DE19818824B4 - Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDFInfo
- Publication number
- DE19818824B4 DE19818824B4 DE19818824A DE19818824A DE19818824B4 DE 19818824 B4 DE19818824 B4 DE 19818824B4 DE 19818824 A DE19818824 A DE 19818824A DE 19818824 A DE19818824 A DE 19818824A DE 19818824 B4 DE19818824 B4 DE 19818824B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chip
- base plate
- frame
- space
- potting compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1078—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a foil covering the non-active sides of the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49169—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
- Y10T29/49171—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor with encapsulating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49169—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
- Y10T29/49171—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor with encapsulating
- Y10T29/49172—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor with encapsulating by molding of insulating material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Elektronisches
mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement,
– mit einem Chip (2) aus piezoelektrischem Substrat,
– mit auf dem Chip angeordneten, elektrisch leitenden Strukturen,
– mit einer Basisplatte (3) mit externen, mit den elektrisch leitenden Strukturen des Chips kontaktierten Anschlusselementen, und
– mit auf der Basisplatte angeordnetem, hermetisch dichtem Rahmen (4), innerhalb dessen der Chip mit Abstand zum Rahmen angeordnet ist,
– bei dem der Raum zwischen Chip (2) und Basisplatte (3) mit einer Folie (5) dicht umschlossen ist,
– bei dem der Raum zwischen Rahmen (4) und Chip (2) über der Folie mit einer Vergussmasse (6) gefüllt ist, und
– bei dem über dem Chip, der Vergussmasse und dem Rahmen ein Überzug (7) aus galvanischem Material aufgebracht ist, dessen Randbereich (8) auf der Basisplatte dicht aufliegt.
– mit einem Chip (2) aus piezoelektrischem Substrat,
– mit auf dem Chip angeordneten, elektrisch leitenden Strukturen,
– mit einer Basisplatte (3) mit externen, mit den elektrisch leitenden Strukturen des Chips kontaktierten Anschlusselementen, und
– mit auf der Basisplatte angeordnetem, hermetisch dichtem Rahmen (4), innerhalb dessen der Chip mit Abstand zum Rahmen angeordnet ist,
– bei dem der Raum zwischen Chip (2) und Basisplatte (3) mit einer Folie (5) dicht umschlossen ist,
– bei dem der Raum zwischen Rahmen (4) und Chip (2) über der Folie mit einer Vergussmasse (6) gefüllt ist, und
– bei dem über dem Chip, der Vergussmasse und dem Rahmen ein Überzug (7) aus galvanischem Material aufgebracht ist, dessen Randbereich (8) auf der Basisplatte dicht aufliegt.
Description
- Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes OFW-Bauelement, sowie Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements.
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement, insbesondere ein mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes OFW-Bauelement, mit einem Chip mit piezoelektrischem Substrat, mit auf dem Chip angeordneten, elektrisch leitenden Strukturen – Interdigitalwandlern, Anschlußbahnen und dergl. –, mit einer Basisplatte mit externen, mit den elektrisch leitenden Strukturen des Chips kontaktierten Anschlußelementen und mit auf der Basisplatte angeordnetem, hermetisch dichten Rahmen, innerhalb dessen der Chip mit Abstand zum Rahmen angeordnet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements.
- Die ältere deutsche Patentanmeldung
DE 198 06 550 A1 schlägt bei einem elektronischen Bauelement der vorstehend genannten Art vor, daß auf die die elektrisch leitenden Strukturen tragende Chip-Fläche eine strukturierte Schutzfolie aufgebracht ist, die auf ihrer vom piezoelektrischen Substrat abgekehrten Oberfläche elektrische Kontaktelemente trägt, die über Durchkontaktierungen in der Schutzfolie und/oder über Lotkugeln – Bumps – mit den elektrisch leitenden Strukturen des Chips und andererseits mit den externen Anschlußelementen der Basisplatte verbunden sind. - Diese Bauelemente zeichnen sich durch einen hohen Miniaturisierungsgrad und durch eine ausgezeichnete Schutzwirkung der Schutzfolie gegen physikalische und chemische Umwelteinflüsse aus.
