DE19933548C2 - Passiviertes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Passivierung eines elektronischen Bauelements - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Maßnahmen zur Pas­ sivierung von elektrisch leitfähigen Strukturen, sogenannten Leiterstrukturen, die sich auf einer jeweiligen Oberfläche eines Substrats oder insbesondere Kristalle eines elektroni­ schen Bauelements befinden, wie beispielsweise aus der DE 196 14 459 A1 bekannt. Dort wird ein Bauelement, beispielsweise ein in Siliziumtechnik gefertigter Sensor beschrieben, wel­ cher mit einer elektrisch isolierenden Schicht abgedeckt ist, über der eine amorphe Metallschicht aufgebracht ist. Mit Hil­ fe der beiden Schichten ist das Bauelement gegen Umgebungs­ einflüsse geschützt.

Die Erfindung bezieht sich zum einen bevorzugt auf Halblei­ ter-Bauelemente und zum anderen besonders bevorzugt auf Ober­ flächenwellen-(OFW-)/Surface Acoustic Wave-(SAW-)Bauelemen­ te, wie sie in der Technik elektronischer Schaltungen vielfa­ che Anwendung finden. Die Erfindung ist darauf ausgerichtet, Maßnahmen zum Schutz der Leiterstrukturen gegen Korrosion des Materials dieser Strukturen und/oder gegen elektrische Kurz­ schlüsse bewirkende Fremdpartikel-Verunreinigungen anzugeben. Die Erfindung ist aber auch auf Maßnahmen zum Schutz gegen Schäden gerichtet, die dann an einem betreffenden elektroni­ schen Bauelement auftreten können, wenn dieses Bauelement insbesondere ein Substrat mit pyroelektrischen Eigenschaften hat. Der sogenannte Pyroeffekt tritt bei vielen piezoelektri­ schen Materialien zusätzlich auf, wie sie inbesondere für die obengenannten OFW-Bauelemente eingesetzt werden.

Aus der WO 97/45955 A1 ist ein elektronisches Bauelement be­ kannt, welches in Flip-Chip-Technologie auf einem Substrat montiert ist. Über dem Bauelement ist eine bis auf das Sub­ strat reichende Schutzschicht aufgebracht, die die gesamte Anordnung gegen Umgebungseinflüsse abdichtet.

Zur Vermeidung vielfältig möglicher negativer Einflüsse auf die Substanzen und die Eigenschaften elektronischer Bauele­ mente ist es üblich, deren Chips in Kapselungen unterzubrin­ gen. Neben herkömmlichen Metall- und/oder Keramikgehäusen werden wegen des Kostenvorteils vorzugsweise auch Kapselungen aus Kunststoffmaterial verwendet. Ein Nachteil dieser Kunst­ stoffkapselungen ist jedoch, daß sie das gekapselte Bauele­ ment nur in beschränktem Maße auch vor Feuchtigkeit schützen. Feuchtigkeit ist jedoch eine potentielle Ursache für den Aus­ fall eines elektronischen Bauelements, nämlich insbesondere dann, wenn die Leiterstrukturen, wie z. B. Leiterbahnen, Elektroden usw., desselben aus dem bevorzugt verwendeten Alumini­ um oder Aluminiumlegierungen bestehen. Dieses Material ist in den hierzu verwendeten Schichtdicken korrosionsempfindlich.

Ein weiteres, mit der Kapselung verbundenes Problem ist, daß bei Verwendung von auch nur zum Anteil aus Metall bestehenden Gehäusen damit dem Auftreten von elektrischen Kurzschlüssen im Bauelement Vorschub geleistet wird. Solche elektrischen Kurzschlüsse können aber auch von im bzw. am Bauelement vor­ gesehenen Bonddrähten, insbesondere auch von ausgeführten Schweiß- und Lötvorgängen und sogar aus für die Herstellung der Bauelemente verwendeten Fertigungsvorrichtungen herrüh­ ren. Kleine und kleinste auftretende leitfähige Partikel kön­ nen auf die in der Kapselung befindlichen Leiterstrukturen gelangen und dort durch Kurzschluß zu Funktions- und Total­ ausfällen derselben führen.

