WO2023090460A1 - 弾性波装置の製造方法 - Google Patents

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WO2023090460A1
WO2023090460A1 PCT/JP2022/043208 JP2022043208W WO2023090460A1 WO 2023090460 A1 WO2023090460 A1 WO 2023090460A1 JP 2022043208 W JP2022043208 W JP 2022043208W WO 2023090460 A1 WO2023090460 A1 WO 2023090460A1
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WO
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elastic wave
wave device
manufacturing
forming
electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/043208
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English (en)
French (fr)
Inventor
毅 山根
和則 井上
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Publication of WO2023090460A1 publication Critical patent/WO2023090460A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient

Definitions

  • the present disclosure relates to a method for manufacturing an elastic wave device.
  • Patent Document 1 describes an elastic wave device.
  • a plurality of elastic wave elements are formed on a mother substrate, some of the plurality of elastic wave elements are individually divided as products, and an elastic wave device is manufactured on a chip-by-chip basis. It is a way to In this method of manufacturing an acoustic wave device, a frequency adjustment step is performed to adjust the frequency characteristics by etching the dielectric film provided on the functional electrode on the piezoelectric layer with Ar ions. However, since there is a possibility that the desired frequency characteristics cannot be obtained with only one frequency adjustment process, an intermediate measurement process for measuring the frequency characteristics is performed.
  • the present disclosure is intended to solve the above-described problems, and aims to increase the number of acoustic wave device chips that can be manufactured from a single mother substrate.
  • a method of manufacturing an elastic wave device includes forming a plurality of elastic wave elements on a mother substrate, and separately dividing some of the plurality of elastic wave elements as products to manufacture an elastic wave device in chip units.
  • a method of manufacturing an elastic wave device comprising: an electrode forming step of forming at least functional electrodes of the plurality of elastic wave elements; a frequency adjustment step; a pad portion forming step of forming a pad portion in an evaluation element that is an acoustic wave device selected from the plurality of acoustic wave devices for each chip; and an intermediate measurement step of measuring the frequency characteristics of the element for evaluation, and there is no difference in the manufacturing process between the acoustic wave element selected as the element for evaluation and the other acoustic wave elements.
  • the present disclosure by reducing the area occupied by the evaluation elements, it is possible to suppress a decrease in the number of acoustic wave device chips that can be manufactured from a single mother substrate.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line II-II of FIG. 1A.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing the relationship between , and the fractional band.
  • FIG. FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. is an explanatory diagram showing the relationship between.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a flow chart of the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • 14A and 14B are schematic cross-sectional views for explaining the bonding step of the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • 15A and 15B are schematic cross-sectional views for explaining the bonding step of the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • 16A and 16B are schematic cross-sectional views for explaining the bonding step of the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • 17A and 17B are schematic cross-sectional views for explaining the bonding step of the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • 18A and 18B are schematic cross-sectional views for explaining the electrode forming process of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view for explaining the dielectric film forming process according to the first embodiment.
  • FIG. 20 is a schematic plan view for explaining the evaluation element selection process according to the first embodiment.
  • FIG. 21 is a schematic plan view for explaining a pad forming process according to the first embodiment
  • FIG. 22 is a schematic plan view for explaining a through-hole forming step of the evaluation element according to the first embodiment.
  • 23 is a cross-sectional view along line XXIII--XXIII of FIG. 22
  • FIG. 24 is a schematic plan view for explaining a step of forming a space in the evaluation element according to the first embodiment.
  • 25 is a cross-sectional view along line XXV-XXV of FIG. 24.
  • FIG. FIG. 26 is a schematic plan view for explaining an intermediate measurement process according to the first embodiment.
  • FIG. 27 is a schematic plan view for explaining the product wiring forming process according to the first embodiment.
  • FIG. 28 is a schematic plan view for explaining a through-hole forming process of another acoustic wave device according to the first embodiment; 29 is a cross-sectional view along line XXIX-XXIX of FIG. 28.
  • FIG. FIG. 30 is a schematic plan view for explaining a space forming process of another acoustic wave device according to the first embodiment; 31 is a cross-sectional view taken along line XXXI-XXXI of FIG. 30.
  • FIG. FIG. 32 is a schematic plan view for explaining the bump formation process according to the first embodiment.
  • FIG. 33 is a schematic plan view for explaining the singulation process according to the first embodiment. 34 is a cross-sectional view taken along line XXXIV-XXXIV of FIG. 33.
  • FIG. 35 is a flow chart showing a first modification of the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • 36 is a schematic plan view for explaining an electrode forming process according to the first modification of the first embodiment;
  • FIG. 37 is a cross-sectional view taken along line XXXVII-XXXVII of FIG. 36.
  • FIG. 38 is a flow chart showing a second modification of the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 39 is a schematic plan view for explaining a pad forming step according to the second modification of the first embodiment;
  • FIG. 40 is a schematic plan view illustrating the acoustic wave device after the singulation process according to the second modification of the first embodiment; 41 is a cross-sectional view along line XLI-XLI in FIG. 40.
  • FIG. FIG. 42 is a flow chart of a method for manufacturing an elastic wave device according to the second embodiment.
  • 43A and 43B are schematic cross-sectional views for explaining the bonding step of the method for manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment.
  • 44A and 44B are schematic cross-sectional views for explaining the bonding step of the method for manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 45 is a schematic cross-sectional view for explaining a bonding step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 46 is a schematic cross-sectional view for explaining an electrode forming step in the method for manufacturing an elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 47 is a schematic cross-sectional view for explaining the dielectric film forming process according to the second embodiment.
  • FIG. 48 is a schematic cross-sectional view for explaining a space forming step according to the second embodiment.
  • FIG. 49 is a schematic cross-sectional view for explaining a lid substrate bonding step according to the second embodiment.
  • FIG. 50 is a schematic plan view for explaining the evaluation element selection process according to the second embodiment.
  • FIG. 51 is a schematic plan view for explaining a pad forming process according to the second embodiment.
  • FIG. 52 is a schematic plan view for explaining an intermediate measurement process according to the second embodiment.
  • FIG. 53 is a schematic plan view for explaining the product wiring forming process according to the second embodiment.
  • FIG. 54 is a schematic plan view for explaining the plating forming process according to the second embodiment.
  • FIG. 55 is a schematic plan view for explaining the support frame forming process according to the second embodiment.
  • FIG. 56 is a schematic plan view for explaining the cover layer forming process according to the second embodiment.
  • 57 is a cross-sectional view along line LVII--LVII in FIG. 56.
  • FIG. FIG. 58 is a schematic plan view for explaining the bump electrode forming process according to the second embodiment.
  • 59 is a cross-sectional view along line LIX-LIX in FIG. 58.
  • FIG. FIG. 60 is a schematic plan view for explaining the singulation process according to the second embodiment.
  • FIG. 60 is a schematic plan view for explaining the singulation process according to the second embodiment.
  • FIG. 61 is a plan view of FIG. 60 with the cover layer removed.
  • FIG. 62 is a flow chart showing a first modified example of the method for manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 63 is a schematic plan view for explaining an electrode forming process according to the first modification of the second embodiment; 64 is a cross-sectional view along line LXIV-LXIV of FIG. 63.
  • FIG. 65 is a flow chart showing a second modification of the method for manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 66 is a schematic plan view for explaining a pad forming process according to the second modification of the second embodiment; FIG.
  • FIG. 67 is a schematic plan view illustrating the acoustic wave device after the singulation process according to the second modification of the second embodiment;
  • FIG. 68 is a plan view of FIG. 67 with the cover layer removed.
  • 69 is a cross-sectional view along line LXIX-LXIX in FIG. 67.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may consist of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is Z-cut in the first embodiment.
  • the cut angles of LiNbO 3 and LiTaO 3 may be rotated Y-cut or X-cut.
  • the Y-propagation and X-propagation ⁇ 30° propagation orientations are preferred.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, it is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness shear primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b facing each other in the Z direction. Electrode fingers 3 and 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode finger 3 is an example of the "first electrode finger” and the electrode finger 4 is an example of the "second electrode finger”.
  • the multiple electrode fingers 3 are multiple “first electrode fingers” connected to the first busbar electrodes 5 .
  • the multiple electrode fingers 4 are multiple “second electrode fingers” connected to the second busbar electrodes 6 .
  • the plurality of electrode fingers 3 and the plurality of electrode fingers 4 are interdigitated with each other.
  • an IDT (Interdigital Transducer) electrode including electrode fingers 3 , electrode fingers 4 , first busbar electrodes 5 , and second busbar electrodes 6 is configured.
  • the electrode fingers 3 and 4 have a rectangular shape and a length direction.
  • the electrode finger 3 and the electrode finger 4 adjacent to the electrode finger 3 face each other in a direction perpendicular to the length direction.
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 and the direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 are directions that intersect the thickness direction of the piezoelectric layer 2 . Therefore, it can be said that the electrode finger 3 and the electrode finger 4 adjacent to the electrode finger 3 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2 .
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 2 is defined as the Z direction (or first direction)
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is defined as the Y direction (or second direction)
  • the electrode fingers 3 and electrode fingers 4 may be described as the X direction (or the third direction).
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 may be interchanged with the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrode fingers 3 and 4 may extend in the direction in which the first busbar electrodes 5 and the second busbar electrodes 6 extend. In that case, the first busbar electrode 5 and the second busbar electrode 6 extend in the direction in which the electrode fingers 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B.
  • a pair of structures in which the electrode fingers 3 connected to one potential and the electrode fingers 4 connected to the other potential are adjacent to each other are arranged in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. Multiple pairs are provided.
  • the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are adjacent to each other, not when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are arranged so as to be in direct contact, but when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are arranged with a gap therebetween. It refers to the case where the When the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are adjacent to each other, there are electrodes connected to the hot electrode and the ground electrode, including other electrode fingers 3 and 4, between the electrode finger 3 and the electrode finger 4. is not placed.
  • the logarithms need not be integer pairs, but may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, and so on.
  • the center-to-center distance, that is, the pitch, between the electrode fingers 3 and 4 is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. Further, the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 means the center of the width dimension of the electrode fingers 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and the distance orthogonal to the length direction of the electrode fingers 4 . It is the distance connecting the center of the width dimension of the electrode finger 4 in the direction of
  • the electrode fingers 3 and 4 when at least one of the electrode fingers 3 and 4 is plural (when there are 1.5 or more pairs of electrodes when the electrode fingers 3 and 4 are paired as a pair of electrode pairs), the electrode fingers 3.
  • the center-to-center distance of the electrode fingers 4 refers to the average value of the center-to-center distances of adjacent electrode fingers 3 and electrode fingers 4 among 1.5 or more pairs of electrode fingers 3 and electrode fingers 4 .
  • the width of the electrode fingers 3 and 4 that is, the dimension in the facing direction of the electrode fingers 3 and 4 is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 is the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode finger 3 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode finger 3 and the length of the electrode finger 4. It is the distance connecting the center of the dimension (width dimension) of the electrode finger 4 in the direction orthogonal to the direction.
  • the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is the direction orthogonal to the polarization direction of the piezoelectric layer 2 .
  • “perpendicular” is not limited to being strictly perpendicular, but substantially perpendicular (the angle formed by the direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and electrode fingers 4 and the polarization direction is, for example, 90° ⁇ 10°).
  • a first substrate 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an intermediate layer 7 interposed therebetween.
  • the intermediate layer 7 and the first substrate 8 have a frame shape and, as shown in FIG. 2, openings 7a and 8a.
  • a space (air gap) 9 is thereby formed.
  • the space 9 is provided so as not to disturb the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2 . Therefore, the first substrate 8 is laminated on the second main surface 2b with the intermediate layer 7 interposed therebetween at a position not overlapping the portion where at least one pair of electrode fingers 3 and 4 are provided. Note that the intermediate layer 7 may not be provided. Therefore, the first substrate 8 can be directly or indirectly laminated to the second main surface 2 b of the piezoelectric layer 2 .
  • the intermediate layer 7 is made of silicon oxide.
  • the intermediate layer 7 can be formed of an appropriate insulating material other than silicon oxide, such as silicon nitride and alumina.
  • the first substrate 8 is made of Si.
  • the plane orientation of the surface of Si on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • high-resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable.
  • the first substrate 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Materials for the first substrate 8 include, for example, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, Various ceramics such as steatite and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the plurality of electrode fingers 3, electrode fingers 4, first busbar electrodes 5, and second busbar electrodes 6 are made of appropriate metals or alloys such as Al and AlCu alloys.
  • the electrode fingers 3, the electrode fingers 4, the first busbar electrodes 5, and the second busbar electrodes 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesion layer other than the Ti film may be used.
  • an alternating voltage is applied between the multiple electrode fingers 3 and the multiple electrode fingers 4 . More specifically, an AC voltage is applied between the first busbar electrode 5 and the second busbar electrode 6 . As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using a thickness-shear primary mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2 .
  • d/p is set to 0.5 or less.
  • the thickness-shear primary mode bulk wave is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 When at least one of the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 is plural as in the first embodiment, that is, when the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 form a pair of electrodes, the electrode fingers 3 and the electrode fingers When there are 1.5 pairs or more of 4, the center-to-center distance between the adjacent electrode fingers 3 and 4 is the average distance between the center-to-center distances between the adjacent electrode fingers 3 and 4 .
  • the acoustic wave device 1 of the first embodiment has the above configuration, even if the logarithms of the electrode fingers 3 and 4 are reduced in an attempt to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides, and the propagation loss is small. The reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness-shlip primary mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 3A shows an acoustic wave device as described in Patent Document 1, in which Lamb waves propagate through the piezoelectric layer.
