DE2812547A1 - Fotoelement - Google Patents
FotoelementInfo
- Publication number
- DE2812547A1 DE2812547A1 DE19782812547 DE2812547A DE2812547A1 DE 2812547 A1 DE2812547 A1 DE 2812547A1 DE 19782812547 DE19782812547 DE 19782812547 DE 2812547 A DE2812547 A DE 2812547A DE 2812547 A1 DE2812547 A1 DE 2812547A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- active area
- photo element
- nanometers
- element according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 9
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 27
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
Dr.-lng. Reimar König · Dipl.-lng. Klaus Bergen
Cecilianallee 76 4 Düsseldorf 3O Telefon 45ΞΟΟΒ Patentanwälte
1».
20. März 1978 32 122 B
RCA Corporation, 30 Rockefeiler Plaza,
New York, N.Y. 10020 (V.St.A.)
"Fotoelement"
Die Erfindung betrifft ein Fotoelement mit einer für Sonnenstrahlung transparenten, eine eine erste Wellenlänge
des Sonnenspektrums nicht reflektierende Einfallfläche aufweisenden Schicht an der Oberfläche und einem
aktiven Bereich im Innern eines Körpers.
In Fotoelementen, z.B. in Solarzellen, hängt der Gesamtwirkungsgrad
der Energieerzeugung direkt von der Effektivität ab, mit der Lichtstrahlung in den aktiven Bereich
der Zelle eingeführt und dort absorbiert wird. Der aktive Bereich eines Fotoelements ist dessen Teil, in dem Lichtstrahlung,
z.B. Sonnenstrahlung, unter Erzeugung von elektrischen Ladungsträgern absorbiert wird. Die Energieerzeugung
einer Solarzelle ist das Ergebnis des Sammelns dieser fotoelektrisch gebildeten Ladungsträger durch
eine in oder auf dem aktiven Bereich vorgesehene Halbleiter-Sperrschicht .
Bei aus einkristallinem Silizium bestehenden Solarzellen ist die Diffusionslänge der Ladungsträger relativ groß,
z.B. bis zu 100 Mikrometern. Jedes innerhalb eines Abstandes
von etwa 100 Mikrometern von der Sperrschicht erzeugte Elektron-Loch-Paar kann daher zur Energieerzeugung
des Fotoelementes beitragen. In diesem Falle ist daher zum wirksamen Einführen des Lichtes in die
809840/0857
Zelle nur eine Breitband-Antireflexions-Schicht auf der Zellenoberfläche erforderlich. In typischen Fällen besteht
eine Antireflexionsschicht aus einem auf die Oberfläche der Zelle aufgebrachten Film aus dielektrischem
Material, welches die Lichtreflexion vermindert, so daß der Anteil des in die Zelle eindringenden Lichtes vergrößert
ist.
Bei Fotoelementen mit einem aktiven Dünnschichtbereich mit wenigen Mikrometern Dicke ist die Diffusionslänge von
fotoelektrisch erzeugten Ladungsträgern gegenüber der Diffusionslänge in Fotoelementen mit dickeren aktiven Bereichen
aus gutem Kristallmaterial, z.B. einkristallinem Silizium, erheblich geringer. Das rührt daher, daß das
Dünnschicht-Material eine geringe Trägerbeweglichkeit hat, weil es polykristallin oder amorph ist. Fotoelemente können
einen aktiven Dünnschicht-Bereich aus amorphem Silizium aufweisen, das durch Glimmentladung in Silan hergestellt
ist. Die Diffusionslänge von Löchern in amorphem, durch Glimmentladung in Silan gebildetem Silizium beträgt
beispielsweise nur etwa 0,3 Mikrometer, während die Diffusionslänge von Löchern in einkristallinem Silizium bei
etwa 100 Mikrometer liegt. Die beschriebenen Fotoelemente mit aktiven Dünnschicht-Bereichen sind ^jedoch in der Regel
mit weniger Aufwand herzustellen als Bauelemente mit dickeren aktiven Bereichen höherer kristalliner Qualität,
so daß durch Verwendung von aktiven DUnnschicht-Bereichen ein erheblicher wirtschaftlicher Vorteil zu erzielen ist.
Das Sonnenspektrum - Luftmasse 1 (AM1) - (air mass one
(AM1) solar spectrum) enthält einen beträchtlichen Teil seiner Energie in Photonen mit Wellenlängen über 600
Nanometern. Diese Wellenlängen werden als Langwellenbereich des Sonnenspektrums bezeichnet. Sonnenstrahlen
809840/0857
- T-
' 2817547
mit Wellenlängen von mehr als 600 Nanometern führen in vielen zum Bilden von aktiven Dünnschicht-Bereichen verwendeten
Materialien, einschließlich amorphem durch Glimmentladung in Silan hergestelltem Silizium, zu optischen
Absorptionslängen, die die Diffusionslänge der in diesen Materialien erzeugten Ladungsträger übertreffen. Wenn also
eine Solarzelle mit aktivem Dünnschicht-Bereich nach denselben Konstruktionsprinzipien hergestellt wird, wie das
für dickere aktive Bereiche von Solarzellen bekannt ist, bedeutet das, daß der Wirkungsgrad der Zelle mit aktivem
Dünnschicht-Bereich vermindert ist, weil nur ein kleiner Teil des langwelligen Bereichs des Sonnenspektrums in
dem aktiven Dünnschicht-Bereich absorbiert werden kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Fotoelement mit einem aktiven Dünnschicht-Bereich zu schaffen, das eine
verbesserte Absorption des längerwelligen Bereichs des Sonnenspektrums aufweist. Durch die Erfindung werden die
Anti-Reflexiönsbedingungen von Fotoelementen verbessert
und können insbesondere die Anti-Reflexionseigenschaften
solcher einen aktiven Dünnschicht-Bereich aufweisenden Bauelemente fein abgestimmt werden. Die erfindungsgemäße
Lösung der Aufgabe ist gekennzeichnet durch eine durch Wahl der Gesamtschichtdicke von transparenter Schicht und
aktivem Bereich auftreffende Sonnenstrahlen einer längeren als die erste Wellenlänge, ebenfalls vorbestimmten zweiten
Wellenlänge des Sonnenspektrums nicht reflektierende Einfallfläche
.