Es wurde bereits oben auf die Abwehr von schädlichen Einflüs­ sen des Pyroeffekts hingewiesen. Dieser ist eine Eigenschaft von insbesondere Kristallen, die bei Änderung ihrer Tempera­ tur sogenannte pyroelektrische Spannung erzeugen. Je nach Material und Ausmaß der Temperaturänderung können dabei ohne weiteres hohe elektrische Spannungen zwischen einzelnen Lei­ terstrukturen auftreten, die elektrisch gegeneinander iso­ liert sind oder sein sollen. Infolge solcher pyroelektrischer Spannungen kann es zu elektrischen Überschlägen auf der Ober­ fläche des Substrats z. B. zwischen Leiterstukturen derarti­ ger elektronischer Bauelemente kommen, wobei diese Überschlä­ ge das Bauelement sogar total zerstören können. Besonders ist das Auftreten dieses Effektes für Bauelemente in solchen Ge­ räten zu beachten, in deren diese Bauelemente während des Be­ triebs großen Temperaturschwankungen ausgesetzt sind.

Der derzeitige Stand der Technik ist, um Leiterstrukturen hermetisch gegenüber einer feuchten Atmosphäre und damit auch vor Korrosion zu schützen, die jeweilige Leiterstruktur mit einer passiven Deckschicht zu beschichten. Weit verbreitet ist das Abscheiden von SiO_x-Schichten [Hickernell u. M., Proc. IEEE Ultrasonic. Symp. 345 (1995)], Si₃N₄-Schichten oder Polymerbeschichtung. Als Polymerüberzüge werden Polyimid, fluorierte Polyimidderivate [Komi­ ne u. M., Proc. IEEE Ultrasonic. Symp. 253 (1993)], Polyanili­ ne [Racicot u. M., Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 413 (1996) 529] und Epoxidharzschichten [Lin u. M., Corrosion Science, 33 (1992) 1331].

Typischerweise werden die inerten anorganischen und sogenann­ te DLC-(diamond like carbon)-Schichten durch aufwendige Va­ kuumverfahren abgeschieden. Beschrieben sind PVD-Verfahren wie Sputtern und Bedampfen, sowie CVD-Techniken. Deren Nach­ teil besteht im hohen apparativen Aufwand, verbunden mit dem­ entsprechend hohen Kosten. Polymerbeschichtungen von Al- Strukturen werden häufig durch kastengünstige Spin-Coating- Verfahren aus Polymerlösungen erzeugt. Nachteil von Poly­ merüberzügen und den DLC-Schichten sind deren Unbeständigkeit gegenüber nachfolgenden O₂-Plasmaprozessen, welche zur Kondi­ tionierung der Oberfläche vor weiteren Prozeßschritten oft unverzichtbar sind. DLC-Schichten sind elektrisch gut leitfä­ hig und somit für Leiterstrukturen nur bedingt anwendbar. Bei OFW-Komponenten wirken sich Polymerschichten störend aus, da sie die Wellenausbreitung erheblich dämpfen.

Die Verhinderung des Auftretens von Kurzschlüssen, verursacht durch elektrisch leitfähige Partikel, wird bei Halbleiterbau­ elementen oftmals zusammen mit einer Passivierung gegen Kor­ rosion angestrebt. Zur Anwendung kommen dazu bereits erwähnte dielektrische Deckschichten aus SiO_x, Si₃N₄ oder TiO₂. Ein an­ deres Verfahren schützt die Leiterstrukturen der Bauelemente durch eine Verkapselung mit Polymermaterial bei der die Leiterstrukturen nicht direkt bedeckt bzw. berührt werden. Letztere Methode ist für OFW-Bauelemente bevorzugt, da bei diesen die Oberfläche des Substratplättchens, in der die aku­ stische Oberflächenwelle verläuft, völlig belagfrei bleibt. Diese Methode der Verkapselung bietet jedoch nur begrenzten Schutz gegen Korrosion des Aluminiums einer Leiterstruktur. Eine andere Passivierungsmöglichkeit ist die anodische Oxida­ tion des Aluminiums der Struktur zu Al₂O₃ [Ozawa u. M., Jour­ nal Applied Physics 80 (1996) 5828, Konno u. M., Mat. Sci, Fo­ rum 19-194 (1995) 379]. Diese Oxidation kann = ein sehr wirksa­ mer Schutz sein. Jedoch müssen für die Ausführung dieser Oxi­ dation alle zu passivierenden Aluminium-Strukturen elektrisch, kontaktiert sein. Es muß auch der innerhalb der Leiterstruk­ tur auftretende elektrische Spannungsabfall beachtet werden, der mit zunehmender Entfernung von der jeweiligen Kontakt­ stelle immer größer wird, nämlich daß letztendlich die Dicke der Oxid-Passivierungsschicht auf den betreffenden Aluminium- Leiterstrukturen gleichmäßig bzw. mindestens ausreichend dick ist.

