JP3998658B2 - 弾性波デバイスおよびパッケージ基板 - Google Patents

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Description

本発明は弾性波デバイスおよびパッケージ基板に関し、より詳細には、ＳＡＷデバイスやＦＢＡＲデバイスなどの弾性波デバイスおよびそれを実装するためのパッケージ基板に関する。
弾性体表面に伝わるレイリー波を利用した弾性表面波（Surface Acoustic Wave : ＳＡＷ）デバイスや圧電フィルムの振動を利用したＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）デバイスなどの弾性波デバイスは、携帯電話用のバンドパスフィルタなどとして幅広い用途に用いられている小型で安価なデバイスである。これらの弾性波デバイスは、携帯電話をはじめとする通信機器の小型化に不可欠なデバイスであり、近年の移動体通信端末の更なる小型化に伴って弾性波デバイス自身の小型化が求められている。
ところで、弾性波デバイス全体のサイズを決定する要因のひとつである基板サイズ（パッケージに実装する前のデバイスを形成する基板のサイズ）は、その基板上に設けられる励振電極（弾性波を励振するための電極）の配置やデバイスとして使用する際の周波数などのデバイス設計、あるいは励振電極を形成するための基板材料がもつ物性などによって概ね決定されてしまう。例えば、ＳＡＷデバイス用には圧電基板が用いられるが、このデバイスのＳＡＷ速度（表面波速度：ｖ）は圧電基板の物性により殆ど決まり、励振電極を配置する間隔（周期：λ）とデバイスの周波数（ｆ）とは、ｖ＝ｆ×λの関係がある。したがって、弾性波デバイスを全体として小型化するためには、デバイスを作り込むための基板ではなく、デバイスを実装するためのパッケージを小型化することが必要となる。
以下に、従来の弾性波デバイス用パッケージの構造について説明する。
図１は、フェイスダウン方式のパッケージの構造を説明するための図で、図１（ａ）はパッケージ内に実装された圧電基板の下面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示した圧電基板がフェイスダウンで実装されたＳＡＷデバイスの断面図である。圧電基板１０１の下面上には、両側に反射器１０３ａ、１０３ｂを有する櫛形電極（励振電極）１０２ａと、同じく両側に反射器１０３ｃ、１０３ｄを有する櫛形電極（励振電極）１０２ｂとが設けられており、これらの励振電極は圧電基板１０１上に設けられた信号パッド１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃに接続されている。
パッケージ１０５の底部は、上部基板１０５ａと下部基板１０５ｂの２層が積層されてパッケージ基板を構成しており、上部基板１０５ａは、外部との電気接続用のフットパッド１０６が形成された下部基板１０５ｂの上に載置されている。上部基板１０５ａの上面はダイアタッチ面１０９であり、この面上にパッケージ側信号パッド１１０が設けられている。そして、これらのパッケージ側信号パッド１１０上には、圧電基板１０１側に設けられた金のスタッドバンプ１１１が接続されている。
圧電基板１０１は、励振電極形成面である主面がダイアタッチ面１０９に対向するようにフェイスダウン状態でパッケージ１０５内に格納されている。信号パッド１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃの各々は、対応するパッケージ側信号パッド１１０に接続されるように、フリップチップボンディングによりスタッドバンプ１１１と接続されている。パッケージ側信号パッド１１０は、パッケージ１０５の裏面に位置する下部基板１０５ｂに設けられたフットパッド１０６と配線を介して接続され、これにより信号パッド１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃがフットパッド１０６と電気的に接続される。このような状態で圧電基板１０１が実装されたパッケージ１０５は、その開口部が金属製のキャップ１０７で覆われシール材１０８により気密封止されている。金属キャップ１０７による気密封止は、通常は、シール材１０８を加熱して溶融させることで行われる。このようなシール材１０８には、通常のリフロー温度に耐えられるように、例えばＡｕＳｎハンダ（Ａｕ８０％とＳｎ２０％の合金ハンダ）などの高融点ハンダが用いられる。
