WO2023054697A1 - 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 - Google Patents

弾性波装置および弾性波装置の製造方法 Download PDF

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WO2023054697A1
WO2023054697A1 PCT/JP2022/036805 JP2022036805W WO2023054697A1 WO 2023054697 A1 WO2023054697 A1 WO 2023054697A1 JP 2022036805 W JP2022036805 W JP 2022036805W WO 2023054697 A1 WO2023054697 A1 WO 2023054697A1
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WO
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piezoelectric layer
electrode
element substrate
wave device
elastic wave
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PCT/JP2022/036805
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English (en)
French (fr)
Inventor
和則 井上
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to an acoustic wave device including a piezoelectric layer (piezoelectric layer).
  • Patent Document 1 discloses an elastic wave device that uses plate waves.
  • An acoustic wave device described in Patent Document 1 includes a support, a piezoelectric substrate, and an IDT electrode.
  • the support is provided with a cavity.
  • a piezoelectric substrate is provided on the support so as to overlap the cavity.
  • the IDT electrode is provided on the piezoelectric substrate so as to overlap the cavity.
  • plate waves are excited by IDT electrodes.
  • the edge of the cavity does not include a straight portion extending parallel to the propagation direction of the Lamb waves excited by the IDT electrodes.
  • An object of the present disclosure is to provide an elastic wave device capable of attenuating unwanted waves while ensuring mechanical strength.
  • An elastic wave device includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting board having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps; An attenuation section is provided on at least a part of the outer surface of the element substrate, excluding a contact surface with the piezoelectric layer, for attenuating unwanted waves.
  • An elastic wave device includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting board having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • a different material portion is provided on at least a portion of the outer surface of the element substrate excluding the contact surface with the piezoelectric layer and is made of a material different from that of the element substrate.
  • An elastic wave device includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting substrate having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • An uneven portion is provided on at least a portion of the outer surface of the element substrate excluding a contact surface with the piezoelectric layer and is configured with an uneven surface.
  • An elastic wave device includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting board having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • a low acoustic impedance portion is provided on at least a portion of the outer surface of the element substrate excluding a contact surface with the piezoelectric layer and is composed of a low acoustic impedance layer.
  • a method for manufacturing an elastic wave device includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting substrate having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • a method for manufacturing an acoustic wave device comprising: an attenuation section provided on at least a portion of an outer surface of the element substrate excluding a contact surface with the piezoelectric layer and attenuating unnecessary waves, The attenuating portion is formed inside the element substrate by laser irradiation.
  • a method for manufacturing an elastic wave device includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting substrate having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • a method for manufacturing an acoustic wave device comprising: an attenuation section provided on at least a portion of an outer surface of the element substrate excluding a contact surface with the piezoelectric layer and attenuating unnecessary waves, The damping portion is formed by depositing SiO2 by chemical vapor deposition.
  • a method for manufacturing an elastic wave device includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting substrate having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • a method for manufacturing an acoustic wave device comprising: an attenuation section provided on at least a portion of an outer surface of the element substrate excluding a contact surface with the piezoelectric layer and attenuating unnecessary waves, In a step of flip-chip bonding the individualized acoustic wave elements to the mounting substrate, one of a pair of principal surfaces of the element substrate intersecting the stacking direction is opposite to the one principal surface on the piezoelectric layer side.
  • the damping portion is provided on the other main surface of the side.
  • an elastic wave device capable of attenuating unwanted waves while ensuring mechanical strength, and a method of manufacturing the elastic wave device.
  • FIG. 4A and 4B are schematic perspective views showing appearances of acoustic wave devices according to first and second embodiments;
  • FIG. FIG. 4 is a plan view showing an electrode structure on the piezoelectric layer; Sectional drawing of the part which follows the AA line in FIG. 1A.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of a conventional acoustic wave device.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining waves of the acoustic wave device of the present disclosure;
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a bulk wave when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode so that the potential of the second electrode is higher than that of the first electrode.
  • FIG. 4 is a diagram showing resonance characteristics of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between d/2p and the fractional bandwidth of the acoustic wave element as a resonator
  • FIG. 4 is a plan view of another acoustic wave device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of an acoustic wave device
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the fractional bandwidth and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious when a large number of acoustic wave resonators are configured; 4 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth; FIG. FIG. 4 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0; 1 is a partially cutaway perspective view for explaining an acoustic wave device according to a first embodiment of the present disclosure; FIG. FIG.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view showing an elastic wave device according to a second embodiment of the present disclosure
  • FIG. 14 is a schematic front cross-sectional view showing an example of a damping section 170 of the elastic wave device of FIG. 13
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a case where a large number of ripples generated inside and outside the filter passband are superimposed on an important part of filter characteristics
  • FIG. 25 is an enlarged view of the dotted line portion of FIG. 24
  • FIG. 1 is a first diagram for explaining the generation of ripples
  • FIG. 2 is a second diagram for explaining the generation of ripples
  • FIG. 3 is a third diagram for explaining the generation of ripples
  • FIG. 14 is a schematic front sectional view showing a first modification of the elastic wave device of FIG.
  • FIG. 21 is a first diagram for explaining a method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 20; 21 is a second view for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 20; FIG. FIG. 21 is a third diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 20; FIG. 21 is a fourth diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 20; FIG. 21 is a fifth diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 20; FIG. 21 is a sixth view for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 20; FIG. 21 is a seventh diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 20; FIG. 21 is an eighth diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG.
  • FIG. 20 21 is a ninth diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 20;
  • FIG. FIG. 21 is a tenth diagram for explaining the method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 20;
  • FIG. 14 is a first view for explaining a method of manufacturing a second modification of the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a second view for explaining a manufacturing method of the second modified example of the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a third diagram for explaining a manufacturing method of the second modified example of the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a fourth diagram for explaining a manufacturing method of the second modified example of the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a first view for explaining a method of manufacturing a second modification of the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a second view for explaining a manufacturing method of the second modified example of the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a third diagram for explaining a manufacturing
  • FIG. 14 is a fifth view for explaining a manufacturing method of the second modified example of the elastic wave device of FIG. 13; 14 is a sixth view for explaining a manufacturing method of the second modified example of the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. FIG. 14 is a seventh diagram for explaining a manufacturing method of the second modified example of the elastic wave device of FIG. 13; 14 is an eighth diagram for explaining a manufacturing method of the second modification of the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a ninth diagram for explaining a manufacturing method of the second modified example of the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. FIG. 14 is a tenth diagram for explaining the manufacturing method of the second modified example of the elastic wave device of FIG. 13; 11th diagram for explaining the manufacturing method of the second modification of the elastic wave device of FIG. 13 ;
  • the acoustic wave devices of the first, second, and third aspects of the present disclosure include, for example, a piezoelectric layer made of lithium niobate or lithium tantalate, first electrodes facing each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer, and and a second electrode.
  • acoustic wave device of the first aspect bulk waves in the primary mode of thickness shear are used.
  • the first electrode and the second electrode are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer is d, and the distance between the centers of the first electrode and the second electrode is p.
  • d/p is 0.5 or less.
  • a Lamb wave is used as a plate wave. Then, resonance characteristics due to the Lamb wave can be obtained.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer made of lithium niobate or lithium tantalate, and an upper electrode and a lower electrode facing each other in the thickness direction of the piezoelectric layer with the piezoelectric layer interposed therebetween.
  • FIG. 1A is a schematic perspective view showing the appearance of an acoustic wave device according to a first embodiment with respect to first and second aspects
  • FIG. 1B is a plan view showing an electrode structure on a piezoelectric layer
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line AA in FIG. 1A.
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may consist of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is Z-cut in this embodiment, but may be rotational Y-cut or X-cut.
  • the Y-propagation and X-propagation ⁇ 30° propagation orientations are preferred.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, it is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness-shear primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other. Electrodes 3 and 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode 3 is an example of the "first electrode” and the electrode 4 is an example of the "second electrode”.
  • the multiple electrodes 3 are multiple first electrode fingers connected to a first busbar 5 .
  • the multiple electrodes 4 are multiple second electrode fingers connected to the second bus bar 6 .
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interleaved with each other.
  • the electrodes 3 and 4 have a rectangular shape and a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction perpendicular to the length direction.
  • These electrodes 3 and 4, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 constitute an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
  • IDT Interdigital Transducer
  • Both the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 are directions crossing the thickness direction of the piezoelectric layer 2 . Therefore, it can be said that the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2 .
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 may be interchanged with the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first busbar 5 and the second busbar 6 extend. In that case, the first busbar 5 and the second busbar 6 extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B.
  • a plurality of pairs of structures in which an electrode 3 connected to one potential and an electrode 4 connected to the other potential are adjacent to each other are provided in a direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4.
  • the electrodes 3 and 4 are adjacent to each other, it does not mean that the electrodes 3 and 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but that the electrodes 3 and 4 are arranged with a gap therebetween.
  • the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, no electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrodes 3 and 4, is arranged between the electrode 3 and the electrode 4.
