WO2023054675A1 - 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 - Google Patents

弾性波装置および弾性波装置の製造方法 Download PDF

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WO2023054675A1
WO2023054675A1 PCT/JP2022/036705 JP2022036705W WO2023054675A1 WO 2023054675 A1 WO2023054675 A1 WO 2023054675A1 JP 2022036705 W JP2022036705 W JP 2022036705W WO 2023054675 A1 WO2023054675 A1 WO 2023054675A1
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WO
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electrode
wave device
elastic wave
piezoelectric layer
bonding layer
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PCT/JP2022/036705
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English (en)
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Inventor
和則 井上
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to an acoustic wave device including a piezoelectric layer (piezoelectric layer).
  • Patent Document 1 discloses an elastic wave device that uses plate waves.
  • An acoustic wave device described in Patent Document 1 includes a support, a piezoelectric substrate, and an IDT electrode.
  • the support is provided with a cavity.
  • a piezoelectric substrate is provided on the support so as to overlap the cavity.
  • the IDT electrode is provided on the piezoelectric substrate so as to overlap the cavity.
  • plate waves are excited by IDT electrodes.
  • the edge of the cavity does not include a straight portion extending parallel to the propagation direction of the Lamb waves excited by the IDT electrodes.
  • An object of the present disclosure is to provide an elastic wave device that can suppress the occurrence of ripples.
  • An elastic wave device includes: a support substrate including a support member and a bonding layer provided on the support member; a piezoelectric layer provided on the bonding layer; a functional electrode provided on the piezoelectric layer,
  • the support substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in the stacking direction of the support member, the bonding layer, and the piezoelectric layer, A void is provided in the bonding layer.
  • a method for manufacturing an elastic wave device includes: a support substrate including a support member; a bonding layer provided on the support member; a piezoelectric layer provided on the bonding layer; and a functional electrode provided on the piezoelectric layer;
  • the support substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in the lamination direction of the support member, the bonding layer, and the piezoelectric layer, and the bonding layer is provided with a void portion.
  • a method for manufacturing an elastic wave device The gap is formed by forming the bonding layer by a sputtering method.
  • an elastic wave device capable of suppressing the occurrence of ripples and a method for manufacturing the elastic wave device.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing the appearance of elastic wave devices of first and second aspects
  • FIG. FIG. 4 is a plan view showing an electrode structure on the piezoelectric layer; Sectional drawing of the part which follows the AA line in FIG. 1A.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of a conventional elastic wave device.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining waves of the elastic wave device of the present disclosure;
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a bulk wave when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode so that the potential of the second electrode is higher than that of the first electrode.
  • FIG. 4 is a diagram showing resonance characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between d/2p and the fractional bandwidth as a resonator of an acoustic wave device; The top view of another elastic wave device concerning a 1st embodiment of this indication.
  • FIG. 2 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of an elastic wave device;
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the fractional bandwidth and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious when a large number of acoustic wave resonators are configured; 4 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth;
  • FIG. 4 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0;
  • 1 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view showing an elastic wave device according to a second embodiment of the present disclosure
  • FIG. 14 is a first diagram for explaining a method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13
  • FIG. 14 is a second view for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13
  • 14 is a third diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a fourth diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a fifth view for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • 14 is a sixth view for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. FIG. 14 is a seventh diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is an eighth diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • 14 is a ninth diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. FIG. 4 is a diagram for explaining a case where a large number of ripples generated inside and outside the filter passband are superimposed on an important part of filter characteristics;
  • FIG. 24 is an enlarged view of the dotted line portion of FIG.
  • FIG. 1 is a first diagram for explaining the generation of ripples
  • FIG. 2 is a second diagram for explaining the generation of ripples
  • FIG. 14 is a schematic front cross-sectional view of a modified example of the elastic wave device of FIG. 13 taken horizontally on the surface of the piezoelectric substrate and viewed from the side where the functional electrodes are present
  • FIG. 28 is a schematic cross-sectional view taken along the dashed-dotted line connecting the opposing input/output metal bumps in FIG. 27
  • FIG. 28 is a schematic cross-sectional view taken along a two-dot chain line perpendicular to the one-dot chain line in FIG. 27;
  • Elastic wave devices include, for example, a piezoelectric layer made of lithium niobate or lithium tantalate, first electrodes facing each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer, and and a second electrode.
  • the first electrode and the second electrode are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer is d, and the distance between the centers of the first electrode and the second electrode is p.
  • d/p is 0.5 or less.
  • Lamb waves are used as plate waves. Then, resonance characteristics due to the Lamb wave can be obtained.
  • An acoustic wave device includes a piezoelectric layer made of lithium niobate or lithium tantalate, and an upper electrode and a lower electrode facing each other in the thickness direction of the piezoelectric layer with the piezoelectric layer interposed therebetween.
  • FIG. 1A is a schematic perspective view showing the appearance of an elastic wave device according to a first embodiment with respect to first and second aspects
  • FIG. 1B is a plan view showing an electrode structure on a piezoelectric layer
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line AA in FIG. 1A.
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may consist of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is Z-cut in this embodiment, but may be rotational Y-cut or X-cut.
  • the Y-propagation and X-propagation ⁇ 30° propagation orientations are preferred.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, it is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness-shear primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other. Electrodes 3 and 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode 3 is an example of the "first electrode” and the electrode 4 is an example of the "second electrode”.
  • the multiple electrodes 3 are multiple first electrode fingers connected to a first busbar 5 .
  • the multiple electrodes 4 are multiple second electrode fingers connected to the second bus bar 6 .
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interleaved with each other.
  • the electrodes 3 and 4 have a rectangular shape and a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction perpendicular to the length direction.
  • These electrodes 3 and 4, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 constitute an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
  • IDT Interdigital Transducer
  • Both the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 are directions crossing the thickness direction of the piezoelectric layer 2 . Therefore, it can be said that the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2 .
