JPH11510666A - 電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス―ｓａｗデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ベースプレート（３）上に電気的に接触化されて取付けられているデバイスシステム（１、２）を有するＳＡＷデバイスにおいて、保護層（８）がデバイスシステム（１、２）とベースプレート（３）との接続範囲に面していないデバイス側面に設けられ、ベースプレート（３）に向かってデバイスシステム（１、２）を環境の影響に対して密封する閉鎖構造を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】 電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス−ＳＡＷデバイス 本発明は電子デバイス、特に請求項１の上位概念に基づく表面音波で作動する デバイス（ＳＡＷデバイス）に関する。 電子デバイスを保護膜により環境の影響、例えば化学物質による攻撃に対し、 例えば湿気に対し保護することは公知である。例えば米国特許第３４３８８７３ 号明細書には窒化シリコン、酸化アルミニウム及び例えばアルミニウムシリケー トのような混合されたシリケートから成る保護層により半導体デバイスを保護す ることが記載されている。その際保護層は半導体デバイスのシステム上に直接施 される。この場合デバイスシステムとはデバイスの能動的電子構成要素を含んで いる基板を意味する。即ち言い換えればデバイスシステムとはデバイスを包含し ている容器を除いたデバイスのことである。 ある種の電子デバイスにおいては上述の形式の保護層をデバイスシステム自体 に施すことは不適当であるばかりか、デバイスの機能に損傷を与える恐れがある 。例えば表面音波で作動するデバイスの場合がそうであり、即ちこのようなデバ イスのデバイスシステム上に施された保護層は表面音波の伝播に悪影響を及ぼす 恐れがあるからである。これに相当するもう１つの例には機械的応力を測定する センサがあり、その場合保護層によりセンサシステムに惹起される機械的張力が 測定すべき機械的応力の検出に影響を及ぼしかねないからである。 本発明の課題は、デバイスシステム上に施される保護層によって生じかねない 悪影響を蒙ることなく、電子デバイスを環境の影響に対し保護する方法を提供す ることにある。 この課題は冒頭に記載した形式の電子デバイスにおいて本発明によれば請求項 １の特徴部の特徴により解決される。 本発明の実施態様は従属請求項の対象である。 本発明を図示の実施例に基づき以下に詳述する。その際図１〜３は本発明によ り形成される種々の実施形態の電子デバイスを概略的に示すものである。 図１に基づく電子デバイスの実施形態ではデバイスシステムはベースプレート ３上に電気的に接触化されて取り付けられている。このデバイスシステムは基板 １及び導電構造（図示されていない）を囲む絶縁枠２により概略的に示されてい る。導電構造はＳＡＷデバイス用の例えばすだれ状変換器、共振器又は反射器で あってもよい。 “ベースプレート”とは本発明の枠内では導体路を載せるプラスチック、ガラ ス又はセラミックスベースの基板を意味する。このベースプレート３上に導体路 ４が設けられており、これはバンプ５を介してデバイスシステムの基板１上の導 電構造（図示せず）と接触化されている。このような電気的接触化にはそれ自体 公知のいわゆるフリップチップ取付法が用いられる。 基板１上の導電構造を囲む枠２とベースプレート３上の導体路４との間に例え ばエポキシ樹脂又はガラスから成る絶縁層６が備えられている。最後にテバイス システム１、２とベースプレート３との接続範囲に例えば接着剤、注型樹脂又は プレスコンパウンドであってもよい囲み枠７が設けられている。この囲み枠は、 特にデバイスシステム及びベースプレートの種々の熱膨張により生じバンプ５を 介する基板１上の導電構造とベースプレート３上の導体路４との間の電気的接触 を機械的に損なう恐れのあるせん断力を吸収するために設けられている。 本発明によればデバイスシステム１、２とベースプレート３との接続範囲に面 していないデバイス側面上に、環境の影響に対しデバイスシステムをベースプレ ートに向かって密封する閉鎖構造を形成する保護層８が備えられている。後に詳 述するようにこの保護層８は種々の方法で形成することができる。 図２に基づくＳＡＷデバイスの実施形態では、ＳＡＷデバイスシステムは圧電 性基板１０並びにその上に設けられている導電構造１１及び導電構造１１用の接 続端子面（パッド）１２により構成される。導電構造１１は同様にすだれ状変換 器、共振器又は反射器であってもよい。導電構造１１及びパッド１２は図１の実 施形態に相応して絶縁枠２１により囲まれている。図２のＳＡＷデバイスシステ ム１０、１１、１２も同様にごく概略的に図示したものである。このようなＳＡ Ｗデバイス用のデバイスシステムの完全な構造はそれ自体公知であり、従ってこ こでは詳述しない。 更にベースプレート１３が備えられており、そのデバイスシステム１０、１１ １２に面する側面上に導体路１４がその上にあるバンプ１５と共に設けられてお り、それらを介してデバイスのパッド１２への電気的接触化が行われる。ベース プレート１３の形は二層形式に制限されるものではない。三層以上のベースプレ ートも使用することができる。 電気的接触化は、図２の左側に示されているように導体路１４がベースプレー ト１３の周りを通るようにデバイスから引出されても、又は導体路が引込み線１ ６−１、１６−２、１６−３を介してベースプレート１３を通って外側の導体路 １７へ接続されるように行われてもよい。垂直方向にずらされた電気引込み線１ ６−１、１６−２、１６−３の形は、デバイスの機能に悪影響を及ぼす化学物質 の侵入を阻止するのに役立ち、即ちずらされた引込み線を形成することにより、 ベースプレート１３の外側からの気密性が保証される。