Als Maßnahme zur Verringerung von Schäden, die durch auftre­ tende pyroelektrische Spannungen und aus diesen resultieren­ den elektrischen Entladungen bei Verwendung von piezoelektri­ schem (und dazu pyroelektrischem) Substratmaterial entstehen können, dient die Anordnung von elektrischen Ableitwiderstän­ den an den jeweiligen Leiterstrukturen. Eine solche Maßnahme ist insbesondere für die besonders gefährdeten Interdigital- Wandler (IDT) vorzusehen. Solche elektrischen Ableitwider­ stände können zusammen mit den übrigen Leiterstrukturen auf dem jeweiligen Chip hergestellt werden. Passende Widerstands­ werte, die das Bauelement in dieser Weise schützen, ohne daß die elektrische Charakteristik desselben beeinträchtigt wird, erfordern jedoch Widerstands-Leiterstrukturen mit relativ großem Quotienten Länge zu Breite. Eine solch großflächige, innerhalb dieser Fläche zuverlässig elektrisch leitende Struktur ist jedoch nicht ohne Aufwand so herzustellen, daß jegliche Unterbrechungen der Widerstands-Leiterbahn auszu­ schließen sind. Dazu erfordern sie außerdem auch noch be­ trächtlichen Anteil der zur Verfügung stehenden Chipfläche des Bauelements. Sie können außerdem auch durch hohe pyro­ elektrische Entladungs-Spitzenspannungen und ggf. Funkenüber­ schläge derart geschädigt werden, daß sie im Ergebnis doch keinen wirksamen und dauerhaften Schutz für das Bauelement bewirken können.

Eine andere bekannte Maßnahme ist, die betreffenden Bauele­ mente im Herstellungsprozeß mittels Ionisationsquellen zu schützen, die durch Ionisation der Atmosphäre einen selbsttä­ tigen elektrischen Ladungsausgleich über die Oberfläche des Chips hinweg ermöglichen. Das ist jedoch nur dort möglich, wo die Chip-Oberfläche freiliegt und nicht durch die elektrische Schichten wie SiO_x, Si₃N₄, TiO₂ und dgl. abgedeckt ist.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, Maßnahmen zum Schutz elektronischer Bauelemente mit Leiterstrukturen gegen eine oder mehrere der obengenannten Gefahren bzw. Probleme zu finden, insbesondere solche Maßnahmen, die anders als die voran­ stehend beschriebenen, bereits bekannten Lösungswege, eine sichere und insbesondere weniger aufwendige Passivierung der Leiterstrukturen einschlägiger Bauelemente und/oder Schutz gegen Schäden durch pyroelektrische Spannungen (bei auch py­ roelektrischen Substratmaterialien) gewährleisten.

Diese Aufgabe wird mit einem Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Wei­ terbildungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen her­ vor.

Zur Lösung der voranstehend spezifizierten Aufgabe wird vor­ geschlagen, auf zumindest die Bereiche elektrischer Leiter­ strukturen des Bauelements eine dünne Zinndioxid(SnO₂)- Schicht aufzubringen. Es hat sich gezeigt, daß das Zinndioxid mit all seinen Eigenschaften die gestellte Aufgabe erfüllt und insbesondere mit Zinndioxid diejenigen Probleme vermieden werden können, die wie voranstehend ausführlich beschrieben bei den bereits bekannten, jedoch noch unzureichenden Maßnah­ men auftreten können.

Zinndioxid ist eine sehr inerte, korrosionsstabile anorgani­ sche Substanz. Sie ist chemisch resistent gegen Mineralsäu­ ren, Basen und Salzlösungen. Zinndioxid ist auch ein Halblei­ ter, und zwar mit einer relativ breitbandigen Bandlücke von etwa 3,4 eV. Die letztgenannte Tatsache ist wichtig für den Schutz gegen Pyroschäden, da das Zinndioxid durch nachfolgend noch näher erörterte Maßnahmen derart elektrisch leitend ge­ macht werden kann, daß die erfindungsgemäß zumindest in den Bereichen der elektrischen Leiterstrukturen auf dem Bauele­ ment vorgesehene Zinndioxid-Beschichtung für die Leiterstruk­ turen einerseits noch nicht elektrisch kurzschließend wirksam ist, andererseits aber bereits so stark elektrisch leitend ist, daß der mit einer Temperaturänderung eines pyroelektri­ schen Substrats verbundene elektrische Ladungs-/Span­ nungsaufbau weitestgehend unterdrückt ist. Der spezifi­ sche elektrische Widerstand reiner Zinndioxid-Schichten ist variierbar im Bereich von 10^-2 bis 10⁷ Ωcm, und zwar dies je nach Kristallinität und Sauerstoffgehalt der jeweiligen Schicht. Eine relativ hohe elektrische Leitfähigkeit von Zinndioxid kann man durch Erzeugung von Sauerstoff-Vakanzen im Zinndioxid-Gitter erreichen. Diese Vakanzen wirken als Do­ natoren. Durch eine Dotierung oder Substitution mit Fluor- oder Antimon-Atomen kann man andererseits den elektrischen Widerstand bis auf etwa 5 × 10^-4 Ωcm herab reduzieren. Zinn­ dioxid-Schichten bilden insbesondere auf silikatischen oder oxidischen Oberflächen eines (entsprechenden) Materials sehr fest haftende und dichte Schichten. Aufgrund der großen Band­ lücke des Materials können diese Schichten auch als dünne transparente Filme aufgebracht werden.

Zusammengefaßt gesagt sind erfindungsgemäß verwendete Zinndi­ oxid-Schichten, abgeschieden als dünne Schicht oder Film auf einer jeweiligen elektrischen Leiterstruktur eines hier in Frage kommenden elektronischen Bauelements ideal geeignet, die Passivierung einer insbesondere aus Aluminium bestehenden Leiterstruktur gegen Korrosion zu erwirken. Insbesondere ist das Zinnoxid außerdem auch (ggf.) zusätzlich mit großem Vor­ teil geeignet, jegliches Auftreten von pyroelektrischen Schä­ den auch an solchen Leiterstrukturen zu verhindern, die aus anderen Materialien als Aluminium bestehen.

Das erfindungsgemäß vorgesehene Zinndioxid als Schicht oder Film mit einer Dicke vorzugsweise zwischen 5 und 500 nm kann einerseits durch klassisches PVD-Verfahren, durch reaktive oder auch nicht-reaktive Kathodenzerstäubung, durch nicht- reaktive Elektronen-Strahlbedampfung erzeugt werden. Die schon erwähnte Möglichkeit der entsprechend gewählten Dotie­ rung des Zinnoxids für eine passende elektrische Leitfähig­ keit desselben in Bezug auf maximal zulässigen elektrischen Nebenschluß innerhalb der Leiterstruktur kann vorteilhafter­ weise zusammen mit der Abscheidung der Schicht/ des Films vorgenommen werden, z. B. durch Vorsehen einer fluor-haltigen, tetrafluorkohlenstoff-haltigen und/oder schwefelhexafluorid­ haltigen Abscheideatmosphäre oder durch Zusatz von Antimon zum Sputtertarget oder zum Bedampfungsmaterial. Sauerstoff- Vakanzen können bei der PVD-Abscheidung in sauerstoffverarm­ ter Atmosphäre und zeitlich folgender Temperung der Schich­ tung in Inertgas erhalten werden. Eine weitere Ausführung der Erfindung ist, das Zinndioxid entsprechend der Reaktion

mittels photolytischer Oxidation von SnI₂ zu bilden.

