JP4663821B2 - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
弾性波装置は、重力や落下衝撃等によって、回路基板から離間する方向への力が加えられることがある。このとき、弾性波装置の端子は、先端側部分が回路基板に固定されていることから、カバー部材から引き抜かれる方向の力が加えられることになる。
従って、端子のカバー部材からの引き抜きを抑制できる弾性波装置及びその製造方法が提供されることが好ましい。
図1(a)は、本発明の実施形態に係るSAW装置1を示す模式的な平面図である。図1(b)は、図1(a)のIb−Ib線における模式的な断面図である。なお、図1(a)及び(b)は、SAW装置1の理解を容易にするためにSAW装置1を模式的に示したものであり、実施にあたっては、SAW装置1の各部の大きさ、数、形状等は適宜に設定されてよい。
図2(a)〜図4(b)は、SAW装置1の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
また、第1のテーパ部と第2のテーパ部とは、その傾斜角(各テーパ部が圧電基板の第1表面3aとなす角)が互いに異なるようにしてもよい。例えば、第1のテーパ部の傾斜角が第2のテーパ部の傾斜角より大きくなるようにして第1柱部23と第2柱部25を形成してもよい。このように第1のテーパ部の傾斜角と第2のテーパ部の傾斜角を異ならせることによって、端子15に押し込む方向の力が加えられたときに、壁部19に伝達される力をより広範囲に分散させることができる。
Claims (13)
- 弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の表面上に配置され、柱状部と、当該柱状部の底面及び側面を覆う下地層とを有し、高さ方向の少なくとも第1領域はその前記表面側の断面積がその前記表面とは反対側の断面積よりも大きい、柱状の端子と、
前記基板の表面上に配置され、且つ、前記端子と電気的に接続された励振電極と、
前記励振電極上に形成される振動空間の天井及び内壁を構成し、前記端子の前記第1領域の側面を覆うカバー部材と、
を有する弾性波装置。 - 弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の表面上に配置され、高さ方向の少なくとも第1領域はその前記表面側の断面積がその前記表面とは反対側の断面積よりも大きい、柱状の端子と、
前記基板の表面上に配置され、且つ、前記端子と電気的に接続された励振電極と、
前記励振電極上に形成される振動空間の天井及び内壁を構成し、前記端子の前記第1領域の側面を覆うカバー部材と、
を有し、
前記端子は、前記天井よりも前記表面側の位置から前記カバー部材の上面よりも上方の位置まで同一材料により一体形成された柱状部を有する
弾性波装置。 - 前記端子は、前記表面側が前記表面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する
請求項1又は2に記載の弾性波装置。 - 前記端子の前記テーパ部は、
第1のテーパ部と、
当該第1のテーパ部の前記表面とは反対側に連続する第2のテーパ部と、
を有し、
前記第1のテーパ部の前記第2のテーパ部側の断面積は、前記第2のテーパ部の前記第1のテーパ部側の断面積よりも小さい
請求項3に記載の弾性波装置。 - 前記第1のテーパ部と前記第2のテーパ部との境界の前記表面からの距離は、前記天井の前記表面からの距離と一致する
請求項4に記載の弾性波装置。 - 前記内壁は、前記基板の前記表面から離れるにつれて内方に傾斜している、
請求項5に記載の弾性波装置。 - 前記内壁が前記表面から離れるにつれて内方に傾斜して前記振動空間の前記天井側の角部が曲面により構成されている
請求項1又は2に記載の弾性波装置。 - 弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の表面上に配置された柱状の端子と、
前記基板の表面上に配置され、且つ、前記端子と電気的に接続された励振電極と、
前記励振電極上に形成される振動空間の天井及び内壁を構成し、前記端子の側面を覆うカバー部材と、
を有し、
前記端子は、
前記表面とは反対側の断面積が前記表面側の断面積よりも大きい第3のテーパ部と、
当該第3のテーパ部の前記表面とは反対側に連続し、前記表面とは反対側の断面積が前記表面側の断面積よりも大きい第4のテーパ部と、
を有し、
前記第3のテーパ部の前記第4のテーパ部側の断面積は、前記第4のテーパ部の前記第3のテーパ部側の断面積よりも大きい
弾性波装置。 - 弾性波を伝搬させる基板の表面上に励振電極を配置する工程と、
前記励振電極と電気的に接続され、前記表面上に配置され、柱状部と、当該柱状部の底面及び側面を覆う下地層とを有し、高さ方向の少なくとも第1領域は、その前記表面側の断面積が前記表面とは反対側の断面積よりも大きい柱状の端子を形成する工程と、
前記励振電極上に形成される振動空間の天井及び内壁を構成し、前記端子の前記第1領域の側面を覆うカバー部材を形成する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。 - 弾性波を伝搬させる基板の表面上に励振電極を配置する工程と、
前記励振電極と電気的に接続され、前記表面上に配置され、高さ方向の少なくとも第1領域は、その前記表面側の断面積が前記表面とは反対側の断面積よりも大きい柱状の端子を形成する工程と、
前記励振電極上に形成される振動空間の天井及び内壁を構成し、前記端子の前記第1領域の側面を覆うカバー部材を形成する工程と、
を有し、
前記端子を形成する工程は、前記天井よりも前記表面側の位置から前記カバー部材の上面よりも上方の位置まで同一材料により一体形成され、前記端子を構成する柱状部を形成する工程を含む
弾性波装置の製造方法。 - 前記カバー部材を形成する工程は、
前記カバー部材となるカバー部材構成層を形成する工程と、
前記カバー部材構成層に、前記高さ方向の少なくとも一部において、前記表面側が前記表面とは反対側よりも拡径する孔部を形成する工程と、
を含み、
前記端子を形成する工程では、前記孔部内に導電性材料が充填されて前記端子が形成される
請求項9又は10に記載の弾性波装置の製造方法。 - 前記孔部を形成する工程では、ネガ型のフォトリソグラフィーによって前記カバー部材構成層の一部が除去されて前記孔部が形成される
請求項11に記載の弾性波装置の製造方法。 - 前記カバー部材構成層を形成する工程は、
前記振動空間の壁部を構成する壁部構成層を形成する工程と、
前記壁部構成層上に、前記振動空間の蓋部を構成する蓋部構成層を形成する工程と、
を含み、
前記孔部を形成する工程は、
前記蓋部構成層を形成する工程の前に、ネガ型のフォトリソグラフィーによって前記壁部構成層の一部を除去して、前記振動空間となる開口部と、前記孔部の前記表面側部分となる、前記表面側が前記表面とは反対側よりも拡径する第1孔部とを形成する工程と、
前記蓋部構成層を形成する工程の後に、ネガ型のフォトリソグラフィーによって前記蓋部構成層の一部を除去して、前記孔部の前記表面とは反対側部分となる、前記表面側が前記表面とは反対側よりも拡径し、前記表面側の径が、前記第1孔部の前記表面とは反対側の径よりも大きい第2孔部を形成する工程と、
を含む
請求項12に記載の弾性波装置の製造方法。
