JP2004274574A - 弾性表面波装置とその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】外部端子電極を所望の位置に配設することのできるウェハレベルCSP構造の縦続縦結合DMSフィルタ装置を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極を形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように形成した第1の絶縁膜と、前記振動伝搬部と該振動伝搬部の周縁に形成された前記第1の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように形成した第2の絶縁膜と、前記パッド電極の一部と導通し少なくとも前記第1の絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極と、前記第1の絶縁膜上の前記再配線リード電極と電気的に接続された柱状電極と、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うと共に前記柱状電極の上端が露出するように形成した封止部材とを備えた。
【選択図】図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は小型、薄型化、低コストなウェハレベルCSP構造の弾性表面波装置、特に縦続縦結合DMSフィルタ装置とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、弾性表面波フィルタは通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話機等の移動体通信機器に多く用いられている。携帯電話機のRF部に用いられるフィルタの1つとして、1次と3次の縦モードを利用した広帯域の縦結合二重モード弾性表面波フィルタ(以下、縦結合DMSフィルタと称す。)がある。また急峻な減衰傾度及び大きな保証減衰量を必要とする場面では、圧電基板上に縦結合DMSフィルタを2個併置する縦続接続型縦結合DMSフィルタ(以下、縦続縦結合DMSフィルタと称す。)が用いられる。
【0003】
図6は縦続縦結合DMSフィルタ素子の電極構造の一例を示す図であって、図7は縦続縦結合DMSフィルタを構成する縦結合DMSフィルタの詳細説明図である。
図6に示す縦続縦結合DMSフィルタ素子11は、図7(a)に示した圧電基板の一方の主面に表面波の伝搬方向(図中矢印)に沿って、それぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の櫛形電極から成るIDT電極1乃至3を近接配置し、その両側にグレーティング反射器(以下、反射器と称す。)4a、4bを配設してなる振動伝搬部、即ち縦結合DMSフィルタ5と、
図7(b)に示した圧電基板の一方の主面に表面波の伝搬方向(図中矢印)に沿って、それぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の櫛形電極から成るIDT電極6乃至8を近接配置し、その両側に反射器9a、9bを配設してなる振動伝搬部、即ち縦結合DMSフィルタ10と、
入力用パッド電極INと、出力用パッド電極OUTと、アース電位用のパッド電極E1乃至E4と、を備え、
パッド電極INは縦結合DMSフィルタ5の中央近傍の基板端縁側に、パッド電極OUTは縦結合DMSフィルタ10の中央近傍の基板端縁側に、パッド電極E1乃至E4は縦結合DMSフィルタ5と縦結合DMSフィルタ10との間隙に配設されると共にパッド電極INとパッド電極OUTとを結ぶ線と直交するように一列に配設されており、縦結合DMSフィルタ5と縦結合DMSフィルタ10とが図中上下方向に線対称に配置されると共に、縦結合DMSフィルタ5と縦結合DMSフィルタ10とにパッド電極E1乃至E4、パッド電極IN、パッド電極OUT夫々を電気的に接続するリード電極は圧電基板の中央を基準として点対称になるように引き回されている。
【0004】
更にリード電極の引き回しを詳細に説明すると、IDT電極1が備える櫛形電極1a(図中上側)の略中央からリード電極を上側方向に延ばし、パッド電極INに接続する。また、IDT電極6が備える櫛形電極6a(図中下側)の略中央からリード電極を下側方向に延ばし、パッド電極OUTに接続する。
IDT電極1が備える櫛形電極1b(図中下側)の略中央からリード電極を下側方向に延ばし、パッド電極E3に接続する。また、IDT電極6が備える櫛形電極6b(図中上側)の略中央からリード電極を上側方向に延ばし、パッド電極E2にそれぞれ接続する。
IDT電極2が備える櫛形電極2b(図中下側)の最下端辺の一部からリード電極を下側方向に延ばすと共にIDT電極8が備える櫛形電極8b(図中上側)の最上端辺の一部からリード電極を上側方向に延ばし、パッド電極E2の外側を経由して接続する。また、IDT電極3が備える櫛形電極3b(図中下側)の最下端辺の一部からリード電極を下側方向に延ばすと共にIDT電極7が備える櫛形電極7b(図中上側)の最上端辺の一部からリード電極を上側方向に延ばし、パッド電極E3の外側を経由して接続する。