このようなパッケージ１０５の材料としては、一般に、アルミナなどのセラミックスが用いられる。パッケージ１０５の材料がアルミナセラミックスである場合のパッケージ基板１０５ａ、１０５ｂ上への配線形成は、先ず、対応する位置にタングステンＷのペーストを用いて配線パターンを印刷し、これを焼成した後にＮｉまたはＡｕ、あるいはその両方でメッキするのが一般的である。
近年では、ＳＡＷデバイス用パッケージの更なる小型化のために、ＣＳＰ（Chip Size Package）タイプと呼ばれる形態のものが開発されている。例えば、特許文献１および特許文献２には、ベースとなるプレート（マウント基板とも称される）上に空隙をもたせるように圧電基板を設けて接続し、周囲をシール材で気密封止する構造のパッケージが開示されている。このようなパッケージ構造では、圧電基板に設けられた励振電極が湿度やガスにより劣化しないように気密性の高いシール材が必要とされ、シール材として金属材料を用いることが有効とされる。
図２および図３は、このようなＣＳＰタイプのパッケージの構造を説明するための図で、それぞれ、図（ａ）はパッケージ内に実装された圧電基板の下面図、図（ｂ）は図（ａ）に示した圧電基板がフェイスダウンで実装されたＳＡＷデバイスの断面図である。また、図４は図３に示したＣＳＰタイプのパッケージ構造を有するＦＢＡＲデバイスの構成例で、図４（ａ）はパッケージ内に実装されたＦＢＡＲ素子基板の下面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）に示したＦＢＡＲ素子基板がフェイスダウンで実装されたＦＢＡＲデバイスの断面図である。ここで、ＦＢＡＲ素子基板は、ＦＢＡＲ素子を作り込む領域に圧電材料の薄膜層が設けられた基板であり、例えばＳｉの基板の上に圧電薄膜層が設けられており、励振電極が当該圧電薄膜層に形成されているものである。なお、これらの図において、図１に示したものと同一の構成要素には同一の符号を付した。ＳＡＷやＦＢＡＲなどの弾性波デバイスを作り込む基板（上記の圧電基板やＦＢＡＲ素子基板など）は弾性波デバイス用基板と総称され、パッケージ基板と区別される。
図２〜図４において、符号１１２は基板側シール電極、符号１１３はパッケージ側シール電極、符号１１４はシール材料、そして符号１１５はグランド端子である。また、図４において、符号１１６はＦＢＡＲ共振子の上部励振電極、符号１１７はＦＢＡＲ共振子の下部励振電極であり、符号１０１´はＦＢＡＲ素子基板である。なお、図２に示したＳＡＷデバイスはパッケージ側シール電極１１３がグランド端子１１５に接続されていない構成であり、図３に示したＳＡＷデバイスはパッケージ側シール電極１１３がパッケージ基板の内部でグランド端子１１５に接続されている構成とされている。
なお、圧電基板１０１をフェイスダウンで実装する場合、その実装効率を上げるためなどの理由により、パッケージ１０５の底部のパッケージ基板１０５ａ、１０５ｂをシート状の基板とする場合が多い。その場合には、当該シート状基板上に数十乃至数百の圧電基板１０１を並べた状態で全体を金属製キャップ１０７で封止し、このシート状基板側からダイシングなどして個々の弾性波デバイスに分割する。
特表２００２−５１３２３４号公報 特開２０００−７７９７０号公報
ＣＳＰタイプのパッケージ構造では、パッケージ側シール材料を金属材料で形成するに際して、ペースト印刷あるいはメッキによるのが一般的である。ペースト印刷の場合は、用いるペーストの粒径を小さくしない限り線幅の狭いパターンを形成することはできず、かつ高精度の位置あわせが必要となる。一般に、ペースト印刷する際のペースト粒度はパターン線幅の１／３〜１／５程度であることが必要とされるが、現状の技術ではペースト粒径は１５μｍ程度までしか小さくすることができない。そのため、印刷可能な線幅はせいぜい４５μｍ〜７５μｍ程度である。上述したように、弾性波デバイスの小型化のためにはパッケージのサイズを小型化することが必要であり、そのためにはパッケージ側シール電極も幅狭化する必要があるが上記の線幅では不充分である。
