DE3001463C2

DE3001463C2 - Halbleiterphotoelement

Info

Publication number: DE3001463C2
Application number: DE3001463A
Authority: DE
Inventors: Tatsumi Arakawa; Hidehiko Fuji Shizuoka Kobayashi; Fumio Matushita; Kaoru Takasuka
Original assignee: Asahi Kasei Kogyo KK
Current assignee: Asahi Kasei Corp
Priority date: 1980-01-17
Filing date: 1980-01-17
Publication date: 1984-06-20
Also published as: GB2067834A; GB2067834B; DE3001463A1

Description

a-Si : H und ehern Metall von hoher Austrittsarbeit, z. B. Platin, Gold, Palladium, Chrom, Iridium oder Rhodium, die Schottky-Sperrschicht gebildet wird. Der Wirkungsgrad der Energieumwandlung ist bei einer derartigen Solarzelle jedoch niedrig und beträgt bei Sonnenlichteinstrahlung nur etwa 5,5%. Die Leerlaufspannung der Solarzelle, die eines der Kriterien zur Bestimmung des Wirkungsgrades darstellt, beträgt nur etwa 0,8 V.

Als Folge des Kontaktes des a-Si: H mit dem Metall 50 gröLSert wird. Letzteres wiederum erlaubt eine Erhöhung der Leerlaufspannung bei Beleuchtung des Halbleiterphotoelementes. Da somit ein Zustand angestrebt wird, in dem negativen Ladungen so gut wie möglich gehalten werden können, um so die Leerlaufspannung

diffundiert das Metall in die a-Si : Η-Schicht Hieraus ergibt sich der Nachteil einer schlechten I .agerbeständigkeit der Solarzelle.

Ein Halbleiterphotoelement der eingangs genannten

Art(Proc. of the 13^lh Photovoltaic Specialists Conferen- 55 zu erhöhen, wird eine weitestmögliche Erhöhung der

ce 5,-18. 6. 1978 in Washington, 1978, N. Y.. IEEE, Sei- ~ ' " '" "~

ten 751 —754) verwendei eine MlS-Slruktur (Metall Insulator Semiconductor) und weist zwischen der a-Si: H-Schicht und der Metallschicht eine dünne Isolierschicht
auf. Diese Isolierschicht besteht aus TiO, und hat eine m> gender Dicke der Isolierschicht aufgrund des ansteigen-

Dicke der halbleitenden Oxidschicht angestrebt. Im Gegensatz zu dem bekannten MIS-Halbleiterphotoelement mit einer dünnen Isolierschicht als Zwischenschicht, bei dem die Kurzschluß-Stromdichte mit anstei-

Dickc von maximal 3,0 nm. Diese- geringe Dicke der Isolierschicht ist notwendig, damit Ladungsträger die Isolierschicht zu durchtunneln vermögen. FIs hat sich gezeigt, daß die wesentlichen Parameter, nämlich Leerbespannung. Wirkungsgrad der Energieumwandlung und Kur/schluß Stromdichte in starkem MaIk- von der Dicke tier Isolierschicht abhängen und Ivi I Ihc-rschrcitendei genannten Isoliorschiehklicki· drastisch ablallen.

den relativen Widerstandes drastisch vermindert wird, tritt ein solcher Effekt bei dem erfindungsgemäßen Halblciierphotoelcment nicht ein. Vielmehr bleibt ein geringer relativer Widerstand auch bei den größeren Oxidschichtdicken erhalten. Die halbleiiendc Oxid schicht verhüll sich tatsachlich nicht als Isolierschicht, sondern als I lalbleiterschicht, so daß das llalblciierphotoelement keine MlS-Struktur, sondern cine MSS-

Struktur (Metal-Semiconductor-Semiconducior) aufweist.