Ein erfindungsgemäßes Fotoelement besteht also aus einem Körper mit einem, aktiven Bereich und einer transparenten
Schicht mit einer Einfallfläche zum Sammeln der Sonnenstrahlung. Die Dicke der transparenten Schicht ist so
gewählt, daß die Einfallfläche für Sonnenstrahlung einer
809840/0857
-X-
ersten Wellenlänge nicht reflektierend ist. Ferner soll die kombinierte Dicke bzw. die Gesamtdicke von transparenter
Schicht und aktivem Bereich erfindungsgemäß so ausgewählt sein, daß die Einfallfläche für eine zweite, längere
Wellenlänge nicht reflektierend ist.
Anhand der schematischen Darstellung von Ausführungsbeispielen
und Diagrammen werden weitere Einzelheiten der Erfindung erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel des Fotoelementes;
Fig. 2 ein Diagramm des Reflexionsvermögens in Abhängigkeit
von der Wellenlänge der Sonnenstrahlung für das erfindungsgemäße
Fotoelement;
Fig. 5 ein Diagramm mit Vergleichskurven des Wirkungsgrades
einer herkömmlichen und einer erfindungsgemäßen Solarzelle; und
Fig. 4 ein zweites Ausführungsbeispiel des Fotoelementes.
In Fig.· 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Fotoelementes 10 dargestellt, und zwar eine Schottky-(Grenzschicht)-Solarzelle. Das erfindungsgemäße Bauelement
kann irgendeine Solarzelle oder ein Fotodetektor sowie ein anderer Halbleiter-Sperrschichtaufbau, ζ.B0 ein Bauelement
mit einem PN-Übergang, einem PIN-Übergang oder einem HeteroÜbergang sein.
Das Fotoelement 10 besteht aus einem Körper 11 mit einem aktiven Dünnschicht-Bereich 12. Letzterer weist eine Dicke
von ungefähr 0,1 bis 10 Mikrometern auf. Der aktive Bereich ist der Teil des Körpers 11, in dem Sonnenstrahlen
unter Erzeugung von Ladungsträgern absorbiert werden
H09840/0857
können. Er besteht aus einem Dünnschicht-Halbleitermaterial mit guten optischen Absorptionseigenschaften.
Im Ausführungsbeispiel ist angenommen, daß der aktive Bereich 12 aus amorphem, durch Glimmentladung in Silan
gebildetem Silizium besteht. Der aktive Bereich 12 kann jedoch auch aus anderem Dünnschicht-Halbleitermaterial,
z.B. polykristallinem Galliumarsenid oder Kadmiumtellurid, bestehen.
Eine Oberfläche des aktiven Bereichs 12 grenzt an ein Substrat 14 an. Letzteres besteht aus einem auftreffende
Sonnenstrahlen reflektierenden und den aktiven Bereich elektrisch gut kontaktierenden Material, z.B. Aluminium.
Das Substrat 14 stellt einen elektrischen Kontakt des aktiven Bereichs 12 dar.
Auf einer dem Substrat 14 gegenüberliegenden Oberfläche des aktiven Bereichs 12 liegt, angrenzend an letzteren,
ein Metallfilm 18. Es handelt sich hierbei um einen geschlossenen Film aus einem Metall, das zum Bilden eines
Schottky-Kontaktes (sperrender Kontakt), z.B. einer Oberflächen-Sperrschicht,
mit dem amorphen Silizium an der Oberfläche 13 des aktiven Bereichs 12 geeignet ist. In
typischen Fällen ist undotiertes amorphes Silizium leicht N-leitend, der Metallfilm 18 soll daher aus einem Metall
mit hoher Austrittsarbeit, z.B. mit einer Austrittsarbeit
von 4,5 eV oder größer, bestehen, um den sperrenden Schottky-Kontakt zu bilden. Geeignete Metalle mit hoher
Austrittsarbeit sind Platin, Indium, Rhodium und Palladium. Außerdem soll der Metallfilm 18 so dünn sein, daß er wenigstens
semitransparent gegenüber Sonnenstrahlung ist, und er soll einen relativ niedrigen elektrischen Flächenwiderstand
aufweisen. Aus der Forderung nach der Transparenz und dem niedrigen Flächenwiderstand des Metallfilms
809840/0857
18, der außerdem eine kontinuierliche Schicht darstellen soll, kann der Fachmann die erforderliche Dicke des Metallfilms
bestimmen.