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 may be interchanged with the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first busbar 5 and the second busbar 6 extend. In that case, the first busbar 5 and the second busbar 6 extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B.
  • a plurality of pairs of structures in which an electrode 3 connected to one potential and an electrode 4 connected to the other potential are adjacent to each other are provided in a direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4.
  • the electrodes 3 and 4 are adjacent to each other, it does not mean that the electrodes 3 and 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but that the electrodes 3 and 4 are arranged with a gap therebetween.
  • the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, no electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrodes 3 and 4, is arranged between the electrode 3 and the electrode 4.
  • the logarithms need not be integer pairs, but may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance or pitch between the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. Further, the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 means the center of the width dimension of the electrode 3 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode 3 and the width dimension of the electrode 4 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode 4.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 is 1. .
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimension in the facing direction of the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 means the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the distance between the center of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. It is the distance connecting the center of the dimension (width dimension) of
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2 .
  • “perpendicular” is not limited to being strictly perpendicular, but substantially perpendicular (the angle formed by the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is, for example, 90° ⁇ 10°). It's okay.
  • a support member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an insulating layer (also called a bonding layer) 7 interposed therebetween.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame shape and, as shown in FIG. 2, have openings 7a and 8a.
  • a cavity 9 is thereby formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to disturb the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2 . Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b with the insulating layer 7 interposed therebetween at a position not overlapping the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be directly or indirectly laminated to the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 .
  • the insulating layer 7 is made of silicon oxide. However, in addition to silicon oxide, suitable insulating materials such as silicon oxynitride and alumina can be used.
  • the support member 8 is made of Si. The plane orientation of the surface of Si on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111). Preferably, high-resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable. However, the support member 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Materials for the support member 8 include, for example, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the plurality of electrodes 3, 4 and the first and second bus bars 5, 6 are made of appropriate metals or alloys such as Al, AlCu alloys.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesion layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the multiple electrodes 3 and the multiple electrodes 4 . More specifically, an AC voltage is applied between the first busbar 5 and the second busbar 6 . As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using a thickness-shear primary mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2 .
  • d/p is 0.0, where d is the thickness of the piezoelectric layer 2 and p is the center-to-center distance between any one of the pairs of electrodes 3 and 4 adjacent to each other. 5 or less.
  • d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the center-to-center distance p of the electrodes 3 and 4 is the average distance between the center-to-center distances of each adjacent electrode 3 and 4 .
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment has the above configuration, even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides, and the propagation loss is small. The reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness-shlip primary mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of a conventional elastic wave device.
  • a conventional elastic wave device is described, for example, in Patent Document 1 (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2012-257019).
  • the conventional elastic wave device waves propagate through the piezoelectric film 201 as indicated by arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b face each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. is.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are arranged. As shown in FIG.
  • the wave propagates in the X direction as shown. Since it is a plate wave, although the piezoelectric film 201 as a whole vibrates, since the wave propagates in the X direction, reflectors are arranged on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, a wave propagation loss occurs, and the Q value decreases when miniaturization is attempted, that is, when the logarithm of the electrode fingers is decreased.
  • the wave is generated between the first main surface 2a and the second main surface 2a of the piezoelectric layer 2. It propagates almost in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Further, since resonance characteristics are obtained by propagating waves in the Z direction, no reflector is required. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude direction of the bulk wave of the primary thickness-shear mode is defined by the first region 451 included in the excitation region C of the piezoelectric layer 2 and the second region 452 included in the excitation region C.
  • FIG. 4 schematically shows bulk waves when a voltage is applied between the electrodes 3 and 4 so that the potential of the electrode 4 is higher than that of the electrode 3 .
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between the first main surface 2a and a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2 .
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • At least one pair of electrodes consisting of the electrodes 3 and 4 is arranged. It is not always necessary to have a plurality of pairs of electrode pairs. That is, it is sufficient that at least one pair of electrodes is provided.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • electrode 3 may also be connected to ground potential and electrode 4 to hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrodes are provided.
  • FIG. 5 is a diagram showing resonance characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 with this resonance characteristic are as follows.
  • the number of pairs of electrodes 3 and 4 21 pairs
  • center distance between electrodes 3 ⁇ m
  • width of electrodes 3 and 4 500 nm
  • d/p 0.133.
  • Insulating layer 7 Silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is the dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the inter-electrode distances of the electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 are all the same in a plurality of pairs. That is, the electrodes 3 and 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is more preferably 0.5 or less, as described above. is less than or equal to 0.24. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between this d/2p and the fractional bandwidth of the acoustic wave device as a resonator.
  • a resonator with a wider specific band can be obtained, and a resonator with a higher coupling coefficient can be realized. Therefore, like the elastic wave device of the second aspect of the present disclosure, by setting d/p to 0.5 or less, a resonator having a high coupling coefficient using the bulk wave of the primary thickness shear mode can be constructed.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and p is the center-to-center distance between adjacent electrodes 3 and 4 in the case of one pair of electrodes. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of adjacent electrodes 3 and 4 should be p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer if the piezoelectric layer 2 has variations in thickness, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view of another elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • elastic wave device 31 a pair of electrodes having electrode 3 and electrode 4 is provided on first main surface 2 a of piezoelectric layer 2 .
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above d/p is 0.5 or less, it is possible to effectively excite the bulk wave in the primary mode of thickness shear.
  • the adjacent electrodes 3 and 4 with respect to the excitation region, which is an overlapping region when viewed in the direction in which any of the adjacent electrodes 3 and 4 face each other. It is desirable that the metallization ratio MR of the electrodes 3 and 4 satisfy MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. That is, when viewed in the direction in which the plurality of adjacent first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers face each other, the region where the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers overlap is excited.