Versuche haben ergeben, daß über einen weiten Bereich der Dicke der halbleitenden Oxidschicht die weientlichen elektrischen Parameter, wie Leerlaufspanrtung, Wirkungsgrad und Kurzschluß-Stromdichte. gewissermaßen sattelartig auf einem sehr hohen Niveau verlaufen. Dieser nahezu horizontale Verlauf erstreckt sich über ganz erhebliche Schichtdicken, so daß chemische Reaktionen zwischen dem a-Si: H und der Metallschicht systematisch ausgeschlossen werden

Im folgenden werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert Es zeigt

Fig. 1 einen Querschnitt durch ein Halbleiterphotoelement,

Fi g. 2 einen Querschnitt durch eine photoelcktrische Vorrichtung, in der das in F i g. 1 dargestellte Halblciterphotoelement verwendet wird,

F i g. 3 eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen dem Sammlungswirkungsgrad der in Fig.2 dargestellten photoelektrischen Vorrichtung und der Wellenlänge im Vergleich zu derjenigen der üblichen photoelektrischen Vorrichtung mit Schottky-Sperrschicht veranschaulicht, und

F i g. 4 eine graphische Darstellung, die die Spannung-Strom-Charakteristik der in F i g. 2 dargestellten photoelektrischen Vorrichtung im Vergleich zu derjenigen der üblichen photoelektrischen Vorrichtung mit Schottky-Sperrschicht zeigt.

Das Halbleiterphotoelement umfaßt ein elektrisch leitfähiges Substrat, eine 0,1 bis 5 μπι dicke Schicht aus a-Si: H auf dem Substrat, eine halbleitende Oxidschicht einer Dicke von 5 bis 50 nm auf einer dem Substrat gegenüberliegenden Seite der a-Si: H-Schicht und eine 5 bis 20 nm dicke Metallschicht auf einer der a-Si: H-Schicht gegenüberliegenden Oberfläche der halbleilenden Oxidschicht.

Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines Halbleiterphotoelements. Auf einer Unterlage 11 ist durch Vermittlung einer ohmschen Kontaktschicht t2 eine Schicht 13 aus a-Si: H aufgebracht, die durch Glimmentladung in Silan oder Kathodenzerstäubung, Aufdampfen oder Ionenplattierung von Silicium in einer Wasserstoffatmosphäre gebildet worden ist. Auf die Schicht 13 ist eine halbleitende Oxidschicht 14 aufgebracht. Über die Oxidschicht 14 ist eine Metallschicht 15 gelegt. Durch eine solche Anordnung wird ein Halbleiterphotoelement erhalten, mit dem ein stabiler hoher Energieumwandlungswirkungsgrad unter Sonnenlichteinstrahlung erzielt wird.

Die Unterlage Il kann aus einem beliebigen Werkstoff bestehen, der elektrisch leitfähig und in der Lage ist, ohmschen Kontakt mit dem amorphem Siliciumhydrid zu bilden. Als repräsentative Beispiele solcher Werkstoffe sind Metalle wie nichtrostender Stahl, Aluminium, Antimon u. dgl. sowie In₂Oj und/oder SnOj auf Glas, wobei das injOsund/oder SnO₂ das leitfähige Material ist, zu nennen. Die Schicht aus amorphem Siliciumhyrid kann vollständig aus amorphem Siliciumhydrid bestehen, das durch eine Glimmentladung in im wesentlichen reinem Silan od. dgl. gebildet worden ist. Um jedoch einen besseren ohmschen Kontakt mit der Unterlage 11 herzustellen, wird die Kontaktschicht 12 uuf der amorphen Siliciumhydridschicht auf der Seite der Unterlage vorzugsweise dotiert. Um die dotierte Kontaktschicht 12 in einfacher Weise zu bilden, kann eine Methode angewandt werden, bei der eine Glimmentladung in Silan mit Phosphin (PHj) als Dotierungsmittel (0,1 bis 10 Atom-%, bezogen auf Silan) durchgeführt wird, um amorphes Siliciumhydrid vom η-Typ in einer Dicke von etwa 10 bis 50 nm abzuscheiden. Bei der Durchführung der Dotierung kann die Konzentration von Phosphin relativ zu Silan konstant gehalten werden, so daß die Konzentration des Dotierungsmittels in der gesamten ersten Schicht 12 gleichmäßig ist. Als Alternative kann dia Konzentration des dotierenden Fremdstoffs in der

ίο Kontaktschicht 12 so abgestuft werden, daß die Konzentration des dotierenden Fremdstoffs an der Grenzfläche zwischen der Unterlage U und der Kontaktschicht 12 maximal ist und an der Grenzfläche zwischen der ohmschen Kontaktschicht 12 und der zweiten

