WO2010125873A1 - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2010125873A1
WO2010125873A1 PCT/JP2010/054814 JP2010054814W WO2010125873A1 WO 2010125873 A1 WO2010125873 A1 WO 2010125873A1 JP 2010054814 W JP2010054814 W JP 2010054814W WO 2010125873 A1 WO2010125873 A1 WO 2010125873A1
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main surface
frame portion
forming
terminal
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PCT/JP2010/054814
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潤弥 西井
剛 仲井
大塚　一弘
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京セラ株式会社
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    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device such as a surface acoustic wave (SAW) device or a piezoelectric thin film resonator (FBAR), and a method for manufacturing the same.
  • SAW surface acoustic wave
  • FBAR piezoelectric thin film resonator
  • a so-called wafer level package acoustic wave device for miniaturization is known.
  • Patent Document 1 discloses a device in which an acoustic wave element disposed on a main surface of a piezoelectric substrate is accommodated in a cavity provided in a first sealing portion.
  • the elastic wave device of Patent Document 1 includes an electrode pad provided on the main surface of the piezoelectric substrate.
  • a columnar terminal portion is formed on the electrode pad, and the terminal portion is exposed from the upper surface of the second sealing portion that covers the first sealing portion.
  • Patent Document 1 when separation occurs between the terminal portion and the second sealing portion due to a difference in thermal expansion between the second sealing portion and the terminal portion, moisture that has entered from the gap generated by the separation is mainly used. There is a disadvantage that it reaches the surface and the connecting portion of the terminal portion and the electrode pad corrodes.
  • an elastic wave device and a method for manufacturing the same that can suppress the occurrence of corrosion at the connection portion between the terminal and the electrode pad.
  • An elastic wave device includes a substrate for propagating an elastic wave, an excitation electrode disposed on a main surface of the substrate, and electrically connected to the excitation electrode.
  • An electrode pad provided; a columnar terminal disposed on the electrode pad; a conductive overhang extending from a side surface of the terminal; and a side surface of the terminal disposed on a main surface of the substrate and the terminal A cover that covers the overhang and protects the excitation electrode.
  • a method of manufacturing an acoustic wave device includes a step of forming an excitation electrode and an electrode pad connected to the excitation electrode on a main surface of a substrate, and laminating the main surface.
  • Forming a frame portion formed in a frame shape surrounding the excitation electrode in plan view of the surface and having a first through hole that exposes the electrode pad; and the inside of the first through hole and the frame portion Forming a plating base layer on the upper surface; exposing the plating base layer on the plating base layer in the first through hole; and part of the upper surface of the frame portion with the first through hole
  • a second through hole that is formed in a lid shape that is stacked on the frame portion and closes the opening of the frame portion, and exposes the deposited metal in the first through hole.
  • the method for manufacturing an acoustic wave device includes a step of forming an excitation electrode and an electrode pad connected to the excitation electrode on the main surface of the substrate, and the main surface is laminated, Forming a frame portion formed in a frame shape surrounding the excitation electrode in plan view of the surface and having a first through hole that exposes the electrode pad; and the inside of the first through hole and the frame portion Forming a conductive base layer in a pattern region connected to the first through-hole on the upper surface; and forming a lid that is laminated on the frame portion and closes the opening of the frame portion; A step of forming a cover part having a second through hole to be exposed; and a step of filling the first through hole and the second through hole with metal.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device includes a step of forming an excitation electrode and an electrode pad connected to the excitation electrode on a main surface of a substrate, and laminating the main surface.
  • the occurrence of corrosion at the connection portion between the terminal and the electrode pad can be suppressed.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the SAW device of FIG. 1.
  • FIGS. 6 (a) to 6 (d) are cross-sectional views taken along the line IVa-IVa in FIG. 3, for explaining a method of manufacturing the SAW device in FIG.
  • FIGS. 7A to 7D are cross-sectional views taken along the line IVc-IVc in FIG. 3, for explaining the continuation of FIG. 6D.
  • FIGS. 8A to 8C are cross-sectional views taken along the line IVa-IVa in FIG. 3, for explaining the continuation of FIG. 7D.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view corresponding to the line IVc-IVc in FIG. 3, showing a SAW device according to a second embodiment of the present invention.
  • 10 (a) to 10 (c) are cross-sectional views corresponding to the line IVc-IVc in FIG.
  • FIG. 11 (a) to 11 (d) are cross-sectional views corresponding to the line IVa-IVa in FIG. 3, for explaining the continuation of FIG. 10 (c).
  • FIG. 4 is a cross-sectional view corresponding to the line IVc-IVc in FIG. 3, showing a SAW device according to a third embodiment of the present invention.
  • 13 (a) to 13 (c) are cross-sectional views corresponding to the line IVc-IVc in FIG. 3, for explaining a method of manufacturing the SAW device in FIG. It is a top view which shows the wiring structure of the SAW apparatus of the 4th Embodiment of this invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG. 14.
  • FIGS. 16A to 16C are equivalent circuit diagrams showing SAW devices according to modifications of the present invention. It is an equivalent circuit diagram which shows the SAW apparatus which concerns on the other modification of this invention. It is sectional drawing which shows the SAW apparatus of the 5th Embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a SAW device 1 according to the first embodiment of the present invention.
  • the SAW device 1 is a so-called wafer level package (WLP) type SAW device.
  • the SAW device 1 includes a substrate 3, a cover 5 fixed to the substrate 3, and a first terminal 7A to a sixth terminal 7F exposed from the cover 5 (hereinafter simply referred to as “terminal 7” without distinguishing between them). And a back surface portion 9 provided on the side opposite to the cover 5 of the substrate 3.
  • WLP wafer level package
  • the SAW device 1 is input with a signal via any one of the plurality of terminals 7.
  • the input signal is filtered by the SAW device 1.
  • the SAW device 1 outputs the filtered signal via any of the plurality of terminals 7.
  • the SAW device 1 is, for example, resin-sealed in a state where the surface on the cover 5 side faces a mounting surface such as a circuit board (not shown) and is placed on the mounting surface, whereby the terminal 7 is placed on the mounting surface. It is mounted while connected to the terminal.
  • the substrate 3 is composed of a piezoelectric substrate.
  • the substrate 3 is a rectangular parallelepiped single crystal substrate having piezoelectricity such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal.
  • substrate 3 has the 1st main surface 3a and the 2nd main surface 3b of the back side.
  • the planar shape of the substrate 3 may be set as appropriate, but is rectangular, for example.
  • the size of the substrate 3 may be set as appropriate.
  • the thickness is 0.2 mm to 0.5 mm, and the length of one side is 0.5 mm to 2 mm.
  • the cover 5 is provided so as to cover the first main surface 3a.
  • the planar shape of the cover 5 is, for example, the same as the planar shape of the substrate 3 (rectangular in this embodiment).
  • the cover 5 has, for example, a width approximately equal to that of the first main surface 3a and covers almost the entire surface of the first main surface 3a.
  • the plurality of terminals 7 are exposed from the upper surface of the cover 5 (surface opposite to the substrate 3).
  • the number of the plurality of terminals 7 is appropriately set according to the configuration of the electronic circuit inside the SAW device 1.
  • the terminals 7 are arranged along the outer periphery of the cover 5. More specifically, the four terminals 7 (7A, 7C, 7D, 7F) are arranged at four corners of the rectangle. Further, the two terminals 7 (7B, 7E) are arranged at the center of one side of the cover 5.
  • the back surface portion 9 includes, for example, a back electrode that covers almost the entire surface of the second main surface 3b and an insulating protective layer that covers the back electrode.
  • the back surface electrode discharges the charge charged on the surface of the substrate 3 due to a temperature change or the like. Damage to the substrate 3 is suppressed by the protective layer.
  • illustration and description of the back surface part 9 may be omitted.
  • FIG. 2 is a perspective view of the SAW device 1 with a part of the cover 5 cut away.
  • a SAW resonator 11A (see FIG. 3) and a SAW filter 11B are provided on the first main surface 3a.
  • the SAW resonator 11A and the SAW filter 11B may be referred to as “SAW element 11” without being distinguished from each other.
  • the SAW filter 11B is shown more schematically than FIG. 3 described later.
  • the first electrode pad 13A to the sixth electrode pad 13F (see also FIG. 3; hereinafter, simply referred to as “electrode pad 13”). May not be distinguished from each other).
  • the electrode pad 13 is connected to the SAW element 11.
  • the terminal 7 is provided so as to penetrate the cover 5, and is connected to the SAW element 11 by being connected to the electrode pad 13.
  • the cover 5 covers the first main surface 3 a so that a cavity is formed around the SAW element 11. Specifically, the cover 5 forms a first vibration space S1 around the SAW resonator 11A, and forms a second vibration space S2 around the SAW filter 11B.
  • the first vibration space S1 and the second vibration space S2 may be referred to as “vibration space S” without being distinguished from each other.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing a wiring structure on the first main surface 3 a of the substrate 3.
  • the range of the vibration space S is indicated by a two-dot chain line.
  • the SAW resonator 11A includes, for example, an IDT (InterDigital Transducer) electrode 15A and two reflectors 17A disposed on both sides of the SAW propagation direction (X direction) of the IDT electrode 15A.
  • IDT InterDigital Transducer
  • the SAW filter 11B is configured by, for example, a vertically coupled double mode SAW filter. That is, the SAW filter 11B includes a plurality (for example, five) of IDT electrodes 15B and two reflectors 17B disposed on both sides of the SAW propagation direction (X direction) of the plurality of IDT electrodes 15B. .
  • IDT electrodes 15A or 15B are each composed of a pair of electrodes.
  • the pair of electrodes includes a bus bar 15a extending in the SAW propagation direction (X direction) and a plurality of electrode fingers 15b extending from the bus bar 15a in a direction orthogonal to the propagation direction (Y direction). It arrange
  • the SAW element 11 is made of an Al alloy such as an Al—Cu alloy.
  • FIG. 4A is a sectional view taken along the line IVa-IVa in FIG. 3
  • FIG. 4B is a sectional view taken along the line IVb-IVb in FIG. 3
  • FIG. 4C is a sectional view taken along the line IVc-IVc in FIG. It is sectional drawing in a line.
  • the first main surface 3a is insulated from the first conductive layer 19 including the SAW element 11 (FIG. 4B) and the insulating layer 21 (FIG. 4A) disposed on the first conductive layer 19.
  • a second conductive layer 23 (FIG. 4A) disposed on the layer 21 is formed.
  • the first conductive layer 19 is a basic layer regarding the configuration of circuit elements, wirings, and the like on the first main surface 3a.
  • the second conductive layer 23 is formed by laminating the first conductive layer 19 via the insulating layer 21 in a place where wirings to which different potentials are applied must be three-dimensionally crossed to form a part of the wiring. It is a layer to do.
  • the first conductive layer 19 is made of, for example, an Al alloy such as an Al—Cu alloy, and the thickness thereof is, for example, 100 to 200 nm.
  • the insulating layer 21 is made of, for example, a photosensitive resin (for example, polyimide), and the thickness thereof is, for example, 1 to 2 ⁇ m.
  • the second conductive layer 23 is made of, for example, gold, nickel, or chromium. The second conductive layer 23 is formed, for example, thicker than the first conductive layer 19 so as not to be disconnected due to a step generated by the insulating layer 21, and the thickness thereof is, for example, 1 to 2 ⁇ m.
  • the wiring structure by the first conductive layer 19, the insulating layer 21, and the second conductive layer 23 may be appropriately configured according to the position and structure of the terminal 7 and the SAW element 11.
  • FIG. 3 illustrates a wiring structure configured as follows.
  • the fourth terminal 7D (see the fourth electrode pad 13D in FIG. 3) is, for example, a terminal to which a signal is input, and is connected to the SAW resonator 11A by the input side connection line 27 included in the first conductive layer 19. ing.
  • the SAW resonator 11 ⁇ / b> A and the SAW filter 11 ⁇ / b> B are connected to each other by a plurality of intermediate connection lines 29 included in the first conductive layer 19.
  • the third terminal 7C and the sixth terminal 7F are, for example, terminals that output signals, and two terminals included in the first conductive layer 19 are included.
  • the output side connection line 31 is connected to the SAW filter 11B.
  • the first terminal 7A, the second terminal 7B, and the fifth terminal 7E are terminals to which a reference potential is applied, for example. is there. These terminals are connected to each other and to the SAW filter 11B.
  • the first terminal 7A and the second terminal 7B are connected by a first ground connection line 33a included in the first conductive layer 19.
  • the second terminal 7B and the fifth terminal 7E are connected by a second ground connection line 33b configured by a second conductive layer 23 disposed on the intermediate connection line 29.
  • the second ground connection line 33b branches at two locations, and the branch portion is connected to the SAW filter 11B.
  • the second terminal 7B and the fifth terminal 7E are connected by a third ground connection line 33c configured by the second conductive layer 23 disposed on the output side connection line 31.
  • the third ground connection line 33c branches at three locations, and the branch portion is connected to the SAW filter 11B.
  • a protective layer 25 and a cover 5 are laminated on the first conductive layer 19, the insulating layer 21, and the second conductive layer 23.
  • the cover 5 includes a frame portion 35 stacked on the protective layer 25 and a lid portion 37 stacked on the frame portion 35.
  • the protective layer 25 contributes to the oxidation prevention of the SAW element 11 and the like.