  • MR is the metallization ratio of the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers to the excitation region. MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. preferably fulfilled. In that case, spurious can be effectively reduced.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the acoustic wave device 1.
  • a spurious signal indicated by an arrow B appears between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • the excitation region means a region where the electrode 3 and the electrode 4 overlap each other when the electrodes 3 and 4 are viewed in a direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4, that is, in a facing direction. and a region where the electrodes 3 and 4 in the region between the electrodes 3 and 4 overlap.
  • the area of the electrodes 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of this excitation region is the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallization portion to the area of the drive region.
  • MR may be the ratio of the metallization portion included in the entire excitation region to the total area of the excitation region.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the fractional bandwidth and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious when a large number of acoustic wave resonators are configured according to this embodiment. be.
  • the ratio band was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer and the dimensions of the electrodes.
  • FIG. 9 shows the results when a Z-cut LiNbO 3 piezoelectric layer is used, but the same tendency is obtained when piezoelectric layers with other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more changes the parameters constituting the fractional band, even if the passband appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious component indicated by arrow B appears within the band. Therefore, the specific bandwidth is preferably 17% or less. In this case, by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrodes 3 and 4, the spurious response can be reduced.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • various elastic wave devices having different d/2p and MR were constructed, and the fractional bandwidth was measured.
  • the hatched portion on the right side of the dashed line D in FIG. 10 is the area where the fractional bandwidth is 17% or less.
  • FIG. 11 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • the hatched portion in FIG. 11 is a region where a fractional bandwidth of at least 5% or more is obtained, and when the range of the region is approximated, the following formulas (1), (2) and (3) ).
  • the fractional band can be sufficiently widened, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the elastic wave device 81 has a support substrate 82 .
  • the support substrate 82 is provided with a concave portion that is open on the upper surface.
  • a piezoelectric layer 83 is laminated on the support substrate 82 .
  • a hollow portion 9 is thereby formed.
  • An IDT electrode 84 is provided on the piezoelectric layer 83 above the cavity 9 .
  • Reflectors 85 and 86 are provided on both sides of the IDT electrode 84 in the elastic wave propagation direction.
  • the outer periphery of the hollow portion 9 is indicated by broken lines.
  • the IDT electrode 84 has first and second bus bars 84a and 84b, an electrode 84c as a plurality of first electrode fingers, and an electrode 84d as a plurality of second electrode fingers.
  • the multiple electrodes 84c are connected to the first bus bar 84a.
  • the multiple electrodes 84d are connected to the second bus bar 84b.
  • the multiple electrodes 84c and the multiple electrodes 84d are interposed.
  • a Lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the IDT electrodes 84 on the cavity 9. Since the reflectors 85 and 86 are provided on both sides, the resonance characteristics due to the Lamb wave can be obtained.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • the acoustic wave device 1 includes a support substrate 110, a piezoelectric layer 2, and a functional electrode 120.
  • the support substrate 110 includes a support member 8 and a bonding layer 7 provided on the support member 8 .
  • the piezoelectric layer 2 is provided on the bonding layer 7 .
  • a functional electrode 120 is provided on the piezoelectric layer 2 .
  • the support substrate 110 is provided with a hollow portion 9 at a position overlapping with a part of the functional electrode 120 in the stacking direction (for example, Z direction) of the support member 8 , the bonding layer 7 and the piezoelectric layer 2 .
  • the elastic wave device 1 includes wiring electrodes 130 provided on the piezoelectric layer 2 .
  • At least one void 71 is provided in the bonding layer 7 .
  • a plurality of voids 71 are provided in the bonding layer 7 .
  • FIG. 13 An example of a method of manufacturing the elastic wave device 1 of FIG. 13 having the void 71 in the bonding layer 7 will be described with reference to FIGS. 14 to 22.
  • FIG. Here, a method of manufacturing the acoustic wave device 1 using a method of etching the support member 8 and the bonding layer 7 from the back surface is described, but the method is not limited to this, and a method of forming the cavity 9 using a sacrificial layer. Other manufacturing methods such as the method of manufacturing the elastic wave device 1 can also be used.
  • the bonding layer 7 is formed on the support member 8 and the piezoelectric layer 2 is bonded via the bonding layer 7 .
  • the bonding layer 7 is formed on the supporting member 8 as shown in FIGS. 15 to 17.
  • FIG. 15 the bonding layer 7 containing SiO 2 is deposited on the surface of the support member 8 containing Si while allowing dust 200 of SiO 2 of the sputtering film generated in the sputtering apparatus to adhere.
  • a void 71 is formed at the interface between the support member 8 and the bonding layer 7 shielded by the dust 200 .
  • the surface 72 of the bonding layer 7 opposite to the surface facing the support member 8 is polished to smooth the unevenness of the surface 72 of the bonding layer 7 .
  • the void 71 can also be formed in the piezoelectric layer 2 by the same method. By controlling the size of the dust particles 200, it is also possible to form the voids 71 penetrating the bonding layer 7. FIG.
  • the functional electrode 120 and the wiring electrode 130 are formed by lift-off on the member 11 to which the supporting member 8, the bonding layer 7 and the piezoelectric layer 2 are bonded.
  • dry etching such as DRIE is performed on the member 12 on which the functional electrodes 120 and the wiring electrodes 130 are formed to remove the supporting member 8 immediately below the functional electrodes 120 from the back surface 801 .
  • the member 13 from which the support member 8 has been removed is etched to remove the bonding layer 7 immediately below the piezoelectric layer 2 to form a membrane, and the manufacturing process of the elastic wave device 1 shown in FIG. 13 is completed.
  • the second example differs from the first example in the process of forming the bonding layer 7 on the supporting member 8 .
  • the bonding layer 7 is deposited on the support member 8 as follows.
  • the bonding layer 7 containing SiO2 is deposited on the surface of the support member 8 containing Si while adhering the SiO2 dust 200 of the sputtering film generated in the sputtering apparatus (see FIG. 15).
