DE10057296A1 - Solarzellen-Oberfläche - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Solarzellen-Oberfläche mit Elektroneninjektionskontakten, bestehend aus: DOLLAR A a) einer Siliziumschicht (SS) als Basismaterial, DOLLAR A b) einer sich auf der Siliziumschicht (SS) befindenden dünnen Siliziumoxidschicht (SOS), DOLLAR A c) einer sich auf der dünnen Siliziumoxidschicht (SOS) befindenden Fluoridschicht (FS), DOLLAR A d) metallischen Kontakten (K). DOLLAR A Erfindungsgemäß befindet sich an der Grenzfläche zwischen Fluoridschicht (FS) und Siliziumoxidschicht (SOS) oder in der unmittelbaren Nähe der Grenzfläche zwischen Fluoridschicht (FS) und Siliziumoxidschicht (SOS) eine hohe negative Festladung. Zusätzlich wird die Siliziumschicht mit metallischen Kontakten (K) elektrisch nach außen verbunden. Dabei können sich die metallischen Kontakte direkt auf der Siliziumschicht, auf der Siliziumoxidschicht, auf dem Schichtverbund Siliziumoxid-Fluorid oder aber direkt auf mit Akzeptoren hoch dotierten p·+·-Gebieten befinden. Die Erfindung kann insbesondere für die Erzeugung eines sehr starken negativen Driftfeldes in einer Siliziumschicht genutzt werden.
Description
Die Erfindung betrifft eine Solarzellen-Oberfäche nach dem
Oberbegriff des ersten Patentanspruchs. Sie findet
insbesondere bei Silizium-Solarzelle Anwendung, wobei die
Erzeugung eines sehr starken negativen Driftfeldes in einer
Siliziumschicht genutzt wird.
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der
Halbleitertechnik und Festkörperelektronik und ist zweckmäßig
zur Optimierung der Oberfläche (Passivierung) einer
Siliziumschicht sowie deren Kontaktierung bei der Herstellung
von Silizium-Solarzellen anwendbar (z. B. antipolare
Feldeffekt-Solarzellen, Patentschrift DE 197 29 522.3-33). Es
sind verschiedene Anordnungen sowohl zur Passivierung von
Silizumoberflächen als auch zu deren Kontaktierung für
Solarzellen bekannt. So gibt es Anordnungen, die durch eine
hohe positive Festladung ein starkes positives Driftfeld in
unmittelbarer Nähe einer aktiven Halbleiterschicht erzeugen
(W. Bauch et alia: Effect of Cs contamination on the
interface state density of MNOS capacitors, Applied Surface
Science, Vol. 39, 1989, pp. 356; K. Jäger, R. Hezel: Optical
Stability of Silicon Nitride MIS Inversion Layer Solar Cells,
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 32, No. 9, 1985,
pp. 1824; R. Hezel, R.-P. Vollertsen: "High efficiency
silicon MIS/inversion layer solar cells with very high
insulator charge densities" in Proceedings of the 5th E. C.
Photovoltaic Solar Energy Conference, pp. 1113, 1983). Es
existieren auch Anordnungen mit Aluminimumoxid, die eine
negative Festladung aufweisen (K. Jäger, R. Hezel: A Novel
Thin Silicon Solar Cell With Al2O3 As Surface Passivation,
Proc. of the 18th IEEE PVSC, Las Vegas, 1985, pp. 1752).
Allerdings liegen die dabei erreichten negativen
Festladungsdichten um etwa eine Größenordnung unter denen mit
der Morphologie, welche Gegenstand der hier offenbarten
Erfindung ist. Des weiteren gibt es eine Passivierung von
Siliziumoberflächen an einer p-Anreicherungsschicht, die
mittels eines negativ hochdotierten (n+), aber nicht
kontaktierten Gebiets (sog. "Floating Junction") realisiert
wird (S. R. Wenham et al.: Rear surface effects in high
efficincy silicon solar cells, 1st WC-PVSEC, Hawaii, 5-9
Dec. 1994, Proc. pp. 1278).
Zur Kontaktierung von p-Anreicherungs-/p-Inversionsschichten
in Silizium-Solarzellen werden positiv hochdotierte Gebiete
(sog. p+-Gebiete) unter den metallischen Kontakten erzeugt.
Die Passivierung des Kontaktes erfolgt dabei entweder durch
Wasserstofftemperung (H. E. Elgamel et al.: Efficient
combination of surface and bulk passivation schemes of high
efficiency multicrystalline silicon solar cells, J. Appl.