IDT電極2が備える櫛形電極2a(図中上側)の最上端辺の一部からリード電極を上側方向に延ばすと共にIDT電極8が備える櫛形電極8a(図中下側)の最下端辺の一部からリード電極を下側方向に延ばし、前記反射器4aと前記反射器9aとの左外側を経由してパッド電極E1にそれぞれ接続する。また、IDT電極3が備える櫛形電極3a(図中上側)の最上端辺の一部からリード電極を上側方向に延ばすと共にIDT電極7が備える櫛形電極7a(図中下側)の最下端辺の一部からリード電極を下側方向に延ばし、前記反射器4bと前記反射器9bとの右外側を経由してパッド電極E4にそれぞれ接続する。
【0005】
移動体通信機器の普及に伴う低価格化および小型化の急激な進展により、縦続縦結合DMSフィルタ装置に対して更なる低価格化、小型化の要求が高まっており、この要求を満足するには半導体の分野で一般化しつつあるチップサイズパッケージ(Chip Size Package。以下「CSP」と記す。)のパッケージ技術が不可欠となる。CSPとは表面実装型パッケージの一種でシリコンチップサイズと同等あるいはわずかに大きい小型パッケージの総称であって、その構造はプリント基板の一方の主面にフリップチップボンディングにより接続されたシリコンチップを封止用樹脂で覆ったものである。また、プリント基板の内部配線により該プリント基板の他方の主面に備える外部端子電極をシリコンチップが有するボンディングパッドの位置とは異なる任意の位置、一般的にはプリント基板の四隅に配置することが可能であることから、如何なる外部回路基板に対応することが可能である。
【0006】
更なる小型化、薄型化の要求に応えるため、例えば特開2000−261284号公報で開示されたようなウェハレベルCSP構造を弾性表面波装置に適用することも提案されており、図8はそのパッケージの構成を示す縦断面図である。
同図から明らかなように、圧電基板101の一方主面に形成された櫛歯状を成す励振電極102と、励振電極102に電気的に接続された入出力パッド及び接地パッドを含む配線電極103と、配線電極103(少なくとも入出力パッド)上に立設した複数の柱状電極105と、励振電極102の上方を励振電極102の振動空間108を確保すべく覆う金属等から成る保護カバー104と、を備え、柱状電極105の外周部及び保護カバー104を覆った樹脂等の絶縁体から成る外部カバー106から露出した柱状電極105の上端部にはんだバンプ107を配設することで、外部回路基板(不図示)へはんだバンプ107が形成された側を下にして実装することが可能としている。
【0007】
【特許文献】特開2000−261284号公報。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従来のウェハレベルCSP構造の弾性表面波装置では該弾性表面波装置が備える外部端子電極の位置は該外部端子電極となる柱状電極を立設する前記入出力パッドの位置に依存する。例えば、図6に示したような構造の前記縦続縦結合DMSフィルタ素子11をウェハレベルパッケージングした弾性表面波装置の外部端子電極の位置は、縦続縦結合DMSフィルタ素子11が備える前記パッド電極IN及び前記パッド電極OUTと前記パッド電極E2、E4との位置に依存し十字状に配置される。そのため外部回路基板のフットパターンが十字状のものに限定されてしまい、前述したCSP構造の弾性表面波装置のように任意の位置に外部端子電極を配設することが不可能である。
【0009】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、外部端子電極を所望の位置に配設することのできるウェハレベルCSP構造の弾性表面波装置、特に縦続縦結合DMSフィルタ装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係わる請求項1記載の発明は、圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極を形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように形成した第1の絶縁膜と、前記振動伝搬部と該振動伝搬部の周縁に形成された前記第1の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように形成した第2の絶縁膜と、前記パッド電極の一部と導通し少なくとも前記第1の絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極と、前記第1の絶縁膜上の前記再配線リード電極と電気的に接続された柱状電極と、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うと共に前記柱状電極の上端が露出するように形成した封止部材と、を備えたことを特徴とする。
【0011】
