또는 21)과 공통되는 음향파 디바이스(31)의 구성 요소들은 동일한 참조 번호들로 표시되고 더 설명되지 않는다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 음향파 디바이스(31)는, 컷아웃들(32)이 두께 방향으로 제1 배선 전극(14)을 가로질러 제공된 관통 구멍들로서 구성된다는 점에서 도 1a 및 도 1b에 도시된 음향파 디바이스(11)와는 상이하다. 관통 구멍들은 임의의 특정 형상 또는 크기로 제한되지 않는다. 예를 들어, 컷아웃들(32)은 (도 3a에 도시된 바와 같이) 전극 핑거들이 연장되는 방향에 수직인 방향으로 배열된 복수의 관통 구멍으로서, 또는 제2 영역(19) 전체를 가로질러 배치된 단일 관통 구멍(도시되지 않음)으로서 구성될 수 있다. 또한, 기판(12)의 표면을 따르는 방향으로 절취한 관통 구멍들의 단면 형상들도 제한되지 않는다. 예를 들어, 그 형상들은 직사각형, 원형, 타원형 등일 수 있다.

일례에서, 음향파 디바이스(31)는 제1 영역(18)에 인접한 제2 영역(19)에서 두께 방향으로 제1 배선 전극(14)을 가로질러 제공되는 관통 구멍들로서 구성되는 컷아웃들(32)을 포함한다. 관통 구멍들로서의 컷아웃들(32)은 제2 영역(19)에만 제공되지 않을 수 있고 제1 영역(18) 내로 연장될 수도 있다. 컷아웃들의 존재로 인해, 컷아웃들(32)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1이 감소되어 유전체 막(16) 아래에 배선 전극들(14, 15)이 존재하지 않는 영역에서의 유전체 막(16)의 두께 T2보다 작아질 수 있고, 또한 컷아웃들(32)을 포함하지 않는 배선 전극(15) 위의 유전체 막(16)의 두께 T3보다 작아질 수 있다. 또한, 컷아웃들(32)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1은 제1 배선 전극(14) 위의 제2 배선 전극(17)의 두께 T4보다 작을 수 있다. 따라서, 전술한 바와 같이, 상이한 등급에서 서로 교차되는 배선들에서 음향파 디바이스(31)의 접속 신뢰성이 개선될 수 있도록 증가된 전도 저항 및 단선의 위험을 감소시키기 위해, 제2 배선 전극(17)이, 유전체 막(16)의 가장자리에서, 특정 두께뿐만 아니라 특정 기계적 강도를 갖도록 보장할 수 있다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 컷아웃들(32)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1은 컷아웃들(32)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)의 상부 표면으로부터 유전체 막(16)의 상부 표면까지의 두께이다.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 양태들에 따른 음향파 디바이스의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 도 4a는 이 실시예에 따른 음향파 디바이스(41)의 평면도를 도시하고, 도 4b는 도 4a의 E-E 라인을 따라 절취한 단면도를 도시한다. 음향파 디바이스들(11, 21 및/또는 31)과 공통되는 음향파 디바이스(41)의 구성 요소들은 동일한 참조 번호들로 표시되고 더 설명되지 않는다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 음향파 디바이스(41)는, 컷아웃들(42)이 두께 방향으로 배선 전극(14) 내에 제공된, 리세스들 또는 디텐트들(detents)로서 구성된다는 점에서 도 1a 및 도 1b에 도시된 음향파 디바이스(11)와는 상이하다.

