WO2023058713A1 - 弾性波素子の製造方法および弾性波素子 - Google Patents

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WO2023058713A1
WO2023058713A1 PCT/JP2022/037439 JP2022037439W WO2023058713A1 WO 2023058713 A1 WO2023058713 A1 WO 2023058713A1 JP 2022037439 W JP2022037439 W JP 2022037439W WO 2023058713 A1 WO2023058713 A1 WO 2023058713A1
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WO
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electrode
elastic wave
piezoelectric layer
wave device
support substrate
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PCT/JP2022/037439
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English (en)
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心弥 城之薗
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to an acoustic wave device manufacturing method and an acoustic wave device.
  • Patent Document 1 discloses an elastic wave device that uses plate waves.
  • An acoustic wave device described in Patent Document 1 includes a support, a piezoelectric substrate, and an IDT electrode.
  • the support is provided with a cavity.
  • a piezoelectric substrate is provided on the support so as to overlap the cavity.
  • the IDT electrode is provided on the piezoelectric substrate so as to overlap the cavity.
  • plate waves are excited by IDT electrodes.
  • An object of the present disclosure is to provide an acoustic wave device manufacturing method and an acoustic wave device that can suppress the occurrence of cracks.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device includes: a support substrate; a piezoelectric layer provided on the support substrate; and a functional electrode provided on the piezoelectric layer.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device in which a cavity is provided at a position overlapping with a part of the functional electrode, prepare the wafer, affixing the wafer to a dicing tape; Dicing the wafer to singulate the acoustic wave device, separating the elastic wave element from the dicing tape by abutting at least one pin against the elastic wave element through the dicing tape, and picking up the elastic wave element; A position at which the at least one pin is abutted against the acoustic wave element is arranged at a position different from that of the hollow portion in the stacking direction.
  • An acoustic wave device includes: a support substrate; a piezoelectric layer provided on the support substrate; a functional electrode provided on the piezoelectric layer,
  • the support substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping at least a part of the functional electrode in the lamination direction of the support substrate and the piezoelectric layer,
  • the functional electrode and the hollow portion are positioned offset from the center of the support substrate in the stacking direction.
  • An acoustic wave device includes: a support substrate; a piezoelectric layer provided on the support substrate; a functional electrode provided on the piezoelectric layer,
  • the support substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping at least a part of the functional electrode in the lamination direction of the support substrate and the piezoelectric layer,
  • the surface of the support substrate facing the piezoelectric layer has a plurality of bump marks that are contact marks with pins, The centers of gravity of the plurality of bump marks are arranged at the center of the support substrate in the stacking direction.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing the appearance of elastic wave devices according to first and second aspects;
  • FIG. Plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer Sectional view of the part along the AA line in FIG. 1A Schematic front sectional view for explaining a Lamb wave propagating through a piezoelectric film of a conventional elastic wave device.
  • Schematic front cross-sectional view for explaining waves of the elastic wave device of the present disclosure Schematic diagram showing a bulk wave when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode so that the potential of the second electrode is higher than that of the first electrode.
  • FIG. 4 is a diagram showing resonance characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between d/2p and the fractional bandwidth as a resonator of an elastic wave device;
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the fractional bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious;
  • a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth A diagram showing a map of the fractional bandwidth with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. 1 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. Schematic plan view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present disclosure Schematic cross-sectional view of the elastic wave device of FIG. 13 cut along line AA
  • FIG. Schematic plan view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present disclosure Schematic cross-sectional view of the elastic wave device of FIG. 13 cut along line AA
  • FIG. A diagram for explaining a method for manufacturing the elastic wave device of FIG.
  • FIG. A diagram for explaining a method for manufacturing the elastic wave device of FIG.
  • FIG. Schematic plan view of elastic wave device of Modification 1
  • Elastic wave devices include a piezoelectric layer containing lithium niobate or lithium tantalate, a first electrode and a second electrode facing each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer. and an electrode.
  • a thickness shear mode bulk wave is used.
  • the first electrode and the second electrode are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer is d, and the distance between the centers of the first electrode and the second electrode is p.
  • d/p is 0.5 or less.
  • Lamb waves are used as plate waves. Resonance characteristics due to the Lamb wave can be obtained.
  • An acoustic wave device includes a piezoelectric layer containing lithium niobate or lithium tantalate, and an upper electrode and a lower electrode facing each other in the thickness direction of the piezoelectric layer with the piezoelectric layer interposed therebetween.
  • FIG. 1A is a schematic perspective view showing the appearance of an acoustic wave device according to a first embodiment with respect to first and second aspects
  • FIG. 1B is a plan view showing an electrode structure on a piezoelectric layer
  • 2 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 1A.
  • Acoustic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 comprising LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may contain LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 or LiTaO 3 is Z-cut in this embodiment, but may be rotational Y-cut or X-cut.
  • Y propagation and X propagation ⁇ 30° propagation orientations are preferred.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, it is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness-shear mode.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other. Electrodes 3 and 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode 3 is an example of the "first electrode” and the electrode 4 is an example of the "second electrode”.
  • the multiple electrodes 3 are multiple first electrode fingers connected to the first busbar 5 .
  • the multiple electrodes 4 are multiple second electrode fingers connected to the second bus bar 6 .
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interleaved with each other.
  • the electrodes 3 and 4 have a rectangular shape and a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction perpendicular to the length direction.
  • These electrodes 3 and 4, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 constitute an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
  • IDT Interdigital Transducer
  • Both the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 are directions crossing the thickness direction of the piezoelectric layer 2 . Therefore, it can be said that the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2 .
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 may be interchanged with the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first busbar 5 and the second busbar 6 extend. In that case, first bus bar 5 and second bus bar 6 extend in the direction in which electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B.
  • a plurality of pairs of structures in which an electrode 3 connected to one potential and an electrode 4 connected to the other potential are adjacent to each other are provided in a direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 .
  • the electrodes 3 and 4 are adjacent to each other, it does not mean that the electrodes 3 and 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but that the electrodes 3 and 4 are arranged with a gap therebetween. point to
  • no electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrodes 3 and 4 is arranged between the electrode 3 and the electrode 4.
  • the number of electrode pairs from the electrodes 3 and 4 does not have to be an integer pair, and may be 1.5 pairs or 2.5 pairs.
  • the center-to-center distance or pitch between the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. Further, the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 means the center of the width dimension of the electrode 3 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode 3 and the width dimension of the electrode 4 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode 4.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 is 1. .
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimension in the facing direction of the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 means the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the distance between the center of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. It is the distance connecting the center of the dimension (width dimension) of
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2 .
  • “perpendicular” is not limited to being strictly perpendicular, but substantially perpendicular (the angle formed by the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is, for example, 90° ⁇ 10°). It's okay.
  • a supporting member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an insulating layer 7 interposed therebetween.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame shape and, as shown in FIG. 2, openings 7a and 8a.
  • a cavity 9 is thereby formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to disturb the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2 . Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b with the insulating layer 7 interposed therebetween at a position not overlapping the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be directly or indirectly laminated to the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 .
  • the insulating layer 7 contains silicon oxide.
  • a suitable insulating material such as silicon oxynitride and alumina can be used.
  • the support member 8 contains Si.
  • the plane orientation of the surface of Si on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • high-resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable.
  • the support member 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Materials for the support member 8 include, for example, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the materials of the plurality of electrodes 3, 4 and the first and second bus bars 5, 6 are suitable metals or alloys such as Al, AlCu alloys.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesion layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the multiple electrodes 3 and the multiple electrodes 4 . More specifically, an AC voltage is applied between the first busbar 5 and the second busbar 6 . As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using bulk waves in the thickness-shear mode excited in the piezoelectric layer 2 .
  • d/p is 0.0, where d is the thickness of the piezoelectric layer 2 and p is the center-to-center distance between any one of the pairs of electrodes 3 and 4 adjacent to each other. 5 or less. Therefore, the thickness-shear mode bulk wave is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the center-to-center distance p of the electrodes 3 and 4 is the average distance between the center-to-center distances of each adjacent electrode 3 and 4 .
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment has the above configuration, even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides, and the propagation loss is small. Moreover, the fact that the reflector is not required is due to the fact that the thickness shear mode bulk wave is used.
  • FIG. 3A is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of a conventional elastic wave device.
  • a conventional elastic wave device is described, for example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-257019.
  • waves propagate through the piezoelectric film 201 as indicated by arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b face each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. is.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are arranged. As shown in FIG.
  • the wave propagates in the X direction as shown. Since it is a plate wave, although the piezoelectric film 201 as a whole vibrates, since the wave propagates in the X direction, reflectors are arranged on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, a wave propagation loss occurs, and the Q value decreases when miniaturization is attempted, that is, when the logarithm of the electrode fingers is decreased.
  • the wave is generated between the first main surface 2a and the second main surface 2a of the piezoelectric layer 2. It propagates almost in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component.
  • This propagation of waves in the Z direction provides resonance characteristics and does not require a reflector. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • FIG. 4 schematically shows bulk waves when a voltage is applied between the electrodes 3 and 4 so that the potential of the electrode 4 is higher than that of the electrode 3 .
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between the first main surface 2a and a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2 .
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • At least one pair of electrodes consisting of the electrodes 3 and 4 is arranged. It is not always necessary to have a plurality of pairs of electrode pairs. That is, it is sufficient if at least one pair of electrodes is provided.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • Electrode 3 may be connected to ground potential and electrode 4 to hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrodes are provided.
  • FIG. 5 is a diagram showing resonance characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 with this resonance characteristic are as follows.
  • the number of pairs of electrodes 3 and 4 21 pairs
  • center distance between electrodes 3 ⁇ m
  • width of electrodes 3 and 4 500 nm
  • d/p 0.133.