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JP5285729B2 (ja) | 2011-03-03 | 2013-09-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP5721500B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-05-20 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
US9660171B2 (en) | 2011-04-19 | 2017-05-23 | Kyocera Corporation | Electronic component and acoustic wave device |
JP5730169B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-06-03 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法 |
US9773964B2 (en) * | 2011-12-27 | 2017-09-26 | Kyocera Corporation | Electronic component |
JP5358724B1 (ja) | 2012-06-28 | 2013-12-04 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置 |
JP6106404B2 (ja) * | 2012-10-30 | 2017-03-29 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品モジュール |
US9209380B2 (en) * | 2013-03-08 | 2015-12-08 | Triquint Semiconductor, Inc. | Acoustic wave device |
JP6336248B2 (ja) * | 2013-04-19 | 2018-06-06 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
JP6385648B2 (ja) * | 2013-05-14 | 2018-09-05 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法 |
JP2015046870A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
CN105474539B (zh) * | 2013-08-20 | 2017-12-01 | 株式会社村田制作所 | 声表面波设备及其制造方法 |
CN106464232B (zh) * | 2014-06-27 | 2019-09-27 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
JP2016058857A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス、圧電デバイス製造方法、及び電子部品 |
WO2016185866A1 (ja) * | 2015-05-18 | 2016-11-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、高周波モジュール及び弾性表面波装置の製造方法 |
CN107615659B (zh) * | 2015-06-25 | 2020-11-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
JP6093051B2 (ja) * | 2016-01-26 | 2017-03-08 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
WO2017139542A1 (en) | 2016-02-11 | 2017-08-17 | Skyworks Solutions, Inc. | Device packaging using a recyclable carrier substrate |
WO2017187747A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US20170345676A1 (en) * | 2016-05-31 | 2017-11-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Wafer level packaging using a transferable structure |
CN109314500A (zh) * | 2016-06-09 | 2019-02-05 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
WO2018021242A1 (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | 京セラ株式会社 | 弾性波デバイスおよび通信装置 |
US10453763B2 (en) | 2016-08-10 | 2019-10-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Packaging structures with improved adhesion and strength |
JP6298120B2 (ja) * | 2016-08-25 | 2018-03-20 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および回路基板 |
WO2019044310A1 (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置およびそれを備えた弾性波モジュール |
JP2019114986A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP6646089B2 (ja) * | 2018-02-22 | 2020-02-14 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および回路基板 |
JP7397611B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-12-13 | 太陽誘電株式会社 | 電子デバイス |
US11923822B2 (en) * | 2019-11-21 | 2024-03-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Bulk acoustic wave resonator on surface acoustic wave device |
US20230062981A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Packaged multilayer piezoelectric surface acoustic wave device with conductive pillar |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051677A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | 多層基板への電子部品実装方法および多層基板に電子部品が実装された電子部品装置 |