  • the protective layer 25 is formed of, for example, a material having an insulating property and a mass that is light enough not to affect the propagation of the SAW.
  • the protective layer 25 is formed of silicon oxide (SiO 2 or the like), silicon nitride, silicon or the like.
  • the thickness of the protective layer 25 may be set as appropriate, and may be, for example, about 1/10 (10 to 20 nm) of the thickness of the first conductive layer 19. However, in this application, for convenience of explanation, the protective layer 25 is shown thicker than the conductive layer.
  • the frame portion 35 is laminated on the first main surface 3a via the protective layer 25, and is formed so as to surround the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3a.
  • the lid portion 37 is stacked on the frame portion 35 and closes the opening of the frame portion 35.
  • a vibration space S that allows the SAW element 11 to vibrate is formed by a space surrounded by the first main surface 3 a (protective layer 25), the frame portion 35, and the lid portion 37.
  • the cover 5 is not provided directly on the first main surface 3a of the substrate 3, but is provided on the protective layer 25 or the like.
  • the predetermined members and layers are indirectly provided on the main surface of the substrate 3, and even when the predetermined members and layers are not directly provided on the main surface of the substrate 3, It may be expressed that a layer or the like is provided on the main surface of the substrate 3. The same applies to the term “stack”.
  • the frame portion 35 is configured by forming one or more (two in the present embodiment) openings serving as the vibration space S in a layer having a substantially constant thickness.
  • the shape indicated by the solid line indicating the outline of the substrate 3 (first main surface 3 a) and the two-dot chain line indicating the range of the vibration space S is substantially the same as the planar shape of the frame portion 35.
  • the vibration space is divided into two because the partition wall 35b (FIG. 2) is formed in order to improve the support strength of the lid portion 37 by the frame portion 35. Therefore, as long as the necessary support strength is obtained, the SAW device 1 may be configured such that the partition wall 35b is omitted and the two SAW elements 11 are arranged in one vibration space.
  • the frame part 35 and the lid part 37 are constituted by layers having a substantially constant thickness.
  • the thickness of the frame portion 35 (height of the vibration space S) is, for example, several ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the thickness of the lid portion 37 is, for example, several ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the frame part 35 and the lid part 37 are made of, for example, photosensitive resin.
  • the photosensitive resin is, for example, a urethane acrylate-based, polyester acrylate-based, or epoxy acrylate-based resin that is cured by radical polymerization of an acryl group or a methacryl group.
  • the frame portion 35 and the lid portion 37 may be formed of the same material, or may be formed of different materials.
  • the boundary line between the frame portion 35 and the lid portion 37 is clearly shown.
  • the frame portion 35 and the lid portion 37 are formed of the same material and are integrally formed. May be. Even in this case, the boundary between the frame portion 35 and the lid portion 37 can be specified by the position of the ceiling of the vibration space S (the lower surface of the lid portion 37).
  • the vibration space S is formed to have a substantially rectangular cross section and a rounded corner on the lid 37 side.
  • the inner wall 35a and the ceiling 37a constituting the vibration space S are formed in an arch shape.
  • a third conductive layer 39 is provided between the frame portion 35 and the lid portion 37.
  • the third conductive layer 39 extends from the side surface of the columnar portion of the terminal 7 and is covered with the cover 5.
  • the third conductive layer 39 is a part of the protruding portion 7 b of the terminal 7 and constitutes the inductor 41. Specifically, it is as follows.
  • the terminal 7 includes a column portion 7z provided upright on the electrode pad 13, and lands 7a and overhang portions 7b protruding laterally from the column portion 7z. And have.
  • the column part 7z is formed in a substantially columnar shape, for example.
  • the size of the column portion 7z in the plan view of the first main surface 3a is smaller than the size of the vibration space S in the plan view of the first main surface 3a.
  • the diameter of the column portion 7z is 100 ⁇ m with respect to the size of the vibration space S of 500 ⁇ m ⁇ 500 ⁇ m.
  • the column part 7z is formed in a tapered shape in which the diameter of the first main surface 3a side is larger than that of the side opposite to the first main surface 3a.
  • the terminal 7 may be pulled out after the SAW device 1 is mounted on the circuit board, the column portion 7z is expanded on the first main surface 3a side as compared with the opposite side to the first main surface 3a as in this embodiment.
  • the land 7 a protrudes from the side surface at the upper end of the column portion 7 z and is laminated on the upper surface of the lid portion 37.
  • the land 7a is formed in an annular shape that goes around the column portion 7z.
  • the shape of the outer edge of the land 7a may be set as appropriate, but is circular, for example.
  • the overhanging portion 7 b protrudes from the side surface of the column portion 7 z and is located between the frame portion 35 and the lid portion 37.
  • the overhang portion 7b is formed in an annular shape that goes around the column portion 7z. In other words, the overhang portion 7b is connected to the column portion 7z and the entire side surface thereof.
  • projection part 7b is formed in plate shape (layer shape).
  • the shape of the outer edge of the overhang 7b may be set as appropriate, but is, for example, circular.
  • the width of the portion of the protruding portion 7b that protrudes from the side surface of the column portion 7z is, for example, 1.0 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the inductor 41 is constituted by, for example, a meander type inductor pattern.
  • the inductor 41 is provided between the third terminal 7C and the sixth terminal 7F (refer to the third electrode pad 13C and the sixth electrode pad 13F in FIG. 3), that is, between the two output terminals of the SAW device 1.
  • the inductor 41 constitutes a matching circuit for impedance matching. Note that the shape of the inductor 41 is not limited to the meander type, and various shapes such as a spiral type, a linear type, and a combination thereof are possible.
  • the third terminal 7C and the column portion 7z of the sixth terminal 7F to which the inductor 41 is connected have a tapered sectional shape. Since the cross-sectional shape of the column portion 7z to which the inductor 41 is connected is thus tapered, the area of the connection portion between the third conductive layer 39 and the column portion 7z constituting the inductor 41 is increased. 41 and the column part 7z are hardly divided, and an elastic wave device having excellent reliability can be obtained. More preferably, the columnar portion 7z is tapered so that its diameter increases as it goes toward the main surface of the piezoelectric substrate 3. Since the column portion 7z has such a shape, even when a force that pulls out the terminal is applied, the terminal is prevented from being pulled out, so that the shape of the inductor 41 connected to the terminal is deformed. It can also be suppressed.
  • the thickness of the third conductive layer 39 is, for example, 0.5 ⁇ m to 2.0 ⁇ m.
  • the third conductive layer 39 can be formed of a material different from that of the column part 7z, or can be formed of the same material as that of the column part 7z. However, it is preferable that the third conductive layer 39 is formed of the same material as the column portion 7z in order to strengthen the bonding with the column portion 7z.
  • FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the SAW device 1.
  • the entire SAW resonator 11A including the IDT electrode 15A and the reflector 17A is shown by one block. Further, the reflector 17B of the SAW filter 11B is not shown.
  • the signal input to the fourth terminal 7D as the input terminal is input to the SAW resonator 11A.
  • This signal is, for example, an unbalanced signal.
  • the SAW resonator 11A outputs a signal resonating with the input signal to the SAW filter 11B.
  • the SAW filter 11B filters the input signal and outputs it to the third terminal 7C and the sixth terminal 7F as output terminals.
  • This signal is, for example, a balanced signal.
  • the inductor 41 performs impedance matching between the SAW device 1 and an electronic circuit connected to the SAW device 1.
  • the SAW device 1 is electrically connected to the substrate 3 for propagating the elastic wave, the IDT electrode 15 disposed on the first main surface 3a of the substrate 3, and the IDT electrode 15. And electrode pads 13 provided on the first main surface 3a.
  • the SAW device 1 includes a columnar terminal (columnar portion 7z) provided upright on the electrode pad 13, a protruding portion 7b extending from the side surface of the columnar portion 7z, and a hollow vibration space S on the IDT electrode 15.
  • the cover 5 is formed and covers the side surface of the column portion 7z and the protruding portion 7b. Therefore, various effects can be obtained by the overhanging portion 7b. Specifically, it is as follows.
  • the overhang portion 7b is connected over the entire side surface of the column portion 7z. Accordingly, since the bonding area between the entire terminal 7 including the protruding portion 7 b and the cover 5 is increased, the cover 5 is difficult to peel from the terminal 7. In addition, even if peeling occurs, the moisture that tries to enter from the peeled portion is prevented from entering the protruding portion 7b, so that it is difficult for the moisture to reach the lower end of the terminal 7. Thereby, it can suppress that the junction part of the terminal 7 and the electrode pad 13 corrodes, and can provide a highly reliable elastic wave apparatus.
  • the third conductive layer 39 has a circuit component (inductor 41). Therefore, the SAW device 1 can be multifunctional without increasing the size of the SAW device 1. Further, since the inductor 41 is covered with the cover 5, it is not necessary to provide a new member for insulation and protection of the inductor 41, and the configuration of the SAW device 1 is simplified.
  • the inductor 41 (circuit configuration part) is provided only in the region directly above the frame part 35.
  • the inductors 41 are intensively provided in a region of the cover 5 where distortion deformation is unlikely to occur.
  • the inductor 41 is suppressed from changing in electrical characteristics due to the deformation of the cover 5. Further, when the cover 5 is seen through in plan, the circuit component is disposed at a position where it does not overlap with the SAW element 11, so that a reduction in parasitic capacitance generated between the SAW element 11 and the inductor 41 is also expected.
  • the third conductive layer 39 is provided between the frame portion 35 and the lid portion 37.
  • the position of the third conductive layer 39 from the first main surface 3a coincides with the position of the ceiling 37a of the vibration space S from the first main surface 3a. Therefore, as compared with the case where the third conductive layer 39 is embedded in the lid portion 37, the configuration and manufacturing process of the lid portion 37 can be simplified. That is, as in the embodiment, it is possible to use a manufacturing process in which the frame portion 35 is formed first and then the lid portion 37 is laminated on the frame portion 35, and the lid portion does not need to be made of two layers of resin. .
  • the frame part 35 and the lid part 37 are made of the same material. Therefore, the frame portion 35 and the lid portion 37 have the same coefficient of thermal expansion, and distortion deformation of the cover 5 due to the difference in thermal expansion is suppressed. As a result, the deformation of the inductor 41 is suppressed, and the electrical characteristics are stabilized.
  • FIGS. 6A to 6D are cross-sectional views taken along the line IVa-IVa in FIG. 7A to 7D are cross-sectional views taken along the line IVc-IVc in FIG. 8A to 8D are cross-sectional views taken along the line IVa-IVa in FIG.
  • the manufacturing process proceeds in order from FIG. 6 (a) to FIG. 8 (d).
  • the first conductive layer 19 As shown in FIG. 6A, first, the first conductive layer 19, the insulating layer 21, and the second conductive layer 23 are formed on the first main surface 3a of the substrate 3.
  • a metal layer to be the first conductive layer 19 is formed on the first main surface 3a of the substrate 3 by a thin film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the metal layer is patterned by a photolithography method using a reduction projection exposure machine (stepper) and an RIE (Reactive Ion Etching) apparatus.
  • the first conductive layer 19 including the SAW element 11, the electrode pad 13, the input side connection line 27, the intermediate connection line 29, the output side connection line 31, the first ground connection line 33a, and the like is formed.
  • a thin film to be the insulating layer 21 is formed by a thin film forming method such as a CVD method or a vapor deposition method. Then, a part of the thin film is removed by a photolithography method, leaving a region where the first conductive layer 19 and the second conductive layer 23 intersect with each other.
  • a thin film forming method such as a CVD method or a vapor deposition method.
  • the second conductive layer 23 including the second ground connection line 33 b and the third ground connection line 33 c is formed by forming and patterning the metal layer in the same manner as the first conductive layer 19.
  • a protective layer 25 is formed as shown in FIG. Specifically, first, a thin film to be the protective layer 25 is formed on the first main surface 3a by a thin film forming method such as a CVD method or a vapor deposition method. Next, a part of the thin film is removed by photolithography so that the electrode pad 13 is exposed, and the protective layer 25 is formed.
  • a thin film forming method such as a CVD method or a vapor deposition method.
  • a thin film that becomes the frame portion 35 is formed as shown in FIG.
  • the thin film is formed, for example, by attaching a film formed of a photosensitive resin, or by a thin film forming method similar to that for the protective layer 25 and the like.
  • Photolithography may be either a positive type or a negative type, but FIG. 6D illustrates the photomask 40 in the case of the negative type.
  • a part of the thin film is removed and a frame portion 35 is formed as shown in FIG. Thereby, an opening (a portion that becomes the vibration space S) of the frame portion 35 is formed.
  • a first through hole 42 that penetrates the frame portion 35 and exposes the electrode pad 13 is formed on the electrode pad 13.
  • the first plating base layer 43 and the first resist layer 45 are formed as shown in FIG.
  • the first plating base layer 43 is formed over the entire surface exposed to the first main surface 3a side of each layer provided on the first main surface 3a. That is, the first plating base layer 43 is formed not only on the upper surface of the frame portion 35 but also inside the first through hole 42.
  • the first plating base layer 43 is made of, for example, a laminate of Ti and Cu, and is preferably formed by a sputtering method.
  • the first resist layer 45 is formed on the first plating base layer 43.
  • the first resist layer 45 is formed, for example, by forming a thin film on a substrate by a technique such as spin coating and patterning the thin film by photolithography. By removing a part of the thin film by patterning, the first plating base layer 43 is exposed from the first resist layer 45 in the region where the third conductive layer 39 is to be formed and the first through hole 42.
