JP2009225256A - 弾性波デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、圧電基板10と、圧電基板10の上面に形成された弾性波素子11と、圧電基板10の下面に形成され、可視光の透過率が圧電基板10より小さい絶縁膜20と、を具備する弾性波デバイスおよびその製造方法である。本発明によれば、圧電基板10の下面または下方に可視光の透過率が圧電基板10より小さい絶縁膜20が形成されていることにより、鮮明なレーザ捺印を容易に形成することができる。
【選択図】図1
Description
である。
11 弾性波素子
12 櫛型電極
14 配線
18 絶縁層
20 Si膜
22 樹脂部
24 貫通電極
26 端子
28 空隙
30 レーザ捺印
32 レーザ光
40、50 ウエハ
52 ダイシングテープ
60 チップ
62 パッケージ
66 バンプ
68 FCBツール
70 糊残り
Claims (10)
- 圧電基板と、
前記圧電基板の上面に形成された弾性波素子と、
前記圧電基板の下面または下方に形成され、可視光の透過率が前記圧電基板より小さい絶縁膜と、
を具備することを特徴とする弾性波デバイス。 - 前記絶縁膜はSi膜であることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板の上方から前記弾性波素子に電気的に接続する端子を具備することを特徴とする請求項1または2記載の弾性波デバイス。
- 前記絶縁膜はレーザ捺印されていることを特徴とする請求項3記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板と前記絶縁膜の間に設けられ、可視光の透過率が前記絶縁膜より高い絶縁層を具備することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 圧電基板の上面に弾性波素子を形成する工程と、
前記圧電基板の下面または下方に、可視光透過率が前記圧電基板より小さい絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 - 前記絶縁膜はSi膜であることを特徴とする請求項6記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記絶縁膜にレーザ捺印する工程を有することを特徴とする請求項6または7記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記絶縁膜は前記レーザ捺印を行うレーザ光の波長における透過率が前記圧電基板より小さいことを特徴とする請求項3記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記圧電基板の前記絶縁膜が形成された面をダイシングテープに貼り付け、前記圧電基板を個片化する工程と、
前記個片化された圧電基板を前記ダイシングテープから剥がす工程と、を有することを特徴とする請求項6から8のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
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