  • large dust particles 201 are removed from the dust particles 200 during the deposition of the bonding layer 7 (indicated by reference numeral 73), and the bonding layer 7 is deposited.
  • a gap 71 is formed as shown in FIG.
  • the surface 72 of the bonding layer 7 opposite to the surface facing the support member 8 is polished to smooth the unevenness of the surface 72 of the bonding layer 7 (see FIG. 17). .
  • voids can also be formed in the piezoelectric layer 2 by the same method.
  • a thickness-shear mode wave when excited in the thin piezoelectric layer 21 between wiring electrodes (for example, signal wiring) 131 and 132 having different potentials, the wave excites the support including the bonding layer. It leaks into the substrate 111 and propagates.
  • the propagated thickness-shear mode wave 112 is reflected by the end surface such as the back surface of the support substrate 111 and is propagated to the piezoelectric layer 21 again.
  • the reflected and propagated thickness-shear mode wave 113 is converted into a spurious signal by the piezoelectric layer 2 and superimposed on the signal between the wiring electrodes 133 and 134 at different potentials, thereby generating ripples.
  • reference numeral 261 indicates the relationship between impedance Z and frequency without the support substrate 111
  • reference numeral 262 indicates the relationship between impedance Z and frequency with the support substrate 111 (Si having a thickness of 50 ⁇ m). is shown.
  • the acoustic wave device 1 of the present disclosure includes a support substrate 110 including a support member 8 and a bonding layer 7 provided on the support member 8, a piezoelectric layer 2 provided on the bonding layer 7, and a and a functional electrode 120 provided.
  • the support substrate 110 is provided with a hollow portion 9 at a position overlapping with a part of the functional electrode 120 in the stacking direction of the support member 8 , the bonding layer 7 and the piezoelectric layer 2 .
  • a void portion 71 is provided in the bonding layer 7 .
  • the elastic wave device 1 of the second embodiment can also be configured as follows.
  • the elastic wave device 1 may include wiring electrodes 130, a mounting substrate 140, metal bumps 150, and a sealing resin 160, as shown in FIGS.
  • the wiring electrode 130 is provided on the piezoelectric layer 2 and electrically connected to the functional electrode 120 . Cavities 9 exist above and below the functional electrode 120 , and the upper and lower cavities 9 are connected via through holes 300 .
  • the elastic wave devices 1 are spaced apart in a direction intersecting the stacking direction Z (for example, in the X direction along the dashed-dotted line in FIG. 27 connecting the input and output metal bumps 150 located diagonally). It has two wiring electrodes 130 arranged.
  • a functional electrode 120 is positioned between two wiring electrodes 130 in a direction X intersecting the stacking direction Z. As shown in FIG.
  • the mounting substrate 140 has external terminals 141 arranged to face the wiring electrodes 130 .
  • the metal bumps 150 are positioned between the wiring electrodes 130 and the mounting substrate 140 in the stacking direction Z, and connect the wiring electrodes 130 and the external terminals 141 .
  • the sealing resin 160 surrounds the support substrate 110, the piezoelectric layer 2, the functional electrodes 120, the wiring electrodes 130 and the metal bumps 150 together with the mounting substrate 140, and the support substrate 110, the piezoelectric layer 2, the functional electrodes 120, the wiring electrodes 130 and the metal Bump 150 is sealed.
  • the void 71 may be arranged at a position overlapping with the wiring electrode 130 in the stacking direction Z (in other words, when viewed along the stacking direction Z), or at a position not overlapping with the wiring electrode 130 . may be When the void 71 is arranged at a position that does not overlap with the wiring electrode 130 , it is arranged near the wiring electrode 130 , for example.
  • the air gap 71 immediately below and in the vicinity of the input/output terminals (an example of wiring electrodes) where signal strength tends to be strong propagation of waves to the support substrate 110 can be more efficiently reduced. Note that if there is a void 71 directly under and near the wiring electrode 130, stress is generated in the vicinity of the wiring electrode 130, which may weaken the bonding strength. Therefore, the size (maximum diameter) W of the gap 71 is preferably less than 15 ⁇ m ⁇ .
  • At least part of the configuration of the elastic wave device 1 of the second embodiment may be added to the elastic wave device 1 of the first embodiment, or the elastic wave device 1 of the second embodiment may be added to the elastic wave device 1 of the first embodiment. At least part of the configuration of the elastic wave device 1 may be added.
  • the elastic wave device of the first aspect is a support substrate including a support member and a bonding layer provided on the support member; a piezoelectric layer provided on the bonding layer; a functional electrode provided on the piezoelectric layer,
  • the support substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in the stacking direction of the support member, the bonding layer, and the piezoelectric layer, A void is provided in the bonding layer.
  • the elastic wave device of the second aspect is the elastic wave device of the first aspect, a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode; a mounting substrate having an external terminal arranged to face the wiring electrode; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; A sealing resin for sealing the support member, the piezoelectric layer, the functional electrode, the wiring electrode, and the metal bump is provided.
  • the elastic wave device of the third aspect is the elastic wave device of the second aspect,
  • the void is arranged at a position overlapping with the wiring electrode of the bonding layer in the stacking direction.
  • the elastic wave device of the fourth aspect is the elastic wave device of the second aspect or the third aspect,
  • the void is arranged at a position not overlapping the wiring electrode of the bonding layer in the stacking direction.
  • the elastic wave device of the fifth aspect is the elastic wave device of any one of the first to fourth aspects,
  • the void has a maximum diameter greater than zero and less than 15 ⁇ m.
  • the elastic wave device of the sixth aspect is the elastic wave device of any one of the first to fifth aspects,
  • the functional electrodes are IDT electrodes.
