JP6092535B2 - ラム波デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
ラム波デバイスおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6092535B2 JP6092535B2 JP2012150295A JP2012150295A JP6092535B2 JP 6092535 B2 JP6092535 B2 JP 6092535B2 JP 2012150295 A JP2012150295 A JP 2012150295A JP 2012150295 A JP2012150295 A JP 2012150295A JP 6092535 B2 JP6092535 B2 JP 6092535B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric substrate
- notch
- lamb wave
- wave device
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02228—Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Description
上記圧電機能層は、圧電基板と、IDT電極と、切欠き部とを有する。上記圧電基板は、第1の面と、上記第1の面に対向する第2の面とを有する。上記IDT電極は、上記第1の面に配置される。上記切欠き部は、上記圧電基板に設けられ、上記第1の面と上記第2の面との間を連絡する段差面を含む。
上記支持体は、支持面と、キャビティ部とを有する。上記支持面は、上記第2の面に接合され、上記切欠き部を介して上記第1の面側に露出する。上記キャビティ部は、上記支持面に隣接して設けられ、上記圧電基板を介して上記IDT電極と対向する。
上記切欠き部を利用して上記圧電基板の厚みが測定される。
上記圧電基板の厚みに応じて設定された電極間隔のIDT電極が上記圧電基板の表面に形成される。
上記圧電機能層は、圧電基板と、IDT電極と、切欠き部とを有する。上記圧電基板は、第1の面と、上記第1の面に対向する第2の面とを有する。上記IDT電極は、上記第1の面に配置される。上記切欠き部は、上記圧電基板に設けられ、上記第1の面と上記第2の面との間を連絡する段差面を含む。
上記支持体は、支持面と、キャビティ部とを有する。上記支持面は、上記第2の面に接合され、上記切欠き部を介して上記第1の面側に露出する。上記キャビティ部は、上記支持面に隣接して設けられ、上記圧電基板を介して上記IDT電極と対向する。
上記切欠き部を利用して上記圧電基板の厚みが測定される。
上記圧電基板の厚みに応じて設定された電極間隔のIDT電極が上記圧電基板の表面に形成される。
図1および図2は、本発明の一実施形態に係るラム波デバイスの構成を示す概略図であり、図1は平面図、図2は図1における[A]−[A]線方向の断面図である。各図においてX,YおよびZの各軸方向は、相互に直交する3軸方向を示しており、Z軸方向はラム波デバイスの厚み方向(高さ方向)に相当する。
本実施形態のラム波デバイス100は、圧電機能層110と、支持体120とを有する。本実施形態においてラム波デバイス100は、携帯機器の送受信用フィルタに用いられるラム波型共振器として構成される。
圧電基板11は、圧電材料で構成され、本実施形態では、タンタル酸リチウム(LT)、ニオブ酸リチウム(LN)等の圧電性単結晶材料が用いられる。これ以外にも、圧電材料として、窒化アルミニウム(AlN)や酸化亜鉛(ZnO)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等が適用可能である。圧電基板11の厚みは特に限定されず、本実施形態では約1μmである。
IDT電極12は、圧電基板11の表面11A(第1の面)に配置され、一対の櫛形電極12a,12bを有する。櫛形電極12a,12bは、それぞれ複数の電極指13a,13bを有し、一方の電極指13aと他方の電極指13bとが所定の間隔をおいて交互に配列するように相互に対向して配置されている。電極指13a,13bの間隔(電極ピッチp)は、圧電基板11の厚み、励振されるラム波の伝播速度、圧電機能層110の共振周波数等に応じて設定される。電極指13a,13bの数は図示の例に限られず、より多くの本数で構成されてもよい。
Fr=V/λ …(1)
の関係を満たす。
支持体120は、圧電機能層110を支持する支持基板21と、圧電機能層110と支持基板21との間を接合する接合層22とを有する。
ラム波デバイスの共振周波数(Fr)は、(1)式で示したようにラム波の伝播速度(V)と波長(λ)によって定まり、波長(λ)は、IDT電極12の電極指13a,13bの電極ピッチp(図2)で設定される。すなわちラム波型共振素子の周波数特性は、圧電基板11の厚み、IDT電極の電極ピッチにそれぞれ独立に依存する。
しかしながら、圧電基板の厚みを精度よく管理することは容易ではなく、目的とする厚みの圧電基板を得るためには加工コストの増大と生産性の低下が避けられない。また圧電基板の厚みが面内でばらつくと、伝播速度(V)が変動し、所望の共振周波数が得られにくくなる。
そこで本実施形態では、圧電基板の厚みを実際に測定し、その実測値に応じてIDT電極の電極ピッチを調整することによって、目的とする共振周波数を有するラム波デバイスを得るようにしている。
次に、以上のように構成されるラム波デバイス100の製造方法について説明する。本実施形態においてラム波デバイス100は、ウェーハレベルで複数個の素子が同時に作製され、作製後は素子毎に個片化(チップ化)される。
図6および図7は、本発明の第1の実施形態に係るラム波デバイスの構成を示す概略図である。図6はウェーハレベルにおける隣接する2つの素子領域を示す平面図であり、図7は図6における[B]−[B]線方向の断面図である。また図8はウェーハ状態の圧電基板の平面図である。
図10および図12は、本発明の第3の実施形態に係るラム波デバイスの構成を示す概略図である。図10はウェーハレベルにおける隣接する2つの素子領域を示す平面図であり、図11は図10における[C]−[C]線方向の断面図である。また図12は上記ラム波デバイスの要部拡大断面図である。
図13および図14は、本発明の第4の実施形態に係るラム波デバイスの構成を示す概略図であり、図13は平面図、図14は図13における[D]−[D]線方向の断面図である。以下、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。
12…IDT電極
14,24,34,44…切欠き部
15a,15b…外部接続端子
21…支持基板
22…接合層
23…キャビティ部
44…充填材
100,200,300,400…ラム波デバイス
110…圧電機能層
120…支持体
201…支持面
Claims (11)
- 第1の面と前記第1の面に対向する第2の面とを有する圧電基板と、前記第1の面に配置されたIDT電極と、前記圧電基板に設けられ前記第1の面と前記第2の面との間を連絡する段差面を含む切欠き部と、を有する圧電機能層と、