一方、金属のメッキによりパッケージ側シール電極を形成する場合は、フォトリソプロセスで形成されたマスクを用いる。かかるマスクは微細加工が容易であるため、パッケージ側シール電極の線幅を狭く形成することが可能である。しかしながら、一連のフォトリソプロセスは、レジスト塗布、ベーク、露光(マスク形成)、現像、ベーク、メッキ、およびレジスト剥離といった多段のプロセスであり、コストと時間が必要となる。また、収縮性のあるアルミナセラミックスやガラスセラミックスをパッケージ基板として用いると、用いたパッケージ基板毎に収縮率が異なるため、マスク形成段階における位置ずれが生じやすくパターンずれが起こるという問題がある。
本発明は、かかる問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、フォトリソプロセスによることなくパッケージ側シール電極をメッキ形成し、弾性波デバイス用パッケージの小型化とプロセスの簡略化を可能とする技術を提供することにある。
本発明は、このような課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、搭載される基板との信号のやりとりを行うために主面に設けられたパッケージ用信号パッドと、外部との電気的接続を形成するために裏面に設けられたフットパッドとが電気的に接続されており、前記搭載される基板との間に気密封止された空間を形成するシール材を設けるために、前記主面には前記信号用パッドを取り囲んで設けられたパッケージ用シール電極とを備えたパッケージ基板であって、前記シール電極は前記フットパッドと絶縁されており、前記パッケージ基板は、前記パッケージ用信号パッド、前記フットパッド、および前記パッケージ用シール電極を複数対有し、該複数対の各々の対は互いに隣接して区画された画定領域に配置され、前記パッケージ基板の主面外周部には複数の前記画定領域を含む領域をその外側から取り囲むように設けられた引出電極が設けられており、該引出電極は、前記パッケージ用信号パッドに接続された第１の引出電極と、前記シール電極に接続された第２の引出電極とで構成されているパッケージ基板である。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のパッケージ基板において、前記第１及び第２の引出電極はメッキ工程時に通電される電極であることを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のパッケージ基板において、前記パッケージ用シール電極の表面は、前記第２の引出電極への通電により電解メッキされたシール材で被覆されていることを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のパッケージ基板において、互いに隣接する前記パッケージ用シール電極の間隔をＷ１とし、前記パッケージ用シール電極と前記パッケージ用信号パッドとの最近接間隔をＷ２としたとき、前記シール材の頂点部の高さと前記パッケージ用信号パッドの上面の高さとの差ｈが、Ｗ１≧２．５ｈ、かつ、Ｗ２≧１．５ｈを満足していることを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、弾性波デバイスであって、励振電極が形成された弾性波デバイス用基板の主面と請求項１乃至４の何れかに記載のパッケージ基板の主面とが空隙をもって対向配置され、前記パッケージ基板の主面に設けられたパッケージ用シール電極に対応する形状を有すると共に前記弾性波デバイス用基板の主面上であって前記励振電極を取り囲むように設けられたシール電極と前記パッケージ基板の主面に設けられたパッケージ用シール電極とが当接して気密封止されていることを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の弾性波デバイスにおいて、前記弾性波デバイス用基板の主面には、前記励振電極と該励振電極に接続された複数の信号パッドが設けられており、前記シール電極と前記複数の信号パッドのうちの一部のパッドとを電気的に接続する電極部が設けられていることを特徴とする。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の弾性波デバイスにおいて、前記電極部は、前記シール材との濡れ性が低い材質で形成されていることを特徴とする。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の弾性波デバイスにおいて、前記電極部の少なくとも一部領域は、該電極部よりも前記シール材との濡れ性が低い材質で被覆されていることを特徴とする。