  • the first metal 47 is deposited on the exposed portion of the first plating base layer 43 by plating, and then the first plating base layer 43 is formed. The portion covered with the first resist layer 45 and the first resist layer 45 are removed. Thereby, the substrate 3 side portion of the third conductive layer 39 and the terminal 7 is formed.
  • the plating process is performed so that the first metal 47 is deposited to an appropriate height below the surface of the first resist layer 45.
  • the plating method may be selected as appropriate, but the electroplating method is preferable. This is because the electroplating method has a high degree of freedom in the height of depositing a metal and has good adhesion to the first plating base layer 43.
  • FIG. 7D When the first resist layer 45 and the like are removed, as shown in FIG. 7D, a thin film that becomes the lid portion 37 is formed, and photolithography is performed.
  • the thin film is formed, for example, by attaching a film formed of a photosensitive resin. By laminating the thin film on the frame portion 35, the opening of the frame portion 35 is closed, and the vibration space S is formed.
  • Photolithography may be either a positive type or a negative type.
  • FIG. 7D illustrates a photomask 49 in the case of a negative type.
  • the lid portion 37 When the lid portion 37 is formed, the second plating base layer 53 and the second resist layer 55 are formed as shown in FIG.
  • the second plating base layer 53 is formed over the entire surface exposed to the first main surface 3a side of each layer provided on the first main surface 3a. That is, the second plating base layer 53 is formed not only on the upper surface of the lid portion 37 but also inside the second through hole 51.
  • the second resist layer 55 is formed in the second through hole 51 so that the second plating base layer 53 is exposed.
  • the method for forming the second plating base layer 53 and the second resist layer 55 is the same as the method for forming the first plating base layer 43 and the first resist layer 45.
  • the second metal 57 is deposited on the exposed portion of the second plating base layer 53 by plating as shown in FIG. 8C. Thereby, the second metal 57 is filled in the second through hole 51. Thereafter, the portion of the second plating base layer 53 covered with the second resist layer 55 and the second resist layer 55 are removed, so that the second through hole 51 is filled as shown in FIG.
  • the terminal 7 is formed by the second metal 57 or the like.
  • the vibration space S is formed in an arch shape (see FIG. 4A), or the first through hole 42 and the second through hole 51 are formed in a tapered shape whose diameter increases on the first main surface 3a side. This is because negative photolithography has been performed. That is, the first main surface 3a side of the photosensitive resin is not sufficiently cured by light diffusion and is easily removed as compared with the surface side of the photosensitive resin. The diameter of the surface 3a is increased.
  • the manufacturing method of the SAW device 1 of the present embodiment includes the following steps.
  • a step of forming the SAW element 11 and the electrode pad 13 connected to the SAW element 11 on the first main surface 3a of the substrate 3 (FIG. 6A).
  • a frame portion 35 is formed which is laminated on the first main surface 3a, is formed in a frame shape surrounding the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3a, and has a first through hole 42 exposing the electrode pad 13.
  • Step (FIGS. 6C to 7A) A step of forming a first plating base layer 43 inside the first through hole 42 and on the upper surface of the frame portion 35 (FIG. 7B).
  • the first plating base layer 43 On the first plating base layer 43, the first plating base layer 43 is exposed in the first through hole 42 and exposed in a pattern connected to the first through hole 42 in a part of the upper surface of the frame portion 35.
  • Step of forming the layer 45 (FIG. 7B).
  • a step of depositing the first metal 47 on the first plating base layer exposed from the first resist layer 45 by plating (FIG. 7C).
  • the first resist layer 45 and the portion of the first plating base layer 43 covered with the first resist layer 45 are removed, and the third conductive layer is formed by the first plating base layer 43 and the first metal 47 in the predetermined pattern.
  • Step of forming 39 (FIG. 7C).
  • a step of forming a lid portion 37 formed on the frame portion 35 so as to cover the opening of the frame portion 35 and having a second through hole 51 that exposes the first metal 47 in the first through hole 42 ( FIG. 7 (d) to FIG. 8 (a)).
  • a step of filling the second through hole 51 with the second metal 57 and forming the terminal 7 by the first metal 47 in the first through hole 42 and the second metal 57 filled in the second through hole 51 (FIG. 8B). ) To FIG. 8 (c)).
  • the step of forming the third conductive layer 39 is included in the step of forming the terminal (column portion 7z). That is, the third conductive layer 39 is simply formed.
  • the terminal 7 is formed in two steps, for example, the depth in which the metal is filled in the through hole becomes shallow, and the effect of facilitating the formation of the terminal is obtained.
  • the SAW device 1 is an example of the acoustic wave device according to the first aspect of the present invention
  • the IDT electrode 15 is an example of the excitation electrode of the present invention
  • the inductor 41 or the third The conductive layer 39 is an example of an overhang portion of the present invention
  • the inductor 41 is an example of a circuit configuration portion of the present invention.
  • the method for manufacturing the SAW device 1 is an example of a method for manufacturing the acoustic wave device according to the second aspect of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the SAW device 101 according to the second embodiment of the present invention, corresponding to the line IVc-IVc in FIG.
  • the configuration of the SAW device 101 of the second embodiment is substantially the same as that of the SAW device 101 of the first embodiment.
  • the third conductive layer 39 is composed of the first plating base layer 43 and the first metal 47 deposited on the first plating base layer 43 (FIG. 7B and FIG. 7 (c)).
  • the third conductive layer 139 is formed only by the first plating base layer 143.
  • FIGS. 10A to 10C are cross-sectional views corresponding to the cross-sectional view taken along the line IVc-IVc in FIG. 11 (a) to 11 (d) are cross-sectional views corresponding to the cross-sectional view taken along the line IVa-IVa in FIG.
  • the manufacturing process proceeds in order from FIG. 10 (a) to FIG. 11 (d).
  • the manufacturing steps from FIG. 6A to FIG. 7A are performed as in the first embodiment. That is, up to the formation of the frame portion 35 is performed as in the first embodiment.
  • a first resist layer 145 and a first plating base layer 143 are formed.
  • the first resist layer 45 is formed on the first plating base layer 43
  • the first plating base layer is formed on the first resist layer 145. 143 is formed.
  • the formation method and pattern of the first resist layer 145 are the same as the formation method and pattern of the first resist layer 45 of the first embodiment except that the formation method and pattern are formed on the frame portion 35. Then, from the first resist layer 145, the region where the third conductive layer 139 is to be formed on the upper surface of the frame portion 35 and the first through hole 42 are exposed.
  • the first plating base layer 143 is formed over the entire surface exposed on the first main surface 3a side of each layer provided on the first main surface 3a, as in the first embodiment.
  • the first plating base layer 143 is formed to be relatively thick.
  • the first plating base layer 143 is formed to a thickness of 1.0 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the first plating base layer 143 When the first plating base layer 143 is formed, as shown in FIG. 10B, the first resist layer 145 and the portion of the first plating base layer 143 on the first resist layer 145 are removed. Thereby, the third conductive layer 139 is formed.
  • the second plating base layer 153 and the second resist layer 155 are formed as shown in FIG.
  • the second plating base layer 153 is formed over the entire surface exposed to the first main surface 3a side of each layer provided on the first main surface 3a. That is, the second plating base layer 153 is formed not only on the upper surface of the lid portion 37 but also inside the first through hole 42 and the second through hole 51.
  • the second resist layer 155 is formed so that the second plating base layer 153 is exposed in the first through hole 42 and the second through hole 51.
  • the terminal 107 (additional symbols for A to F are the same as in the first embodiment) is formed by the metal 157 filled in the two through holes 51 and the like.
  • the manufacturing method of the SAW device 101 of the second embodiment includes the following steps.
  • a step of forming the SAW element 11 and the electrode pad 13 connected to the SAW element 11 on the first main surface 3a of the substrate 3 (FIG. 6A).
  • a frame portion 35 is formed which is laminated on the first main surface 3a, is formed in a frame shape surrounding the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3a, and has a first through hole 42 exposing the electrode pad 13. Step (FIGS. 6C to 7A).
  • a conductive first plating base layer 143 is formed in a region of a pattern connected to the inside of the first through hole 42 and the first through hole 42 on the upper surface of the frame portion 35, and the first plating base layer 143 in a predetermined pattern region.
  • Step of forming the third conductive layer 39 by the steps (FIGS. 10A to 10B).
  • a step of forming a lid portion 37 formed on the frame portion 35 so as to cover the opening of the frame portion 35 and formed with a second through hole 51 that exposes the first through hole 42 (FIG. 10C).
  • the step of forming the terminal 107 includes the formation of the third conductive layer 139, and the third conductive layer 139 is simply formed.
  • the first plating base layer 143 can contribute to, for example, reinforcing the strength of the electrode pad 13 and improving the adhesion between the electrode pad 13 and the conductor (second plating base layer 153) constituting the terminal 107.
  • the first plating base layer 143 is a base layer to which a voltage is applied for electrolytic plating together with the second plating base layer 153. Can function.
  • the manufacturing method of the second embodiment does not have a step corresponding to the deposition of the first metal 47 in the first embodiment, the SAW device can be formed more easily than the first embodiment.
  • the first resist layer 145 is placed at the placement position and the non-placement position.
  • a first plating base layer 143 is formed over the entire surface. Thereafter, the portion of the first plating base layer 143 on the first resist layer 145 and the first resist layer 145 are removed. Therefore, as compared with the case where the resist layer is formed on the plating base layer as in the first embodiment, these layers can be easily removed.
  • the selection ratio between the conductive layer (SAW element 11 or the like) provided on the first main surface 3a in the vibration space S and the layer on the conductive layer (first resist layer 145 in the second embodiment) is set. Easy to enlarge.
  • the SAW device 101 is an example of the acoustic wave device according to the first aspect of the present invention
  • the first plating base layer 143 is an example of the base layer of the present invention
  • the manufacturing method is an example of a method for manufacturing the acoustic wave device according to the third aspect of the present invention.
  • ⁇ Third Embodiment> 12 is a cross-sectional view showing a SAW device 201 according to the third embodiment of the present invention, corresponding to the line IVc-IVc in FIG.
  • the inductor 41 is formed between the frame portion 35 and the lid portion 37.
  • the inductor 41 is formed on the lid portion 37.
  • the inductor 41 is included in the same conductive layer (third conductive layer 239) as the land 207a.
  • Other configurations are substantially the same between the third embodiment and the first embodiment, and refer to FIGS. 1 to 3.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view corresponding to the cross-sectional view taken along the line IVc-IVc in FIG.
  • the manufacturing steps from FIG. 6A to FIG. 7A are performed as in the first embodiment. That is, up to the formation of the frame portion 35 is performed as in the first embodiment.
  • a thin film to be the lid 37 is formed, and photolithography is performed. This step is the same as that in FIG. 7D of the first embodiment.
  • the plating base layer 253 is formed over the entire surface exposed on the first main surface 3a side of each layer formed on the first main surface 3a. That is, the plating base layer 253 is formed not only on the upper surface of the lid portion 37 but also inside the first through hole 42 and the second through hole 51.
  • the resist layer 255 is formed so that the plating base layer 253 is exposed in the first through hole 42 and the second through hole 51 and in a region where the inductor 41 is formed.
  • the resist layer 255 When the resist layer 255 is formed, a metal 257 is deposited on the exposed portion of the plating base layer 253 by plating as shown in FIG. Then, portions of the resist layer 255 and the plating base layer 253 that are covered with the resist layer 255 are removed. As a result, as shown in FIG. 12, the terminal 207 (additional symbols A to F are the same as those in the first embodiment) and the inductor 41 are formed.
  • the SAW device 201 may be provided with a member that insulates the inductor 41, such as a solder resist that covers the inductor 41.
  • the inductor 41 is provided only in the region directly above the frame portion 35 as in the first embodiment.
  • the same effect as the form is produced. That is, the SAW device 1 can be multifunctional without increasing the size of the SAW device 201.
  • the inductor 41 is concentrated in the region of the cover 5 where distortion deformation is unlikely to occur, the shape of the inductor 41 is difficult to deform. Thereby, the change of the electrical characteristic accompanying the deformation
  • the circuit component is arranged at a position where it does not overlap the SAW element 11, so that a reduction in parasitic capacitance generated between the SAW element 11 and the inductor 41 is also expected.
  • the method for manufacturing the SAW device 201 of the third embodiment includes the following steps.
  • a step of forming the SAW element 11 and the electrode pad 13 connected to the SAW element 11 on the first main surface 3a of the substrate 3 (FIG. 6A).
  • a frame portion 35 is formed which is laminated on the first main surface 3a, is formed in a frame shape surrounding the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3a, and has a first through hole 42 exposing the electrode pad 13.
  • Step (FIGS. 6C to 7A) A step of forming a lid portion 37 formed on the frame portion 35 so as to cover the opening of the frame portion 35 and having a second through hole 51 that exposes the first through hole 42 (FIG. 13A). ).
  • a step of forming a plating base layer 253 in a region of a pattern connected to the inside of the first through hole 42 and the second through hole 51 and the second through hole 51 on the upper surface of the lid portion 37 (FIG. 13B).
  • a step of depositing metal on the plating base layer 253 by plating to form a circuit component (inductor 41) and a terminal 207 provided only in the region directly above the frame 35 (FIG. 13C).