  • Insulating layer 7 Silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is the dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the inter-electrode distances of the electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 are all the same in a plurality of pairs. That is, the electrodes 3 and 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is more preferably 0.5 or less, as described above. is less than or equal to 0.24. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between this d/2p and the fractional bandwidth of the acoustic wave device as a resonator.
  • a resonator with a wider specific band can be obtained, and a resonator with a higher coupling coefficient can be realized. Therefore, like the elastic wave device of the second aspect of the present disclosure, by setting d/p to 0.5 or less, a resonator having a high coupling coefficient using the thickness shear mode bulk wave is configured. you know you can.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and p is the center-to-center distance between adjacent electrodes 3 and 4 in the case of one pair of electrodes. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of adjacent electrodes 3 and 4 should be p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer if the piezoelectric layer 2 has variations in thickness, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view of another elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • elastic wave device 31 a pair of electrodes having electrode 3 and electrode 4 is provided on first main surface 2 a of piezoelectric layer 2 .
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if d/p is 0.5 or less, bulk waves in the thickness-shear mode can be effectively excited.
  • the adjacent electrodes 3 and 4 with respect to the excitation region, which is an overlapping region when viewed in the direction in which any of the adjacent electrodes 3 and 4 face each other. It is desirable that the metallization ratio MR of the electrodes 3 and 4 satisfy MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. That is, when viewed in the direction in which the plurality of adjacent first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers face each other, the region where the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers overlap is excited.
  • MR is the metallization ratio of the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers to the excitation region. MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. preferably fulfilled. In that case, spurious can be effectively reduced.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the acoustic wave device 1.
  • a spurious signal indicated by an arrow B appears between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • the excitation region means a region where the electrode 3 and the electrode 4 overlap each other when the electrodes 3 and 4 are viewed in a direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4, that is, in a facing direction. and a region where the electrodes 3 and 4 in the region between the electrodes 3 and 4 overlap.
  • the area of the electrodes 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of this excitation region is the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallization portion to the area of the drive region.
  • MR may be the ratio of the metallization portion included in the entire excitation region to the total area of the excitation region.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the fractional bandwidth and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious when a large number of acoustic wave resonators are configured according to this embodiment. be.
  • the ratio band was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer and the dimensions of the electrodes.
  • FIG. 9 shows the results when a piezoelectric layer containing Z-cut LiNbO 3 is used, but the same tendency is obtained when piezoelectric layers with other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more changes the parameters constituting the fractional band, even if the passband appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious component indicated by arrow B appears within the band. Therefore, the specific bandwidth is preferably 17% or less. In this case, by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrodes 3 and 4, the spurious response can be reduced.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • various elastic wave devices having different d/2p and MR were constructed, and the fractional bandwidth was measured.
  • the hatched portion on the right side of the dashed line D in FIG. 10 is the area where the fractional bandwidth is 17% or less.
  • FIG. 11 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • the hatched portion in FIG. 11 is a region where a fractional bandwidth of at least 5% or more is obtained, and when the range of the region is approximated, the following formulas (1), (2) and (3) ).
  • the fractional band can be sufficiently widened, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the elastic wave device 81 has a support substrate 82 .
  • the support substrate 82 is provided with a concave portion that is open on the upper surface.
  • a piezoelectric layer 83 is laminated on the support substrate 82 .
  • a hollow portion 9 is thereby formed.
  • An IDT electrode 84 is provided on the piezoelectric layer 83 above the cavity 9 .
  • Reflectors 85 and 86 are provided on both sides of the IDT electrode 84 in the elastic wave propagation direction.
  • the outer periphery of the hollow portion 9 is indicated by broken lines.
  • the IDT electrode 84 has first and second bus bars 84a and 84b, an electrode 84c as a plurality of first electrode fingers and an electrode 84d as a plurality of second electrode fingers.
  • the multiple electrodes 84c are connected to the first bus bar 84a.
  • the multiple electrodes 84d are connected to the second bus bar 84b.
  • the multiple electrodes 84c and the multiple electrodes 84d are interposed.
  • a Lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the IDT electrodes 84 on the cavity 9. Since the reflectors 85 and 86 are provided on both sides, it is possible to obtain the resonance characteristics due to the Lamb wave.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • FIG. 13 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of the elastic wave device of FIG. 13 taken along line AA.
  • elastic wave device 100 includes support member 101 , piezoelectric layer 110 and resonator 120 .
  • a hollow portion 130 is provided in the support member 101 , and a wiring electrode 140 is electrically connected to the resonator 120 .
  • a bump 150 electrically connected to the wiring electrode 140 is provided on the wiring electrode 140 .
  • the acoustic wave device 100 may also be referred to as an acoustic wave element 100 herein.
  • the support member 101 has a support substrate 102 and an intermediate layer 103 .
  • the support member 101 is composed of a laminate of a support substrate 102 containing Si and an intermediate layer 103 laminated on the support substrate 102 and containing SiOx. Note that the support member 101 only needs to have the support substrate 102 and does not have to have the intermediate layer 103 .
  • Intermediate layer 103 may be referred to herein as bonding layer 103 .
  • the support substrate 102 is a substrate having a thickness in the first direction D11.
  • the “first direction” is the thickness direction of the support substrate 102 and means the lamination direction in which the support member 101 and the piezoelectric layer 110 are laminated.
  • a hollow portion 130 is provided in the support member 101 .
  • Cavity 130 may be referred to herein as space 130 .
  • the hollow portion 130 is provided between the support member 101 and the piezoelectric layer 110 . That is, the cavity 130 is a space defined by the support member 101 and the piezoelectric layer 110 . In this embodiment, the cavity 130 is provided in the intermediate layer 103 . Specifically, the intermediate layer 103 is provided with a recess opening on the surface opposite to the surface in contact with the support substrate 102 . A hollow portion 130 is formed by covering the recess with the piezoelectric layer 110 .
  • the hollow portion 130 may be provided in a part of the support member 101 . If the support member 101 does not have the intermediate layer 103 , the cavity 130 may be provided in the support substrate 102 .
  • the piezoelectric layer 110 is provided on the support member 101 .
  • the piezoelectric layer 110 is laminated on the support member 101 in the first direction D11.
  • the piezoelectric layer 110 is provided on the intermediate layer 103 .
  • the piezoelectric layer 110 is provided on the surface of the intermediate layer 103 opposite to the surface in contact with the support substrate 102 .
  • the piezoelectric layer 110 may be referred to herein as the piezoelectric layer 110 .
  • the portion of the piezoelectric layer 110 located in the region overlapping the cavity portion 130 when viewed in plan in the first direction D11 is referred to as the membrane portion 111.
  • “planarly viewed in the first direction D11” means viewing from the lamination direction of the support member 101 and the piezoelectric layer 110 .
  • “in the lamination direction of the support member and the piezoelectric layer” according to the present disclosure means “in plan view in the first direction D11" in the present specification.
  • the hollow portion 130 may be provided in the support member 101 at a position overlapping at least a portion of the resonator 120 in plan view in the first direction D11.
  • the hollow portion 130 is located off the center of the support substrate 102 in plan view in the first direction D11.
  • the hollow portion 130 is located off the center of the support substrate 102 in the stacking direction of the support member 101 and the piezoelectric layer 110 .
  • the "center" may be the centroid when viewed in plan in the first direction D11, or may be the position of the center of gravity when viewed in plan in the first direction D11. Also, the center is not limited to the center in a strict sense.
  • the center C of the elastic wave device 100, the center of the supporting member 101 (supporting substrate 102), and the center of the piezoelectric layer 110 coincide with each other. That is, the "center C of the acoustic wave device 100", the “center of the support member 101 (support substrate 102)", and the “center of the piezoelectric layer 110" can be interchanged.
  • the surface of the support member 101 opposite to the surface in contact with the piezoelectric layer 110 has bump marks 160, which are contact marks with the bump pins 312 (shown in FIG. 21).
  • the bump marks 160 may be dents or scratches, or fragments of a dicing tape 310 (shown in FIG. 21), which will be described later.
  • the abutment mark 160 is arranged at a position different from that of the hollow portion 130 in plan view in the first direction D11. In other words, the abutment mark 160 is arranged at a different position from the hollow portion 130 in the stacking direction of the support member 101 and the piezoelectric layer 110 .
  • the bump mark 160 is arranged at the center of the support substrate 102 when viewed in plan in the first direction D11.
  • the piezoelectric layer 110 contains LiNbOx or LiTaOx, for example.
  • piezoelectric layer 110 comprises lithium niobate or lithium tantalate.
  • the thickness of the piezoelectric layer 110 is thinner than the thickness of the intermediate layer 103 .
  • the resonator 120 has functional electrodes provided on the piezoelectric layer 110 .
  • the functional electrode may also be referred to as an electrode portion.
  • the functional electrodes are IDT electrodes.
  • the IDT electrodes include a first bus bar 121 and a second bus bar 122 facing each other, a plurality of first electrode fingers 123 connected to the first bus bar 121, and a plurality of second electrode fingers 124 connected to the second bus bar 122. have The plurality of first electrode fingers 123 and the plurality of second electrode fingers 124 are interposed with each other, and adjacent first electrode fingers 123 and second electrode fingers 124 form a pair of electrode sets.
  • the plurality of first electrode fingers 123 and the plurality of second electrode fingers 124 extend in a second direction D12 that intersects with the first direction D11 and overlap each other when viewed from a third direction D13 that intersects with the second direction D12. are placed.
  • the second direction D ⁇ b>12 is the plane direction of the piezoelectric layer 110 , which intersects the stacking direction in which the support member 101 and the piezoelectric layer 110 are stacked.