Auf der dem aktiven Bereich 12 gegenüberliegenden Seite
des Metallfilms 18 ist eine transparente Schicht 20 vorgesehen, die eine Einfallfläche 22 aufweist, durch die
Sonnenstrahlen 24 in den Körper 11 eindringen können. Die transparente Schicht 20 besteht aus einem im wesentlichen
für Sonnenstrahlung durchlässigen Material, z.B. dielektrischem Material, wie Titandioxid, Zirkonoxid oder Siliziumnitrid.
Das Absorptionsprofil für Sonnenstrahlung eines aus durch
Glimmentladung in Silan gebildetem Silizium bestehenden aktiven Bereichs 12 zeigt, daß Sonnenstrahlen im Bereich
von etwa 350 bis etwa 500 Nanometern in dem aktiven Bereich 12 stark absorbiert werden. Dieser Wellenlängenbereich
wird im folgenden als Hochabsorptionsbereich bezeichnet. Die Absorption des aus amorphem Silizium bestehenden aktiven
Bereichs 12 nimmt jedoch bei Sonnenstrahlen mit Wellenlängen von mehr als 500 Nanometern ab. Dieser Bereich
mit größeren Wellenlängen wird im folgenden als Schwachabsorptionsbereich bezeichnet.
Eine Aufgabe der transparenten Schicht 20 ist es sicherzustellen, daß auf die Einfallfläche 22 auftreffende Sonnenstrahlung
des Hochabsorptionsbereichs im Absorptionsprofil von amorphem Silizium im wesentlichen nicht reflektiert
wird. Die Dicke der transparenten Schicht 20 soll daher so gewählt werden, daß die Einfallfläche 22
für Sonnenstrahlen einer ersten vorbestimmten Wellenlänge des Hochabsorptionsbereiches nicht reflektierend ist.
Die erste vorbestimmte Wellenlänge wird so gewählt, daß
809840/0857
ein maximaler Anteil der Sonnenstrahlung des Hochabsorptionsbereichs
in dem aktiven Bereich 12 - als Folge dieser ersten Anti-Reflexionsbedingung - absorbiert wird. Die Dicke
des Metallfilms 12 kann die Dicke der transparenten Schicht 20 in geringem Maße beeinflussen. Die Dicke des Metallfilms
18 soll daher bei der ersten Anti-Reflexionsbedingung berücksichtigt werden.
Mit größtem Vorteil wird erfindungsgemäß die kombinierte Dicke bzw. Gesamtdicke von transparenter Schicht 20 und
aktivem Bereich 12 so auf eine zweite vorbestimmte Wellenlänge im Schwachabsorptxonsbereich abgestimmt, daß das
Absorptionsvermögen des Fotoelements 10 in diesem Schwachabsorptionsbereich verbessert wird. Die zweite vorbestimmte
Wellenlänge wird im Hinblick auf ein Maximieren des in dem aktiven Bereich 12 absorbierten Anteils an Sonnenstrahlung
des Schwachabsorptionsbereichs ausgewählt. Diese verbesserte Absorption ist die Folge einer zweiten an der Einfallfläche
22 eingestellten Anti-^Reflexionsbedingung für Sonnenstrahlen
aus dem Schwachabsorptionsbereich,
Bei Verwendung eines aus amorphem, durch Glimmentladung in Silan hergestelltem Silizium bestehenden aktiven Bereichs
12 soll die transparente Schicht 20 vorzugsweise eine solche Dicke aufweisen, daß sie eine Anti-Reflexionsschicht für
Sonnenstrahlen von etwa 500 Nanometern Wellenlänge (die erste vorbestimmte Wellenlänge) bildet. Gleichzeitig soll
die kombinierte Dicke bzw, Gesamtdicke von aktivem Bereich 12 und transparenter Schicht 20 so groß sein, daß diese
Schichten gemeinsam infolge ihrer Gesamtdicke als Anti-Reflexions
schicht gegenüber Sonnenstrahlen von etwa 650 Nanometern Wellenlänge (die zweite vorbestimmte Wellenlänge)
fungieren. Die zweite vorbestimmte Wellenlänge
809840/0857
soll dabei größer sein als die erste vorbestimmte Wellenlänge
.
Wie für das Herstellen von Anti-Reflexionsschichten bzw.
das Einstellen von Anti-Reflexionsbedingungen bekannt ist, wird eine spezielle Wellenlänge einer Strahlung ausgewählt,
so daß wegen der Anti-Reflexionsbedingung bei der vorbestimmten Wellenlänge eine geringe Reflexion an der
Einfallfläche auftritt. Sonnenstrahlen mit einer Wellenlänge in der Nähe der vorbestimmten Wellenlänge, d.h. mit
geringfügig längerer oder kürzerer Wellenlänge, werden dann ebenfalls an der Einfallfläche relativ schwach reflektiert.
Je weiter ab jedoch die jeweilige Wellenlänge der Strahlung von der vorbestimmten Wellenlänge ist, umso
höher ist das Reflexionsvermögen an der Einfallfläche. Es
wird nun auf Fig. 2 Bezug genommen,, Die erste und zweite
vorbestimmte Wellenlänge sind hierbei 500 bzw. 650 Nanometer.