  • waves propagate through the piezoelectric layer 201 as indicated by arrows.
  • the piezoelectric layer 201 has a first principal surface 201a and a second principal surface 201b, and the thickness direction connecting the first principal surface 201a and the second principal surface 201b is the Z direction.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers 3 and 4 of the IDT electrodes are aligned.
  • the Lamb wave the wave propagates in the X direction as shown.
  • the wave is applied to the first main surface 2a and the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2. , that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Further, since resonance characteristics are obtained by propagating waves in the Z direction, no reflector is required. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of electrode pairs consisting of the electrode fingers 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude direction of the bulk wave of the primary thickness-shear mode is the first region 251 included in the excitation region C (see FIG. 1B) of the piezoelectric layer 2 and the first region 251 included in the excitation region C (see FIG. 1B). 2 area 252 is reversed.
  • FIG. 4 schematically shows bulk waves when a voltage is applied between the electrode fingers 3 so that the electrode fingers 4 have a higher potential than the electrode fingers 3 .
  • the first region 251 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 that is orthogonal to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2 and the first main surface 2a.
  • the second region 252 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • At least one pair of electrodes consisting of the electrode fingers 3 and 4 is arranged. It is not always necessary to have a plurality of pairs of electrode pairs. That is, it is sufficient that at least one pair of electrodes is provided.
  • the electrode finger 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode finger 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode finger 3 may be connected to the ground potential and the electrode finger 4 to the hot potential.
  • the at least one pair of electrodes are, as described above, electrodes connected to a hot potential or electrodes connected to a ground potential, and no floating electrodes are provided.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the design parameters of the acoustic wave device 1 that obtained the resonance characteristics shown in FIG. 5 are as follows.
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO3 with Euler angles (0°, 0°, 90°) Thickness of piezoelectric layer 2: 400 nm
  • Length of excitation region C (see FIG. 1B): 40 ⁇ m Number of electrode pairs consisting of electrode fingers 3 and 4: 21 pairs Center-to-center distance (pitch) between electrode fingers 3 and 4: 3 ⁇ m Width of electrode fingers 3 and 4: 500 nm d/p: 0.133
  • Middle layer 7 Silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m
  • the excitation region C (see FIG. 1B) is a region where the electrode fingers 3 and 4 overlap when viewed in the X direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. .
  • the length of the excitation region C is the dimension along the length direction of the electrode fingers 3 and 4 of the excitation region C. As shown in FIG. Here, the excitation region C is an example of the "intersection region".
  • the center-to-center distances of the electrode pairs consisting of the electrode fingers 3 and 4 are all made equal in the plurality of pairs. That is, the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 are arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, more preferably 0. .24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. It is an explanatory view showing the relationship with the fractional bandwidth as.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and the above p is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers 3 and 4 in the case of one pair of electrodes. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of the adjacent electrode fingers 3 and 4 should be p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer 2 if the piezoelectric layer 2 has variations in thickness, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • a pair of electrodes having electrode fingers 3 and 4 are provided on first main surface 2 a of piezoelectric layer 2 .
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above d/p is 0.5 or less, it is possible to effectively excite the bulk wave in the primary mode of thickness shear.
  • the excitation region is an overlapping region of the plurality of electrode fingers 3 and 4 when viewed in the direction in which any adjacent electrode fingers 3 and 4 are facing each other. It is desirable that the metallization ratio MR of the adjacent electrode fingers 3 and 4 with respect to the region C satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • a spurious signal indicated by an arrow B appears between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • the excitation region C is the portion surrounded by the dashed-dotted line.
  • the excitation region C refers to the electrode finger that overlaps the electrode finger 4 when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are viewed in a direction orthogonal to the length direction of the electrode finger 3 and the electrode finger 4, that is, in the opposing direction. 3, a region of the electrode finger 4 overlapping the electrode finger 3, and a region between the electrode finger 3 and the electrode finger 4 where the electrode finger 3 and the electrode finger 4 overlap.
  • the area of the electrode fingers 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of the excitation region C is the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallization portion to the area of the excitation region C.
  • the ratio of the metallization portion included in the entire excitation region C to the total area of the excitation region C should be MR.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. is an explanatory diagram showing the relationship between. The ratio band was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrode fingers 3 and 4 .
  • FIG. 9 shows the results when the piezoelectric layer 2 made of Z-cut LiNbO 3 is used, but the same tendency is obtained when the piezoelectric layer 2 with other cut angles is used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, when it exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more changes the parameters constituting the fractional band, even if the passband appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious component indicated by arrow B appears within the band. Therefore, the specific bandwidth is preferably 17% or less. In this case, by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrode fingers 3 and 4, the spurious response can be reduced.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • various elastic wave devices 1 with different d/2p and MR were configured, and the fractional bandwidth was measured.
  • the hatched portion on the right side of the dashed line D in FIG. 10 is the area where the fractional bandwidth is 17% or less.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. A hatched portion in FIG. 11 is a region where a fractional bandwidth of at least 5% or more is obtained. When the range of the area is approximated, it becomes the range represented by the following formulas (1), (2) and (3).
  • Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ] ⁇ 180°) Equation (2) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (3)
  • the fractional band can be sufficiently widened, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • the outer peripheral edge of the space 9 is indicated by a dashed line.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • the elastic wave device 301 has reflectors 310 and 311 as shown in FIG. Reflectors 310 and 311 are provided on both sides of the electrode fingers 3 and 4 of the piezoelectric layer 2 in the acoustic wave propagation direction.
  • a Lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the electrode fingers 3 and 4 on the space 9.
  • the reflectors 310 and 311 are provided on both sides, it is possible to obtain resonance characteristics due to Lamb waves as plate waves.
  • the elastic wave devices 1 and 101 use bulk waves in the primary mode of thickness shear.
  • the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, and the center of the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 is d/p is set to 0.5 or less, where p is the distance between them.
  • the Q value can be increased even if the elastic wave device is miniaturized.
  • the piezoelectric layer 2 is made of lithium niobate or lithium tantalate.
  • the first principal surface 2a or the second principal surface 2b of the piezoelectric layer 2 has a first electrode finger 3 and a second electrode finger 4 facing each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2. and the second electrode fingers 4 are desirably covered with a protective film.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device according to the first embodiment includes a bonding step, an electrode forming step, a first frequency adjusting step, an evaluation element selection step, a pad portion forming step, and an evaluation element through hole forming step.
  • a step of forming a space in an evaluation element includes a space forming process, a bump forming process, a singulation process, and a sorting process.
  • FIG. 13 is a flow chart of the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment is performed by the following procedures.
  • the first substrate 8 is bonded to the piezoelectric layer 2 (step S101), electrodes such as the functional electrode 30 are formed (step S102), the dielectric film 19 is formed (step S103), and the frequency is adjusted (step S104).
  • the evaluation element 10T is selected from a plurality of acoustic wave elements (step S105), and the pad portion 11 (step S106), the through hole 2H (step S107) and the space portion 91 (step S108) are formed in the evaluation element 10T. They are formed in order and an intermediate measurement is performed (step S109).
  • step S110: NO If it is determined that the frequency characteristic is not appropriate as a result of the intermediate measurement (step S110: NO), the frequency is adjusted (step S111), and an evaluation element is selected from the other acoustic wave elements 10 (step S105). , processing and intermediate measurement are performed (S206 to S109). The selection and processing of this evaluation element are repeated until the desired frequency characteristics are obtained in the intermediate measurement.
  • step S110: YES when the frequency characteristic is determined to be appropriate (step S110: YES), the product wiring 12 is formed (step S112), and the through hole 2H (step S113) and the space portion are formed in the other acoustic wave element 10 (step S113). 91 (step S114) are formed in order. Then, after the bumps 35 are formed (step S115), the elastic wave elements are separated (step S116), and the other elastic wave elements 10 are selected (step S117), thereby obtaining the elastic wave device according to the first embodiment. is manufactured.
  • the joining step is a step of joining the piezoelectric layer 2 and the first substrate 8 via the intermediate layer 7 (step S101).
  • a sacrificial layer 7S is formed on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 by resist patterning, and then, as shown in FIG. A first portion 7A to be the intermediate layer 7 is formed so as to cover the second main surface 2b of the layer 2 and the sacrificial layer 7S.
  • the surface of the first portion 7A is flattened so that unevenness due to the influence of the sacrificial layer 7S is eliminated.
  • a film is formed on the first substrate 8 to form the second portion 7B that will be the intermediate layer 7, and the first portion 7A and the second portion 7B are bonded together to form the piezoelectric layer 2 (piezoelectric layer 2).
  • substrate is bonded to the first substrate 8 .
  • the main surface of the piezoelectric layer 2 opposite to the second main surface 2b is ground to make the piezoelectric layer 2 thinner.
  • the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 is formed.
  • the laminate of the piezoelectric layer 2, the intermediate layer 7, and the first substrate 8, on which a plurality of acoustic wave elements are formed may be referred to as a "mother substrate".
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view for explaining the electrode forming process of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the electrode forming step is a step of forming at least a plurality of functional electrodes 30 (step S102).
  • a plurality of functional electrodes 30 and wirings 14 are patterned on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 by lift-off.
  • the functional electrode 30 is an IDT electrode having the electrode fingers 3, 4 and the busbar electrodes 5, 6 shown in FIG.
  • the functional electrode 30 is provided so that at least a portion thereof overlaps the sacrificial layer 7S when viewed in plan in the Z direction.
  • the wiring 14 is a wiring electrically connected to the functional electrode 30, and is a metal laminate of gold or a gold alloy and another metal such as titanium.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view for explaining the dielectric film forming process according to the first embodiment.
  • the dielectric film forming step is a step of forming a dielectric film 19 (step S103).
  • the dielectric film 19 is, for example, silicon oxide.
  • the dielectric film 19 is formed after masking the periphery of the functional electrode 30 with a resist as viewed in plan in the Z direction. Thereby, the functional electrode 30 is covered with the dielectric film 19 . Thereby, the frequency temperature characteristic can be improved.
  • the first frequency adjustment process is performed.
  • the first frequency adjustment step is a step of processing the dielectric film 19 to adjust the frequency characteristics (step S104). Processing of the dielectric film 19 is performed by Ar ion etching. As a result, the non-defective product rate can be improved.
  • FIG. 20 is a schematic plan view for explaining the evaluation element selection process according to the first embodiment.
  • the evaluation element selection process is a process of selecting an evaluation element 10T for each chip from a plurality of acoustic wave elements formed on the mother substrate (step S105).
  • the evaluation element 10T is an acoustic wave element used in an intermediate measurement step to be described later.
  • an identification mark M is attached to the piezoelectric layer 2 of the evaluation element 10T by etching or pattern formation.
  • FIG. 21 is a schematic plan view for explaining the pad portion forming process according to the first embodiment.
  • the pad portion forming step is a step of forming the pad portion 11 in the evaluation element 10T (step S106).
  • the pad portion 11 is an electrode pad portion that serves as a measurement electrode in an intermediate measurement to be described later.
  • the pad section 11 is formed by pattern formation so as to be electrically connected to the functional electrode 30 of the evaluation element 10T.
  • the pad portion 11 contains at least one material selected from the group consisting of Al, Cu, Ti, Pt, Au, Be and W. Thereby, the contact resistance in the intermediate measurement process can be reduced.
  • the pad portion 11 is laminated on the adhesion layer containing Ti, and preferably contains an AlCu alloy having a Cu content of 20% by mass or less. In this case, the contact resistance in the intermediate measurement process can be further reduced, and the cost can be reduced.
  • FIG. 22 is a schematic plan view for explaining the through-hole forming process of the evaluation element according to the first embodiment.
  • 23 is a cross-sectional view along line XXIII--XXIII of FIG. 22;
  • the evaluation element through-hole forming process is a process of forming a through hole 2H in the evaluation element 10T (step S107).
  • the through hole 2H is a hole penetrating through the piezoelectric layer 2 in the Z direction.
  • the through hole 2 ⁇ /b>H is provided at a position overlapping the sacrificial layer 7 ⁇ /b>S of the piezoelectric layer 2 when viewed from above in the Z direction.
  • the through-holes 2 ⁇ /b>H are provided by patterning a resist and dry-etching the piezoelectric layer 2 . In this case, the resist is removed after forming the through holes 2H.
  • FIG. 24 is a schematic plan view for explaining the step of forming the space of the evaluation element according to the first embodiment.
  • 25 is a cross-sectional view along line XXV-XXV of FIG. 24.
  • the step of forming the space portion of the evaluation element is a step of forming the space portion 91 in the evaluation element 10T (step S108).
  • an etchant is injected from the through hole 2H to dissolve the sacrificial layer 7S.
  • the resist on the inner walls of the through holes 2H is removed after the sacrificial layer 7S is dissolved.
  • the space in which the sacrificial layer 7S was present becomes a space portion 91, enabling intermediate measurement of the evaluation element 10T.
  • FIG. 26 is a schematic plan view for explaining the intermediate measurement process according to the first embodiment.
  • the intermediate measurement step is a step of connecting a measuring instrument to the pad portion 11 of the evaluation element 10T and confirming the frequency characteristics (step S109). After the intermediate measurement, a measurement mark 11M is left on the pad portion 11 as shown in FIG. In the first embodiment, this makes it impossible to re-measure the frequency characteristics of the evaluation element 10T.
  • the second frequency adjustment step is performed.
  • the second frequency adjustment step is a step of adjusting the frequency characteristics by processing the dielectric film 19, like the first frequency adjustment step (step S111).
  • the evaluation element selection step is performed again to select another evaluation element (step S105), and the pad portion 11, the through hole 2H and the space portion 91 are formed as described above.
  • the intermediate measurement is performed again (step S109).