請求項９に記載の発明は、請求項６乃至８に記載の弾性波デバイスにおいて、前記弾性波デバイス用基板の裏面と前記パッケージ基板裏面のフットパッドの一部とを、前記電極部を介して電気的に接続する導電部を備えていることを特徴とする。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の弾性波デバイスにおいて、前記導電部は、前記弾性波デバイス用基板の裏面と側面を被覆する導電性樹脂であることを特徴とする。
請求項１１に記載の発明は、請求項５乃至１０に記載の弾性波デバイスにおいて、前記弾性波デバイスは、ＳＡＷデバイスまたはＦＢＡＲデバイスであることを特徴とする。
請求項１２に記載の発明は、パッケージ基板の製造方法であって、基板の主面に設けられるパッケージ用信号パッドと、該パッケージ用信号パッドを取り囲んで設けられるパッケージ用シール電極と、前記パッケージ用信号パッドに接続される一方前記パッケージ用シール電極とは絶縁されて前記基板の裏面に設けられるフットパッドと、を要素とする対を少なくとも一対形成する第１のステップと、前記パッケージ基板の主面外周部に、前記少なくとも一対の要素を取り囲む単一の引出電極を形成する第２のステップと、前記単一の引出電極を、前記パッケージ用信号パッドに接続された第１の電極と、前記パッケージ用シール電極に接続された第２の電極とに分断する第３のステップと、前記分断により得られた第２の電極に通電して前記パッケージ用シール電極のみを電解メッキする第４のステップと、を備えていることを特徴とする。
本発明のパッケージ基板では、２つのメッキ用引出電極を設けて櫛型電極接続用電極（およびこれと電気的に接続しているパターン）とシール電極（およびこれと電気的に接続しているパターン）とを電気的に分離して、櫛型電極接続用電極へのメッキとシール電極へのメッキを独立して実行することとしたので、弾性波デバイス用パッケージの小型化とプロセスの簡略化の両立が可能となる。
以下に、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、説明の便宜上、以下の実施例では本発明の弾性波デバイスをＳＡＷデバイスとして説明するが、ＦＢＡＲデバイスなどの他の弾性波デバイスにおいても同様に小型化の効果を得ることが可能である。
図５および図６は、本発明のパッケージ基板の第１の構成例を説明するための図で、図５は本発明のパッケージ基板の断面構造図であり、図６（ａ）は本発明のパッケージ基板の平面図、図６（ｂ）は比較のために示す従来構成ＣＳＰタイプ用のパッケージ基板の平面図である。
図５を参照すると、パッケージ基板１０は下部基板１１と上部基板１２の２枚のセラミックスシートを積層させたものである。上部基板１２の上面はダイアタッチ面（Ａ面で示す）であり、下部基板１１の裏面はフットパッド１４が形成されたフットパッド面（Ｃ面で示す）である。上部基板１２と下部基板１１にはそれぞれにビア（ＶＩＡ）１５が設けられている。これら２枚の基板は互いの片面（Ｂ面で示す）を接して接合され、それぞれの基板に設けられたビアは配線１６により接続され、上部基板１２上のパッケージ側信号パッド（櫛型電極接続用電極パッド）１３と下部基板１１に設けられたフットパッド１４とが電気的に接続されている。また、上部基板１２の縁部近傍には、後述するシール電極（パッケージ側シール電極）１７が設けられている。