Es zeigt sich, daß das Reflexionsvermögen der Einfallfläche 22 auch noch für Sonnenstrahlung im Wellenlängenbereich
von 425 bis 675 Nanometer relativ gering ist.
Wenn bei Betrieb des Fotoelements 10 Sonnenstrahlen mit Wellenlängen in der Nähe der zweiten vorbestimmten Wellenlänge
auf ihrem ersten Weg durch den aktiven Bereich 12 in letzterem nicht absorbiert werden, können die
Strahlen an dem Substrat 14 zurück in den aktiven Bereich 12 reflektiert und auf dem zweiten Weg durch den aktiven
Bereich 12 in diesem absorbiert werden. Wenn jedoch solche Sonnenstrahlen mit Wellenlängen in der Nähe der
zweiten vorbestimmten Wellenlänge auch auf dem zweiten Weg durch den aktiven Bereich 12 nicht absorbiert werden,
kann die Strahlung auch nicht an der Einfallfläche 22 das Fotoelement 10 verlassen, weil die Einfallfläche
8U984Q/0857
22 gegenüber Sonnenstrahlen mit Wellenlängen in der Nähe der zweiten vorbestimmten Wellenlänge nicht reflektierend
ist. Diese in dem aktiven Bereich 12 wenig absorbierten
Sonnenstrahlen werden daher im wesentlichen in der transpa renten Schicht 20 und in dem aktiven Bereich 12 eingefangen,
wodurch die Wahrscheinlichkeit einer eventuellen Absorption in dem aktiven Bereich 12 verbessert wird.
Dieses Einfangen der Sonnenstrahlung tritt normalerweise nicht hinsichtlich der ersten vorbestimmten Wellenlänge
im Hochabsorptionsbereich auf, da die entsprechende Strahlung in der Regel bei ihrem ersten Durchgang durch
den aktiven Bereich 12 in diesem absorbiert wird.
In Fig. 3 ist in einem Diagramm der Wirkungsgrad der Absorption
von Sonnenstrahlen einer herkömmlichen Solarzelle mit einem aus amorphem, durch Glimmentladung in
Silan hergestellten Silizium bestehenden aktiven Bereich mit einem erfindungsgemäßen Fotoelement 10 verglichen.
Die untere gleichmäßig durchgehende Linie in Fig. 3 zeigt die Absorptionskurve für Sonnenstrahlung bei einer konventionellen
Solarzelle mit amorphem Silizium, während die obere, teilweise wellenförmige und teilweise mit der ersten
Linie übereinstimmende Linie die Absorptionskurve für Sonnenstrahlung des erfindungsgemäßen Fotoelements
10 wiedergibt. Die für die Vergleichsmessung herangezogene herkömmliche Solarzelle besaß einen aktiven Bereich
aus amorphem, durch Glimmentladung in Silan hergestelltem Silizium von annähernd 10 Mikrometern Dicke. Der aktive
Bereich grenzte dabei flächig an ein Substrat aus einem Material wie Aluminium an. Auf einer dem rückseitigen
Kontakt gegenüberliegenden Oberfläche des aktiven Bereichs befand sich ein Metallfilm aus Platin. Dieser bildete mit
dem aktiven Bereich einen sperrenden Schottky-Kontakt und hatte eine Dicke von annähernd 7,5 Nanometern. Auf der
809840/0857
- ijar-
r 2817547
r 2817547
dem aktiven Bereich gegenüberliegenden Oberfläche des Metallfilms befand sich flächig an letzteren angrenzend,
eine Anti-Reflexionsschicht aus Titandioxid (TiOp) von etwa 34 Manometern Dicke, derart, daß eine Anti-Reflexions
bedingung für Sonnenstrahlung bei Wellenlängen von etwa 500 Nanometern eingestellt war.
Bei dem zum Erstellen des Diagramms gemäß Fig. 3 benutzten erfindungsgemäßen Fotoelement 10 waren eine transparente
Schicht 20 und ein Metallfilm 18 aus den gleichen Materialien und mit den gleichen Schichtdicken wie bei
der vorbeschriebenen herkömmlichen Solarzelle benutzt worden. Die Anti-Reflexionsbedingung für 500 Nanometer
wurde daher aufrechterhalten. Jedoch hatte der aktive Bereich 12 eine Dicke von etwa 325 Nanometern und es
wurde ein Substrat aus Aluminium verwendet, welches reflektierend wirkt. Diese besondere Dicke des aktiven
Bereichs 12 wurde im Hinblick darauf gewählt, daß durch
die gesamte Dicke bzw. kombinierte Dicke von transparenter Schicht 20 und aktivem Bereich 12 eine zweite Reflexionsbedingung für Sonnenstrahlen von etwa 650 Nanometern
Wellenlänge eingestellt war. Der resultierende Anstieg der Absorption des solaren Photonenflusses ergibt sich
deutlich aus Fig. 3· Die Zunahme der Absorption ist
dort durch den schraffierten Bereich unterhalb der für das erfindungsgemäße Fotoelement 10 geltenden Kurve
repräsentiert. Der Wirkungsgrad der Absorption von solaren Photonen liegt bei herkömmlichen Solarzellen mit
einem aktiven Bereich aus amorphem Silizium etwa bei 28%, derjenige eines erfindungsgemäßen Fotoelements
beträgt dagegen etwa 33%. Das bedeutet einen Gewinn von
18% gegenüber dem ursprünglichen Wirkungsgrad der herkömmlichen Solarzelle.