  • the elastic wave device of the seventh aspect is the elastic wave device of the sixth aspect
  • the piezoelectric layer is made of lithium niobate or lithium tantalate
  • the IDT electrode comprises a first electrode finger and a second electrode finger facing each other in a direction intersecting the stacking direction; the first electrode finger and the second electrode finger are adjacent electrodes;
  • d is the thickness of the piezoelectric layer and p is the center-to-center distance between the first electrode finger and the second electrode finger, d/p is 0.5 or less.
  • the elastic wave device of the eighth aspect is the elastic wave device of the seventh aspect, d/p is 0.24 or less.
  • the elastic wave device of the ninth aspect is the elastic wave device of the seventh aspect or the eighth aspect, the area of the first electrode fingers and the second electrode fingers in the excitation region with respect to the excitation region, which is the region where the first electrode fingers and the second electrode fingers overlap in the direction intersecting the stacking direction;
  • the metallization ratio MR which is a ratio, satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075.
  • the elastic wave device of the tenth aspect is the elastic wave device of any one of the seventh to ninth aspects,
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the lithium niobate or lithium tantalate are within the range of the following formula (1), formula (2) or formula (3).
  • Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ] ⁇ 180°) Equation (2) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (3)
  • the elastic wave device of the eleventh aspect is the elastic wave device of any one of the seventh to tenth aspects, It is configured to be able to utilize bulk waves in the thickness-shlip mode.
  • the elastic wave device of the twelfth aspect is the elastic wave device of any one of the first to sixth aspects, It is configured to be able to use plate waves.
  • a method for manufacturing an elastic wave device includes: a support substrate including a support member; a bonding layer provided on the support member; a piezoelectric layer provided on the bonding layer; and a functional electrode provided on the piezoelectric layer;
  • the support substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in the lamination direction of the support member, the bonding layer, and the piezoelectric layer, and the bonding layer is provided with a void portion.
  • a method for manufacturing an elastic wave device The gap is formed by forming the bonding layer by a sputtering method.

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Abstract

弾性波装置が、支持部材と支持部材上に設けられた接合層とを含む支持基板と、接合層上に設けられた圧電体層と、圧電体層上に設けられた機能電極とを備える。支持基板には、支持部材、接合層および圧電体層の積層方向において、機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられ、接合層には、空隙部が設けられている。

Description

弾性波装置および弾性波装置の製造方法
　本開示は、圧電層（圧電体層）を備える弾性波装置に関する。
　例えば、特許文献１には、板波を利用する弾性波装置が開示されている。特許文献１に記載の弾性波装置は、支持体と、圧電基板と、ＩＤＴ電極とを備えている。支持体には、空洞部が設けられている。圧電基板は、支持体の上に空洞部と重なるように設けられている。ＩＤＴ電極は、圧電基板の上に空洞部と重なるように設けられている。弾性波装置では、ＩＤＴ電極により板波が励振される。空洞部の端縁部は、ＩＤＴ電極により励振される板波の伝搬方向と平行に延びる直線部を含まない。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　近年、リップルの発生を抑制できる弾性波装置が求められている。
　本開示は、リップルの発生を抑制できる弾性波装置を提供することを目的とする。
　本開示の一態様の弾性波装置は、
　支持部材と、前記支持部材上に設けられた接合層とを含む支持基板と、
　前記接合層上に設けられた圧電体層と、
　前記圧電体層上に設けられた機能電極と
を備え、
　前記支持基板には、前記支持部材、前記接合層および前記圧電体層の積層方向において、前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられ、
　前記接合層には、空隙部が設けられている。
　本開示の一態様の弾性波装置の製造方法は、
　支持部材と、前記支持部材上に設けられた接合層とを含む支持基板と、前記接合層上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを含み、前記支持基板には、前記支持部材、前記接合層および前記圧電体層の積層方向において、前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられ、前記接合層には、空隙部が設けられている、弾性波装置の製造方法であって、
　前記接合層をスパッタリング法により成膜することで、前記空隙部を形成する。
　本開示によれば、リップルの発生を抑制できる弾性波装置および弾性波装置の製造方法を提供できる。
第１，第２の態様の弾性波装置の外観を示す略図的斜視図。 圧電層上の電極構造を示す平面図。 図１Ａ中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図。 従来の弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図。 本開示の弾性波装置の波を説明するための模式的正面断面図。 第１の電極と第２の電極との間に、第２の電極が第１の電極よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を示す模式図。 本開示の第１実施形態に係る弾性波装置の共振特性を示す図。 ｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図。 本開示の第１実施形態に係る別の弾性波装置の平面図。 弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図。 多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図。 ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図。 ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図。 本開示の第１実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図。 本開示の第２実施形態の弾性波装置を示す模式的正面断面図。 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための第１の図。 