Phys. 78/5, 1st Sept. 1995), durch Aufbringen einer
ultradünnen Siliziumoxidschicht (W. Jooss et al.: Improvement
of Diffusion Lengths in multicrystalline Si by P-Al Co-
Gettering during Solar Cell Processing, 2nd WC-PVSEC, Vienna,
6-10 July 1998, Proc. pp. 1689) oder aber durch die hohe
Dotierung im Grenzbereich zum metallischen Kontakt selbst (M.
Green: Silicon Solar Cells: Advanced Principles & Practice,
Centre for Photovoltaic Devices and Systems, University of
New South Wales, Sydney, N. S. W. March 1995, Chapter 9.4).
Letztere Möglichkeit wird auch - mit niedrigerer
Dotierungsdichte für die Passivierung der Oberfläche an einer
p-Anreicherungsschicht von Silizium-Solarzellen genutzt (sog.
Back Surface Field - BSF).
Nachteilig bei den bekannten Morphologien einer Solarzellen-
Oberfläche mit Elektroneninjektionskontakten ist, die relativ
schlechte Oberflächenpassivierung des Siliziums. Diese wird
bei den durch eine massive Dotierung des oberflächennahen
Bereiches der Silizumschicht (BSF, Floating Junction)
gekennzeichneten Verfahren vor allem durch eine erhöhte
Defektdichte sowohl an der Oberfläche zur
Passivierungsschicht als auch im oberflächennahen Substrat-
Bereich der Siliziumschicht hervorgerufen. Dabei erhöhen
sich die Rekombinationsraten der elektrischen Ladungsträger
an der Oberfläche sowie in ihrer näheren Umgebung im
Silizium. Diese Verluste werden durch thermisch inaktive
Dotanden auf Zwischengitterplätzen sowie verspannte/offene
und ionisierte Bindungen der Silizium-Atome in hochdotierten
Gebieten verursacht. Bei der Verwendung von Aluminimumoxid
auf oxidierten Siliziumschichten wird ebenfalls eine negative
Festladung in unmittelbarer Nähe zu einer aktiven
Halbleiterschicht erzeugt. Allerdings ist die erzeugte
Ladungsdichte um circa eine Zehnerpotenz geringer als bei der
Verwendung von beispielsweise Aluminiumfluorid auf oxidierten
Siliziumschichten, was eine Verringerung der Passivierungs
wirkung gegenüber der Morphologie, zur Folge hat.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Morphologie
einer Solarzellen-Oberfläche mit Elektroneninjektions
kontakten zu schaffen, deren elektrische Passivierungs
eigenschaften gegenüber den bereits bekannten Morphologien
verbessert sind; zusätzlich werden verbesserte Elektronen
injektionskontakte zur Siliziumschicht geschaffen, die durch
die unter diesen Kontakten angeordneten Schichtstrukturen gut
passiviert sind und darüber hinaus aufgrund der hohen
negativen Festladung in diesen Schichtstrukturen als
Tunnelkontakte ausgeführt werden können, wodurch insgesamt
der Wirkungsgrad und das elektrische Verhalten der Solarzelle
in Bezug auf die Solarzellen. Oberfläche wesentlich verbessert
wird.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Merkmale des
ersten Patentanspruchs gelöst. Die Solarzellen-Oberfläche mit
Elektroneninjektionskontakten besteht dabei bekannter Weise
aus:
- a) einer Siliziumschicht (SS) als Basismaterial,
- b) einer sich auf der Siliziumschicht SS befindenden dünnen Siliziumoxidschicht (SOS),
- c) einer sich auf der dünnen Siliziumoxidschicht (SOS) befindenden Fluoridschicht (FS),
- d) metallischen Kontakten K,
Erfindungsgemäß befindet sich dabei an der Grenzfläche
zwischen Fluoridschicht und Siliziumoxidschicht oder in der
unmittelbaren Nähe der Grenzfläche zwischen Fluoridschicht
und Siliziumoxidschicht eine hohe negative Festladung.
Die Dicke der Fluoridschicht liegt bevorzugt im Bereich von
1.5 nm bis 350 nm. Die Fluoridschicht besteht vorzugsweise
aus einer chemischen Verbindung der Gestalt MeF2 oder MeF3
loesteht, wobei Me ein Element der zweiten oder dritten
Hauptgruppe oder der zweiten oder dritten Nebengruppe des
Mendelejewschen Periodensystems der Elemente ist. Vorteilhaft
ist dabei die Verwendung einer Fluoridschicht aus
Aluminiumfluorid (AlF3).