809840/0857
Zum Herstellen des Fotoelements 10 wird das beispielsweise aus Aluminium bestehende Substrat 14 in einen üblichen
Glimmentladungs-Apparat gesetzt. Die Glimmentladung wird dann in einer im wesentlichen aus Silan bestehenden
Atmosphäre durchgeführt und dabei der aktive Bereich aus amorphem Silizium auf dem Substrat 14 niedergeschlagen.
Das Substrat 14 und der aktive Bereich 12 werden anschließend in einen üblichen Verdampfer gebracht, und
es wird ein Metallfilm 18 auf den aktiven Bereich abgeschieden. Schließlich wird die transparente Schicht 20
auf dem Metallfilm 18 niedergeschlagen.
In Fig. 4 ist ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen
Fotoelements insgesamt mit 110 bezeichnet. Ebenso wie beim ersten Bauelement sei angenommen,
daß das Fotoelement 110 beispielsweise eine Schottky-Grenzschicht-Solarzelle
ist. Die Solarzelle 110 besteht aus einem Körper 111, der einen aktiven Dünnschicht-Bereich
112 aus einem Dünnfilm-Halbleitermaterial mit guten optischen Absorptionseigenschaften enthält. Zur
Erläuterung der Erfindung sei wiederum angenommen, daß der aktive Bereich 112 aus amorphem, durch Glimmentladung
in Silan hergestelltem Silizium besteht. Anders als beim ersten Ausführungsbeispiel enthält der aktive
Bereich 112 eine in der Regel aus amorphem, durch Glimmentladung in Silan hergestelltem Silizium bestehende
erste Schicht 113» die undotiert ist. Zu dem aktiven
Bereich 112 gehört ferner eine aus dotiertem amorphem Silizium hergestellte zweite Schicht 115. Letztere kann
durch Glimmentladung in einer Mischung von Silan und einem Dotiergas hergestellt werden und sail flächig
an die erste Schicht 113 angrenzen. Die zweite Schicht
115 ist vorzugsweise stark dotiert, beispielsweise enthält sie 0,1 Atomprozent Phosphor. Wenn die erste Schicht
809840/0857
AB-
113 etwa 300 Nanometer dick ist, soll die zweite Schicht
115 normalerweise etwa 20 Nanometer Dicke haben. Der aktive Bereich 112 und speziell die erste Schicht 113
liegt unmittelbar auf einer Oberfläche eines Substrats 114. Ebenso wie das Substrat 14 des ersten Ausführungsbeispiels besteht das Substrat 114 aus einem Sonnenstrahlung
reflektierenden Material. Das Material des Substrats 114 soll aber außerdem geeignet sein, einen
Schottky-Kontakt, d.h. eine Oberflächen-Sperrschicht, mit dem aktiven Bereich 112 zu bilden. Geeignete Materialien
zum Herstellen des Substrats 114 sind Metalle wie Rhodium, Iridium oder Platin.
Auf einer dem Substrat 114 gegenüberliegenden Oberfläche der zweiten Schicht 115 liegt eine Metallschicht 117. Für
letztere wird ein die zweite Schicht 115 elektrisch, vorzugsweise ohmisch, gut kontaktierendes Material ausgewählt.
Ein Beispiel für ein solches Material ist Platin. Die Metallschicht 117 soll außerdem für Sonnenstrahlung
im wesentlichen transparent sein und im allgemeinen eine relativ geringe Dicke von z.B. 5 Nanometern aufweisen.
Auf einer Oberfläche der Metallschicht 117 ist eine für Sonnenstrahlen transparente Schicht 120 mit einer Einfallfläche
122 vorgesehen. Ebenso wie die transparente Schicht 20 des ersten Ausführungsbeispiels ist die
transparente Schicht 120 für Sonnenstrahlen im wesentlichen durchlässig, die transparente Schicht 120 soll
jedoch außerdem geeignet sein, einen guten elektrischen Kontakt mit der Metallschicht 117 zu bilden. Ein Material,
mit dessen Hilfe diese Forderungen bei der transparenten Schicht 120 erfüllt werden können, ist z.B.
Indiumzinnoxid.
809840/0857
Der Zweck der Metallschicht 117 besteht darin, einen elektrischen Kontakt, nicht aber einen gleichrichtenden
Übergang zwischen der transparenten Schicht 120 und dem aktiven Bereich 112 zu bilden. Eine stark dotierte
Schicht, wie die an die Metallschicht 117 angrenzende zweite Schicht 115, stellt einen guten elektrischen Kontakt
zwischen der Metallschicht 117 und dem aktiven Bereich 112 dar. Da das undotierte amorphe Silizium der
ersten Schicht 113 leicht N-leitend ist, soll die zweite Schicht 115 denselben Leitungstyp wie die erste Schicht
113 aber mit höherer Störstellenkonzentration aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Schicht 115 mit einem N-Dotiermittel,
wie Phosphor, dotiert sein.