도시된 예에서, 음향파 디바이스(41)는 제1 영역(18)에 인접한 제2 영역(19)에서 두께 방향으로 제1 배선 전극(14) 내에 제공된 리세스들로서 구성되는 컷아웃들(42)을 포함한다. 다른 예들에서, 리세스들로서의 컷아웃들(42)은 제2 영역(19)에만 제공되지 않을 수 있고 제1 영역(18) 내로 연장될 수도 있다. 전술한 바와 같이, 컷아웃들(42)의 존재로 인해, 컷아웃들(42)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1이 유전체 막(16) 아래에 배선 전극들(14, 15)이 존재하지 않는 영역에서의 유전체 막(16)의 두께 T2보다 작아질 수 있다. 두께 T1은 또한 배선 전극(15) 위의 유전체 막(16)의 두께 T3보다 작아질 수 있다. 또한, 두께 T1은 제1 배선 전극(14) 위의 제2 배선 전극(17)의 두께 T4보다 작을 수 있다. 따라서, 전술한 바와 같이, 상이한 등급에서 서로 교차되는 배선들에서 음향파 디바이스(41)의 접속 신뢰성이 개선될 수 있도록 증가된 전도 저항 및 단선의 위험을 감소시키기 위해, 제2 배선 전극(17)이, 유전체 막(16)의 가장자리에서, 특정 두께뿐만 아니라 특정 기계적 강도를 갖도록 보장할 수 있다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 컷아웃들(42)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)을 덮는 유전체 막(16)의 두께 T1은 컷아웃들(42)을 포함하는 영역에서 제1 배선 전극(14)의 상부 표면으로부터 유전체 막(16)의 상부 표면까지의 두께라는 점에 주목해야 한다.

전술한 음향파 디바이스들의 실시예들 및 예들은 안테나 듀플렉서, 모듈, 및 통신 디바이스와 같은 다양한 구성 요소에서 사용될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 기술분야의 기술자는, 이 개시의 이점을 고려할 때, 이 개시에 따른 음향파 디바이스의 실시예들을 사용하도록 안테나 듀플렉서를 구성하는 것은 개선된 특성을 갖는 안테나 듀플렉서뿐만 아니라, 이를 이용하여 향상된 신뢰성 및/또는 성능을 갖는 모듈 및/또는 통신 디바이스를 실현할 수 있다는 것을 이해할 것이다.

일 실시예에 따르면, 음향파 디바이스는 개선된 특성을 갖는 안테나 듀플렉서를 제공하는 데 사용될 수 있다. 도 5는 음향파 디바이스(11, 21, 31 및/또는 41)의 실시예들을 포함할 수 있는 안테나 듀플렉서(50)의 일례의 블록도를 도시한다. 안테나 듀플렉서(50)는 공유 안테나 단자(53)에 접속되는 송신 필터(51a) 및 수신 필터(51b)를 포함한다. 송신 필터(51a)는 송신 필터를 송신기 회로에 접속하기 위한 송신 측 단자(54)를 포함하고, 수신 필터(51b)는 수신 필터를 수신기 회로에 접속하기 위한 수신 측 단자(55)를 포함한다. 송신 필터(51a) 및/또는 수신 필터(51b)로서 전술한 실시예들 또는 예들 중 임의의 것에 따른 음향파 디바이스를 포함하도록 안테나 듀플렉서(50)를 구성하는 것은 안테나 듀플렉서에서 사용되는 접속 전극의 접속 신뢰성을 개선할 수 있다.

또한, 본 실시예들에 따른 음향파 디바이스를 사용하여 모듈(예를 들어, 음향파 필터 모듈)을 구성하는 것은 음향파 필터 또는 다른 모듈에서 사용되는 접속 전극의 접속 신뢰성을 마찬가지로 개선할 수 있다. 모듈은 향상된 신뢰성 및/또는 성능을 갖는 모듈을 제공하기 위해 예를 들어 무선 통신 디바이스와 같은 디바이스에서 사용될 수 있다. 도 6은 음향파 디바이스(61)를 포함하는 음향파 필터 모듈(60)의 일례를 도시하는 블록도이다. 음향파 디바이스(61)는 전술한 음향파 디바이스들(11, 21, 31 또는 41) 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 모듈(60)은 신호 상호 접속을 제공하는 연결성(63), 예를 들어 회로의 패키징을 위한 패키지 기판과 같은 패키징(64), 및 예를 들어 증폭기, 프리필터, 변조기, 복조기, 다운 컨버터 등과 같은 기타 회로 다이(65)를 더 포함하며, 이는 본 명세서의 개시를 고려하여 반도체 제조 기술분야의 기술자라면 알 것이다. 특정 실시예들에서, 모듈(60) 내의 음향파 디바이스(61)는 예를 들어 RF 모듈을 제공하기 위해 (음향파 디바이스의 실시예를 포함하는) 안테나 듀플렉서(50)로 대체될 수 있다.

또한, 본 실시예들에 따른 음향파 디바이스를 포함하도록 통신 디바이스를 구성하는 것은 통신 디바이스에서 사용되는 접속 전극의 접속 신뢰성을 개선할 수 있다. 도 7은 전술한 바와 같은 하나 이상의 음향 디바이스를 포함하는 안테나 듀플렉서(50)를 포함할 수 있는 통신 디바이스(70)(예를 들어, 무선 또는 이동 디바이스)의 일례의 개략적인 블록도이다. 통신 디바이스(70)는 예를 들어 다중 대역/다중 모드 이동 전화와 같은 다중 대역 및/또는 다중 모드 디바이스를 나타낼 수 있다. 특정 실시예들에서, 통신 디바이스(70)는 안테나 듀플렉서(50), 송신 측 단자(54)를 통해 안테나 듀플렉서에 접속된 송신 회로(57), 수신 측 단자(55)를 통해 안테나 듀플렉서(50)에 접속된 수신 회로(56), 및 안테나 단자(53)를 통해 안테나 듀플렉서에 접속된 안테나(58)를 포함할 수 있다. 송신 회로(57) 및 수신 회로(56)는 안테나(58)를 통한 송신을 위해 RF 신호를 생성할 수 있고 안테나(58)로부터 착신된 RF 신호를 수신할 수 있는 트랜시버의 일부일 수 있다. 통신 디바이스(70)는 제어기(73), 컴퓨터 판독 가능 매체(74), 프로세서(75), 및 배터리(76)를 더 포함할 수 있다.

RF 신호들의 송신 및 수신과 관련된 다양한 기능들이 도 7에서 송신 회로(57) 및 수신 회로(56)로서 나타내어진 하나 이상의 구성 요소에 의해 달성될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 단일 구성 요소가 송신 및 수신 기능들 모두를 제공하도록 구성될 수 있다. 또 다른 예에서, 송신 및 수신 기능들은 개별 구성 요소들에 의해 제공될 수 있다.

유사하게, RF 신호들의 송신 및 수신과 관련된 다양한 안테나 기능들이 도 7에서 안테나(58)로서 집합적으로 나타내어진 하나 이상의 구성 요소에 의해 달성될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 단일 안테나가 송신 및 수신 기능들 모두를 제공하도록 구성될 수 있다. 또 다른 예에서, 송신 및 수신 기능들은 개별 안테나들에 의해 제공될 수 있다. 통신 디바이스가 다중 대역 디바이스인 또 다른 예에서, 통신 디바이스(70)와 관련된 상이한 대역들이 상이한 안테나들을 사용하여 제공될 수 있다.

수신 및 송신 경로들 간의 스위칭을 돕기 위해, 안테나 듀플렉서(50)는 안테나(58)를 선택된 송신 또는 수신 경로에 전기적으로 접속하도록 구성될 수 있다. 따라서, 안테나 듀플렉서(50)는 통신 디바이스(70)의 동작과 관련된 다수의 스위칭 기능들을 제공할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 안테나 듀플렉서(50)는 RF 신호들의 필터링을 제공하도록 구성되는, 송신 필터(51a) 및 수신 필터(51b)를 포함한다. 전술한 바와 같이, 송신 필터(51a) 및 수신 필터(51b) 중 어느 하나 또는 모두는 음향파 디바이스(11, 21, 31 또는 41)의 실시예들을 포함할 수 있고, 그렇게 함으로써 음향파 디바이스들(11, 21, 31 또는 41)의 실시예들을 사용하여 달성되는 증가된 접속 신뢰성의 이점들을 통하여 향상된 성능을 제공할 수 있다.