JP2006108993A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 表面弾性波デバイスおよびその製造方法 |
WO2007114390A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Kyocera Corporation | 弾性表面波素子、弾性表面波装置および通信装置 |
JP2008005241A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Murata Mfg Co Ltd | フィルタ装置 |
JP2008153957A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 中空封止素子、その製造方法ならびに中空封止素子を用いた移動通信機器 |
JP2008235432A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujitsu Media Device Kk | 電子部品およびその製造方法 |
JP2010056671A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3265889B2 (ja) * | 1995-02-03 | 2002-03-18 | 松下電器産業株式会社 | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
JP4166997B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2008-10-15 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波素子の実装方法及び樹脂封止された弾性表面波素子を有する弾性表面波装置 |
JP4046641B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2008-02-13 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 電子デバイスのパッケージ、ベース基板、電子部品及びそれの製造方法 |
JP4576849B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | 集積回路装置 |
CN101151802B (zh) * | 2005-04-01 | 2010-08-25 | 松下电器产业株式会社 | 弹性表面波装置及其制造方法 |
JP4585419B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2010-11-24 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
JP4509038B2 (ja) * | 2006-02-01 | 2010-07-21 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
US8004370B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-08-23 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave apparatus, and communication apparatus |
JP2007281902A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 立体配線を有する中空構造ウェハレベルパッケージ |
JP2008124785A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
JP4401409B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2010-01-20 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス、及びその製造方法 |
CN101803189B (zh) * | 2007-10-30 | 2014-01-08 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置 |
JP4663821B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-11-24 JP JP2010515712A patent/JP4663821B2/ja active Active
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2010
- 2010-08-09 JP JP2010178430A patent/JP5112481B2/ja active Active
-
2014
- 2014-07-01 US US14/321,232 patent/US8975803B2/en active Active
-
2015
- 2015-02-20 US US14/627,676 patent/US10193525B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051677A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | 多層基板への電子部品実装方法および多層基板に電子部品が実装された電子部品装置 |
JP2006108993A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 表面弾性波デバイスおよびその製造方法 |
WO2007114390A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Kyocera Corporation | 弾性表面波素子、弾性表面波装置および通信装置 |
JP2008005241A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Murata Mfg Co Ltd | フィルタ装置 |
JP2008153957A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 中空封止素子、その製造方法ならびに中空封止素子を用いた移動通信機器 |
JP2008235432A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujitsu Media Device Kk | 電子部品およびその製造方法 |
JP2010056671A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010061821A1 (ja) | 2010-06-03 |
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JP2010252399A (ja) | 2010-11-04 |
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