- Aus der
DE 195 07 124 A1 ist ein Oberflächenwellenbauelement bekannt, welches allseitig unter Einschluß eines Hohlraums über den Bauelementstrukturen mit einer Harzfolie umschlossen ist. Die Ränder der Folie sind an den Seitenkanten mit dem Substrat thermisch verschweißt. Aus derDE 196 23 826 A1 ist ein Trägerelement für einen Halbleiterchip bekannt, bei dem der Chip in einer Ausnehmung des Trägerelements angeordnet ist, bei dem der Chip mit einem Rahmen umgeben ist, der als Gießform für eine Vergußmasse dient, mit der der Chip abgedeckt wird. - Aus der Entgegenhaltung
WO 97/45955 A1 - Die vorliegende Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, ein weiter miniaturisiertes OFW-Bauelement der eingangs genannten Art sowie ein weniger aufwendiges Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, bei gleichzeitiger Verringerung der Herstellungskosten.
- Zur Lösung dieser Aufgabe schlägt die Erfindung bei einem elektronischen Bauelement der eingangs genannten Art vor, daß der Raum zwischen Chip und Basisplatte mit einer Folie, z. B. Kunststoffolie, dicht umschlossen ist, so daß zumindest die Wand- und Bodenflächen, die den Raum zwischen Rahmen, Basisplatte und Chip begrenzen, mit Folie bedeckt sind, daß der Raum zwischen Rahmen und Folie mit der Folie bzw. mit Vergußmasse, z. B. Epoxidharz, gefüllt ist und daß der Chip samt Vergußmasse und Rahmen durch einen Überzug aus galvanischem Werkstoff, z. B. einer CuNi-Legierung, geschützt sind, dessen Randbereich auf der Basisplatte dicht aufliegt.
- Das einschlägige Verfahren hierzu schlägt vor, daß der Chip – ausgenommen die zur Basisplatte gekehrte Seitenfläche – mit einer zumindest bis zur Basisplatte herabgezogenen Folie umpreßt wird, daß der Raum zwischen Rahmen und Folie mit Vergußmasse gefüllt wird, daß die Folie in ihren vergußfreien Oberflächenbereichen, z. B. mittels Plasmaätzen, entfernt wird und daß auf dem Chip samt Vergußmasse ein Überzug aus galvanischem Material aufgebracht wird.
- Weitere Merkmale des Gegenstandes nach der Erfindung sind den Unteransprüchen und der Beschreibung samt Zeichnung zu entnehmen.
- Der Verzicht auf die Schutzfolie trägt zu einer erheblichen Minderung der Kosten und zu einer Verringerung der Abmessungen der Bauelemente bei. Zusätzlich zeichnet sich diese Bau element durch seine erhöhte Zuverlässigkeit aus, da bei seinem Auflöten auf die Basisplatte, was in Flip-Chip-Technik erfolgt, nicht die Gefahr besteht, daß die in diesem Zustand flüssigen Lotkugeln bzw. Bumps in Freiräume bzw. Spalten fließen können, wie sie bei sogenannter Unterfüllung des Bauelements mit Vergußmasse, z. B. Epoxidharz, auftreten. Diese Gefahr besteht auch nicht beim Einlöten des Bauelements in die jeweilige Schaltung des Kunden.
