JP2010093398A - フィルタおよびデュプレクサ、ならびにフィルタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 生産性を低下することなく挿入損失が少ない特性に優れた小型のフィルタおよびデュプレクサ、ならびにフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルタ1は、共振子10とキャパシタ30とを含み、キャパシタ30は、基板19の主面上に形成される第1キャパシタ用電極31と、第1キャパシタ用電極31上に形成される第1圧電膜12と同一材料からなる第2圧電膜32と、第1キャパシタ用電極31と対向する部分を有するように第2圧電膜32上に形成される第2キャパシタ用電極33とを含んで構成される。さらに、UBM層21と同時に、第2キャパシタ用電極33上に、ピークシフト層34を設ける。
【選択図】 図1
Description
インダクタ40は、第1キャパシタ用電極31に接続する導電体パターンとして形成することができる。インダクタ40は、必要なインダクタンス成分に応じて、渦巻き形状、ミアンダ形状などのパターン形状により基板19上に形成することができる。
図6に示すようにデュプレクサ200は、フィルタを2個備えて構成される。デュプレクサ200は、アンテナ共用器、分波器と呼ばれ、1つのアンテナに接続される送信用フィルタ51および受信用フィルタ52とを備える。アンテナと送信用フィルタ51および受信用フィルタ52との接続点には、送信用フィルタ51と受信用フィルタ52との整合をとる整合回路(図示せず)が設けられている。デュプレクサ200は、入出力ポートとして、アンテナに接続するアンテナポートANTと、送信器に接続する送信ポートTxと、受信器に接続する受信ポートRxとを備え、アンテナポートANTと送信ポートTxとの間に、送信用フィルタ51として上記のフィルタを接続し、アンテナポートANTと受信ポートRxとの間に、受信用フィルタ52として上記のフィルタを接続して構成される。
共振部形成工程では、複数の共振部11が、厚み方向一表面上に形成された基板19を準備する。
基板19は、Si(シリコン)やGaAs(ガリウムヒ素)などからなる板状部材であり、本実施の形態では、シリコン基板を用いた例について説明する。また、犠牲層は、製造する共振子10の空隙16に対応する部分であり、本実施の形態では、2つの犠牲層である第1犠牲層61および第2犠牲層62を基板19表面上に形成する。
Deposition)法によって形成することができる。第2犠牲層62の厚みは、CVD処理時の温度や時間などの処理条件により制御することが可能であり、本実施の形態では2.5〜3.0μmに設定される。このように第2犠牲層62は比較的厚く形成されるが、PSGはエッチング速度が速いため後述する犠牲層エッチング工程において比較的短時間でエッチングを行うことができる。また、第2犠牲層62とシリコンからなる基板19との間にSiO2からなる第1犠牲層61を介在させることによって、第1犠牲層61が拡散バリアとして機能し、PSGのリンが基板19に拡散するのを抑制することができる。第1犠牲層61上に形成された第2犠牲層62の表面は、CMP(Chemical Mechanical
Polishing)装置を用いて表面平滑化される。
図9A(c)に示すように、基板19の一表面の全面にわたって形成した第1犠牲層61および第2犠牲層62を、複数の共振子10のそれぞれの空隙16に対応した形状にパターニングする。第1犠牲層61および第2犠牲層62のパターニングは、半導体製造プロセスにおける酸化絶縁膜の公知のパターニング技術を利用することができ、たとえばフォトリソグラフィ技術により、容易に設けることができる。パターニングの一例としては、第2犠牲層62上にポジレジストをスピンコートなどにより塗布し、露光、現像してレジストをパターンニングしてマスクを形成する。そののちフッ酸水溶液に浸漬して、空隙16に対応した形状を有する第1犠牲層61および第2犠牲層62を得る。
図9B(d)に示すように、複数の共振子10のそれぞれの空隙16に対応した形状を有する第1犠牲層61および第2犠牲層62の上に、第1共振子用電極14、第1キャパシタ用電極31、第1圧電膜12、第2圧電膜32、第2共振子用電極13、第2キャパシタ用電極33を形成し、共振部11およびキャパシタ30を形成する。
図9C(i)に示すように、複数の共振子10およびキャパシタ30のそれぞれに対応して第1圧電膜12および保護膜18がパターニングされて、基板19の厚み方向一表面において第1共振子用電極14または第2共振子用電極13が露出した部分に、外部導出用電極20を形成する。これによりフィルタ前駆体が完成する。
次に、図9D(j)に示すように、複数の共振子10のそれぞれに対応して、共振部11を、基板19表面に直交する方向に、第2犠牲層62表面まで到達するエッチングホール15を形成する。エッチングホール15の形成方法は、半導体製造プロセスにおけるビア形成技術を利用することができ、たとえばフォトリソグラフィ技術により、容易に設けることができる。
