JP2005252335A - 集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 41
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 abstract description 16
- 238000004088 simulation Methods 0.000 abstract description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N trilithium borate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]B([O-])[O-] RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【解決手段】カバー14とスペーサー13によって電子部品素子上に空間を形成することで、弾性表面波電子部品素子等の電気的特性が外部との物理的な接触による変化から保護することができ、特性を安定化させることができると共に導電性バンプ12による単純な接続構造が高周波特性のシミュレーション精度を向上させ、その結果集積回路装置の設計を簡便化することができる。また電子部品素子、引き出し配線に電磁遮蔽を行うことができ、特性を安定化することができる。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の実施の形態1における集積回路装置の構成を示す断面図である。結晶基板9の上に電子部品素子電極10が形成され電子部品素子を構成している。ここで示す電子部品素子の一例として、結晶基板9としてタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ほう酸リチウム、水晶等の圧電基板、電子部品素子電極10として櫛歯状電極を用いた弾性表面波電子部品素子が挙げられる。電子部品素子電極10としてAl等の腐食しやすい材料を用いる場合には、素子電極10の表面にSiO2等の保護層を形成することがより好ましい。
以下、本発明の実施の形態2について図を用いて説明する。なお、実施の形態1で示した例と重複する部分については、詳細を省略して説明する。
以下、本発明の実施の形態3について図を用いて説明する。なお、実施の形態1、2で示した例と重複する部分については、詳細を省略して説明する。
2 電子部品素子電極
3 引き出し電極
4 接着剤
5 カバー
6 スペーサー
7 端面電極
8 外部接続端子
9 結晶基板
10 電子部品素子電極
11 接続パッド
12 導電性バンプ
13 スペーサー
14 カバー
15 配線層
16 配線
17 配線
18 絶縁層
19 ビア
20 外部接続端子
21 離型フィルム
22 貫通孔
23 配線パターン
24 スリット
25 金属層
26 貫通孔
27 ビア
28 離型フィルム
29 樹脂層
Claims (11)
- 結晶基板と、この結晶基板上に形成された電子部品素子と、この電子部品素子より電気的に引き出された接続パッドと、この接続パッド上に形成された導電性バンプと、前記電子部品素子と接続パッドを除く領域の結晶基板上に形成されたスペーサーと、このスペーサーを橋架として前記電子部品素子上に空間を形成するように設けられたカバーと、このカバー上に形成された絶縁層と配線を含む配線層と、この配線層上に設けられた外部接続端子とを備え、前記導電性バンプはカバーを貫通し前記配線層と電気的に接続した集積回路装置。
- 結晶基板と、この結晶基板上に形成された電子部品素子と、この電子部品素子より電気的に引き出された接続パッドと、この接続パッド上に形成された導電性バンプと、前記電子部品素子を除く領域の結晶基板上に形成されたスペーサーと、このスペーサーを橋架として前記電子部品素子上に空間を形成するように設けられたカバーと、このカバー上に形成された絶縁層と配線を含む配線層と、この配線層上に設けられた外部接続端子とを備え、前記接続パッド及び導電性バンプは前記スペーサーを形成する領域に設けられ、前記導電性バンプはスペーサーを貫通しカバーに設けられたビアを介して前記配線層と電気的に接続した集積回路装置。
- カバーに設けられたビアをカバーに貫通する導電性バンプとした請求項2に記載の集積回路装置。
- 電子部品素子を結晶基板上に設ける圧電薄膜で形成した請求項1または2に記載の集積回路装置。
- 配線層の少なくとも1層の配線にシールドパターンを形成した請求項1または2に記載の集積回路装置。
- 配線層の配線によりL、C、R電子部品素子の少なくとも1つを形成した請求項1または2に記載の集積回路装置。
- 電子部品素子が形成されない結晶基板の面に樹脂層を形成した請求項1または2に記載の集積回路装置。
- 電子部品素子が形成されない結晶基板の面に金属によるシールドを形成した請求項1または2に記載の集積回路装置。
- 結晶基板上に電子部品素子を構成する素子電極及び接続パッドを形成する電極形成工程と、前記電子部品素子電極と接続パッドを除く領域にスペーサーを形成するスペーサー形成工程と、前記接続パッド上に導電性バンプを形成する導電性バンプ形成工程と、前記スペーサーを橋架として電子部品素子上に空間を形成するようにカバーを設けると共に前記導電性バンプをカバーに貫通させてカバーの表面に露出させるカバー形成工程と、このカバー上に絶縁層と配線を含む配線層を形成する配線層形成工程と、この配線層の表面に外部接続端子を設ける外部接続端子形成工程とからなる集積回路装置の製造方法。
- 結晶基板上に電子部品素子を構成する素子電極及び接続パッドを形成する電極形成工程と、前記接続パッド上に導電性バンプを形成する導電性バンプ形成工程と、前記電子部品素子電極を除く領域にスペーサーを形成すると共に前記導電性バンプをスペーサーに貫通させてスペーサーの表面に露出させるスペーサー形成工程と、このスペーサーを橋架として前記電子部品素子上に空間を形成するようにカバーを設けるカバー形成工程と、このカバーにビアを形成するビア形成工程と、前記カバーに絶縁層と配線を含む配線層を形成する配線層形成工程と、この配線層の表面に外部接続端子を設ける外部接続端子形成工程とからなる集積回路装置の製造方法。
- 結晶基板をウエハー形状とし、この結晶基板上に複数の集積回路装置を形成して分割して個片化する請求項9または10に記載の集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004055956A JP4576849B2 (ja) | 2004-03-01 | 2004-03-01 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004055956A JP4576849B2 (ja) | 2004-03-01 | 2004-03-01 | 集積回路装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010074713A Division JP5056885B2 (ja) | 2010-03-29 | 2010-03-29 | 集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005252335A true JP2005252335A (ja) | 2005-09-15 |
JP4576849B2 JP4576849B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=35032460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004055956A Expired - Lifetime JP4576849B2 (ja) | 2004-03-01 | 2004-03-01 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4576849B2 (ja) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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