Das Verhältnis der chemischen Elemente, die an der Formierung
der des Materials der Fluoridschicht FS beteiligt sind,
weicht dabei vom stöchiometrischen Verhältnis zueinander ab,
z. B. das Verhältnis von Aluminium zu Fluor im Aluminium
fluorid vom stöchiometrischen Verhältnis (1 : 3).
Es besteht jedoch auch die Möglichkeit, daß die chemische
Verbindung mit Fluor stöchiometrisch unterbesetzt ist und so
eine chemische Verbindung der Struktur MeFx, x < 3,
darstellt.
Weiterhin kann die Fluoridschicht einen stöchiometrischen
Gradienten aufweist, wobei der Fluorgehalt der Fluoridschicht
FS zur Grenzfläche zwischen Fluoridschicht und
Siliziumoxidschicht SOS einen negativen Gradienten besitzt
und sich eine große Anzahl Wassermoleküle in der
Fluoridschicht befinden.
Die metallischen Kontakte bestehen bevorzugt aus Platin oder
Palladium und weisen eine Dicke von höchstens 50 nm auf.
Angeordnet werden die metallischen Kontakte direkt auf der
Siliziumschicht oder auf der Siliziumoxidschicht.
Dabei können die Siliziumoxidschicht und/oder die
Fluoridschicht unter dem metallischen Kontakt
Tunneleigenschaften besitzen. In einer weiteren Ausgestaltung
ist es möglich, die metallischen Kontakte auf der
Fluoridschicht anzuordnen. Die sich zwischen dem metallischen
Kontakt und der Siliziumoxidschicht befindliche
Fluoridschicht sollte eine Dicke in der Größenordnung von 1.5
bis 10 nm aufweisen. Unter den metallischen Kontakt kann sich
in der Siliziumschicht ein mit Akzeptoren hoch dotiertes
Gebiet befinden.
Die Vorteile der Erfindung bestehen in der Herstellbarkeit
einer Morphologie einer Solarzellen-Oberfläche mit Elek
troneninjektionskontakten, deren elektrische Passivierungs
eigenschaften bezüglich der Siliziumschicht wesentlich
verbessert und deren Elektroneninjektionskontakte gut
passiviert und so sehr niederohmig hergestellt werden können.
Mit dieser Anordnung wird ein negatives Driftfeld hoher
Stärke in der angrenzenden aktiven Halbleiterschicht erzeugt,
welches zur Trennung von freien Ladungsträgern dienen kann.
Des weiteren ist die Morphologie einer Solarzellen-Oberfläche
entsprechend der hier offenbarten Erfindung für das solare
Spektrum optisch transparent, was ihren Einsatz für
doppelseitige Solarzellen ermöglicht.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines
Ausführungsbeispiels und zugehörigen Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 Schichtaufbau der Morphologie einer Solarzellen-
Oberfläche mit einer Fluoridschicht, wobei sich die
Kontakte K auf der Siliziumschicht befinden,
Fig. 2 Schichtaufbau der Morphologie einer Solarzellen-
Oberfläche mit einer Fluoridschicht, wobei sich die
Kontakte K auf der Siliziumoxidschicht befinden,
Fig. 3 Schichtaufbau der Morphologie einer Solarzellen-
Oberfläche mit einer Fluoridschicht, wobei sich die
Kontakte K in der Fluoridschicht befinden,
Fig. 4 Schichtaufbau der Morphologie einer
Solarzellen. Oberfläche, mit einer Fluoridschicht,
wobei sich unter den metallischen Kontakten die
Siliziumschicht mit darin enthaltenen hochdotierten
Gebieten befindet,
Fig. 5 C/V-Meßkurve der Morphologie einer Solarzellen-
Oberfläche.
Gemäß Fig. 1 bis 4 besteht die Solarzellen-Oberfläche aus
einem Aufbau aus einer Siliziumschicht SS, einer sich
anschließenden Siliziumoxidschicht SOS (Dicke z. B. 1,5 nm) und
einer darauf abgeschiedenen Fluoridschicht FS (Dicke z. B.
10 nm). Es sind weiterhin metallische Kontakte K vorgesehen.
In Fig. 1 ist dabei ein Beispiel dargestellt, bei welchem
sich zwei Kontakte K an die Siliziumschicht SS anschließen
und durch die Siliziumoxidschicht sowie durch die
Fluoridschicht hindurchreichen. In Fig. 2 befindet sich
zwischen den Kontakten K und der Siliziumschicht SS die
Siliziumoxidschicht SOS. Gem. Fig. 3 befindet sich unter
den Kontakten K die Fluoridschicht FS, so daß zwischen den
Kontakten K und der Siliziumschicht SS sowohl die
Fluoridschicht FS als auch die Siliziumoxidschicht SOS
angeordnet ist.