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための第２の図。 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための第３の図。 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための第４の図。 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための第５の図。 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための第６の図。 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための第７の図。 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための第８の図。 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための第９の図。 フィルタ通過帯域内外に生じた多数のリップルがフィルタ特性の重要な個所に重畳した場合を説明するための図。 図２３の点線部分の拡大図。 リップルの発生を説明するための第１の図。 リップルの発生を説明するための第２の図。 図１３の弾性波装置の変形例を示す、圧電基板表面で水平に断面を切り、機能電極がある面側から見たときの模式的正面断面図。 図２７の対向する入出力の金属バンプを結ぶ一点鎖線に沿った模式的断面図。 図２７の一点鎖線に垂直な二点鎖線に沿った模式的断面図。
　本開示における第１，第２，第３の態様の弾性波装置は、例えば、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる圧電層と、圧電層の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極及び第２電極とを備える。
　第１の態様の弾性波装置では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。
　また、第２の態様の弾性波装置では、第１電極及び前記第２電極は隣り合う電極同士であり、圧電層の厚みをｄ、第１電極及び第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。それによって、第１，第２の態様では、小型化を進めた場合であっても、Ｑ値を高めることができる。
　また、第３の態様の弾性波装置では、板波としてのラム波が利用される。そして、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　本開示における第４の態様の弾性波装置は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる圧電層と、圧電層を挟んで圧電層の厚み方向に対向する上部電極及び下部電極とを備え、バルク波を利用する。
　以下、図面を参照しつつ、第１～第４の態様の弾性波装置の具体的な実施形態を説明することにより、本開示を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
（第１実施形態）
　図１Ａは、第１，第２の態様についての第１実施形態に係る弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１Ｂは、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図２は、図１Ａ中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。
　弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、本実施形態では、Ｚカットであるが、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている複数の第１の電極指である。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている複数の第２の電極指である。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。
　電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。これら複数の電極３，４、及び第１のバスバー５，第２のバスバー６によりＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成されている。電極３，４の長さ方向、及び、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。
　また、電極３，４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３，４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極３，４が延びている方向に延びることとなる。
　そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。
　また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極やグランド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の幅寸法の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。さらに、電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極３，４を一対の電極組とし、１．５対以上の電極組がある場合）、電極３，４の中心間距離は、１．５対以上の電極３，４のうち隣り合う電極３，４それぞれの中心間距離の平均値を指す。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、本実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層（接合層とも言う）７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　絶縁層７は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材８は、Ｓｉからなる。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。本実施形態では、電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、本実施形態のように電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極３，４を１対の電極組とし、電極３，４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極３，４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離となる。
　本実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　従来の弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑り１次モードのバルク波の相違を、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。
　図３Ａは、従来の弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。従来の弾性波装置については、例えば、特許文献１（特開２０１２－２５７０１９号公報）に記載されている。図３Ａに示すように、従来の弾性波装置においては、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、本実施形態の弾性波装置１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃに含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図４は、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示している。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　上記のように、弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。本実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、本開示の第１実施形態に係る弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３、厚み＝４００ｎｍ。
　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に視たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　絶縁層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。
　本実施形態では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、本実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、このｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