ΐϊ Schicht 13 bis zu einer unbedeutenden Konzentration abgenommen hat. Außer Phosphin können als dotierende Gase beispielsweise Ammoniak (NHi), Arsin (AsHj) und Diboran (BjHt) verwendet werden. Die zweite Schicht 13 aus amorphem Siliciumhydrid wird durch eine Glimmentladung in im wesentlichen reinem Silan oder durch Kathodenzerstäubung, Aufdampfen oder Ionenplattierung von Silicium in einer Wasserstoffatmosphäre gebildet werden und ist daher intrinsic. Die Dicke der amorphen Siliciumhydridschicht, die aus der ohmschen Kontaktschicht 12 und der zweiten Schicht oder Intrinsiu-Schicht 13 besteht, beträgt 0,1 bis 5 μηι, vorzugsweise etwa 0,5 bis 2 μηι.

Zur Bildung des amorphen Siliciumhydrids durch eine Glimmentladung in Silan wird die Unterlage 11 in einer auf einen Druck von 1.33 ■ 10-'mbar oder weniger evakuierten Vakuumkammer auf 100° bis 400°C erhitzt. In die Kammer wird ein Silangas bis zu einem Druck von 0,133 bis 3 mbar eingeführt. Unter dem Ausdruck »Silangas« ist 100%iges S1H4, mit Ar verdünntes S1H4 oder ein Gemisch von SiF< und H2 zu verstehen. Zur Bildung der Schicht 13 wird das Silangas allein eingeführt. Zur Bildung der Schicht 12 wird ein Dotierungsgas, z. B. Phosphin, gleichzeitig mit dem Silangas eingeführt. Bei Auslösung einer Glimmentladung wird amorphes Siliciumhydrid auf der Unterlage Il abgeschieden. Die Art der Erzeugung, einer Glimmentladung kann entweder induktiv oder kapazitiv erfolgen.

Ferner kann im Falle der kapazitiven Erzeugung entweder eine Gleichstromentladung oder eine Wechselslromentladung verwendet werden. Die Geschwindigkeit der Bildung des amorphen Siliciumhydrids hängt weitgehend vom Grad des Vakuums, von der Temperatur der Entladung und vom Entladungssirom ab, liegt jedoch im allgemeinen im Bereich von 0,01 bis 10 nm/ Sek. In diesem Zusammenhang ist zu bemerken, daß durch Drehen der Unterlage eine gleichmäßige Schicht von amorphem Siliciumhydrid gebildet wird.

Andererseits wird zur Bildung des amorphen Siliciumhydrids durch Kathodenzerstäubung von Silicium in einer Wasserstoffatmosphäre die Unterlage U in einer auf einen Druck von 1,33 · lO-^mbar oder weniger evakuierten Vakuumkammer auf 100° bis 400°C erhitzt. In die Vakuumkammer wird Wasserstoffgas bis zu einem Druck von 1,33 · 210~^J bis 1,33 mbar eingeführt.

Zur Bildung der Schicht 13 wird Wasserstoffgas allein eingeführt, während zur Bildung der Kontaktschicht 12 ein dotierendes Gas. z. B. ein Phosphin, gleichzeitig mit dem Wasserstoffgas eingeführt wird. Anschließend wird eine Kathodenzerstäubung unter Verwendung von SiIi-

h5 cium als Auffangfläche ausgelöst, wodurch amorphes Siliciumhydrid auf der Unterlage 11 abgeschieden wird. Wie vorstehend beschrieben, kann das amorphe Siliciumhydrid auch durch Aufdampfen oder lonenplattie-

rung von Silicium in einer Wasserstoffatmosphäre gebildet werden.

Auf einer der Unterlage 11 gegenüberliegenden Oberfläche der amorphen Siliciumhydridschicht wird eine halbleitende Oxidschicht 14 gebildet. Zur Bildung der halbleitenden Oxidschicht 14 können Materialien verwendet werden, die in der Technik als halbleitende Oxide bekannt sind. Beispiele solcher Materialien sind TiO₂, ZnO, SnO₂, In₂O₃, BaO, SiO, Cu₂O, NiO und FeO. Hiervon werden T1O2 und ZnO besonders bevorzugt. Die halbleitende Oxidschicht 14 kann durch die bekannten Verfahren des Aufdampfens, der Kathodenzerstäubung od. dgl. gebildet werden. Die halbleitende Oxidschicht hat eine Dicke von 5 bis 50 nm.

Die vorstehend genannten Oxide können allein zur Bildung einer Einzelschicht oder in Kombination zur Bildung einer Mehrfachschicht verwendet werden. Ferner ist zu bemerken, daß zur Bildung der Oxidschicht das Oxid in reduzierender Atmosphäre, beispielsweise in einer Wasserstoffatmosphäre, abgeschieden werden kann.

Anschließend wird auf der der amorphen Siliciumhydridschicht gegenüberliegende Seite der Oxidschicht 14 eine Metallschicht 15 gebildet. Für die Bildung der Metallschicht 15 eignen sich Metalle mit hoher Austrittsarbeit. Beispiele solcher Metalle sind Pt, Pd, Au, Ni, Cr, Ir und Rh. Die Metallschicht kann nach den bekannten Verfahren des Aufdampfens, der Kathodenzerstäubung od. dgl. in einer Dicke von 5 bis 20 nm so abgeschieden werden, daß sie für Sonnenstrahlung wenigstens halbdurchlässig ist.

Mit Hilfe des in dieser Weise aufgebauten Halbleiterbauelements ist es möglich, billige Solarzellen herzustellen, die ausgezeichneten Energieumwandlungswirkungsgrad sowie ausgezeichnete Lagerbeständigkeit aufweisen.

Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht einer photoelektrischen Vorrichtung, in der ein Halbleiterphotoelement verwendet wird. Diese Vorrichtung weist eine elektrisch leitfähige Unterlage 21 auf, die aus einem Blech aus nichtrostendem Stahl (SUS 304) besteht, das zu Spiegelglanz geschliffen und poliert ist. Die Unterlage 21 kann auch aus einem Metall mit niedriger Austrittsarbeit, z. B. Aluminium, bestehen, wie im Zusammenhang mit F i g. 1 beschrieben. Die elektrisch leitfähige Unterlage 21 wird in einer Vakuumkammer auf 350⁰C erhitzt, und ein Gemisch von Silan und Phosphin als Dolierungsgas (Atomverhältnis 100 :1) wird in die Vakuumkammer bis zu einem Druck von etwa 0,67 rnbar eingeführt. Nach Auslösung einer Glimmentladung wird dotiertes amorphes Siliciumhydrid 22 auf der Unterlage 21 abgeschieden. Nach der Abscheidung des dotierten amorphen Siliciumhydrids als erste Schicht 22 in einer Dicke von etwa 20 nm wird die Temperatur der Unterlage 2i auf 300⁰C gesenkt und ein Silangas allein in die Vakuumkammer eingeführt. Eine Glimmentladung wird erneut gezündet, um eine Abscheidung aus nichtdotiertem amorphem Siliciumhydrid als zweite Schicht 23 in einer Dicke von etwa 2 μηι zu bilden. In dieser Weise wird die sogenannte amorphe Siliciumhydridschicht 201 mit ohmschem Kontakt mit der Unterlage 2! gebildet. Die Unterlage 21 mit der darauf gebildeten amorphen Siliciumhydridschicht 201 wird in eine gewöhnliche Aufdampfvorrichtung gelegt (statt dessen kann auch eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung verwendet werden) und mit einem halbleitenden Oxid, z. B. ΤΊΟ2, bedampft, wobei eine halbleitende Oxidschicht 24 einer Dicke von etwa 10 nm auf der Oberfläche der zweiten Schicht 23 gebildet wird. In diesem Fall kann die amorphe Siliciumhydridschicht 201 erhitzt werden und/oder das Aufdampfen der halbleitenden Oxidschicht 24 in reduzierender Atmosphäre,

0 ?.. B. einer Wasserstoff- oder Silanatmosphäre, vorgenommen werden. Bei dieser Ausführungsform wird das halbleitende Oxid abgeschieden, während die Schicht 201 auf 12O⁰C erhitzt wird. Auf die Oberfläche der haibleitenden Oxidschicht 24 wird Platin unter Bildung einer Metallschicht 25 einer Dicke von etwa 5 nm abgeschieden. Anstelle von Platin kann auch ein anderes Metall mit hoher Austrittsarbeit. z. B. Gold oder Palladium, verwendet werden. Auf einen Teil der Oberfläche der Metallschicht 25 wird eine Elektrode 26, die beispielsweise Kammform aufweist, aufgebracht. Auf, der Elektrode 26 und auf der nicht von der Elektrode ίβ bedeckten Oberfläche der Metallschicht 25 Wird eine Antireflexschicht 27 gebildet. Bezüglich der Bildung der Antireflexschicht 27 wird beispielsweise auf die japanische Auslegeschrift 37 718/1978 verwiesen. In der beschriebenen Weise wird eine photoelektrische Vorrichtung erhallen, in der das amorphes Siliciumhydrid enthaltende Halbleiterphotoelement gemäß der Erfindung verwendet wird.

In F i g. 3 ist die Beziehung zwischen dem Auffahgwirkungsgrad der in der beschriebenen Weise hergestellten photoclektrischen Vorrichtung und der Wellenlänge im Vergleich zu dem Wirkungsgrad einer üblicher! photoelektrischen Vorrichtung mit Schottky-Sperrschicht

dargestellt. Die Kurve 3i stellt die photoelektrische Vorrichtung gemäß der Erfindung dar; während die Kurve 31 den Wirkungsgrad einer Vorrichtung darstellt, die in der gleichen Weise ausgebildet, jedoch nicht mit einer halbleitenden Oxidschicht versehen, d. h. eine typi-

J5 sehe photoclektrische Vorrichtung mit Schottky-Sperrschicht ist. Wie F i g. 3 zeigt, hat das photoelektrische Halbleiterphotoelement gemüB der Erfindung einen ausgezeichneten Auffangwirkungsgrad für Licht, insbesondere im Bereich kurzer WeWeWätogen (auf der Seite höherer Energie), wie die Kurve 32 zeigt, uhd demgemäß einen hohen Energieumwandlungswirkungsgrad im Vergleich zur Kurve 31. Der Auffangwirkungsgrad wird aus dem Verhältnis der aus dem Wert des durch Licht erzeugten Stroms berechneten Trägerdichte zur Menge der Sonneneinstrahlung erhalten, die hinsichtlich des Wellenlängenbereichs mit Hilfe eines Filters begrenzt ist. Es wird angenommen, daß der Grund für die Steigerung des Auffangwirkungsgrades im sogenannten Fenstereffeki der halbleitenden Oxidschicht liegt, und daß bei einem Halbleiterphotoeiement vom MIS-Typ eine solche Steigerung des Auffangwirkungsgrades nicht zu erwarten ist. Nur durch Einfügen der halbleitenden Oxidschicht in das Halbleiterphotoelement ist ein Anstieg des Auffangwirkungsgrades und demzufolge eine Steigerung des Urrrwandlütlgswirkungsgrades erzielbar. Ferner wird durch die Einfügung der halbleitenden Oxidschicht zwischen der amorphen Siliciumhydridschicht und der Metallschicht auch die Stabilität des Halbleiterphotoelements erhöht.

F i g. 4 zeigt die Spannung-Strom-Chärakteristik der photoelektrischen Vofrichturtg im Vergleich zu derjenigen der üblichen photoelektrischen Vorrichtung mit Schottky-Sperrschicht. Die Kurve 42 stellt die Charakteristik der photoelektrischen Vorrichtung gemäß der

ö5 Erfindung dar. während die Kurve 41 die Charakteristik einer Vorrichtung ist, die in der gleichen Weise, jedoch ohne die halbleitende Oxidschicht ausgebildet, d. h. eine typische photoelektrische Vorrichtung mit Sfchottky-

Sperrschicht ist. Wie F i g. 4 zeigt, weist das erfindungsgemäße photoelektrische Halbleiterphotoelemeiit einen ausgezeichneten Energieumwandlungswirkungsgrad im Vergleich zu der üblichen photoelektrischcn
Vorrichtung mit Schottky-Sperrschicht auf. Ferner ist
zu bemerken, daß das photoelektrische Halbleiterbauelement eine Lebensdauer von mehr als einigen jähren
ohne Verschlechterung des Wirkungsgrades hat.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen i<>

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Claims

Die gewünschten Eigenschaften erhält man also nur dann, wenn die isolierschichtdicke bei der Herstellung sehr genau eingehalten wird und während der Lebensdauer auch konstant bleibt Bei einem anderen bekannten Halbleiterphotoelement (US-PS 41 17 506), bei dem ebenfalls eine MIS-Struktur vorhanden ist, hat die Isolierschicht, durch die die Leerlaufspannung erhöht werden, soll, eine Stärke von maximal 5 nm. Bekannt ist ferner ein Halbleiterphotoelement mit Schottky-Sperrschicht, bei dem eine weitere halbleitende Schicht mit vergleichsweise größerem Bandabstand zwischen der halbtransparenten Metallelektrode und der halbleitenden Schicht des Photoelements eingefügt ist (US-PS 40 53 918). Eine Oxidschicht zur Trennung der halbleitenden Schicht des Photoelemehts vorf'der Metallelektrode ist hierbei jedoch nicht vorgesehen. Schließlich ist es bekannt, halbleitende Oxide, wie In2Oj, SnO2, InxSn/)?, ZnO usw. in Solarzellen als Fenster zu benutzen (Solid-State Electronics, Bd. 22, Seiten 988-990,1979). Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterphotoelement der eingangs genannten Art anzugeben, dessen wesentliche elektrische Parameter, insbesondere der Wirkungsgrad für die Energieumwandlung, verbessert sind und das eine gute Lagerbeständigkeit aufweist. Die Lösung dieser Aufgabe besteht erfindungsgemäß darin, daß als Oxidschicht eine halbleitende Oxidschicht Die Erfindung betrifft ein Halbleiierphotoelement, 30 vorgesehen ist und daß die Dicke der halbleitenden bestehend aus einer elektrisch leitenden Unterlage, ei- Oxidschicht zwischen 5 und 50 nm beträgt, ner auf die Unterlage aufgebrachten Schicht aus amor- Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterphotoelement phem Siliciumhydrid (a-Si: H) mit einer Dicke von 0,1 ist der Wirkungsgrad der Energieumwandlung höher als bis 5 μιη, einer auf der Schicht aus amorphem Silicium- bei vergleichbaren Photoelementen mit Schottkyhydrid aufgebrachten Oxidschicht und einer auf der 35 Sperrschicht und insbesondere größer als bei Halblei-Oxidschicht aufgebrachten Metallschicht mit einer Dik- terphotoelementen mit MIS-Aufbau. Außerdem ist die ke von 5 bis 20 nm. Lagerbeständigkeit verbessert, ohne daß die Herstel- Es ist bekannt, Halbleitcrphotoeleniente in Form von kingstechnologie erschwert und die Herstellungskosten Solarzellen unter Verwendung von amorphem Silicium- vergrößert worden wären. Der Grund für die Verbessehydrid (a-Si: H) mit Schottky-Sperrschicht herzustellen 40 rungen wird im folgenden gesehen: Aufgrund eines (US-PS 40 64 521), wobei an der Grenzfläche zwischen Mangels an Sauerstoff kann dort, wo beispielsweise eine TiO2-Schicht als halbleitende Oxidschicht verwendet wird, diese TiOj-Schieht leicht in eine TiO2_A-Schicht umgewandelt werden. Elektronen werden dann von der Schicht aus amorphem Siliciumhydrid in die halbleitendc Oxidschicht des TiO2-* gezogen, die sich in einem Zustand befindet, in dem sie die negativen Ladungen festhalten kann. Dadurch wird das entsprechende Energieband so gebogen, daß die Höhe der Bandkante ver Patentansprüche:

1. Halbleiterphotoelement, bestehend aus einer elektrisch leitenden Unterlage, einer auf die Unterlage aufgebrachten Schicht aus amorphem Siliciumhydrid (a-Si: H) mit einer Dicke von 0,1 bis 5 μιη, einer auf der Schicht aus amorphem Siliciumhydrid aufgebrachten Oxidschicht und einer auf der Oxidschicht aufgebrachten Metallschicht mit einer Dicke von 5 bis 20nm, dadurch gekennzeichnet, daß als Oxidschicht eine halbleitende Oxidschicht (14; 24) vorgesehen ist und daß die Dicke der halbleitenden Oxidschicht (14; 24) zwischen 5 und 50 nm beträgt

2. Halbleiterphotoelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die halbleitende Oxidschicht (14; 24) aus einem oder mehreren der Oxide der aus TiO₂, ZnO, SnO₂, In₂Oj. BaO, SiO, Cu₂O, NiO und FeO bestehenden Gruppe besteht.

3. Halbleiterphotoelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (15; 25) aus einem oder mehreren der Metalle der aus Pt₁Au, Pd, Ni₁Cr, Ir und Rh bestehenden Gruppe besteht.