  • the second frequency adjustment step and intermediate measurement steps are repeated until the desired frequency characteristics are obtained. Thereby, the acoustic wave device 10 having desired frequency characteristics is obtained.
  • another elastic wave element 10 is manufactured as an elastic wave device by the steps described below.
  • the other elastic wave elements 10 refer to the elastic wave elements that are not selected as the evaluation element 10T among the plurality of elastic wave elements.
  • the other acoustic wave device 10 refers to an acoustic wave device that becomes a product without being excluded in the later-described sorting process.
  • FIG. 27 is a schematic plan view for explaining the product wiring forming process according to the first embodiment.
  • the product wiring forming step is a step of forming product wiring 12 in a plurality of acoustic wave devices (step S112).
  • the product wiring 12 is wiring connected to the functional electrode 30 .
  • the product wiring 12 is an Al or Al alloy layer.
  • the product wiring 12 is laminated on the pad section 11.
  • the material of the product wiring 12 may be a layered body in which different materials are layered, for example, a layered body having a layer of Al or an Al alloy and a layer of a material other than Al.
  • FIG. 28 is a schematic plan view for explaining the through-hole forming process of another acoustic wave device according to the first embodiment. 29 is a cross-sectional view along line XXIX-XXIX of FIG. 28.
  • FIG. 27 the through-hole forming step for another acoustic wave element is a step of forming through-holes 2H in the piezoelectric layer 2 of another acoustic wave element 10 (step S113).
  • the through holes 2H of the other acoustic wave elements 10 are provided by patterning a resist and dry-etching the piezoelectric layer 2 in the same manner as the through hole forming process of the evaluation element, and the resist forms the through holes 2H. removed after
  • FIG. 30 is a schematic plan view for explaining a space forming process of another acoustic wave device according to the first embodiment.
  • 31 is a cross-sectional view taken along line XXXI-XXXI of FIG. 30.
  • the step of forming the space portion of the other acoustic wave element is a step of forming the space portion 91 in the other acoustic wave element 10 (step S114).
  • the etchant is injected from the through hole 2H of the other acoustic wave element to dissolve the sacrificial layer 7S of the other acoustic wave element 10.
  • FIG. As a result, the space where the sacrificial layer 7S was located becomes the space portion 91 in the other acoustic wave device 10 as well.
  • FIG. 32 is a schematic plan view for explaining the bump forming process according to the first embodiment.
  • the bump forming step is a step of forming bumps 35 (step S115).
  • the bumps 35 are extraction electrodes of the acoustic wave device 10 .
  • the bumps 35 are formed on the product wirings 12 of the plurality of acoustic wave devices. That is, the bumps 35 are also provided on the evaluation element 10T.
  • the bumps 35 provided on the evaluation element 10T have strength enough to withstand the subsequent steps.
  • FIG. 33 is a schematic plan view for explaining the singulation process according to the first embodiment.
  • 34 is a cross-sectional view taken along line XXXIV-XXXIV of FIG. 33.
  • the singulation step is a step of dividing the mother substrate and manufacturing acoustic wave devices in units of chips (step S116).
  • the mother substrate is patterned in a lattice pattern, and the boundary portions of the plurality of acoustic wave devices are removed on a chip-by-chip basis, so that the acoustic wave devices 10 and the evaluation devices 10T are individually separated on a chip-by-chip basis.
  • the sorting step is a step of sorting out the acoustic wave devices 10 other than the evaluation device 10T from the plurality of individualized acoustic wave devices (step S117).
  • the evaluation element 10T is excluded, and the other elastic wave elements 10 become the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the elastic wave device according to the first embodiment can be manufactured.
  • the method of manufacturing the elastic wave device there is no difference in the manufacturing process between the evaluation element 10T and the other elastic wave elements 10 until the evaluation element selection process. Even if the desired frequency characteristics cannot be obtained by the above method, a new evaluation element 10T can be formed each time the frequency is adjusted. Therefore, since it is not necessary to arrange a dedicated evaluation element on the mother board in advance, it is possible to suppress the generation of evaluation elements that are not used in the intermediate measurement and are excluded in the sorting process. As a result, the number of acoustic wave device chips that can be manufactured from a single mother substrate can be increased.
  • the intermediate measurement step, the second frequency adjustment step, and the product wiring formation step are performed before the other acoustic wave device space portion formation step. Damage to other acoustic wave elements 10 due to the product wiring forming process can be suppressed.
  • FIG. 35 is a flow chart showing a first modified example of the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment may be performed according to the procedure shown in FIG. 35 . That is, after the bonding step (step S101), an evaluation element may be selected (step S105), and the pads 11 may be formed at the same time as the electrodes (step S120).
  • FIG. 36 is a schematic plan view for explaining the electrode forming process according to the first modified example of the first embodiment.
  • 37 is a cross-sectional view taken along line XXXVII-XXXVII of FIG. 36.
  • FIG. As shown in FIGS. 36 and 37, in the electrode forming process according to the first modification, the pad portions 11 are formed at the same time as the functional electrodes 30 and the wirings 14 (step S120). As a result, the steps are commonalized, so that the manufacturing can be performed at a low cost.
  • FIG. 38 is a flow chart showing a second modified example of the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment may be performed by the procedure shown in FIG. 38 . That is, in the pad portion forming step, the pad portions 11 may be formed not only on the evaluation element 10T but also on the other acoustic wave elements 10 (step S130).
  • FIG. 39 is a schematic plan view for explaining the pad portion forming process according to the second modification of the first embodiment.
  • FIG. 40 is a schematic plan view illustrating the acoustic wave device after the singulation process according to the second modification of the first embodiment; 41 is a cross-sectional view along line XLI-XLI in FIG. 40.
  • FIG. 39 in the pad portion forming step according to the second modification, the pad portions 11 are formed not only on the evaluation element 10T but also on the other acoustic wave elements 10 (step S130). Therefore, as shown in FIGS. 40 and 41, the product wiring 12 is also formed on the pad portion 11 in the other acoustic wave device 10 as a product. As a result, the steps are commonalized, so that the manufacturing can be performed at a low cost.
  • the method for manufacturing the elastic wave device according to the first embodiment is not limited to that described above.
  • the first frequency adjustment step may be performed immediately before the through-hole forming step of the evaluation element, or may be performed immediately before the intermediate measurement step.
  • the identification mark M of the evaluation element 10T may be formed at the same time as the functional electrode 30 or the pad section 11.
  • a plurality of acoustic wave elements are formed on a mother substrate, and some of the plurality of acoustic wave elements are individually divided as products into chip units.
  • an elastic wave device comprising: an electrode forming step of forming functional electrodes 30 of at least a plurality of acoustic wave elements; a first frequency adjustment step of adjusting; a pad portion forming step of forming a pad portion 11 in an evaluation element 10T, which is an acoustic wave device selected from among a plurality of acoustic wave devices on a chip-by-chip basis; and an intermediate measurement step of measuring the frequency characteristics of the evaluation element 10T using the do not have.
  • the number of manufactured evaluation elements can be reduced, so that the number of acoustic wave device chips that can be manufactured from one mother substrate can be increased.
  • the evaluation element 10T and the other acoustic wave elements 10 can be manufactured at a low cost because the manufacturing process is shared.
  • the pad sections 11 are formed only on the evaluation element 10T, and the pad sections 11 are not formed on the other acoustic wave elements 10 .
  • the intermediate measurement process can be performed using the evaluation element 10T without providing the pad section 11 to the other acoustic wave element 10.
  • the sacrificial layer 7S is embedded in the piezoelectric layer 2 side of the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 having the first main surface 2a and the second main surface 2b opposite to the first main surface 2a.
  • the evaluation element 10T and the other acoustic wave elements 10 can be manufactured at a low cost because the manufacturing process is shared.
  • the intermediate measurement process can be performed before the space forming process of the other acoustic wave elements 10, so that damage to the other acoustic wave elements 10 can be suppressed.
  • a more desirable embodiment further includes a second frequency adjustment step for adjusting the frequency characteristics of the other acoustic wave device 10 after the intermediate measurement step.
  • a more desirable embodiment further includes a second frequency adjustment step of adjusting the frequency characteristics of the other acoustic wave device 10 after the intermediate measurement step, wherein the second frequency adjustment step includes a space forming step of the evaluation element 10T, This step is performed between the step of forming the space portion of the other acoustic wave element 10 .
  • the pad section 11 contains at least one material selected from the group consisting of Al, Cu, Ti, Pt, Au, Be and W. Thereby, the contact resistance in the intermediate measurement process can be reduced.
  • the pad portion 11 contains an AlCu alloy, the content of Cu in the AlCu alloy is 20% by mass or less, and the AlCu alloy is laminated on an adhesion layer containing Ti. Thereby, the contact resistance in the intermediate measurement process can be further reduced, and the cost can be reduced.
  • the pad part forming process is performed after the electrode forming process.
  • the evaluation element 10T and the other acoustic wave elements 10 can be manufactured at a low cost because the manufacturing process is shared.
  • the pad part forming process is performed simultaneously with the electrode forming process.
  • the process of forming the functional electrode 30 and the pad portion 11 is common, so that the manufacturing cost can be reduced.
  • a preferred embodiment further includes a dielectric film forming step for forming the dielectric film 19 covering the functional electrode 30, and the thickness of the dielectric film 19 is changed in the first frequency adjustment step or the second frequency adjustment step. This makes it possible to adjust the number of weeks at low cost.
  • the dielectric film 19 is silicon oxide. Thereby, the frequency temperature characteristic can be improved.
  • an identification mark M is attached to the evaluation element 10T.
  • the evaluation element 10T for which the intermediate measurement has been completed which is not used as a product, from being mixed into the production lot of the elastic wave device, so that the rate of non-defective products can be improved.
  • the functional electrode 30 has one or more first electrode fingers 3 extending in a second direction intersecting the first direction, which is the thickness direction of the piezoelectric layer 2, and one electrode finger extending in a third direction orthogonal to the second direction. and one or more second electrode fingers 4 facing any one of the one or more first electrode fingers 3 and extending in the second direction.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is the thickness between the adjacent first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4 among the one or more first electrode fingers 3 and the one or more second electrode fingers 4. It is 2p or less when the center-to-center distance is p.
  • the piezoelectric layer 2 contains lithium niobate or lithium tantalate. As a result, it is possible to provide an elastic wave device capable of obtaining good resonance characteristics.
  • it is configured to be able to use bulk waves in the thickness-shlip mode. As a result, it is possible to provide an elastic wave device with a high coupling coefficient and good resonance characteristics.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, and among the one or more first electrode fingers 3 and the one or more second electrode fingers 4, the center between the adjacent first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4 is d/p ⁇ 0.5, where p is the distance between them.
  • d/p is 0.24 or less.
  • an excitation region C is a region where the first electrode fingers 3 and the second electrode fingers 4 are overlapped with each other when viewed in the facing direction.
  • MR is the metallization ratio of one electrode finger 3 and one or more second electrode fingers 4, MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075 is satisfied. In this case, the fractional bandwidth can be reliably set to 17% or less.
  • the piezoelectric layer 2 is made of lithium niobate or lithium tantalate, and the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate satisfy the following formula (1), formula (2) or It is in the range of formula (3). In this case, the fractional bandwidth can be widened sufficiently.
  • Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ] ⁇ 180°) Equation (2) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (3)
  • a method for manufacturing an acoustic wave device according to the second embodiment includes a bonding step, an electrode forming step, a cover substrate bonding step, a first frequency adjusting step, an evaluation element selecting step, a pad portion forming step, an intermediate It includes a measuring process, a second frequency adjusting process, a plating forming process, a support frame forming process, a cover layer forming process, a bump forming process, a singulation process, and a sorting process.
  • a method for manufacturing an elastic wave device according to the second embodiment will be described below with reference to the drawings.
  • FIG. 42 is a flowchart of a method for manufacturing an elastic wave device according to the second embodiment.
  • the method of manufacturing an elastic wave device according to the second embodiment differs from that of the first embodiment in that the space 92 is formed by etching the first substrate 8 from the side opposite to the piezoelectric layer 2 side.
  • the method of manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment is performed by the following procedures.
  • the first substrate 8 is bonded to the piezoelectric layer 2 (step S201), electrodes such as the functional electrode 30 are formed (step S202), the dielectric film 19 is formed (step S203), and the space 92 is formed ( Step S204), the lid substrate 81 is joined (Step S205), and the frequency is adjusted (Step S206).
  • an evaluation element 10T is selected from a plurality of acoustic wave elements (step S207), a pad portion 11 (step S208) is formed on the evaluation element 10T, and an intermediate measurement is performed (step S209).
  • the frequency is adjusted (step S211).
  • step S212: YES intermediate measurement is performed again with the same evaluation element (step S209), and if the evaluation element is not reusable (step S212: NO ), an evaluation element is selected from other acoustic wave elements 10 (step S207), and pad portions 11 are formed (step S208) and an intermediate measurement (step S209) is performed.
  • step S210 YES
  • the product wiring 12 step S213
  • the plated wiring 43 step S214
  • the support frame 42 step S215
  • the cover layer 41 After the step S216
  • the bump electrodes 50 step S217) are formed in order
  • the acoustic wave device is singulated (step S218). Then, by selecting the acoustic wave devices 10 other than the evaluation device 10T (step S219), the acoustic wave device according to the second embodiment is manufactured.
  • step S201 is schematic cross-sectional views for explaining the bonding process of the method for manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment.
  • step S201 first, as shown in FIG. .
  • a film is formed on the first substrate 8 to form the second portion 7B that will be the intermediate layer 7, and the first portion 7A and the second portion 7B are bonded together to form the piezoelectric layer 2 (piezoelectric layer 2).