Ebenso wie beim ersten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel soll die transparente Schicht 120 der Solarzelle
110 eine solche Dicke aufweisen, daß die für eine erste vorbestimmte Wellenlänge geltende erste Anti-Reflexionsbedingung
an der Einfallfläche 122 eingestellt ist. Ferner soll die Gesamtdicke bzw. die kombinierte Dicke von
transparenter Schicht 120 und aktivem Bereich 112 so ausgewählt werden, daß eine zweite Reflexionsbedingung für eine
zweite vorbestimmte Wellenlänge an der Einfallfläche 122 ebenfalls gilt. Es sei ferner darauf hingewiesen, daß ebenfalls
ähnlich wie beim ersten Ausführungsbeispiel die Dicke der Metallschicht 117 die Dicke der transparenten
Schicht 120 zum Einstellen der ersten Anti-Reflexionsbedingung in geringem Umfang beeinflußt.
Es wurde zwar gesagt, daß beim zweiten Ausführungsbeispiel eine eine elektrische Gleichrichtung zwischen der transparenten
Schicht 120 und dem aktiven Bereich 112 verhindernde Metallschicht 117 vorgesehen ist, diese Gleichrichtung kann
809840/0857
28125A7
aber auch durch die dotierte zweite Schicht 115 allein,
d. h. ohne die Metallschicht 117, ausgeschlossen werden.
Das erste und das zweite erfindungsgemäße Ausführungsbeispiel unterscheiden sich im wesentlichen durch die
Lage der Schottky-Sperrschicht in dem Körper 11 bzw. 111. Die Betriebsweise des zweiten Ausführungsbeispiels
ist im wesentlichen dieselbe wie beim ersten Ausführungsbeispiel.
Eine Solarzelle 110 mit einem aktiven Bereich 112 aus amorphem, durch Glimmentladung in Silan hergestelltem
Silizium, einem Substrat 114 aus Platin, einer Metallschicht 117 von etwa 5 Nanometern Dicke, einer transparenten
Schicht 120 aus Indiumzinnoxid von etwa 52,5 Nanometern Dicke erfüllt eine erste Antireflexionsbedingung
bei einer Wellenlänge von etwa 500 Nanometern. Weiterhin soll die Dicke des aktiven Bereichs 112 etwa
320 Nanometer betragen, derart, daß die kombinierte Dicke von aktivem Bereich 112 und transparenter Schicht
120 eine zweite Anti-Reflexionsbedingung an der Einfallfläche 122 für Sonnenstrahlen mit einer Wellenlänge
von etwa 650 Nanometern erfüllt«
Zum Herstellen der Solarzelle 110 wird ein beispielsweise aus Platin bestehendes Substrat 114 in eine herkömmliche
Glimmentladungs-Vorrichtung gegeben. Zum Niederschlagen der ersten Schicht 113 wird die Glimmentladung
in einer im wesentlichen aus Silan bestehenden Atmosphäre gezündet. Nach dem Bilden der ersten Schicht
II3 wird zum Niederschlagen der zweiten Schicht 115 ein
Dotier^gas, zum Beispiel Phosphin, in die Glimmentladungs Atmosphäre eingeleitet. Das Substrat 114 und der aktive
809840/0857
Bereich 112 werden anschließend in einen üblichen Verdampfer gebracht, um die Metallschicht 117 und die
transparente Schicht 120 aufzubringen.
Im ersten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel sind die elektrischen Kontaktiermittel des aktiven Bereichs
12 das Substrat 14 einerseits und der Metallfilm 18 andererseits. Im zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel sind die elektrischen Kontaktiermittel des aktiven
Bereichs 112 das Substrat 114 einerseits und die transparente Schicht 120 in Reihe mit der Metallschicht
117 andererseits.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß die Oberfläche des mit dem aktiven Bereich kontaktierten Substrats sowohl
im ersten als auch im zweiten Ausführungsbeispiel aufgerauht oder winklig sein kann, damit die Einfallfläche nicht
absorbierte Sonnenstrahlen besser einfangen kann.
Durch die Erfindung sind für Fotoelemente Konstruktionskriterien für Anti-Reflexionsbedingungen geschaffen worden,
die zu einem höheren Wirkungsgrad hinsichtlich der Absorption von solaren Photonen führen.
809840/0857
eerse
Claims (11)
- RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N.Y. 10020 (V.St.A.)Patentansprüche:Fotoelement mit einer für Sonnenstrahlung transparenten, eine eine erste Wellenlänge des Sonnenspektrums nicht reflektierende Einfallfläche aufweisenden Schicht an der Oberfläche und einem aktiven Bereich im Innern eines Körpers, gekennzeichnet durch eine durch Wahl der Gesamtschicht-Dicke von transparenter Schicht (20, 120) und aktivem Bereich (12, 112) auftreffende Sonnenstrahlen (24) einer längeren als die erste Wellenlänge, ebenfalls vorbestimmten zweiten Wellenlänge des Sonnenspektrums nicht reflektierende Einfallfläche (22, 122).
- 2. Fotoelement nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen zwischen die transparente Schicht (20) und den aktiven Bereich (12) eingefügten und eine Oberflächensperrschicht mit dem aktiven Bereich bildenden Metallfilm (18).