  • the logarithms need not be integer pairs, but may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance or pitch between the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. Further, the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 means the center of the width dimension of the electrode 3 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode 3 and the width dimension of the electrode 4 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode 4.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 is 1. .
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimension in the facing direction of the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 means the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the distance between the center of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. It is the distance connecting the center of the dimension (width dimension) of
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2 .
  • “perpendicular” is not limited to being strictly perpendicular, but substantially perpendicular (the angle formed by the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is, for example, 90° ⁇ 10°). It's okay.
  • a supporting member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an insulating layer (also called a bonding layer) 7 interposed therebetween.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame shape and, as shown in FIG. 2, have openings 7a and 8a.
  • a cavity 9 is thereby formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to disturb the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2 . Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b with the insulating layer 7 interposed therebetween at a position not overlapping the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be directly or indirectly laminated to the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 .
  • the insulating layer 7 is made of silicon oxide. However, in addition to silicon oxide, suitable insulating materials such as silicon oxynitride and alumina can be used.
  • the support member 8 is made of Si. The plane orientation of the surface of Si on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111). Preferably, high-resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable. However, the support member 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Materials for the support member 8 include, for example, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the plurality of electrodes 3, 4 and the first and second bus bars 5, 6 are made of appropriate metals or alloys such as Al, AlCu alloys.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesion layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the multiple electrodes 3 and the multiple electrodes 4 . More specifically, an AC voltage is applied between the first busbar 5 and the second busbar 6 . As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using a thickness-shear primary mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2 .
  • d/p is 0.0, where d is the thickness of the piezoelectric layer 2 and p is the center-to-center distance between adjacent electrodes 3 and 4 of the plurality of pairs of electrodes 3 and 4. 5 or less.
  • d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the center-to-center distance p of the electrodes 3 and 4 is the average distance between the center-to-center distances of each adjacent electrode 3 and 4 .
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment has the above configuration, even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides, and the propagation loss is small. The reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness-shlip primary mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of a conventional acoustic wave device.
  • a conventional elastic wave device is described, for example, in Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-257019).
  • the conventional acoustic wave device waves propagate through the piezoelectric film 201 as indicated by arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b face each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. is.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are arranged.
  • the wave propagates in the X direction as shown. Since it is a plate wave, although the piezoelectric film 201 as a whole vibrates, since the wave propagates in the X direction, reflectors are arranged on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, a wave propagation loss occurs, and the Q value decreases when miniaturization is attempted, that is, when the logarithm of the electrode fingers is decreased.
  • the wave is generated between the first main surface 2a and the second main surface 2a of the piezoelectric layer 2. It propagates almost in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Further, since resonance characteristics are obtained by propagating waves in the Z direction, no reflector is required. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude direction of the bulk wave of the primary thickness-shear mode is defined by the first region 451 included in the excitation region C of the piezoelectric layer 2 and the second region 452 included in the excitation region C.
  • FIG. 4 schematically shows bulk waves when a voltage is applied between the electrodes 3 and 4 so that the potential of the electrode 4 is higher than that of the electrode 3 .
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between the first main surface 2a and a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2 .
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • At least one pair of electrodes consisting of the electrodes 3 and 4 is arranged. It is not always necessary to have a plurality of pairs of electrode pairs. That is, it is sufficient that at least one pair of electrodes is provided.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • electrode 3 may also be connected to ground potential and electrode 4 to hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrodes are provided.
  • FIG. 5 is a diagram showing resonance characteristics of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 that obtained this resonance characteristic are as follows.
  • the number of pairs of electrodes 3 and 4 21 pairs
  • center distance between electrodes 3 ⁇ m
  • width of electrodes 3 and 4 500 nm
  • d/p 0.133.
  • Insulating layer 7 Silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is the dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the inter-electrode distances of the electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 are all the same in a plurality of pairs. That is, the electrodes 3 and 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is more preferably 0.5 or less, as described above. is less than or equal to 0.24. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between d/2p and the fractional bandwidth of the acoustic wave element as a resonator.
  • a resonator with a wider specific band can be obtained, and a resonator with a higher coupling coefficient can be realized. Therefore, like the acoustic wave device of the second aspect of the present disclosure, by setting d/p to 0.5 or less, a resonator having a high coupling coefficient utilizing the bulk wave of the thickness-shlip primary mode can be constructed.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and p is the center-to-center distance between adjacent electrodes 3 and 4 in the case of one pair of electrodes. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of adjacent electrodes 3 and 4 should be p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer if the piezoelectric layer 2 has variations in thickness, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view of another acoustic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • a pair of electrodes having an electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first principal surface 2 a of the piezoelectric layer 2 .
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above d/p is 0.5 or less, it is possible to effectively excite the bulk wave in the primary mode of thickness shear.
  • the adjacent electrodes 3 and 4 with respect to the excitation region, which is an overlapping region when viewed in the direction in which any of the adjacent electrodes 3 and 4 are facing each other. It is desirable that the metallization ratio MR of the electrodes 3 and 4 satisfy MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. That is, when viewed in the direction in which the plurality of adjacent first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers face each other, the region where the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers overlap is excited.
  • MR is the metallization ratio of the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers to the excitation region. MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. preferably fulfilled. In that case, spurious can be effectively reduced.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the acoustic wave device 1.
  • a spurious signal indicated by an arrow B appears between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • the excitation region means a region where the electrode 3 and the electrode 4 overlap each other when the electrodes 3 and 4 are viewed in a direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4, that is, in a facing direction. and a region where the electrodes 3 and 4 in the region between the electrodes 3 and 4 overlap.
  • the area of the electrodes 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of this excitation region is the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallization portion to the area of the drive region.
  • MR may be the ratio of the metallization portion included in the entire excitation region to the total area of the excitation region.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the fractional bandwidth and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious when a large number of acoustic wave resonators are configured according to this embodiment. be.
  • the ratio band was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer and the dimensions of the electrodes.
  • FIG. 9 shows the results when a Z-cut LiNbO 3 piezoelectric layer is used, but the same tendency is obtained when piezoelectric layers with other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more changes the parameters constituting the fractional band, even if the passband appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious component indicated by arrow B appears within the band. Therefore, the specific bandwidth is preferably 17% or less. In this case, by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrodes 3 and 4, the spurious response can be reduced.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • various acoustic wave devices having different d/2p and MR were constructed, and the fractional bandwidth was measured.
  • the hatched portion on the right side of the dashed line D in FIG. 10 is the area where the fractional bandwidth is 17% or less.
  • FIG. 11 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • the hatched portion in FIG. 11 is a region where a fractional bandwidth of at least 5% or more is obtained, and when the range of the region is approximated, the following formulas (1), (2) and (3) ).
  • the fractional band can be sufficiently widened, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the acoustic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the acoustic wave device 81 has a support substrate 82 .
  • the support substrate 82 is provided with a concave portion that is open on the upper surface.
  • a piezoelectric layer 83 is laminated on the support substrate 82 .
  • a hollow portion 9 is thereby formed.
  • An IDT electrode 84 is provided on the piezoelectric layer 83 above the cavity 9 .
  • Reflectors 85 and 86 are provided on both sides of the IDT electrode 84 in the elastic wave propagation direction. In FIG. 12, the outer periphery of the hollow portion 9 is indicated by broken lines.
  • the IDT electrode 84 has first and second bus bars 84a and 84b, an electrode 84c as a plurality of first electrode fingers, and an electrode 84d as a plurality of second electrode fingers.
  • the multiple electrodes 84c are connected to the first bus bar 84a.
  • the multiple electrodes 84d are connected to the second bus bar 84b.
  • the multiple electrodes 84c and the multiple electrodes 84d are interposed.
  • a Lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the IDT electrode 84 on the cavity 9. Since the reflectors 85 and 86 are provided on both sides, the resonance characteristics due to the Lamb wave can be obtained.
  • the acoustic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • the elastic wave device 100 includes an elastic wave element 1, a mounting board 140, metal bumps 150, a sealing resin 160, and an attenuation section 170.
  • the acoustic wave device 1 includes an element substrate 110, a piezoelectric layer 2 provided on the element substrate 110, a functional electrode 120 provided on the piezoelectric layer 2, and an electrical connection between the functional electrodes 120 provided on the piezoelectric layer 2. and a wiring electrode 130 connected to the .
  • the element substrate 110 is provided with a hollow portion 9 at a position overlapping with a part of the functional electrode 120 in plan view along the stacking direction (for example, Z direction) of the element substrate 110 and the piezoelectric layer 2 .
  • the element substrate 110 includes the support member 8 and the bonding layer 7 provided on the support member 8 .
  • the piezoelectric layer 2 is provided on the bonding layer 7 .
  • the bonding layer 7 is provided on the piezoelectric layer 2 side in the stacking direction Z of the support member 8 . That is, the bonding layer 7 is positioned closer to the piezoelectric layer 2 than the support member 8 in the stacking direction Z. As shown in FIG. The hollow portion 9 is provided in the bonding layer 7 .
  • the functional electrode 120 is provided on the piezoelectric layer 2 and positioned between two wiring electrodes 130 spaced apart in the direction intersecting the stacking direction Z. As shown in FIG.