  • substrate is bonded to the first substrate 8 .
  • the main surface of the piezoelectric layer 2 opposite to the second main surface 2b is ground to make the piezoelectric layer 2 thinner. Thereby, the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 is formed.
  • FIG. 46 is a schematic cross-sectional view for explaining the electrode forming process of the method for manufacturing an acoustic wave device according to the second embodiment.
  • a plurality of functional electrodes 30 and wirings 14 are patterned on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 by lift-off (step S202).
  • FIG. 47 is a schematic cross-sectional view for explaining the dielectric film forming process according to the second embodiment.
  • the dielectric film forming step as in the first embodiment, the periphery of the functional electrode 30 is masked with a resist, and then the dielectric film 19 is formed (as viewed in the Z direction). step S203). Thereby, the functional electrode 30 is covered with the dielectric film 19 .
  • FIG. 48 is a schematic cross-sectional view for explaining the space forming process according to the second embodiment.
  • the space portion forming step is a step of forming space portions 92 in a plurality of acoustic wave elements (step S204).
  • the space 92 is formed by etching the intermediate layer 7 and the first substrate 8 from the surface opposite to the surface on which the piezoelectric layer 2 is provided.
  • the space portion 92 is provided at a position overlapping at least a portion of the functional electrode 30 when viewed in the Z direction.
  • FIG. 49 is a schematic cross-sectional view for explaining the lid substrate bonding process according to the second embodiment.
  • the lid substrate bonding step is a step of bonding the lid substrate 81 to the side of the first substrate 8 opposite to the piezoelectric layer 2 via the bonding layer 82 (step S205).
  • the lid substrate 81 is a silicon substrate. Thereby, the space part 92 is closed.
  • the lid substrate 81 is not limited to being a silicon substrate, and may be a resin substrate.
  • a frequency adjustment process is performed (step S206).
  • the dielectric film 19 is processed by Ar ion etching, as in the first embodiment.
  • FIG. 50 is a schematic plan view for explaining the evaluation element selection process according to the second embodiment.
  • an identification mark M is attached to the piezoelectric layer 2 of the evaluation element 10T by etching or pattern formation (step S207).
  • FIG. 51 is a schematic plan view for explaining the pad portion forming process according to the second embodiment.
  • the pad 11 is formed on the piezoelectric layer 2 of the evaluation element 10T by pattern formation (step S208).
  • FIG. 52 is a schematic plan view for explaining the intermediate measurement process according to the second embodiment.
  • a measuring instrument is connected to the pad section 11 of the evaluation element 10T to check the frequency characteristics (step S209).
  • a measurement mark 11M is left on the pad portion 11 as shown in FIG. As a result, remeasurement of the frequency characteristics of the evaluation element 10T may become impossible.
  • the second frequency adjustment step is performed (step S211) as in the first embodiment.
  • the intermediate measurement is performed again with the evaluation element 10T (step S209), and the evaluation element 10T is reused.
  • step S212: NO the evaluation element selection step is performed again to select another evaluation element (step S207), the pad portion 11 is formed (step S208), and the intermediate measurement is performed again. is performed (step S209).
  • the second frequency adjustment step and intermediate measurement steps are repeated until the desired frequency characteristics are obtained.
  • FIG. 53 is a schematic plan view for explaining the product wiring forming process according to the second embodiment. If it is determined that the frequency characteristics are appropriate as a result of the intermediate measurement (step S210: YES), the product wiring forming process is performed. As shown in FIG. 53, in the product wiring formation step, the product wiring 12 is formed in a plurality of acoustic wave devices including the evaluation device 10T by pattern formation, as in the first embodiment (step S213). . In the evaluation element 10T, the product wiring 12 is laminated on the pad section 11. As shown in FIG.
  • FIG. 54 is a schematic plan view for explaining the plating forming process according to the second embodiment.
  • the plating formation step is a step of forming plating wirings 43 in a plurality of acoustic wave devices (step S214).
  • the plated wiring 43 is a layer laminated on the product wiring 12 .
  • the plated wiring 43 is made of Al or an Al alloy.
  • the plated wiring 43 is composed of a frame-shaped portion and a portion laminated on the product wiring 12 electrically connected to the frame-shaped portion in one acoustic wave device. As a result, the potential of the plated wiring 43 becomes the same in one acoustic wave device, so that it becomes impossible to adjust the frequency in the subsequent steps.
  • FIG. 55 is a schematic plan view for explaining the support frame forming process according to the second embodiment.
  • the support frame forming step is a step of forming support frames 42 for a plurality of elastic wave devices (step S215).
  • the support frame 42 is laminated on the plated wiring 43 by plating.
  • the support frame 42 is made of photosensitive resin such as polyimide.
  • FIG. 56 is a schematic plan view for explaining the cover layer forming process according to the second embodiment.
  • 57 is a cross-sectional view along line LVII--LVII in FIG. 56.
  • the cover layer forming step is a step of forming cover layers 41 on a plurality of elastic wave devices (step S216).
  • the cover layer 41 is a silicon substrate.
  • the cover layer 41 is provided so as to overlap the mother substrate in plan view in the Z direction.
  • through vias 41H are provided in the cover layer 41 at positions overlapping the product wirings 12 when viewed from above in the Z direction.
  • the through via 41H is a hole for providing a bump electrode 50, which will be described later.
  • the through vias 41H are provided so as to penetrate the cover layer 41 and the support frame 42 by dry etching or reactive ion etching.
  • FIG. 58 is a schematic plan view for explaining the bump electrode forming process according to the second embodiment.
  • 59 is a cross-sectional view along line LIX-LIX in FIG. 58.
  • the bump electrode forming step is a step of forming the bump electrodes 50 in the through vias 41H (step S217).
  • the bump electrode 50 is an extraction electrode of the elastic wave device.
  • the bump electrodes 50 consist of terminal electrodes 57 and BGA bumps 58 .
  • the terminal electrode 57 is provided in the through via 41H via a Cu layer laminated on the Ti layer.
  • the terminal electrode 57 is formed by laminating a Cu layer, a Ni layer, and an Au layer in this order by plating.
  • the BGA bump 58 is a terminal of an acoustic wave element provided on the side of the terminal electrode 57 opposite to the piezoelectric layer 2 .
  • the BGA bumps 58 are provided by being layered on the terminal electrodes 57 . Thereby, the bump electrode 50 and the product wiring 12 can be electrically connected.
  • FIG. 60 is a schematic plan view for explaining the singulation process according to the second embodiment.
  • FIG. 61 is a plan view of FIG. 60 with the cover layer removed.
  • the singulation step is a step of dividing the mother substrate and manufacturing acoustic wave devices in units of chips (step S218).
  • the mother substrate is patterned in a lattice pattern to remove the boundary portions of the plurality of acoustic wave devices on a chip-by-chip basis. are individually divided into chips.
  • the frame-shaped portion of the plated wiring 43 is simultaneously removed by the singulation process.
  • the sorting step is a step of sorting out the acoustic wave devices 10 other than the evaluation device 10T from the plurality of individualized acoustic wave devices (step S219).
  • the evaluation element 10T is excluded, and the other elastic wave elements 10 become the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the elastic wave device according to the second embodiment can be manufactured.
  • the intermediate measurement process and the second frequency adjustment process are performed before the plating wiring formation process. Thereby, the intermediate measurement and the frequency adjustment after the intermediate measurement can be properly performed.
  • FIG. 62 is a flow chart showing a first modified example of the method for manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment.
  • the method of manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment may be performed by the procedure shown in FIG. 62 . That is, after the bonding step (step S201), an evaluation element may be selected (step S207), and the pads 11 may be formed at the same time as the electrodes (step S220).
  • FIG. 63 is a schematic plan view for explaining the electrode forming process according to the first modified example of the second embodiment. 64 is a cross-sectional view along line LXIV-LXIV of FIG. 63.
  • FIG. 63 and 64 in the electrode forming process according to the first modified example, the pad portions 11 are formed at the same time as the functional electrodes 30 and the wirings 14 (step S220). As a result, the steps are commonalized, so that the manufacturing can be performed at a low cost.
  • FIG. 65 is a flow chart showing a second modified example of the method for manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment.
  • the method for manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment may be performed by the procedure shown in FIG. 65 . That is, in the pad portion forming step, the pad portions 11 may be formed not only on the evaluation element 10T but also on the other acoustic wave elements 10 (step S230).
  • FIG. 66 is a schematic plan view for explaining the pad portion forming process according to the second modification of the second embodiment.
  • FIG. 67 is a schematic plan view illustrating the acoustic wave device after the singulation process according to the second modification of the second embodiment;
  • FIG. 68 is a plan view of FIG. 67 with the cover layer removed.
  • 69 is a cross-sectional view along line LXIX-LXIX in FIG. 67.
  • FIG. 66 in the pad portion forming process according to the second modification, the pad portions 11 are formed not only on the evaluation element 10T but also on the other acoustic wave elements 10 (step S230). Therefore, as shown in FIG. 68, product wiring 12 is formed on pad portion 11 in another acoustic wave device 10 to be a product. As a result, the steps are commonalized, so that the manufacturing can be performed at a low cost.
  • the method for manufacturing the elastic wave device according to the second embodiment is not limited to that described above.
  • the first frequency adjustment step may be performed immediately before the through-hole forming step of the evaluation element, or may be performed immediately before the intermediate measurement step.
  • the identification mark M of the evaluation element 10T may be formed at the same time as the functional electrode 30 or the pad section 11. FIG.
  • the method for manufacturing an acoustic wave device is the second main surface 2a of the piezoelectric layer 2 having the first main surface 2a and the second main surface 2b opposite to the first main surface 2a.
  • the intermediate measurement process is performed after the space forming process. Thereby, the space part 92 can be formed without providing the through hole 2H and the sacrificial layer 7S.
  • a preferred embodiment further includes a lid substrate bonding step of bonding the lid substrate 81 to the first substrate 8 so as to close the space 92, and the evaluation element 10T immediately before the lid substrate bonding step and the other acoustic wave device 10 and there is no difference in the manufacturing process.
  • the evaluation element 10T and the other acoustic wave elements 10 can be manufactured at a low cost because the manufacturing process is shared.
  • a second frequency adjustment step of adjusting the frequency characteristics of the other elastic wave devices 10, and a plurality of elastic wave devices other than the evaluation device 10T are selected in chip units.
  • the intermediate measurement process and the second frequency adjustment process can be performed before the plated wiring formation process, so that the intermediate measurement and the frequency adjustment after the intermediate measurement can be performed properly.