  • the process for forming the terminal 207 includes the formation of the inductor 41, and the inductor 41 is easily formed. Furthermore, after the SAW device 1 is formed, the inductor 41 can be adjusted by trimming or the like.
  • the SAW device 201 is an example of the elastic wave device according to the first aspect of the present invention
  • the method for manufacturing the SAW device 201 is the method for manufacturing the elastic wave device according to the fourth aspect of the present invention. It is an example.
  • FIG. 14 is a plan view of a SAW device 301 according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG.
  • the first conductive layer 19 provided on the first main surface 3a is indicated by a solid line
  • the third conductive layer 339 provided on the frame portion 35 is indicated by a dotted line.
  • the first conductive layer 19, the insulating layer 21, and the second conductive layer 23 realize a three-dimensional intersection of wirings to which different potentials are applied.
  • three-dimensional wiring is realized by the first conductive layer 19, the frame portion 35, and the third conductive layer 339. Specifically, it is as follows.
  • the configuration of the SAW device 301 other than the three-dimensional wiring is substantially the same as the configuration of the SAW device 1 of the first embodiment.
  • the inductor 41 may be provided in the fourth embodiment, but FIG. 14 illustrates a case where the inductor 41 is not provided.
  • the wiring for connecting the plurality of terminals 7 connected to the reference potential is constituted by a third conductive layer 339 provided between the frame portion 35 and the lid portion 37. That is, the first ground connection line 333a connecting the first terminal 7A and the second terminal 7B, the second ground connection line 333b connecting the second terminal 7B and the fifth terminal 7E, and the third ground connection line 333c are:
  • the third conductive layer 339 is configured.
  • the planar arrangement of the first ground connection line 333a, the second ground connection line 333b, and the third ground connection line 333c is the same as the first ground connection line 33a, the second ground connection line 33b, and the third ground connection line of the first embodiment. 33c (FIG. 3).
  • the second ground connection line 333 b and the third ground connection line 333 c are connected to the SAW element 11 through a via conductor 334 that penetrates the frame portion 35.
  • the second ground connection line 333 b and the intermediate connection line 29 included in the first conductive layer 19 are three-dimensionally crossed via a frame portion 35.
  • the third ground connection line 333 c and the output side connection line 31 are three-dimensionally crossed via the frame portion 35.
  • the method for manufacturing the SAW device 301 is substantially the same as the method for manufacturing the SAW device 1 of the first embodiment. However, the formation of the insulating layer 21 and the second conductive layer 23 in the first embodiment (FIG. 6A) is not performed. In addition, in the formation of the third conductive layer 339 (FIGS. 7B to 7C), the inductor 41 is not formed. Instead, the first ground connection line 333a, the second ground connection line 333b, and the second A three ground connection line 333c is formed. For example, the via conductor 334 is formed in the same manner as the portion of the terminal 7 on the first main surface 3a side. In other words, the via conductor 334 is formed simultaneously with the formation of the third conductive layer 339.
  • the third conductive layer 339 connected to the terminal is provided as in the first embodiment, or the first ground connection line 333a and the like are provided. Since the circuit configuration part including is provided only in the region directly above the frame part 35, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • the SAW device 301 is included in the intermediate connection line 29 provided on the first main surface 3a and a circuit configuration part between the frame part 35 and the lid part 37, and has a potential different from the potential of the intermediate connection line 29.
  • a second ground connection line 333b that intersects the intermediate connection line 29 in plan view of the first main surface 3a. Therefore, three-dimensional wiring is realized using the cover 5, and the cover 5 is effectively used. As a result, for example, the degree of freedom of wiring can be improved, or the insulating layer 21 and the second conductive layer 23 can be omitted and simplified.
  • the SAW device 301 is an example of the elastic wave device according to the first aspect of the present invention
  • the intermediate connection line 29 or the output side connection line 31 is an example of the second wiring of the present invention
  • the second ground connection line 333b or the third ground connection line 333c is an example of the first wiring of the present invention.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a SAW device 801 according to the fifth embodiment.
  • the terminal 807 of the SAW device 801 has a plurality of protruding portions 807b (third conductive layer 839) in the direction in which the column portion 807z stands.
  • the number of the protruding portions 807b in the standing direction of the column portions 807z is, for example, two.
  • One overhang portion 807b is located between the frame portion 35 and the lid portion 837 of the cover 805, as in the first embodiment.
  • the other overhanging portion 807 b is embedded in the lid portion 837.
  • Such a SAW device 801 is realized, for example, by forming the lid portion 837 by laminating the lid portion constituting layers 38A and 38B. That is, in the manufacturing method of the first or second embodiment, the formation of the third conductive layer and the formation of the resin layer laminated on the third conductive layer may be increased by one time.
  • the SAW device 801 is an example of the acoustic wave device according to the first aspect of the present invention.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various modes.
  • the elastic wave device is not limited to a SAW device.
  • the acoustic wave device may be a piezoelectric thin film resonator.
  • the protective layer (25), the insulating layer (21), and the second conductive layer (23) may be omitted, or conversely, other appropriate layers may be formed.
  • a metal layer not connected to the terminal may be provided on the lid portion or in the lid portion for the purpose of reinforcing the cover over a range overlapping the vibration space.
  • the circuit component provided in the cover is not limited to the inductor and the wiring connected to the reference potential. Other circuit elements may be used, and wiring for transmitting signals may be used. 16 (a) to 16 (c) and FIG. 17 are equivalent circuit diagrams showing other examples of circuit components provided on the cover. In these equivalent circuit diagrams, the illustration of the reflector and the like is omitted as appropriate.
  • FIG. 16A is an equivalent circuit diagram of the SAW device 401 provided with a capacitor 461 as a circuit component.
  • the SAW device 401 includes, for example, a balanced output SAW filter 11B, as in the first embodiment.
  • the capacitor 461 is connected to one of the two output terminals (third terminal 7C) of the SAW filter 11B, and adjusts the degree of balance at the two output terminals.
  • FIG. 16B is an equivalent circuit diagram of a SAW device 501 provided with a capacitor 563 that exhibits a function different from that of FIG.
  • the SAW device 501 has, for example, a longitudinally coupled double mode SAW filter 511B having three IDT electrodes 15B.
  • the SAW filter 511B is configured by an unbalanced input and unbalanced output filter, and the capacitor 563 is connected to the input side and the output side of the SAW filter 511B.
  • the capacitor 563 improves the steepness of signal attenuation outside the passband in the SAW filter 511B.
  • FIG. 16C is an equivalent circuit diagram of the SAW device 601 provided with an inductor 665 that exhibits a function different from that of the first embodiment as a circuit component.
  • the SAW device 601 includes, for example, a ladder type SAW filter 611B having three IDT electrodes 15B. In addition, it has two SAW resonators 11A (parallel arm resonators) connected between the SAW filters 611B.
  • the inductor 665 is provided between the SAW resonator 11A and the ground, and contributes to a wide band and high attenuation of the SAW filter 611B.
  • FIG. 17 is an equivalent circuit diagram of a SAW device 701 provided with an inductor 773 that exhibits a function different from that of the first embodiment as a circuit component.
  • the SAW device 701 is configured as a duplexer, and includes a transmission filter 767, a reception filter 769, and an antenna terminal 771 shared by these filters.
  • the transmission filter 767 is configured by a ladder-type SAW filter, for example, similarly to the SAW device 601 in FIG.
  • the reception filter 769 is configured by a double mode type SAW filter, for example, similarly to the SAW device 1 of the first embodiment.
  • the inductor 773 is connected to the antenna terminal 771 and performs impedance matching.
  • the overhanging portion may extend to a region immediately above the vibration space.
  • the overhanging portion is not limited to the one covered by the cover between the frame portion and the lid portion, and may be embedded in the lid portion.
  • the excitation electrode may be covered with the cover without providing a vibration space in the cover. In this case, an elastic boundary wave is used as the elastic wave.
  • the circuit component is not limited to the one covered by the cover, but may be provided on the lid.
  • the circuit configuration part covered by the cover is not limited to the one provided between the frame part and the cover part, and may be embedded in the cover part.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device that is, a manufacturing method in which the step of forming the overhang and the step of filling the metal into the first through hole (42) are made common.
  • the filling of the metal into the second through hole (51) is not limited to the plating process.
  • the metal may be filled in the second through hole by filling the metal paste. Even in this case, the formation of the projecting portion between the frame portion and the lid portion is performed simultaneously with the filling of the metal into the first through hole (formation of the terminal).
  • the manufacturing method of the elastic wave device according to the third aspect that is, the manufacturing method in which the forming step of the overhanging portion and the forming step of the base layer (143) of the terminal are made common.
  • the underlayer is not limited to an underlayer for plating.
  • the underlayer is provided for the purpose of reinforcing the strength of the electrode pad (13) or improving the adhesiveness of the electrode pad, and is provided in the first through hole (42) and the second through hole (51).
  • the metal paste may be filled.
  • the first through hole (42) is filled with the metal and the second through hole (51) is filled with the metal. And may be performed separately.
  • a resist layer (155) is provided on the base layer (153), and the first through hole may be filled with metal by performing a plating process. .
  • the first penetration is performed as in the first embodiment.
  • the filling of the metal into the hole (42) and the filling of the metal into the second through hole (51) may be performed separately.
  • the shape of the terminal is not limited to a tapered shape. With an appropriate shape, a terminal whose main surface side has a larger diameter than that opposite to the main surface may be realized in at least a part of the direction in which the terminal stands. The terminal may have a diameter larger on the side opposite to the main surface than on the main surface side.
  • SAW apparatus elastic wave apparatus
  • substrate 3a ... 1st main surface (main surface), 5 ... Cover, 7 ... Terminal, 7a ... Column part (terminal), 7b ... Overhang
  • projection part 11A ... SAW Resonator (SAW element), 11B ... SAW filter (SAW element), 15 ... IDT electrode (excitation electrode), 35 ... frame part, 37 ... lid part, 39 ... third conductive layer (overhang part), 41 ... inductor (Circuit component).