  • the plane direction of the piezoelectric layer 110 is the direction in which the surface of the piezoelectric layer 110 extends when viewed from above in the first direction D11.
  • a third direction D13 is a direction orthogonal to the second direction D12 in a plan view of the first direction D11, and is a direction in which the plurality of first electrode fingers 123 and the plurality of second electrode fingers 124 are arranged. That is, the third direction D13 is the facing direction in which the plurality of adjacent first electrode fingers 123 and the plurality of second electrode fingers 124 face each other.
  • the plurality of first electrode fingers 123 and the plurality of second electrode fingers 124 are arranged to face each other adjacent to each other.
  • the plurality of first electrode fingers 123 and the plurality of second electrode fingers 124 are arranged to overlap each other. That is, the plurality of first electrode fingers 123 and the plurality of second electrode fingers 124 are alternately arranged in the third direction D13. Specifically, adjacent first electrode fingers 123 and second electrode fingers 124 are arranged to face each other to form a pair of electrode sets. In the resonator 120, multiple electrode sets are arranged in the third direction D13.
  • the plurality of first electrode fingers 123 extend in a second direction D12 intersecting the first direction D11. Base ends of the plurality of first electrode fingers 123 are connected to the first bus bar 121 .
  • the plurality of second electrode fingers 124 face any one of the plurality of first electrode fingers 123 in a third direction D13 orthogonal to the second direction D12 and extend in the second direction D12. Base ends of the plurality of second electrode fingers 124 are connected to the second bus bar 122 .
  • a region where the plurality of first electrode fingers 123 and the plurality of second electrode fingers 124 are arranged to overlap in the third direction D13 is the excitation region C1. That is, the excitation region C1 includes the plurality of first electrode fingers 123 and the plurality of second electrode fingers 123 when viewed in the direction in which the adjacent first electrode fingers 123 and the second electrode fingers 124 face each other, ie, the third direction D13. This is the area where the electrode fingers 124 overlap.
  • the excitation region C1 may be referred to herein as the intersection region C1.
  • the IDT electrode is provided on the piezoelectric layer 110 at a position overlapping with the cavity 130 when viewed in plan in the first direction D11.
  • the hollow portion 130 is provided at a position overlapping with the first bus bar 121, the second bus bar 122, the plurality of first electrode fingers 123, and the plurality of second electrode fingers 124 in plan view in the first direction D11.
  • the IDT electrodes are provided on the membrane portion 111 .
  • the IDT electrode may be provided on at least a portion of the membrane portion 111 when viewed in plan in the first direction D11.
  • the IDT electrodes are positioned off the center of the support substrate 102 in plan view in the first direction D11. In other words, the IDT electrodes are positioned offset from the center of the support substrate 102 in the stacking direction of the support member 101 and the piezoelectric layer 110 .
  • the IDT electrodes are connected to wiring electrodes 140 .
  • wiring electrode 140 is provided on first bus bar 121 and second bus bar 122 .
  • the wiring electrodes 140 are electrically connected to the first bus bar 121 and the second bus bar 122 respectively.
  • the wiring electrodes 140 are arranged so as to overlap the first bus bar 121 and the second bus bar 122 when viewed in plan in the first direction D11.
  • the wiring electrode 140 may be arranged on at least one of the first bus bar 121 and the second bus bar 122 .
  • the bumps 150 are provided on the wiring electrodes 140 .
  • the bumps 150 are electrically connected to the wiring electrodes 140 .
  • a dielectric film may be provided on the piezoelectric layer 110 so as to cover the IDT electrodes. Note that the dielectric film does not necessarily have to be provided.
  • the piezoelectric layer 110 is provided with a plurality of through-holes 112 reaching the hollow portion 130 .
  • the plurality of through holes 112 are provided on both outer sides of the IDT electrodes in the third direction D13 when viewed in plan in the first direction D11.
  • a plurality of through holes 112 communicate with cavity 130 .
  • the plurality of through holes 112 has, for example, a rectangular shape when viewed in the first direction D11.
  • a wafer 300 is prepared as shown in FIG. Wafer 300 includes support member 101 , piezoelectric layer 110 , resonator 120 , cavity 130 , and wiring electrode 140 .
  • step S2 bumps 150 are formed on the wiring electrodes 140 of the wafer 300, as shown in FIG. Formation of bump 150 may be performed in a known manner.
  • step S3 the wafer 300 is attached to the dicing tape 310 as shown in FIG. Specifically, the surface of the support member 101 of the wafer 300 opposite to the piezoelectric layer 110 is attached to the dicing tape 310 . That is, the support substrate 102 of the wafer 300 is attached to the dicing tape 310 .
  • the dicing tape 310 is an ultraviolet curable adhesive tape, and its adhesive strength is reduced when it is irradiated with ultraviolet rays.
  • step S4 the wafer 300 is diced into a plurality of acoustic wave devices 100 as shown in FIG. Dicing may be performed by blade dicing or by laser dicing.
  • the adhesive strength of the dicing tape 310 may be reduced, and the acoustic wave device 100 may be easily peeled off from the dicing tape 310 .
  • step S5 the individualized elastic wave devices 100 are peeled off from the dicing tape 310 by the pick-up nozzle 311 and the abutting pin 312, and picked up by the pick-up nozzle 311.
  • a known pickup nozzle can be used for the pickup nozzle 311 .
  • the abutment pin 312 is an example of a pin according to the present disclosure.
  • the abutment pin 312 is mechanically connected to the driving device 313 and is movable in the first direction D11 by the driving device 313 .
  • the pickup nozzle 311 moves from the element surface side of the elastic wave device 100 (upper side in FIG. 20) toward the elastic wave device 100 in the first direction D11, and the pickup nozzle 311 and the elastic wave device 100 contact with the bump 150 .
  • one abutting pin 312 moves toward the elastic wave device 100 in the first direction D11 from the side opposite to the element surface of the elastic wave device 100 (lower side in FIG. By hitting the wave device 100, the elastic wave device 100 is pushed toward the pickup nozzle 311 side.
  • the elastic wave device 100 is separated from the dicing tape 310 by the abutment pin 312 pushing the elastic wave device 100 via the dicing tape 310 .
  • the abutment of the elastic wave device 100 by the abutment pin 312 and the contact between the pickup nozzle 311 and the bump 150 of the elastic wave device 100 are performed simultaneously. After that, the pickup nozzle 311 and the elastic wave device 100 are fixed by the pickup nozzle 311 sucking onto the bump 150 of the elastic wave device 100 .
  • the suction of the bump 150 of the elastic wave device 100 by the pickup nozzle 311 may be performed simultaneously with the contact between the bump 150 of the elastic wave device 100 and the pickup nozzle 311 .
  • the position at which one abutting pin 312 is abutted against the elastic wave device 100 is located at the center of the support substrate 102 when viewed from above in the first direction D11.
  • the hollow portion 130 and the functional electrode are not arranged on the extension line of one abutment pin 312 .
  • the pickup nozzle 311 moves away from the dicing tape 310 to pick up the elastic wave device 100 .
  • step S6 the elastic wave device 100 is reversed by reversing (flipping) the pickup nozzle 311 .
  • step S7 the elastic wave device 100 is transferred from the pickup nozzle 311 to the mounting tool 314.
  • the mounting tool 314 is fixed to the elastic wave device 100 by being attracted to the side of the elastic wave device 100 opposite to the element surface, that is, the support member 101 side.
  • step S8 the mounting tool 314 mounts the elastic wave device 100 on the mounting substrate 301, as shown in FIG. Specifically, the elastic wave device 100 is mounted on the mounting substrate 301 by bonding the bumps 150 of the elastic wave device 100 to the wirings 301 a of the mounting substrate 301 .
  • the wafer 300 is prepared, the wafer 300 is attached to the dicing tape 310, the wafer 300 is diced, the elastic wave device 100 is singulated, and the elastic wave device is separated.
  • 100 by abutting at least one abutting pin 312 through the dicing tape 310 to separate the elastic wave device 100 from the dicing tape 310 and back up the elastic wave device 100 .
  • a position at which one abutting pin 312 is abutted against the elastic wave device 100 is arranged at a position different from the hollow portion 130 in the first direction D11.
  • the position at which one abutting pin 312 is abutted against the elastic wave device 100 is arranged at a position different from the hollow portion 130 in plan view in the first direction D11.
  • the membrane portion 111 is a portion of the piezoelectric layer 110 located in a region overlapping with the hollow portion 130 when viewed in plan in the first direction D11. is also low. For this reason, if the position at which the abutment pin 312 abuts against the elastic wave device 100 is arranged at a position that overlaps with the hollow portion 130 in plan view in the first direction D11, the force of the abutment pin 312 is It may act on the membrane portion 111 and cause cracks. In contrast, in such a manufacturing method, the position at which the abutment pin 312 abuts against the elastic wave device 100 is arranged at a position different from the hollow portion 130 in plan view in the first direction D11. It is possible to suppress the force of the contact pin 312 from acting on the membrane portion 111 . As a result, the occurrence of cracks can be suppressed.
  • the position at which one abutting pin 312 is abutted against the elastic wave device 100 is located at the center C of the elastic wave device 100 in the first direction D11.
  • the position at which one abutting pin 312 is abutted against the elastic wave device 100 is located at the center C of the elastic wave device 100 in a plan view in the first direction D11.
  • first through-hole 112A and the second through-hole 112B are provided on both outer sides of the resonator 120 , but the present invention is not limited to this.
  • one or more through holes 112 may be provided outside at least one of the resonators 120 .
  • the hollow portion 130 is provided at a position overlapping the first busbar 121 and the second busbar 122 in plan view in the first direction D11, but the present invention is not limited to this.
  • the hollow portion 130 may be provided at a position that does not overlap the first busbar 121 and the second busbar 122 when viewed in plan in the first direction D11.