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Abstract

１枚のマザー基板から製造できる弾性波装置のチップの数を増やす。マザー基板に、複数の弾性波素子を形成し、複数の弾性波素子のうち一部を製品として個別に分けチップ単位で弾性波装置を製造する、弾性波装置の製造方法である。弾性波装置の製造方法は、少なくとも複数の弾性波素子の機能電極を形成する電極形成工程と、電極形成工程の後、複数の弾性波素子の周波数特性を調整する第１周波数調整工程と、複数の弾性波素子の中からチップ単位で選択された弾性波素子である評価用素子にパッド部を形成するパッド部形成工程と、パッド部を用いて、評価用素子の周波数特性を測定する中間測定工程と、を含む。評価用素子として選ばれた弾性波素子と、他の弾性波素子とには、製造プロセス上の差異がない。

Description

弾性波装置の製造方法
　本開示は、弾性波装置の製造方法に関する。
　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　特許文献１に示す弾性波装置の製造方法は、マザー基板に、複数の弾性波素子を形成し、複数の弾性波素子のうち一部を製品として個別に分け、チップ単位で弾性波装置を製造する方法である。この弾性波装置の製造方法では、圧電層上の機能電極の上に設けられた誘電膜をＡｒイオンによりエッチングすることで周波数特性を調整する周波数調整工程を行う。しかし、一度の周波数調整工程だけでは、所望の周波数特性を得られない可能性があるため、周波数特性を測定する中間測定工程を行う。この場合、中間測定工程で周波数特性を測定する専用の評価用素子をマザー基板に予め配置すると、マザー基板に、専用の評価用素子が占有する面積が増え、１枚のマザー基板から製造できる弾性波装置のチップの数が減ってしまう可能性があった。
　本開示は、上述した課題を解決するものであり、１枚のマザー基板から製造できる弾性波装置のチップの数を増やすことを目的とする。
　一態様に係る弾性波装置の製造方法は、マザー基板に、複数の弾性波素子を形成し、前記複数の弾性波素子のうち一部を製品として個別に分けチップ単位で弾性波装置を製造する、弾性波装置の製造方法であって、少なくとも前記複数の弾性波素子の機能電極を形成する電極形成工程と、前記電極形成工程の後、前記複数の弾性波素子の周波数特性を調整する第１周波数調整工程と、前記複数の弾性波素子の中から前記チップ単位で選択された弾性波素子である評価用素子にパッド部を形成するパッド部形成工程と、前記パッド部を用いて、前記評価用素子の周波数特性を測定する中間測定工程と、を含み、前記評価用素子として選ばれた弾性波素子と、他の弾性波素子とには、製造プロセス上の差異がない。
　本開示によれば、評価用素子が占有する面積を減らすことで、１枚のマザー基板から製造できる弾性波装置のチップの数が減ってしまうことを抑制できる。
図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。 図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。 図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法のフローチャートである。 図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明するための模式的な断面図である。 図１５は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明するための模式的な断面図である。 図１６は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明するための模式的な断面図である。 図１７は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明するための模式的な断面図である。 図１８は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の電極形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図１９は、第１実施形態に係る誘電膜形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図２０は、第１実施形態に係る評価用素子選択工程を説明するための模式的な平面図である。 図２１は、第１実施形態に係るパッド部形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図２２は、第１実施形態に係る評価用素子の貫通孔形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図２３は、図２２の線ＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿った断面図である。 図２４は、第１実施形態に係る評価用素子の空間部形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図２５は、図２４の線ＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿った断面図である。 図２６は、第１実施形態に係る中間測定工程を説明するための模式的な平面図である。 図２７は、第１実施形態に係る製品用配線形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図２８は、第１実施形態に係る他の弾性波素子の貫通孔形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図２９は、図２８のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿った断面図である。 図３０は、第１実施形態に係る他の弾性波素子の空間部形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図３１は、図３０のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿った断面図である。 図３２は、第１実施形態に係るバンプ形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図３３は、第１実施形態に係る個片化工程を説明するための模式的な平面図である。 図３４は、図３３のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ線に沿った断面図である。 図３５は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第１変形例を示すフローチャートである。 図３６は、第１実施形態の第１変形例に係る電極形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図３７は、図３６のＸＸＸＶＩＩ－ＸＸＸＶＩＩ線に沿った断面図である。 図３８は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第２変形例を示すフローチャートである。 図３９は、第１実施形態の第２変形例に係るパッド部形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図４０は、第１実施形態の第２変形例に係る個片化工程後の弾性波素子を説明する模式的な平面図である。 図４１は、図４０のＸＬＩ－ＸＬＩ線に沿った断面図である。 図４２は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法のフローチャートである。 図４３は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明するための模式的な断面図である。 図４４は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明するための模式的な断面図である。 図４５は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明するための模式的な断面図である。 図４６は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の電極形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図４７は、第２実施形態に係る誘電膜形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図４８は、第２実施形態に係る空間部形成工程を説明するための模式的な断面図である。 図４９は、第２実施形態に係る蓋基板接合工程を説明するための模式的な断面図である。 図５０は、第２実施形態に係る評価用素子選択工程を説明するための模式的な平面図である。 図５１は、第２実施形態に係るパッド部形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図５２は、第２実施形態に係る中間測定工程を説明するための模式的な平面図である。 図５３は、第２実施形態に係る製品配線形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図５４は、第２実施形態に係るめっき形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図５５は、第２実施形態に係る支持枠形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図５６は、第２実施形態に係るカバー層形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図５７は、図５６のＬＶＩＩ－ＬＶＩＩ線に沿った断面図である。 図５８は、第２実施形態に係るバンプ電極形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図５９は、図５８のＬＩＸ－ＬＩＸ線に沿った断面図である。 図６０は、第２実施形態に係る個片化工程を説明するための模式的な平面図である。 図６１は、図６０からカバー層を取り除いた平面図である。 図６２は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第１変形例を示すフローチャートである。 図６３は、第２実施形態の第１変形例に係る電極形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図６４は、図６３のＬＸＩＶ－ＬＸＩＶ線に沿った断面図である。 図６５は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第２変形例を示すフローチャートである。 図６６は、第２実施形態の第２変形例に係るパッド部形成工程を説明するための模式的な平面図である。 図６７は、第２実施形態の第２変形例に係る個片化工程後の弾性波素子を説明する模式的な平面図である。 図６８は、図６７からカバー層を取り除いた平面図である。 図６９は、図６７のＬＸＩＸ－ＬＸＩＸ線に沿った断面図である。
　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
　（第１実施形態）
　図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。
　第１実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。
　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１主面２ａと、第２主面２ｂとを有する。第１主面２ａ上に、電極指３及び電極指４が設けられている。
　ここで電極指３が「第１電極指」の一例であり、電極指４が「第２電極指」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極指３は、第１のバスバー電極５に接続されている複数の「第１電極指」である。複数の電極指４は、第２のバスバー電極６に接続されている複数の「第２電極指」である。複数の電極指３及び複数の電極指４は、互いに間挿し合っている。これにより、電極指３と、電極指４と、第１のバスバー電極５と、第２のバスバー電極６と、を備えるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成される。
　電極指３及び電極指４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とが対向している。電極指３、４の長さ方向及び電極指３、４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（又は第１方向）とし、電極指３、電極指４の長さ方向をＹ方向（又は第２方向）とし、電極指３、電極指４の直交する方向をＸ方向（又は第３方向）として、説明することがある。
　また、電極指３、電極指４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極指３、電極指４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６が延びている方向に電極指３、電極指４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極指３、電極指４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極指３と、他方電位に接続される電極指４とが隣り合う１対の構造が、上記電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。
　ここで電極指３と電極指４とが隣り合うとは、電極指３と電極指４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極指３と電極指４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極指３と電極指４とが隣り合う場合、電極指３と電極指４との間には、他の電極指３、電極指４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対、２．５対等であってもよい。
　電極指３と電極指４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の幅寸法の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。
　さらに、電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３、電極指４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３、電極指４の中心間距離は、１．５対以上の電極指３、電極指４のうち隣り合う電極指３、電極指４それぞれの中心間距離の平均値を指す。
　また、電極指３、電極指４の幅、すなわち電極指３、電極指４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の寸法（幅寸法）の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２主面２ｂ側には、中間層７を介して第１基板８が積層されている。中間層７及び第１基板８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空間部（エアギャップ）９が形成されている。
　空間部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記第１基板８は、少なくとも１対の電極指３、電極指４が設けられている部分と重ならない位置において、第２主面２ｂに中間層７を介して積層されている。なお、中間層７は設けられずともよい。従って、第１基板８は、圧電層２の第２主面２ｂに直接又は間接に積層され得る。
　中間層７は、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、中間層７は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナ等の適宜の絶縁性材料で形成することができる。
　第１基板８は、Ｓｉにより形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、第１基板８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。第１基板８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ダイヤモンド、ガラス等の誘電体、窒化ガリウム等の半導体等を用いることができる。
　上記複数の電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金等の適宜の金属又は合金からなる。第１実施形態では、電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極指３と、複数の電極指４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー電極５と第２のバスバー電極６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極指３、電極指４のうちいずれかの隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、第１実施形態のように電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極指３、電極指４を１対の電極組とした場合に電極指３、電極指４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離は、各隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離となる。
　第１実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３、電極指４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１主面２０１ａと、第２主面２０１ｂとがあり、第１主面２０１ａと第２主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指３、４が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指３、４の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、第１実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１主面２ａと第２主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３、電極指４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域２５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３と電極指４との間に、電極指４が電極指３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域２５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１主面２ａとの間の領域である。第２領域２５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２主面２ｂとの間の領域である。