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Abstract

ＳＡＷ装置１は、弾性波を伝搬させる基板３と、基板３の第１主面３ａ上に配置されたＩＤＴ電極１５と、ＩＤＴ電極１５と電気的に接続され、第１主面３ａに設けられる電極パッド１３とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、電極パッド１３上に立てて設けられる柱状の端子（柱部７ｚ）と、柱部７ｚの側面から延びる第３導電層３９と、ＩＤＴ電極１５上に中空の振動空間Ｓを形成するとともに、柱部７ｚの側面及び第３導電層３９を覆うカバー５とを有する。

Description

弾性波装置及びその製造方法
　本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ　Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置及びその製造方法に関する。
　小型化等を目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージの弾性波装置が知られている。
　ウェハレベルパッケージの弾性波装置として、例えば、特許文献１には、圧電基板の主面上に配置された弾性波素子が、第１封止部に設けられた空洞内に収容されたものが開示されている。
　特許文献１の弾性波装置は、圧電基板の主面に設けられた電極パッドを備える。その電極パッド上には、柱状の端子部が形成されており、端子部は、第１封止部を覆う第２封止部の上面から露出している。
　特許文献１の技術は、第２封止部と端子部との熱膨張差によって端子部と第２封止部との間に剥離が生じると、その剥離によって生じた隙間から浸入した水分が主面まで到達し、端子部と電極パッドの接続部分が腐食するといった短所がある。
　従って、端子と電極パッドとの接続部分の腐食の発生を抑えることができる弾性波装置及びその製造方法が提供されることが望ましい。
特開２００７－２０８６６５号公報
　本発明の第１の観点に係る弾性波装置は、弾性波を伝搬させる基板と、前記基板の主面上に配置された励振電極と、前記励振電極と電気的に接続され、前記主面に設けられる電極パッドと、前記電極パッド上に配置される柱状の端子と、前記端子の側面から延びる導電性の張出部と、前記基板の主面上に配置されるとともに前記端子の側面及び前記張出部を被覆し、前記励振電極を保護するカバーと、を有する。
　本発明の第２の観点に係る弾性波装置の製造方法は、基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、前記第１貫通孔の内部及び前記枠部の上面に、めっき下地層を形成する工程と、前記めっき下地層上に、前記めっき下地層を、前記第１貫通孔において露出させるとともに、前記枠部の上面の一部において前記第１貫通孔とつながったパターンで露出させるレジスト層を形成する工程と、めっき処理により、前記レジスト層から露出した前記めっき下地層上に金属を析出させる工程と、前記レジスト層と、前記めっき下地層の前記レジスト層に被覆されていた部分とを除去する工程と、前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔における析出金属を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、前記第２貫通孔に金属を充填する工程と、を有する。
　本発明の第３の観点に係る弾性波装置の製造方法は、基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、前記第１貫通孔の内部及び前記枠部の上面の前記第１貫通孔とつながるパターンの領域に導電性の下地層を形成する工程と、前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の内部に金属を充填する工程と、を有する。
　本発明の第４の観点に係る弾性波装置の製造方法は、基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の内部及び前記蓋部の上面の前記第２貫通孔とつながるパターンの領域にめっき下地層を形成する工程と、めっき処理により、前記めっき下地層上に金属を析出させて、配線及び回路素子の少なくとも一方を含み、前記枠部の直上領域のみに設けられた回路構成部、並びに、端子を形成する工程と、を有する。
　上記の構成によれば、端子と電極パッドとの接続部分の腐食の発生を抑えることができる。
本発明の第１の実施形態のＳＡＷ装置の外観を示す斜視図である。 図１のＳＡＷ装置を一部を破断して示す斜視図である。 図１のＳＡＷ装置の配線構造を示す平面図である。 図４（ａ）は図３のＩＶａ－ＩＶａ線における断面図であり、図４（ｂ）は図３のＩＶｂ－ＩＶｂ線における断面図であり、図４（ｃ）は図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線における断面図である。 図１のＳＡＷ装置の等価回路図である。 図６（ａ）～図６（ｄ）は図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する、図３のＩＶａ－ＩＶａ線における断面図である。 図７（ａ）～図７（ｄ）は図６（ｄ）の続きを説明する、図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線における断面図である。 図８（ａ）～図８（ｃ）は図７（ｄ）の続きを説明する、図３のＩＶａ－ＩＶａ線における断面図である。 本発明の第２の実施形態のＳＡＷ装置を示す、図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線に対応する断面図である。 図１０（ａ）～図１０（ｃ）は図９のＳＡＷ装置の製造方法を説明する、図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線に対応する断面図である。 図１１（ａ）～図１１（ｄ）は図１０（ｃ）の続きを説明する、図３のＩＶａ－ＩＶａ線に対応する断面図である。 本発明の第３の実施形態のＳＡＷ装置を示す、図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線に対応する断面図である。 図１３（ａ）～図１３（ｃ）は図１２のＳＡＷ装置の製造方法を説明する、図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線に対応する断面図である。 本発明の第４の実施形態のＳＡＷ装置の配線構造を示す平面図である。 図１４のＸＶ－ＸＶ線における断面図である。 図１６（ａ）～図１６（ｃ）は本発明の変形例に係るＳＡＷ装置を示す等価回路図である。 本発明の他の変形例に係るＳＡＷ装置を示す等価回路図である。 本発明の第５の実施形態のＳＡＷ装置を示す断面図である。
　以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、説明対象の実施形態において、既に説明された実施形態と同一又は類似する構成については同一の符号を付して説明を省略することがある。
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。
　ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する第１端子７Ａ～第６端子７Ｆ（以下、これらを区別せずに、単に「端子７」ということがある。）と、基板３のカバー５とは反対側に設けられた裏面部９とを有している。
　ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。
　基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ～０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ～２ｍｍである。
　カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様（本実施形態では矩形）である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。
　複数の端子７は、カバー５の上面（基板３とは反対側の面）から露出している。複数の端子７の数は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７が設けられている場合を例示している。端子７は、適宜な位置に配置されてよいが、例えば、カバー５の外周に沿って配列されている。より具体的には、４つの端子７（７Ａ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｆ）は、矩形の４隅に配置されている。さらに、２つの端子７（７Ｂ、７Ｅ）は、カバー５の１辺の中央に配置されている。
　裏面部９は、特に図示しないが、例えば、第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等により基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部９は、図示や説明が省略されることがある。
　図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。
　第１主面３ａには、ＳＡＷ共振子１１Ａ（図３参照）と、ＳＡＷフィルタ１１Ｂとが設けられている。なお、以下では、ＳＡＷ共振子１１ＡとＳＡＷフィルタ１１Ｂとを区別せずに、これらを「ＳＡＷ素子１１」ということがある。なお、図２において、ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、後述する図３よりも模式的に示されている。
　また、第１主面３ａには、第１端子７Ａ～第６端子７Ｆの直下において、第１電極パッド１３Ａ～第６電極パッド１３Ｆ（図３も参照。以下、単に「電極パッド１３」といい、これらを区別しないことがある。）が設けられている。電極パッド１３は、ＳＡＷ素子１１と接続されている。端子７は、カバー５を貫通するように設けられており、電極パッド１３に接続されることにより、ＳＡＷ素子１１と接続されている。
　カバー５は、ＳＡＷ素子１１の周囲に空洞が形成されるように第１主面３ａを覆っている。具体的には、カバー５は、ＳＡＷ共振子１１Ａの周囲に第１振動空間Ｓ１を形成し、ＳＡＷフィルタ１１Ｂの周囲に第２振動空間Ｓ２を形成している。なお、以下では、第１振動空間Ｓ１と第２振動空間Ｓ２とを区別せずに、これらを「振動空間Ｓ」ということがある。
　図３は、基板３の第１主面３ａにおける配線構造を示す模式的な平面図である。なお、図３においては、振動空間Ｓの範囲を２点鎖線で示している。
　ＳＡＷ共振子１１Ａは、例えば、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１５Ａと、ＩＤＴ電極１５Ａの、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）両側に配置された２つの反射器１７Ａとを有している。
　ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、例えば、縦結合ダブルモードＳＡＷフィルタにより構成されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、複数（例えば５つ）のＩＤＴ電極１５Ｂと、複数のＩＤＴ電極１５Ｂの、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）両側に配置された２つの反射器１７Ｂとを有している。
　ＩＤＴ電極１５Ａ又は１５Ｂ（以下、Ａ、Ｂを省略することがある。）は、それぞれ一対の電極から構成されている。この一対の電極は、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１５ａと、バスバー１５ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１５ｂとを有し、電極指１５ｂが互いに噛合うように配置されている。なお、図３は模式図であることから、電極指１５ｂは、実際の数よりも少ない数で示されている。ＳＡＷ素子１１は、例えばＡｌ－Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
　図４（ａ）は図３のＩＶａ－ＩＶａ線における断面図であり、図４（ｂ）は図３のＩＶｂ－ＩＶｂ線における断面図であり、図４（ｃ）は図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線における断面図である。
　第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１（図４（ｂ））を含む第１導電層１９と、第１導電層１９上に配置される絶縁層２１（図４（ａ））と、絶縁層２１上に配置される第２導電層２３（図４（ａ））とが形成されている。
　第１導電層１９は、第１主面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。第２導電層２３は、異なる電位が付与される配線同士が立体交差せざるを得ない場所において、絶縁層２１を介して第１導電層１９に積層して形成され、配線の一部を構成する層である。
　第１導電層１９は、例えば、Ａｌ－Ｃｕ合金等のＡｌ合金により形成されており、その厚さは、例えば、１００～２００ｎｍである。絶縁層２１は、例えば、感光性の樹脂（例えばポリイミド）により形成されており、その厚さは、例えば、１～２μｍである。第２導電層２３は、例えば、金、ニッケル、クロムにより形成されている。第２導電層２３は、絶縁層２１によって生じる段差により断線しないように、例えば、第１導電層１９よりも厚く形成されており、その厚さは、例えば、１～２μｍである。
　第１導電層１９、絶縁層２１及び第２導電層２３による配線構造は、端子７やＳＡＷ素子１１の位置及び構造に応じて適宜に構成されてよい。図３は、以下のように構成されている配線構造を例示している。
　第４端子７Ｄ（図３では第４電極パッド１３Ｄを参照）は、例えば、信号が入力される端子であり、第１導電層１９に含まれる入力側接続線２７によりＳＡＷ共振子１１Ａに接続されている。
　ＳＡＷ共振子１１ＡとＳＡＷフィルタ１１Ｂとは、第１導電層１９に含まれる複数の中間接続線２９により互いに接続されている。
　第３端子７Ｃ及び第６端子７Ｆ（図３では第３電極パッド１３Ｃ及び第６電極パッド１３Ｆを参照）は、例えば、信号を出力する端子であり、第１導電層１９に含まれる２本の出力側接続線３１によりＳＡＷフィルタ１１Ｂに接続されている。
　第１端子７Ａ、第２端子７Ｂ及び第５端子７Ｅ（図３では第１電極パッド１３Ａ及び第２電極パッド１３Ｂ及び第５電極パッド１３Ｅを参照）は、例えば、基準電位が付与される端子である。そして、これらの端子は、互いに接続されるとともに、ＳＡＷフィルタ１１Ｂに接続されている。
　具体的には、第１端子７Ａと第２端子７Ｂとは、第１導電層１９に含まれる第１グランド接続線３３ａにより接続されている。第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとは、中間接続線２９上に配された第２導電層２３により構成された第２グランド接続線３３ｂにより接続されている。第２グランド接続線３３ｂは、２ヶ所で分岐しており、その分岐部分はＳＡＷフィルタ１１Ｂに接続されている。また、第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとは、出力側接続線３１上に配された第２導電層２３により構成された第３グランド接続線３３ｃにより接続されている。第３グランド接続線３３ｃは、３ヶ所で分岐しており、その分岐部分はＳＡＷフィルタ１１Ｂに接続されている。
　図４（ａ）から図４（ｃ）に示すように、第１導電層１９、絶縁層２１及び第２導電層２３上には、保護層２５及びカバー５が積層されている。また、カバー５は、保護層２５に積層された枠部３５と、枠部３５に積層された蓋部３７とにより構成されている。
　保護層２５は、ＳＡＷ素子１１の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成される。例えば、保護層２５は、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンなどにより形成されている。
　保護層２５の厚さは適宜に設定されてよく、例えば、第１導電層１９の厚さの１／１０程度（１０～２０ｎｍ）でもよい。ただし、本願においては、説明の便宜上、保護層２５を導電層よりも厚く図示している。