図9D(k)に示すように、複数の共振子10のそれぞれに対応して、エッチングホール15を介してエッチング剤によって、第1犠牲層61および第2犠牲層62をエッチング除去して、空隙16を形成する。第1犠牲層61および第2犠牲層62のエッチング除去は、半導体製造プロセスにおけるエッチング技術を利用することができ、犠牲層の材質に応じたエッチング剤を用いて容易に行うことができる。エッチング剤は、エッチング液またはエッチングガスで、種々のエッチング条件に応じてウェットエッチング、ドライエッチングのいずれかを選択すればよい。以上の工程によりフィルタ1が完成する。
degree)を示す。
10 共振子
11 共振部
12 第1圧電膜
13 第2共振子用電極
14 第1共振子用電極
15 エッチングホール
16 空隙
17 調整層
18 保護膜
19 基板
21 UBM層
31 第1キャパシタ用電極
32 第2圧電膜
33 第2キャパシタ用電極
34 ピークシフト層
35 第1接続導体
36 第2接続導体
41 実装用基板
42 電極パッド
43 金属バンプ
44 封止樹脂
Claims (6)
- 基板と、
前記基板との間に空隙を有するように前記基板の主面上に形成される第1共振子用電極と、前記第1共振子用電極上に形成される第1圧電膜と、前記第1共振子用電極と対向する部分を有するように前記第1圧電膜上に形成される第2共振子用電極と、を含んで構成される共振子と、
前記基板の主面上に形成される第1キャパシタ用電極と、前記第1キャパシタ用電極上に形成される前記第1圧電膜と同一材料からなる第2圧電膜と、前記第1キャパシタ用電極と対向する部分を有するように前記第2圧電膜上に形成される第2キャパシタ用電極と、を含んで構成されるキャパシタと、
前記基板上に形成され、前記第1共振子用電極または前記第2共振子用電極の一方と電気的に接続される外部導出用電極と、
前記外部導出用電極の主面に設けられる第1金属層と、
前記第1金属層と同一材料からなり、前記第2キャパシタ用電極の主面に設けられる第2金属層と、を備えたフィルタ。 - 前記第2金属層の厚みをTmとし、前記第2圧電膜の厚みをTcとしたとき、TmとTcとが、0.5Tc≦Tmの関係を満たす請求項1記載のフィルタ。
- 前記キャパシタに接続されるインダクタをさらに備える請求項1に記載のフィルタ。
- 前記第1共振子用電極と前記第1キャパシタ用電極とが第1接続導体を介して接続され、
前記第2共振子用電極と前記第2キャパシタ用電極とが第2接続導体を介して接続され、
平面視したときに、前記第1接続導体と前記第2接続導体とが重ならないように配置されている請求項1に記載のフィルタ。 - 請求項1〜4のいずれかに記載のフィルタと、
電極パッドを備え、前記フィルタが実装される実装用基板と、
前記電極パッドと前記第1金属層との間に介在される金属バンプと、を備えたデュプレクサ。 - 基板と、前記基板との間に空隙を有するように前記基板の主面上に形成される第1共振子用電極と、前記第1共振子用電極上に形成される第1圧電膜と、前記第1共振子用電極と対向する部分を有するように前記第1圧電膜上に形成される第2共振子用電極と、を含んで構成される共振子と、前記基板の主面上に形成される第1キャパシタ用電極と、前記第1キャパシタ用電極上に形成される前記第1圧電膜と同一材料からなる第2圧電膜と、前記第1キャパシタ用電極と対向する部分を有するように前記第2圧電膜上に形成される第2キャパシタ用電極と、を含んで構成されるキャパシタと、前記基板上に形成され、前記第1共振子用電極または前記第2共振子用電極の一方と電気的に接続される外部導出用電極と、を備えたフィルタ前駆体を準備する工程と、
前記外部導出用電極の主面に第1金属層を、前記第2キャパシタ用電極の主面に前記第1金属層と同一材料からなる第2金属層をそれぞれ形成する工程と、を含むフィルタの製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017022501A (ja) * | 2015-07-08 | 2017-01-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、分波器、及びモジュール |
KR20170056000A (ko) | 2014-10-29 | 2017-05-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 모듈 |
KR20180113136A (ko) * | 2017-04-05 | 2018-10-15 | 삼성전기주식회사 | 고조파 왜곡 감쇄 특성을 개선한 baw 공진기 및 baw 필터 |
CN108696262A (zh) * | 2017-04-05 | 2018-10-23 | 三星电机株式会社 | 用于减小谐波失真的体声波谐振器及体声波滤波器 |
US11063558B2 (en) * | 2018-08-28 | 2021-07-13 | Texas Instruments Incorporated | Direct-current tuning of bulk acoustic wave resonator devices |
