KR100605767B1 - 반도체 장치, 그 제조 방법, 회로 기판 및 전자기기 - Google Patents
반도체 장치, 그 제조 방법, 회로 기판 및 전자기기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100605767B1 KR100605767B1 KR1020040106962A KR20040106962A KR100605767B1 KR 100605767 B1 KR100605767 B1 KR 100605767B1 KR 1020040106962 A KR1020040106962 A KR 1020040106962A KR 20040106962 A KR20040106962 A KR 20040106962A KR 100605767 B1 KR100605767 B1 KR 100605767B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wiring
- semiconductor device
- resin layer
- external terminal
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 150
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 150
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (20)
- 복수의 전극을 갖는 반도체 소자에, 복수의 수지층과, 상기 전극에 전기적으로 접속되는 복수의 배선과, 해당 배선에 전기적으로 접속되는 복수의 외부 단자가 형성된 반도체 장치로서,상기 복수의 배선중 그 일부인 제 1 배선이 하나의 수지층 또는 적층된 복수의 수지층의 저면에 형성되고,상기 복수의 배선중 상기 일부를 제외한 제 2 배선이 상기 하나의 수지층 또는 적층된 복수의 수지층의 표면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 전극중 상기 제 1 배선에 접속되어 있지 않은 전극의 표면에, 상기 제 1 배선과 같은 재료의 금속막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 배선은 상기 복수의 외부 단자중 적어도 상기 반도체 소자의 가장 외주부측에 위치하는 외부 단자에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체 장치의 패키지 방식은 칩 사이즈 패키지인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 외부 단자는 땜납볼로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 하나의 수지층 또는 적층된 복수의 수지층에 비어홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체 장치는 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 반도체 소자의 집합체를 다이싱에 의해 절단하여 제조되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 복수의 수지층중 적어도 하나의 수지층은 상기 집합체의 다이싱에 의해 절단하는 부분을 피하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 수지층은 상기 전극이 형성되어 있는 부분에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 복수의 전극을 갖는 반도체 소자에, 복수의 수지층과, 상기 전극에 전기적으로 접속되는 복수의 배선과, 해당 배선에 전기적으로 접속되는 복수의 외부 단자를 형성하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,상기 복수의 배선중 그 일부인 제 1 배선을 형성한 후에, 해당 제 1 배선의 표면에 적어도 하나의 수지층 또는 적층된 복수의 수지층을 형성하고, 상기 복수의 배선중 상기 일부를 제외한 제 2 배선을 상기 하나의 수지층 또는 적층된 복수의 수지층의 표면에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 복수의 전극중 상기 제 1 배선에 접속되어 있지 않은 전극의 표면에, 상기 제 1 배선과 같은 재료의 금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 제 1 배선을 상기 복수의 외부 단자중 적어도 상기 반도체 소자의 가장 외주부측에 위치하는 외부 단자에 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 반도체 장치의 패키지 방식은 칩 사이즈 패키지인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 외부 단자는 땜납볼로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 하나의 수지층 또는 적층된 복수의 수지층에 비어홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 반도체 장치를 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 반도체 소자의 집합체를 다이싱에 의해 절단하여 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 복수의 수지층중 적어도 하나의 수지층을 상기 집합체의 다이싱에 의해 절단하는 부분을 피하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,적어도 하나의 수지층을, 상기 전극이 형성되어 있는 부분에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 청구항 1에 기재된 반도체 장치를 탑재하고 있는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
- 청구항 1에 기재된 반도체 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 전자기기.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2003-00419405 | 2003-12-17 | ||
JP2003419405A JP4010298B2 (ja) | 2003-12-17 | 2003-12-17 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050061372A KR20050061372A (ko) | 2005-06-22 |
KR100605767B1 true KR100605767B1 (ko) | 2006-07-31 |
Family
ID=34510638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040106962A KR100605767B1 (ko) | 2003-12-17 | 2004-12-16 | 반도체 장치, 그 제조 방법, 회로 기판 및 전자기기 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7129581B2 (ko) |
EP (1) | EP1544914A2 (ko) |
JP (1) | JP4010298B2 (ko) |
KR (1) | KR100605767B1 (ko) |
CN (2) | CN101673717B (ko) |
TW (1) | TWI243459B (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3855992B2 (ja) | 2003-12-17 | 2006-12-13 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP4010298B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2007-11-21 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
US9202714B2 (en) * | 2012-04-24 | 2015-12-01 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming semiconductor device packages |
US9099364B1 (en) * | 2014-08-15 | 2015-08-04 | Powertech Technology Inc. | MPS-C2 semiconductor device having shorter supporting posts |
US10714402B2 (en) * | 2016-06-20 | 2020-07-14 | Sony Corporation | Semiconductor chip package for improving freedom of arrangement of external terminals |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2616565B2 (ja) * | 1994-09-12 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 電子部品組立体 |
JP3142723B2 (ja) * | 1994-09-21 | 2001-03-07 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2546192B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | フィルムキャリア半導体装置 |
JP2843315B1 (ja) * | 1997-07-11 | 1999-01-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
TW480636B (en) | 1996-12-04 | 2002-03-21 | Seiko Epson Corp | Electronic component and semiconductor device, method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board and electronic equipment |