　枠部３５は、保護層２５を介して第１主面３ａに積層され、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲むように形成されている。蓋部３７は、枠部３５に積層され、枠部３５の開口を塞いでいる。そして、第１主面３ａ（保護層２５）、枠部３５及び蓋部３７により囲まれた空間により、ＳＡＷ素子１１の振動を可能とする振動空間Ｓが形成されている。
　なお、カバー５は、厳密には、基板３の第１主面３ａに直接的には設けられておらず、保護層２５等の上に設けられている。本願では、このように、所定の部材や層などが間接的に基板３の主面に設けられており、直接的には基板３の主面に設けられていない場合も、これら所定の部材や層などが基板３の主面に設けられていると表現することがあるものとする。積層の語についても同様である。
　枠部３５は、概ね一定の厚さの層に振動空間Ｓとなる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることにより構成されている。なお、図３における、基板３（第１主面３ａ）の輪郭を示す実線及び振動空間Ｓの範囲を示す２点鎖線により示される形状は、枠部３５の平面形状と概ね同一である。
　本実施形態において、振動空間が２つに分けられているのは、枠部３５による蓋部３７の支持強度を向上させるために、仕切壁３５ｂ（図２）を形成したことによるものである。従って、必要な支持強度が得られるのであれば、ＳＡＷ装置１は、仕切壁３５ｂが省略されて、一の振動空間に２つのＳＡＷ素子１１が配置されていてもよい。
　枠部３５及び蓋部３７は、概ね一定の厚さの層により構成されている。枠部３５の厚さ（振動空間Ｓの高さ）は、例えば、数μｍ～３０μｍである。蓋部３７の厚さは、例えば、数μｍ～３０μｍである。
　枠部３５及び蓋部３７は、例えば、感光性の樹脂により形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
　なお、枠部３５及び蓋部３７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部３５と蓋部３７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部３５と蓋部３７とが同一材料により形成され、一体的に形成されていてもよい。なお、この場合においても、振動空間Ｓの天井（蓋部３７の下面）の位置により、枠部３５と蓋部３７との境界は特定可能である。
　振動空間Ｓは、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、断面が概ね矩形状に形成され、蓋部３７側の角部が丸みを帯びるように形成されている。換言すれば、振動空間Ｓを構成する内壁３５ａ及び天井３７ａは、アーチ状に形成されている。
　図４（ｃ）に示すように、本実施形態のＳＡＷ装置１においては、枠部３５と蓋部３７との間に、第３導電層３９が設けられている。第３導電層３９は、端子７の柱状部分の側面から延びており、カバー５に覆われている。第３導電層３９は、端子７の張出部７ｂの一部であり、インダクタ４１を構成している。具体的には、以下のとおりである。
　図４（ａ）及び図４（ｃ）に示すように、端子７は、電極パッド１３に立てて設けられた柱部７ｚと、柱部７ｚから側方へ突出するランド７ａ及び張出部７ｂとを有している。
　柱部７ｚは、例えば、概ね円柱状に形成されている。第１主面３ａの平面視における柱部７ｚの大きさは、第１主面３ａの平面視における振動空間Ｓの大きさに比較して小さい。一例として、第１主面３ａの平面視において、振動空間Ｓの大きさ５００μｍ×５００μｍに対して、柱部７ｚの径は１００μｍである。
　柱部７ｚは、第１主面３ａ側が第１主面３ａとは反対側よりも拡径するテーパ状に形成されている。ＳＡＷ装置１を回路基板に実装した後などに端子７が引き抜かれることがあるが、柱部７ｚを本実施形態のように第１主面３ａ側が第１主面３ａとは反対側よりも拡径するテーパ状に形成しておくことで、そのような引き抜きの発生を抑えることができる。
　ランド７ａは、柱部７ｚの上端の側面から突出しており、蓋部３７の上面に積層されている。ランド７ａは、柱部７ｚを周回する環状に形成されている。ランド７ａの外縁の形状は適宜に設定されてよいが、例えば、円形である。ランド７ａが設けられることにより、端子７の、蓋部３７の上面に露出する部分は、柱部７ｚの第１主面３ａに平行な断面よりも面積が広く形成される。
　張出部７ｂは、柱部７ｚの側面から突出し、枠部３５と蓋部３７との間に位置している。張出部７ｂは、柱部７ｚを周回する環状に形成されている。換言すれば、張出部７ｂは柱部７ｚとその側面全周にわたって接続されている。また、張出部７ｂは、板状（層状）に形成されている。張出部７ｂの外縁の形状は適宜に設定されてよいが、例えば、円形である。張出部７ｂの柱部７ｚの側面から張出されている部分の幅は例えば１．０μｍ～１０μｍである。
　図３において点線で示すように、インダクタ４１は、例えば、ミアンダ型のインダクタパターンにより構成されている。インダクタ４１は、第３端子７Ｃ及び第６端子７Ｆ（図３では第３電極パッド１３Ｃ及び第６電極パッド１３Ｆを参照）間、すなわち、ＳＡＷ装置１の２つの出力端子間に設けられている。そして、インダクタ４１は、インピーダンス整合のための整合回路を構成する。なお、インダクタ４１の形状は、ミアンダ型に限らず、渦巻型や直線型、これらの組み合わせなど種々の形状が可能である。
　図４（ｃ）の断面図に示すようにインダクタ４１が接続されている第３端子７Ｃと第６端子７Ｆの柱部７ｚは、断面形状がテーパ状になっている。このようにインダクタ４１が接続される柱部７ｚの断面形状がテーパ状となっていることで、インダクタ４１を構成する第３導電層３９と柱部７ｚとの接続部分の面積が増えるため、インダクタ４１と柱部７ｚとの分断が起こりにくくなり、信頼性に優れた弾性波装置とすることができる。さらに好ましくは、柱部７ｚが圧電基板３の主面側に向かうにつれ、径が広がるようなテーパ状とされていることである。柱部７ｚがこのような形状とされていることにより、端子が引き抜かれるような力が加わった場合でも端子の引き抜きが抑制されるため、その端子に接続されているインダクタ４１の形状に変形が起こるのも抑制することができる。
　第３導電層３９の厚さは、例えば０．５μｍ～２．０μｍである。第３導電層３９は、柱部７ｚとは別の材料により形成することもできるし、柱部７ｚと同じ材料により形成することもできる。ただし、第３導電層３９は、柱部７ｚとの接合を強固にするためには柱部７ｚと同一材料により形成されていることが好ましい。
　図５は、ＳＡＷ装置１の等価回路図である。なお、図５において、ＳＡＷ共振子１１Ａは、ＩＤＴ電極１５Ａ及び反射器１７Ａを含む全体が一つのブロックにより示されている。また、ＳＡＷフィルタ１１Ｂの反射器１７Ｂは図示を省略されている。
　入力端子としての第４端子７Ｄに入力された信号は、ＳＡＷ共振子１１Ａに入力される。なお、この信号は、例えば、不平衡信号である。ＳＡＷ共振子１１Ａは、入力された信号に共振した信号をＳＡＷフィルタ１１Ｂに出力する。ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、入力された信号をフィルタリングして出力端子としての第３端子７Ｃ及び第６端子７Ｆに出力する。なお、この信号は、例えば、平衡信号である。インダクタ４１は、ＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１と接続される電子回路との間のインピーダンス整合を行う。
　以上のＳＡＷ装置１によれば、ＳＡＷ装置１は、弾性波を伝搬させる基板３と、基板３の第１主面３ａ上に配置されたＩＤＴ電極１５と、ＩＤＴ電極１５と電気的に接続され、第１主面３ａに設けられる電極パッド１３とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、電極パッド１３上に立てて設けられる柱状の端子（柱部７ｚ）と、柱部７ｚの側面から延びる張出部７ｂと、ＩＤＴ電極１５上に中空の振動空間Ｓを形成するとともに、柱部７ｚの側面及び張出部７ｂを被覆するカバー５とを有する。従って、張出部７ｂにより種々の効果を得ることができる。具体的には、以下のとおりである。
　張出部７ｂは、柱部７ｚの側面全周にわたって接続されている。従って、張出部７ｂを含めた端子７全体とカバー５との接着面積が増すためカバー５が端子７から剥離しにくくなる。その上、仮に剥離が生じたとしても、剥離した部分から入りこもうとする水分は、張出部７ｂの部分でその侵入が阻害されるため、水分が端子７の下端まで到達しにくくなる。これにより端子７と電極パッド１３との接合部が腐食することを抑制でき、信頼性の高い弾性波装置を提供できる。
　第３導電層３９は、回路構成部（インダクタ４１）を有する。従って、ＳＡＷ装置１を大型化することなく、ＳＡＷ装置１を多機能化することができる。また、インダクタ４１は、カバー５に覆われているから、インダクタ４１の絶縁や保護のために新たな部材を設ける必要がなく、ＳＡＷ装置１の構成が簡素化される。
　インダクタ４１（回路構成部）は、枠部３５の直上領域のみに設けられている。
　ここで、枠部３５の直上領域は、全体が第１主面３ａに支持されていることから、両端が支持されている振動空間Ｓの直上領域よりも撓み変形が生じにくい。従って、インダクタ４１は、カバー５のうち、歪み変形が生じにくい領域に集中的に設けられていることになる。そして、インダクタ４１は、カバー５の変形に伴う電気特性の変化が抑制される。また、カバー５を平面透視したときに回路構成部がＳＡＷ素子１１と重ならない位置に配置されることにより、ＳＡＷ素子１１とインダクタ４１との間に生じる寄生容量の低減も期待される。
　第３導電層３９は、枠部３５と蓋部３７との間に設けられている。換言すれば、第３導電層３９の第１主面３ａからの位置は、振動空間Ｓの天井３７ａの第１主面３ａからの位置と一致する。従って、第３導電層３９を蓋部３７に埋設するような場合に比較して、蓋部３７の構成や製造工程を簡素化できる。すなわち、実施形態のように、先に枠部３５を形成し、その後、枠部３５に蓋部３７を積層する製造工程を利用でき、蓋部を２層の樹脂から構成するような必要がない。
　枠部３５と蓋部３７とは同一材料である。従って、枠部３５と蓋部３７とは熱膨張率が同じであり、熱膨張差によるカバー５の歪み変形が抑制される。ひいては、インダクタ４１の変形が抑制され、電気特性が安定する。
（ＳＡＷ装置の製造方法）
　図６～図８は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する図である。具体的には、図６（ａ）～図６（ｄ）は、図３のＩＶａ－ＩＶａ線における断面図である。図７（ａ）～図７（ｄ）は、図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線における断面図である。図８（ａ）～図８（ｄ）は、図３のＩＶａ－ＩＶａ線における断面図である。製造工程は、図６（ａ）から図８（ｄ）まで順に進んでいく。
　以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図６～図８では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。後述する他の実施形態の製造工程を説明する図も同様である。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、理解の容易化のために変化の前後で共通の符号を用いる。
　図６（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、第１導電層１９、絶縁層２１、第２導電層２３が形成される。
　具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、基板３の第１主面３ａ上に第１導電層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。これにより、ＳＡＷ素子１１、電極パッド１３、入力側接続線２７、中間接続線２９、出力側接続線３１、及び、第１グランド接続線３３ａ等を含む第１導電層１９が形成される。
　次に、絶縁層２１となる薄膜がＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。そして、第１導電層１９と第２導電層２３との交差部となる領域を残して、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。
　その後、第１導電層１９と同様にして、金属層の形成及びパターニングが行われることにより、第２グランド接続線３３ｂ及び第３グランド接続線３３ｃを含む第２導電層２３が形成される。
　第２導電層２３が形成されると、図６（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、保護層２５となる薄膜がＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により第１主面３ａに形成される。次に、電極パッド１３が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去され、保護層２５が形成される。
　保護層２５が形成されると、図６（ｃ）に示すように、枠部３５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、又は、保護層２５等と同様の薄膜形成法により形成される。
　枠部３５となる薄膜が形成されると、図６（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法を行う。なお、フォトリソグラフィーは、ポジ型及びネガ型のいずれでもよいが、図６（ｄ）では、ネガ型である場合のフォトマスク４０を例示している。
　フォトリソグラフィーが行われると、図７（ａ）に示すように、薄膜の一部が除去され、枠部３５が形成される。これにより、枠部３５の開口（振動空間Ｓとなる部分）が形成される。また、電極パッド１３上に、枠部３５を貫通し、電極パッド１３を露出させる第１貫通孔４２が形成される。
　枠部３５が形成されると、図７（ｂ）に示すように、第１めっき下地層４３及び第１レジスト層４５が形成される。
　第１めっき下地層４３は、第１主面３ａに設けられた各層の、第１主面３ａ側に露出する表面全体に亘って形成される。すなわち、第１めっき下地層４３は、枠部３５の上面だけでなく、第１貫通孔４２の内部にも形成される。第１めっき下地層４３は、例えば、ＴｉとＣｕとを積層したものからなり、スパッタ法で形成するのが好適な一例である。
　第１レジスト層４５は、第１めっき下地層４３上に形成される。第１レジスト層４５は、例えば、スピンコート等の手法で基板に薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。パターニングにより薄膜の一部が除去されることにより、第１めっき下地層４３は、第３導電層３９が形成されるべき領域及び第１貫通孔４２において、第１レジスト層４５から露出する。
　第１レジスト層４５が形成されると、図７（ｃ）に示すように、めっき処理により第１めっき下地層４３の露出部分に第１金属４７を析出させ、その後、第１めっき下地層４３の第１レジスト層４５に被覆されていた部分及び第１レジスト層４５を除去する。これにより、第３導電層３９及び端子７の基板３側部分が形成される。
　なお、めっき処理は、第１レジスト層４５の表面以下の適宜な高さまで第１金属４７が析出されるように行われる。めっき法は、適宜に選択されてよいが、電気めっき法が好適である。電気めっき法は、金属を析出する高さの自由度が高く、また、第１めっき下地層４３との密着性が良好なためである。
　第１レジスト層４５等が除去されると、図７（ｄ）に示すように、蓋部３７となる薄膜が形成され、フォトリソグラフィーが行われる。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。薄膜を枠部３５に積層することにより、枠部３５の開口は塞がれ、振動空間Ｓが構成される。フォトリソグラフィーは、ポジ型及びネガ型のいずれでもよいが、図７（ｄ）では、ネガ型である場合のフォトマスク４９を例示している。
　フォトリソグラフィーが行われると、図８（ａ）に示すように、薄膜の一部が除去され、蓋部３７が形成される。これにより、電極パッド１３上に、第１貫通孔４２に充填された第１金属４７を露出させる第２貫通孔５１が形成される。
　蓋部３７が形成されると、図８（ｂ）に示すように、第２めっき下地層５３及び第２レジスト層５５が形成される。
　第２めっき下地層５３は、第１主面３ａに設けられた各層の、第１主面３ａ側に露出する表面全体に亘って形成される。すなわち、第２めっき下地層５３は、蓋部３７の上面だけでなく、第２貫通孔５１の内部にも形成される。また、第２レジスト層５５は、第２貫通孔５１において、第２めっき下地層５３が露出するように形成される。第２めっき下地層５３及び第２レジスト層５５の形成方法は、第１めっき下地層４３及び第１レジスト層４５の形成方法と同様である。