　図６から明らかなように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、本開示の第２の態様の弾性波装置のように、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、前述したように、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極３，４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、本開示の第１実施形態に係る別の弾性波装置の平面図である。弾性波装置３１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置３１では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極３，４において、いずれかの隣り合う電極３，４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域に対する、上記隣り合う電極３，４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。つまり、隣り合う複数の第１電極指と複数の第２電極指とが対向している方向に視たときに複数の第１電極指と複数の第２電極指とが重なっている領域が励振領域（交差領域）であり、励振領域に対する、複数の第１電極指及び複数の第２電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。
　これを、図８及び図９を参照して説明する。図８は、上記弾性波装置１の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極３，４に着目した場合、この１対の電極３，４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線Ｃで囲まれた部分が励振領域となる。この励振領域とは、電極３と電極４とを、電極３，４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、及び、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域の面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３，４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域の面積に対する比である。
　なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は本実施形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域であり、当該領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の第１実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。弾性波装置８１は、支持基板８２を有する。支持基板８２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板８２上に圧電層８３が積層されている。それによって、空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層８３上に、ＩＤＴ電極８４が設けられている。ＩＤＴ電極８４の弾性波伝搬方向両側に、反射器８５，８６が設けられている。図１２において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極８４は、第１，第２のバスバー８４ａ，８４ｂと、複数本の第１の電極指としての電極８４ｃ及び複数本の第２の電極指としての電極８４ｄとを有する。複数本の電極８４ｃは、第１のバスバー８４ａに接続されている。複数本の電極８４ｄは、第２のバスバー８４ｂに接続されている。複数本の電極８４ｃと、複数本の電極８４ｄとは間挿し合っている。
　弾性波装置８１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極８４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器８５，８６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　このように、本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。
（第２実施形態）
　第２実施形態の弾性波装置１について説明する。第２実施形態においては、第１実施形態と重複する内容については適宜、説明を省略する。第２実施形態においては、第１実施形態で説明した内容を適用することができる。
　図１３に示すように、弾性波装置１は、支持基板１１０と、圧電層２と、機能電極１２０とを備える。支持基板１１０は、支持部材８と、支持部材８上に設けられた接合層７とを含む。圧電層２は、接合層７上に設けられている。機能電極１２０は、圧電層２上に設けられている。支持基板１１０には、支持部材８、接合層７および圧電層２の積層方向（例えば、Ｚ方向）において、機能電極１２０の一部と重なる位置で空洞部９が設けられている。本実施形態では、弾性波装置１は、圧電層２上に設けられた配線電極１３０を備えている。
　接合層７には、少なくとも１つの空隙部７１が設けられている。本実施形態では、一例として、複数の空隙部７１（例えば、図１７参照）が接合層７に設けられている。
　図１４～図２２を参照して、接合層７に空隙部７１を有する図１３の弾性波装置１の製造方法の一例について説明する。ここでは、支持部材８および接合層７を裏面からエッチングする方法を用いた弾性波装置１の製造方法について説明しているが、これに限らず、犠牲層を用いて空洞部９を形成する方法を用いて弾性波装置１の製造方法等の他の製造方法を用いることもできる。
　（第１の例）
　図１４に示すように、支持部材８に接合層７を成膜し、接合層７を介して圧電層２を接合する。支持部材８への接合層７の成膜は、図１５～図１７に示すように行う。図１５に示すように、Ｓｉを含む支持部材８の表面に、スパッタ装置内で発生するスパッタ膜のＳｉＯ２の粉塵２００を付着させながら、ＳｉＯ２を含む接合層７を成膜する。これにより、図１６に示すように、粉塵２００で遮蔽された支持部材８および接合層７の界面に空隙部７１が形成される。その後、図１７に示すように、接合層７の支持部材８に対向する面とは反対側の面７２を研磨して、接合層７の面７２の凹凸を平滑化する。
　同じ方法で、圧電層２に空隙部７１を形成することもできる。粉塵２００のサイズをコントロールすることで、接合層７を貫通する空隙部７１を形成することもできる。
　図１８に示すように、支持部材８、接合層７および圧電層２を接合させた部材１１に対して、リフトオフにより、機能電極１２０および配線電極１３０を形成する。図１９に示すように、機能電極１２０および配線電極１３０が形成された部材１２に対して、ＤＲＩＥ等のドライエッチングにより、機能電極１２０直下の支持部材８を裏面８０１から除去する。支持部材８が除去された部材１３に対して、エッチングにより、圧電層２直下の接合層７を除去してメンブレンを形成し、図１３の弾性波装置１の製造工程が終了する。
　（第２の例）
　第２の例は、支持部材８への接合層７の成膜工程が第１の例とは異なっている。第２の例では、次のように支持部材８に接合層７を成膜する。
　Ｓｉを含む支持部材８の表面に、スパッタ装置内で発生するスパッタ膜のＳｉＯ２の粉塵２００を付着させながら、ＳｉＯ２を含む接合層７を成膜する（図１５参照）。第２の例では、図２０および図２１に示すように、接合層７の成膜途中（符号７３で示す）で粉塵２００のうち、大型の粉塵２０１を除去し、接合層７の成膜を再開することで、図２２に示すように、空隙部７１が形成される。その後、第１の例と同様に、接合層７の支持部材８に対向する面とは反対側の面７２を研磨して、接合層７の面７２の凹凸を平滑化する（図１７参照）。
　第１の方法と同様に、同じ方法で、圧電層２に空隙部を形成することもできる。粉塵２００のサイズをコントロールすることで、接合層７を貫通する空隙部７１を形成することもできる。第１の方法と比べると、接合層７を成膜したときの面７２の凹凸が小さくなるので、平滑化のための研磨量が少なくて済む。
　ところで、空隙部７１を備えていない弾性波装置では、図２３および図２４に示すように、フィルタ通過帯域内外に多数のリップルが生じる場合があるが、生じたリップルがフィルタ特性の重要な個所に重畳すると、フィルタ特性を大幅に劣化させる。
　図２５および図２６に示すように、異なる電位を有する配線電極（例えば、信号配線）１３１、１３２間の薄い圧電層２１で厚み滑りモードの波を励振した際、その波が接合層を含む支持基板１１１内へ漏洩し伝搬する。伝搬された厚み滑りモードの波１１２は、支持基板１１１の裏面などの端面で反射し、再度圧電層２１へ伝搬される。反射され伝搬された厚み滑りモードの波１１３は、圧電層２でスプリアス信号を変換されて、別電位の配線電極１３３、１３４間の信号に重畳することで、リップルが発生する。このようなリップルの発生原理から、定性的には、信号強度が大きく入力信号に近いほど励振される波は強く、また、支持基板１１１が薄くなるほど、発生から支持基板１１１の端面で反射して再度圧電体層に伝搬する距離が短くなるので、リップルの強度は強くなる傾向がある。図２６では、図２５において、支持基板１１１なしの場合のインピーダンスＺおよび周波数の関係を符号２６１で示し、支持基板１１１（厚さ５０μｍのＳｉ）ありの場合のインピーダンスＺおよび周波数の関係を符号２６２で示している。
　本開示の弾性波装置１は、支持部材８と支持部材８上に設けられた接合層７とを含む支持基板１１０と、接合層７上に設けられた圧電層２と、圧電層２上に設けられた機能電極１２０とを備える。支持基板１１０には、支持部材８、接合層７および圧電層２の積層方向において、機能電極１２０の一部と重なる位置で空洞部９が設けられている。接合層７には、空隙部７１が設けられている。このような構成により、圧電層２で不要波が励振されても、接合層７の空隙部７１により、支持基板１１０への波の伝搬を低減できるので、リップルの発生を抑制できる。
　第２実施形態の弾性波装置１は、次のように構成することもできる。