　弾性波装置１では、電極指３と電極指４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３、電極指４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極指３がホット電位に接続される電極であり、電極指４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３がグラウンド電位に、電極指４がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極又はグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下のとおりである。
　圧電層２：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ
　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極指３、電極指４からなる電極の対数：２１対
　電極指３と電極指４との間の中心間距離（ピッチ）：３μｍ
　電極指３、電極指４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３
　中間層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜
　第１基板８：Ｓｉ
　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極指３と電極指４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極指３と電極指４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極指３、電極指４の長さ方向に沿う寸法である。ここで、励振領域Ｃとは、「交差領域」の一例である。
　第１実施形態では、電極指３、電極指４からなる電極対の中心間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３と電極指４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極指３と電極指４との電極の中心間距離をｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層２の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。
　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層２の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１０１では、圧電層２の第１主面２ａ上において、電極指３と電極指４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極指３、電極指４において、いずれかの隣り合う電極指３、電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３、電極指４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。
　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極指３、電極指４に着目した場合、この１対の電極指３、電極指４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極指３と電極指４とを、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに、電極指４と重なり合っている電極指３の領域、電極指３と重なり合っている電極指４の領域及び電極指３と電極指４とが重なり合っている電極指３と電極指４との間の領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極指３及び電極指４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極指３、電極指４が設けられている場合、励振領域Ｃの面積の合計に対する全励振領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法等を調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）又は式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。図１２において、空間部９の外周縁を破線で示す。本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。この場合、図１２に示すように、弾性波装置３０１は、反射器３１０、３１１を有する。反射器３１０、３１１は、圧電層２の電極指３、４の弾性波伝搬方向両側に設けられる。弾性波装置３０１では、空間部９上の電極指３、４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。このとき、反射器３１０、３１１が両側に設けられているため、板波としてのラム波による共振特性を得ることができる。
　以上説明したように、弾性波装置１、１０１では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置１、１０１では、第１電極指３及び第２電極指４は隣り合う電極同士であり、圧電層２の厚みをｄ、第１電極指３及び第２電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。これにより、弾性波装置が小型化しても、Ｑ値を高めることができる。
　弾性波装置１、１０１では、圧電層２がニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムで形成されている。圧電層２の第１主面２ａ又は第２主面２ｂには、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極指３及び第２電極指４があり、第１電極指３及び第２電極指４の上を保護膜で覆うことが望ましい。
　以下、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法について、図面を用いて説明する。以下の説明においては、Ｚ方向について一方の方向を「上」として説明することがある。
　第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、マザー基板に、複数の弾性波素子を形成し、複数の弾性波素子のうち一部を製品として個別に分け、チップ単位で弾性波装置を製造する製造方法である。第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、接合工程と、電極形成工程と、第１周波数調整工程と、評価用素子選択工程と、パッド部形成工程と、評価用素子の貫通孔形成工程と、評価用素子の空間部形成工程と、中間測定工程と、第２周波数調整工程と、製品用配線形成工程と、他の弾性波素子の貫通孔形成工程と、他の弾性波素子の空間部形成工程と、バンプ形成工程と、個片化工程と、選別工程とを含む。
　図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法のフローチャートである。図１３に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、以下の手順で行われる。圧電層２に第１基板８を接合し（ステップＳ１０１）、機能電極３０等の電極を形成し（ステップＳ１０２）、誘電膜１９を形成して（ステップＳ１０３）、周波数の調整がされる（ステップＳ１０４）。そして、複数の弾性波素子から評価用素子１０Ｔを選択し（ステップＳ１０５）、評価用素子１０Ｔに、パッド部１１（ステップＳ１０６）、貫通孔２Ｈ（ステップＳ１０７）及び空間部９１（ステップＳ１０８）を順番に形成し、中間測定を行う（ステップＳ１０９）。中間測定の結果、周波数特性が適正でないと判断された場合（ステップＳ１１０：ＮＯ）、周波数を調整して（ステップＳ１１１）、他の弾性波素子１０から評価用素子を選択して（ステップＳ１０５）、加工と中間測定とが行われる（Ｓ２０６～Ｓ１０９）。この評価用素子の選択と加工とは、中間測定において所望の周波数特性が得られるまで繰り返される。中間測定の結果、周波数特性が適正と判断された場合（ステップＳ１１０：ＹＥＳ）、製品用配線１２を形成し（ステップＳ１１２）、他の弾性波素子１０に貫通孔２Ｈ（ステップＳ１１３）及び空間部９１（ステップＳ１１４）を順番に形成する。そして、バンプ３５を形成した（ステップＳ１１５）後に弾性波素子を個片化して（ステップＳ１１６）、他の弾性波素子１０を選別する（ステップＳ１１７）ことで、第１実施形態に係る弾性波装置が製造される。
　図１４から図１７は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明するための模式的な断面図である。図１４から図１７に示すように、接合工程は、圧電層２と第１基板８とを中間層７を介して接合する工程である（ステップＳ１０１）。第１実施形態では、まず、図１４に示すように、圧電層２の第２主面２ｂに、レジストパターンニングにより、犠牲層７Ｓを成膜し、次に、図１５に示すように、圧電層２の第２主面２ｂと、犠牲層７Ｓとを覆うように、中間層７となる第１部分７Ａを成膜する。ここで、第１部分７Ａは、犠牲層７Ｓの影響による凹凸がなくなるように、表面が平坦化される。次に、図１６に示すように、第１基板８に、中間層７となる第２部分７Ｂを成膜し、第１部分７Ａと第２部分７Ｂとを貼り合わせて、圧電層２（圧電基板）を第１基板８に接合させる。貼り合わせ後、図１７に示すように、圧電層２の第２主面２ｂと反対側の主面を研削して、圧電層２を薄くする。これにより、圧電層２の第１主面２ａが形成される。以下、複数の弾性波素子が形成される、圧電層２、中間層７及び第１基板８の積層体を「マザー基板」として説明することがある。
　図１８は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の電極形成工程を説明するための模式的な断面図である。図１８に示すように、電極形成工程は、少なくとも機能電極３０を複数形成する工程である（ステップＳ１０２）。電極形成工程では、圧電層２の第１主面２ａに、複数の機能電極３０及び配線１４をリフトオフによりパターン形成する。ここで、機能電極３０は、図２で示した電極指３、４及びバスバー電極５、６を有するＩＤＴ電極である。第１実施形態では、機能電極３０は、Ｚ方向に平面視して少なくとも一部が犠牲層７Ｓと重なるように設けられる。配線１４は、機能電極３０に電気的に接続される配線であって、金又は金合金と、他の金属、例えば、チタンとの金属積層である。
　図１９は、第１実施形態に係る誘電膜形成工程を説明するための模式的な断面図である。図１９に示すように、誘電膜形成工程は、誘電膜１９を形成する工程である（ステップＳ１０３）。誘電膜１９は、例えば酸化シリコンである。誘電膜形成工程では、Ｚ方向に平面視して、機能電極３０の周りを、レジストでマスクしてから、誘電膜１９を形成する。これにより、機能電極３０が誘電膜１９で覆われる。これにより、周波数温度特性を良化できる。
　誘電膜形成工程後、第１周波数調整工程が行われる。第１周波数調整工程は、誘電膜１９を加工して周波数特性を調整する工程である（ステップＳ１０４）。誘電膜１９の加工は、Ａｒイオンエッチングにより行われる。これにより、良品率を向上できる。
　図２０は、第１実施形態に係る評価用素子選択工程を説明するための模式的な平面図である。評価用素子選択工程は、マザー基板に形成された複数の弾性波素子の中からチップ単位で評価用素子１０Ｔを選択する工程である（ステップＳ１０５）。ここで、評価用素子１０Ｔとは、後述する中間測定工程で用いられる弾性波素子である。評価用素子選択工程では、図２０に示すように、エッチング又はパターン形成により評価用素子１０Ｔの圧電層２に識別マークＭが付される。これにより、後述する選別工程で、製品としない中間測定済みの評価用素子１０Ｔを排除できるので、良品率を向上できる。
　図２１は、第１実施形態に係るパッド部形成工程を説明するための模式的な平面図である。図２１に示すように、パッド部形成工程は、評価用素子１０Ｔにパッド部１１を形成する工程である（ステップＳ１０６）。ここで、パッド部１１は、後述する中間測定において、測定電極となる電極パッド部である。パッド部１１は、パターン形成により、評価用素子１０Ｔの機能電極３０と電気的に接続されるように形成される。パッド部１１は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂｅ及びＷからなる群から少なくとも１つ選ばれた材料を含む。これにより、中間測定工程における接触抵抗を低減できる。パッド部１１は、Ｔｉを含む密着層に積層され、Ｃｕの含有率が２０質量％以下であるＡｌＣｕ合金を含むことが好ましい。この場合、中間測定工程における接触抵抗をより低減でき、また、コストを低減することができる。
　図２２は、第１実施形態に係る評価用素子の貫通孔形成工程を説明するための模式的な平面図である。図２３は、図２２の線ＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿った断面図である。図２２及び図２３に示すように、評価用素子の貫通孔形成工程は、評価用素子１０Ｔに貫通孔２Ｈを形成する工程である（ステップＳ１０７）。ここで、貫通孔２Ｈは、圧電層２をＺ方向に貫通する孔である。貫通孔２Ｈは、Ｚ方向に平面視して、圧電層２の犠牲層７Ｓに重なる位置に設けられる。貫通孔形成工程では、貫通孔２Ｈは、レジストをパターニングして、圧電層２をドライエッチングすることによって設けられる。この場合、レジストは、貫通孔２Ｈを形成した後に除去される。
　図２４は、第１実施形態に係る評価用素子の空間部形成工程を説明するための模式的な平面図である。図２５は、図２４の線ＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿った断面図である。図２４及び図２５に示すように、評価用素子の空間部形成工程は、評価用素子１０Ｔに空間部９１を形成する工程である（ステップＳ１０８）。空間部形成工程では、貫通孔２Ｈの内壁をレジストで保護した後に、エッチング液を貫通孔２Ｈから注入し、犠牲層７Ｓを溶解する。貫通孔２Ｈの内壁のレジストは、犠牲層７Ｓの溶解後に除去される。これにより、犠牲層７Ｓのあった空間が空間部９１となり、評価用素子１０Ｔの中間測定が可能となる。
　図２６は、第１実施形態に係る中間測定工程を説明するための模式的な平面図である。中間測定工程は、評価用素子１０Ｔのパッド部１１に測定器を接続し、周波数特性を確認する工程である（ステップＳ１０９）。中間測定後、図２６に示すように、パッド部１１に測定跡１１Ｍがつく。第１実施形態では、これにより、評価用素子１０Ｔの周波数特性の再測定が不可能となる。
　中間測定の結果、周波数特性が適正でないと判断される場合（ステップＳ１１０：ＮＯ）は、第２周波数調整工程が行われる。第２周波数調整工程は、第１周波数調整工程と同様に、誘電膜１９の加工によって周波数特性の調整を行う工程である（ステップＳ１１１）。第２周波数調整工程後、再び評価用素子選択工程を行って他の評価用素子を選択して（ステップＳ１０５）、上記で説明したように、パッド部１１、貫通孔２Ｈ及び空間部９１を形成して（ステップＳ１０６～Ｓ１０８）、再び中間測定が行われる（ステップＳ１０９）。このように、第２周波数調整工程と中間測定工程とが、所望の周波数特性が得られるまで繰り返される。これにより、所望の周波数特性を有する弾性波素子１０が得られる。
　中間測定の結果、周波数特性が適正と判断される場合（ステップＳ１１０：ＹＥＳ）は、以下説明する工程により、他の弾性波素子１０が弾性波装置として製造される。ここで、他の弾性波素子１０は、複数の弾性波素子のうち、評価用素子１０Ｔとして選択されなかった弾性波素子を指す。すなわち、他の弾性波素子１０は、後述する選別工程で排除されることなく製品となる弾性波素子を指す。
　図２７は、第１実施形態に係る製品用配線形成工程を説明するための模式的な平面図である。図２７に示すように、製品用配線形成工程は、複数の弾性波素子に製品用配線１２を形成する工程である（ステップＳ１１２）。製品用配線１２は、機能電極３０に接続される配線である。第１実施形態では、製品用配線１２は、Ａｌ又はＡｌ合金の層である。評価用素子１０Ｔにおいて、製品用配線１２は、パッド部１１に積層される。なお、製品用配線１２の材料は、異なる材料を積層した積層体、例えば、Ａｌ又はＡｌ合金の層と、Ａｌ以外の材料の層とを有する積層体であってもよい。
　図２８は、第１実施形態に係る他の弾性波素子の貫通孔形成工程を説明するための模式的な平面図である。図２９は、図２８のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿った断面図である。図２７に示すように、他の弾性波素子の貫通孔形成工程とは、他の弾性波素子１０の圧電層２に貫通孔２Ｈを形成する工程である（ステップＳ１１３）。評価用素子の貫通孔形成工程と同様に、他の弾性波素子１０の貫通孔２Ｈは、レジストをパターニングして、圧電層２をドライエッチングすることによって設けられ、レジストは、貫通孔２Ｈを形成した後に除去される。
　図３０は、第１実施形態に係る他の弾性波素子の空間部形成工程を説明するための模式的な平面図である。図３１は、図３０のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿った断面図である。図３０及び図３１に示すように、他の弾性波素子の空間部形成工程は、他の弾性波素子１０に空間部９１を形成する工程である（ステップＳ１１４）。評価用素子の空間部形成工程と同様に、エッチング液を他の弾性波素子の貫通孔２Ｈから注入し、他の弾性波素子１０の犠牲層７Ｓを溶解する。これにより、他の弾性波素子１０においても、犠牲層７Ｓのあった空間が空間部９１となる。
　図３２は、第１実施形態に係るバンプ形成工程を説明するための模式的な平面図である。図３２に示すように、バンプ形成工程は、バンプ３５を形成する工程である（ステップＳ１１５）。バンプ３５は、弾性波素子１０の引き出し電極である。バンプ３５は、複数の弾性波素子の製品用配線１２の上に形成される。すなわち、バンプ３５は、評価用素子１０Ｔにも設けられる。これにより、弾性波素子の不具合を抑制し、良品率を向上できる。なお、評価用素子１０Ｔに設けられるバンプ３５は、以降の工程に耐えうる程度の強度があれば十分である。
　図３３は、第１実施形態に係る個片化工程を説明するための模式的な平面図である。図３４は、図３３のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ線に沿った断面図である。図３３及び図３４に示すように、個片化工程は、マザー基板を分割し、チップ単位で弾性波装置を製造する工程である（ステップＳ１１６）。個片化工程では、マザー基板を格子状にパターニングして、複数の弾性波素子のチップ単位の境界部分を除去することで、弾性波素子１０及び評価用素子１０Ｔがチップ単位に個別に分けられる。