　第２レジスト層５５が形成されると、図８（ｃ）に示すように、めっき処理により第２めっき下地層５３の露出部分に第２金属５７を析出させる。これにより、第２貫通孔５１に第２金属５７が充填される。その後、第２めっき下地層５３の第２レジスト層５５に被覆されていた部分及び第２レジスト層５５が除去されることにより、図４等に示したように、第２貫通孔５１に充填された第２金属５７等により、端子７が形成される。
　なお、振動空間Ｓがアーチ状（図４（ａ）参照）に形成されたり、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１が第１主面３ａ側が拡径するテーパ状に形成されたりしているのは、ネガ型のフォトリソグラフィーが行われたことによる。すなわち、感光性樹脂の第１主面３ａ側は、感光性樹脂の表面側に比較して、光の拡散により十分に硬化されず、除去されやすいことから、振動空間Ｓ等は、第１主面３ａ側ほど拡径している。
　次にＳＡＷ装置１の製造方法について説明する。本実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法は、以下の工程を有している。基板３の第１主面３ａに、ＳＡＷ素子１１及びＳＡＷ素子１１に接続された電極パッド１３を形成する工程（図６（ａ））。第１主面３ａに積層され、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠状に形成され、電極パッド１３を露出させる第１貫通孔４２が形成された枠部３５を形成する工程（図６（ｃ）～図７（ａ））。第１貫通孔４２の内部及び枠部３５の上面に、第１めっき下地層４３を形成する工程（図７（ｂ））。第１めっき下地層４３上に、第１めっき下地層４３を、第１貫通孔４２において露出させるとともに、枠部３５の上面の一部において第１貫通孔４２とつながるパターンで露出させる第１レジスト層４５を形成する工程（図７（ｂ））。めっき処理により、第１レジスト層４５から露出した第１めっき下地層上に第１金属４７を析出させる工程（図７（ｃ））。第１レジスト層４５と、第１めっき下地層４３の第１レジスト層４５に被覆されていた部分とを除去し、前記所定パターンにおける第１めっき下地層４３及び第１金属４７により第３導電層３９を形成する工程（図７（ｃ））。枠部３５に積層されて枠部３５の開口を塞ぐ蓋状に形成され、第１貫通孔４２における第１金属４７を露出させる第２貫通孔５１が形成された蓋部３７を形成する工程（図７（ｄ）～図８（ａ））。第２貫通孔５１に第２金属５７を充填し、第１貫通孔４２における第１金属４７及び第２貫通孔５１に充填された第２金属５７により端子７を形成する工程（図８（ｂ）～図８（ｃ））。
　従って、第３導電層３９を形成する工程は、端子（柱部７ｚ）を形成する工程に含まれることになる。すなわち、簡便に第３導電層３９が形成される。なお、端子７は、２回に分けて形成されることから、例えば、金属が貫通孔に充填される深さが浅くなり、端子の形成が容易化される等の効果を奏する。
　なお、以上の第１の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の第１の観点の弾性波装置の一例であり、ＩＤＴ電極１５は本発明の励振電極の一例であり、インダクタ４１又は第３導電層３９は本発明の張出部の一例であり、インダクタ４１は本発明の回路構成部の一例である。またＳＡＷ装置１の製造方法は本発明の第２の観点の弾性波装置の製造方法の一例である。
＜第２の実施形態＞
　図９は、本発明の第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１を示す、図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線に対応する断面図である。
　第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１の構成は、第１の実施形態のＳＡＷ装置１０１と概ね同様である。ＳＡＷ装置１０１の斜視図等については、第１の実施形態の図１～図３を参照されたい。
　第１の実施形態において、第３導電層３９は、第１めっき下地層４３と、第１めっき下地層４３上に析出された第１金属４７とにより構成された（図７（ｂ）及び図７（ｃ））。一方、第２の実施形態において、第３導電層１３９は、第１めっき下地層１４３のみにより形成されている。
　図１０及び図１１は、ＳＡＷ装置１０１の製造方法を説明する図である。具体的には、図１０（ａ）～図１０（ｃ）は、図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線における断面図に相当する断面図である。図１１（ａ）～図１１（ｄ）は、図３のＩＶａ－ＩＶａ線における断面図に相当する断面図である。製造工程は、図１０（ａ）から図１１（ｄ）まで順に進んでいく。
　ＳＡＷ装置１０１の製造方法においては、まず、第１の実施形態と同様に、図６（ａ）から図７（ａ）までの製造工程が行われる。すなわち、第１の実施形態と同様に、枠部３５の形成までが行われる。
　次に、図１０（ａ）に示すように、第１レジスト層１４５及び第１めっき下地層１４３が形成される。ここで、第１の実施形態では、第１めっき下地層４３上に第１レジスト層４５が形成されたのに対し、第２の実施形態では、第１レジスト層１４５上に第１めっき下地層１４３が形成されている。
　第１レジスト層１４５の形成方法及びパターンは、枠部３５上に形成される点以外は、第１の実施形態の第１レジスト層４５の形成方法及びパターンと同様である。そして、第１レジスト層１４５からは、枠部３５の上面のうち第３導電層１３９が形成されるべき領域及び第１貫通孔４２が露出する。
　第１めっき下地層１４３は、第１の実施形態と同様に、第１主面３ａに設けられた各層の、第１主面３ａ側に露出する表面全体に亘って形成される。ただし、第１めっき下地層１４３は、比較的厚く形成される。例えば、第１めっき下地層１４３は、１．０μｍ～１０μｍの厚さに形成される。
　第１めっき下地層１４３が形成されると、図１０（ｂ）に示すように、第１レジスト層１４５と、第１めっき下地層１４３の第１レジスト層１４５上の部分とが除去される。これにより、第３導電層１３９が形成される。
　その後、図１０（ｃ）に示すように、蓋部３７となる薄膜が形成され、フォトリソグラフィーが行われる。当該工程は、第１の実施形態の図７（ｄ）と同様の工程である。
　フォトリソグラフィーが行われると、図１１（ａ）に示すように、薄膜の一部が除去され、蓋部３７が形成される。これにより、電極パッド１３上に、第１貫通孔４２を露出させる第２貫通孔５１が形成される。
　蓋部３７が形成されると、図１１（ｂ）に示すように、第２めっき下地層１５３及び第２レジスト層１５５が形成される。
　第２めっき下地層１５３は、第１主面３ａに設けられた各層の、第１主面３ａ側に露出する表面全体に亘って形成される。すなわち、第２めっき下地層１５３は、蓋部３７の上面だけでなく、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１の内部にも形成される。また、第２レジスト層１５５は、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１において、第２めっき下地層１５３が露出するように形成されている。
　第２レジスト層１５５が形成されると、図１１（ｃ）に示すように、めっき処理により第２めっき下地層１５３の露出部分に金属１５７を析出させる。これにより、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１に金属１５７が充填される。
　その後、図１１（ｄ）に示すように、第２めっき下地層１５３の第２レジスト層１５５に被覆されていた部分及び第２レジスト層１５５が除去されることにより、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１に充填された金属１５７等により、端子１０７（Ａ～Ｆの付加符号については第１の実施形態と同様である。）が形成される。
　以上の第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１によれば、第１の実施形態と同様に、柱部７ｚの側面から延びる第３導電層１３９が設けられていることから、第１の実施形態と同様の効果が奏される。
　また、第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１の製造方法は、以下の工程を有している。基板３の第１主面３ａに、ＳＡＷ素子１１及びＳＡＷ素子１１に接続された電極パッド１３を形成する工程（図６（ａ））。第１主面３ａに積層され、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠状に形成され、電極パッド１３を露出させる第１貫通孔４２が形成された枠部３５を形成する工程（図６（ｃ）～図７（ａ））。第１貫通孔４２の内部及び枠部３５の上面の第１貫通孔４２とつながるパターンの領域に導電性の第１めっき下地層１４３を形成し、所定のパターンの領域における第１めっき下地層１４３により第３導電層３９を形成する工程（図１０（ａ）～図１０（ｂ））。枠部３５に積層されて枠部３５の開口を塞ぐ蓋状に形成され、第１貫通孔４２を露出させる第２貫通孔５１が形成された蓋部３７を形成する工程（図１０（ｃ）～図１１（ａ））。第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１の内部に金属１５７を充填して端子１０７を形成する工程。
　従って、第１の実施形態と同様に、端子１０７を形成するための工程に第３導電層１３９の形成が含まれており、簡便に第３導電層１３９が形成される。なお、第１めっき下地層１４３は、例えば、電極パッド１３の強度の補強、電極パッド１３と端子１０７を構成する導電体（第２めっき下地層１５３）との接着性の向上等に寄与し得る。また、第１めっき下地層１４３は、本実施形態のように、めっき処理により金属１５７を析出する場合には、第２めっき下地層１５３とともに、電解めっきのために電圧が印加される下地層として機能し得る。
　さらに、第２の実施形態の製造方法は、第１の実施形態における第１金属４７の析出に相当する工程がないことから、第１の実施形態よりも簡便にＳＡＷ装置が形成される。
　また、第３導電層１３９を形成する工程では、第１貫通孔４２及び所定のパターンの領域を露出させる第１レジスト層１４５を形成した後に、第１レジスト層１４５の配置位置及び非配置位置に亘って第１めっき下地層１４３を形成する。その後、第１めっき下地層１４３の第１レジスト層１４５上の部分及び第１レジスト層１４５を除去する。従って、第１の実施形態のように、めっき下地層上にレジスト層が形成される場合に比較して、これらの層の除去が容易である。例えば、振動空間Ｓ内において第１主面３ａに設けられている導電層（ＳＡＷ素子１１等）と、導電層上の層（第２の実施形態では第１レジスト層１４５）との選択比を大きくすることが容易である。
　なお、第２の実施形態において、ＳＡＷ装置１０１は本発明の第１の観点の弾性波装置の一例であり、第１めっき下地層１４３は本発明の下地層の一例であり、ＳＡＷ装置１０１の製造方法は本発明の第３の観点の弾性波装置の製造方法の一例である。
＜第３の実施形態＞
　図１２は、本発明の第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１を示す、図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線に対応する断面図である。
　第１の実施形態において、インダクタ４１は、枠部３５と蓋部３７との間に形成された。一方、第３の実施形態において、インダクタ４１は、蓋部３７の上に形成されている。また、インダクタ４１は、ランド２０７ａと同一の導電層（第３導電層２３９）に含まれている。なお、それ以外の構成については、第３の実施形態と第１の実施形態とは概ね同様であり、図１～図３を参照されたい。
　図１３は、ＳＡＷ装置２０１の製造方法を説明する、図３のＩＶｃ－ＩＶｃ線における断面図に相当する断面図である。
　ＳＡＷ装置２０１の製造方法においては、まず、第１の実施形態と同様に、図６（ａ）から図７（ａ）までの製造工程が行われる。すなわち、第１の実施形態と同様に、枠部３５の形成までが行われる。
　次に、図１３（ａ）に示すように、蓋部３７となる薄膜が形成され、フォトリソグラフィーが行われる。当該工程は、第１の実施形態の図７（ｄ）と同様の工程である。
　フォトリソグラフィーが行われると、図１３（ｂ）に示すように、薄膜の一部が除去され、蓋部３７が形成される。これにより、電極パッド１３上に、第１貫通孔４２を露出させる第２貫通孔５１が形成される。
　図１３（ｂ）に示すように、蓋部３７が形成されると、めっき下地層２５３及びレジスト層２５５が形成される。
　めっき下地層２５３は、第１主面３ａ上に形成された各層の、第１主面３ａ側に露出する表面全体に亘って形成される。すなわち、めっき下地層２５３は、蓋部３７の上面だけでなく、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１の内部にも形成される。
　レジスト層２５５は、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１において、また、インダクタ４１が形成される領域において、めっき下地層２５３が露出するように形成される。
　レジスト層２５５が形成されると、図１３（ｃ）に示すように、めっき処理によりめっき下地層２５３の露出部分に金属２５７を析出させる。そして、レジスト層２５５及びめっき下地層２５３のレジスト層２５５に覆われた部分を除去する。これにより、図１２に示すように、端子２０７（Ａ～Ｆの付加符号については第１の実施形態と同様である。）及びインダクタ４１が形成される。
　なお、この後、ＳＡＷ装置２０１は、インダクタ４１を覆うソルダレジストが設けられるなど、インダクタ４１を絶縁する部材が設けられてもよい。
　以上の第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１によれば、第１の実施形態と同様に、インダクタ４１が枠部３５の直上領域のみに設けられている等していることから、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、ＳＡＷ装置２０１を大型化することなく、ＳＡＷ装置１を多機能化することができる。また、インダクタ４１がカバー５のうち、歪み変形が生じにくい領域に集中的に設けられているため、インダクタ４１の形状が変形しにくくなる。これによりカバー５の変形に伴う電気特性の変化が抑制される。さらに、カバー５を平面透視したときに回路構成部がＳＡＷ素子１１と重ならない位置に配置されることにより、ＳＡＷ素子１１とインダクタ４１との間に生じる寄生容量の低減も期待される。
　第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１の製造方法は、以下の工程を有する。基板３の第１主面３ａに、ＳＡＷ素子１１及びＳＡＷ素子１１に接続された電極パッド１３を形成する工程（図６（ａ））。第１主面３ａに積層され、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠状に形成され、電極パッド１３を露出させる第１貫通孔４２が形成された枠部３５を形成する工程（図６（ｃ）～図７（ａ））。枠部３５に積層されて枠部３５の開口を塞ぐ蓋状に形成され、第１貫通孔４２を露出させる第２貫通孔５１が形成された蓋部３７を形成する工程（図１３（ａ））。第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１の内部及び蓋部３７の上面の第２貫通孔５１とつながるパターンの領域にめっき下地層２５３を形成する工程（図１３（ｂ））。めっき処理により、めっき下地層２５３上に金属を析出させて、枠部３５の直上領域のみに設けられた回路構成部（インダクタ４１）、並びに、端子２０７を形成する工程（図１３（ｃ））。
　従って、第１及び第２の実施形態と同様に、端子２０７を形成するための工程にインダクタ４１の形成が含まれており、簡便にインダクタ４１が形成される。さらに、ＳＡＷ装置１の形成後に、トリミングなどによりインダクタ４１の調整を行うことも可能である。
　なお、第３の実施形態において、ＳＡＷ装置２０１は本発明の第１の観点の弾性波装置の一例であり、ＳＡＷ装置２０１の製造方法は本発明の第４の観点の弾性波装置の製造方法の一例である。
＜第４の実施形態＞