  • the mounting substrate 140 has external terminals 141 arranged to face the wiring electrodes 130 .
  • the metal bumps 150 are located between the wiring electrodes 130 and the mounting board 140 and connect the wiring electrodes 130 and the external terminals 141 .
  • the sealing resin 160 surrounds the acoustic wave element 1 and the metal bumps 150 together with the mounting substrate 140 to seal the acoustic wave element 1 and the metal bumps 150 .
  • the damping section 170 includes at least a portion of the outer surface of the element substrate 110 excluding a contact surface with the piezoelectric layer 2 (in this embodiment, one main surface 1101 on the side of the piezoelectric layer 2 facing the piezoelectric layer 2 in the stacking direction Z). It is provided in a part and attenuates unnecessary waves.
  • the attenuation unit 170 can employ any configuration that attenuates unwanted waves.
  • an inclined surface 171 and a convex portion 172 are formed as the damping portion 170. At least one is provided.
  • FIG. 14 shows an example of a damping portion 170 including both inclined surfaces 171 and convex portions 172 .
  • Inclined surface 171 is inclined at an inclination angle ⁇ of 1 degree with respect to one main surface 1101, and convex portion 172 has a substantially triangular cross section with a bottom dimension W1 and a height W2 of 3 ⁇ m.
  • a virtual line parallel to one main surface 1101 is indicated by a dotted line.
  • the convex portion 172 may be made of the same material as the support member 8 or may be made of a material different from that of the support member 8 .
  • the attenuation section 170 may be made of the same material as the element substrate 110 or may be made of a material different from that of the element substrate 110 .
  • the damping portion 170 made of a material different from that of the element substrate 110 is an example of a different material portion.
  • the elastic wave device 100 provided with the damping section 170 of FIG.
  • the unwanted wave reduction rate (reduction rate of S11 caused by unwanted waves in all S11 components) was improved by 12.2%.
  • the unwanted wave reduction rate (unnecessary in all S11 components wave-induced S11 reduction) was improved by 33.3%.
  • the unwanted wave reduction rate (decrease rate of S11 caused by unwanted waves among all S11 components) was improved by 41.6%.
  • a thickness-shear mode wave when excited in the thin piezoelectric layer 21 between wiring electrodes (for example, signal wiring) 131 and 132 having different potentials, the wave excites the support including the bonding layer. It leaks into the substrate 111 and propagates.
  • the propagated thickness-shear mode wave 112 is reflected by the end surface such as the bottom surface of the support substrate 111 and is propagated to the piezoelectric layer 21 again.
  • the reflected and propagated thickness-shear mode wave 113 is converted into a spurious signal by the piezoelectric layer 2 and superimposed on the signal between the wiring electrodes 133 and 134 at different potentials, thereby generating ripples.
  • reference numeral 261 indicates the relationship between impedance Z and frequency without the support substrate 111
  • reference numeral 262 indicates the relationship between impedance Z and frequency with the support substrate 111 (Si having a thickness of 50 ⁇ m).
  • a thickness-shear mode wave 114 excited in the thin piezoelectric layer 21 between wiring electrodes (for example, signal wiring) 131 and 132 having different potentials is reflected at the bottom surface of the support substrate 111 and again It propagates to the piezoelectric layer 21 .
  • the thickness shear mode wave 113 reflected and propagated by the bottom surface is reflected by the side surface of the support substrate 111 and is propagated to the piezoelectric layer 21 again.
  • the thickness-shear mode wave 115 reflected and propagated by the side surface is converted into a spurious signal by the piezoelectric layer 21, and may be superimposed on the signal between the wiring electrodes 133 and 134 at different potentials, thereby generating ripples. .
  • Methods for attenuating ripples include, for example, a method of forming a low acoustic impedance layer on the bottom surface of the support substrate 111 by laser irradiation or a method of roughening the bottom surface of the support substrate 111 to scatter unnecessary waves.
  • a method of forming a low acoustic impedance layer on the bottom surface of the support substrate 111 by laser irradiation or a method of roughening the bottom surface of the support substrate 111 to scatter unnecessary waves.
  • the mechanical strength of the acoustic wave device is lowered, and the handling may be difficult, such as the acoustic wave device being damaged during mounting.
  • An elastic wave device 100 of the present disclosure includes an elastic wave element 1, a mounting substrate 140, metal bumps 150, a sealing resin 160, and an attenuation section 170 that attenuates unnecessary waves.
  • the acoustic wave device 1 includes an element substrate 110, a piezoelectric layer 2 provided on the element substrate 110, a functional electrode 120 provided on the piezoelectric layer 2, and an electrical connection between the functional electrodes 120 provided on the piezoelectric layer 2. and a wiring electrode 130 connected to the .
  • the element substrate 110 is provided with a hollow portion 9 at a position overlapping with a part of the functional electrode 120 in plan view along the stacking direction of the element substrate 110 and the piezoelectric layer 2 .
  • the mounting substrate 140 has external terminals 141 .
  • Metal bumps 150 connect wiring electrodes 130 and external terminals 141 .
  • the sealing resin 160 seals the acoustic wave device 1 and the metal bumps 150 .
  • the attenuation section 170 is provided on at least a portion of the outer surface of the element substrate 110 excluding the contact surface with the piezoelectric layer 2, and attenuates unnecessary waves. By solidifying the periphery of the acoustic wave element 1 with the sealing resin 160, the mechanical strength of the entire acoustic wave element 1 can be improved.
  • the damping portion 170 on at least a portion of the outer surface of the element substrate 110 excluding the contact surface with the piezoelectric layer 2, the adhesion between the element substrate 110 and the sealing resin 160 is improved, and the element substrate 110 And since unwanted wave reflection at the interface of the sealing resin 160 is suppressed, the unwanted wave can be attenuated in the sealing resin 160 . As a result, it is possible to realize the acoustic wave device 100 that can attenuate unnecessary waves while ensuring mechanical strength.
  • the elastic wave device 100 of the second embodiment can also be configured as follows.
  • the element substrate 110 is not limited to including the support member 8 and the bonding layer 7 provided on the support member 8 , and may not include the bonding layer 7 .
  • the cavity 9 is provided in the support member 8, for example.
  • the damping section 170 may be provided on the side surfaces of the pair of main surfaces 1101 and 1102 of the element substrate 110 that are continuous with each side.
  • the damping portion 170 is formed of an uneven surface and provided on a side surface 802 extending along the stacking direction Z of the support member 8 .
  • the damping portion 170 configured with an uneven surface is an example of an uneven portion.
  • both ends of the bonding layer 7 are positioned closer to the functional electrode 120 than the piezoelectric layer 2 in the direction crossing the stacking direction Z (for example, the X direction). By configuring in this way, the adhesion between the acoustic wave element 1 and the sealing resin 160 is improved.
  • the configuration of the elastic wave device 100 other than the elastic wave element 1 and the damping section 170 is omitted.
  • a method of manufacturing the elastic wave device 100 using a method of forming the cavity 9 using a sacrificial layer is described, but the present invention is not limited to this, and a method of etching the support member 8 and the bonding layer 7 from the bottom surface. It is also possible to use other manufacturing methods such as the method of manufacturing the acoustic wave device 100 using .
  • a sacrificial layer 91 is deposited on the piezoelectric layer 2 as shown in FIG.
  • the sacrificial layer 91 is formed, for example, by depositing a sacrificial layer material on the entire surface of the piezoelectric layer 2, patterning the surface with a resist, and then removing the resist after etching the exposed sacrificial layer.
  • the bonding layer 7 is formed on the piezoelectric layer 2 with the sacrificial layer 91 formed thereon, and is flattened by grinding. Thereby, the sacrificial layer 91 is embedded in the bonding layer 7 .
  • the support member 8 is bonded to the bonding layer 7 in which the sacrificial layer 91 is embedded to form the laminated member 200 .
  • the piezoelectric layer 2 of the laminated member 200 is ground and thinned, and the functional electrode 120 and the wiring electrode 130 are formed on the thinned piezoelectric layer 2 by lift-off to form the laminated member 210 . do.
  • a lamination member 220 is formed by forming a hole 92 for removing the sacrificial layer 91 in the piezoelectric layer 2 of the lamination member 210 .
  • the holes 92 are formed by, for example, resist patterning, dry etching of the piezoelectric layer, and resist removal.
  • the piezoelectric layer 2 and the bonding layer 7 of the dicing portion of the laminated member 220 are removed to form the laminated member 230 .
  • the piezoelectric layer 2 and the bonding layer 7 in the dicing portion are removed by resist patterning, dry etching and resist removal.
  • a reverse tapered portion 71 is formed in the bonding layer 7 , and both ends of the bonding layer 7 are positioned closer to the functional electrodes than the piezoelectric layer 2 in the direction intersecting the stacking direction Z. It can be located near 120.
  • a lamination member 240 is formed by forming a hollow portion 9 in the lamination member 230 .
  • the cavity 9 is formed by removing the sacrificial layer 91 by resist patterning, sacrificial layer etching and resist removal.
  • a membrane portion is formed in the piezoelectric layer 2 by forming the cavity portion 9 .