図６（ａ）を参照すると、単一のセラミックスシート上に図５で示したパッケージ基板１０がダイシングされない状態で４つ形成されており、セラミックシートの外周領域にこれらのパッケージ基板１０を取り囲むように２つのメッキ用引出電極（メッキ用引出電極１８ａおよびメッキ用引出電極１８ｂ）が形成されている。一方のメッキ用引出電極１８ａはシール電極１７およびこれと電気的に接続している配線パターン（シール電極１７と同一のハッチ部で示す）に接続されており、他方のメッキ用引出電極１８ｂは櫛型電極接続用電極１３およびこれと電気的に接続しているパターン（櫛型電極接続用電極１３と同一のハッチ部で示す）に接続されている。すなわち、これらのメッキ用引出電極１８ａ、１８ｂは、櫛型電極接続用電極１３（およびこれと電気的に接続しているパターン）とシール電極１７（およびこれと電気的に接続しているパターン）とが電気的に分離されるように設けられており、特に、シール電極１７はパッケージ基板１０の下部基板１１に設けられた全てのフットパッド１４とは電気的に絶縁されている。なお、ダイシングライン１９は、単一のセラミックシートから個片のチップを切り出すための仮想的なラインであって実際のパターンとして設けられているものではない。
一方、従来のパッケージ基板を示す図６（ｂ）を参照すると、ダイシングされない状態の４つのパッケージ基板１００の周囲を取り囲むように、セラミックシートの外周領域に単一のメッキ用引出電極１１８が形成されており、櫛型電極接続用電極１１０（およびこれと電気的に接続しているパターン）とシール電極１１３（およびこれと電気的に接続しているパターン）とはメッキ用引出電極１１８を介して電気的に接続している。
ところで、セラミックシートが例えばアルミナシートである場合には、タングステンＷのペーストで櫛型電極接続用電極１３とシール電極１７とをパターン印刷し、これを焼成した後にＮｉやＡｕなどの金属によるメッキを実行するが、このメッキは電解メッキであるため、メッキ工程時に通電されている領域のみが選択的にメッキされる。
図６（ｂ）に示したように、櫛型電極接続用電極１１０（およびこれと電気的に接続しているパターン）とシール電極１１３（およびこれと電気的に接続しているパターン）とがメッキ用引出電極１１８を介して電気的に接続している状態でダイアタッチ面（Ａ面）のメッキ用引出電極１１８に電流を流して電解メッキを行うと、２枚のパッケージ基板の接合面であるＢ面を除いて、メッキ液に接している電極部分が全てメッキされてしまう。すなわち、Ａ面とＣ面上に設けられた電極部分が全てメッキされることとなる。したがって、Ａ面に設けられているシール電極１１３の部分だけをさらに選択的にメッキしてシール材を設けるためには、当該シール電極１１３以外の部分をフォトレジストなどでマスクしたうえで再度電解メッキを行う必要があるが、このようなメッキ工程では余分なフォトリソ工程が必要となってコスト的に不利となる。
これに対して本発明のパッケージ基板では、２つのメッキ用引出電極１８ａ、１８ｂを設けて櫛型電極接続用電極１３（およびこれと電気的に接続しているパターン）とシール電極１７（およびこれと電気的に接続しているパターン）とを電気的に分離しているため、櫛型電極接続用電極１３へのメッキとシール電極１７へのメッキを独立して実行することが可能となる。このため、シール電極１７にシール材を設けるに際して新たにフォトリソ工程を設ける必要がなくなる。このような手順によりシール電極１７をメッキした後にセラミックスシートをダイシングしてパッケージ基板１０を個片化し、そのパッケージ基板１０上に、図７に示すような圧電基板側シール電極を形成した圧電基板を実装してＳＡＷフィルタとすることで本発明の弾性波デバイスが得られる。
なお、この圧電基板のパッケージ基板上への実装は、図２〜図４で示したＣＳＰタイプの実装とされる。すなわち、弾性波の励振電極を設けた圧電基板面と、パッケージ基板のダイアタッチ面とを対向させ、励振電極の上面とパッケージ基板のダイアタッチ面との間に空隙が形成されるように、これらの基板を接続する。そして、励振電極の上面とパッケージ基板のダイアタッチ面との間に形成された空隙を気密封止するようにシール材を配し、さらに圧電基板に設けた励振電極とパッケージ基板のダイアタッチ面に設けた信号用パッドとが、スタッドバンプなどによって接続されている。そして、パッケージ基板の裏面に設けたフットパッドから供給される信号が圧電基板上の励振電極に供給されて弾性波デバイスとして動作する。