- 3. Fotoelement nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeich net durch ein auf der der transparenten Schicht■ (20) gegenüberliegenden Fläche den aktiven Bereich (12) berührendes und kontaktierendes durch den aktiven Bereich hindurchfallende Sonnenstrahlung reflektierendes Substrat (14).809840/0857
- 4. Fotoelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet daß der aktive Bereich (12) aus amorphem, durch Glimmentladung in Silan gebildetem Silizium besteht, und daß die erste vorbestimmte Wellenlänge etwa 500 Nanometer und die zweite vorbestimmte Wellenlänge etwa 650 Nanometer beträgt.
- 5. Fotoelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des aktiven Bereichs (12) etwa 325 Nanometer beträgt, daß die transparente Schicht (20) aus Titandioxid besteht und etwa 34 Nanometer dick ist und daß der Metallfilm (18) aus Platin besteht und etwa 7,5 Nanometer dick ist»
- 6. Fotoelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der aktive Bereich (112) aus einer ersten (113) und einer zweiten (115) Schicht besteht, daß die beiden Schichten (113, 115) denselben Leitungstyp besitzen und daß die zweite Schicht (115) eine höhere Ladungsträgerkonzentration als die erste Schicht aufweist (Fig. 4).
- 7. Fotoelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die transparente Schicht (120) und die zweite (115) Schicht des aktiven Bereichs (112) eine an diese Schicht angrenzende und sie elektrisch gut kontaktierende Metallschicht (117) eingefügt ist.
- 8. Fotoelement nach Anspruch 6 oder 7, gekennzeich net durch ein der transparenten Schicht (120)B0984Q/08 5 7gegenüber an die erste Schicht (113) des aktiven Bereichs (112) mit einer Oberflächensperrschicht angrenzendes und durch den aktiven Bereich (112) hindurchfallende Sonnenstrahlen reflektierendes Substrat (114).
- 9. Fotoelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (113) des aktiven Bereichs (112) aus durch Glimmentladung in Silan gebildetem, amorphem Silizium und die zweite Schicht (115) des aktiven Bereichs (112) aus durch Glimmentladung in einer Mischung aus Silan und einem Dotiergas gebildetem dotiertem, amorphem Silizium besteht und daß die erste vorbestimmte Wellenlänge etwa 500 Nanometer und die zweite vorbestimmte Wellenlänge etwa 650 Nanometer beträgt.
- 10. Fotoelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des aktiven Bereichs (112) etwa 320 Nanometer beträgt und daß die transparente Schicht (120) aus Indiumzinnoxid besteht und etwa 52,5 Nanometer dick ist.
- 11. Fotoelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, gekennzeichnet durch einen als 0,1 bis 10 Mikrometer starke Dünnschicht ausgebildeten aktiven Bereich (12, 112)„9so;■: U 9 8 U 0 / 0 8 5 7
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US78219077A | 1977-03-28 | 1977-03-28 | |
US05/848,250 US4126150A (en) | 1977-03-28 | 1977-11-03 | Photovoltaic device having increased absorption efficiency |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2812547A1 true DE2812547A1 (de) | 1978-10-05 |
DE2812547C2 DE2812547C2 (de) | 1990-07-19 |
Family
ID=27119964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782812547 Granted DE2812547A1 (de) | 1977-03-28 | 1978-03-22 | Fotoelement |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5850034B2 (de) |
AU (1) | AU517084B2 (de) |
DE (1) | DE2812547A1 (de) |
EG (1) | EG13199A (de) |
ES (1) | ES468085A1 (de) |
FR (1) | FR2386143A1 (de) |
GB (1) | GB1597037A (de) |
HK (1) | HK77286A (de) |
IT (1) | IT1092849B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3023165A1 (de) * | 1980-06-20 | 1982-01-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Solarzelle aus amorphem silizium |
EP0054737A2 (de) * | 1980-12-22 | 1982-06-30 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterbauelement für die Umsetzung von Licht in elektrische Energie |
DE3936666A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-23 | Canon Kk | Geschichtete photovoltaische vorrichtung mit antireflexschicht |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4163677A (en) * | 1978-04-28 | 1979-08-07 | Rca Corporation | Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier |
JPS56152276A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Teijin Ltd | Solar cell made of amorphous silicon thin film |
IL67926A (en) * | 1982-03-18 | 1986-04-29 | Energy Conversion Devices Inc | Photo-voltaic device with radiation reflector means |
DE3234096A1 (de) * | 1982-09-14 | 1984-03-15 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Bauelemente und arrays aus silizium zur detektion von infrarotem licht |
JPS5976481A (ja) * | 1982-10-25 | 1984-05-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置 |
US4497974A (en) * | 1982-11-22 | 1985-02-05 | Exxon Research & Engineering Co. | Realization of a thin film solar cell with a detached reflector |
AU576594B2 (en) * | 1984-06-15 | 1988-09-01 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Heat-resistant thin film photoelectric converter |
JPH0537484Y2 (de) * | 1987-11-30 | 1993-09-22 | ||