  • metal bumps 150 are formed on the wiring electrodes 130 of the laminate member 240 to form the laminate member 250 .
  • a laser is irradiated onto the dicing line of the lamination member 250 to form a cleavage portion 810 inside the support member 8 to form a lamination member 260 .
  • the laminated member 260 is cleaved at the cleaved portion 810 to singulate the acoustic wave device 1 having the metal bumps 150 connected to the wiring electrodes 130 .
  • the portion of the separated acoustic wave device 1 where the cleaved portion 810 was formed constitutes the damping portion 170 .
  • the acoustic wave device 100 is formed by connecting the individualized acoustic wave elements 1 to the mounting substrate 140 via the metal bumps 150 and sealing the acoustic wave elements 1 and the metal bumps 150 with the sealing resin 160 . Then, the manufacturing process of the elastic wave device 100 is completed.
  • the attenuation section 170 may be provided on both the other main surface 1102 and the side surface of the element substrate 110 .
  • An example of a method of manufacturing elastic wave device 100 in which damping portion 170 is provided on bottom surface 801 and side surface 802 of support member 8 will be described with reference to FIGS. 31 to 41 .
  • the acoustic wave device 1 is formed by connecting the metal bumps 150 shown in FIG.
  • the acoustic wave device 1 is connected to the mounting substrate 140 by flip chip bonding, for example.
  • the acoustic wave device 1 and the metal bumps 150 to which the mounting substrate 140 is connected are sealed with a sealing resin 160 .
  • the portion of the sealing resin 160 in which the acoustic wave element 1 and the metal bumps 150 are sealed on the side of the bottom surface 801 of the support member 8 is ground to expose the bottom surface 801 of the support member 8 to the outside.
  • a damping portion 170 is formed on the bottom surface 801 of the support member 8 exposed to the outside.
  • the damping section 170 is formed by, for example, the following means.
  • Attenuating section 170 configured with a low acoustic impedance layer is an example of a low acoustic impedance section.
  • (A) Form unevenness on the bottom surface 801 of the support member 8 by grinding.
  • (B) Part or all of the bottom surface 801 of the support member 8 is obliquely ground.
  • a low acoustic impedance layer is formed by forming a low-density SiO2 film on the bottom surface 801 of the support member 8 by CVD.
  • a damping layer is formed inside the support member 8 on the bottom surface 801 side by laser irradiation.
  • the bottom surface 801 of the support member 8 is sealed again with the sealing resin 160, and the elastic wave device 100 is formed by dicing into individual pieces. finish.
  • the sealing resin 160 that seals the bottom surface 801 of the support member 8 may be the same material as the initial sealing resin 160 (see FIG. 32), or may be a different material.
  • the damping portion 170 is formed on the bottom surface 801 of the support member 8 by the means (A), (C) and (D) above, the bottom surface 801 of the support member 8 does not need to be sealed with the sealing resin 160 . That is, the damping portion 170 may be exposed outside from the sealing resin 160 . In this case, the number of man-hours for manufacturing the elastic wave device 100 can be reduced.
  • FIGS. 21-26 The steps of FIGS. 21-26 are performed to form a laminated member 230.
  • FIG. As shown in FIG. 35, a damping portion 170 is formed on the bottom surface 801 of the support member 8 of the formed laminated member 230 .
  • the damping portions 170 are formed, for example, by means of the above (A), (C) and (D) for each acoustic wave device 1 to be singulated.
  • the elastic wave device 100 is formed by performing the steps of FIGS. 27 to 30 on the laminated member 230 on which the damping portion 170 is formed, and the manufacturing process of the elastic wave device 100 is completed.
  • the elastic wave element 1 is produced by attaching a dicing tape 300 to the bottom surface 801 of the supporting member 8 and then expanding the dicing tape 300 to cleave the cleaved portion 810 of the laminated member 260 into individual pieces. become.
  • the individualized acoustic wave elements 1 are picked up from the dicing tape 300 .
  • the elastic wave element 1 is pushed out from the back surface of the dicing tape 300 by the needle 320 so that the nozzle 310 can easily absorb the elastic wave element 1 .
  • the bottom surface 801 of the support member 8 of the acoustic wave element 1 can be scratched.
  • the damping portion 170 can be formed on the bottom surface 801 of the support member 8 (see FIG. 38).
  • a scratch by the needle 320 has the same effect as roughening the bottom surface 801 .
  • the nozzle 310 is replaced with a tool 330 for the singulated acoustic wave device 1, and as shown in FIG. Connecting.
  • the acoustic wave device 1 is connected to the mounting substrate 140 by flip chip bonding, for example.
  • the elastic wave device 100 is formed by sealing the elastic wave element 1 and the metal bumps 150 to which the mounting substrate 140 is connected and the metal bumps 150 with the sealing resin 160 . ends.
  • At least part of the configuration of the acoustic wave device 1 of the second embodiment may be added to the acoustic wave device 1 of the first embodiment, or the elastic wave device 1 of the second embodiment may be added with the configuration of the first embodiment. At least part of the configuration of the elastic wave device 1 may be added.
  • the elastic wave device of the first aspect is An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting board having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • An attenuation section is provided on at least a part of the outer surface of the element substrate, excluding a contact surface with the piezoelectric layer, for attenuating unwanted waves.
  • the elastic wave device of the second aspect is the elastic wave device of the first aspect, wherein the element substrate includes a support member and a bonding layer provided on the support member; The bonding layer is provided on the piezoelectric layer side of the support member, The hollow portion is provided in the bonding layer at a position overlapping with a part of the functional electrode in plan view along the stacking direction.
  • the elastic wave device of the third aspect is the elastic wave device of the first aspect or the second aspect,
  • the damping section is provided on a side surface continuous with each side of a pair of main surfaces of the element substrate that intersect with the stacking direction.
  • the elastic wave device of the fourth aspect is the elastic wave device of the first aspect or the second aspect
  • the damping section is provided on the other main surface of the element substrate, which is opposite to the one main surface on the piezoelectric layer side, of the pair of main surfaces that intersect in the stacking direction.
  • the elastic wave device of the fifth aspect is the elastic wave device of any one of the first to fourth aspects,
  • the attenuation section is made of a material different from that of the element substrate.
  • the elastic wave device of the sixth aspect is the elastic wave device of any one of the first to third aspects,
  • the damping portion is configured with an uneven surface.
  • the elastic wave device of the seventh aspect is the elastic wave device of the fourth aspect,
  • the attenuation section is composed of a low acoustic impedance layer.
  • the elastic wave device of the eighth aspect is the elastic wave device of any one of the first to seventh aspects, The attenuation portion is exposed outside from the sealing resin.
  • the elastic wave device of the ninth aspect is the elastic wave device of the fourth aspect,
  • the attenuating portion is formed of an inclined surface that is inclined with respect to one of a pair of main surfaces of the element substrate that intersect with the stacking direction, the main surface being closer to the piezoelectric layer.
  • the elastic wave device of the tenth aspect is the elastic wave device of any one of the first to ninth aspects,
  • the functional electrodes are IDT electrodes.
  • the elastic wave device of the eleventh aspect is the elastic wave device of any one of the first to tenth aspects, It is configured to be able to use plate waves.
  • the elastic wave device of the twelfth aspect is the elastic wave device of any one of the first to tenth aspects, It is configured to be able to utilize bulk waves in the thickness-shlip mode.
  • the elastic wave device of the thirteenth aspect is, in the elastic wave devices of the first to tenth aspects, the piezoelectric layer is made of lithium niobate or lithium tantalate, the functional electrode is an IDT electrode, the IDT electrode comprises a first electrode finger and a second electrode finger facing each other in a direction intersecting the stacking direction; the first electrode finger and the second electrode finger are adjacent electrodes; Where d is the thickness of the piezoelectric layer and p is the center-to-center distance between the first electrode finger and the second electrode finger, d/p is 0.5 or less.
  • the elastic wave device of the fourteenth aspect is the elastic wave device of the thirteenth aspect, d/p is 0.24 or less.
  • the elastic wave device of the fifteenth aspect is the elastic wave device of any one of the first to tenth aspects, the thirteenth aspect and the fourteenth aspect, the functional electrode is an IDT electrode, the IDT electrode comprises a first electrode finger and a second electrode finger facing each other in a direction intersecting the stacking direction; the first electrode finger and the second electrode finger are adjacent electrodes; When the thickness of the piezoelectric layer is d, and the center-to-center distance between the first electrode finger and the second electrode finger is p, the first electrode finger and the second electrode
  • the metallization ratio MR which is the ratio of the area of the first electrode fingers and the second electrode fingers in the excitation region to the excitation region, which is the region where the fingers overlap, is MR ⁇ 1.75 (d/p). +0.075 is satisfied.
  • the elastic wave device of the sixteenth aspect is the elastic wave device of any one of the first to tenth aspects and the thirteenth to fifteenth aspects, the piezoelectric layer is made of lithium niobate or lithium tantalate,
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the lithium niobate or lithium tantalate are within the range of the following formula (1), formula (2) or formula (3).
  • Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ] ⁇ 180°) Equation (2) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (3)
  • the method for manufacturing an elastic wave device includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting substrate having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • a method for manufacturing an acoustic wave device comprising: an attenuation section provided on at least a portion of an outer surface of the element substrate excluding a contact surface with the piezoelectric layer and attenuating unnecessary waves, The attenuating portion is formed inside the element substrate by laser irradiation.
  • the method for manufacturing an elastic wave device of the eighteenth aspect includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting board having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • a method for manufacturing an acoustic wave device comprising: an attenuation section provided on at least a portion of an outer surface of the element substrate excluding a contact surface with the piezoelectric layer and attenuating unnecessary waves, The damping portion is formed by depositing SiO2 by chemical vapor deposition.
  • the method for manufacturing an elastic wave device of the nineteenth aspect includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting substrate having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • a method for manufacturing an acoustic wave device comprising: an attenuation section provided on at least a portion of an outer surface of the element substrate excluding a contact surface with the piezoelectric layer and attenuating unnecessary waves, In a step of flip-chip bonding the individualized acoustic wave elements to the mounting substrate, one of a pair of principal surfaces of the element substrate intersecting the stacking direction is opposite to the one principal surface on the piezoelectric layer side.
  • the damping portion is provided on the other main surface of the side.
  • the elastic wave device of the twentieth aspect is An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting substrate having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • a different material portion is provided on at least a portion of the outer surface of the element substrate excluding the contact surface with the piezoelectric layer and is made of a material different from that of the element substrate.
  • the elastic wave device of the twenty-first aspect includes: An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting board having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • An uneven portion is provided on at least a portion of the outer surface of the element substrate excluding a contact surface with the piezoelectric layer and is configured with an uneven surface.
  • the elastic wave device of the twenty-second aspect is An element substrate, a piezoelectric layer provided on the element substrate, a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode.
  • the element substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping with a part of the functional electrode in a plan view seen along the stacking direction of the element substrate and the piezoelectric layer; and , a mounting board having external terminals; a metal bump connecting the wiring electrode and the external terminal; a sealing resin that seals the acoustic wave element and the metal bumps;
  • a low acoustic impedance portion is provided on at least a portion of the outer surface of the element substrate excluding a contact surface with the piezoelectric layer and is composed of a low acoustic impedance layer.

Abstract

弾性波装置が、素子基板と、素子基板上に設けられた圧電体層と、圧電体層上に設けられた機能電極と、圧電体層上に設けられ機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、素子基板には、素子基板および圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、外部端子を有する実装基板と、配線電極および外部端子を接続する金属バンプと、弾性波素子および金属バンプを封止する封止樹脂と、素子基板の外表面のうち、圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部とを備える。

Description

弾性波装置および弾性波装置の製造方法
　本開示は、圧電層（圧電体層）を備える弾性波装置に関する。
　例えば、特許文献１には、板波を利用する弾性波装置が開示されている。特許文献１に記載の弾性波装置は、支持体と、圧電基板と、ＩＤＴ電極とを備えている。支持体には、空洞部が設けられている。圧電基板は、支持体の上に空洞部と重なるように設けられている。ＩＤＴ電極は、圧電基板の上に空洞部と重なるように設けられている。弾性波装置では、ＩＤＴ電極により板波が励振される。空洞部の端縁部は、ＩＤＴ電極により励振される板波の伝搬方向と平行に延びる直線部を含まない。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　近年、機械的強度を確保しつつ不要波を減衰できる弾性波装置が求められている。
　本開示は、機械的強度を確保しつつ不要波を減衰できる弾性波装置を提供することを目的とする。
　本開示の一態様の弾性波装置は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
を備える。
　本開示の一態様の弾性波装置は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、前記素子基板とは異なる材料で構成される異材料部と
を備える。
　本開示の一態様の弾性波装置は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、凹凸面で構成されている凹凸部と
を備える。
　本開示の一態様の弾性波装置は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、低音響インピーダンス層で構成されている低音響インピーダンス部と
を備える。
　本開示の一態様の弾性波装置の製造方法は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
を備える、弾性波装置の製造方法であって、
　前記減衰部をレーザー照射により前記素子基板の内部に形成する。
　本開示の一態様の弾性波装置の製造方法は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
を備える、弾性波装置の製造方法であって、
　前記減衰部を化学蒸着法でＳｉＯ２を成膜することにより形成する。
　本開示の一態様の弾性波装置の製造方法は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
を備える、弾性波装置の製造方法であって、
　個片化された前記弾性波素子を前記実装基板にフリップチップボンディングする工程で、前記素子基板の前記積層方向に交差する一対の主面のうち、前記圧電体層側の一方主面とは反対側の他方主面に、前記減衰部を設ける。
　本開示によれば、機械的強度を確保しつつ不要波を減衰できる弾性波装置および弾性波装置の製造方法を提供できる。
第１，第２の態様の弾性波素子の外観を示す略図的斜視図。 圧電層上の電極構造を示す平面図。 図１Ａ中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図。 従来の弾性波素子の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図。 本開示の弾性波素子の波を説明するための模式的正面断面図。 第１の電極と第２の電極との間に、第２の電極が第１の電極よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を示す模式図。 本開示の第１実施形態に係る弾性波素子の共振特性を示す図。 ｄ／２ｐと、弾性波素子の共振子としての比帯域との関係を示す図。 本開示の第１実施形態に係る別の弾性波素子の平面図。 弾性波素子の共振特性の一例を示す参考図。 多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図。 ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図。 ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図。 本開示の第１実施形態に係る弾性波素子を説明するための部分切り欠き斜視図。 本開示の第２実施形態の弾性波装置を示す模式的正面断面図。 図１３の弾性波装置の減衰部１７０の一例を示す模式的正面断面図。 フィルタ通過帯域内外に生じた多数のリップルがフィルタ特性の重要な個所に重畳した場合を説明するための図。 図２４の点線部分の拡大図。 リップルの発生を説明するための第１の図。 リップルの発生を説明するための第２の図。 リップルの発生を説明するための第３の図。 図１３の弾性波装置の第１変形例を示す模式的正面断面図。 図２０の弾性波装置の製造方法を説明するための第１の図。 図２０の弾性波装置の製造方法を説明するための第２の図。 図２０の弾性波装置の製造方法を説明するための第３の図。 図２０の弾性波装置の製造方法を説明するための第４の図。 図２０の弾性波装置の製造方法を説明するための第５の図。 図２０の弾性波装置の製造方法を説明するための第６の図。 図２０の弾性波装置の製造方法を説明するための第７の図。 図２０の弾性波装置の製造方法を説明するための第８の図。 図２０の弾性波装置の製造方法を説明するための第９の図。 図２０の弾性波装置の製造方法を説明するための第１０の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第１の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第２の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第３の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第４の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第５の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第６の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第７の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第８の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第９の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第１０の図。 図１３の弾性波装置の第２変形例の製造方法を説明するための第１１の図。