これまでは弾性波デバイスをＳＡＷデバイスとして説明してきたが、これに限定されるものではないことはいうまでもなく、弾性波デバイスはＦＢＡＲデバイスであってもよい。また、弾性波デバイスを圧電体上に形成する場合であっても、圧電基板上に直接形成する必要はなく、基板上に成膜した圧電薄膜の上に櫛型電極などを設けて弾性波デバイスとしてもよい。
図８は、本発明のパッケージ基板の第２の構成例を説明するための図で、図８（ａ）は本発明のパッケージ基板の断面図、図８（ｂ）はパッケージ基板のダイアタッチ面の上面図である。
既に説明したように、本発明においてはパッケージ基板１０上に設けられたシール電極１７を金属のシール材でメッキするにあたってマスクを用いることをせず、当該シール電極１７にのみ通電することでこのシール電極１７を選択的に電解メッキする。ところが、マスクを用いることなくメッキを行うとメッキはシール電極１７上に等方的に進行し、シール電極１７部分をはみ出すように被覆する半円筒状のシール材が得られる。このような形状のシール材がシール電極１７上に形成されると、ダイシング前の状態で隣接して配置されているパッケージ基板１０上に形成されたシール電極１７との間や、同一のパッケージ基板１０上に設けられた櫛型電極接続用電極１３との間を短絡させてしまうという不都合が生じやすい。
そこで、本実施例においては、かかる不都合が生じないように、メッキ高さｈ（シール材２０の最高点と櫛型電極接続用電極１３上面位置との差）と、隣接するパッケージ基板１０同士の最近接のシール電極１７間隔Ｗ１、および同一のパッケージ基板１０内における最近接のシール電極１７と櫛型電極接続用電極１３との間隔Ｗ２を以下の関係式を満足するように設定する。すなわち、隣接するパッケージ基板１０同士の最近接のシール電極１７間隔Ｗ１をメッキ高さｈの２．５倍以上（Ｗ１≧２．５ｈ）とし、かつ同一のパッケージ基板１０内における最近接のシール電極１７と櫛型電極接続用電極１３との間隔Ｗ２をメッキ高さｈの１．５倍以上（Ｗ２≧１．５ｈ）とする。このような電極レイアウトおよびシール材２０のメッキ条件とすることで、隣接しているパッケージ基板１０のシール電極１７間や、同一パッケージ基板上の櫛型電極接続用電極１３とシール電極１７間での短絡を回避することができる。このようなパッケージ基板１０上にＳＡＷフィルタなどが実装されて本発明の弾性波デバイスが得られる。
図９は、本発明の第３の実施例を説明するための図で、図９（ａ）は本発明のパッケージ基板に実装される圧電基板の主面の様子を説明するための図、図９（ｂ）はパッケージ基板に実装された状態の弾性波デバイスを説明するための断面図である。
本実施例では、圧電基板１０１側に一部の信号パッド１０４ｃと圧電基板側シール電極１１２とを接続させるための電極１１９が設けられており、これにより圧電基板側シール電極１１２がグランドに接続されて浮遊容量を減少させている。なお、圧電基板および当該基板上に設けられている櫛型電極などの各要素には図１〜図４に示したものと同一の符号を付している。このような電極１１９の材料としては、この電極１１９を介してシール材が櫛型電極へと流れないようにするために、シール材との「濡れ」が悪い材料を用いることが有効である。このような電極材料としては、例えば、シール材としてＳｎＡｇ合金ハンダを用いた場合には、クロムＣｒやアルミニウムＡｌなどがよい。
図１０は、本発明の第４の実施例を説明するための図で、図１０（ａ）は本発明のパッケージ基板に実装される圧電基板の主面の様子を説明するための図、図１０（ｂ）はパッケージ基板に実装された状態の弾性波デバイスを説明するための断面図である。
本実施例では、一部の信号パッド１０４ｃと圧電基板側シール電極１１２とを接続させるための電極１１９の少なくとも一部に、酸化膜（ＳｉＯ２）１２０が形成されている。このような酸化膜１２０を設けるとハンダの流れが悪くなり、シール材料が櫛型電極等に流れるのを防ぐことができる。なお、かかる目的のためには酸化膜である必然性はなく、シール材に濡れない材料であればよい。
図１１は、本発明の第５の実施例を説明するための図で、図１１（ａ）は本発明のパッケージ基板に実装される圧電基板の主面の様子を説明するための図、図１１（ｂ）はパッケージ基板に実装された状態の弾性波デバイスを説明するための断面図である。
本実施例では、図１０に示した弾性波デバイスの外面の一部に導電性樹脂が塗布されている。この導電性樹脂２１は、圧電基板１０１の主面（櫛型電極面）とは反対の面（裏面）および側面、ならびにパッケージ基板１０を構成する２枚の基板のうちの上部基板１２の周辺部に塗布され、圧電基板１０１の裏面をグランドに接続している。
図１２は、図１１に示した構成のＳＡＷフィルタデバイスの特性を説明するための図で、比較のため、図１０に示した構成のＳＡＷフィルタデバイスの特性も示している。なお、ここで示した諸特性（（ａ）通過特性、（ｂ）通過特性（帯域部分拡大図）、（ｃ）フェイズバランス特性、および（ｄ）アンプリチュードバランス特性）は、ＰＣＳ方式の受信フィルタ（バランス仕様）についての米国の規格に基づくものである。
これらの２つのデバイス特性を比較すると、本実施例のように圧電基板の裏面をグランドに接続することで、通過特性とバランス特性の何れもが改善されることがわかる。
図１３は、本発明の第６の実施例を説明するための図で、図１３（ａ）はシール材をメッキする前のパッケージ基板面の様子を説明するための図、図１３（ｂ）はシール材をメッキするためにメッキ用引出電極の一部を切断した状態のパッケージ基板面の様子を説明するための図である。
本実施例のメッキ用引出電極１８は、図６（ｂ）に示したのと同様のレイアウトで形成されるが、シール材をメッキするに際してその一部（図中では４箇所）を切除する。この切除により、メッキ用引出電極のレイアウトは、実質的に、図６（ａ）に示したレイアウトと同じになる。すなわち、当初のメッキ用引出電極１８のレイアウトでは、櫛型電極接続用電極１３（およびこれと電気的に接続しているパターン）とシール電極１７（およびこれと電気的に接続しているパターン）とがメッキ用引出電極１８を介して電気的に接続しているのに対して、その一部を切除することで、シール電極１７およびこれと電気的に接続している配線パターンに接続されたメッキ用引出電極１８ａと、櫛型電極接続用電極１３およびこれと電気的に接続しているパターンに接続されたメッキ用引出電極１８ｂとに分割される。このような切除を行うことにより、櫛型電極接続用電極１３へのメッキとシール電極１７へのメッキを独立して実行することが可能となり、シール電極１７にシール材２０を設けるに際して新たにフォトリソ工程を設ける必要がなくなる。
本発明は、フォトリソプロセスによることなくパッケージ側シール電極をメッキ形成し、弾性波デバイス用パッケージの小型化とプロセスの簡略化の両立を可能とする技術を提供するもので、ＳＡＷデバイスやＦＢＡＲデバイスなどの製造に適用して好適である。
フェイスダウン方式のパッケージの構造を説明するための図である。 ＣＳＰタイプのパッケージの第１の構造例を説明するための図である。 ＣＳＰタイプのパッケージの第２の構造例を説明するための図である。 図３に示したＣＳＰタイプのパッケージ構造を有するＦＢＡＲデバイスの構成例を説明するための図である。 本発明の第１の実施例を説明するための、パッケージ基板の断面図である。 本発明の第１の実施例を説明するための、パッケージ基板の各面の平面図である。 本発明のパッケージ基板に実装されるＳＡＷフィルタの例を説明するための平面図である。 本発明の第２の実施例を説明するための図である。 本発明の第３の実施例を説明するための図である。 本発明の第４の実施例を説明するための図である。 本発明の第５の実施例を説明するための図である。 図１１に示した構成のＳＡＷフィルタデバイスの特性を説明するための図である。 本発明の第６の実施例を説明するための図である。
符号の説明
１０ パッケージ基板
１１ 下部基板
１２ 上部基板
１３ 櫛型電極接続用電極
１４ フットパッド
１５ ビア（ＶＩＡ）
１６ 配線
１７ シール電極
１８、１８ａ、１８ｂ メッキ用引出電極
１９ ダイシングライン
２０ シール材
２１ 導電性樹脂

Claims (12)

  1. 搭載される基板との信号のやりとりを行うために主面に設けられたパッケージ用信号パッドと、外部との電気的接続を形成するために裏面に設けられたフットパッドとが電気的に接続されており、前記搭載される基板との間に気密封止された空間を形成するシール材を設けるために、前記主面には前記信号用パッドを取り囲んで設けられたパッケージ用シール電極とを備えたパッケージ基板であって、