Zur Herstellung einer SnO₂-Schicht wird dabei SnI₂ in einem niedermolekularen Alkohol in hoher Konzentration gelöst und mit dem Spin-Coating-Verfahren auf die zu beschichtenden Sub­ strate aufgebracht. Durch UV-stimulierte Oxidation erfolgt die Umwandlung zu SnO₂. Eine Dotierung mit Antimon ist durch Zusatz einer bestimmten Menge SbI₃ zur Lösung zu erreichen. Dies erfolgt durch die entsprechende Reaktion:

Mit diesem Verfahren ist es auch möglich, ausgewählte Berei­ che auf dem Bauelement selektiv mit SnO₂ zu beschichten, näm­ lich indem man die mit SnI₂:SbI₃ ganzflächig beschichteten Substrate beispielsweise mit einer UV-Maskenbelichtung oder einem UV-Laserbelichtungsverfahren oxidiert. In den nichtbe­ lichteten Bereichen bleibt die Reaktion von SnI₂ → SnO₂ aus, so daß verbliebenes SnI₂ mit Alkohol wieder abgelöst werden kann. Dadurch kann eine vorher auszuführende aufwendige pho­ totechnische Abdeckung der Bondbereiche und Kontaktierflä­ chen, nämlich vor Beschichtung mit dieser Passivierungs­ schicht, eingespart werden.

Soll die Beschichtung gleichermaßen gegen leitfähige Partikel und Pyrospannungsentladungen schützen, so kann ein mehr­ schichtiges Aufbringen zur Anwendung kommen, wobei zwei oder mehrere dünne Schichten mit von der unteren zur obersten Schicht abnehmender elektrischer Leitfähigkeit des Materials der betreffenden Schicht aufgebracht werden. Bei entsprechend ausgeführtem Beschichtungsverfahren kann auch eine (jeweili­ ge) Schicht mit einem ausgewählt gerichteten und bemessenen Leitfähigkeitsgradienten erzeugt werden. Dies z. B. dadurch, daß während des Schichtwachstums die Dotierung verringert wird.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung dient auch die Be­ schreibung eines Ausführungsbeispiels gemäß der Figur, die Bestandteil der vorliegenden Anmel­ dung ist.

Die Figur zeigt in perspektivischer Ansicht als ein Beispiel für die Anwendung der Erfindung ein Oberflächenwellen-(OFW-/SAW-)- Bauelement 1. Dieses ist aufgebaut auf einem Substratplättchen 10 aus piezo- und pyro-elektrischem Material wie Lithiumniobat, Lithiumtantalat oder dgl. hierfür bekannter Kristallmaterialien. Auf der Oberfläche 11 dieses Substrat­ plättchens 10 befindet sich eine Oberflächenwellen-Struktur mit Leiterstrukturen 12, 13, die hier eine Interdigitalstruk­ tur 12 und zwei Reflektorstrukturen 13 mit Resonatoreigen­ schaft (als sehr einfaches Beispiel) umfaßt. Diese Strukturen 12 und 13 bestehen aus auf der Oberfläche 11 z. B. photolitho­ graphisch strukturiert aufgebrachten Aluminium- Elektrodenstreifen. Das Aluminium kann auch legiert sein. Die Interdigitalstruktur 12 ist hier mit Bonddrähten 14 und 15 für elektrischen Anschluß nach außen verbunden. Möglich sind auch Bumpverbindungen für die Flip-Chip-Technik. Durch elek­ trische Hochfrequenz-Anregung der Interdigitalstruktur 12 kann eine in der Oberfläche 11 zwischen den Reflektoren 13 und über die Struktur 12 hinweg verlaufende akustische Ober­ flächenwelle erzeugt werden.

Ein solches Bauelement 1 wird für den Endverbraucher in einem nur andeutungsweise gezeigten Gehäuse 20 aus wie in der Be­ schreibung angegebenem Material eingebaut und durch das Ge­ häuse gegen Umgebungseinflüsse weitgehend geschützt gelie­ fert.

Ein Bauelement 1 mit den Maßnahmen der Erfindung hat erfin­ dungsgemäß auf der Oberfläche 11 des Substratplättchens 10 über die Strukturen 12 und 13, gegen den Pyroeffekt vor allem über die Interdigitalstruktur 12 hinweg sich erstreckend eine Passivierungsschicht 16 aus Zinndioxid. Um die Ausbreitung der erwähnten akustischen Welle nicht nennenswert oder nicht mehr als zulässig zu bedämpfen, ist für diese Zinndioxid­ schicht eine nur geringe Dicke von üblicherweise einigen Zehntel µm vorgesehen. Wie oben beschrieben, ist dies tech­ nisch realisierbar, und zwar mit dem Ergebnis, daß das Alumi­ nium der Strukturen 12 und 13 gegen Feuchtigkeit und andere einschlägige Einflüsse passiviert geschützt ist. Zum Schutz gegen den erwähnten Pyroeffekt, d. h. zur Vermeidung von elektrischen Überschlägen zwischen zwei Fingerstrukturen der In­ terdigitalstruktur 12 ist das Zinndioxid der Schicht 16 hin­ sichtlich seiner hierfür relevanten elektrischen Leitfähig­ keit so hoch dotiert bzw. substituiert, daß sich auf der Oberfläche 11 des pyroelektrischen Materials des Substrat­ plättchens 10 keine solche pyroelektrische Ladung und Span­ nung zwischen entgegengesetzten Polen innerhalb der Interdi­ gitalstruktur 12 aufbauen kann, die zu elektrischen Über­ schlägen führen könnten. Andererseits ist der zwischen diesen entgegengesetzten Polen auftretende elektrische Nebenschluß für den vorgesehenen Betrieb der Interdigitalstruktur 12 ohne störenden Einfluß.

Die erfindungsgemäße Zinndioxid-Schicht schützt die Struktu­ ren 12 (und 13) auch vor Kurzschlüssen, die durch elektrische Partikel verursacht werden können, die auf bzw. zwischen die Elektrodenstreifen der Strukturen gelangen könnten. Solche Partikel können von den Bonddrähten 14 und 15 und/oder im Falle aus wenigstens anteilsweise Metall bestehendem Gehäuse 20 herrühren oder bei Schweißvorgängen und dgl. angefallen sein.

Claims (12)

1. Elektronisches Bauelement (1) mit einem Substratplätt­ chen (10) und einer elektrischen Leiterstruktur (12, 13) dar­ auf, bei dem das Substratplättchen zumindest in einem zu passivie­ renden Bereich über der Leiterstruktur mit einer Zinndioxid- (SnO₂-)Schicht (16) als Passivierungsschicht abgedeckt ist.

2. Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die Leiterstruktur (12, 13) wenigstens zu einem An­ teil Aluminium enthält.

3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, das eine Oberflächenwellen-Leiterstruktur (12, 13) mit im Be­ trieb in der Oberfläche (11) des Substratplättchens (10) auf­ tretender Oberflächenwelle aufweist.

4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Schichtdicke der Zinndioxid-Schicht (16) auf 5 bis 500 nm bemessen ist.

5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die elektrische Leitfähigkeit der Zinndioxid-Schicht (16) so bemessen ist, daß ausreichende Ableitung für aufgrund pyroelektrischen Effekts auftretender elektrischer Ladungen erreicht ist.

6. Bauelement nach Anspruch 5, bei dem die elektrische Leitfähigkeit der Zinndioxid-Schicht (16) durch Dotierung des Zinndioxids eingestellt ist.

7. Bauelement nach Anspruch 6, bei dem die elektrische Leitfähigkeit der Zinndioxid-Schicht (16) durch Einbau von Sauerstoff-Vakanzen erzielt ist.

8. Bauelement nach Anspruch 6, bei dem die elektrische Leitfähigkeit der Zinndioxid-Schicht (16) durch Fluor-Dotierung erzielt ist.

9. Bauelement nach Anspruch 6, bei dem die elektrische Leitfähigkeit der Zinndioxid-Schicht (16) durch Antimon-Dotierung erzielt ist.

10. Verfahren zur Erzeugung einer Zinndioxid-Schicht (16) auf der Oberfläche (11) eines Substratplättchens (10) über Leiterstrukturen (12, 13) durch photolytische Oxidation einer Zinn-4-Verbindung zu dem Zinndioxid mittels einer Photobe­ lichtung.

11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem im Ergebnis nur ausgewählte Bereiche der Oberfläche (11) mit dem Zinndioxid beschichtet werden, wobei das Materi­ al der Zinn-4-Verbindung ganzflächig auf die Oberfläche (11) aufgebracht wird und die Photobelichtung für die photolyti­ sche Oxidation durch eine der jeweiligen zu beschichtenden Fläche entsprechende Maske hindurch UV-belichtet wird und durch Abwaschen der nicht-belichtete Anteil der Zinn- Verbindung wieder abgelöst wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem überschüssiges, nicht photobelichtetes Material der Beschichtung (14) aus Zinn-4-Verbindung mit Alkohol entfernt wird.