  • the through-hole 112 can also be used as an etching hole for introducing an etching solution, for example.
  • the IDT electrodes may be provided on the piezoelectric layer 110 in the first direction D11.
  • the IDT electrode may be provided on the side of the piezoelectric layer 110 on which the cavity 130 is provided.
  • ⁇ Modification 1> 25 is a schematic plan view of an elastic wave device of Modification 1.
  • FIG. 25 in the elastic wave device 100A, the bump 150 is arranged at the center C of the elastic wave device 100A when viewed in plan in the first direction D11. Different from 100.
  • the bump marks 160 are arranged at positions overlapping the bumps 150 when viewed in plan in the first direction D11. That is, in the method of manufacturing the elastic wave device 100A of the modified example 1, the position at which the one abutting pin 312 hits the elastic wave device 100A overlaps the bump 150 when viewed in plan in the first direction D11.
  • the position where one bumping pin 312 bumps against the elastic wave device 100A overlaps the bump 150 when viewed in the first direction D11, so the force of the bumping pin 312 acts on the elastic wave device 100A.
  • the bending of the support substrate 102 when the substrate is pressed is reduced. As a result, the occurrence of cracks can be suppressed.
  • FIG. 26 is a schematic plan view of an elastic wave device of Modification 2.
  • the elastic wave device 100B differs from the elastic wave device 100 of the second embodiment in that a plurality of bump marks 160 are provided.
  • the plurality of bump marks 160 are arranged at positions different from the hollow portion 130 when viewed in plan in the first direction D11.
  • the plurality of bump marks 160 are arranged rotationally symmetrically with respect to the center C of the elastic wave device 100B in plan view in the first direction D11. That is, the center of gravity G of the plurality of hit marks 160 overlaps the center C of the elastic wave device 100B when viewed in the first direction D11.
  • the center of gravity G of the plurality of bump marks 160 may be the geometric center of the bump marks 160 when viewed in plan in the first direction D11.
  • the pick-up nozzle 311 and the plurality of abutment pins 312 are used to separate the individualized elastic wave devices 100 from the dicing tape 310 and pick them up.
  • the center of gravity of the plurality of positions at which the plurality of abutment pins 312 are abutted against the elastic wave device 100B is arranged at the center C of the elastic wave device 100B in plan view in the first direction D11.
  • the "center of gravity of a plurality of positions" may be the geometric center of a plurality of abutting positions when viewed in plan in the first direction D11.
  • the center of gravity of the plurality of positions at which the plurality of abutment pins 312 hit the elastic wave device 100B is located at the center C of the elastic wave device 100 in the first direction D11.
  • the center of gravity of the plurality of positions at which the plurality of abutment pins 312 are abutted against the elastic wave device 100B is located at the center C of the elastic wave device 100 when viewed in plan in the first direction D11.
  • FIG. 27 is a schematic plan view of an elastic wave device of Modification 3.
  • an elastic wave device 100C differs from the elastic wave device 100 of the second embodiment in that a plurality of bump marks 160 are provided.
  • the plurality of bump marks 160 are arranged at positions different from the hollow portion 130 when viewed in plan in the first direction D11.
  • the center of gravity G of the plurality of hit marks 160 overlaps the center C of the elastic wave device 100C when viewed in plan in the first direction D11.
  • the center of gravity G of the plurality of bump marks 160 may be the geometric center of the bump marks 160 when viewed in plan in the first direction D11.
  • the pick-up nozzle 311 and the plurality of abutment pins 312 are used to separate the individualized elastic wave devices 100 from the dicing tape 310 and pick them up.
  • the center of gravity of the plurality of positions at which the plurality of abutment pins 312 are abutted against the elastic wave device 100C is arranged at the center C of the elastic wave device 100C in plan view in the first direction D11.
  • the "center of gravity of a plurality of positions" may be the geometric center of a plurality of abutting positions when viewed in plan in the first direction D11.
  • the center of gravity of the plurality of positions where the plurality of abutment pins 312 hit the elastic wave device 100C is located at the center C of the elastic wave device 100C in the first direction D11.
  • the center of gravity of the plurality of positions at which the plurality of abutment pins 312 hit the elastic wave device 100C is positioned at the center C of the elastic wave device 100C when viewed in plan in the first direction D11.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device includes a support substrate, a piezoelectric layer provided on the support substrate, and functional electrodes provided on the piezoelectric layer, and the support substrate includes: is a method for manufacturing an acoustic wave device, in which a hollow portion is provided at a position overlapping with a part of the functional electrode in the lamination direction of the support substrate and the piezoelectric layer, comprising preparing a wafer and dicing the wafer; The wafer is adhered to a tape, the wafer is diced to singulate the acoustic wave elements, and at least one pin is abutted against the acoustic wave elements via the dicing tape to separate the acoustic wave elements from the wafer. Separating from the dicing tape and picking up the elastic wave element, wherein a position at which the at least one pin hits the elastic wave element is arranged at a position different from the hollow portion in the stacking direction. .
  • the acoustic wave device includes wiring electrodes provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrodes, and wiring electrodes provided on the wiring electrodes. and a bump electrically connected to the wiring electrode, and the position may overlap the bump in the stacking direction.
  • the at least one pin may be a plurality of pins, and a plurality of positions for abutting the plurality of pins against the elastic wave device. may be arranged at the center of the acoustic wave element in the stacking direction.
  • the at least one pin may be one pin, and the position at which the one pin hits the acoustic wave device is It may be positioned at the center of the acoustic wave element in the stacking direction.
  • the piezoelectric layer may contain lithium niobate or lithium tantalate.
  • the functional electrode may be an IDT electrode.
  • the IDT electrode includes a plurality of first electrode fingers extending in a first direction intersecting the stacking direction and a plurality of first electrode fingers extending in a second direction orthogonal to the first direction. a plurality of second electrode fingers facing any one of the plurality of first electrode fingers and extending in the first direction; When the center-to-center distance between the second electrode fingers is p, d/p may be 0.5 or less.
  • the IDT electrode includes a plurality of first electrode fingers extending in a first direction intersecting the stacking direction and a plurality of first electrode fingers extending in a second direction orthogonal to the first direction.
  • the film thickness of the piezoelectric layer is d
  • the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers where p is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers, in the second direction
  • the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers MR is the ratio of the total area of the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers in the excitation region to the area of the excitation region where MR , MR ⁇ 1.75 ⁇ (d/p)+0.075 may be satisfied.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate are expressed by the following formula (1), formula (2), or formula (3) may be in the range of (0° ⁇ 10°, 0° to 20°, arbitrary ⁇ ) Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50)2/900)1/2) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50)2/900)1/2] to 180°) Equation (2) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90)2/8100)1/2] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (3)
  • An acoustic wave device includes a support substrate, a piezoelectric layer provided on the support substrate, and a functional electrode provided on the piezoelectric layer, and the support substrate includes: is provided with a hollow portion at a position overlapping at least a part of the functional electrode in the lamination direction of the support substrate and the piezoelectric layer, and the functional electrode and the hollow portion It is located off the center of the board.
  • a wiring electrode provided on the piezoelectric layer and electrically connected to the functional electrode; and a wiring electrode provided on the wiring electrode and electrically connected to the wiring electrode. and a connected bump, and the bump may be located at the center of the support substrate in the stacking direction.
  • An acoustic wave device includes a support substrate, a piezoelectric layer provided on the support substrate, and a functional electrode provided on the piezoelectric layer, the support substrate is provided with a hollow portion at a position overlapping at least a part of the functional electrode in the lamination direction of the support substrate and the piezoelectric layer, and the surface of the support substrate facing the piezoelectric layer is provided with a pin. It has a plurality of bump marks that are contact marks, and the center of gravity of the plurality of bump marks is arranged at the center of the support substrate in the stacking direction.

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Abstract

本開示の弾性波素子の製造方法は、支持基板と、支持基板上に設けられた圧電体層と、圧電体層上に設けられた機能電極とを含み、支持基板には、支持基板および圧電体層の積層方向において機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられた、弾性波素子の製造方法であって、ウェハを準備し、ウェハをダイシングテープに貼り付け、ウェハをダイシングして、弾性波素子を個片化し、弾性波素子に対して、ダイシングテープを介して少なくとも１つのピンを突き当てることで弾性波素子をダイシングテープから分離し、弾性波素子をピックアップすることを含む。弾性波素子に少なくとも１つのピンを突き当てる位置は、積層方向において、空洞部とは異なる位置に配置されている。

Description

弾性波素子の製造方法および弾性波素子
　本開示は、弾性波素子の製造方法および弾性波素子に関する。
　例えば、特許文献１には、板波を利用する弾性波装置が開示されている。特許文献１に記載の弾性波装置は、支持体と、圧電基板と、ＩＤＴ電極とを備えている。支持体には、空洞部が設けられている。圧電基板は、支持体の上に空洞部と重なるように設けられている。ＩＤＴ電極は、圧電基板の上に空洞部と重なるように設けられている。弾性波装置では、ＩＤＴ電極により板波が励振される。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　本開示は、クラックの発生を抑制できる弾性波素子の製造方法および弾性波素子を提供することを目的とする。
　本開示の一態様の弾性波素子の製造方法は、
　支持基板と、前記支持基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを含み、前記支持基板には、前記支持基板および前記圧電体層の積層方向において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられた、弾性波素子の製造方法であって、
　ウェハを準備し、
　前記ウェハをダイシングテープに貼り付け、
　前記ウェハをダイシングして、前記弾性波素子を個片化し、
　前記弾性波素子に対して、前記ダイシングテープを介して少なくとも１つのピンを突き当てることで前記弾性波素子を前記ダイシングテープから分離し、前記弾性波素子をピックアップする
　ことを含み、
　前記弾性波素子に前記少なくとも１つのピンを突き当てる位置は、前記積層方向において、前記空洞部とは異なる位置に配置されている。
　本開示の他の態様の弾性波素子は、
　支持基板と、
　前記支持基板上に設けられた圧電体層と、
　前記圧電体層上に設けられた機能電極と
　を備え、
　前記支持基板には、前記支持基板と前記圧電体層との積層方向において、前記機能電極の少なくとも一部と重なる位置で空洞部が設けられ、
　前記機能電極と前記空洞部とは、前記積層方向において、前記支持基板の中心からずれて位置している。
　本開示の更に他の態様の弾性波素子は、
　支持基板と、
　前記支持基板上に設けられた圧電体層と、
　前記圧電体層上に設けられた機能電極と
　を備え、
　前記支持基板には、前記支持基板と前記圧電体層との積層方向において、前記機能電極の少なくとも一部と重なる位置で空洞部が設けられ、
　前記圧電体層と対向する前記支持基板の面は、ピンとの接触痕である複数の突き当て痕を有し、
　前記複数の突き当て痕の重心は、前記積層方向において、前記支持基板の中心に配置されている。
　本開示によれば、クラックの発生を抑制できる弾性波素子の製造方法および弾性波素子を提供することができる。
第１，第２の態様の弾性波装置の外観を示す略図的斜視図 圧電層上の電極構造を示す平面図 図１Ａ中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図 従来の弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図 本開示の弾性波装置の波を説明するための模式的正面断面図 第１の電極と第２の電極との間に、第２の電極が第１の電極よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を示す模式図 本開示の第１の実施形態に係る弾性波装置の共振特性を示す図 ｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図 本開示の第１の実施形態に係る別の弾性波装置の平面図 弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図 多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図 ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図 ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図 本開示の第１の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図 本開示の第２の実施形態に係る弾性波装置の概略平面図 図１３の弾性波装置をＡ－Ａ線で切断した概略断面図 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するためのフローチャート 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための図 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための図 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための図 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための図 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための図 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための図 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための図 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための図 図１３の弾性波装置の製造方法を説明するための図 変形例１の弾性波装置の概略平面図 変形例２の弾性波装置の概略平面図 変形例３の弾性波装置の概略平面図
　本開示における第１，第２，第３の態様の弾性波装置は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む圧電層と、圧電層の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極および第２電極とを備える。
　第１の態様の弾性波装置では、厚み滑りモードのバルク波が利用されている。
　また、第２の態様の弾性波装置では、第１電極および前記第２電極は隣り合う電極同士であり、圧電層の厚みをｄ、第１電極および第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。それによって、第１，第２の態様では、小型化を進めた場合であっても、Ｑ値を高めることができる。
　また、第３の態様の弾性波装置では、板波としてのラム波が利用される。上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　本開示における第４の態様の弾性波装置は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む圧電層と、圧電層を挟んで圧電層の厚み方向に対向する上部電極および下部電極とを備え、バルク波を利用する。
　以下、図面を参照しつつ、第１～第４の態様の弾性波装置の具体的な実施形態を説明することにより、本開示を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
（第１の実施形態）
　図１Ａは、第１，第２の態様についての第１の実施形態に係る弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１Ｂは、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図２は、図１Ａ中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。
　弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３を含む圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３を含むものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３のカット角は、本実施形態では、Ｚカットであるが、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬およびＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、電極３および電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１Ａおよび図１Ｂでは、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている複数の第１の電極指である。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている複数の第２の電極指である。複数の電極３および複数の電極４は、互いに間挿し合っている。
　電極３および電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。これら複数の電極３，４、および第１のバスバー５，第２のバスバー６によりＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成されている。電極３，４の長さ方向、および、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。
　また、電極３，４の長さ方向が図１Ａおよび図１Ｂに示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａおよび図１Ｂにおいて、第１のバスバー５および第２のバスバー６が延びている方向に電極３，４が延びてもよい。その場合、第１のバスバー５および第２のバスバー６は、図１Ａおよび図１Ｂにおいて電極３，４が延びている方向に延びることとなる。
　一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。
　また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極やグランド電極に接続される電極は配置されない。電極３，４からなら電極対の対数は、整数対である必要はなく、１．５対または２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の幅寸法の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。さらに、電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極３，４を一対の電極組とし、１．５対以上の電極組がある場合）、電極３，４の中心間距離は、１．５対以上の電極３，４のうち隣り合う電極３，４それぞれの中心間距離の平均値を指す。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、本実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７および支持部材８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられなくてもよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　絶縁層７は、酸化ケイ素を含む。絶縁層７の材料としては、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材８は、Ｓｉを含む。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３，４および第１，第２のバスバー５，６の材料は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金である。本実施形態では、電極３，４および第１，第２のバスバー５，６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、本実施形態のように電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極３，４を１対の電極組とし、電極３，４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極３，４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離となる。
　本実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。
　従来の弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明する。
　図３Ａは、従来の弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。従来の弾性波装置については、例えば、日本公開特許公報　特開２０１２－２５７０１９号公報に記載されている。図３Ａに示すように、従来の弾性波装置においては、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、本実施形態の弾性波装置１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃに含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図４は、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示している。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　上記のように、弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえいればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。本実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、本開示の第１の実施形態に係る弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３、厚み＝４００ｎｍ。　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に視たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　絶縁層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。
　本実施形態では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、本実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、このｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
　図６から明らかなように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、本開示の第２の態様の弾性波装置のように、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、前述したように、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極３，４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、本開示の第１の実施形態に係る別の弾性波装置の平面図である。弾性波装置３１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置３１では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極３，４において、いずれかの隣り合う電極３，４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域に対する、上記隣り合う電極３，４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。すなわち、隣り合う複数の第１電極指と複数の第２電極指とが対向している方向に視たときに複数の第１電極指と複数の第２電極指とが重なっている領域が励振領域（交差領域）であり、励振領域に対する、複数の第１電極指および複数の第２電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。
　これを、図８および図９を参照して説明する。図８は、上記弾性波装置１の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極３，４に着目した場合、この１対の電極３，４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線Ｃで囲まれた部分が励振領域となる。この励振領域とは、電極３と電極４とを、電極３，４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、および、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。この励振領域の面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３，４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域の面積に対する比である。
　なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は本実施形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３を含む圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域であり、当該領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）および式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の第１の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。弾性波装置８１は、支持基板８２を有する。支持基板８２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板８２上に圧電層８３が積層されている。それによって、空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層８３上に、ＩＤＴ電極８４が設けられている。ＩＤＴ電極８４の弾性波伝搬方向両側に、反射器８５，８６が設けられている。図１２において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極８４は、第１，第２のバスバー８４ａ，８４ｂと、複数本の第１の電極指としての電極８４ｃおよび複数本の第２の電極指としての電極８４ｄとを有する。複数本の電極８４ｃは、第１のバスバー８４ａに接続されている。複数本の電極８４ｄは、第２のバスバー８４ｂに接続されている。複数本の電極８４ｃと、複数本の電極８４ｄとは間挿し合っている。
　弾性波装置８１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極８４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。反射器８５，８６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　このように、本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。
（第２の実施形態）
　第２の実施形態の弾性波装置について説明する。第２の実施形態においては、第１の実施形態と重複する内容については適宜、説明を省略する。第２の実施形態においては、第１の実施形態で説明した内容を適用することができる。
　図１３は、本開示の第２の実施形態に係る弾性波装置の概略平面図である。図１３の弾性波装置をＡ－Ａ線で切断した概略断面図である。図１３および図１４に示すように、弾性波装置１００は、支持部材１０１、圧電層１１０および共振子１２０を備える。支持部材１０１には、空洞部１３０が設けられており、共振子１２０には配線電極１４０が電気的に接続されている。また、配線電極１４０上には、配線電極１４０に電気的に接続されたバンプ１５０が設けられている。本明細書では、弾性波装置１００は弾性波素子１００と称してもよい。
　支持部材１０１は、支持基板１０２および中間層１０３を有する。例えば、支持部材１０１は、Ｓｉを含む支持基板１０２と、支持基板１０２に積層され、ＳｉＯｘを含む中間層１０３との積層体から構成されている。なお、支持部材１０１は、支持基板１０２を有していればよく、中間層１０３を有していなくてもよい。本明細書では、中間層１０３は接合層１０３と称してもよい。
　支持基板１０２は、第１方向Ｄ１１に厚みを有する基板である。本明細書では、「第１方向」とは、支持基板１０２の厚み方向であり、支持部材１０１と圧電層１１０とが積層する積層方向を意味する。
　支持部材１０１には、空洞部１３０が設けられている。本明細書では、空洞部１３０を空間部１３０と称してもよい。
　空洞部１３０は、支持部材１０１と圧電層１１０との間に設けられている。すなわち、空洞部１３０は、支持部材１０１と圧電層１１０とによって画定される空間である。本実施形態では、空洞部１３０は、中間層１０３に設けられている。具体的には、中間層１０３において支持基板１０２と接する面と反対側の面に開口する凹部が設けられている。当該凹部が圧電層１１０で覆われることによって、空洞部１３０が形成されている。
　なお、空洞部１３０は、支持部材１０１の一部に設けられていればよい。支持部材１０１が中間層１０３を有していない場合、空洞部１３０は支持基板１０２に設けられていてもよい。
　圧電層１１０は、支持部材１０１上に設けられている。圧電層１１０は、支持部材１０１の第１方向Ｄ１１に積層されている。本実施形態では、圧電層１１０は、中間層１０３上に設けられている。具体的には、中間層１０３において支持基板１０２と接する面と反対側の面に圧電層１１０が設けられている。本明細書では、圧電層１１０は、圧電体層１１０と称してもよい。
　本明細書では、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０と重なる領域に位置する圧電層１１０の部分をメンブレン部１１１と称する。なお、「第１方向Ｄ１１に平面視して」とは、支持部材１０１と圧電層１１０との積層方向から見ることを意味する。なお、本開示に係る「支持部材と圧電体層との積層方向において」は、本明細書における「第１方向Ｄ１１に平面視して」を意味する。
　空洞部１３０は、第１方向Ｄ１１に平面視して共振子１２０の少なくとも一部と重なる位置で支持部材１０１に設けられていればよい。また、空洞部１３０は、第１方向Ｄ１１に平面視して、支持基板１０２の中心からずれて位置している。言い換えれば、空洞部１３０は、支持部材１０１と圧電層１１０との積層方向において、支持基板１０２の中心からずれて位置している。本明細書において、「中心」とは、第１方向Ｄ１１に平面視したときの図心であってもよく、第１方向Ｄ１１に平面視したときの重心の位置であってもよい。また、中心とは、厳密な意味での中心に限定されない。また、第１方向Ｄ１１に平面視したとき、弾性波装置１００の中心Ｃと、支持部材１０１（支持基板１０２）の中心と、圧電層１１０の中心とは、互いに一致する。すなわち、「弾性波装置１００の中心Ｃ」と、「支持部材１０１（支持基板１０２）の中心」と、「圧電層１１０の中心」とは互いに言い換えることができる。
　図１３および図１４に示す弾性波装置１００では、支持部材１０１において圧電層１１０と接する面と反対側の面に突き当てピン３１２（図２１に示す）との接触痕である突き当て痕１６０が設けられている。突き当て痕１６０は、凹みまたは傷であってもよいし、後述するダイシングテープ３１０（図２１に示す）の破片であってもよい。突き当て痕１６０は、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０とは異なる位置に配置されている。言い換えれば、突き当て痕１６０は、支持部材１０１と圧電層１１０との積層方向において、空洞部１３０とは異なる位置に配置されている。具体的には、突き当て痕１６０は、第１方向Ｄ１１に平面視して、支持基板１０２の中心に配置されている。
　圧電層１１０は、例えば、ＬｉＮｂＯｘまたはＬｉＴａＯｘを含む。言い換えると、圧電層１１０は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む。圧電層１１０の厚みは中間層１０３の厚みよりも薄い。
　共振子１２０は、圧電層１１０上に設けられる機能電極を有する。本明細書では、機能電極を電極部と称してもよい。本実施形態では、機能電極は、ＩＤＴ電極である。ＩＤＴ電極は、対向する第１バスバー１２１および第２バスバー１２２と、第１バスバー１２１に接続される複数の第１電極指１２３と、第２バスバー１２２に接続される複数の第２電極指１２４とを有する。複数の第１電極指１２３と複数の第２電極指１２４とは互いに間挿し合っており、隣り合う第１電極指１２３と第２電極指１２４とは一対の電極組を構成している。
　複数の第１電極指１２３および複数の第２電極指１２４は、第１方向Ｄ１１に交差する第２方向Ｄ１２に延びており、且つ、第２方向Ｄ１２と直交する第３方向Ｄ１３から見て重なり合って配置されている。第２方向Ｄ１２は、圧電層１１０の面方向において、支持部材１０１と圧電層１１０とが積層する積層方向と交差する方向である。圧電層１１０の面方向とは、第１方向Ｄ１１に平面視して、圧電層１１０の表面の延びる方向である。第３方向Ｄ１３は、第１方向Ｄ１１に平面視して、第２方向Ｄ１２と直交する方向であり、複数の第１電極指１２３と複数の第２電極指１２４とが並ぶ方向である。すなわち、第３方向Ｄ１３は、隣り合う複数の第１電極指１２３と複数の第２電極指１２４とが対向している対向方向である。
　第１方向Ｄ１１から見て、複数の第１電極指１２３および複数の第２電極指１２４は、互いに隣り合って対向して配置されている。また、第３方向Ｄ１３から見て、複数の第１電極指１２３および複数の第２電極指１２４は、互いに重なって配置されている。すなわち、複数の第１電極指１２３および複数の第２電極指１２４は、第３方向Ｄ１３において互い違いに配置されている。具体的には、隣り合う第１電極指１２３と第２電極指１２４とが対向して配置され、一対の電極組を構成している。共振子１２０においては、複数の電極組が第３方向Ｄ１３に配置されている。