　本開示における第１，第２，第３の態様の弾性波素子は、例えば、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる圧電層と、圧電層の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極及び第２電極とを備える。
　第１の態様の弾性波素子では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。
　また、第２の態様の弾性波素子では、第１電極及び前記第２電極は隣り合う電極同士であり、圧電層の厚みをｄ、第１電極及び第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。それによって、第１，第２の態様では、小型化を進めた場合であっても、Ｑ値を高めることができる。
　また、第３の態様の弾性波素子では、板波としてのラム波が利用される。そして、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　本開示における第４の態様の弾性波素子は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる圧電層と、圧電層を挟んで圧電層の厚み方向に対向する上部電極及び下部電極とを備え、バルク波を利用する。
　以下、図面を参照しつつ、第１～第４の態様の弾性波素子の具体的な実施形態を説明することにより、本開示を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
（第１実施形態）
　図１Ａは、第１，第２の態様についての第１実施形態に係る弾性波素子の外観を示す略図的斜視図であり、図１Ｂは、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図２は、図１Ａ中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。
　弾性波素子１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、本実施形態では、Ｚカットであるが、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている複数の第１の電極指である。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている複数の第２の電極指である。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。
　電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。これら複数の電極３，４、及び第１のバスバー５，第２のバスバー６によりＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成されている。電極３，４の長さ方向、及び、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。
　また、電極３，４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３，４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極３，４が延びている方向に延びることとなる。
　そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。
　また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極やグランド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の幅寸法の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。さらに、電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極３，４を一対の電極組とし、１．５対以上の電極組がある場合）、電極３，４の中心間距離は、１．５対以上の電極３，４のうち隣り合う電極３，４それぞれの中心間距離の平均値を指す。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、本実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層（接合層ともいう）７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　絶縁層７は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材８は、Ｓｉからなる。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。本実施形態では、電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波素子１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、本実施形態のように電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極３，４を１対の電極組とし、電極３，４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極３，４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離となる。
　本実施形態の弾性波素子１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　従来の弾性波素子で利用したラム波と、上記厚み滑り１次モードのバルク波の相違を、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。
　図３Ａは、従来の弾性波素子の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。従来の弾性波素子については、例えば、特許文献１（特開２０１２－２５７０１９号公報）に記載されている。図３Ａに示すように、従来の弾性波素子においては、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、本実施形態の弾性波素子１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃに含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図４は、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示している。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　上記のように、弾性波素子１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。本実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、本開示の第１実施形態の弾性波素子の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波素子１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３、厚み＝４００ｎｍ。
　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に視たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　絶縁層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。
　本実施形態では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、本実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波素子と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波素子を得た。図６は、このｄ／２ｐと、弾性波素子の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
　図６から明らかなように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、本開示の第２の態様の弾性波素子のように、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、前述したように、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極３，４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、本開示の第１実施形態に係る別の弾性波素子の平面図である。弾性波素子３１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波素子３１では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波素子１では、好ましくは、複数の電極３，４において、いずれかの隣り合う電極３，４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域に対する、上記隣り合う電極３，４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。つまり、隣り合う複数の第１電極指と複数の第２電極指とが対向している方向に視たときに複数の第１電極指と複数の第２電極指とが重なっている領域が励振領域（交差領域）であり、励振領域に対する、複数の第１電極指及び複数の第２電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。
　これを、図８及び図９を参照して説明する。図８は、上記弾性波素子１の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極３，４に着目した場合、この１対の電極３，４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線Ｃで囲まれた部分が励振領域となる。この励振領域とは、電極３と電極４とを、電極３，４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、及び、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域の面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３，４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域の面積に対する比である。
　なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は本実施形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波素子において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波素子を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域であり、当該領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の第１実施形態に係る弾性波素子を説明するための部分切り欠き斜視図である。弾性波素子８１は、支持基板８２を有する。支持基板８２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板８２上に圧電層８３が積層されている。それによって、空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層８３上に、ＩＤＴ電極８４が設けられている。ＩＤＴ電極８４の弾性波伝搬方向両側に、反射器８５，８６が設けられている。図１２において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極８４は、第１，第２のバスバー８４ａ，８４ｂと、複数本の第１の電極指としての電極８４ｃ及び複数本の第２の電極指としての電極８４ｄとを有する。複数本の電極８４ｃは、第１のバスバー８４ａに接続されている。複数本の電極８４ｄは、第２のバスバー８４ｂに接続されている。複数本の電極８４ｃと、複数本の電極８４ｄとは間挿し合っている。
　弾性波素子８１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極８４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器８５，８６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　このように、本開示の弾性波素子は、板波を利用するものであってもよい。
（第２実施形態）
　第２実施形態の弾性波装置１００について説明する。第２実施形態においては、第１実施形態と重複する内容については適宜、説明を省略する。第２実施形態においては、第１実施形態で説明した内容を適用することができる。
　図１３に示すように、弾性波装置１００は、弾性波素子１と、実装基板１４０と、金属バンプ１５０と、封止樹脂１６０と、減衰部１７０とを備える。
　弾性波素子１は、素子基板１１０と、素子基板１１０上に設けられた圧電層２と、圧電層２上に設けられた機能電極１２０と、圧電層２上に設けられ機能電極１２０に電気的に接続された配線電極１３０とを含む。素子基板１１０には、素子基板１１０および圧電層２の積層方向（例えば、Ｚ方向）に沿って見た平面視において機能電極１２０の一部と重なる位置で空洞部９が設けられている。本実施形態では、素子基板１１０は、支持部材８と、支持部材８上に設けられた接合層７とを含む。圧電層２は、接合層７上に設けられている。接合層７は、支持部材８の積層方向Ｚにおける圧電層２側に設けられている。つまり、接合層７は、積層方向Ｚにおいて、支持部材８よりも圧電層２の近くに位置している。空洞部９は、接合層７に設けられている。機能電極１２０は、圧電層２上に設けられ、積層方向Ｚに交差する方向において間隔を空けて配置された２つの配線電極１３０の間に位置している。