前記第2の面に接合され前記切欠き部を介して前記第1の面側に露出する支持面と、前記支持面に隣接して設けられ前記圧電基板を介して前記IDT電極と対向するキャビティ部と、を有する支持体と、
を具備し、
前記切欠き部は、前記支持面のみを露出させ、前記キャビティ部と連絡しないことを特徴とするラム波デバイス。 - 請求項1に記載のラム波デバイスであって、
前記第1の面は、前記キャビティ部と対向する第1の領域と、前記第1の領域の外側を囲む第2の領域とを有し、
前記IDT電極は、前記第1の領域に配置され、
前記切欠き部は、前記第2の領域に設けられる
ラム波デバイス。 - 請求項1又は2に記載のラム波デバイスであって、
前記切欠き部は、円形の開口部を有する貫通孔であり、
前記第1の面に垂直な方向から見て、前記切欠き部は前記IDT電極に対し、前記IDT電極の電極指の配列方向に対し垂直方向に位置することを特徴とするラム波デバイス。 - 請求項3に記載のラム波デバイスであって、
前記貫通孔は30μm以上の開口幅を有する
ラム波デバイス。 - 請求項1又は2に記載のラム波デバイスであって、
前記切欠き部は、直線的な溝部又は段部であり、
前記切欠き部の、前記IDT電極の電極指の配列方向に対し垂直方向における長さは、前記電極指の前記垂直方向における長さよりも短いことを特徴とするラム波デバイス。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載のラム波デバイスであって、
前記切欠き部は、複数の切欠き部を含み、
前記複数の切欠き部は、前記圧電基板上の複数の位置に設けられる
ラム波デバイス。 - 第1の面と前記第1の面に対向する第2の面とを有する圧電基板と、前記第1の面に配置されたIDT電極と、前記圧電基板に設けられ前記第1の面と前記第2の面との間を連絡する段差面を含む切欠き部と、を有する圧電機能層と、
前記第2の面に接合され前記切欠き部を介して前記第1の面側に露出する支持面と、前記支持面に隣接して設けられ前記圧電基板を介して前記IDT電極と対向するキャビティ部と、を有する支持体と、
前記切欠き部に配置され、前記IDT電極と電気的に接続される外部接続端子と
を具備するラム波デバイス。 - 第1の面と前記第1の面に対向する第2の面とを有する圧電基板と、前記第1の面に配置されたIDT電極と、前記圧電基板に設けられ前記第1の面と前記第2の面との間を連絡する段差面を含む切欠き部と、前記切欠き部に前記圧電基板よりも熱膨張係数が小さい材料が充填された充填層と、を有する圧電機能層と、
前記第2の面に接合され前記切欠き部を介して前記第1の面側に露出する支持面と、前記支持面に隣接して設けられ前記圧電基板を介して前記IDT電極と対向するキャビティ部と、を有する支持体と
を具備するラム波デバイス。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載のラム波デバイスであって、
前記支持面は、前記支持体に設けられた接着材料層を含む
ラム波デバイス。 - 支持体に積層された所定厚みの圧電基板に切欠き部を形成し、
前記切欠き部を利用して前記圧電基板の厚みを測定し、
前記圧電基板の厚みに応じて設定された電極間隔のIDT電極を前記圧電基板の表面に形成する
ラム波デバイスの製造方法。 - 請求項10に記載のラム波デバイスの製造方法であって、
前記切欠き部を形成する工程は、前記切欠き部をドライエッチング法で形成する
ラム波デバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012150295A JP6092535B2 (ja) | 2012-07-04 | 2012-07-04 | ラム波デバイスおよびその製造方法 |
CN201310130405.2A CN103532513A (zh) | 2012-07-04 | 2013-04-16 | 兰姆波器件及其制造方法 |
US13/911,994 US9634226B2 (en) | 2012-07-04 | 2013-06-06 | Lamb wave device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012150295A JP6092535B2 (ja) | 2012-07-04 | 2012-07-04 | ラム波デバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014013991A JP2014013991A (ja) | 2014-01-23 |
JP6092535B2 true JP6092535B2 (ja) | 2017-03-08 |
Family
ID=49877988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012150295A Expired - Fee Related JP6092535B2 (ja) | 2012-07-04 | 2012-07-04 | ラム波デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9634226B2 (ja) |
JP (1) | JP6092535B2 (ja) |
CN (1) | CN103532513A (ja) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6335492B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-05-30 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波素子 |
DE112015001240T5 (de) | 2014-03-14 | 2016-12-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vorrichtung für elastische Wellen |
KR102393782B1 (ko) * | 2014-07-07 | 2022-05-03 | 스카이워크스 필터 솔루션즈 재팬 씨오., 엘티디. | 음향파 디바이스, 및 이를 이용한 안테나 듀플렉서, 모듈, 및 통신 디바이스 |
DE112015005512T5 (de) | 2014-12-08 | 2017-08-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelektrische Vorrichtung und Herstellungsverfahren für piezoelektrische Vorrichtung |
US10374573B2 (en) | 2014-12-17 | 2019-08-06 | Qorvo Us, Inc. | Plate wave devices with wave confinement structures and fabrication methods |
JP6358341B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2018-07-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