　複数の第１電極指１２３は、第１方向Ｄ１１に交差する第２方向Ｄ１２に延びる。複数の第１電極指１２３の基端は、第１バスバー１２１に接続される。複数の第２電極指１２４は、第２方向Ｄ１２に直交する第３方向Ｄ１３に複数の第１電極指１２３のいずれかと対向し、第２方向Ｄ１２に延びる。複数の第２電極指１２４の基端は、第２バスバー１２２に接続される。
　複数の第１電極指１２３および複数の第２電極指１２４が第３方向Ｄ１３に重なり合って配置される領域は、励振領域Ｃ１となっている。すなわち、励振領域Ｃ１は、隣り合う第１電極指１２３と第２電極指１２４とが対向する方向、すなわち、第３方向Ｄ１３に見たときに、複数の第１電極指１２３および複数の第２電極指１２４が重なっている領域である。本明細書では、励振領域Ｃ１を交差領域Ｃ１と称してもよい。
　ＩＤＴ電極は、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０と重なる位置で圧電層１１０上に設けられている。具体的には、空洞部１３０は、第１方向Ｄ１１に平面視して、第１バスバー１２１、第２バスバー１２２、複数の第１電極指１２３および複数の第２電極指１２４と重なる位置に設けられている。言い換えると、ＩＤＴ電極は、メンブレン部１１１に設けられている。なお、ＩＤＴ電極は、第１方向Ｄ１１に平面視して、メンブレン部１１１の少なくとも一部に設けられていればよい。また、ＩＤＴ電極は、第１方向Ｄ１１に平面視して、支持基板１０２の中心からずれて位置している。言い換えれば、ＩＤＴ電極は、支持部材１０１と圧電層１１０との積層方向において、支持基板１０２の中心からずれて位置している。
　図１３に示すように、ＩＤＴ電極は、配線電極１４０に接続されている。具体的には、配線電極１４０は、第１バスバー１２１と第２バスバー１２２とに設けられている。配線電極１４０は、第１バスバー１２１と第２バスバー１２２とにそれぞれ電気的に接続されている。
　第１方向Ｄ１１に平面視して、配線電極１４０は、第１バスバー１２１と第２バスバー１２２とにそれぞれ重なるように配置されている。
　なお、配線電極１４０は、第１バスバー１２１または第２バスバー１２２のうち少なくとも一方に配置されていればよい。
　バンプ１５０は、配線電極１４０上に設けられている。バンプ１５０は、配線電極１４０に電気的に接続されている。
　また、圧電層１１０上には、ＩＤＴ電極を覆うように誘電体膜が設けられてもよい。なお、誘電体膜は必ずしも設けられなくてもよい。
　圧電層１１０には、空洞部１３０に至る複数の貫通孔１１２が設けられている。複数の貫通孔１１２は、第１方向Ｄ１１に平面視して、第３方向Ｄ１３においてＩＤＴ電極の両外側に設けられている。複数の貫通孔１１２は、空洞部１３０と連通している。複数の貫通孔１１２は、第１方向Ｄ１１に平面視して、例えば、矩形状を有する。
　（弾性波装置の製造方法）
　以下、図１５から図２４を参照して、第２の実施形態に係る弾性波装置（図１３および図１４に示す弾性波装置１００）の製造方法を説明する。以下の説明では、製造された弾性波装置１００を実装基板３０１（図２４に示す）に実装する工程も含めて説明する。
　図１５を参照すると、ステップＳ１では、図１６に示すように、ウェハ３００が準備される。ウェハ３００には、支持部材１０１と、圧電層１１０と、共振子１２０と、空洞部１３０と、配線電極１４０とが含まれる。
　ステップＳ２では、図１７に示すように、ウェハ３００の配線電極１４０上にバンプ１５０が形成される。バンプ１５０の形成は、公知の方法で実行されてもよい。
　ステップＳ３では、図１８に示すように、ウェハ３００がダイシングテープ３１０に貼り付けられる。具体的には、ウェハ３００の支持部材１０１において圧電層１１０と反対側の面がダイシングテープ３１０に貼り付けられる。すなわち、ウェハ３００の支持基板１０２がダイシングテープ３１０に貼り付けられる。ダイシングテープ３１０は、紫外線硬化型の粘着テープであり、紫外線が照射されると粘着力が低下する。
　ステップＳ４では、図１９に示すように、ウェハ３００がダイシングされて、ウェハ３００が複数の弾性波装置１００に個片化される。ダイシングは、ブレードダイシングにより行われてもよいし、レーザダイシングにより行われてもよい。なお、ウェハ３００のダイシング後にダイシングテープ３１０に紫外線を照射することにより、ダイシングテープ３１０の粘着力を低下させて、弾性波装置１００をダイシングテープ３１０から剥がれ易くしてもよい。
　ステップＳ５では、図２０および図２１に示すように、個片化された弾性波装置１００が、ピックアップノズル３１１と突き当てピン３１２とによりダイシングテープ３１０から剥されて、ピックアップノズル３１１によりピックアップされる。ピックアップノズル３１１は、公知のピックアップノズルを使用することができる。突き当てピン３１２は、本開示に係るピンの一例である。突き当てピン３１２は、駆動装置３１３に機械的に接続されており、駆動装置３１３によって第１方向Ｄ１１に移動可能である。
　図２０に示すように、ピックアップノズル３１１が弾性波装置１００の素子面側（図２０において上側）から弾性波装置１００に向けて第１方向Ｄ１１に移動し、ピックアップノズル３１１と弾性波装置１００のバンプ１５０とが接触する。また、１つの突き当てピン３１２が、弾性波装置１００の素子面と反対側（図２０において下側）から弾性波装置１００に向けて第１方向Ｄ１１に移動し、ダイシングテープ３１０を介して弾性波装置１００に突き当たることで、弾性波装置１００をピックアップノズル３１１側に向けて押す。突き当てピン３１２がダイシングテープ３１０を介して弾性波装置１００を押すことで、弾性波装置１００がダイシングテープ３１０から分離される。突き当てピン３１２による弾性波装置１００の突き当てと、ピックアップノズル３１１と弾性波装置１００のバンプ１５０との接触とは、同時に行われる。その後、ピックアップノズル３１１が弾性波装置１００のバンプ１５０に吸着することで、ピックアップノズル３１１と弾性波装置１００とが固定される。ピックアップノズル３１１による弾性波装置１００のバンプ１５０の吸着は、弾性波装置１００のバンプ１５０とピックアップノズル３１１の接触と同時に行われてもよい。
　弾性波装置１００に１つの突き当てピン３１２を突き当てる位置は、第１方向Ｄ１１に平面視して、支持基板１０２の中心に位置している。１つの突き当てピン３１２の延長線上には、空洞部１３０および機能電極が配置されていない。
　次に、図２１に示すように、ピックアップノズル３１１がダイシングテープ３１０から離れるように移動することで、ピックアップノズル３１１は、弾性波装置１００をピックアップする。
　ステップＳ６では、図２２に示すように、ピックアップノズル３１１が反転（フリップ）することで、弾性波装置１００を反転させる。
　ステップＳ７では、図２３に示すように、弾性波装置１００がピックアップノズル３１１から実装ツール３１４に受け渡される。実装ツール３１４は、弾性波装置１００において素子面と反対側、すなわち支持部材１０１側に吸着することで、弾性波装置１００と固定される。
　最後に、ステップＳ８では、図２４に示すように、実装ツール３１４が弾性波装置１００を実装基板３０１上に実装する。具体的には、弾性波装置１００のバンプ１５０が実装基板３０１の配線３０１ａに接合されて、弾性波装置１００が実装基板３０１に実装される。
　本実施形態の弾性波装置１００の製造方法によれば、ウェハ３００を準備し、ウェハ３００をダイシングテープ３１０に貼り付け、ウェハ３００をダイシングして、弾性波装置１００を個片化し、弾性波装置１００に対して、ダイシングテープ３１０を介して少なくとも１つの突き当てピン３１２を突き当てることで弾性波装置１００をダイシングテープ３１０から分離し、弾性波装置１００をックアップすることを含む。弾性波装置１００に１つの突き当てピン３１２を突き当てる位置は、第１方向Ｄ１１において、空洞部１３０とは異なる位置に配置されている。言い換えれば、弾性波装置１００に１つの突き当てピン３１２を突き当てる位置は、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０とは異なる位置に配置されている。
　このような製造方法により、クラックの発生を抑制することができる。メンブレン部１１１は、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０と重なる領域に位置する圧電層１１０の部分であるため、メンブレン部１１１の強度は、圧電層１１０の他の部分の強度よりも低い。このため、仮に、弾性波装置１００に突き当てピン３１２を突き当てる位置が、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０と重なる位置に配置されている場合、突き当てピン３１２による力がメンブレン部１１１に作用し、クラックが発生する場合がある。これに対して、このような製造方法では、弾性波装置１００に突き当てピン３１２を突き当てる位置が、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０と異なる位置に配置されていので、突き当てピン３１２による力がメンブレン部１１１に作用することを抑制することができる。その結果、クラックの発生を抑制することができる。
　弾性波装置１００に１つの突き当てピン３１２を突き当てる位置は、第１方向Ｄ１１において、弾性波装置１００の中心Ｃに位置している。言い換えれば、弾性波装置１００に１つの突き当てピン３１２を突き当てる位置は、第１方向Ｄ１１に平面視して、弾性波装置１００の中心Ｃに位置している。このような製造方法により、突き当てピン３１２による弾性波装置１００の突き上げ時に弾性波装置１００が傾くことを抑制することができる。その結果、ピックアップノズル３１１による弾性波装置１００のピックアップを確実に行うことができる。
　なお、本実施形態では、共振子１２０の両外側にそれぞれ、第１貫通孔１１２Ａと第２貫通孔１１２Ｂが設けられる例について説明したが、これに限定されない。例えば、共振子１２０の少なくともいずれか一方の外側に１つ以上の貫通孔１１２が設けられてもよい。
　また、本実施形態では、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０が第１バスバー１２１および第２バスバー１２２と重なる位置に設けられている例について説明したが、これに限定されない。例えば、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０は、第１バスバー１２１および第２バスバー１２２と重ならない位置に設けられていてもよい。
　また、貫通孔１１２は、例えば、エッチング液を導入するエッチングホールとしても使用できる。
　なお、本実施形態では、圧電層１１０上にＩＤＴ電極が設けられている例について説明したが、これに限定されない。ＩＤＴ電極は、第１方向Ｄ１１において圧電層１１０に設けられていればよい。例えば、ＩＤＴ電極は、圧電層１１０において空洞部１３０が設けられている側に設けられていてもよい。
　以下、第２の実施形態の変形例について説明する。
＜変形例１＞
　図２５は、変形例１の弾性波装置の概略平面図である。図２５に示すように、弾性波装置１００Ａにおいては、バンプ１５０が第１方向Ｄ１１に平面視して弾性波装置１００Ａの中心Ｃに配置されている点で、第２の実施形態の弾性波装置１００と異なる。
　弾性波装置１００Ａにおいて、突き当て痕１６０は、第１方向Ｄ１１に平面視して、バンプ１５０と重なる位置に配置されている。すなわち、変形例１の弾性波装置１００Ａの製造方法において、弾性波装置１００Ａに１つの突き当てピン３１２を突き当てる位置は、第１方向Ｄ１１に平面視して、バンプ１５０と重なっている。
　このような製造方法においても、クラックの発生を抑制することができる。
　また、弾性波装置１００Ａに１つの突き当てピン３１２を突き当てる位置は、第１方向Ｄ１１に平面視して、バンプ１５０と重なっているため、突き当てピン３１２の力が弾性波装置１００Ａに作用したときの支持基板１０２の撓みが少なくなる。その結果、クラックの発生を抑制することができる
＜変形例２＞
　図２６は、変形例２の弾性波装置の概略平面図である。図２６に示すように、弾性波装置１００Ｂにおいては、複数の突き当て痕１６０が設けられている点で、第２の実施形態の弾性波装置１００と異なる。
　弾性波装置１００Ｂにおいて、複数の突き当て痕１６０は、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０と異なる位置に配置されている。複数の突き当て痕１６０は、第１方向Ｄ１１に平面視して、弾性波装置１００Ｂの中心Ｃに対して回転対称に配置されている。すなわち、複数の突き当て痕１６０の重心Ｇは、第１方向Ｄ１１に平面視して、弾性波装置１００Ｂの中心Ｃに重なる。ここで、「複数の突き当て痕１６０の重心Ｇ」とは、第１方向Ｄ１１に平面視したときの複数の突き当て痕１６０の幾何中心であってもよい。
　変形例２の弾性波装置１００Ｂの製造方法において、ピックアップノズル３１１と複数の突き当てピン３１２とを用いて、個片化された弾性波装置１００をダイシングテープ３１０から剥してピックアップする。弾性波装置１００Ｂに複数の突き当てピン３１２を突き当てる複数の位置の重心は、第１方向Ｄ１１に平面視して、弾性波装置１００Ｂの中心Ｃに配置されている。ここで、「複数の位置の重心」とは、第１方向Ｄ１１に平面視したときの複数の突き当て位置の幾何中心であってもよい。
　このような製造方法においても、クラックの発生を抑制することができる。