Eine Solarzellen-Oberfläche mit einer Schichtaufbau, wobei
sich unter den metallischen Kontakten die Siliziumschicht mit
einem darin enthaltenen hochdotiertes Gebiet befindet, ist in
Fig. 4 dargestellt.
In den dargestellten Beispielen befindet sich auf einem
bordotierten einkristallinen Siliziumwafer SS eine ca. 2 nm
dicke Siliziumoxidschicht SOS und darüber eine ca. 120 nm
dicke Aluminiumfluoridschicht (Fluoridschicht FS), die
vorzugsweise im Bedampfungsverfahren abgeschieden wurde. Die
metallischen Kontakte bestehen z. B. aus Platin, so daß durch
dessen hohe Elektronenaustrittsarbeit eine sehr starke
positive Bandverbiegung im Silizium am Kontakt herrscht.
Dadurch können sehr gut Elektronen aus dem Platin in die p-DG
Anreicherungsschicht infiziert werden. Die Dicke des Platins
wird zweckmäßig auf ca. 50 nm begrenzt, da lediglich eine
metallische Phase zum Erreichen der Elektronenaustrittsarbeit
an der Kontaktfläche Platin-Silizium existieren muß. Die
Kontakte K können auf die nötige Dicke - einige µm - mit
Aluminium durch galvanische, Siebdruck- oder
Bedampfungsverfahren verstärkt werden. Da die Morphologie
einer Solarzellenoberfläche entsprechend der hier offenbarten
Erfindung für das solare Spektrum optisch transparent ist,
kann zusätzlich die Dicke der Fluoridschicht FS so abgestimmt
werden, daß eine Reflexionsminimierung (Entspiegelung) der
Solarzellenvberfläche erfolgt (dAlF3 = Xsu,/4).
Fig. 5 zeigt die C/V-Meßkurve der Morphologie einer Solar
zellen-Oberfläche, bestehend aus einem einkristallinen, bor
dotierten Siliziumwafer, worauf nacheinander eine Schicht
thermisches SiO2 (SOS, d = 1,5 nm) und eine Schicht AlF3 (FS,
d 10 nm) abgeschieden wurde. Eine damit erzielte effektive
(sich auf die Grenzfläche Siliziumdioxid - Silizum bezie
hende) Festladung (Neff) ist -5,16 × 10-12 q/cm2 groß, die
entsprechende Flachbandspannung Vfb beträgt +1,64 V. Weitere
relevante Abkürzungen seien im Anschluß kurz erläutert:
Chuck Temp.: Temperatur des Meßplatzes
Area: Meßfläche der Quecksilber (Hg)-Sonde
Thickness: Gesamtschichtdicke der Isolatorschichten (SOS und FS) auf der Halbleiterschicht (Silizium)
Frequency: Meßfrequenz zur Messung der differentiellen Kapazität
Cox: maximale Kapazität des durch die Meßanordnung im Zusammenspiel mit den Isolatorschichten gebildeten Kondensators
Cmin: minimale Kapazität des durch die Meßanordnung im Zusammenspiel mit den Isolatorschichten gebildeten Kondensators
Ratio: Quotient aus Cmin zu Cox
Rs: serielter Widerstand der ohmschen Zuleitung (wird in erster Näherung durch Leitfähigkeit des Halbleitermaterials bestimmt)
Nb: Dosierungsdichte im Bulkmaterial der Halbleiterschicht (Bor)
Vt: Schwellspannung, bei der die starke (n-) Inversion an der Grenzfläche Siliziumdioxid- Silizium einsetzt
Cfb: Kapazität des durch die Meßanordnung im Zusammenspiel mit den Isolatorschichten gebildeten Kondensators bei Erreichen dar Flachbandspannung Vfb
Chuck Temp.: Temperatur des Meßplatzes
Area: Meßfläche der Quecksilber (Hg)-Sonde
Thickness: Gesamtschichtdicke der Isolatorschichten (SOS und FS) auf der Halbleiterschicht (Silizium)
Frequency: Meßfrequenz zur Messung der differentiellen Kapazität
Cox: maximale Kapazität des durch die Meßanordnung im Zusammenspiel mit den Isolatorschichten gebildeten Kondensators
Cmin: minimale Kapazität des durch die Meßanordnung im Zusammenspiel mit den Isolatorschichten gebildeten Kondensators
Ratio: Quotient aus Cmin zu Cox
Rs: serielter Widerstand der ohmschen Zuleitung (wird in erster Näherung durch Leitfähigkeit des Halbleitermaterials bestimmt)
Nb: Dosierungsdichte im Bulkmaterial der Halbleiterschicht (Bor)
Vt: Schwellspannung, bei der die starke (n-) Inversion an der Grenzfläche Siliziumdioxid- Silizium einsetzt
Cfb: Kapazität des durch die Meßanordnung im Zusammenspiel mit den Isolatorschichten gebildeten Kondensators bei Erreichen dar Flachbandspannung Vfb
Die Messung erfolgte mit einem Quecksilber-Sonden Kapazitäts-
Spannungs-Meßgeräl der Firma Solid State Measurements (H490).
Claims (19)
1. Solarzellen-Oberfläche mit Elektroneninjektions
kontakten, bestehend aus:
- a) einer Siliziumschicht (SS) als Basismaterial,
- b) einer sich auf der Siliziumschicht SS befindenden dünnen Siliziumoxidschicht (SOS),
- c) einer sich auf der dünnen Siliziumoxidschicht (SOS) befindenden Fluoridschicht (FS),
- d) metallischen Kontakten K,
2. Solarzellen-Oberfläche nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dicke der Fluoridschicht (FS) im
Bereich von 1.5 nm bis 350 nm liegt.
3. Solarzellen-Oberfläche nach Anspruch 1 und 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Fluoridschicht (FS) aus einer
chemischen Verbindung der Gestalt MeF3 besteht, wobei Me
ein Element der dritten Hauptgruppe oder der dritten
Nebengruppe des Mendelejewschen Periodensystems der
Elemente ist.
4. Solarzellen-Oberfläche einem oder mehreren der Ansprüche
1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Fluoridschicht
(FS) aus Aluminiumfluorid (AlF3) besteht.
5. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Fluoridschicht (FS) aus einer chemischen Verbindung der
Gestalt MeF2 besteht, wobei Me ein Element der zweiten
Hauptgruppe oder der zweiten Nebengruppe des
Mendelejewschen Periodensystems der Elemente ist.
6. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das
Verhältnis der chemischen Elemente, die an der
Formierung des Materials der Fluoridschicht FS beteiligt
sind, vom stöchiometrischen Verhältnis zueinander
abweichen.
7. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 4 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß
das Verhältnis von Aluminium zu Fluor im
Aluminiumfluorid vom stöchiometrischen Verhältnis (1 : 3)
abweicht.
8. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
chemische Verbindung mit Fluor stöchiometrisch
unterbesetzt ist und so eine chemische Verbindung der
Struktur MeFx, x < 3, darstellt.
9. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
Fluoridschicht (FS) einen stöchiometrischen Gradienten
aufweist.
10. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der
Fluorgehalt der Fluoridschicht (FS) zur Grenzfläche
zwischen Fluoridschicht (FS) und Siliziumoxidschicht
(SOS) einen negativen Gradienten besitzt.
11. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß sich
eine große Anzahl Wassermoleküle in der Fluoridschicht
(FS) befinden.
12. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die
metallischen Kontakte (K) aus Platin oder Palladium
bestehen.
13. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die
metallischen Kontakte (K) eine Dicke von höchstens 50 nm
aufweisen.
14. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die
metallischen Kontakte (K) sich direkt auf der
Siliziumschicht (SS) befinden.
15. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die
metallischen Kontakte (K) sich direkt auf der
Siliziumoxidschicht (SOS) befinden.
16. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die
Siliziumoxidschicht (SOS) und/oder die Fluoridschicht
(FS) unter dem metallischen Kontakt (K)
Tunneleigenschaften besitzt.
17. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die
metallischen Kontakte (K) sich auf der Fluoridschicht
(FS) befinden.
18. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die
Fluoridschicht (FS) zwischen dem metallischen Kontakt
(K) und der Siliziumoxidschicht (SOS) eine Dicke in der
Größenordnung von 1,5 bis 10 nm aufweist.
19. Solarzellen-Oberfläche nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß sich
unter dem metallischen Kontakt (K) ein Gebiet (P-DG) in
der Siliziumschicht (SS) befindet, welches mit
Akzeptoren hoch dotiert ist (sogenanntes p+-Gebiet).
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- 2001-11-16 AU AU2002216923A patent/AU2002216923A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-16 WO PCT/DE2001/004331 patent/WO2002041408A1/de not_active Application Discontinuation
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