　実装基板１４０は、配線電極１３０に対向して配置された外部端子１４１を有している。金属バンプ１５０は、配線電極１３０および実装基板１４０の間に位置し、配線電極１３０および外部端子１４１を接続している。封止樹脂１６０は、実装基板１４０と共に弾性波素子１および金属バンプ１５０を取り囲んで、弾性波素子１および金属バンプ１５０を封止している。減衰部１７０は、素子基板１１０の外表面のうち、圧電層２との接触面（本実施形態では、圧電層２と積層方向Ｚにおいて対向する圧電層２側の一方主面１１０１）を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる。
　減衰部１７０は、不要波を減衰させる任意の構成を採用できる。本実施形態では、素子基板１１０の積層方向Ｚにおいて一方主面１１０１とは反対側の他方主面１１０２（つまり、支持部材８の底面８０１）に、減衰部１７０として傾斜面１７１および凸部１７２の少なくともいずれかが設けられている。
　図１４に、傾斜面１７１および凸部１７２の両方を含む減衰部１７０の一例を示す。傾斜面１７１は、一方主面１１０１に対して傾斜角度θ＝１度で傾斜しており、凸部１７２は、底面寸法Ｗ１および高さＷ２が３μｍの略三角形状の断面を有している。図１４には、一方主面１１０１に平行な仮想線を点線で示している。凸部１７２は、支持部材８と同じ材料で構成されていてもよいし、支持部材８とは異なる材料で構成されていてもよい。つまり、減衰部１７０は、素子基板１１０と同じ材料で構成されもよいし、素子基板１１０とは異なる材料で構成されてもよい。素子基板１１０とは異なる材料で構成されている減衰部１７０は、異材料部の一例である。
　図１４の減衰部１７０を備える弾性波装置１００では、減衰部１７０を備えていない弾性波装置と比較して、次に示す結果が得られた。つまり、傾斜面１７１および凸部１７２は、いずれか一方のみでも不要波の減衰効果が得られるが、組み合わせることで、不要波の減衰効果をより高めることができる。
　　・傾斜面１７１のみを減衰部１７０として設けた場合、不要波低減率（全Ｓ１１成分中不要波起因のＳ１１の減少率）が１２．２％向上した。
　　・凸部１７２のみを減衰部１７０として設けた場合（減衰部１７０が凹凸面で構成され、減衰部１７０により他方主面１１０２を粗面化する場合）、不要波低減率（全Ｓ１１成分中不要波起因のＳ１１の減少率）が３３．３％向上した。
　　・傾斜面１７１および凸部１７２を減衰部１７０として設けた場合、不要波低減率（全Ｓ１１成分中不要波起因のＳ１１の減少率）は４１．６％向上した。
　ところで、減衰部１７０を備えていない弾性波装置では、図１５および図１６に示すように、フィルタ通過帯域内外に多数のリップルが生じる場合があるが、生じたリップルがフィルタ特性の重要な個所に重畳すると、フィルタ特性を大幅に劣化させる。
　図１７および図１８に示すように、異なる電位を有する配線電極（例えば、信号配線）１３１、１３２間の薄い圧電層２１で厚み滑りモードの波を励振した際、その波が接合層を含む支持基板１１１内へ漏洩し伝搬する。伝搬された厚み滑りモードの波１１２は、支持基板１１１の底面などの端面で反射し、再度圧電層２１へ伝搬される。反射され伝搬された厚み滑りモードの波１１３は、圧電層２でスプリアス信号を変換されて、別電位の配線電極１３３、１３４間の信号に重畳することで、リップルが発生する。このようなリップルの発生原理から、定性的には、信号強度が大きく入力信号に近いほど励振される波は強く、また、支持基板１１１が薄くなるほど、発生から支持基板１１１の端面で反射して再度圧電体層に伝搬する距離が短くなるので、リップルの強度は強くなる傾向がある。図１８では、支持基板１１１なしの場合のインピーダンスＺおよび周波数の関係を符号２６１で示し、支持基板１１１（厚さ５０μｍのＳｉ）ありの場合のインピーダンスＺおよび周波数の関係を符号２６２で示している。
　図１９に示すように、異なる電位を有する配線電極（例えば、信号配線）１３１、１３２間の薄い圧電層２１で励振された厚み滑りモードの波１１４は、支持基板１１１の底面で反射され、再度圧電層２１へ伝搬される。底面で反射され伝搬された厚み滑りモードの波１１３は、支持基板１１１の側面で反射し、再度圧電層２１へ伝搬される。側面で反射され伝搬された厚み滑りモードの波１１５は、圧電層２１でスプリアス信号を変換されて、別電位の配線電極１３３、１３４間の信号に重畳することで、リップルが発生することもある。
　リップルを減衰させる方法としては、例えば、レーザー照射などの方法で支持基板１１１の底面に低音響インピーダンス層の形成する方法、または、支持基板１１１の底面を荒らして不要波を散乱させる方法がある。しかし、いずれの方法も、弾性波素子の機械強度が低くなり、弾性波素子が実装時に破損するなど取り扱いが難しい場合がある。
　本開示の弾性波装置１００は、弾性波素子１と、実装基板１４０と、金属バンプ１５０と、封止樹脂１６０と、不要波を減衰させる減衰部１７０とを備える。弾性波素子１は、素子基板１１０と、素子基板１１０上に設けられた圧電層２と、圧電層２上に設けられた機能電極１２０と、圧電層２上に設けられ機能電極１２０に電気的に接続された配線電極１３０とを含む。素子基板１１０には、素子基板１１０および圧電層２の積層方向に沿って見た平面視において機能電極１２０の一部と重なる位置で空洞部９が設けられている。実装基板１４０は、外部端子１４１を有する。金属バンプ１５０は、配線電極１３０および外部端子１４１を接続する。封止樹脂１６０は、弾性波素子１および金属バンプ１５０を封止する。減衰部１７０は、素子基板１１０の外表面のうち、圧電層２との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる。弾性波素子１の周囲を封止樹脂１６０で固めることで、弾性波素子１全体の機械強度を向上させることができる。また、素子基板１１０の外表面のうち、圧電層２との接触面を除く少なくとも一部に減衰部１７０を設けることで、素子基板１１０および封止樹脂１６０間の密着が向上し、素子基板１１０および封止樹脂１６０の界面での不要波反射が抑制されるので、封止樹脂１６０内で不要波を減衰させることができる。その結果、機械的強度を確保しつつ不要波を減衰できる弾性波装置１００を実現できる。
　第２実施形態の弾性波装置１００は、次のように構成することもできる。
　素子基板１１０は、支持部材８と、支持部材８上に設けられた接合層７とを含む場合に限らず、接合層７を含んでいなくてもよい。この場合、空洞部９は、例えば、支持部材８に設けられる。
　図２０に示すように、減衰部１７０は、素子基板１１０の一対の主面１１０１、１１０２の各辺に連なる側面に設けられていてもよい。図２０の弾性波装置１００では、減衰部１７０は、凹凸面で構成され、支持部材８の積層方向Ｚに沿って延びる側面８０２に設けられている。凹凸面で構成されている減衰部１７０は、凹凸部の一例である。図２０の弾性波装置１００では、積層方向Ｚに交差する方向（例えば、Ｘ方向）において、接合層７の両端が圧電層２よりも機能電極１２０の近くに位置している。このように構成することで、弾性波素子１および封止樹脂１６０間の密着が向上する。図２０では、弾性波素子１および減衰部１７０以外の弾性波装置１００の構成を省略している。
　図２１～図３０を参照して、図２０の弾性波装置１００の製造方法の一例を説明する。ここでは、犠牲層を用いて空洞部９を形成する方法を用いた弾性波装置１００の製造方法について説明しているが、これに限らず、支持部材８および接合層７を底面からエッチングする方法を用いた弾性波装置１００の製造方法等の他の製造方法を用いることもできる。
　図２１に示すように、圧電層２に犠牲層９１を成膜する。犠牲層９１は、例えば、犠牲層材料を圧電層２表面全面に成膜後、その表面をレジストパターニングし、その後、露出した犠牲層をエッチング後のレジスト除去により形成される。
　図２２に示すように、犠牲層９１が成膜された圧電層２に接合層７を成膜し、研削により平坦化する。これにより、犠牲層９１が接合層７に埋め込まれる。
　図２３に示すように、犠牲層９１が埋め込まれた接合層７に支持部材８を接合して、積層部材２００を形成する。
　図２４に示すように、積層部材２００の圧電層２を研削して薄化すると共に、リフトオフより機能電極１２０および配線電極１３０を薄化した圧電層２上に形成して、積層部材２１０を形成する。
　図２５に示すように、積層部材２１０の圧電層２に犠牲層９１除去用の穴９２を形成して、積層部材２２０を形成する。穴９２は、例えば、レジストパターニング、圧電体層のドライエッチングおよびレジスト除去により形成される。
　図２６に示すように、積層部材２２０のダイシング部分の圧電層２および接合層７を除去して、積層部材２３０を形成する。ダイシング部分の圧電層２および接合層７は、レジストパターニング、ドライエッチングおよびレジスト除去により除去される。圧電層２および接合層７のドライエッチング時の選択比によって、接合層７に逆テーパー部７１を形成し、積層方向Ｚに交差する方向において、接合層７の両端を圧電層２よりも機能電極１２０の近くに位置させることができる。
　図２７に示すように、積層部材２３０に空洞部９を形成して、積層部材２４０を形成する。空洞部９は、レジストパターニング、犠牲層エッチングおよびレジスト除去により犠牲層９１を除去することで形成される。空洞部９を形成することにより、圧電層２にメンブレン部が形成される。
　図２８に示すように、積層部材２４０の配線電極１３０に金属バンプ１５０を形成して、積層部材２５０を形成する。
　図２９に示すように、積層部材２５０のダイシングライン上にレーザーを照射し、支持部材８の内部にへき開部８１０を形成して、積層部材２６０を形成する。
　図３０に示すように、積層部材２６０をへき開部８１０でへき開して、金属バンプ１５０が配線電極１３０に接続された弾性波素子１を個片化する。個片化された弾性波素子１のへき開部８１０が形成されていた部分が減衰部１７０を構成する。金属バンプ１５０を介して個片化された弾性波素子１を実装基板１４０を接続し、弾性波素子１および金属バンプ１５０を封止樹脂１６０で封止することで、弾性波装置１００が形成されて、弾性波装置１００の製造工程が終了する。
　減衰部１７０は、素子基板１１０の他方主面１１０２および側面の両方に設けられていてもよい。図３１～図４１を参照して、減衰部１７０が支持部材８の底面８０１および側面８０２に設けられた弾性波装置１００の製造方法の一例を説明する。
　（第１の例）
　図３１に示すように、図３０に示す金属バンプ１５０が配線電極１３０に接続された弾性波素子１を形成し、金属バンプ１５０を介して弾性波素子１に実装基板１４０を接続する。弾性波素子１は、例えば、フリップチップボンディングにより実装基板１４０に接続される。
　図３２に示すように、実装基板１４０が接続された弾性波素子１および金属バンプ１５０を封止樹脂１６０で封止する。
　図３３に示すように、弾性波素子１および金属バンプ１５０が封止された封止樹脂１６０の支持部材８の底面８０１側の部分を研削して、支持部材８の底面８０１を外部に露出させる。外部に露出させた支持部材８の底面８０１に減衰部１７０を形成する。減衰部１７０は、例えば、次の手段で形成される。低音響インピーダンス層で構成されている減衰部１７０は、低音響インピーダンス部の一例である。
　　（Ａ）研削で支持部材８の底面８０１に凹凸を形成する。
　　（Ｂ）支持部材８の底面８０１の一部または全部を斜めに研削する。
　　（Ｃ）支持部材８の底面８０１にＣＶＤで低密度のＳｉＯ２を成膜することで、低音響インピーダンス層を成膜する。
　　（Ｄ）レーザー照射で支持部材８の底面８０１側の内部に減衰層を形成する。
　図３４に示すように、支持部材８の底面８０１を再度封止樹脂１６０で封止し、ダイシングにより個片化することで、弾性波装置１００が形成されて、弾性波装置１００の製造工程が終了する。支持部材８の底面８０１を封止する封止樹脂１６０は、最初の封止樹脂１６０（図３２参照）と同じ材料でもよいし、異なる材料であってもよい。上記（Ａ）、（Ｃ）および（Ｄ）の手段で支持部材８の底面８０１に減衰部１７０を形成した場合、封止樹脂１６０で支持部材８の底面８０１を封止しなくてもよい。つまり、減衰部１７０は、封止樹脂１６０から外部に露出していてもよい。この場合、弾性波装置１００の製造工数を削減できる。
　（第２の例）
　図２１～図２６の工程を実行して積層部材２３０を形成する。図３５に示すように、形成された積層部材２３０の支持部材８の底面８０１に、減衰部１７０を形成する。減衰部１７０は、個片化される弾性波素子１に対してそれぞれ、例えば、上記（Ａ）、（Ｃ）および（Ｄ）の手段で形成される。その後、減衰部１７０が形成された積層部材２３０に対して図２７～図３０の工程を実行することで、弾性波装置１００が形成されて、弾性波装置１００の製造工程が終了する。
　（第３の例）
　図２１～図３０の工程を実行して弾性波素子１を個片化する。図３６に示すように、弾性波素子１は、支持部材８の底面８０１にダイシングテープ３００を張り付けた後、ダイシングテープ３００をエクスパンドすることによって、積層部材２６０のへき開部８１０をへき開して個片化される。
　図３７に示すように、個片化した弾性波素子１をダイシングテープ３００からピックアップする。この時、弾性波素子１をノズル３１０に吸着し易くするために、ダイシングテープ３００の背面より針３２０で押し出す。この際、針３２０の形状を工夫することで、弾性波素子１の支持部材８の底面８０１に傷をつけることができる。これにより、支持部材８の底面８０１に減衰部１７０を形成できる（図３８参照）。針３２０による傷は、底面８０１を荒らすのと同等の効果を有している。
　図３９に示すように、個片化した弾性波素子１をノズル３１０からツール３３０に置き換え、図４０に示すように、金属バンプ１５０を介して個片化した弾性波素子１を実装基板１４０に接続する。弾性波素子１は、例えば、フリップチップボンディングにより実装基板１４０に接続される。図４１に示すように、実装基板１４０が接続された弾性波素子１および金属バンプ１５０を封止樹脂１６０で封止することで、弾性波装置１００が形成されて、弾性波装置１００の製造工程が終了する。
　第１実施形態の弾性波素子１に、第２実施形態の弾性波素子１の構成の少なくとも一部を追加してもよいし、第２実施形態の弾性波素子１に、第１実施形態の弾性波素子１の構成の少なくとも一部を追加してもよい。
　以上、図面を参照して本開示における種々の実施形態を詳細に説明したが、最後に、本開示の種々の態様について説明する。
　第１態様の弾性波装置は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
を備える。
　第２態様の弾性波装置は、第１態様の弾性波装置において、
　前記素子基板が、支持部材と、前記支持部材の上に設けられた接合層とを含み、
　前記接合層は、前記支持部材の前記圧電体層側に設けられており、
　前記空洞部は、前記積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で前記接合層に設けられている。
　第３態様の弾性波装置は、第１態様または第２態様の弾性波装置において、
　前記減衰部が、前記素子基板の前記積層方向に交差する一対の主面の各辺に連なる側面に設けられている。
　第４態様の弾性波装置は、第１態様または第２態様の弾性波装置において、
　前記減衰部が、前記素子基板の前記積層方向に交差する一対の主面のうち、前記圧電体層側の一方主面とは反対側の他方主面に設けられている。