-
1 bis3 zeigen in teils geschnittener und schematischer Darstellung die Fertigung eines Bauelements gemäß der Erfindung. - Zur Fertigung, die letztlich eine Massenfertigung ist, ist eine in Basisplatten
3 vereinzelbare, leiterbahnenbestückte Trägerplatte, insbesondere Keramikplatte, vorgesehen, die aufgereiht auf der Trägerplatte in sich jeweils geschlossene Rahmen4 , sogenannte Lotrahmen, trägt, innerhalb denen mit Abstand zu den Rahmen jeweils Chips2 in Flip-Chip-Technik mit ihren elektrisch leitenden Strukturen auf entsprechende Leiterbahnen der Basisplatte aufgelötet sind. - In einem ersten Schritt gemäß der Erfindung werden die so aufgelöteten Chips
2 – ausgenommen die zur Basisplatte3 gekehrte Seitenfläche – mit einer zumindest bis zur Basisplatte3 herabgezogenen Kunststoffolie5 bzw. Metall- oder Verbundfolie umpreßt. Bevorzugt ist jedoch dabei – wie die Figuren zeigen – die Folie5 im Raum zwischen dem Lotrahmen4 und dem Chip2 über die gesamte Fläche von Basisplatte3 und Lotrahmen4 geführt. Möglich, falls fertigungstechnisch vorteilhaft, kann die Folie5 den Lotrahmen4 auch vollständig umhüllen und mit ihren Enden auf der Basisplatte3 aufliegen. - In einem weiteren Verfahrensschritt wird der Raum zwischen dem Lotrahmen
4 und der Folie5 mit Vergußmasse6 , insbesondere Epoxidharz, gefüllt, anschließend die Folie5 mittels Plasmaätzen in ihren vergußfreien Oberflächenbereichen entfernt und schließlich auf den Chip2 samt Vergußmasse6 und Rahmen4 ein als Schutzkappe wirksamer Überzug7 aus galvanischem Material aufgebracht. Geeignet hierfür ist beispielsweise ein Überzug7 , bestehend aus einer CuNi-Legierung, dessen Randbereich8 z. B. mit einer auf die Basisplatte3 aufgesputterten, folglich lotfähigen Schicht hermetisch dicht verlötet ist. - Die
1 bis3 zeigen die einzelnen Fertigungsschritte anhand nur eines OFW-Bauelements. Wie es in der Massenfertigung üblich ist und bereits an anderer Stelle erwähnt wurde, sieht die Fertigung relativ großflächige Basisplatten (Nutzen) mit einer Vielzahl von Chips vor, die in Reihen angeordnet und jeweils von Rahmen, insbesondere Lotrahmen, umgeben sind.
Claims (12)
- Elektronisches mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement, – mit einem Chip (
2 ) aus piezoelektrischem Substrat, – mit auf dem Chip angeordneten, elektrisch leitenden Strukturen, – mit einer Basisplatte (3 ) mit externen, mit den elektrisch leitenden Strukturen des Chips kontaktierten Anschlusselementen, und – mit auf der Basisplatte angeordnetem, hermetisch dichtem Rahmen (4 ), innerhalb dessen der Chip mit Abstand zum Rahmen angeordnet ist, – bei dem der Raum zwischen Chip (2 ) und Basisplatte (3 ) mit einer Folie (5 ) dicht umschlossen ist, – bei dem der Raum zwischen Rahmen (4 ) und Chip (2 ) über der Folie mit einer Vergussmasse (6 ) gefüllt ist, und – bei dem über dem Chip, der Vergussmasse und dem Rahmen ein Überzug (7 ) aus galvanischem Material aufgebracht ist, dessen Randbereich (8 ) auf der Basisplatte dicht aufliegt. - Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Rahmen (
4 ) aus lötfähigem Material besteht und mit einer auf die Basisplatte (3 ) aufgebrachten, lötfähigen Schicht verlötet ist. - Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug (
7 ) aus einer CuNi-Legierung besteht. - Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergußmasse (
6 ) ein Epoxidharz ist. - Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie (
5 ) eine Kunststoffolie ist. - Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 5 mit einem innerhalb eines Rahmens (
4 ) auf eine Basisplatte (3 ) aufgebrachten Chip (2 ) mit hermetisch dicht umschlossenen Raum zwischen Chip und Basisplatte, wobei der Chip (2 ) ausgenommen die zur Basisplatte (3 ) gekehrte Seitenfläche – mit einer zumindest bis zur Basisplatte herabgezogenen Folie (5 ) umpreßt wird, daß der Raum zwischen Rahmen (4 ) und Folie (5 ) mit Vergußmasse (6 ) gefüllt wird, daß die Folie (5 ) in ihren vergußfreien Oberflächenbereichen entfernt wird und daß auf dem Chip (2 ) samt Vergußmasse (6 ) und Rahmen (4 ) ein Überzug (7 ) aus galvanischem Material aufgebracht wird. - Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Wand- und Bodenflächen, die den Raum zwischen Rahmen (