　図１４は、本発明の第４の実施形態に係るＳＡＷ装置３０１の平面図である。また、図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線における断面図である。なお、図１４において、第１主面３ａ上に設けられる第１導電層１９は実線で、枠部３５上に設けられる第３導電層３３９は点線で示されている。
　第１の実施形態では、第１導電層１９、絶縁層２１及び第２導電層２３により、互いに異なる電位が付与される配線の立体交差が実現された。第４の実施形態では、第１導電層１９、枠部３５及び第３導電層３３９により立体配線が実現されている。具体的には、以下のとおりである。
　なお、ＳＡＷ装置３０１の立体配線以外の構成については、第１の実施形態のＳＡＷ装置１の構成と概ね同様である。インダクタ４１は、第４の実施形態においても設けられてよいが、図１４では、インダクタ４１が設けられていない場合を例示している。
　基準電位に接続される複数の端子７を相互に接続する配線は、枠部３５と蓋部３７との間に設けられた第３導電層３３９により構成されている。すなわち、第１端子７Ａと第２端子７Ｂとを接続する第１グランド接続線３３３ａ、第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとを接続する第２グランド接続線３３３ｂ及び第３グランド接続線３３３ｃは、第３導電層３３９により構成されている。
　第１グランド接続線３３３ａ、第２グランド接続線３３３ｂ及び第３グランド接続線３３３ｃの平面配置は、第１の実施形態の第１グランド接続線３３ａ、第２グランド接続線３３ｂ及び第３グランド接続線３３ｃ（図３）と同様である。なお、第２グランド接続線３３３ｂ及び第３グランド接続線３３３ｃと、ＳＡＷ素子１１との接続は、枠部３５を貫通するビア導体３３４を介してなされる。
　そして、図１５に示すように、第２グランド接続線３３３ｂと第１導電層１９に含まれる中間接続線２９とは枠部３５を介して立体交差している。同様に、第３グランド接続線３３３ｃと出力側接続線３１は、枠部３５を介して立体交差している。
　ＳＡＷ装置３０１の製造方法は、第１の実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法と概ね同様である。ただし、第１の実施形態における絶縁層２１及び第２導電層２３の形成（図６（ａ））は行われない。また、第３導電層３３９の形成（図７（ｂ）～図７（ｃ））においては、インダクタ４１は形成されず、代わりに、第１グランド接続線３３３ａ、第２グランド接続線３３３ｂ及び第３グランド接続線３３３ｃが形成される。ビア導体３３４は、例えば、端子７の第１主面３ａ側部分と同様に形成される。換言すれば、ビア導体３３４は、第３導電層３３９の形成と同時に形成される。
　以上の第４の実施形態のＳＡＷ装置３０１によれば、第１の実施形態と同様に、端子と接続される第３導電層３３９が設けられていること、あるいは、第１グランド接続線３３３ａ等を含む回路構成部が枠部３５の直上領域のみに設けられていることから、第１の実施形態と同様の効果が奏される。
　また、ＳＡＷ装置３０１は、第１主面３ａに設けられた中間接続線２９と、枠部３５と蓋部３７との間の回路構成部に含まれ、中間接続線２９の電位とは異なる電位が付与され、第１主面３ａの平面視において中間接続線２９に交差する第２グランド接続線３３３ｂとを有する。従って、カバー５を利用して立体配線が実現され、カバー５の有効利用が図られる。その結果、例えば、配線の自由度を向上させたり、絶縁層２１や第２導電層２３を省略して簡素化したりすることができる。
　なお、第４の実施形態において、ＳＡＷ装置３０１は本発明の第１の観点の弾性波装置の一例であり、中間接続線２９又は出力側接続線３１は本発明の第２配線の一例であり、第２グランド接続線３３３ｂ又は第３グランド接続線３３３ｃは本発明の第１配線の一例である。
＜第５の実施形態＞
　図１８は、第５の実施形態のＳＡＷ装置８０１を示す断面図である。
　ＳＡＷ装置８０１の端子８０７は、柱部８０７ｚの立つ方向において、複数の張出部８０７ｂ（第３導電層８３９）を有している。張出部８０７ｂの柱部８０７ｚの立つ方向における数は、例えば２つである。一方の張出部８０７ｂは、第１の実施形態と同様に、カバー８０５の枠部３５と蓋部８３７との間に位置している。他方の張出部８０７ｂは、蓋部８３７に埋設されている。
　このようなＳＡＷ装置８０１は、例えば、蓋部構成層３８Ａ及び３８Ｂを積層して蓋部８３７を形成することにより実現される。すなわち、第１又は第２の実施形態の製造方法において、第３導電層の形成及び第３導電層の上に積層される樹脂層の形成を１回分多くすればよい。
　なお、第５の実施形態において、ＳＡＷ装置８０１は本発明の第１の観点の弾性波装置の一例である。
　本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
　弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。弾性波装置において、保護層（２５）、絶縁層（２１）、第２導電層（２３）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。蓋部の上、又は、蓋部の中において、振動空間と重なる範囲に亘って、カバーの補強を目的とし、端子と接続されない金属層が設けられてもよい。
　カバーに設けられる回路構成部は、インダクタ及び基準電位に接続される配線に限定されない。他の回路素子であってもよいし、信号を伝達する配線であってもよい。図１６（ａ）～図１６（ｃ）及び図１７は、カバーに設けられる回路構成部の他の例を示す等価回路図である。なお、これらの等価回路図においては、反射器等の図示は適宜に省略されている。
　図１６（ａ）は、回路構成部としてキャパシタ４６１が設けられたＳＡＷ装置４０１の等価回路図である。ＳＡＷ装置４０１は、例えば、第１の実施形態と同様に、平衡出力のＳＡＷフィルタ１１Ｂを有している。キャパシタ４６１は、ＳＡＷフィルタ１１Ｂの２つの出力端子の一方（第３端子７Ｃ）に接続されており、２つの出力端子におけるバランス度を調整する。
　図１６（ｂ）は、回路構成部として図１６（ａ）とは異なる機能を発揮するキャパシタ５６３が設けられたＳＡＷ装置５０１の等価回路図である。ＳＡＷ装置５０１は、例えば、３つのＩＤＴ電極１５Ｂを有する縦結合ダブルモード型のＳＡＷフィルタ５１１Ｂを有している。ＳＡＷフィルタ５１１Ｂは、不平衡入力且つ不平衡出力のフィルタにより構成されており、キャパシタ５６３は、ＳＡＷフィルタ５１１Ｂの入力側と出力側とに接続されている。キャパシタ５６３は、ＳＡＷフィルタ５１１Ｂにおける通過帯域の外側における信号の減衰の急峻性を向上させる。
　図１６（ｃ）は、回路構成部として第１の実施形態とは異なる機能を発揮するインダクタ６６５が設けられたＳＡＷ装置６０１の等価回路図である。ＳＡＷ装置６０１は、例えば、３つのＩＤＴ電極１５Ｂを有するラダー型のＳＡＷフィルタ６１１Ｂを有している。また、ＳＡＷフィルタ６１１Ｂ間に接続された２つのＳＡＷ共振子１１Ａ（並列腕共振子）を有している。インダクタ６６５は、ＳＡＷ共振子１１Ａとグランドとの間に設けられ、ＳＡＷフィルタ６１１Ｂの広帯域化や高減衰に寄与する。
　図１７は、回路構成部として第１の実施形態とは異なる機能を発揮するインダクタ７７３が設けられたＳＡＷ装置７０１の等価回路図である。ＳＡＷ装置７０１は、デュプレクサとして構成されており、送信用フィルタ７６７と、受信用フィルタ７６９と、これらのフィルタに共用されるアンテナ用端子７７１とを有している。送信用フィルタ７６７は、例えば、図１６（ｃ）のＳＡＷ装置６０１と同様に、ラダー型のＳＡＷフィルタにより構成されている。受信用フィルタ７６９は、例えば、第１の実施形態のＳＡＷ装置１と同様に、ダブルモード型のＳＡＷフィルタにより構成されている。インダクタ７７３は、アンテナ用端子７７１に接続されており、インピーダンス整合を行う。
　第１の観点の弾性波装置、すなわち、端子の側面から延びる張出部がカバーに覆われている弾性波装置においては、張出部は、振動空間の直上領域まで延在していてもよい。また、張出部は、枠部と蓋部との間においてカバーに覆われるものに限定されず、蓋部の中に埋設されるものであってもよい。
　また第１の観点の弾性波装置においては、カバーに振動空間を設けずに、励振電極をカバーで被覆するようにしてもよい。この場合、弾性波として弾性境界波が利用される。
　また回路構成部が枠部の直上領域のみに設けられる弾性波装置においては、回路構成部は、カバーに覆われるものに限定されず、蓋部の上に設けられるものであってもよい。また、カバーに覆われる回路構成部は、枠部と蓋部との間に設けられるものに限定されず、蓋部に埋設されるものであってもよい。
　第２の観点の弾性波装置の製造方法（第１の実施形態参照）、すなわち、張出部の形成工程と第１貫通孔（４２）への金属の充填工程とが共通化される製造方法においては、第２貫通孔（５１）への金属の充填は、めっき処理によるものに限定されない。例えば、金属ペーストが充填されることにより、第２貫通孔に金属が充填されてもよい。この場合であっても、枠部と蓋部との間の張出部の形成は、第１貫通孔への金属の充填（端子の形成）と同時に行われる。
　第３の観点の弾性波装置の製造方法（第２の実施形態参照）、すなわち、張出部の形成工程と端子の下地層（１４３）の形成工程とが共通化される製造方法においては、下地層は、めっきのための下地層に限定されない。例えば、下地層は、電極パッド（１３）の強度を補強したり、電極パッドの接着性を向上させたりする目的で設けられ、第１貫通孔（４２）及び第２貫通孔（５１）には、金属ペーストが充填されてもよい。
　また、第３の観点の弾性波装置の製造方法では、第１の実施形態と同様に、第１貫通孔（４２）への金属の充填と、第２貫通孔（５１）への金属の充填とが別個に行われてもよい。また、このとき、第１の実施形態と同様に、下地層（１５３）上にレジスト層（１５５）が設けられ、めっき処理が行われることにより、第１貫通孔に金属が充填されてもよい。
　第４の観点の弾性波装置の製造方法（第３の実施形態参照）、すなわち、蓋部の上面に回路構成部を形成する製造方法においては、第１の実施形態と同様に、第１貫通孔（４２）への金属の充填と、第２貫通孔（５１）への金属の充填とが別個に行われてもよい。
　端子の形状は、テーパ状のものに限定されない。適宜な形状により、端子が立つ方向の少なくとも一部において、主面側が主面とは反対側よりも拡径する端子が実現されてよい。また、端子は、主面とは反対側が主面側よりも拡径してもよい。
　１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、７…端子、７ａ…柱部（端子）、７ｂ…張出部、１１Ａ…ＳＡＷ共振子（ＳＡＷ素子）、１１Ｂ…ＳＡＷフィルタ（ＳＡＷ素子）、１５…ＩＤＴ電極（励振電極）、３５…枠部、３７…蓋部、３９…第３導電層（張出部）、４１…インダクタ（回路構成部）。

Claims (15)

  1. 　弾性波を伝搬させる基板と、
    　前記基板の主面上に配置された励振電極と、
    　前記励振電極と電気的に接続され、前記主面に設けられる電極パッドと、
    　前記電極パッド上に配置される柱状の端子と、
    　前記端子の側面から延びる導電性の張出部と、
    　前記基板の主面上に配置されるとともに前記端子の側面及び前記張出部を被覆し、前記励振電極を保護するカバーと、
    　を有する弾性波装置。
  2. 　前記張出部は、前記端子の側面に対し、その全周にわたって接続されている
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記張出部は、第１配線及び回路素子の少なくとも一方を含む回路構成部を有する
    　請求項１又は２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記カバーは、前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠部と、前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有し、
    　前記回路構成部は、前記枠部の直上領域のみに設けられている
    　請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記主面に設けられ、前記第１配線と電気的に接続されない第２配線をさらに備え、
    　前記第１配線と前記第２配線とが、絶縁層を介して交差する
    　請求項３又は４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記主面に設けられ、前記第１配線と電気的に接続されない第２配線をさらに備え、
    前記第１配線と前記第２配線とが、前記枠部を介して交差する
    　請求項３又は４に記載の弾性波装置。
  7. 　前記張出部は、前記枠部と前記蓋部との間に設けられている
    　請求項４に記載の弾性波装置。
  8. 　前記枠部と前記蓋部とは同一材料により構成されている
    　請求項４に記載の弾性波装置。
  9. 　前記回路構成部は、前記回路素子を含み、
    　前記回路素子がミアンダ型のインダクタを有する
    　請求項３～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記端子は、前記基板の主面側が該主面とは反対側よりも径が大きいテーパ状に形成されている柱部を有する
    　請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記端子と前記張出部とは同一材料により構成されている
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、
    　前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、
    　前記第１貫通孔の内部及び前記枠部の上面に、めっき下地層を形成する工程と、
    　前記めっき下地層上に、前記めっき下地層を、前記第１貫通孔において露出させるとともに、前記枠部の上面の一部において前記第１貫通孔とつながったパターンで露出させるレジスト層を形成する工程と、
    　めっき処理により、前記レジスト層から露出した前記めっき下地層上に金属を析出させる工程と、
    　前記レジスト層と、前記めっき下地層の前記レジスト層に被覆されていた部分とを除去する工程と、
    　前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔における析出金属を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、
    　前記第２貫通孔に金属を充填する工程と、
    　を有する弾性波装置の製造方法。
  13. 　基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、
    　前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、
    　前記第１貫通孔の内部及び前記枠部の上面の前記第１貫通孔とつながるパターンの領域に導電性の下地層を形成する工程と、
    　前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、
    　前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の内部に金属を充填する工程と、
    　を有する弾性波装置の製造方法。
  14. 　前記張出部を形成する工程では、前記第１貫通孔及び前記所定のパターンの領域を露出させるレジスト層を形成した後に、前記レジスト層の配置位置及び非配置位置に亘って前記下地層を形成し、その後、前記下地層の前記レジスト層上の部分及び前記レジスト層を除去する
    　請求項１３に記載の弾性波装置の製造方法。
  15. 　基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、
    　前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、
    　前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、
    　前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の内部及び前記蓋部の上面の前記第２貫通孔とつながるパターンの領域にめっき下地層を形成する工程と、
    　めっき処理により、前記めっき下地層上に金属を析出させて、配線及び回路素子の少なくとも一方を含み、前記枠部の直上領域のみに設けられた回路構成部、並びに、端子を形成する工程と、
    　を有する弾性波装置の製造方法。
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