　第５態様の弾性波装置は、第１態様～第４態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記減衰部が、前記素子基板とは異なる材料で構成される。
　第６態様の弾性波装置は、第１態様～第３態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記減衰部が、凹凸面で構成されている。
　第７態様の弾性波装置は、第４態様の弾性波装置において、
　前記減衰部が、低音響インピーダンス層で構成されている。
　第８態様の弾性波装置は、第１態様～第７態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記減衰部が、前記封止樹脂から外部に露出している。
　第９態様の弾性波装置は、第４態様の弾性波装置において、
　前記減衰部が、前記素子基板の前記積層方向に交差する一対の主面のうち前記圧電体層側の一方主面に対して傾斜する傾斜面で構成されている。
　第１０態様の弾性波装置は、第１態様～第９態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記機能電極が、ＩＤＴ電極である。
　第１１態様の弾性波装置は、第１態様～第１０態様のいずれかの弾性波装置において、
　板波を利用可能に構成されている。
　第１２態様の弾性波装置は、第１態様～第１０態様のいずれかの弾性波装置において、
　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。
　第１３態様の弾性波装置は、第１態様～第１０態様の弾性波装置において、
　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなり、
　前記機能電極が、ＩＤＴ電極であり、
　前記ＩＤＴ電極が、前記積層方向に交差する方向において対向する第１電極指及び第２電極指を備え、
　前記第１電極指及び前記第２電極指は隣り合う電極同士であり、
　前記圧電体層の厚みをｄ、前記第１電極指及び前記第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。
　第１４態様の弾性波装置は、第１３態様の弾性波装置において、
　ｄ／ｐが０．２４以下である。
　第１５態様の弾性波装置は、第１態様～第１０態様、第１３態様および第１４態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記機能電極が、ＩＤＴ電極であり、
　前記ＩＤＴ電極が、前記積層方向に交差する方向において対向する第１電極指及び第２電極指を備え、
　前記第１電極指及び前記第２電極指は隣り合う電極同士であり、
　前記圧電体層の厚みをｄ、前記第１電極指及び前記第２電極指との中心間距離をｐとした場合、前記積層方向に交差する方向において、前記第１電極指及び前記第２電極指が重なり合っている領域である励振領域に対する、前記励振領域内の前記第１電極指及び前記第２電極指の面積の割合であるメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。
　第１６態様の弾性波装置は、第１態様～第１０態様および第１３態様～第１５態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなり、
　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　第１７態様の弾性波装置の製造方法は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
を備える、弾性波装置の製造方法であって、
　前記減衰部をレーザー照射により前記素子基板の内部に形成する。
　第１８態様の弾性波装置の製造方法は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
を備える、弾性波装置の製造方法であって、
　前記減衰部を化学蒸着法でＳｉＯ２を成膜することにより形成する。
　第１９態様の弾性波装置の製造方法は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
を備える、弾性波装置の製造方法であって、
　個片化された前記弾性波素子を前記実装基板にフリップチップボンディングする工程で、前記素子基板の前記積層方向に交差する一対の主面のうち、前記圧電体層側の一方主面とは反対側の他方主面に、前記減衰部を設ける。
　第２０態様の弾性波装置は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、前記素子基板とは異なる材料で構成される異材料部と
を備える。
　第２１態様の弾性波装置は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、凹凸面で構成されている凹凸部と
を備える。
　第２２態様の弾性波装置は、
　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
　外部端子を有する実装基板と、
　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、低音響インピーダンス層で構成されている低音響インピーダンス部と
を備える。
　前記様々な実施形態または変形例のうちの任意の実施形態または変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。また、実施形態同士の組み合わせまたは実施例同士の組み合わせまたは実施形態と実施例との組み合わせが可能であると共に、異なる実施形態または実施例の中の特徴同士の組み合わせも可能である。
　本開示は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本開示の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。

Claims (19)

  1. 　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
    　外部端子を有する実装基板と、
    　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
    　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
    　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
    を備える、弾性波装置。
  2. 　前記素子基板が、支持部材と、前記支持部材の上に設けられた接合層とを含み、
    　前記接合層は、前記支持部材の前記圧電体層側に設けられており、
    　前記空洞部は、前記積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で前記接合層に設けられている、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記減衰部が、前記素子基板の前記積層方向に交差する一対の主面の各辺に連なる側面に設けられている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記減衰部が、前記素子基板の前記積層方向に交差する一対の主面のうち、前記圧電体層側の一方主面とは反対側の他方主面に設けられている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  5. 　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
    　外部端子を有する実装基板と、
    　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
    　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
    　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、前記素子基板とは異なる材料で構成される異材料部と
    を備える、弾性波装置。
  6. 　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
    　外部端子を有する実装基板と、
    　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
    　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
    　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、凹凸面で構成されている凹凸部と
    を備える、弾性波装置。
  7. 　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
    　外部端子を有する実装基板と、
    　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
    　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
    　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、低音響インピーダンス層で構成されている低音響インピーダンス部と
    を備える、弾性波装置。
  8. 　前記減衰部が、前記封止樹脂から外部に露出している、請求項１～７のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記減衰部が、前記素子基板の前記積層方向に交差する一対の主面のうち前記圧電体層側の一方主面に対して傾斜する傾斜面で構成されている、請求項４に記載の弾性波装置。
  10. 　前記機能電極が、ＩＤＴ電極である、請求項１～９のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  11. 　板波を利用可能に構成されている、請求項１～１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  12. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項１～１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなり、
    　前記機能電極が、ＩＤＴ電極であり、
    　前記ＩＤＴ電極が、前記積層方向に交差する方向において対向する第１電極指及び第２電極指を備え、
    　前記第１電極指及び前記第２電極指は隣り合う電極同士であり、
    　前記圧電体層の厚みをｄ、前記第１電極指及び前記第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項１～１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  14. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項１３に記載の弾性波装置。
  15. 　前記機能電極が、ＩＤＴ電極であり、
    　前記ＩＤＴ電極が、前記積層方向に交差する方向において対向する第１電極指及び第２電極指を備え、
    　前記第１電極指及び前記第２電極指は隣り合う電極同士であり、
    　前記圧電体層の厚みをｄ、前記第１電極指及び前記第２電極指との中心間距離をｐとした場合、前記積層方向に交差する方向において、前記第１電極指及び前記第２電極指が重なり合っている領域である励振領域に対する、前記励振領域内の前記第１電極指及び前記第２電極指の面積の割合であるメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１～１０、１３および１４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  16. 　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなり、
    　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項１～１０および１３～１５のいずれか一項に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
  17. 　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
    　外部端子を有する実装基板と、
    　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
    　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
    　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
    を備える、弾性波装置の製造方法であって、
    　前記減衰部をレーザー照射により前記素子基板の内部に形成する、製造方法。
  18. 　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
    　外部端子を有する実装基板と、
    　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
    　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
    　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
    を備える、弾性波装置の製造方法であって、
    　前記減衰部を化学蒸着法でＳｉＯ２を成膜することにより形成する、製造方法。
  19. 　素子基板と、前記素子基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極と、前記圧電体層上に設けられ前記機能電極に電気的に接続された配線電極とを含み、前記素子基板には、前記素子基板および前記圧電体層の積層方向に沿って見た平面視において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられている弾性波素子と、
    　外部端子を有する実装基板と、
    　前記配線電極および前記外部端子を接続する金属バンプと、
    　前記弾性波素子および前記金属バンプを封止する封止樹脂と、
    　前記素子基板の外表面のうち、前記圧電体層との接触面を除く少なくとも一部に設けられ、不要波を減衰させる減衰部と
    を備える、弾性波装置の製造方法であって、
    　個片化された前記弾性波素子を前記実装基板にフリップチップボンディングする工程で、前記素子基板の前記積層方向に交差する一対の主面のうち、前記圧電体層側の一方主面とは反対側の他方主面に、前記減衰部を設ける、製造方法。
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