　個片化工程後、選別工程が行われる。選別工程は、個片化された複数の弾性波素子から評価用素子１０Ｔの他の弾性波素子１０を選別する工程である（ステップＳ１１７）。選別工程では、評価用素子１０Ｔが排除され、他の弾性波素子１０が、第１実施形態に係る弾性波装置となる。
　以上の工程により、第１実施形態に係る弾性波装置を製造できる。以上説明したように、弾性波装置の製造方法は、評価用素子選択工程まで、評価用素子１０Ｔと、他の弾性波素子１０とには、製造プロセス上の差異がないので、一度の中間測定で所望の周波数特性が得られなくても、周波数調整の度に新たに評価用素子１０Ｔを形成することができる。したがって、予め専用の評価用素子をマザー基板に配置する必要がないので、中間測定に使われることなく、選別工程で排除される評価用素子が発生することを抑制できる。これにより、１枚のマザー基板から製造できる弾性波装置のチップの数を増やすことができる。第１実施形態では、他の弾性波素子の空間部形成工程の前に、中間測定工程、第２周波数調整工程及び製品用配線形成工程が行われるので、中間測定工程、第２周波数調整工程及び製品用配線形成工程によって他の弾性波素子１０が破損することを抑制できる。
　以上、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明したが、あくまで一例であり、これに限られない。以下、図面を用いて第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の変形例を説明する。
　図３５は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第１変形例を示すフローチャートである。第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、図３５に示す手順で行われるものであってもよい。すなわち、接合工程（ステップＳ１０１）後に、評価用素子を選択して（ステップＳ１０５）、電極と同時にパッド部１１を同時に形成してもよい（ステップＳ１２０）。
　図３６は、第１実施形態の第１変形例に係る電極形成工程を説明するための模式的な平面図である。図３７は、図３６のＸＸＸＶＩＩ－ＸＸＸＶＩＩ線に沿った断面図である。図３６及び図３７に示すように、第１変形例に係る電極形成工程では、機能電極３０及び配線１４と同時に、パッド部１１が形成される（ステップＳ１２０）。これにより、工程が共通化されるので、低コストで製造できる。
　図３８は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第２変形例を示すフローチャートである。第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、図３８に示す手順で行われるものであってもよい。すなわち、パッド部形成工程において、評価用素子１０Ｔだけでなく、他の弾性波素子１０にもパッド部１１を形成してもよい（ステップＳ１３０）。
　図３９は、第１実施形態の第２変形例に係るパッド部形成工程を説明するための模式的な平面図である。図４０は、第１実施形態の第２変形例に係る個片化工程後の弾性波素子を説明する模式的な平面図である。図４１は、図４０のＸＬＩ－ＸＬＩ線に沿った断面図である。図３９に示すように、第２変形例に係るパッド部形成工程では、評価用素子１０Ｔだけでなく、他の弾性波素子１０にもパッド部１１が形成される（ステップＳ１３０）。したがって、図４０及び図４１に示すように、製品となる他の弾性波素子１０においても、パッド部１１の上に製品用配線１２が形成される。これにより、工程が共通化されるので、低コストで製造できる。
　以上、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の変形例について説明したが、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、以上で説明したものに限られない。例えば、第１周波数調整工程は、評価用素子の貫通孔形成工程の直前でもよく、中間測定工程の直前でもよい。また、評価用素子１０Ｔの識別マークＭは、機能電極３０又はパッド部１１と同時に形成してもよい。
　以上説明したように、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、マザー基板に、複数の弾性波素子を形成し、複数の弾性波素子のうち一部を製品として個別に分けチップ単位で弾性波装置を製造する弾性波装置の製造方法であって、少なくとも複数の弾性波素子の機能電極３０を形成する電極形成工程と、電極形成工程の後、複数の弾性波素子の周波数特性を調整する第１周波数調整工程と、複数の弾性波素子の中からチップ単位で選択された弾性波素子である、評価用素子１０Ｔにパッド部１１を形成するパッド部形成工程と、パッド部１１を用いて、評価用素子１０Ｔの周波数特性を測定する中間測定工程と、を含み、評価用素子１０Ｔとして選ばれた弾性波素子と、他の弾性波素子１０とには、製造プロセス上の差異がない。これにより、製造される評価用素子の数を少なくすることができるので、１枚のマザー基板から製造できる弾性波装置のチップの数を増やすことができる。
　望ましい態様として、パッド部形成工程の直前の評価用素子１０Ｔと、他の弾性波素子１０とには、製造プロセス上の差異がない。これにより、評価用素子１０Ｔと他の弾性波素子１０の製造工程が共通化されるので、低コストで製造できる。
　さらに望ましい態様として、パッド部形成工程では、評価用素子１０Ｔのみにパッド部１１を形成し、他の弾性波素子１０にパッド部１１を形成しない。これにより、他の弾性波素子１０にパッド部１１を設けることなく、評価用素子１０Ｔを用いて中間測定工程を行うことができる。
　望ましい態様として、第１主面２ａと、第１主面２ａと反対側の第２主面２ｂとを有する圧電層２の第２主面２ｂに、圧電層２側に犠牲層７Ｓを埋め込んだ中間層７を積層し、圧電層２と第１基板８とを中間層７を介して接合する接合工程と、接合工程の後で、少なくとも機能電極３０を形成する電極形成工程と、電極形成工程の後、平面視して、評価用素子１０Ｔの犠牲層７Ｓに重なる位置の少なくとも一部分の圧電層２に貫通孔２Ｈを形成する評価用素子１０Ｔの貫通孔形成工程と、貫通孔２Ｈから評価用素子１０Ｔの犠牲層７Ｓにエッチング液を浸入させ、評価用素子１０Ｔの犠牲層７Ｓを除去して評価用素子１０Ｔの空間部９１を形成する、評価用素子１０Ｔの空間部形成工程と、をさらに含み、中間測定工程は、評価用素子１０Ｔの空間部形成工程の後に行われる。これにより、製造される弾性波装置の厚みを小さくできる。
　より望ましい態様として、評価用素子１０Ｔの貫通孔形成工程の直前の評価用素子１０Ｔと、他の弾性波素子１０とには、製造プロセス上の差異がない。これにより、評価用素子１０Ｔと他の弾性波素子１０の製造工程が共通化されるので、低コストで製造できる。
　より望ましい態様として、平面視して、他の弾性波素子１０の犠牲層７Ｓに重なる位置の圧電層２に貫通孔２Ｈを形成する他の弾性波素子１０の貫通孔形成工程と、貫通孔２Ｈから他の弾性波素子１０の犠牲層７Ｓにエッチング液を浸入させ、他の弾性波素子１０の犠牲層７Ｓを除去して他の弾性波素子１０の空間部９１を形成する他の弾性波素子１０の空間部形成工程と、をさらに含み、他の弾性波素子１０の空間部形成工程の前に、少なくとも評価用素子１０Ｔの空間部形成工程が少なくとも１回行われる。これにより、他の弾性波素子１０の空間部形成工程の前に中間測定工程を行うことができるので、他の弾性波素子１０が破損することを抑制できる。
　より望ましい態様として、中間測定工程の後、他の弾性波素子１０の周波数特性を調整する第２周波数調整工程をさらに含む。これにより、所望の周波通特性を有する弾性波装置を製造できるので、良品率を向上できる。
　さらに望ましい態様として、中間測定工程の後、他の弾性波素子１０の周波数特性を調整する第２周波数調整工程をさらに含み、第２周波数調整工程は、評価用素子１０Ｔの空間部形成工程と、他の弾性波素子１０の空間部形成工程との間に行われる。これにより、他の弾性波素子１０の破損を抑制しつつ、所望の周波通特性を有する弾性波装置を製造できるので、良品率を向上できる。
　望ましい態様として、パッド部１１は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂｅ及びＷからなる群から少なくとも１つ選ばれた材料を含む。これにより、中間測定工程における接触抵抗を低減できる。
　より望ましい態様として、パッド部１１は、ＡｌＣｕ合金を含み、ＡｌＣｕ合金のＣｕの含有率は、２０質量％以下であり、ＡｌＣｕ合金は、Ｔｉを含む密着層に積層されている。これにより、中間測定工程における接触抵抗をより低減でき、また、コストを低減することができる。
　望ましい態様として、パッド部形成工程は、電極形成工程の後に行われる。これにより、評価用素子１０Ｔと他の弾性波素子１０の製造工程が共通化されるので、低コストで製造できる。
　望ましい態様として、パッド部形成工程は、電極形成工程と同時に行われる。これにより、機能電極３０とパッド部１１との形成工程が共通化されるので、低コストで製造できる。
　望ましい態様として、機能電極３０を覆う誘電膜１９を形成する誘電膜形成工程をさらに含み、第１周波数調整工程又は第２周波数調整工程では、誘電膜１９の厚みを変える。これにより、低コストで週数調整ができる。
　より望ましい態様として、誘電膜１９は、酸化シリコンである。これにより、周波数温度特性を良化できる。
　望ましい態様として、評価用素子１０Ｔには、識別マークＭが付されている。これにより、製品としない中間測定済みの評価用素子１０Ｔが弾性波装置の製造ロットに混入することを抑制できるので、良品率を向上できる。
　望ましい態様として、機能電極３０は、圧電層２の厚み方向である第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指３と、第２方向に直交する第３方向に１つ以上の第１電極指３のいずれかと対向し、第２方向に延びる１つ以上の第２電極指４と、を有する。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、圧電層２の厚みは、１つ以上の第１電極指３と１つ以上の第２電極指４のうち、隣り合う第１電極指３と第２電極指４との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　望ましい態様として、圧電層２が、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含む。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、圧電層２の厚みをｄ、１つ以上の第１電極指３と１つ以上の第２電極指４のうち、隣り合う第１電極指３と第２電極指４との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　より望ましい態様として、ｄ／ｐが０．２４以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　望ましい態様として、隣り合う第１電極指３と第２電極指４とが対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域Ｃであり、励振領域Ｃに対する、１つ以上の第１電極指３及び１つ以上の第２電極指４のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。この場合、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　望ましい態様として、圧電層２は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムであり、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）又は式（３）の範囲にある。この場合、比帯域を十分に広くすることができる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）又は（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
（第２実施形態）
　第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、第１基板８を圧電層２側の反対側からエッチングすることで空間部９２を形成する点で第１実施形態と異なる。第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、接合工程と、電極形成工程と、蓋基板接合工程と、第１周波数調整工程と、評価用素子選択工程と、パッド部形成工程と、中間測定工程と、第２周波数調整工程と、めっき形成工程と、支持枠形成工程と、カバー層形成工程と、バンプ形成工程と、個片化工程と、選別工程とを含む。以下、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法について、図面を用いて説明する。
　図４２は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法のフローチャートである。第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、第１基板８を圧電層２側の反対側からエッチングすることで空間部９２を形成する点で第１実施形態と異なる。図４２に示すように、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、以下の手順で行われる。圧電層２に第１基板８を接合し（ステップＳ２０１）、機能電極３０等の電極を形成し（ステップＳ２０２）、誘電膜１９を形成して（ステップＳ２０３）、空間部９２を形成して（ステップＳ２０４）、蓋基板８１を接合して（ステップＳ２０５）、周波数の調整がされる（ステップＳ２０６）。そして、複数の弾性波素子から評価用素子１０Ｔを選択し（ステップＳ２０７）、該評価用素子１０Ｔに、パッド部１１（ステップＳ２０８）を形成し、中間測定を行う（ステップＳ２０９）。中間測定の結果、周波数特性が適正でないと判断された場合（ステップＳ２１０：ＮＯ）、周波数を調整する（ステップＳ２１１）。この場合、評価用素子が再使用可能であれば（ステップＳ２１２：ＹＥＳ）、同じ評価用素子で再び中間測定を行い（ステップＳ２０９）、評価用素子が再使用可能でなければ（ステップＳ２１２：ＮＯ）、他の弾性波素子１０から評価用素子を選択して（ステップＳ２０７）、パッド部１１の形成（ステップＳ２０８）と中間測定（ステップＳ２０９）とが行われる。評価用素子の中間測定は、中間測定において所望の周波数特性が得られるまで繰り返される。中間測定の結果、周波数特性が適正と判断された場合（ステップＳ２１０：ＹＥＳ）、製品用配線１２（ステップＳ２１３）、めっき配線４３（ステップＳ２１４）、支持枠４２（ステップＳ２１５）、カバー層４１（ステップＳ２１６）及びバンプ電極５０（ステップＳ２１７）を順に形成した後に弾性波素子を個片化する（ステップＳ２１８）。そして、評価用素子１０Ｔ以外の弾性波素子１０を選別することで（ステップＳ２１９）、第２実施形態に係る弾性波装置が製造される。
　図４３から図４５は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明するための模式的な断面図である。第２実施形態に係る接合工程（ステップＳ２０１）では、まず、図４３に示すように、圧電層２の第２主面２ｂを覆うように、中間層７となる第１部分７Ａを成膜する。次に、図４４に示すように、第１基板８に、中間層７となる第２部分７Ｂを成膜し、第１部分７Ａと第２部分７Ｂとを貼り合わせて、圧電層２（圧電基板）を第１基板８に接合させる。貼り合わせ後、図１７に示すように、圧電層２の第２主面２ｂと反対側の主面を研削して、圧電層２を薄くする。これにより、圧電層２の第１主面２ａが形成される。
　図４６は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の電極形成工程を説明するための模式的な断面図である。図４６に示すように、電極形成工程では、第１実施形態と同様に、圧電層２の第１主面２ａに、複数の機能電極３０及び配線１４をリフトオフによりパターン形成する（ステップＳ２０２）。
　図４７は、第２実施形態に係る誘電膜形成工程を説明するための模式的な断面図である。図４７に示すように、誘電膜形成工程では、第１実施形態と同様に、Ｚ方向に平面視して、機能電極３０の周りを、レジストでマスクしてから、誘電膜１９を形成する（ステップＳ２０３）。これにより、機能電極３０が誘電膜１９で覆われる。
　図４８は、第２実施形態に係る空間部形成工程を説明するための模式的な断面図である。図４８に示すように、空間部形成工程は、複数の弾性波素子に空間部９２を形成する工程である（ステップＳ２０４）。第２実施形態では、中間層７及び第１基板８を、圧電層２がある側の面と反対側の面からエッチングして空間部９２を形成する。空間部９２は、Ｚ方向に平面視して、機能電極３０の少なくとも一部と重なる位置に設けられる。
　図４９は、第２実施形態に係る蓋基板接合工程を説明するための模式的な断面図である。図４９に示すように、蓋基板接合工程は、第１基板８の圧電層２と反対側に、接合層８２を介して蓋基板８１を接合する工程である（ステップＳ２０５）。蓋基板８１は、シリコン基板である。これにより、空間部９２が塞がれる。なお、蓋基板８１は、シリコン基板であることに限られず、樹脂基板であってもよい。
　蓋基板接合工程後、周波数調整工程が行われる（ステップＳ２０６）。周波数調整工程では、第１実施形態と同様に、誘電膜１９の加工が、Ａｒイオンエッチングにより行われる。
　図５０は、第２実施形態に係る評価用素子選択工程を説明するための模式的な平面図である。評価用素子選択工程では、第１実施形態と同様に、図５０に示すように、エッチング又はパターン形成により評価用素子１０Ｔの圧電層２に識別マークＭが付される（ステップＳ２０７）。
　図５１は、第２実施形態に係るパッド部形成工程を説明するための模式的な平面図である。図５１に示すように、パッド部形成工程では、第１実施形態と同様に、パッド部１１は、パターン形成により、評価用素子１０Ｔの圧電層２に形成される（ステップＳ２０８）。
　図５２は、第２実施形態に係る中間測定工程を説明するための模式的な平面図である。図５２に示すように、中間測定工程では、第１実施形態と同様に、評価用素子１０Ｔのパッド部１１に測定器を接続し、周波数特性を確認する（ステップＳ２０９）。中間測定後、図５２に示すように、パッド部１１に測定跡１１Ｍがつく。これにより、評価用素子１０Ｔの周波数特性の再測定が不可能となることがある。
　中間測定の結果、周波数特性が適正でないと判断される場合（ステップＳ２１０：ＮＯ）は、第１実施形態と同様に、第２周波数調整工程が行われる（ステップＳ２１１）。第２周波数調整工程後、評価用素子１０Ｔの再使用が可能である場合（ステップＳ２１２：ＹＥＳ）は、当該評価用素子１０Ｔで再び中間測定を行い（ステップＳ２０９）、評価用素子１０Ｔの再使用が可能でない場合（ステップＳ２１２：ＮＯ）は、再び評価用素子選択工程を行って他の評価用素子を選択し（ステップＳ２０７）、パッド部１１を形成して（ステップＳ２０８）、再び中間測定が行われる（ステップＳ２０９）。このように、第２周波数調整工程と中間測定工程とが、所望の周波数特性が得られるまで繰り返される。