FR3037443B1 (fr) | 2015-06-12 | 2018-07-13 | Soitec | Heterostructure et methode de fabrication |
WO2017077892A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2018100840A1 (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法、高周波フロントエンド回路、並びに通信装置 |
JP2019029941A (ja) * | 2017-08-02 | 2019-02-21 | 株式会社ディスコ | 弾性波デバイス用基板の製造方法 |
CN109560784B (zh) * | 2017-09-27 | 2021-09-24 | 中国科学院半导体研究所 | 兰姆波谐振器及其制备方法 |
US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
US11936358B2 (en) * | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
US10491192B1 (en) | 2018-06-15 | 2019-11-26 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
TW201941464A (zh) | 2018-03-02 | 2019-10-16 | 美商天工方案公司 | 用於聲波濾波器之藍姆波迴圈電路 |
US11870424B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filters using transversly-excited film bulk acoustic resonators with frequency-setting dielectric layers |
US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US10998882B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
US10826462B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
US11323091B2 (en) * | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US20220069792A1 (en) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | Resonant Inc. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
US10917072B2 (en) | 2019-06-24 | 2021-02-09 | Resonant Inc. | Split ladder acoustic wave filters |
US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
WO2020029153A1 (zh) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | 天津大学 | 基于兰姆波谐振器的粒子聚集器及其操作方法 |
CN109450401B (zh) * | 2018-09-20 | 2022-03-18 | 天津大学 | 柔性单晶兰姆波谐振器及其形成方法 |
JP7329954B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2023-08-21 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
CN113615083A (zh) | 2019-03-14 | 2021-11-05 | 谐振公司 | 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声波谐振器 |
DE102019109022A1 (de) * | 2019-04-05 | 2020-10-08 | RF360 Europe GmbH | Akustische-Oberflächenwellen-Resonatoranordnung |
CN110995194B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-12-17 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种二维高性能谐振器 |
US11722116B2 (en) * | 2019-11-25 | 2023-08-08 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Acoustic resonators and filters that support fifth generation (5G) wireless communications standards |
US20210234528A1 (en) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Fifth-generation (5g)-focused piezoelectric resonators and filters |
KR102414496B1 (ko) * | 2020-03-16 | 2022-06-28 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
CN115428330B (zh) * | 2020-04-29 | 2023-09-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性波器件 |
US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
US11817845B2 (en) | 2020-07-09 | 2023-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for making transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
US11671070B2 (en) * | 2020-08-19 | 2023-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes |
US11658639B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband |
US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