導体路１４がベースプレ ート１３の周りに案内されまたバンプ１５を介してパッド１２と接続されている 場合、導体路１４と後に記載する保護層１９との間に絶縁層２０が必要になる。 デバイスシステム１０、１１、１２はベースプレート１３上をプラスチックカ バー１８で覆われている。このカバー１８は注型樹脂、プレスコンパウンド又は 熱可塑性物質により形成されていてもよい。 カバー１８上にはデバイスシステム１０、１１、１２とベースプレート１３と の間の接続範囲に面していない側面上で環境の影響に対しベースプレート１３に 向かって密封する閉鎖構造を形成する本発明による保護層１９が設けられている 。 既に記載したように保護層は図１では８と、図２では１９と異なって形成され ている。保護層は一実施形態によれば金属を含む層であっても又は完全に金属層 であってもよい。更に保護層は（図１及び２では明確に示されていないが）複数 の部分層によって構成されていてもよく、それらのうち少なくとも１つは金属層 である。更に部分層の１つはガラス層であってもよく、その場合特に部分成層の 下方の部分層がガラス層とされる。金属としては例えば銅、ニッケル又は金が考 えられる。金属層は例えば蒸着、真空メタライジング、電気めっき又はラミネー ト法によって施してもよい。その際場合によっては金属層上に図には明示されて いない腐食保護層を設けてもよい。更に金属層の下に同様に図示されていない接 着層を設けてもよい。 図２の実施形態に示されているように保護層１９、即ち特にその金属部分は、 保護層１９が環境の影響に対して保護するばかりでなく、同時にデバイスシステ ム１０、１１、１２用の高周波を遮蔽するために形成されるように電気的に接触 化されていてもよい。この目的のために保護層１９はベースプレート１３上の導 体路１４と（図２では接続部２２により示されているように）接続されている。 図３（図中同一部分には図１及び２と同じ符号が付されている）はデバイスシ ステムがワイヤ接続されている実施形態が示されている。その際基板１は適当な 接続部、例えば接着剤３０によりベースプレート３上に固定されている。固定範 囲に面していない側のワイヤによる接触化は導体路４への接触用ワイヤ３１を介 して行われる。 この実施形態でも図２の場合と同様に本発明による保護層１９を有するプラス チック被覆１８が設けられている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリューガー、ハンス ドイツ連邦共和国 デー―81737 ミュン ヘン ペラローシュトラーセ 13 (72)発明者 パール、ウォルフガング ドイツ連邦共和国 デー―80336 ミュン ヘン バーファリアリング 41

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 基板（１；１０）上に導電構造（１１、１２）を含むデバイスシステム（ １、２；１０、１１、１２）がベースプレート（３；１３）上に電気的に接触化 されて取付けられ、デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）を環境の影 響に対して遮蔽する保護層（８；１９）が備えられている電子デバイス、特に表 面音波で作動するデバイス（ＳＡＷデバイス）において、保護層（８、１９）が 、デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）とベースプレート（３；１３ ）との接続範囲には面していない側面上に備えられ、ベースプレート（３；１３ ）に向かってデバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）を環境の影響に対 して密封する閉鎖構造を形成していることを特徴とする電子デバイス。 ２． デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）がフリップチップ法でベ ースプレート（３；１３）に取付けられていることを特徴とする請求項１記載の デバイス。 ３． デバイスシステム（１）がベースプレート（３）上に取付けられ、接触用 ワイヤ（３１）により電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の デバイス。 ４． 保護層（８）がデバイスシステム（１、２）とベースプレート（３）との 接続範囲に面していない基板（１）の側面上にベースプレート（３）に向かって 施され、環境の影響に対しベースプレート（３）に向かって密封する閉鎖構造が 形成されることを特徴とする請求項１又は２記載のデバイス。 ５． デバイスシステム（１０、１１、１２）上にプラスチックカバー（１８） が設けられ、保護層（１９）がプラスチックカバー（１８）の上にベースプレー ト（１３）まで施され、環境の影響に対しベースプレート（１３）に向かって密 封する閉鎖構造が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに 記載のデバイス。 ６． 保護層（８、１９）が金属含有層であることを特徴とする請求項１乃至５ のいずれか１つに記載のデバイス。 ７． 保護層（８、１９）が金属層であることを特徴とする請求項１乃至５のい ずれか１つに記載のテバイス。 ８． 保護層（８、１９）が複数の部分層から構成される層であることを特徴と する請求項１乃至５のいずれか１つに記載のデバイス。 ９． 少なくとも１つの部分層が金属層であることを特徴とする請求項８記載の デバイス。 １０． 少なくとも１つの部分層がガラス層であることを特徴とする請求項８記 載のテバイス。 １１． ガラス層が部分成層の下方の部分層であることを特徴とする請求項１０ 記載のデバイス。 １２． 保護層（８、１９）上に腐食保護層が備えられていることを特徴とする 請求項１乃至１１のいずれか１つに記載のデバイス。 １３． 保護層（８、１９）の下に接着層が備えられていることを特徴とする請 求項１乃至１２のいずれか１つに記載のデバイス。 １４． 保護層（８、１９）の金属部分が電気的に接触化されていることを特徴 とする請求項１乃至１３のいずれか１つに記載のデバイス。