また請求項2記載の発明は、圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極とを形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように形成した第1の絶縁膜と、前記振動伝搬部と前記第1の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように形成した第2の絶縁膜と、前記パッド電極の一部と導通し前記第2の絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極と、前記第2の絶縁膜上の前記再配線リード電極と電気的に接続された柱状電極と、前記第2の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うと共に前記柱状電極の上端が露出するように形成した封止部材と、を備えたことを特徴とする。
【0012】
また請求項3記載の発明は、請求項1又は2において、前記第1及び前記第2の絶縁膜の少なくとも一方が感光性樹脂であることを特徴とする。
【0013】
また請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記圧電基板の他方の主面に樹脂材を配設したことを特徴とする。
【0014】
また請求項5記載の発明は、請求項4において、前記樹脂材が前記圧電基板と前記前記第1の絶縁膜との境界を覆うようにこれらの側面まで延設されており、前記樹脂材の外端面夫々と対応する位置にある前記封止部材の外端面夫々とが略平坦になることを特徴とする。
【0015】
また請求項6記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記圧電基板の他方の主面に弾性表面波装置の方向を認識する手段が形成していることを特徴とする。
【0016】
また請求項7記載の発明は、請求項4又は5において、前記圧電基板の他方の主面に配設された前記樹脂材上に弾性表面波装置の方向を認識する手段が形成していることを特徴とする。
【0017】
また請求項8記載の発明は、圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極とを形成する電極形成工程と、前記圧電基板の一方の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように第1の絶縁膜を形成する第1の絶縁膜形成工程と、前記振動伝搬部と前記第1の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように第2の絶縁膜を形成する第2の絶縁膜形成工程と、前記パッド電極の一部と導通し且ついずれかの絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極を形成する再配線リード電極形成工程と、前記いずれかの絶縁膜上に配置した前記再配線リード電極上に前記柱状電極を形成する柱状電極形成と、前記柱状電極の上端部分を残して前記第1及び前記第2の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うように封止部材を形成する封止部材形成工程と、を有することを特徴とする。
【0018】
また請求項9記載の発明は、請求項8において、前記圧電基板の他方の主面上に樹脂材を配設する樹脂材配設工程を含むことを特徴とする。
【0019】
また請求項10記載の発明は、請求項8又は9において、前記電極形成工程において、1枚の大型圧電基板母材から複数組の前記振動伝搬部と前記パッド電極とを形成し、該大型圧電基板母材の状態で以降の工程を行った後に個片に分割することを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図示した本発明の実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
【0021】
図1は本発明実施形態のウェハレベルCSP構造の縦続縦結合DMSフィルタ装置の構成を示すための図であって、図1(a)はその柱状電極、封止部材、はんだバンプを省略した状態、即ち再配線した面を示す平面図で、図1(b)は縦断面図である。なお縦続縦結合DMSフィルタ素子11については図6及び図7を斟酌する。
本発明実施形態の縦続縦結合DMSフィルタ装置50は、前述の縦続縦結合DMSフィルタ素子11と、
前記パッド電極IN、OUT、E1〜E4夫々の略中央と前記縦結合DMSフィルタ5、10夫々が備えるIDT電極とが開口するように形成された層間絶縁膜21(第1の絶縁膜)と、
少なくとも前記IDT電極の開口を閉止するように層間絶縁膜21上に形成された絶縁膜22(第2の絶縁膜)と、
層間絶縁膜21上に形成されると共に縦続縦結合DMSフィルタ素子11のパッド電極IN近傍の一方の隅部に形成されており層間絶縁膜21から露出したパッド電極INと電気的に接続する再配線リード電極23aと、
層間絶縁膜21上に形成されると共に前記再配線リード電極23aの対角の位置に形成されており層間絶縁膜21から露出したパッド電極OUTと電気的に接続する再配線リード電極23bと、