4 ), Basisplatte (3 ) und Chip (2 ) begrenzen, mit Folie (5 ) ausgekleidet werden. - Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie (
5 ) in ihren vergußfreien Oberflächenbereichen mittels Plasmaätzen abgetragen wird. - Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Überzug (
7 ) eine Schutzkappe, insbesondere eine Schutzkappe, bestehend aus einer CuNi-Legierung, aufgebracht wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, gekennzeichnet durch die Anwendung auf Wafer (Nutzen) mit einer Vielzahl von Chips (
2 ), die in Reihen angeordnet sind. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Chip auf der Basisplatte in Flip-Chip-Technik montiert ist.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5 oder 11, wobei zumindest die Wand- und Bodenflächen, die den Raum zwischen Rahmen (
4 ), Basisplatte (3 ) und Chip (2 ) begrenzen, mit Folie (5 ) bedeckt sind.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19818824A DE19818824B4 (de) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP99920557A EP1078451A1 (de) | 1998-04-27 | 1999-03-25 | Elektronisches bauelement |
KR1020007011827A KR20010042990A (ko) | 1998-04-27 | 1999-03-25 | 전자 부품 |
JP2000546452A JP2002513234A (ja) | 1998-04-27 | 1999-03-25 | 電子構成素子 |
CN99805225A CN1127202C (zh) | 1998-04-27 | 1999-03-25 | 电子器件及其制造方法 |
PCT/DE1999/000895 WO1999056390A1 (de) | 1998-04-27 | 1999-03-25 | Elektronisches bauelement |
CA002330039A CA2330039A1 (en) | 1998-04-27 | 1999-03-25 | Electronic component |
US09/699,321 US6519822B1 (en) | 1998-04-27 | 2000-10-30 | Method for producing an electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19818824A DE19818824B4 (de) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19818824A1 DE19818824A1 (de) | 1999-11-04 |
DE19818824B4 true DE19818824B4 (de) | 2008-07-31 |
Family
ID=7865960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19818824A Expired - Lifetime DE19818824B4 (de) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6519822B1 (de) |
EP (1) | EP1078451A1 (de) |
JP (1) | JP2002513234A (de) |
KR (1) | KR20010042990A (de) |
CN (1) | CN1127202C (de) |
CA (1) | CA2330039A1 (de) |
DE (1) | DE19818824B4 (de) |
WO (1) | WO1999056390A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9484883B2 (en) | 2012-01-24 | 2016-11-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and fabrication method of the same |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3974346B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
US6930364B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
DE10238523B4 (de) * | 2002-08-22 | 2014-10-02 | Epcos Ag | Verkapseltes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
US6877209B1 (en) | 2002-08-28 | 2005-04-12 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer |
US6846423B1 (en) | 2002-08-28 | 2005-01-25 | Silicon Light Machines Corporation | Wafer-level seal for non-silicon-based devices |
DE10329329B4 (de) * | 2003-06-30 | 2005-08-18 | Siemens Ag | Hochfrequenz-Gehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2005099088A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-20 | Cypress Semiconductor Corp. | Integrated circuit having one or more conductive devices formed over a saw and/or mems device |
DE102004020204A1 (de) | 2004-04-22 | 2005-11-10 | Epcos Ag | Verkapseltes elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
JP3998658B2 (ja) | 2004-04-28 | 2007-10-31 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性波デバイスおよびパッケージ基板 |
US7608789B2 (en) * | 2004-08-12 | 2009-10-27 | Epcos Ag | Component arrangement provided with a carrier substrate |
DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
DE102005008514B4 (de) * | 2005-02-24 | 2019-05-16 | Tdk Corporation | Mikrofonmembran und Mikrofon mit der Mikrofonmembran |
DE102005008511B4 (de) * | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
DE102005053767B4 (de) * | 2005-11-10 | 2014-10-30 | Epcos Ag | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau |
DE102005053765B4 (de) * | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
US20070251719A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Rick Sturdivant | Selective, hermetically sealed microwave package apparatus and methods |
DE102009053965B4 (de) * | 2009-11-19 | 2016-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Mit einer Vergussmasse vergossene Gradientenspule |
DE102010022523B4 (de) | 2010-06-02 | 2017-09-14 | Siemens Healthcare Gmbh | Gradientenspule mit in einer Vergussmasse vergossenen Spulenwicklungen |
DE102013106353B4 (de) * | 2013-06-18 | 2018-06-28 | Tdk Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement |
CN103928409B (zh) * | 2014-03-17 | 2017-01-04 | 江苏省宜兴电子器件总厂 | 一种集成电路倒扣焊气密性封装结构 |
WO2020148381A1 (en) * | 2019-01-18 | 2020-07-23 | Trinamix Gmbh | Optical sensor and detector for an optical detection |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19507124A1 (de) * | 1994-03-10 | 1995-09-14 | Murata Manufacturing Co | Elektronische Bauteile und Verfahren zu deren Herstellung |
WO1997045955A1 (de) * | 1996-05-24 | 1997-12-04 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Elektronisches bauelement, insbesondere mit akustischen oberflächenwellen arbeitendes bauelement - ofw-bauelement |
DE19623826A1 (de) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Siemens Ag | Trägerelement für Halbleiterchips sowie Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements |
DE19806550A1 (de) * | 1998-02-17 | 1999-09-02 | Siemens Matsushita Components | Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5045820A (en) * | 1989-09-27 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Three-dimensional microwave circuit carrier and integral waveguide coupler |
JP2673993B2 (ja) * | 1990-07-02 | 1997-11-05 | 日本無線株式会社 | 表面弾性波装置 |
JPH0590872A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
JP2960608B2 (ja) * | 1992-06-04 | 1999-10-12 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘッドの製造方法 |
FR2704074B1 (fr) * | 1993-04-15 | 1995-06-02 | France Telecom | Procédé de réalisation d'une cellule d'affichage avec reprise de contre-électrode. |
US5422514A (en) * | 1993-05-11 | 1995-06-06 | Micromodule Systems, Inc. | Packaging and interconnect system for integrated circuits |
US5459368A (en) * | 1993-08-06 | 1995-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device mounted module |
US5508558A (en) * | 1993-10-28 | 1996-04-16 | Digital Equipment Corporation | High density, high speed, semiconductor interconnect using-multilayer flexible substrate with unsupported central portion |
US5573171A (en) * | 1995-02-16 | 1996-11-12 | Trw Inc. | Method of thin film patterning by reflow |
US5640746A (en) * | 1995-08-15 | 1997-06-24 | Motorola, Inc. | Method of hermetically encapsulating a crystal oscillator using a thermoplastic shell |
DE19548048C2 (de) * | 1995-12-21 | 1998-01-15 | Siemens Matsushita Components | Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement (OFW-Bauelement) |
DE19548051A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-06-26 | Siemens Matsushita Components | Elektronisches Bauelement insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement - |
DE69718693T2 (de) * | 1996-03-08 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren |
JPH1027971A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Nec Corp | 有機薄膜多層配線基板の切断方法 |
US5892417A (en) * | 1996-12-27 | 1999-04-06 | Motorola Inc. | Saw device package and method |
US6271598B1 (en) * | 1997-07-29 | 2001-08-07 | Cubic Memory, Inc. | Conductive epoxy flip-chip on chip |
JP3196693B2 (ja) * | 1997-08-05 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | 表面弾性波装置およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-04-27 DE DE19818824A patent/DE19818824B4/de not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-03-25 CA CA002330039A patent/CA2330039A1/en not_active Abandoned
- 1999-03-25 KR KR1020007011827A patent/KR20010042990A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-03-25 JP JP2000546452A patent/JP2002513234A/ja not_active Withdrawn