US11463066B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-10-04 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
US20220158606A1 (en) * | 2020-11-13 | 2022-05-19 | Resonant Inc. | Forming xbar devices with excess piezoelectric material removed |
US11496113B2 (en) * | 2020-11-13 | 2022-11-08 | Resonant Inc. | XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
CN112688650A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-20 | 广东广纳芯科技有限公司 | 兰姆波谐振器及具备该兰姆波谐振器的滤波器和电子设备 |
WO2022138552A1 (ja) * | 2020-12-22 | 2022-06-30 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
CN113210240B (zh) * | 2021-03-23 | 2022-09-06 | 魔音智芯科技(深圳)有限公司 | 一种双面叉指换能器的兰姆波器件及其制备方法 |
WO2022211087A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2022210293A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2022255482A1 (ja) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US20230006640A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced substrate to contact bump thermal resistance |
WO2023054675A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 |
WO2023054697A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 |
WO2023058715A1 (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2023058755A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 |
WO2023090460A1 (ja) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
WO2023106334A1 (ja) * | 2021-12-07 | 2023-06-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
EP4199687B1 (en) * | 2021-12-17 | 2024-04-10 | SPTS Technologies Limited | Plasma etching of additive-containing aln |
CN114280141B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-06-27 | 电子科技大学 | 一种兰姆波阵列器件及其大气环境微粒检测方法 |
WO2023140272A1 (ja) * | 2022-01-19 | 2023-07-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2023140331A1 (ja) * | 2022-01-24 | 2023-07-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2023157798A1 (ja) * | 2022-02-15 | 2023-08-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2023157958A1 (ja) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 |
WO2023219134A1 (ja) * | 2022-05-13 | 2023-11-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2023229049A1 (ja) * | 2022-05-26 | 2023-11-30 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びフィルタ装置 |
CN115882809A (zh) * | 2023-03-03 | 2023-03-31 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种温度补偿型声表面波谐振器 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5283037A (en) * | 1988-09-29 | 1994-02-01 | Hewlett-Packard Company | Chemical sensor utilizing a surface transverse wave device |
US6842091B2 (en) * | 2003-02-28 | 2005-01-11 | Northrop Grumman Corporation | Weighted SAW reflector grating using dithered acoustic reflectors |
JP2004336503A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP4229122B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2009-02-25 | 株式会社村田製作所 | 圧電電子部品、およびその製造方法、通信機 |
JP4544965B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2010-09-15 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびにその弾性表面波装置を備えた通信装置 |
JP4517992B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2010-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 導通孔形成方法、並びに圧電デバイスの製造方法、及び圧電デバイス |