TW459323B (en) | 1996-12-04 | 2001-10-11 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method for semiconductor device |
TW448524B (en) | 1997-01-17 | 2001-08-01 | Seiko Epson Corp | Electronic component, semiconductor device, manufacturing method therefor, circuit board and electronic equipment |
JPH10326795A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-12-08 | Sony Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP3052899B2 (ja) | 1997-07-04 | 2000-06-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP3152180B2 (ja) * | 1997-10-03 | 2001-04-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3907845B2 (ja) * | 1998-08-18 | 2007-04-18 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
WO2000055898A1 (fr) | 1999-03-16 | 2000-09-21 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur, son procede de fabrication, carte de circuit et dispositif electronique |
KR100298827B1 (ko) * | 1999-07-09 | 2001-11-01 | 윤종용 | 재배선 기판을 사용한 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 제조방법 |
JP3629178B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2005-03-16 | Necエレクトロニクス株式会社 | フリップチップ型半導体装置及びその製造方法 |
US6707153B2 (en) | 2000-03-23 | 2004-03-16 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor chip with plural resin layers on a surface thereof and method of manufacturing same |
JP3526548B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2004-05-17 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003007701A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3813079B2 (ja) * | 2001-10-11 | 2006-08-23 | 沖電気工業株式会社 | チップサイズパッケージ |
US6987031B2 (en) * | 2002-08-27 | 2006-01-17 | Micron Technology, Inc. | Multiple chip semiconductor package and method of fabricating same |
JP4010298B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2007-11-21 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
-
2003
- 2003-12-17 JP JP2003419405A patent/JP4010298B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-12-08 TW TW093137958A patent/TWI243459B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-12-15 US US11/013,141 patent/US7129581B2/en active Active
- 2004-12-15 CN CN2009101790660A patent/CN101673717B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-15 CN CNB2004101049685A patent/CN100565851C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-16 KR KR1020040106962A patent/KR100605767B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-16 EP EP04029837A patent/EP1544914A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200522307A (en) | 2005-07-01 |
TWI243459B (en) | 2005-11-11 |
CN1630071A (zh) | 2005-06-22 |
JP4010298B2 (ja) | 2007-11-21 |
JP2005183517A (ja) | 2005-07-07 |
US20050133937A1 (en) | 2005-06-23 |
CN101673717B (zh) | 2012-06-13 |
EP1544914A2 (en) | 2005-06-22 |
KR20050061372A (ko) | 2005-06-22 |
CN100565851C (zh) | 2009-12-02 |
CN101673717A (zh) | 2010-03-17 |
US7129581B2 (en) | 2006-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100636770B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US9076700B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
JP4934053B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100415279B1 (ko) | 칩 적층 패키지 및 그 제조 방법 | |
US20080224322A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2005175019A (ja) | 半導体装置及び積層型半導体装置 | |
JP4379102B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20030084707A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US9589886B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing thereof, circuit board and electronic apparatus | |
JP2007242782A (ja) | 半導体装置及び電子装置 | |
US8450844B2 (en) | Semiconductor package and method of manufacturing the same | |
KR100605767B1 (ko) | 반도체 장치, 그 제조 방법, 회로 기판 및 전자기기 | |
JP2006108284A (ja) | 半導体パッケージ | |
US11183483B2 (en) | Multichip module and electronic device | |
JP2007059493A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4552978B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP4552979B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP3726906B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP4522213B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20010073946A (ko) | 딤플 방식의 측면 패드가 구비된 반도체 소자 및 그제조방법 | |
JPH11204677A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005175108A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP2012256919A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
KR20080111211A (ko) | 반도체 스택 패키지 및 이의 제조 방법 | |
KR20070035205A (ko) | 소자 몸체의 하부면을 제거하여 형성된 외부 접속 단자를갖는 웨이퍼 레벨 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130618 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140716 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150619 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160617 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170616 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180628 Year of fee payment: 13 |