도 7에 도시된 바와 같이, 특정 실시예들에서, 안테나 듀플렉서(50) 및/또는 다른 동작 구성 요소(들)의 동작들과 관련된 다양한 기능들을 제어하기 위해 제어기(73)가 제공될 수 있다. 특정 실시예들에서, 프로세서(75)는 통신 디바이스(70)의 동작을 위한 다양한 프로세스들의 구현을 용이하게 하도록 구성될 수 있다. 프로세서(75)에 의해 수행되는 프로세스들은 컴퓨터 프로그램 명령들에 의해 구현될 수 있다. 이들 컴퓨터 프로그램 명령들은 범용 컴퓨터, 특수 목적 컴퓨터 또는 다른 프로그램 가능한 데이터 처리 장치의 프로세서에 제공되어 머신을 생성할 수 있으며, 따라서 컴퓨터 또는 다른 프로그램 가능한 데이터 처리 장치의 프로세서를 통해 실행되는 명령들은 통신 디바이스(70)를 동작시키기 위한 메커니즘을 생성한다. 특정 실시예에서, 이들 컴퓨터 프로그램 명령들은 또한 컴퓨터 판독 가능 매체(74)에 저장될 수 있다. 배터리(76)는, 예를 들어, 리튬-이온 배터리를 포함하여, 통신 디바이스(70)에서 사용하기 위한 임의의 적합한 배터리일 수 있다.

음향파 디바이스, 및 이를 이용한 안테나 듀플렉서, 모듈 및 통신 디바이스의 실시예들은 예를 들어 휴대 전화 등의 다양한 전자 디바이스들로서 유용할 수 있다.

위에서는 적어도 하나의 실시예의 수 개의 양태들을 설명하였지만, 본 기술분야의 기술자들은 다양한 변경들, 수정들 및 개선들을 쉽게 생각해낼 수 있음을 이해해야 한다. 이러한 변경들, 수정들 및 개선들은 이 개시의 일부인 것으로 의도되며 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 의도된다. 따라서, 전술한 설명 및 도면은 단지 예일 뿐이고, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항들 및 그 등가물들의 적절한 구성으로부터 결정되어야 한다.