    前記シール電極は前記フットパッドと絶縁されており、
    前記パッケージ基板は、前記パッケージ用信号パッド、前記フットパッド、および前記パッケージ用シール電極を複数対有し、該複数対の各々の対は互いに隣接して区画された画定領域に配置され、前記パッケージ基板の主面外周部には複数の前記画定領域を含む領域をその外側から取り囲むように設けられた引出電極が設けられており、
    該引出電極は、前記パッケージ用信号パッドに接続された第１の引出電極と、前記シール電極に接続された第２の引出電極とで構成されていることを特徴とするパッケージ基板。
  2. 前記第１及び第２の引出電極はメッキ工程時に通電される電極であることを特徴とする請求項１記載のパッケージ基板。
  3. 前記パッケージ用シール電極の表面は、前記第２の引出電極への通電により電解メッキされたシール材で被覆されていることを特徴とする請求項１または２に記載のパッケージ基板。
  4. 互いに隣接する前記パッケージ用シール電極の間隔をＷ１とし、前記パッケージ用シール電極と前記パッケージ用信号パッドとの最近接間隔をＷ２としたとき、前記シール材の頂点部の高さと前記パッケージ用信号パッドの上面の高さとの差ｈが、Ｗ１≧２．５ｈ、かつ、Ｗ２≧１．５ｈを満足していることを特徴とする請求項３に記載のパッケージ基板。
  5. 励振電極が形成された弾性波デバイス用基板の主面と請求項１乃至４の何れかに記載のパッケージ基板の主面とが空隙をもって対向配置され、前記パッケージ基板の主面に設けられたパッケージ用シール電極に対応する形状を有すると共に前記弾性波デバイス用基板の主面上であって前記励振電極を取り囲むように設けられたシール電極と前記パッケージ基板の主面に設けられたパッケージ用シール電極とが当接して気密封止されていることを特徴とする弾性波デバイス。
  6. 前記弾性波デバイス用基板の主面には、前記励振電極と該励振電極に接続された複数の信号パッドが設けられており、前記シール電極と前記複数の信号パッドのうちの一部のパッドとを電気的に接続する電極部が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の弾性波デバイス。
  7. 前記電極部は、前記シール材との濡れ性が低い材質で形成されていることを特徴とする請求項６に記載の弾性波デバイス。
  8. 前記電極部の少なくとも一部領域は、該電極部よりも前記シール材との濡れ性が低い材質で被覆されていることを特徴とする請求項７に記載の弾性波デバイス。
  9. 前記弾性波デバイス用基板の裏面と前記パッケージ基板裏面のフットパッドの一部とを、前記電極部を介して電気的に接続する導電部を備えていることを特徴とする請求項６乃至８に記載の弾性波デバイス。
  10. 前記導電部は、前記弾性波デバイス用基板の裏面と側面を被覆する導電性樹脂であることを特徴とする請求項９に記載の弾性波デバイス。
  11. 前記弾性波デバイスは、ＳＡＷデバイスまたはＦＢＡＲデバイスであることを特徴とする請求項５乃至１０に記載の弾性波デバイス。
  12. 基板の主面に設けられるパッケージ用信号パッドと、該パッケージ用信号パッドを取り囲んで設けられるパッケージ用シール電極と、前記パッケージ用信号パッドに接続される一方前記パッケージ用シール電極とは絶縁されて前記基板の裏面に設けられるフットパッドと、を要素とする対を少なくとも一対形成する第１のステップと、
    前記パッケージ基板の主面外周部に、前記少なくとも一対の要素を取り囲む単一の引出電極を形成する第２のステップと、
    前記単一の引出電極を、前記パッケージ用信号パッドに接続された第１の電極と、前記パッケージ用シール電極に接続された第２の電極とに分断する第３のステップと、
    前記分断により得られた第２の電極に通電して前記パッケージ用シール電極のみを電解メッキする第４のステップと、を備えていることを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
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