層間絶縁膜21上に形成されると共に前記再配線リード電極23aの対辺の位置に形成されており層間絶縁膜21から露出したパッド電極E2と電気的に接続する再配線リード電極23cと、
層間絶縁膜21上に形成されると共に前記再配線リード電極23cの対角の位置に形成されており層間絶縁膜21から露出したパッド電極E1、E3、E4(不図示)と電気的に接続する再配線リード電極23dと、
層間絶縁膜21上に形成した再配線リード電極23a〜23d夫々に立設した4個の柱状電極24と、封止部材26と、を備え、
再配線リード電極23a〜23dを最短再配線で且つ層間絶縁膜21と絶縁膜22との境界を覆うように配設すると共に再配線リード電極23a〜23dで覆うことが出来なかった層間絶縁膜21と絶縁膜22との境界を覆うようにダミー再配線リード電極23eを配設し、層間絶縁膜21、絶縁膜22、再配線リード電極23a〜23d、ダミー再配線リード電極23e、柱状電極24夫々の外周部を覆うように充填した封止部材26から露出した柱状電極24の上端面にはんだバンプ25を配設した構造となっている。また、はんだバンプ25を形成した面の反対面、即ち縦続縦結合DMSフィルタ素子11の下面には配設された樹脂からなる保護層33の表面には方向識別等に用いるマーク34が形成されている。
前記ダミー再配線リード電極23eは前記絶縁膜22と前記層間絶縁膜21との境界の気密性を向上させるためのものであって、絶縁膜22周縁から該絶縁膜22近傍の層間絶縁膜21にかけて配設されていれば前記再配線リード電極23a〜23d夫々と不通であっても構わない。
前記保護層33は縦続縦結合DMSフィルタ装置50を外部回路基板(不図示)へ実装する時にマウンタ等の自動機の吸着又はハンドリングによって加わる負荷を軽減するためのもので、圧電基板が備える機械的強度がこの負荷に十分耐えうるものであれば該保護層33を圧電基板に配設しなくても構わない。
前記はんだバンプ25の組成を変えることにより鉛フリー対応が可能である。
【0022】
図2乃至図5を斟酌して本実施形態に係る縦続縦結合DMSフィルタ装置の製造方法について説明する。
本実施形態に係る縦続縦結合DMSフィルタ装置の製造方法では複数の縦続縦結合DMSフィルタ装置を一括製造するため、複数の縦続縦結合DMSフィルタが形成された圧電ウェハ(大型圧電基板母材)31を用いる。
【0023】
図2(a)に示すように、第1工程は層間絶縁膜の形成工程であって、圧電ウェハ31上に形成された縦続縦結合DMSフィルタが備える縦結合DMSフィルタ5、10(不図示)及び前記パッド電極IN、OUT(不図示)、E1乃至E4(E2のみ図示)夫々が露出するように層間絶縁膜21となる樹脂材、例えばポジ型感光性ポリイミドのパターニング及び硬化処理を層間絶縁膜21が所望の厚み、前記縦結合DMSフィルタ5、10が必要とする前記振動空間5a、10a(不図示)の確保に必要な厚みになるまで繰り返す。
【0024】
図2(b)に示すように、第2工程は絶縁膜の形成工程であって、少なくとも前記縦結合DMSフィルタ5、10(不図示)を露出させる層間絶縁膜21の開口を閉止するように絶縁膜22となる樹脂材、例えば感光性ポリイミドのパターニング及び硬化処理を絶縁膜22が所望の厚みになるまで繰り返す。
【0025】
図2(c)乃至図2(d)に示すように、第3工程は再配線リード電極の形成工程であって、層間絶縁膜21上に再配線リード電極となる金属導体23、例えば銅の蒸着又はスパッタ及びパターニングによって再配線リード電極、例えば23a、23bを形成する。またダミー再配線リード電極23eを本工程において又は別工程で且つ本工程と同一の方法で形成する。
【0026】
図3(a)に示すように、第4工程は柱状電極の形成工程であって、再配線リード電極及びダミー再配線リード電極が形成された面に再配線リード電極、例えば23a、23cに相当する部分に孔を備える金属マスク32を被覆し、柱状電極となる導体、例えば銅をスパッタ又は蒸着によって再配線リード電極23a、23bに上面の柱状電極24を形成する。または従来と同様に、フォトリソグラフィによってメッキガイド用フォトレジストを形成し電解メッキによって再配線リード電極の上面の柱状電極を形成する。
【0027】
図3(b)に示すように、第5工程は封止部材の形成工程であって、柱状電極夫々の外周部、層間絶縁膜、絶縁膜、再配線リード電極、ダミー再配線リード電極を覆うように封止部材26となる樹脂をディスペンサ等の塗布装置で充填し加熱と紫外線照射の少なくとも一方を用いて硬化処理を施す。または従来と同様に、熱硬化樹脂フィルムの圧着であっても構わない。
【0028】
図3(c)乃至図3(d)に示すように、第6工程ははんだバンプの形成工程であって、本工程は従来と同様に、封止部材26が形成された面をフォトリソグラフィあるいは研摩して所望の厚さ、即ち縦続縦結合DMSフィルタ装置高さに略一致するように成形すると共に柱状電極24夫々の上端面を露出させ、柱状電極24夫々の上端面にスクリーン印刷〜リフローによりはんだバンプ25を形成する。
【0029】