　弾性波装置１は、図２７～図２９に示すように、配線電極１３０と、実装基板１４０と、金属バンプ１５０と、封止樹脂１６０とを備えてもよい。配線電極１３０は、圧電層２上に設けられ、機能電極１２０に電気的に接続されている。機能電極１２０の上下に空洞部９が存在し、上下の空洞部９は貫通穴３００を介してつながっている。本実施形態では、弾性波装置１は、積層方向Ｚに交差する方向（例えば、対角に位置する入出力の金属バンプ１５０を結ぶ図２７の一点鎖線に沿ったＸ方向）に間隔を空けて配置された２つの配線電極１３０を備えている。積層方向Ｚに交差する方向Ｘにおける２つの配線電極１３０の間に、機能電極１２０が位置している。実装基板１４０は、配線電極１３０に対向して配置された外部端子１４１を有している。金属バンプ１５０は、積層方向Ｚにおける配線電極１３０および実装基板１４０の間に位置し、配線電極１３０および外部端子１４１を接続する。封止樹脂１６０は、実装基板１４０と共に支持基板１１０、圧電層２、機能電極１２０、配線電極１３０および金属バンプ１５０を取り囲んで、支持基板１１０、圧電層２、機能電極１２０、配線電極１３０および金属バンプ１５０を封止する。
　空隙部７１は、積層方向Ｚにおいて（言い換えると、積層方向Ｚに沿って見た場合に）、配線電極１３０と重なる位置に配置されていてもよいし、配線電極１３０と重ならない位置に配置されていてもよい。空隙部７１は、配線電極１３０と重ならない位置に配置される場合、例えば、配線電極１３０の近傍に配置される。信号強度が強い傾向がある入出力の端子（配線電極の一例）直下および近傍に空隙部７１を設けることで、より効率的に、支持基板１１０への波の伝搬を低減できる。なお、配線電極１３０直下および近傍に空隙部７１があると、配線電極１３０近傍に応力が発生し、接合強度が弱くなる場合がある。このため、空隙部７１のサイズ（最大径）Ｗは１５μｍΦ未満であるのが好ましい。
　第１実施形態の弾性波装置１に、第２実施形態の弾性波装置１の構成の少なくとも一部を追加してもよいし、第２実施形態の弾性波装置１に、第１実施形態の弾性波装置１の構成の少なくとも一部を追加してもよい。
　以上、図面を参照して本開示における種々の実施形態を詳細に説明したが、最後に、本開示の種々の態様について説明する。
　第１態様の弾性波装置は、
　支持部材と、前記支持部材上に設けられた接合層とを含む支持基板と、
　前記接合層上に設けられた圧電体層と、
　前記圧電体層上に設けられた機能電極と
を備え、
　前記支持基板には、前記支持部材、前記接合層および前記圧電体層の積層方向において、前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられ、
　前記接合層には、空隙部が設けられている。
　第２態様の弾性波装置は、第１態様の弾性波装置において、
　前記圧電体層上に設けられ、前記機能電極に電気的に接続された配線電極と、
　前記配線電極に対向して配置された外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記支持部材、前記圧電体層、前記機能電極、前記配線電極および前記金属バンプを封止する封止樹脂と
を備える。
　第３態様の弾性波装置は、第２態様の弾性波装置において、
　前記空隙部が、前記積層方向において、前記接合層の前記配線電極と重なる位置に配置されている。
　第４態様の弾性波装置は、第２態様または第３態様の弾性波装置において、
　前記空隙部が、前記積層方向において、前記接合層の前記配線電極と重ならない位置に配置されている。
　第５態様の弾性波装置は、第１態様～第４態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記空隙部が、ゼロよりも大きく且つ１５μｍ未満の最大径を有している。
　第６態様の弾性波装置は、第１態様～第５態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記機能電極が、ＩＤＴ電極である。
　第７態様の弾性波装置は、第６態様の弾性波装置において、
　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなり、
　前記ＩＤＴ電極が、前記積層方向に交差する方向において対向する第１電極指及び第２電極指を備え、
　前記第１電極指及び前記第２電極指は隣り合う電極同士であり、
　前記圧電体層の厚みをｄ、前記第１電極指及び前記第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。
　第８態様の弾性波装置は、第７態様の弾性波装置において、
　ｄ／ｐが０．２４以下である。
　第９態様の弾性波装置は、第７態様または第８態様の弾性波装置において、
　前記積層方向に交差する方向において、前記第１電極指及び前記第２電極指が重なり合っている領域である励振領域に対する、前記励振領域内の前記第１電極指及び前記第２電極指の面積の割合であるメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。
　第１０態様の弾性波装置は、第７態様～第９態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　第１１態様の弾性波装置は、第７態様～第１０態様のいずれかの弾性波装置において、
　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。
　第１２態様の弾性波装置は、第１態様～第６態様のいずれかの弾性波装置において、
　板波を利用可能に構成されている。
　第１３態様の弾性波装置の製造方法は、
　支持部材と、前記支持部材上に設けられた接合層とを含む支持基板と、前記接合層上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを含み、前記支持基板には、前記支持部材、前記接合層および前記圧電体層の積層方向において、前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられ、前記接合層には、空隙部が設けられている、弾性波装置の製造方法であって、
　前記接合層をスパッタリング法により成膜することで、前記空隙部を形成する。
　前記様々な実施形態または変形例のうちの任意の実施形態または変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。また、実施形態同士の組み合わせまたは実施例同士の組み合わせまたは実施形態と実施例との組み合わせが可能であると共に、異なる実施形態または実施例の中の特徴同士の組み合わせも可能である。
　本開示は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本開示の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。

Claims (13)

  1. 　支持部材と、前記支持部材上に設けられた接合層とを含む支持基板と、
    　前記接合層上に設けられた圧電体層と、
    　前記圧電体層上に設けられた機能電極と
    を備え、
    　前記支持基板には、前記支持部材、前記接合層および前記圧電体層の積層方向において、前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられ、
    　前記接合層には、空隙部が設けられている、弾性波装置。
  2. 　前記圧電体層上に設けられ、前記機能電極に電気的に接続された配線電極と、
    　前記配線電極に対向して配置された外部端子を有する実装基板と、
    　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
    　前記支持部材、前記圧電体層、前記機能電極、前記配線電極および前記金属バンプを封止する封止樹脂と
    を備える、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記空隙部が、前記積層方向において、前記接合層の前記配線電極と重なる位置に配置されている、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記空隙部が、前記積層方向において、前記接合層の前記配線電極と重ならない位置に配置されている、請求項２又は３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記空隙部が、ゼロよりも大きく且つ１５μｍ未満の最大径を有している、請求項１～４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記機能電極が、ＩＤＴ電極である、請求項１～５のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなり、
    　前記ＩＤＴ電極が、前記積層方向に交差する方向において対向する第１電極指及び第２電極指を備え、
    　前記第１電極指及び前記第２電極指は隣り合う電極同士であり、
    　前記圧電体層の厚みをｄ、前記第１電極指及び前記第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記積層方向に交差する方向において、前記第１電極指及び前記第２電極指が重なり合っている領域である励振領域に対する、前記励振領域内の前記第１電極指及び前記第２電極指の面積の割合であるメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項７または８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項７～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
  11. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項７～１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  12. 　板波を利用可能に構成されている、請求項１～６のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  13. 　支持部材と、前記支持部材上に設けられた接合層とを含む支持基板と、前記接合層上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを含み、前記支持基板には、前記支持部材、前記接合層および前記圧電体層の積層方向において、前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられ、前記接合層には、空隙部が設けられている、弾性波装置の製造方法であって、
    　前記接合層をスパッタリング法により成膜することで、前記空隙部を形成する、製造方法。
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