JP4315174B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2009-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | ラム波型高周波デバイスの製造方法 |
JP2008098974A (ja) | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Seiko Epson Corp | ラム波型高周波デバイス |
KR101166637B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2012-07-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면파 장치 및 그 제조방법 |
WO2010004741A1 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | パナソニック株式会社 | 板波素子と、これを用いた電子機器 |
JP4636292B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2011-02-23 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
JP5433367B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2014-03-05 | 日本碍子株式会社 | ラム波装置 |
DE112010000861B4 (de) * | 2009-01-15 | 2016-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischenBauelements |
JP5367612B2 (ja) | 2009-02-17 | 2013-12-11 | 日本碍子株式会社 | ラム波装置 |
JP5394847B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2014-01-22 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
WO2011052551A1 (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法 |
JP5601377B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2014-10-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-07-04 JP JP2012150295A patent/JP6092535B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-16 CN CN201310130405.2A patent/CN103532513A/zh active Pending
- 2013-06-06 US US13/911,994 patent/US9634226B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140009032A1 (en) | 2014-01-09 |
CN103532513A (zh) | 2014-01-22 |
JP2014013991A (ja) | 2014-01-23 |
US9634226B2 (en) | 2017-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6092535B2 (ja) | ラム波デバイスおよびその製造方法 | |
US20190068155A1 (en) | Elastic wave device and method for producing the same | |
US7459829B2 (en) | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same, IC card, and mobile electronic apparatus | |
JP4877966B2 (ja) | 圧電薄膜デバイス | |
JP5056837B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
US9751109B2 (en) | Acoustic wave device and method of fabricating the same | |
JP4460612B2 (ja) | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
JP6516005B2 (ja) | 弾性波装置 | |
KR101636220B1 (ko) | 복합 기판, 압전 디바이스 및 복합 기판의 제법 | |
JP6642499B2 (ja) | 弾性波装置 | |
JP6854891B2 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
JP2003110388A (ja) | 圧電振動素子とその製造方法、および圧電デバイス | |
KR20110083451A (ko) | 복합 기판, 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터와 탄성 표면파 공진기 | |
KR20160013518A (ko) | 압전 디바이스의 제조 방법, 압전 디바이스, 및 압전 자립 기판 | |
JP2019021997A (ja) | 弾性波素子、分波器および通信装置 | |
JP6488667B2 (ja) | 表面弾性波デバイス | |
JP5987321B2 (ja) | 圧電振動片、圧電振動片の製造方法、圧電デバイス及び電子機器 | |
US20160049919A1 (en) | Acoustic wave device | |
JP5047660B2 (ja) | 圧電薄膜デバイス | |
WO2010103713A1 (ja) | 弾性表面波素子 | |
JP2008147833A (ja) | 圧電薄膜デバイス | |
JP5185004B2 (ja) | 弾性境界波デバイスおよびその製造方法、デュープレクサの製造方法 | |
WO2023167101A1 (ja) | 電子モジュール | |
JP7344290B2 (ja) | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 | |
US9172347B2 (en) | Wafer, method of manufacturing package, and piezoelectric oscillator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6092535 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |