DE3732619A1 - Photovoltaisches element - Google Patents

Photovoltaisches element

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein photovoltaisches Element gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein derartiges photovoltaisches Element dient zur Umwandlung optischer Energie in elektrische Energie, wobei von besonderer Wichtigkeit ist, daß bei Einhaltung eines hohen anfänglichen Umwandlungswirkungsgrades keine thermische Degradation des Umwandlungswirkungsgrades auftritt.
Ein photovoltaisches Element kann beispielsweise aus amorphem Silizium bestehen, welches aus der Gasphase zum Niederschlag gebracht wird, wobei das betreffende Gas eine Siliziumverbindung, wie SiH₄, Si₂H₆ oder SiF₄ aufweist. Obwohl derartige photovoltaischen Elemente aus amorphem Silizium sehr großflächig mit geringen Kosten hergestellt werden können und demzufolge als Solarbatterien verwendbar sind, tritt bei denselben eine Verschlechterung des Umwandlungsgrades mit der Zeit auf. Es ist dabei bekannt, daß zwei Arten von zeitlichen Verschlechterungen des Umwandlungswirkungsgrades existieren, indem auf der einen Seite eine optische Verschlechterung durch starke Lichteinstrahlung zustandekommt, während auf der anderen Seite eine thermische Verschlechterung auftritt, welche durch hohe Temperaturen bedingt ist. In diesem Zusammenhang wird beispielsweise auf den Konferenzbericht der 18. IEEE-Photovoltaischen Konferenz, 1985, S. 1712-1713, Las Vegas, USA, verwiesen.
Aufgrund der US-PS 44 76 346 und 43 88 482 ist fernerhin ein photovoltaisches Element bekannt, welches im wesentlichen aus einer amorphen Halbleiterschicht besteht, die im Bereich einer Metallelektrode aus einer dotierten Schicht aus hydriertem, amorphem Siliziumnitrid (a-SiN : H) besteht. Diese dotierte Schicht ist jedoch eine einheitliche Schicht und weist keine Unterschichten auf, so wie sie im folgenden beschrieben werden.
Unter Berücksichtigung dieses Standes der Technik ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein im wesentlichen aus amorphem Silizium bestehendes photovoltaisches Element zu schaffen, welches bei Aufrechterhaltung eines ursprünglichen hohen Umwandlungswirkungsgrades eine hohe Festigkeit gegenüber thermischer Degradation des Umwandlungswirkungsgrades besitzt.
Erfindungsgemäß wird dies durch Vorsehen der im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 aufgeführten Merkmale erreicht.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich anhand der Unteransprüche.
Die Erfindung soll nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen näher beschrieben werden, wobei auf die beigefügte Zeichnung Bezug genommen ist. Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht einer ersten Ausführungsform des photovoltaischen Elementes gemäß der Erfindung;
Fig. 2 eine graphische Darstellung der thermischen Degradation des Umwandlungswirkungsgrades des photovoltaischen Elements von Fig. 1 im Vergleich zu einem konventionellen Element, wobei beide auf 120°C gehalten werden;
Fig. 3A bis 3C graphische Darstellungen des Umwandlungswirkungsgrades des photovoltaischen Elementes von Fig. 1, welches während 1000 Stunden bei 120°C gehalten worden ist, wobei innerhalb der ersten n-Subschicht 3 n₁₁ Stickstoff-, Sauerstoff- und Kohlenstoffkonzentrationen vorhanden sind; und
Fig. 4 bis 7 schematische Schnittansichten von abgewandelten Ausführungsformen eines photovoltaischen Elementes gemäß der Erfindung.
Entsprechend Fig. 1 sind auf einem Substrat 1 aus einem transparenten Isolator, wie beispielsweise Glas, eine lichtdurchlässige Vorderelektrode 2 aus einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten aus TCO (transparentes leitfähiges Oxid), wie ITO (Indiumzinnoxid) oder SnO₂, ferner eine Halbleiterschicht 3 für die Aufnahme der durch die Vorderelektrode 2 hindurchfallenden Lichtmenge sowie eine Rückelektrode 4 aufgebracht. Die Rückelektrode 4 kann dabei eine Schicht aus Aluminium oder Silber sein, oder es können übereinandergelagerte Schichten aus Ag/Ti; TCO/Ag oder TCO/Ag/Ti sein.
Die Halbleiterschicht 3 besteht aus einer p-Schicht 3 p, einer i-Schicht 3 i und einer n-Schicht 3 n, welche in dieser Reihenfolge auf der transparenten Vorderelektrode 2 aufgebracht sind, so daß auf diese Weise eine p-i-n-Schichtfolge zustandekommt. Die p-Schicht 3 p kann dabei aus einem amorphen Siliziumcarbid bestehen, welches Wasserstoff enthält und einen weiten Energiebandabstand besitzt, wobei diese Schicht als sogenannte "Fensterschicht" wirkt. Die i-Schicht 3 i kann aus einem nichtdotierten amorphem Silizium bestehen, welches Wasserstoff enthält und dabei hauptsächlich Paare von freien Elektronen und Löchern erzeugt, die beim Einfall von Licht durch die p-Schicht 3 p als elektrische Ladungsträger auftreten. Die n-Schicht 3 n umfaßt eine erste n-Unterschicht 3 n₁₁ und eine zweite n-Unterschicht 3 n₁₂, welche in dieser Reihenfolge auf der i-Schicht 3 i aufgebracht sind.
Die erste n-Unterschicht 3 n₁₁ kann aus einem legierten, amorphem Silizium bestehen, welche als n-Typ-Dotierungsmittel Phosphor enthält, während zusätzlich Wasserstoff als Festlegungsmittel der Haftbindungen (dangling bond) und wenigstens ein Element aus der Gruppe von Stoffen Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff vorhanden sind. Die zweite n-Unterschicht 3 n₁₂ kann hingegeben aus amorphem Silizium bestehen, welches als n-Typ-Dotierungsmittel Phosphor enthält, während Wasserstoff als Mittel für die Haftbindungen (dangling bond) vorhanden ist. Im folgenden soll Wasserstoff enthaltendes amorphes Silizium als hydriertes amorphes Silizium (a-Si : H) bezeichnet werden, während hydriertes amorphes Silizium mit Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff als hydriertes amorphes Siliziumnitrid (a-SiN : H), hydriertes amorphes Siliziumoxid (a-SiO : H) bzw. hydriertes amorphes Siliziumcarbid (a-SiC : H) bezeichnet werden.
Es ist bekannt, daß die chemische Bindungskraft zwischen Silizium und einem der Stoffe Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff stärker ist als die Silizium-Silizium-Bindung (Si-Si). Bei konventionellen photovoltaischen Elementen besteht die n-Schicht aus a-Si : H, welche durch die schwache Si-Si-Bindung strukturiert ist, was zur Folge hat, daß ein bestimmtes Element der rückwärtigen Elektrode in die Halbleiterschichten eindiffundiert, und zu einer thermischen Degradation des Umwandlungswirkungsgrades führt, sobald das jeweilige Element während eines längeren Zeitraums bei einer höheren Temperatur gehalten wird.
Auf der anderen Seite enthält die n-Schicht 3 n des photovoltaischen Elements von Fig. 1 Si-N-, Si-O- und/oder Si-C-Bindungen, welche stärker sind als die Si-Si-Bindungen, was zur Folge hat, daß selbst bei einer ungewünschten Diffusion eines Elements aus der rückwärtigen Elektrode 4 in die zweite n-Unterschicht 3 n₁₂ die erste n-Unterschicht 3 n₁₁ die Diffusion des ungewünschten Elementes blockiert. Die Diffusion des ungewünschten Elementes aus der rückwärtigen Elektrode 4 wird nämlich innerhalb der n-Schicht 3 n blockiert, so daß dasselbe nicht in die i-Schicht 3 i diffundieren kann.
Die Halbleiterschicht 3 kann beispielsweise mit Hilfe eines Plasma-CVD-Verfahrens (chemische Dampfbeaufschlagung) mit einer Hochfrequenzquelle von 13,56 MHz hergestellt werden. Die Tabelle I zeigt dabei Zusammensetzungen von Quellengasen und Schichtdicken für die Schichten 3 p, 3 i und die Unterschichten 3 n₁₁ und 3 n₁₂ der Halbleiterschicht 3. In diesem Fall wird a-SiN : H für die erste n-Unterschicht 3 n₁₁ verwendet. Diese Schichten und Unterschichten können unter Bedingungen zum Niederschlag gebracht werden, bei welchen die Substrattemperaturen im Bereich zwischen 150 und 300°C liegen, die Leistung der Hochfrequenzquelle zwischen 10 und 50 W ist und ein Reaktionsdruck zwischen 0,1 und 0,5 Torr verwendet wird.
Tabelle I
Fig. 2 zeigt die thermischen Degradationskurven A und B des Umwandlungswirkungsgrades in Abhängigkeit der Zeit bei einem photovoltaischen Element gemäß Fig. 1 und einem bekannten Element, wobei beide auf 120°C gehalten sind. Bei dem photovoltaischen Element von Fig. 1 ist die Halbleiterschicht 2 zwischen der vorderen Elektrode 2 aus TCO und einer rückwärtigen Elektrode 4 aus Al angeordnet. Die erste n-Unterschicht 3 n₁₁ bestand dabei aus a-SiN : H mit 25 Atomprozent N und wies eine Dicke von etwa 150 Å auf. Die zweite n-Unterschicht 3 n₁₂ bestand hingegen aus a-Si : H und hatte ebenfalls eine Dicke von etwa 150 Å. Das konventionelle Element war in ähnlicher Weise aufgebaut mit der Ausnahme, daß die n-Schicht als einfache Schicht aus a-Si : H ausgebildet war und eine Dicke von etwa 300 Å aufwies. Die Anfangswerte der Umwandlungswirkungsgrade bei dem in Fig. 1 dargestellten Element und bei dem bekannten Element betrugen 8,99% und 9,05%, war in etwa identische Werte darstellt. In Fig. 2 sind die thermischen Degradationskurven A und B des Umwandlungswirkungsgrades in bezug auf die Anfangswerte normalisiert.
Der Umwandlungswirkungsgrad des Elementes von Fig. 1 wird nach 1000 Stunden nur um etwa 8,72% verringert, was bedeutet, daß das Degradationsverhältnis entsprechend der ausgezogenen Linien A von Fig. 2 nur ungefähr 3% beträgt. Auf der anderen Seite wird der Umwandlungswirkungsgrad des bekannten Elementes im Zeitraum von 1000 Stunden sehr stark auf einen Wert von 2,72% verschlechtert, was zur Folge hat, daß das Degradationsverhältnis entsprechend der gestrichelten Linie B von Fig. 2 einen Wert von etwa 70% aufweist.
Obwohl dies in Fig. 2 nicht dargestellt ist, wurde ebenfalls ein Vergleichselement hergestellt, welches ähnlich wie das Element von Fig. 1 ausgebildet war mit der Ausnahme, daß die n-Schicht als einfache Schicht aus a-SiN : H mit 25 Atomprozent N hergestellt war, wobei die Dicke dieser Schicht ungefähr 300 Å betrug. Obwohl dieses Vergleichselement ein geringes Degradationsverhältnis von 2% des Umwandlungswirkungsgrades nach 1000 Stunden bei 120°C aufwies, war der Absolutwert des Umwandlungswirkungsgrades im Anfangszustand nur 7,15%, welcher nach der zeitlichen Degradation auf den Wert von 7,01% absank.
Es gibt sich somit, daß bei dem Element von Fig. 1 die Unterschicht 3 n₁₁ von a-SiN : H bei der Verhinderung einer thermischen Degradation des Umwandlungswirkungsgrades wirksam ist, während die Unterschicht 3 n₁₂ aus a-Si : H verhindert, daß der Anfangswert des Umwandlungswirkungsgrades verringert wird.
Fig. 3A zeigt den Umwandlungswirkungsgrad des Elements von Fig. 1, nachdem dasselbe während 1000 Stunden bei 120° gehalten worden ist, in Abhängigkeit der Stickstoffkonzentration innerhalb der ersten Unterschicht 3 n₁₁. So wie sich dies anhand der Figur ergibt, wird der Umwandlungswirkungsgrad selbst nach dem Degradationstest innerhalb des Konzentrationsbereiches zwischen 10 und 25 Atomprozent auf einem hohen Wert gehalten. Fig. 3B und 3C sind ähnlich wie Fig. 3A, wobei jedoch der Umwandlungswirkungsgrad in Abhängigkeit der Sauerstoffkonzentration und der Kohlenstoffkonzentration gezeigt werden.
Fig. 4 bis 7 zeigen abgewandelte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen photovoltaischen Elementes, bei welchem nur die n-Schichten 3 n modifiziert sind.
Bei der in Fig. 4 dargestellten zweiten Ausführungsform weist die n-Schicht 3 n, ähnlich wie im Fall von Fig. 1, zwei n-Unterschichten auf, wobei jedoch die erste n-Unterschicht 3 n₂₁ und die zweite n-Unterschicht 3 n₂₂ entgegengesetzt angeordnet sind. Die erste Unterschicht 3 n₂₁ besteht nämlich aus a-SiN : H, a-SiO : H, a-SiC : H oder a-SiNO : H und steht in Berührung mit der rückwärtigen Elektrode 4, während die zweite Unterschicht 3 n₂₂ aus a-Si : H in Berührung mit der i-Schicht 3 i steht.
Bei der in Fig. 5 dargestellten dritten Ausführungsform der Erfindung umfaßt die n-Schicht 3 n drei n-Unterschichten, wobei die zweite n-Unterschicht 3 n₃₂ zwischen zwei ersten n-Unterschichten 3 n₃₁ angeordnet ist.
Bei der in Fig. 6 dargestellten vierten Ausführungsform der Erfindung umfaßt die n-Schicht 3 n, ähnlich wie im Falle von Fig. 5, drei n-Unterschichten, wobei jedoch die erste n-Unterschicht 3 n₄₁ zwischen zwei zweiten n-Unterschichten 3 n₄₂ angeordnet ist.
Bei der in Fig. 7 dargestellten fünften Ausführungsform der Erfindung umfaßt die n-Schicht 3 n mehr als drei Unterschichten, wobei eine erste n-Unterschicht 3 n₅₁ und eine zweite n-Unterschicht 3 n₅₂ abwechselnd auf die i-Schicht 3 i aufgebracht werden. Dabei können eine dieser beiden Unterschichten 3 n₅₁ und 3 n₅₂ unmittelbar auf der i-Schicht 3 i aufgebracht sein. Wenn jedoch die i-n-Berührungseigenschaften berücksichtigt werden, erscheint es zweckmäßig, daß eine der zweiten Unterschichten 3 n₅₂ auf der i-Schicht 3 i aufgebracht werden. Wenn man hingegen die Berührungseigenschaften zwischen der n-Schicht 3 n und der rückwärtigen Elektrode 4 berücksichtigt, erweist es sich ebenfalls als zweckmäßiger, daß eine der zweiten n-Unterschichten 3 n₅₂ unmittelbar mit der rückwärtigen Elektrode 4 in Berührung gelangen. Aus diesem Grunde erweist es sich als zweckmäßig, wenn die n-Schicht 3 n eine gerade Anzahl von Unterschichten 3 n₅₁ und 3 n₅₂ aufweist, welche abwechselnd angeordnet sind, wobei der Anfang mit einer Unterschicht der zweiten Art 3 n₅₂ gemacht wird und wobei mit einer entsprechenden Unterschicht derselben Art die Schichtenfolge beendet wird.
Tabelle II zeigt die Daten der anfänglichen Leerlaufspannung Voc, des anfänglichen Kurzschlußstromes Isc, des anfänglichen Füllfaktors FF, des anfänglichen Umwandlungswirkungsgrades η o, des sich verschlechternden Umwandlungswirkungsgrades η t nach einem Degradationstest während 1000 Stunden bei 120°C und das thermische Degradationsverhältnis (1-η t/η o) bei den fünf verschiedenen Ausführungsformen, in welchem jeweils die ersten n-Unterschichten aus a-SiN : H mit 25 Atomprozent N bestanden. Zu Vergleichszwecken zeigt die Tabelle II ebenfalls die entsprechenden Daten bei dem bekannten Element und dem Vergleichselement. Jedes in der Tabelle II gezeigte Element weist eine n-Schicht n 3 mit einer Dicke von ungefähr 300 Å auf. Bei den fünf verschiedenen Ausführungsformen haben die n-Unterschichten alle dieselbe Dicke. Bei den beiden ersten Ausführungsformen wiesen nämlich die beiden n-Unterschichten jeweils eine Dicke von 150 Å auf, während jede der drei n-Unterschichten bei der dritten und vierten Ausführungsform eine Dicke von ungefähr 100 Å aufwies. Bei der fünften Ausführungsform hingegen bestand die n-Schicht 3 n aus elf n-Unterschichten 3 n₅₁ und 3 n₅₂, welche abwechslungsweise übereinandergelagert wurden, wobei mit einer der zweiten Unterschichten 3 n₅₂ aus a-Si : H angefangen und mit einer entsprechenden Schicht desselben Typus geendet wurde. Jede dieser n-Unterschichten 3 n₅₁ und 3 n₅₂ besaß dabei eine Dicke von ungefähr 27 Å.
Tabelle II
So wie sich dies anhand von Tabelle II ergibt, besitzen die photovoltaischen Elemente gemäß den fünf verschiedenen Ausführungsformen jeweils eine bessere Festigkeit gegenüber thermischer Degradation, ohne daß dabei der anfängliche Umwandlungswirkungsgrad nachteilig beeinflußt wird. Bei der fünften Ausführungsform ergibt sich dabei insbesondere ein sehr hoher absoluter Wert von 9,20% des Umwandlungswirkungsgrades selbst nach Beendigung des Degradationstestes. Es ergibt sich dabei der Eindruck, daß dieser hohe Umwandlungswirkungsgrad durch den Super-Gittereffekt aufgrund der sehr dünnen Unterschichten 3 n₅₁ und 3 n₅₂ bewirkt ist, die abwechselnd übereinandergelagert wurden.
Obwohl bei den beschriebenen Ausführungsformen die Halbleiterschicht 3 eine p-i-n-Verbindung besitzt, so ist die vorliegende Erfindung ebenfalls bei Tandemelementen mit zwei oder mehreren p-i-n-Schichtfolgen verwendbar. Bei einem Tandemelement umfaßt die auf der rückwärtigen Elektrode aufliegende dotierte Halbleiterschicht wenigstens eine der ersten Unterschichten aus a-SiN : H, a-SiO : H, a-SiC : H oder a-SiNO : H und wenigstens eine der zweiten Unterschichten aus a-Si : H.
Die p- und n-Schichten können ebenfalls gegeneinander vertauscht werden. In diesem Fall umfaßt die an der rückwärtigen Elektrode anliegende p-Schicht die verschiedenen p-Unterschichten.

Claims (18)

1. Photovoltaisches Element, bestehend aus einer im wesentlichen aus amorphem Silizium bestehenden Halbleiterschicht (3) mit einer Mehrzahl aus Halbleiterschichten (3 p, 3 i, 3 n), welche wenigstens eine Halbleitertrennschicht ergeben, ferner einer auf der einen Seite der Halbleiterschicht angeordneten transparenten vorderen Elektrode (2) und einer auf der anderen Seite der Halbleiterschicht angeordneten rückwärtigen Elektrode (4), dadurch gekennzeichnet, daß die der rückwärtigen Elektrode (4) benachbarte Halbleiterschicht (3 n) aus wenigstens einer ersten Unterschicht (3 n₁₁, 3 n₂₁, 3 n₃₁, 3 n₄₁, 3 n₅₁) aus einem legierten amorphen Silizium besteht, welches nicht nur Wasserstoff und ein Dotierungsmittel für die eine Leitungsart, sondern ebenfalls wenigstens ein Element aus der Gruppe von Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff enthält, und daß wenigstens eine zweite Unterschicht (3 n₁₂, 3 n₂₂, 3 n₃₂, 3 n₄₂, 3 n₅₂) aus einem amorphen Silizium vorgesehen ist, welches Wasserstoff und ein Dotierungsmittel für die eine Leitungsart enthält.
2. Photovoltaisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Unterschichten abwechselnd übereinander angeordnet sind.
3. Photovoltaisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitertrennschicht eine p-i-n-Anordnung ist.
4. Photovoltaisches Element nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß dasselbe als Tandemelement ausgebildet ist, bei welchem die Halbleiterschicht eine Mehrzahl von p-i-n-Schichten aufweist.
5. Photovoltaisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Unterschicht wenigstens eines der Elemente Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff im Konzentrationsbereich von weniger als 50 Atomprozent enthält.
6. Photovoltaisches Element nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Unterschicht wenigstens eines der Elemente aus der Gruppe Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff, vorzugsweise im Konzentrationsbereich zwischen 3 und 30 Atomprozent, enthält.
7. Photovoltaisches Element nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Unterschicht wenigstens eines der Elemente Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff, vorzugsweise im Konzentrationsbereich zwischen 10 und 25 Atomprozent, enthält.
8. Photovoltaisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die rückwärtige Elektrode (4) eine Schicht enthält, welche aus Aluminium oder Silber besteht.
9. Photovoltaisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die rückwärtige Elektrode (4) aufeinander gelagerte Schichten aufweist, welche aus Ag/Ti, TCO/Ag und TCO/Ag/Ti aufgebaut sind.
10. Photovoltaisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Unterschicht (3 n₁₂, 3 n₂₂, 3 n₃₂, 3 n₄₂, 3 n₅₂) aus amorphem Silizium mit Wasserstoff und einem Dotierungsmittel für die eine Leitungsart unmittelbar mit der rückwärtigen Elektrode (4) in Berührung steht.
11. Photovoltaisches Element nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Unterschichten abwechelnd übereinandergelagert sind.
12. Photovoltaisches Element nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschichtung aus einer p-i-n-Schichtung besteht.
13. Photovoltaisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dasselbe als Tandemelement ausgebildet ist, bei welchem die Halbleiterschicht eine Mehrzahl von p-i-n-Schichtungen aufweist.
14. Photovoltaisches Element nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Unterschicht wenigstens eines der Elemente Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff im Konzentrationsbereich von weniger als 50 Atomprozent enthält.
15. Photovoltaisches Element nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Unterschicht wenigstens ein Element der Gruppe Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff im Konzentrationsbereich zwischen 3 und 30 Atomprozent enthält.
16. Photovoltaisches Element nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Unterschicht wenigstens eines der Elemente Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff im Konzentrationsbereich zwischen 10 und 25 Atomprozent, enthält.
17. Photovoltaisches Element nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die rückwärtige Elektrode (4) eine Schicht aus der Gruppe Al und Ag enthält.
18. Photovoltaisches Element nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die rückwärtige Elektrode (4) aus übereinandergelagerten Schichten aufgebaut ist, die aus der Gruppe von Stoffen Ag/Ti, TCO/Ag und TCO/Ag/Ti aufgebaut sind.
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