WO2023054675A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09130200A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子及び薄膜圧電素子の製造方法 |
JP2003022074A (ja) * | 2001-04-23 | 2003-01-24 | Agilent Technol Inc | 薄膜バルク波音響共振器アレイの製造方法及び送受切換器 |
JP2004120016A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Fujitsu Media Device Kk | フィルタ装置 |
JP2005073175A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振子及びその製造方法 |
JP2008113061A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Kyocera Corp | バルク音響波共振子及びフィルタ装置並びに通信装置 |
-
2008
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09130200A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子及び薄膜圧電素子の製造方法 |
JP2003022074A (ja) * | 2001-04-23 | 2003-01-24 | Agilent Technol Inc | 薄膜バルク波音響共振器アレイの製造方法及び送受切換器 |
JP2004120016A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Fujitsu Media Device Kk | フィルタ装置 |
JP2005073175A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振子及びその製造方法 |
JP2008113061A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Kyocera Corp | バルク音響波共振子及びフィルタ装置並びに通信装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170056000A (ko) | 2014-10-29 | 2017-05-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 모듈 |
US10469054B2 (en) | 2014-10-29 | 2019-11-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric module |
JP2017022501A (ja) * | 2015-07-08 | 2017-01-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、分波器、及びモジュール |
KR20180113136A (ko) * | 2017-04-05 | 2018-10-15 | 삼성전기주식회사 | 고조파 왜곡 감쇄 특성을 개선한 baw 공진기 및 baw 필터 |
CN108696262A (zh) * | 2017-04-05 | 2018-10-23 | 三星电机株式会社 | 用于减小谐波失真的体声波谐振器及体声波滤波器 |
KR101952874B1 (ko) * | 2017-04-05 | 2019-02-28 | 삼성전기주식회사 | 고조파 왜곡 감쇄 특성을 개선한 baw 공진기 및 baw 필터 |
US10541665B2 (en) | 2017-04-05 | 2020-01-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | BAW resonator and BAW filter for reducing harmonic distortion |
CN108696262B (zh) * | 2017-04-05 | 2022-02-18 | 三星电机株式会社 | 用于减小谐波失真的体声波谐振器及体声波滤波器 |
US11063558B2 (en) * | 2018-08-28 | 2021-07-13 | Texas Instruments Incorporated | Direct-current tuning of bulk acoustic wave resonator devices |
WO2023054675A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 |
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