図4(a)に示すように、第7工程はマーキング工程であって、前記はんだバンプ25を形成した面の反対面、即ち圧電ウェハ材が露出した面に直接あるいは圧電ウェハ材の露出した面に感光性樹脂や感熱性樹脂で保護層33を配設し該保護層33の表面にフォトリソグラフィ、レーザー、印刷等を用いてマーク34を形成する。保護層33となる樹脂材は前記封止部材と同一のものであっても構わない。
【0030】
図4(a)に示すように、第8工程は切断工程であって、本工程は従来と同様に、相隣接する縦続縦結合DMSフィルタ装置の間隙の略中央となる切断位置37においてダイシング等で圧電ウェハ31、層間絶縁膜21、封止部材26、保護層33、切断位置によっては前記絶縁膜を一括で碁盤目に切断し個片に分割することで複数の図4(b)に示す縦続縦結合DMSフィルタ装置35が得られる。
【0031】
なお前記層間絶縁膜21となる樹脂材が吸湿性の高いものであれば前記縦続縦結合DMSフィルタ及び前記リード電極の耐湿対策として、前記層間絶縁膜の形成工程(第1工程)の前処理として前記パッド電極を除く前記縦続縦結合DMSフィルタ素子11の上面にパッシベーション膜、例えばSiO膜を形成させる。
【0032】
図5は切断工程における切断方法(2段階切断)の説明図であって、図4(b)に示す一括切断によって個片にした縦続縦結合DMSフィルタ装置35の側面には少なくとも前記圧電ウェハ31と前記層間絶縁膜21と前記封止部材26との切断面が露出すると共に圧電ウェハ31と層間絶縁膜21との境界或いは圧電ウェハ31と前記パッシベーション膜との境界が露出しており該境界より吸湿し前記縦続縦結合DMSフィルタを腐食させる虞がある。
その対策として図5(a)に示すように、前記はんだバンプ25を形成した面の反対面、即ち縦続縦結合DMSフィルタ素子11の下面から圧電ウェハ31とパッシベーション膜が形成されていれば該パッシベーション膜と層間絶縁膜21の厚みの約半分だけ切断(第1の切断)することで溝38を形成し、図5(b)に示すように、該溝38を含む縦続縦結合DMSフィルタ素子11の下面が面一になるように前記保護層33を配設しマーキングを施した上で、前記第1の切断に使用したダイシング刃より薄いダイシング刃36により溝部の略中央で保護層33、封止部材26、層間絶縁膜21の残り半分を一括に切断(第2の切断)する。図5(c)に示すように、このような2段階切断によって圧電ウェハ31と層間絶縁膜21との境界或いは圧電ウェハ31と前記パッシベーション膜との境界を覆った保護層33aと層間絶縁膜21と封止部材26が露出した側面(切断面)を有する縦続縦結合DMSフィルタ装置40が得られる。
【0033】
また本発明の製造方法を圧電ウェハに適用したときの形態例について説明したが、工程順序の変更、例えば切断工程を第1工程にすることで単体の圧電素板に適用することも可能である。
【0034】
本発明で言う圧電ウェハ、圧電基板とは水晶、四方酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ランガサイト等の弾性表面波の励振が可能な圧電材料を示していることは云うまでもない。
【0035】
このように構成することにより、外部端子電極を所望の位置に配設することのできるウェハレベルCSP構造の弾性表面波装置、特に縦続縦結合DMSフィルタ装置が得られる。
【0036】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように本発明によれば、小型化、薄型化を追及したパッケージ技術の採用と圧電基板上で再配線を行う事でシンプルな構造になることにより低価格化が可能であり、さらに所望の位置に外部端子電極を配設することが可能になることにより様々な外部回路基板のフットパターンに対応することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施形態としてのウェハレベルCSP構造の縦続縦結合DMSフィルタ装置の構成図。
(a)再配線した面を示す平面図。
(b)縦断面図。
【図2】本実施形態に係る縦続縦結合DMSフィルタ装置の製造方法説明図。
(a)層間絶縁膜の形成工程。
(b)絶縁膜の形成工程。
(c)乃至(d)再配線リード電極の形成工程。
【図3】本実施形態に係る縦続縦結合DMSフィルタ装置の製造方法説明図。
(a)柱状電極の形成工程。
(b)封止部材の形成工程。
(c)乃至(d)はんだバンプの形成工程。
【図4】本実施形態に係る縦続縦結合DMSフィルタ装置の製造方法説明図。
(a)切断工程。
(b)縦続縦結合DMSフィルタ装置の完成図。
【図5】本実施形態に係る切断方法(2段階切断)の説明図。
【図6】縦続縦結合DMSフィルタ素子の電極図。
【図7】縦結合DMSフィルタの詳細説明図。
【図8】従来の弾性表面波装置の構成を示す縦断面図。
【符号の説明】
1〜3…IDT電極 4a、4b…グレーティング反射器
5…縦結合DMSフィルタ 6〜8…IDT電極
9a、9b…グレーティング反射器
10…縦結合DMSフィルタ 11…縦続縦結合DMSフィルタ素子
IN…パッド電極 OUT…パッド電極 E1〜E4…パッド電極
21…層間絶縁膜 5a、10a…振動空間 22…絶縁膜
23…金属導体 23a〜23d…再配線リード電極
23e…ダミー再配線リード電極
24…柱状電極 25…はんだバンプ 26…封止部材