- 1999-03-25 EP EP99920557A patent/EP1078451A1/de not_active Withdrawn
- 1999-03-25 CN CN99805225A patent/CN1127202C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-25 WO PCT/DE1999/000895 patent/WO1999056390A1/de not_active Application Discontinuation
-
2000
- 2000-10-30 US US09/699,321 patent/US6519822B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19507124A1 (de) * | 1994-03-10 | 1995-09-14 | Murata Manufacturing Co | Elektronische Bauteile und Verfahren zu deren Herstellung |
WO1997045955A1 (de) * | 1996-05-24 | 1997-12-04 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Elektronisches bauelement, insbesondere mit akustischen oberflächenwellen arbeitendes bauelement - ofw-bauelement |
DE19623826A1 (de) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Siemens Ag | Trägerelement für Halbleiterchips sowie Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements |
DE19806550A1 (de) * | 1998-02-17 | 1999-09-02 | Siemens Matsushita Components | Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9484883B2 (en) | 2012-01-24 | 2016-11-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and fabrication method of the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010042990A (ko) | 2001-05-25 |
CN1127202C (zh) | 2003-11-05 |
JP2002513234A (ja) | 2002-05-08 |
CN1298571A (zh) | 2001-06-06 |
WO1999056390A1 (de) | 1999-11-04 |
DE19818824A1 (de) | 1999-11-04 |
CA2330039A1 (en) | 1999-11-04 |
EP1078451A1 (de) | 2001-02-28 |
US6519822B1 (en) | 2003-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19818824B4 (de) | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP0965103B1 (de) | Chipkartenmodul und diesen umfassende chipkarte | |
DE10238523B4 (de) | Verkapseltes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung | |
DE102007058951B4 (de) | MEMS Package | |
DE19921109B4 (de) | Elektronikbauteil und Elektronikkomponente mit einem Keramikbauteilelement | |
WO2004044980A2 (de) | Bauelement mit hermetischer verkapselung und waferscale verfahren zur herstellung | |
DE10045043A1 (de) | Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10146655B4 (de) | Oberflächenakustikwellenvorrichtung | |
DE10031951A1 (de) | Mehrchip-Halbleitermodul und Herstellungsverfahren dafür | |
DE69722661T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
EP0868744A1 (de) | Verfahren zur herstellung von für eine flip- chip-montage geeigneten kontakten von elektrischen bauelementen | |
DE10144467B4 (de) | Elektronisches Sensorbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP2452547A1 (de) | Elektronisches bauteil | |
DE10141571B4 (de) | Verfahren zum Zusammenbau eines Halbleiterbauelements und damit hergestellte integrierte Schaltungsanordnung, die für dreidimensionale, mehrschichtige Schaltungen geeignet ist | |
DE19627543B9 (de) | Multi-Layer-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE10246101B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für einen Chip mit einer mikromechanischen Struktur | |
DE10343300A1 (de) | Halbleitergehäusestruktur | |
DE10233641B4 (de) | Verfahren zur Verbindung einer integrierten Schaltung mit einem Substrat und entsprechende Schaltungsanordnung | |
DE102006033701B4 (de) | Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauelement in VQFN-Bauweise | |
EP0868776B1 (de) | Elektrisches bauelement, insbesondere mit akustischen oberflächenwellen arbeitendes bauelement - ofw-bauelement - sowie ein verfahren zu dessen herstellung | |
DE10216267B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für einen Chip mit einer mikromechanischen Struktur | |
DE102004010703B4 (de) | Bauelement mit WLP-fähiger Verkapselung und Herstellverfahren | |
DE102015120647B4 (de) | Elektrisches Bauelement mit dünner Lot-Stopp-Schicht und Verfahren zur Herstellung | |
WO1998039732A2 (de) | Chipkartenmodul und diesen umfassende chipkarte | |
DE10256945A1 (de) | Elektronisches Bauelement mit mehreren Chips und Verfahren zur Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: EPCOS AG, 81541 MUENCHEN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE |
|
R071 | Expiry of right |