Claims

음향파 디바이스로서,
기판;
상기 기판의 상부 표면상에 제공된 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극;
상기 기판의 상기 상부 표면상에 제공되고 상기 IDT 전극에 접속되는 제1 배선 전극;
제1 영역에서 상기 기판의 상기 상부 표면 위에 배치되고, 제2 영역에서 상기 제1 배선 전극 위에 배치되고 상기 제1 배선 전극을 덮는 유전체 막 - 상기 유전체 막은 제1 영역에서는 상기 제1 배선 전극 위로 연장되지 않아 상기 제1 배선 전극을 덮지 않도록 배치되고, 상기 제1 배선 전극은 상기 제2 영역에서 컷아웃을 포함함 -; 및
상기 제1 영역에서 상기 제1 배선 전극의 상부 표면 위에 배치되고 상기 상부 표면을 덮고, 상기 기판 위의 상기 제2 영역에서 상기 유전체 막의 상부 표면 위에 배치되고 상기 상부 표면을 덮는 제2 배선 전극
을 포함하는 음향파 디바이스.
제1항에 있어서,
상기 제2 영역에서 상기 제1 배선 전극 위에 배치된 상기 유전체 막의 제1 부분의 두께는 상기 기판의 상부 표면을 덮는 상기 유전체 막의 제2 부분의 두께보다 작은, 음향파 디바이스.
제2항에 있어서,
상기 유전체 막의 상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 배선 전극의 두께보다 작은, 음향파 디바이스.
제1항에 있어서,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역이 서로 근접하는 위치 부근에서 상기 유전체 막의 가장자리로부터 상기 제2 배선 전극의 상부 표면까지 연장되는 상기 제2 배선 전극의 가장 얇은 부분들의 두께는 상기 제2 영역에서의 상기 제2 배선 전극의 두께보다 작은, 음향파 디바이스.
제1항에 있어서,
상기 IDT 전극의 두께는 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위에 있는, 음향파 디바이스.
제1항에 있어서,
상기 제1 배선 전극의 두께는 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위에 있는, 음향파 디바이스.
제1항에 있어서,
상기 제2 배선 전극의 두께는 1.0㎛ 내지 3.0㎛의 범위에 있는, 음향파 디바이스.
제1항에 있어서,
상기 기판은 단결정 압전 재료를 포함하는, 음향파 디바이스.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 컷아웃은 상기 제1 영역을 향하여 연장되는 상기 제1 배선 전극의 가장자리로부터 제공되는 빗살 패턴을 포함하는, 음향파 디바이스.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 컷아웃은 슬릿 형상인, 음향파 디바이스.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 컷아웃은, 상기 제1 배선 전극을 가로질러 제공되고 상기 제1 배선 전극의 상부 표면으로부터 상기 기판의 상기 상부 표면까지 연장되는 관통 구멍을 포함하는, 음향파 디바이스.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 컷아웃은 상기 제1 배선 전극 내에 제공된 리세스를 포함하는, 음향파 디바이스.
안테나 듀플렉서로서,
송신 필터; 및
수신 필터를 포함하고,
상기 수신 필터 및 상기 송신 필터 중 적어도 하나는 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 음향파 디바이스를 포함하는, 안테나 듀플렉서.
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 음향파 디바이스를 포함하는 음향파 필터를 포함하는 모듈.
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 음향파 디바이스를 포함하는 통신 디바이스.
음향파 디바이스의 제조 방법으로서,
기판의 상부 표면상에 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 전극을 형성하는 단계;
상기 기판의 상기 상부 표면상에 제1 배선 전극을 형성하고 상기 제1 배선 전극을 상기 IDT 전극에 접속하는 단계; 및
상기 제1 배선 전극의 일부에 컷아웃을 형성하는 단계;
상기 음향파 디바이스의 제1 및 제2 영역들에서 유전체 막을 형성하는 단계 - 상기 유전체 막은 상기 제2 영역에서 상기 제1 배선 전극을 덮도록 형성 및 배치되고 상기 제1 영역에서 상기 제1 배선 전극 위로 연장되지 않아 상기 제1 배선 전극을 덮지 않도록 형성 및 배치되고, 상기 제1 배선 전극의 일부에서의 상기 컷아웃은 상기 제2 영역에 위치함 -; 및
상기 기판 위에 제2 배선 전극을 형성하는 단계 - 상기 형성하는 단계는 상기 제1 영역에서 상기 제1 배선 전극의 상부 표면 위에 그리고 상기 상부 표면을 덮도록 제2 배선을 배치하고 상기 제2 영역에서 상기 유전체 막의 상부 표면의 적어도 일부 위에 그리고 상기 상부 표면의 적어도 일부를 덮도록 상기 제2 배선을 배치하는 것을 포함함 -
를 포함하는, 방법.
제16항에 있어서,
상기 유전체 막을 형성하는 단계는 상기 제1 영역에서 상기 기판 위에 제1 두께를 갖는 상기 유전체 막을 형성하고 상기 제2 영역에서 상기 제1 배선 전극 위에 제2 두께를 갖는 상기 유전체 막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2 두께는 상기 제1 두께보다 작은, 방법.
제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 컷아웃을 형성하는 단계는 상기 제1 배선 전극의 일부에 복수의 관통 구멍을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 관통 구멍은 상기 제1 배선 전극의 상기 상부 표면으로부터 상기 기판의 상기 상부 표면까지 연장되는, 방법.
제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 컷아웃을 형성하는 단계는 상기 제1 배선 전극의 일부에 적어도 하나의 슬릿을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 컷아웃을 형성하는 단계는 상기 제1 배선 전극의 일부에 빗살 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 빗살 패턴은 상기 제1 배선 전극의 가장자리로부터 상기 제1 영역을 향하여 연장되는, 방법.
제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 컷아웃을 형성하는 단계는 상기 제1 배선 전극의 일부에 리세스를 형성하는 단계를 포함하는, 방법.