31…圧電ウェハ 32…金属マスク 33、33a…保護層
34…マーク 35…縦続縦結合DMSフィルタ装置
36…第2のダイシング刃 37…切断位置 38溝
40、50…縦続縦結合DMSフィルタ装置
101…圧電基板 102…励振電極 103…配線電極
104…保護カバー 105…柱状電極 106…封止部材
107…はんだバンプ 108…振動空間

Claims (10)

  1. 圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極を形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極の一部とを除く領域を覆うように形成した第1の絶縁膜と、前記振動伝搬部と該振動伝搬部の周縁に形成された前記第1の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように形成した第2の絶縁膜と、前記パッド電極の一部と導通し少なくとも前記第1の絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極と、前記第1の絶縁膜上の前記再配線リード電極と電気的に接続された柱状電極と、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うと共に前記柱状電極の上端が露出するように形成した封止部材と、を備えた弾性表面波装置。
  2. 圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極とを形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように形成した第1の絶縁膜と、前記振動伝搬部と前記第1の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように形成した第2の絶縁膜と、前記パッド電極の一部と導通し前記第2の絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極と、前記第2の絶縁膜上の前記再配線リード電極と電気的に接続された柱状電極と、前記第2の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うと共に前記柱状電極の上端が露出するように形成した封止部材と、を備えた弾性表面波装置。
  3. 前記第1及び前記第2の絶縁膜の少なくとも一方が感光性樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の弾性表面波装置。
  4. 前記圧電基板の他方の主面に樹脂材を配設したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の弾性表面波装置。
  5. 前記樹脂材が前記圧電基板と前記前記第1の絶縁膜との境界を覆うようにこれらの側面まで延設されており、前記樹脂材の外端面夫々と対応する位置の前記封止部材の外端面夫々とが互いに略一致することを特徴とする請求項4に記載の弾性表面波装置。
  6. 前記圧電基板の他方の主面に弾性表面波装置の方向を認識する手段が形成していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の弾性表面波装置。
  7. 前記圧電基板の他方の主面に配設された前記樹脂材上に弾性表面波装置の方向を認識する手段が形成していることを特徴とする請求項4又は5に記載の弾性表面波装置。
  8. 圧電基板の一方の主面に振動伝搬部と該振動伝搬部の一部と電気的に接続したパッド電極とを形成する電極形成工程と、
    前記圧電基板の一方の主面上の前記振動伝搬部と前記パッド電極との一部を除く領域を覆うように第1の絶縁膜を形成する第1の絶縁膜形成工程と、
    前記振動伝搬部と前記第1の絶縁膜上面とを前記振動伝搬部と所定の間隙を隔てて覆うように第2の絶縁膜を形成する第2の絶縁膜形成工程と、
    前記パッド電極の一部と導通し且ついずれかの絶縁膜の上面まで延びる再配線リード電極を形成する再配線リード電極形成工程と、
    前記いずれかの絶縁膜上に配置した前記再配線リード電極上に前記柱状電極を形成する柱状電極形成と、
    前記柱状電極の上端部分を残して前記第1及び前記第2の絶縁膜と前記再配線リード電極とを覆うように封止部材を形成する封止部材形成工程と、
    を有することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
  9. 前記圧電基板の他方の主面上に樹脂材を配設する樹脂材配設工程を含むことを特徴とする請求項8記載の弾性表面波装置の製造方法。
  10. 前記電極形成工程において、1枚の大型圧電基板母材から複数組の前記振動伝搬部と前記パッド電極とを形成し、該大型圧電基板母材の状態で以降の工程を行った後に個片に分割することを特徴とする請求項8又は9に記載の弾性表面波装置の製造方法。
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