　図５３は、第２実施形態に係る製品配線形成工程を説明するための模式的な平面図である。中間測定の結果、周波数特性が適正と判断される場合（ステップＳ２１０：ＹＥＳ）は、製品用配線形成工程が行われる。図５３に示すように、製品配線形成工程では、第１実施形態と同様に、製品用配線１２は、パターン形成により、評価用素子１０Ｔを含む複数の弾性波素子に形成される（ステップＳ２１３）。評価用素子１０Ｔにおいて、製品用配線１２は、パッド部１１に積層される。
　図５４は、第２実施形態に係るめっき形成工程を説明するための模式的な平面図である。図５４に示すように、めっき形成工程は、複数の弾性波装置にめっき配線４３を形成する工程である（ステップＳ２１４）。めっき配線４３は、製品用配線１２の上に積層される層である。めっき配線４３は、Ａｌ又はＡｌ合金からなる。めっき配線４３は、１つの弾性波素子において、枠状の部分と、枠状の部分と電気的に接続された、製品用配線１２の上に積層された部分とからなる。これにより、１つの弾性波素子において、めっき配線４３の電位が同じとなるので、以降の工程で周波数調整が不可能となる。
　図５５は、第２実施形態に係る支持枠形成工程を説明するための模式的な平面図である。図５５に示すように、支持枠形成工程は、複数の弾性波装置に支持枠４２を形成する工程である（ステップＳ２１５）。支持枠４２は、めっき配線４３の上にめっき形成により積層される。支持枠４２は、ポリイミドなどの感光性樹脂からなる。
　図５６は、第２実施形態に係るカバー層形成工程を説明するための模式的な平面図である。図５７は、図５６のＬＶＩＩ－ＬＶＩＩ線に沿った断面図である。図５６及び図５７に示すように、カバー層形成工程は、複数の弾性波装置にカバー層４１を形成する工程である（ステップＳ２１６）。カバー層４１は、シリコン基板である。カバー層４１は、Ｚ方向に平面視して、マザー基板に重なるように設けられる。また、図５６に示すように、カバー層４１には、貫通ビア４１Ｈが、Ｚ方向に平面視して、製品用配線１２と重なる位置に設けられる。貫通ビア４１Ｈは、後述するバンプ電極５０を設けるための孔である。図５７に示すように、貫通ビア４１Ｈは、ドライエッチングや反応性イオンエッチングにより、カバー層４１及び支持枠４２を貫通するように設けられる。
　図５８は、第２実施形態に係るバンプ電極形成工程を説明するための模式的な平面図である。図５９は、図５８のＬＩＸ－ＬＩＸ線に沿った断面図である。図５８及び図５９に示すように、バンプ電極形成工程は、貫通ビア４１Ｈにバンプ電極５０を形成する工程である（ステップＳ２１７）。ここで、バンプ電極５０は、弾性波装置の引き出し電極である。第２実施形態において、バンプ電極５０は、端子電極５７と、ＢＧＡバンプ５８とからなる。端子電極５７は、Ｔｉ層の上に積層されたＣｕ層を介して貫通ビア４１Ｈに設けられる。端子電極５７は、Ｃｕ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順でめっきにより積層することで形成される。ＢＧＡバンプ５８は、端子電極５７の圧電層２と反対側に設けられる弾性波素子の端子である。ＢＧＡバンプ５８は、端子電極５７に積層されることで設けられる。これにより、バンプ電極５０と製品用配線１２とが電気的に接続可能となる。
　図６０は、第２実施形態に係る個片化工程を説明するための模式的な平面図である。図６１は、図６０からカバー層を取り除いた平面図である。図６０及び図６１に示すように、個片化工程は、マザー基板を分割し、チップ単位で弾性波装置を製造する工程である（ステップＳ２１８）。個片化工程では、第１実施形態と同様に、マザー基板を格子状にパターニングして、複数の弾性波素子のチップ単位の境界部分を除去することで、弾性波素子１０及び評価用素子１０Ｔがチップ単位に個別に分けられる。図６１に示すように、第２実施形態では、個片化工程によって、めっき配線４３の枠状部分が同時に除去される。
　個片化工程後、選別工程が行われる。選別工程は、個片化された複数の弾性波素子から評価用素子１０Ｔの他の弾性波素子１０を選別する工程である（ステップＳ２１９）。選別工程では、評価用素子１０Ｔが排除され、他の弾性波素子１０が、第１実施形態に係る弾性波装置となる。
　以上の工程により、第２実施形態に係る弾性波装置を製造できる。第２実施形態では、めっき配線形成工程の前に中間測定工程及び第２周波数調整工程が行われる。これにより、中間測定及び中間測定後の周波数調整を適正に行うことができる。
　以上、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明したが、あくまで一例であり、これに限られない。以下、図面を用いて第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の変形例を説明する。
　図６２は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第１変形例を示すフローチャートである。第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、図６２に示す手順で行われるものであってもよい。すなわち、接合工程（ステップＳ２０１）後に、評価用素子を選択して（ステップＳ２０７）、電極と同時にパッド部１１を同時に形成してもよい（ステップＳ２２０）。
　図６３は、第２実施形態の第１変形例に係る電極形成工程を説明するための模式的な平面図である。図６４は、図６３のＬＸＩＶ－ＬＸＩＶ線に沿った断面図である。図６３及び図６４に示すように、第１変形例に係る電極形成工程では、機能電極３０及び配線１４と同時に、パッド部１１が形成される（ステップＳ２２０）。これにより、工程が共通化されるので、低コストで製造できる。
　図６５は、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第２変形例を示すフローチャートである。第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、図６５に示す手順で行われるものであってもよい。すなわち、パッド部形成工程において、評価用素子１０Ｔだけでなく、他の弾性波素子１０にもパッド部１１を形成してもよい（ステップＳ２３０）。
　図６６は、第２実施形態の第２変形例に係るパッド部形成工程を説明するための模式的な平面図である。図６７は、第２実施形態の第２変形例に係る個片化工程後の弾性波素子を説明する模式的な平面図である。図６８は、図６７からカバー層を取り除いた平面図である。図６９は、図６７のＬＸＩＸ－ＬＸＩＸ線に沿った断面図である。図６６に示すように、第２変形例に係るパッド部形成工程では、評価用素子１０Ｔだけでなく、他の弾性波素子１０にもパッド部１１が形成される（ステップＳ２３０）。したがって、図６８に示すように、製品となる他の弾性波素子１０において、パッド部１１の上に製品用配線１２が形成される。これにより、工程が共通化されるので、低コストで製造できる。
　以上、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法の変形例について説明したが、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、以上で説明したものに限られない。例えば、第１周波数調整工程は、評価用素子の貫通孔形成工程の直前でもよく、中間測定工程の直前でもよい。また、評価用素子１０Ｔの識別マークＭは、機能電極３０又はパッド部１１と同時に形成してもよい。
　以上説明したように、第２実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、第１主面２ａと、第１主面２ａと反対側の第２主面２ｂとを有する圧電層２の第２主面２ｂに、中間層７を積層し、圧電層２と第１基板８とを中間層７を挟んで接合する接合工程と、接合工程の後で、少なくとも機能電極３０を形成する電極形成工程と、電極形成工程の後、第１基板８の圧電層２側の面と反対側の面から第１基板８の一部を除去して空間部９２を形成する空間部形成工程と、をさらに含み、中間測定工程は、空間部形成工程の後に行われる。これにより、貫通孔２Ｈや犠牲層７Ｓを設けることなく、空間部９２を形成できる。
　望ましい態様として、空間部９２を塞ぐように、第１基板８に蓋基板８１を接合する蓋基板接合工程をさらに含み、蓋基板接合工程の直前の評価用素子１０Ｔと、他の弾性波素子１０とには、製造プロセス上の差異がない。これにより、評価用素子１０Ｔと他の弾性波素子１０の製造工程が共通化されるので、低コストで製造できる。
　望ましい態様として、中間測定工程の後、他の弾性波素子１０の周波数特性を調整する第２周波数調整工程と、複数の弾性波素子の中からチップ単位で、評価用素子１０Ｔ以外の他の弾性波素子１０を選び、他の弾性波素子１０に製品用配線１２を形成し、製品用配線１２にめっき配線４３をめっき形成するめっき配線形成工程と、をさらに含み、第２周波数調整工程は、蓋基板接合工程と、めっき配線形成工程との間に行われる。これにより、めっき配線形成工程の前に中間測定工程及び第２周波数調整工程が行うことができるので、中間測定及び中間測定後の周波数調整を適正に行うことができる。
　なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
１、１０１、３０１　弾性波装置
２　圧電層
２ａ　第１主面
２ｂ　第２主面
２Ｈ　貫通孔
３　電極指（第１電極指）
４　電極指（第２電極指）
５　第１のバスバー電極
６　第２のバスバー電極
７　中間層
７ａ　開口部
７Ａ　第１部分
７Ｂ　第２部分
７Ｓ　犠牲層
８　第１基板
８ａ　開口部
９、９１、９２　空間部
１０　弾性波素子
１０Ｔ　評価用素子
１１　パッド部
１１Ｍ　測定跡
１２　製品用配線
１４　配線
１９　誘電膜
３０　機能電極
３５　バンプ
４１　カバー層
４１Ｈ　貫通ビア
４２　支持枠
４３　めっき配線
５０　バンプ電極
５７　端子電極
５８　ＢＧＡバンプ
８１　蓋基板
８２　接合層
２０１　圧電層
２０１ａ　第１主面
２０１ｂ　第２主面
２５１　第１領域
２５２　第２領域
３１０、３１１　反射器
Ｃ　励振領域
Ｍ　識別マーク
ＶＰ１　仮想平面

Claims (26)

  1. 　マザー基板に、複数の弾性波素子を形成し、前記複数の弾性波素子のうち一部を製品として個別に分けチップ単位で弾性波装置を製造する、弾性波装置の製造方法であって、
    　少なくとも前記複数の弾性波素子の機能電極を形成する電極形成工程と、
    　前記電極形成工程の後、前記複数の弾性波素子の周波数特性を調整する第１周波数調整工程と、
    　前記複数の弾性波素子の中から前記チップ単位で選択された弾性波素子である評価用素子にパッド部を形成するパッド部形成工程と、
    　前記パッド部を用いて、前記評価用素子の周波数特性を測定する中間測定工程と、
    　を含み、
    　前記評価用素子として選ばれた弾性波素子と、他の弾性波素子とには、製造プロセス上の差異がない、弾性波装置の製造方法。
  2. 　前記パッド部形成工程の直前の前記評価用素子と、他の弾性波素子とには、製造プロセス上の差異がない、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
  3. 　前記パッド部形成工程では、前記評価用素子に前記パッド部を形成し、前記他の弾性波素子に前記パッド部を形成しない、請求項１又は２に記載の弾性波装置の製造方法。
  4. 　第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有する圧電層の前記第２主面に、前記圧電層側に犠牲層を埋め込んだ中間層を積層し、前記圧電層と第１基板とを中間層を介して接合する接合工程と、
    　前記接合工程の後で、少なくとも電極を形成する前記電極形成工程と、
    　前記電極形成工程の後、平面視して、前記評価用素子の犠牲層に重なる位置の少なくとも一部分の前記圧電層に貫通孔を形成する前記評価用素子の貫通孔形成工程と、
    　前記貫通孔から前記評価用素子の犠牲層にエッチング液を浸入させ、前記評価用素子の前記犠牲層を除去して前記評価用素子の空間部を形成する、前記評価用素子の空間部形成工程と、
    　をさらに含み、前記中間測定工程は、前記評価用素子の空間部形成工程の後に行われる、請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  5. 　前記評価用素子の貫通孔形成工程の直前の前記評価用素子と、他の弾性波素子とには、製造プロセス上の差異がない、請求項４に記載の弾性波装置の製造方法。
  6. 　平面視して、前記他の弾性波素子の犠牲層に重なる位置の圧電層に貫通孔を形成する前記他の弾性波素子の貫通孔形成工程と、
    　前記貫通孔から前記他の弾性波素子の犠牲層にエッチング液を浸入させ、前記他の弾性波素子の犠牲層を除去して前記他の弾性波素子の空間部を形成する前記他の弾性波素子の空間部形成工程と、
    　をさらに含み、
    　前記他の弾性波素子の空間部形成工程の前に、少なくとも前記評価用素子の空間部形成工程が少なくとも１回行われる、請求項４又は５に記載の弾性波装置の製造方法。
  7. 　前記中間測定工程の後、前記他の弾性波素子の周波数特性を調整する第２周波数調整工程をさらに含む、請求項４から６のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  8. 　前記中間測定工程の後、前記他の弾性波素子の周波数特性を調整する第２周波数調整工程をさらに含み、
    　前記第２周波数調整工程は、前記評価用素子の空間部形成工程と、前記他の弾性波素子の空間部形成工程との間に行われる、
    　請求項６に記載の弾性波装置の製造方法。
  9. 　第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有する圧電層の前記第２主面に、中間層を積層し、前記圧電層と第１基板とを中間層を挟んで接合する接合工程と、
    　前記接合工程の後で、少なくとも前記機能電極を形成する前記電極形成工程と、
    　前記電極形成工程の後、前記第１基板の前記圧電層側の面と反対側の面から前記第１基板の一部を除去して空間部を形成する空間部形成工程と、
    　をさらに含み、
    　前記中間測定工程は、前記空間部形成工程の後に行われる、請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  10. 　前記空間部を塞ぐように、前記第１基板に蓋基板を接合する蓋基板接合工程をさらに含み、
    　前記蓋基板接合工程の直前の前記評価用素子と、他の弾性波素子とには、製造プロセス上の差異がない、請求項９に記載の弾性波装置の製造方法。
  11. 　前記中間測定工程の後、前記他の弾性波素子の周波数特性を調整する第２周波数調整工程と、
    　前記他の弾性波素子に製品用配線を形成し、前記製品用配線にめっき配線をめっき形成するめっき配線形成工程と、
    　をさらに含み、
    　前記第２周波数調整工程は、前記蓋基板接合工程と、前記めっき配線形成工程との間に行われる、請求項１０に記載の弾性波装置の製造方法。
  12. 　前記パッド部は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂｅ及びＷからなる群から少なくとも１つ選ばれた材料を含む、請求項１から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  13. 　前記パッド部は、ＡｌＣｕ合金を含み、
    　前記ＡｌＣｕ合金のＣｕの含有率は、２０質量％以下であり、
    　前記ＡｌＣｕ合金は、Ｔｉを含む密着層に積層されている、請求項１２に記載の弾性波装置の製造方法。
  14. 　前記パッド部形成工程は、前記電極形成工程の後に行われる、請求項１から１３のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  15. 　前記パッド部形成工程は、前記電極形成工程と同時に行われる、請求項１から１３のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  16. 　前記機能電極を覆う誘電膜を形成する誘電膜形成工程をさらに含み、
    　前記第１周波数調整工程又は前記第２周波数調整工程では、前記誘電膜の厚みを変える、請求項７、８又は１１に記載の弾性波装置の製造方法。
  17. 　前記誘電膜は、酸化シリコンである、請求項１６に記載の弾性波装置の製造方法。
  18. 　前記評価用素子には、識別マークが付されている、請求項１から１７のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  19. 　前記機能電極は、前記圧電層の厚み方向である第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指と、前記第２方向に直交する第３方向に前記１つ以上の第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる１つ以上の第２電極指と、を有する、請求項４又は９に記載の弾性波装置の製造方法。
  20. 　前記圧電層の厚みは、前記１つ以上の第１電極指と前記１つ以上の第２電極指のうち、隣り合う第１電極指と第２電極指との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である、請求項１９に記載の弾性波装置の製造方法。
  21. 　前記圧電層が、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含む、請求項１９又は２０に記載の弾性波装置の製造方法。
  22. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項１９から２１のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  23. 　前記圧電層の厚みをｄ、前記１つ以上の第１電極指と前記１つ以上の第２電極指のうち、隣り合う第１電極指と第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である、請求項１９から請求項２２のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  24. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項２３に記載の弾性波装置の製造方法。
  25. 　隣り合う前記第１電極指と前記第２電極指とが対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域であり、前記励振領域に対する、前記１つ以上の第１電極指及び前記１つ以上の第２電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１９から請求項２４のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  26. 　前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムであり、前記ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）又は式（３）の範囲にある、請求項１９から請求項２５のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）又は（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
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