　また、弾性波装置１００Ｂに複数の突き当てピン３１２を突き当てる複数の位置の重心は、第１方向Ｄ１１において、弾性波装置１００の中心Ｃに位置している。言い換えれば、弾性波装置１００Ｂに複数の突き当てピン３１２を突き当てる複数の位置の重心は、第１方向Ｄ１１に平面視して、弾性波装置１００の中心Ｃに位置している。このような製造方法により、突き当てピン３１２による弾性波装置１００の突き上げ時に弾性波装置１００が傾くことを抑制することができる。その結果、ピックアップノズル３１１による弾性波装置１００のピックアップを確実に行うことができる。
＜変形例３＞
　図２７は、変形例３の弾性波装置の概略平面図である。図２７に示すように、弾性波装置１００Ｃにおいては、複数の突き当て痕１６０が設けられている点で、第２の実施形態の弾性波装置１００と異なる。
　弾性波装置１００Ｃにおいて、複数の突き当て痕１６０は、第１方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１３０と異なる位置に配置されている。複数の突き当て痕１６０の重心Ｇは、第１方向Ｄ１１に平面視して、弾性波装置１００Ｃの中心Ｃに重なる。ここで、「複数の突き当て痕１６０の重心Ｇ」とは、第１方向Ｄ１１に平面視したときの複数の突き当て痕１６０の幾何中心であってもよい。
　変形例３の弾性波装置１００Ｃの製造方法において、ピックアップノズル３１１と複数の突き当てピン３１２とを用いて、個片化された弾性波装置１００をダイシングテープ３１０から剥してピックアップする。弾性波装置１００Ｃに複数の突き当てピン３１２を突き当てる複数の位置の重心は、第１方向Ｄ１１に平面視して、弾性波装置１００Ｃの中心Ｃに配置されている。ここで、「複数の位置の重心」とは、第１方向Ｄ１１に平面視したときの複数の突き当て位置の幾何中心であってもよい。
　このような製造方法においても、クラックの発生を抑制することができる。
　また、弾性波装置１００Ｃに複数の突き当てピン３１２を突き当てる複数の位置の重心は、第１方向Ｄ１１において、弾性波装置１００Ｃの中心Ｃに位置している。言い換えれば、弾性波装置１００Ｃに複数の突き当てピン３１２を突き当てる複数の位置の重心は、第１方向Ｄ１１に平面視して、弾性波装置１００Ｃの中心Ｃに位置している。このような製造方法により、突き当てピン３１２による弾性波装置１００の突き上げ時に弾性波装置１００が傾くことを抑制することができる。その結果、ピックアップノズル３１１による弾性波装置１００のピックアップを確実に行うことができる。
（他の実施形態）
　以上のように、本出願において開示する技術の例示として、上記実施形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施形態にも適用可能である。
（実施形態の概要）
　（１）本開示の弾性波素子の製造方法は、支持基板と、前記支持基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを含み、前記支持基板には、前記支持基板および前記圧電体層の積層方向において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられた、弾性波素子の製造方法であって、ウェハを準備し、前記ウェハをダイシングテープに貼り付け、前記ウェハをダイシングして、前記弾性波素子を個片化し、前記弾性波素子に対して、前記ダイシングテープを介して少なくとも１つのピンを突き当てることで前記弾性波素子を前記ダイシングテープから分離し、前記弾性波素子をピックアップすることを含み、前記弾性波素子に前記少なくとも１つのピンを突き当てる位置は、前記積層方向において、前記空洞部とは異なる位置に配置されている。
　（２）（１）の弾性波素子の製造方法において、前記弾性波素子は、前記圧電体層上に設けられ、前記機能電極に電気的に接続された配線電極と、前記配線電極上に設けられ、前記配線電極に電気的に接続されたバンプとを備えてもよく、前記位置は、前記積層方向において、前記バンプと重なっていてもよい。
　（３）（１）または（２）の弾性波素子の製造方法において、前記少なくとも１つのピンは、複数のピンであってもよく、前記弾性波素子に前記複数のピンを突き当てる複数の位置の重心は、前記積層方向において、前記弾性波素子の中心に配置されていてもよい。
　（４）（１）または（２）の弾性波素子の製造方法において、前記少なくとも１つのピンは、１つのピンであってもよく、前記弾性波素子に前記１つのピンを突き当てる位置は、前記積層方向において、前記弾性波素子の中心に位置していてもよい。
　（５）（１）～（４）のいずれかの弾性波素子の製造方法において、圧電体層は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含んでもよい。
　（６）（１）～（５）のいずれかの弾性波素子の製造方法において、前記機能電極がＩＤＴ電極であってもよい。
　（７）（６）の弾性波素子の製造方法において、前記ＩＤＴ電極は、前記積層方向に交差する第１方向に延びる複数の第１電極指と、前記第１方向に直交する第２方向において前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第１方向に延びる複数の第２電極指とを有してもよく、前記圧電体層の膜厚をｄ、前記第１電極指と前記第２電極指との間の中心間距離をｐとする場合、ｄ／ｐが０．５以下であってもよい。
　（８）（６）の弾性波素子の製造方法において、前記ＩＤＴ電極は、前記積層方向に交差する第１方向に延びる複数の第１電極指と、前記第１方向に直交する第２方向において前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第１方向に延びる複数の第２電極指とを有してもよく、前記圧電体層の膜厚をｄ、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指との隣り合う電極指同士の間の中心間距離をｐとする場合において、前記第２方向において、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とが重なり合っている領域である励振領域の面積に対する、前記励振領域内の前記複数の第１電極指の面積と前記複数の第２電極指の面積との合計面積の割合であるメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たしてもよい。
　（９）（５）の弾性波素子の製造方法において、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にあってもよい。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　（１０）本開示の一態様の弾性波素子は、支持基板と、前記支持基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを備え、前記支持基板には、前記支持基板と前記圧電体層との積層方向において、前記機能電極の少なくとも一部と重なる位置で空洞部が設けられ、前記機能電極と前記空洞部とは、前記積層方向において、前記支持基板の中心からずれて位置している。
　（１１）（１０）の弾性波素子において、前記圧電体層上に設けられ、前記機能電極に電気的に接続された配線電極と、前記配線電極上に設けられ、前記配線電極に電気的に接続されたバンプとを備えてもよく、前記バンプは、前記積層方向において、前記支持基板の中心に位置していてもよい。
　（１０）本開示の他の態様の弾性波素子は、支持基板と、前記支持基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを備え、前記支持基板には、前記支持基板と前記圧電体層との積層方向において、前記機能電極の少なくとも一部と重なる位置で空洞部が設けられ、前記圧電体層と対向する前記支持基板の面は、ピンとの接触痕である複数の突き当て痕を有し、前記複数の突き当て痕の重心は、前記積層方向において、前記支持基板の中心に配置されている。
　１００　弾性波装置（弾性波素子）
　１０１　支持部材
　１０２　支持基板
　１０３　中間層（接合層）
　１１０　圧電層（圧電体層）
　１２０　共振子
　１３０　空洞部
　１４０　配線電極
　１５０　バンプ
　１６０　突き当て痕
　３００　ウェハ
　３０１　実装基板
　３１０　ダイシングテープ
　３１１　ピックアップノズル
　３１２　突き当てピン（ピン）
　３１４　実装ツール

Claims (12)

  1. 　支持基板と、前記支持基板上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを含み、前記支持基板には、前記支持基板および前記圧電体層の積層方向において前記機能電極の一部と重なる位置で空洞部が設けられた、弾性波素子の製造方法であって、
    　ウェハを準備し、
    　前記ウェハをダイシングテープに貼り付け、
    　前記ウェハをダイシングして、前記弾性波素子を個片化し、
    　前記弾性波素子に対して、前記ダイシングテープを介して少なくとも１つのピンを突き当てることで前記弾性波素子を前記ダイシングテープから分離し、前記弾性波素子をピックアップする
    　ことを含み、
    　前記弾性波素子に前記少なくとも１つのピンを突き当てる位置は、前記積層方向において、前記空洞部とは異なる位置に配置されている、製造方法。
  2. 　前記弾性波素子は、
    　前記圧電体層上に設けられ、前記機能電極に電気的に接続された配線電極と、
    　前記配線電極上に設けられ、前記配線電極に電気的に接続されたバンプと
    　を備え、
    　前記位置は、前記積層方向において、前記バンプと重なっている、請求項１に記載の製造方法。
  3. 　前記少なくとも１つのピンは、複数のピンであり、
    　前記弾性波素子に前記複数のピンを突き当てる複数の位置の重心は、前記積層方向において、前記弾性波素子の中心に配置されている、請求項１または２に記載の製造方法。
  4. 　前記少なくとも１つのピンは、１つのピンであり、
    　前記弾性波素子に前記１つのピンを突き当てる位置は、前記積層方向において、前記弾性波素子の中心に位置している、請求項１または２に記載の製造方法。
  5. 　前記圧電体層は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムである、請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。
  6. 　前記機能電極がＩＤＴ電極である、請求項１から５のいずれか１項に記載の製造方法。
  7. 　前記ＩＤＴ電極は、前記積層方向に交差する第１方向に延びる複数の第１電極指と、前記第１方向に直交する第２方向において前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第１方向に延びる複数の第２電極指とを有し、
    　前記圧電体層の膜厚をｄ、前記第１電極指と前記第２電極指との間の中心間距離をｐとする場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項６に記載の製造方法。
  8. 　前記ＩＤＴ電極は、前記積層方向に交差する第１方向に延びる複数の第１電極指と、前記第１方向に直交する第２方向において前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第１方向に延びる複数の第２電極指とを有し、
    　前記圧電体層の膜厚をｄ、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指との隣り合う電極指同士の間の中心間距離をｐとする場合において、
    　前記第２方向において、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とが重なり合っている領域である励振領域の面積に対する、前記励振領域内の前記複数の第１電極指の面積と前記複数の第２電極指の面積との合計面積の割合であるメタライゼーション比をＭＲとする場合、ＭＲが以下の式を満たす、請求項６に記載の製造方法。
    　ＭＲ≦１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０７５
  9. 　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項５に記載の製造方法。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
  10. 　支持基板と、
    　前記支持基板上に設けられた圧電体層と、
    　前記圧電体層上に設けられた機能電極と
    　を備え、
    　前記支持基板には、前記支持基板と前記圧電体層との積層方向において、前記機能電極の少なくとも一部と重なる位置で空洞部が設けられ、
    　前記機能電極と前記空洞部とは、前記積層方向において、前記支持基板の中心からずれて位置している、弾性波素子。
  11. 　前記圧電体層上に設けられ、前記機能電極に電気的に接続された配線電極と、
    　前記配線電極上に設けられ、前記配線電極に電気的に接続されたバンプと
    　を備え、
    　前記バンプは、前記積層方向において、前記支持基板の中心に位置している、請求項１０に記載の弾性波素子。
  12. 　支持基板と、
    　前記支持基板上に設けられた圧電体層と、
    　前記圧電体層上に設けられた機能電極と
    　を備え、
    　前記支持基板には、前記支持基板と前記圧電体層との積層方向において、前記機能電極の少なくとも一部と重なる位置で空洞部が設けられ、
    　前記圧電体層と対向する前記支持基板の面は、ピンとの接触痕である複数の突き当て痕を有し、
    　前記複数の突き当て痕の重心は、前記積層方向において、前記支持基板の中心に配置されている、弾性波素子。
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