JPH01175269A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Nippon Mining Co Ltd | 太陽電池 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3176679A (en) * | 1963-10-09 | 1965-04-06 | Engelhard Ind Inc | Solar energy collector |
DE2405587A1 (de) * | 1973-02-13 | 1974-08-15 | Communications Satellite Corp | Sonnenzelle und verfahren zu ihrer herstellung |
DE2609051A1 (de) * | 1975-03-07 | 1976-09-16 | Rca Corp | Solarzelle |
DE2632987A1 (de) * | 1975-07-28 | 1977-02-10 | Rca Corp | Halbleiterbauelement |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3533850A (en) * | 1965-10-13 | 1970-10-13 | Westinghouse Electric Corp | Antireflective coatings for solar cells |
US3973994A (en) * | 1974-03-11 | 1976-08-10 | Rca Corporation | Solar cell with grooved surface |
-
1978
- 1978-02-28 IT IT20753/78A patent/IT1092849B/it active
- 1978-02-28 EG EG117/78A patent/EG13199A/xx active
- 1978-03-21 ES ES468085A patent/ES468085A1/es not_active Expired
- 1978-03-22 DE DE19782812547 patent/DE2812547A1/de active Granted
- 1978-03-23 AU AU34443/78A patent/AU517084B2/en not_active Expired
- 1978-03-23 GB GB11626/78A patent/GB1597037A/en not_active Expired
- 1978-03-27 JP JP53035944A patent/JPS5850034B2/ja not_active Expired
- 1978-03-28 FR FR7808858A patent/FR2386143A1/fr active Granted
-
1986
- 1986-10-16 HK HK772/86A patent/HK77286A/xx unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3176679A (en) * | 1963-10-09 | 1965-04-06 | Engelhard Ind Inc | Solar energy collector |
DE2405587A1 (de) * | 1973-02-13 | 1974-08-15 | Communications Satellite Corp | Sonnenzelle und verfahren zu ihrer herstellung |
DE2609051A1 (de) * | 1975-03-07 | 1976-09-16 | Rca Corp | Solarzelle |
DE2632987A1 (de) * | 1975-07-28 | 1977-02-10 | Rca Corp | Halbleiterbauelement |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
DE-Buch: A. Anders, Dünne Schichten für die Optik, Stuttgart 1965, S. 13-15 * |
US-Buch: American Institute of Physics Handbook, 2. Aufl., 1963, S. 6-12 - 6-14, 6-33, 6-114 u. 6-115 * |
US-Z: IEEE Transactions on Electron Devices, Bd. ED-12, No. 9, 1965, S. 493-496 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3023165A1 (de) * | 1980-06-20 | 1982-01-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Solarzelle aus amorphem silizium |
EP0054737A2 (de) * | 1980-12-22 | 1982-06-30 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterbauelement für die Umsetzung von Licht in elektrische Energie |
EP0054737A3 (en) * | 1980-12-22 | 1983-01-05 | Messerschmitt-Bolkow-Blohm Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Semiconductor device for the conversion of light into electrical energy |
DE3936666A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-23 | Canon Kk | Geschichtete photovoltaische vorrichtung mit antireflexschicht |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2386143A1 (fr) | 1978-10-27 |
EG13199A (en) | 1981-06-30 |
JPS53120394A (en) | 1978-10-20 |
IT7820753A0 (it) | 1978-02-28 |
ES468085A1 (es) | 1978-12-16 |
JPS5850034B2 (ja) | 1983-11-08 |
IT1092849B (it) | 1985-07-12 |
FR2386143B1 (de) | 1983-05-27 |
AU3444378A (en) | 1979-09-27 |
AU517084B2 (en) | 1981-07-09 |
GB1597037A (en) | 1981-09-03 |
DE2812547C2 (de) | 1990-07-19 |
HK77286A (en) | 1986-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3650012T2 (de) | Halbleitervorrichtung. | |
DE3318852C2 (de) | Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2854750C2 (de) | Silizium-Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2632987C3 (de) | Fotovoltaisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3244626C2 (de) | ||
DE4025311C2 (de) | ||
DE3111828A1 (de) | Vorrichtung zur umsetzung elektromagnetischer strahlung in elektrische energie | |
DE10237515A1 (de) | Stapelförmiger photoelektrischer Wandler | |
DE102008049448A1 (de) | Leistungsstarke optoelektronische Vorrichtung | |
DE102004031950A1 (de) | Halbleiter/Elektroden-Kontaktstruktur und eine solche verwendendes Halbleiterbauteil | |
DE2755500A1 (de) | Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung | |
EP0219763A1 (de) | Solarzelle | |
DE10142481A1 (de) | Solarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen | |
DE2246115A1 (de) | Photovoltazelle mit feingitterkontakt und verfahren zur herstellung | |
DE10045249A1 (de) | Photovoltaisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen des Bauelements | |
DE2624348A1 (de) | Heterouebergang-pn-diodenphotodetektor | |
DE4217428A1 (de) | Hochleistungs-solarzellenstruktur | |
DE202023101112U1 (de) | Solarzelle und Photovoltaikmodul | |
DE212021000262U1 (de) | Vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich und zugehörige Rückseitenkontaktstruktur | |
DE2812547C2 (de) | ||
DE212021000260U1 (de) | Vergrabene Solarzelle mit einem selektiven Kontaktbereich und zugehörige Rückseitenkontaktstruktur | |
DE3420887A1 (de) | Solarzelle | |
DE3305030C2 (de) | ||
DE202023101309U1 (de) | Solarzelle und Photovoltaikmodul | |
DE4410220B4 (de) | Dünnschicht-Solarzelle |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8365 | Fully valid after opposition proceedings | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |